JPH04142741A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04142741A JPH04142741A JP26678590A JP26678590A JPH04142741A JP H04142741 A JPH04142741 A JP H04142741A JP 26678590 A JP26678590 A JP 26678590A JP 26678590 A JP26678590 A JP 26678590A JP H04142741 A JPH04142741 A JP H04142741A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーを薬液処理する半導体製造装置
に関する。
に関する。
従来の半導体製造工程に使用する半導体ウェハー薬液処
理装置には、写真食刻工程において所望のパターンにシ
リコン酸化膜を弗酸と純水の混合液にてエツチングする
いわゆる酸化膜エツチグ装置がある。この従来技術にお
ける酸化膜エツチング装置は、第２図の縦断面図に示す
ように、シリコン酸化膜をエツチングする薬液処理槽１
である弗酸と純水の混合液槽と薬液処理槽１に連続した
純水リンス槽２で構成されていた。この際、半導体ウェ
ハー９を搭載したキャリア８は、自動キャリア搬送機構
１０により各々処理槽に搬送され、純水リンス処理後は
遠心乾燥機７に送られて乾燥処理されていた。
理装置には、写真食刻工程において所望のパターンにシ
リコン酸化膜を弗酸と純水の混合液にてエツチングする
いわゆる酸化膜エツチグ装置がある。この従来技術にお
ける酸化膜エツチング装置は、第２図の縦断面図に示す
ように、シリコン酸化膜をエツチングする薬液処理槽１
である弗酸と純水の混合液槽と薬液処理槽１に連続した
純水リンス槽２で構成されていた。この際、半導体ウェ
ハー９を搭載したキャリア８は、自動キャリア搬送機構
１０により各々処理槽に搬送され、純水リンス処理後は
遠心乾燥機７に送られて乾燥処理されていた。
この従来の酸化膜エツチング装置では、シリコン半導体
ウェハーが薬液処理槽に持ち込んだパーティクルやエツ
チング中の反応生成物がウェハーに付着した場合、純水
リンス処理後のウェハー乾燥によってパーティクルがウ
ェハー表面に強く固着し、後工程のパーティクルを除去
するためのウェハー洗浄処理によっても除去が困難であ
った。
ウェハーが薬液処理槽に持ち込んだパーティクルやエツ
チング中の反応生成物がウェハーに付着した場合、純水
リンス処理後のウェハー乾燥によってパーティクルがウ
ェハー表面に強く固着し、後工程のパーティクルを除去
するためのウェハー洗浄処理によっても除去が困難であ
った。
このなめ従来装置では、複数回の薬液処理を行なうシリ
コン半導体ウェハーに作成された半導体デバイスの歩留
りを不安定なものにしているという欠点があった。
コン半導体ウェハーに作成された半導体デバイスの歩留
りを不安定なものにしているという欠点があった。
本発明のシリコン半導体ウェハーを薬液処理する半導体
製造装置は、シリコン酸化膜をエツチングする弗酸系の
混合液槽である薬液処理槽と薬液処理槽後の純水リンス
槽に連続し設けられた各々１槽以上の硫酸と過酸化水素
水の混合液槽と、純水リンス槽と、アンモニア水と過酸
化水素水と純水との混合液槽及び純水リンス槽とで構成
され、ウェハーを搭載したキャリアを各々の処理槽に自
動搬送する機構とを備えている。
製造装置は、シリコン酸化膜をエツチングする弗酸系の
混合液槽である薬液処理槽と薬液処理槽後の純水リンス
槽に連続し設けられた各々１槽以上の硫酸と過酸化水素
水の混合液槽と、純水リンス槽と、アンモニア水と過酸
化水素水と純水との混合液槽及び純水リンス槽とで構成
され、ウェハーを搭載したキャリアを各々の処理槽に自
動搬送する機構とを備えている。
ここで硫酸と過酸化水素水の混合液は、写真食刻工程で
用いるフォトレジストを除去するためのものである。ま
たアンモニア水と過酸化水素水と純水との混合液は、ウ
ェハー表面に付着しているパーティクルを除去するため
のものである。薬液処理槽後の純水リンス槽に連続して
レジスト除去及びパーティクル除去を行なうことにより
パーティクルの強固な付着によるパーティクル除去効率
の低下を防いでいる。
用いるフォトレジストを除去するためのものである。ま
たアンモニア水と過酸化水素水と純水との混合液は、ウ
ェハー表面に付着しているパーティクルを除去するため
のものである。薬液処理槽後の純水リンス槽に連続して
レジスト除去及びパーティクル除去を行なうことにより
パーティクルの強固な付着によるパーティクル除去効率
の低下を防いでいる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の自動シリコン酸化膜エツチ
ング装置の縦断面図である。キャリア８に搭載された被
処理半導体ウェハー９は、弗酸と弗化アンモニウムの混
合液からなる薬液処理槽１ａで所望パターンのシリコン
酸化膜をエツチングされる。次に薬液をリンスする純水
リンス槽２に移送される。次に硫酸と過酸化水素水の混
合液槽３く図面では硫酸・過水槽３と略記）でフォトレ
ジストを除去された後、純水リンス槽４に移送される。
ング装置の縦断面図である。キャリア８に搭載された被
処理半導体ウェハー９は、弗酸と弗化アンモニウムの混
合液からなる薬液処理槽１ａで所望パターンのシリコン
酸化膜をエツチングされる。次に薬液をリンスする純水
リンス槽２に移送される。次に硫酸と過酸化水素水の混
合液槽３く図面では硫酸・過水槽３と略記）でフォトレ
ジストを除去された後、純水リンス槽４に移送される。
次にアンモニア水と過酸化水素水と純水の混合液槽５（
図面ではアンモニア水・通水・純水槽５と略記）でウェ
ハー表面に付着したパーティクルを除去した後純水リン
ス槽６に移送される。次に遠心乾燥器７で乾燥される。
図面ではアンモニア水・通水・純水槽５と略記）でウェ
ハー表面に付着したパーティクルを除去した後純水リン
ス槽６に移送される。次に遠心乾燥器７で乾燥される。
上記の移送は全て自動キャリア搬送機構１０により行わ
れる。
れる。
第３図は本実施例の効果を示すもので、シリコン酸化膜
をエツチングしたときのウェハー毎に付着したパーティ
クルの数を、従来の酸化膜エツチング装置でエツチング
処理し一度乾燥させた後、別のレジスト除去装置の硫酸
と過酸化水素水混合液槽及びアンモニア水と過酸化水素
水と純水混合液槽で処理した後に乾燥した場合と、本実
施例のように薬液処理後の乾燥処理を行なわない場合と
で比較したものである０本実施例のパーティクル付着数
は、ウェハー平均で４個と従来方式の平均３９個に比べ
約１０分の−に低減しており、本実施例のように薬液処
理後すぐに乾燥させることなくレジストの除去及びパー
ティクルの除去を行なうことの効果が謬著である。
をエツチングしたときのウェハー毎に付着したパーティ
クルの数を、従来の酸化膜エツチング装置でエツチング
処理し一度乾燥させた後、別のレジスト除去装置の硫酸
と過酸化水素水混合液槽及びアンモニア水と過酸化水素
水と純水混合液槽で処理した後に乾燥した場合と、本実
施例のように薬液処理後の乾燥処理を行なわない場合と
で比較したものである０本実施例のパーティクル付着数
は、ウェハー平均で４個と従来方式の平均３９個に比べ
約１０分の−に低減しており、本実施例のように薬液処
理後すぐに乾燥させることなくレジストの除去及びパー
ティクルの除去を行なうことの効果が謬著である。
以上述べたように本発明の実施例のでは、シリコン酸化
膜エツチング装置について説明したが゛、ポリシリコン
膜等弗酸系の処理液を用いる全てのエツチング処理装置
に適用出来る。
膜エツチング装置について説明したが゛、ポリシリコン
膜等弗酸系の処理液を用いる全てのエツチング処理装置
に適用出来る。
以上説明したように本発明は、シリコン半導体の写真食
刻工程における薬液処理において、シリコン酸化膜をエ
ツチングする等の薬液処理に連続しフォトレジストの除
去及びパーティクルの除去処理を行なうことにより、従
来薬液処理後の乾燥によりウェハーにパーティクルが固
着し、その後に行なうパーティクル除去によってもパー
ティクルを除くことが困難となる問題を解決した。これ
によりウェハーに残留するパーティクル数は従来方式の
約１０分の−に低減し、半導体デバイスの良品歩留りを
大幅に向上するという効果を有している。
刻工程における薬液処理において、シリコン酸化膜をエ
ツチングする等の薬液処理に連続しフォトレジストの除
去及びパーティクルの除去処理を行なうことにより、従
来薬液処理後の乾燥によりウェハーにパーティクルが固
着し、その後に行なうパーティクル除去によってもパー
ティクルを除くことが困難となる問題を解決した。これ
によりウェハーに残留するパーティクル数は従来方式の
約１０分の−に低減し、半導体デバイスの良品歩留りを
大幅に向上するという効果を有している。
第１図は本発明の一実施例の自動シリコン酸化膜エツチ
ング装置の縦断面図、第２図は従来技術におけるシリコ
ン酸化膜エツチング装置の縦断面図、第３図は従来及び
本発明の実施におけるパーティクル付着数の比較データ
示すグラフである。 １．１ａ・・・薬液処理槽、２，４．６・・・純水リン
ス槽、３・・・硫酸・過水槽、５・・・アンモニア水・
通水・純水槽、７・・・遠心乾燥機、８・・・キャリア
、９・・・半導体ウェハー、１０・・・自動キャリア搬
送機槽。
ング装置の縦断面図、第２図は従来技術におけるシリコ
ン酸化膜エツチング装置の縦断面図、第３図は従来及び
本発明の実施におけるパーティクル付着数の比較データ
示すグラフである。 １．１ａ・・・薬液処理槽、２，４．６・・・純水リン
ス槽、３・・・硫酸・過水槽、５・・・アンモニア水・
通水・純水槽、７・・・遠心乾燥機、８・・・キャリア
、９・・・半導体ウェハー、１０・・・自動キャリア搬
送機槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハーを薬液処理する半導体製造装置にお
いて、薬液処理槽後の純水リンス槽に連続して設けられ
た各々１槽以上の硫酸と過酸化水素水の混合液槽と、純
水リンス槽と、アンモニア水と過酸化水素水と純水との
混合液槽及び純水リンス槽とで構成することを特徴とす
る半導体製造装置。 ２、薬液処理槽が弗酸系の混合液槽である請求項１記載
の半導体製造装置。 ３、半導体ウェハーを搭載したキャリアを各処理槽に自
動搬送する機構を有する請求項１記載の半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678590A JPH04142741A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678590A JPH04142741A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142741A true JPH04142741A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17435661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26678590A Pending JPH04142741A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142741A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340395B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Salsa clean process |
| US6790734B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-09-14 | Nec Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| DE19829863B4 (de) * | 1997-10-29 | 2006-06-29 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| JP2008270824A (ja) * | 2008-05-09 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26678590A patent/JPH04142741A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19829863B4 (de) * | 1997-10-29 | 2006-06-29 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| US6340395B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Salsa clean process |
| US6790734B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-09-14 | Nec Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008270824A (ja) * | 2008-05-09 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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