JPH0415980A - Semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser deviceInfo
- Publication number
- JPH0415980A JPH0415980A JP2120575A JP12057590A JPH0415980A JP H0415980 A JPH0415980 A JP H0415980A JP 2120575 A JP2120575 A JP 2120575A JP 12057590 A JP12057590 A JP 12057590A JP H0415980 A JPH0415980 A JP H0415980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- block body
- semiconductor laser
- laser device
- lla
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 claims description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to improvement of a semiconductor laser device using a semiconductor laser chip as a laser light emitting element.
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第９図、第１Ｏ
図及び第１１図に示すように、炭素鋼等の金属にて適宜
直径りで且つ適宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステム
Ｉの上面に、金属製のプロ・ツク体２を突出して、この
ブロック体２の側面に、半導体レーザチップ３を半導体
基板４を介してダイボンディングする一方、前記ステム
ｌの上面に、ガラス窓６を備えた炭素鋼等の金属製のキ
ャップ体５を、前記半導体レーザチツプ３及びプロ・ツ
ク体２に被嵌するように配設して、このキャップ体５の
全周を前記ステム１の上面に対して抵抗溶接にて固着す
ることによって密封する構成にしている。Generally, this type of semiconductor laser device is shown in FIG.
As shown in the figures and FIG. 11, a metal protrusion body 2 is protruded from the upper surface of a stem I formed of metal such as carbon steel into a disk shape with an appropriate diameter and an appropriate thickness T. A semiconductor laser chip 3 is die-bonded to the side surface of this block body 2 via a semiconductor substrate 4, while a cap body 5 made of metal such as carbon steel and equipped with a glass window 6 is attached to the top surface of the stem l. The cap body 5 is disposed so as to fit over the semiconductor laser chip 3 and the professional block body 2, and the entire periphery of the cap body 5 is fixed to the upper surface of the stem 1 by resistance welding, thereby sealing the cap body. There is.
なお、符号７ａは、前記ステムｌの下面に溶接にて固着
したリード端子を、符号７ｂ、７ｃは、前記ステム１に
穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したリード端子を各々示
し、この両リード端子７ｂ。The reference numeral 7a indicates a lead terminal fixed by welding to the lower surface of the stem l, and the reference numerals 7b and 7c indicate lead terminals inserted through the holes 1a and lb drilled in the stem 1, respectively. Terminal 7b.
７ｃは、前記孔１ａ、ｌｂ内において、カラス等の絶縁
シール材８にて絶縁シール状態で固着されている、。7c is fixed in the holes 1a and 1b in an insulating sealing state with an insulating sealing material 8 such as crow.
そして、前記ステムヘースｌの上面にブロック体２を突
出するに際して、従来は、ステム１の上面に、ブロック
体２を溶接又は蝋付けにて固着したり、或いは、前記ス
テム１を冷間鍛造するときにおいて、同時にブロック体
２を一体的に造形したりするようにしている。In order to project the block body 2 onto the upper surface of the stem head l, conventionally, the block body 2 is fixed to the upper surface of the stem 1 by welding or brazing, or when the stem 1 is cold-forged. At the same time, the block body 2 is integrally formed.
しかし、前者のように、ブロック体２を、ステム１の上
面に溶接又は蝋付けにて固着する方法は、当該ブロック
体２の溶接又は蝋付けに際して、ステムＩに対して左右
方向に位置かずれたり、或いは、ステム１の上面に対し
て傾いたりすることが発生するので、この溶接又は蝋付
は後において、ブロック体２における各側面のうち半導
体レーザチップ３をダイボンデインクする側面を、当該
側面がステムの中心に対して正しい位置になると共に、
ステム１の上面に対して正しく直角になるように機械加
工するようにしなければならないから、ブロック体２付
きステムＩの製造に多大の手数がかかり、半導体レーザ
装置の価格か大幅にアップするのであるっ
また、後者のように、ブロック体２を、炭素鋼製のステ
ムｌを冷間鍛造に際して同時に造形する方法は、ブロッ
ク体２におけるステムｌの中心からの寸法精度及びステ
ムｌの上面に対する直角度を大幅に向上できる利点を有
するか、その反面、ブロック体２付きステムｌを冷間鍛
造するときに使用する金型の寿命が著しく低いと共に、
その冷間鍛造に際しては、頑丈で、且つ、高い精度の冷
間鍛造機が必要であって、ブロック体２付きステム１の
冷間鍛造にコストが大幅に嵩むので、これまた、半導体
レーザ装置の価格がアップすると言う問題があった。However, as in the former method, the block body 2 is fixed to the upper surface of the stem 1 by welding or brazing, but when the block body 2 is welded or brazed, the position of the block body 2 is shifted in the left and right direction with respect to the stem I. Since the stem 1 may be tilted or tilted with respect to the upper surface of the stem 1, this welding or brazing will be performed later on the side surface of the block body 2 on which the semiconductor laser chip 3 is to be die-bonded. While the sides are in the correct position relative to the center of the stem,
Since the stem 1 must be machined to be properly perpendicular to the top surface, it takes a lot of effort to manufacture the stem I with the block body 2, which significantly increases the price of the semiconductor laser device. In addition, as in the latter method, the method of forming the block body 2 and the carbon steel stem l at the same time during cold forging requires the dimensional accuracy from the center of the stem l in the block body 2 and the perpendicularity of the stem l to the upper surface. However, on the other hand, the life of the mold used when cold forging the stem l with the block body 2 is extremely short, and
For cold forging, a sturdy and highly accurate cold forging machine is required, and the cost of cold forging the stem 1 with the block body 2 increases significantly. There was a problem with the price going up.
本発明は、ブロック体付きステムの製作に要するコスト
を確実に低減できると共に、軽量化できるようにした半
導体レーザ装置を提供することを目的とするものである
。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device that can reliably reduce the cost required for manufacturing a stem with a block body and can also be lightweight.
この目的を達成するため本発明は、炭素鋼等の金属にて
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に、半導体レーザチップを固着して成る半導
体レーザ装置において、前記ステムを、第１ステムと第
２ステムとの二枚重ねに構成して、この第１ステム及び
第２ステムのうち、前記ブロック体側の第１ステムに、
略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の部分を
、前記ステムの表面に突出するように折曲げて、前記半
導体レーザチップ固着用のブロック体を形成する構成に
した。To achieve this object, the present invention provides a semiconductor laser device in which a block body is provided on the surface of a disk-shaped stem made of metal such as carbon steel, and a semiconductor laser chip is fixed to the block body. The stem is composed of two stacked stems, a first stem and a second stem, and of the first stem and second stem, the first stem on the block body side,
A substantially U-shaped cut line is carved, and a portion inside the cut line is bent so as to protrude from the surface of the stem to form a block body for fixing the semiconductor laser chip.
この構成において、ステムを構成する第１ステムには、
これにコ字状の切線を刻設しその内側の部分をステムの
表面に突出するように折曲げてブロック体に形成したこ
とにより、貫通孔が明くことになるか、この貫通孔は、
当該第１ステムに対して重ねた第２ステムによって塞ぐ
ことができる一方、ステムを構成する第１ステム及び第
２ステムは、いずれも、ステムにおける所定の厚さ寸法
よりも薄いことにより、これらを薄い金属板からの打ち
抜きプレス加工によって、製造することができると共に
、ブロック体におけるステムの中心からの寸法及びステ
ムの上面に対する直角度を、プレス加工にて高い精度で
形成することかできるから、ブロック体付きステムを、
前記従来のように、ステムの上面に対してブロック体を
溶接又は蝋付けに固着したのち仕上は加工したり、或い
は、ブロック体付きステムを冷間鍛造をしたりするもの
に比べて、至極容易に製造できるのである。In this configuration, the first stem constituting the stem includes:
By cutting a U-shaped cut line into this and bending the inner part to protrude to the surface of the stem to form a block body, the through hole becomes clear.
While the first stem can be blocked by the second stem stacked on top of the first stem, the first stem and the second stem constituting the stem are both thinner than a predetermined thickness dimension of the stem, so that they can be closed off. The block can be manufactured by punching and press working from a thin metal plate, and the dimensions from the center of the stem in the block body and the perpendicularity to the top surface of the stem can be formed with high precision by press working. stem with body,
This method is extremely easy compared to the above-mentioned conventional method, in which the block body is fixed to the upper surface of the stem by welding or brazing, and then the finishing process is performed, or the stem with the block body is cold forged. It can be manufactured to
従って本発明によると、半導体レーザ装置におけるブロ
ック付きステムの製作に要するコストを大幅に低減する
ことができるから、半導体レーザ装置を安価に提供でき
るのである。Therefore, according to the present invention, the cost required for manufacturing a stem with a block in a semiconductor laser device can be significantly reduced, so that the semiconductor laser device can be provided at a low cost.
しかも、本発明は、半導体レーザチップ固着用のブロッ
ク体を、第１ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よ
りも内側の部分を折曲げることによって形成したもので
、換言すると、第１ステムにおける一部を利用してブロ
ック体を造形するものであるから、前記従来のものに比
べて、半導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分
だけ軽量化できる効果をも有する。Moreover, in the present invention, the block body for fixing the semiconductor laser chip is formed by carving a U-shaped cutting line in the first stem and bending the part inside the cutting line. Since the block body is formed using a part of one stem, it also has the effect of reducing the weight of the semiconductor laser device by the amount of the block body, compared to the conventional device.
（実施例〕 以下、本発明の実施例を図面について説明する。(Example〕 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図〜第５図は、第１の実施例を示し、この図におい
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて適宜直径りで且つ適
宜厚さ寸法Ｔの円盤型に形成したステム１１と、ガラス
窓１６を備えた炭素鋼等の金属製のキャップ体１５とに
よって構成された半導体レーザ装置を示す。1 to 5 show a first embodiment, and in these figures, reference numeral 10 denotes a stem 11 formed of metal such as carbon steel into a disk shape with an appropriate diameter and an appropriate thickness T. , and a cap body 15 made of metal such as carbon steel and having a glass window 16 are shown.
前記ステム１１を、第１ステムｌｌａと第２ステムｌｌ
ｂとの二枚重ねに構成して、この第１ステムｌｌａ及び
第２ステムｌｌｂのうち前記キャップ体１５側における
第１ステムＩｌａに、第４図の平面視においてコ字状の
切線１９を刻設し、この切線１９よりも内側の部分を、
前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによって
、ブロック体１２を形成する。The stem 11 is divided into a first stem lla and a second stem lla.
b, and of the first stem Ila and the second stem Ilb, a U-shaped cutting line 19 is carved in the first stem Ila on the cap body 15 side when viewed from above in FIG. , the part inside this cutting line 19,
The block body 12 is formed by bending the cap body 15 inward.
一方、前記第２ステムｌｌｂには、その下面にリード端
子１７ａを溶接にて接続すると共に、二つの貫通孔２０
を穿設して、この両頁通孔２０内に各々リート端子１７
ｂ、１７ｃを挿入したのち、両頁通孔２０内にカラス等
の絶縁シール材１８を充填することによって、前記両リ
ード端子１７ｂ１７ｃを、前記第２ステムｌｌｂに対し
て絶縁シール状態で固着する。On the other hand, the second stem llb has a lead terminal 17a connected to its lower surface by welding, and has two through holes 20.
A lead terminal 17 is formed in each of the through holes 20 on both pages.
After inserting the lead terminals 17b and 17c, an insulating sealing material 18 such as crow is filled in the through holes 20 of both pages, thereby fixing both the lead terminals 17b17c to the second stem llb in an insulating seal state.
そして、この第２ステムｌｌｂを、前記第１ステムｌｌ
ａの裏面に対して密着するように重ね合わせたのち、第
１ステムｌｌａと、第２ステム１１ｂとを、その外側の
全周にわたって抵抗溶接することによって一体化する。Then, this second stem llb is connected to the first stem llb.
After overlapping the first stem lla and the second stem 11b so as to be in close contact with the back surface of the first stem lla, the first stem lla and the second stem 11b are integrated by resistance welding over the entire outer circumference.
次いで、第１ステムｌｌａのブロック体１２の側面に、
半導体レーザチップ１３を、表面の一部にモニター用フ
ォトダイオードを備えた半導体基板１４を介してダイボ
ンディングしたのち、前記半導体レーザチップ１３と半
導体基板１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両
リート端子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイ
ヤーポインディングし、そして、前記キャップ体１５を
被嵌したのち、このキャップ体Ｉ５の周囲を、前記第１
ステムｌｌａに対して抵抗溶接することによって密閉す
る。Next, on the side of the block body 12 of the first stem lla,
After the semiconductor laser chip 13 is die-bonded through a semiconductor substrate 14 having a monitoring photodiode on a part of its surface, the semiconductor laser chip 13 and the semiconductor substrate 14 and the semiconductor substrate 14 and both Wire pointing is performed between the lead terminals 17b and 17c using gold wire, and after the cap body 15 is fitted, the circumference of the cap body I5 is
The seal is made by resistance welding to the stem lla.
なお、このキャップ体１５の第１ステムＩｌａに対する
抵抗溶接は、第１ステムＩｌａと第２ステム１１ｂとを
抵抗溶接するときにおいて同時に行うようにしても良い
のである。Note that the resistance welding of the cap body 15 to the first stem Ila may be performed simultaneously when resistance welding the first stem Ila and the second stem 11b.
この構成において、ステム１１を構成する第１ステムｌ
ｌａには、これにコ字状の切線１９ ヲ刻設してその内
側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げてブロッ
ク体１２を形成したことにより、貫通孔２１か形成され
ることになるが、この貫通孔２１は、当該第１ステムｌ
ｌａに対して重ねた第２ステムｌｌｂによって塞ぐこと
ができる一方、ステム１１を構成する第１ステムｌｌａ
及び第２ステムｌｌｂは、いずれも、ステム１１におけ
る所定の厚さ寸法Ｔよりも薄いことにより、これら第１
ステムｌｌａ及び第２ステムｌｌｂを薄い金属板からの
打ち抜きプレス加工によって、至極容易に製造すること
ができると共に、第１ステムｌｌａのブロック体１２に
おけるステム１１の中心からの寸法及びステム１１の上
面に対する直角塵を、プレス加工にて高い精度で形成す
ることができるのである。In this configuration, the first stem l constituting the stem 11
A through-hole 21 is formed in la by cutting a U-shaped cutting line 19 therein and bending the inner part toward the inside of the cap body 15 to form the block body 12. However, this through hole 21 is connected to the first stem l.
The first stem lla constituting the stem 11 can be closed by the second stem llb stacked against the la.
and the second stem llb are both thinner than the predetermined thickness dimension T of the stem 11, so that the first stem llb
The stem lla and the second stem llb can be manufactured extremely easily by punching and pressing from a thin metal plate, and the dimensions from the center of the stem 11 in the block body 12 of the first stem lla and the top surface of the stem 11 are Right-angled dust can be formed with high precision by press working.
そして、前記第１ステムｌｌａにおけるブロック体１２
に対して半導体基板１４を介してダイホンディングした
半導体レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体
１２から第１ステムｌｌａ及び第２ステムｌｌｂに熱伝
達したのち放熱されるのであるか、この場合において、
半導体レーザチップ１３から第１ステムｌｌａ及び第２
ステム１１ｂへの熱伝達を更に促進するには、第１ステ
ムｌｌａに、コ字状切線１９を刻設しその内側の部分を
折曲げることによって形成されるブロック体１２を、第
６図、第７図及び第８図に示すように、第１ステムｌｌ
ａに対する付は根部における幅寸法Ｗ、を先端部におけ
る幅寸法Ｗ２よりも大きくして成る台形状に形成すれば
良いのであり、その他の構成は、前記第１の実施例と同
様である。Then, the block body 12 in the first stem lla
In this case, is the heat generated from the semiconductor laser chip 13 die-bonded via the semiconductor substrate 14 transferred from the block body 12 to the first stem lla and the second stem llb and then radiated? ,
A first stem lla and a second stem lla from the semiconductor laser chip 13
In order to further promote heat transfer to the stem 11b, a block body 12 is formed by carving a U-shaped cut line 19 in the first stem lla and bending the inner part of the cut line 19, as shown in FIG. As shown in FIGS. 7 and 8, the first stem ll
The attachment to a may be formed into a trapezoidal shape in which the width W at the root is larger than the width W2 at the tip, and the other configurations are the same as in the first embodiment.
また、第１ステムｌｌａにおけるブロック体１２を、前
記のように台形状に形成する場合には、この台形状のブ
ロック体１２における左右両側１２ａ、１２ｂを、第２
ステムｌｌｂに対して固着される両リード端子１７ｂ、
１７ｃよりも遠さかる方向に屈曲することにより、当該
台形状のブロック体１２か、前記両リート端子１７ｂ、
１７ｃに対して干渉することを回避できるのである。Further, when the block body 12 in the first stem lla is formed into a trapezoidal shape as described above, the left and right sides 12a, 12b of this trapezoidal block body 12 are
both lead terminals 17b fixed to the stem llb;
By bending in a direction farther away than 17c, the trapezoidal block body 12 or both lead terminals 17b,
This makes it possible to avoid interference with 17c.
第１図〜第８図は本発明の実施例を示し、第１図は第１
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■視
断面断面図３図は分解した状態の図、第４図は第３図の
ＩＶ−ＩＶ視平面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ祝事面図
、第６図は第２の実施例を示す平面図、第７図は第６図
の■−■視断面断面図８図は第６図の■−■視断面断面
図９図は従来の例を示す縦断正面図、第１Ｏ図は第９図
のＸ−Ｉ視断面図、第１１図は第９図のＸ Ｉ −Ｘ
Ｉ視断面図である。
１０・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１１ａ・・・・第１ステム、ｌｌｂ・・・・第２ステム
、１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザ
チップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャッ
プ体、１６・・・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ
＝・・リード端子、１８・・・・絶縁シール材、１９・
・・・切線。1 to 8 show embodiments of the present invention, and FIG. 1 is a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view taken along ■--■ of FIG. 1; FIG. 3 is an exploded view; FIG. 4 is a plan view taken along IV-IV of FIG. 3; The figure is a V-V celebration side view of Fig. 3, Fig. 6 is a plan view showing the second embodiment, Fig. 7 is a sectional view taken along ■-■ of Fig. ■-■ cross-sectional view Figure 9 is a vertical front view showing a conventional example, Figure 1O is a cross-sectional view taken along line X-I in Figure 9, and Figure 11 is a cross-sectional view taken along line X-I in Figure 9.
FIG. 10... Semiconductor laser device, 11... Stem,
11a...First stem, llb...Second stem, 12...Block body, 13...Semiconductor laser chip, 14...Semiconductor substrate, 15...Cap body , 16...Glass window, 17a, 17b, 17c
=... Lead terminal, 18... Insulating seal material, 19...
...cut line.
Claims (1)
表面にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザ
チップを固着して成る半導体レーザ装置において、前記
ステムを、第１ステムと第２ステムとの二枚重ねに構成
して、この第１ステム及び第２ステムのうち、前記ブロ
ック体側の第１ステムに、略コ字状の切線を刻設し、こ
の切線よりも内側の部分を、前記ステムの表面に突出す
るように折曲げて、前記半導体レーザチップ固着用のブ
ロック体を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置
。(1) In a semiconductor laser device in which a block body is provided on the surface of a disc-shaped stem made of metal such as carbon steel, and a semiconductor laser chip is fixed to the block body, the stem is a first stem. A substantially U-shaped cut line is carved in the first stem on the block body side among the first stem and the second stem, and the part inside the cut line is cut in half. . A semiconductor laser device, characterized in that a block body for fixing the semiconductor laser chip is formed by bending the stem so as to protrude from the surface thereof.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120575A JP2546907B2 (en) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | Semiconductor laser device |
| US07/686,152 US5089861A (en) | 1990-05-09 | 1991-04-16 | Semiconductor laser device with mounting block |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120575A JP2546907B2 (en) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415980A true JPH0415980A (en) | 1992-01-21 |
| JP2546907B2 JP2546907B2 (en) | 1996-10-23 |
Family
ID=14789686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120575A Expired - Fee Related JP2546907B2 (en) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546907B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319256A (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Airtight terminal for optical semiconductor device |
| JP2008235851A (en) * | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Stem for optical semiconductor device, and manufacturing method therefor |
| DE102013009709A1 (en) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Shima Seiki Mfg., Ltd. | Separation method for knits |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (en) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS62213191A (en) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Sharp Corp | Stem for photo-semiconductor |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2120575A patent/JP2546907B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365U (en) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS62213191A (en) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Sharp Corp | Stem for photo-semiconductor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319256A (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Airtight terminal for optical semiconductor device |
| JP2008235851A (en) * | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Stem for optical semiconductor device, and manufacturing method therefor |
| DE102013009709A1 (en) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Shima Seiki Mfg., Ltd. | Separation method for knits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546907B2 (en) | 1996-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2560131B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| CN109570756B (en) | Method for pre-fixing thin solder sheet and metal piece | |
| JPS5856360A (en) | Lead frame for integrated circuit and its manufacture | |
| JPH0415980A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5828000A (en) | Semiconductor device with heat radiating plate and positioning dummy lead and lead frame therefor | |
| JPH0415981A (en) | Semiconductor laser device | |
| US3768148A (en) | Method of joining print characters to high speed printer fingers | |
| JP2560127B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3051598B2 (en) | Ag brazed seal ring and its manufacturing method | |
| JP2546910B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2880048B2 (en) | Method of manufacturing stem for semiconductor package | |
| JPS6032768Y2 (en) | airtight terminal | |
| JP3712106B2 (en) | Manufacturing method of stem for laser diode | |
| JP4926458B2 (en) | Manufacturing method of stem for optical semiconductor element | |
| JPH11235607A (en) | Throwaway tip | |
| JPH0741166Y2 (en) | Package for semiconductor device | |
| JPH04326783A (en) | Manufacture of stem for semiconductor laser device | |
| JPS607494Y2 (en) | semiconductor equipment | |
| JPH04284651A (en) | Ceramic package | |
| JPS6327887Y2 (en) | ||
| JPH07161868A (en) | Manufacture of eyelet of sealing glass terminal for optical element | |
| JPS63164326A (en) | Semiconductor device package | |
| JPS6218057A (en) | Process of lead frame | |
| JPS601488Y2 (en) | Cathode structure for magnetron | |
| JPH0128610Y2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |