JPH04144190A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
配線基板およびその製造方法に関し、
接続パッドの半田溶食を防止することを目的とし、
密着層上にＣｕ−Ｎｉ −Ａｕの多層構造を有する接続
パッドを形成してなる配線基板において、前記Ｎｉ層を
無電解Ｎｉ−Ｂにて形成するように構成する。 また、その配線基板の製造方法を、 密着層上にＣｕ Ｎｉ−Ａｕの多層構造を有する接続
パッドを形成する配線基板の製造方法において、 前記Ｃｕ層を電解メッキにて形成した後、適宜の触媒を
該Ｃｕ層の露出部に吸着させ、次いでＮｉ−Ｂ、および
Ａｕ層を無電解メッキにて積層して構成する。
パッドを形成してなる配線基板において、前記Ｎｉ層を
無電解Ｎｉ−Ｂにて形成するように構成する。 また、その配線基板の製造方法を、 密着層上にＣｕ Ｎｉ−Ａｕの多層構造を有する接続
パッドを形成する配線基板の製造方法において、 前記Ｃｕ層を電解メッキにて形成した後、適宜の触媒を
該Ｃｕ層の露出部に吸着させ、次いでＮｉ−Ｂ、および
Ａｕ層を無電解メッキにて積層して構成する。
本発明は、配線基板、およびその製造方法に関するもの
である。
である。
一般にプリント基板、セラミンク基板等の配線基板の回
路には、半田付用の接続パッドが設けられており、この
接続パッド２の膜構成は、従来、第２図に示すように、
電気抵抗の低さから導電層として使用される銅層４と、
Ｐｂ−３ｎ、Ｉｎ−３ｎ、Ｉｎ−Ｐｂ、Ａｕ−３ｎ等の
半田と銅層４の拡散防止のためのニッケル層３と、半田
濡れの長３ｔＪｌ確保を目的とする金層５とからなる多
層構造が取られていた。 なお、第２図において６は基材、１は密着層である。
路には、半田付用の接続パッドが設けられており、この
接続パッド２の膜構成は、従来、第２図に示すように、
電気抵抗の低さから導電層として使用される銅層４と、
Ｐｂ−３ｎ、Ｉｎ−３ｎ、Ｉｎ−Ｐｂ、Ａｕ−３ｎ等の
半田と銅層４の拡散防止のためのニッケル層３と、半田
濡れの長３ｔＪｌ確保を目的とする金層５とからなる多
層構造が取られていた。 なお、第２図において６は基材、１は密着層である。
しかし、上述した接続パッド２は、スピンコ−ドにレジ
ストを塗布した後、電気メッキで銅メンキ、ニッケルメ
ンキ、金メッキをし、金をマスクとしてパネルエツチン
グをすることにより形成されるので、該接続パッド２の
端面には銅が露出したり、あるいはニッケルメッキ層３
の厚さにばらつきが生じ、半田付けの際に加えられる熱
ストレスにより半田溶食が進行し、断線、パッド脱落が
生じるという欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、接続バッドの半田溶食を防止することができる配ｖ
Ａ基板およびその製造方法を提供することを目的とする
。
ストを塗布した後、電気メッキで銅メンキ、ニッケルメ
ンキ、金メッキをし、金をマスクとしてパネルエツチン
グをすることにより形成されるので、該接続パッド２の
端面には銅が露出したり、あるいはニッケルメッキ層３
の厚さにばらつきが生じ、半田付けの際に加えられる熱
ストレスにより半田溶食が進行し、断線、パッド脱落が
生じるという欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、接続バッドの半田溶食を防止することができる配ｖ
Ａ基板およびその製造方法を提供することを目的とする
。
本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第１図（
ｈ）に示すように、 密着層１上にＣｕ−Ｎｉ −Ａｕの多層構造を有する接
続バッド２を形成してなる配線基板において、 前記Ｎｉ層３を無電解Ｎｉ−Ｂにて形成したことを特徴
とする配線基板を提供することにより達成される。 さらに、上記配線基板は、第１図にその工程を示すよう
に、 密着１１上にＣｕ−Ｎｉ−Ａｕの多層構造を有する接続
パッド２を形成する配線基板の製造方法において、 前記Ｃｕ層４を電解メッキにて形成した後、適宜の触媒
を該Ｃｕ ｔｉ ４の露出部に吸着させ、次いでＮｉ−
Ｂ、およびＡｕ層５を無電解メッキにて積層して製造さ
れる。
ｈ）に示すように、 密着層１上にＣｕ−Ｎｉ −Ａｕの多層構造を有する接
続バッド２を形成してなる配線基板において、 前記Ｎｉ層３を無電解Ｎｉ−Ｂにて形成したことを特徴
とする配線基板を提供することにより達成される。 さらに、上記配線基板は、第１図にその工程を示すよう
に、 密着１１上にＣｕ−Ｎｉ−Ａｕの多層構造を有する接続
パッド２を形成する配線基板の製造方法において、 前記Ｃｕ層４を電解メッキにて形成した後、適宜の触媒
を該Ｃｕ ｔｉ ４の露出部に吸着させ、次いでＮｉ−
Ｂ、およびＡｕ層５を無電解メッキにて積層して製造さ
れる。
上記構成に基づき、本発明におけるニッケル層３は、無
電解メッキにより形成される。 電解ニッケルメンキにおいては、メッキ厚のばらつきが
太き（，２ミクロンの膜厚を目標にメッキすると、略４
０パーセントの領域のメッキ厚は、１ミクロン程度とな
ることが知られており、この程度の膜厚においては、容
易に半田溶食が生じることとなる。これに対し、無電解
メッキの膜厚のばらつきは、電解メッキのそれに比較し
て３分の１あるいは４分の１程度と小さ（、半田拡散防
止層としてａ能するメッキ層が薄いために生じる半田溶
食は確実に防止される。 さらに、無電解メッキにより、銅層４の端面に対しても
容易にメッキ層が形成され、端面からの半田溶食が防止
される。 （実施例］ 以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。 第１図は本発明の実施例を示すもので、先ずセラミック
基板等の配線基板の基材６上には、ポリイミドがスピン
コードされ、このポリイミド絶縁層７上にＣｒ、あるい
はＴｉがスパッタリングされて密着層１が形成される（
第１図（ａ）参照）。 次いで、第１図（ｂ）に示すように、密着層１上にレジ
スト８を塗布した後、第１図（Ｃ）に示すように、銅を
電気メッキし、さらにレジスト８を剥離してＣｕ層４が
密着層Ｉ上に積層される（第１図（ｄ）参照）。 この後、Ｃｕ層層上上は、レジスト８が塗布され、パネ
ルエンチングにより不要部分の密着層１を除去した後、
レジスト８を剥離し、導体パターンが形成される（第１
図（ｅ）ないしくｇ）参照）本発明は、銅による導体パ
ターンの端面が外部に露出し、半田溶食を受けないよう
に、上記導体パターンの表面部に加え、端面にもニッケ
ル層３を形成するもので、端面を含めてＣｕ層４をＮｉ
層３で覆うために、先ず配線基板を塩化パラジウム水溶
液中に浸漬して、Ｃｕ層４０表面部、および端面にパラ
ジウム触媒を吸着させた後、無電解ニッケルメッキが施
される。この場合、半田濡れ性の信頼性を向上させるた
め、ジメチルアミンボランを還元側としたＮｉ−Ｂのニ
ッケルメッキ液を使用するのが望ましく、かかるＮｉ−
８層３上に金層５が無電解メッキにより形成され、接続
バッド２が形成される。
電解メッキにより形成される。 電解ニッケルメンキにおいては、メッキ厚のばらつきが
太き（，２ミクロンの膜厚を目標にメッキすると、略４
０パーセントの領域のメッキ厚は、１ミクロン程度とな
ることが知られており、この程度の膜厚においては、容
易に半田溶食が生じることとなる。これに対し、無電解
メッキの膜厚のばらつきは、電解メッキのそれに比較し
て３分の１あるいは４分の１程度と小さ（、半田拡散防
止層としてａ能するメッキ層が薄いために生じる半田溶
食は確実に防止される。 さらに、無電解メッキにより、銅層４の端面に対しても
容易にメッキ層が形成され、端面からの半田溶食が防止
される。 （実施例］ 以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。 第１図は本発明の実施例を示すもので、先ずセラミック
基板等の配線基板の基材６上には、ポリイミドがスピン
コードされ、このポリイミド絶縁層７上にＣｒ、あるい
はＴｉがスパッタリングされて密着層１が形成される（
第１図（ａ）参照）。 次いで、第１図（ｂ）に示すように、密着層１上にレジ
スト８を塗布した後、第１図（Ｃ）に示すように、銅を
電気メッキし、さらにレジスト８を剥離してＣｕ層４が
密着層Ｉ上に積層される（第１図（ｄ）参照）。 この後、Ｃｕ層層上上は、レジスト８が塗布され、パネ
ルエンチングにより不要部分の密着層１を除去した後、
レジスト８を剥離し、導体パターンが形成される（第１
図（ｅ）ないしくｇ）参照）本発明は、銅による導体パ
ターンの端面が外部に露出し、半田溶食を受けないよう
に、上記導体パターンの表面部に加え、端面にもニッケ
ル層３を形成するもので、端面を含めてＣｕ層４をＮｉ
層３で覆うために、先ず配線基板を塩化パラジウム水溶
液中に浸漬して、Ｃｕ層４０表面部、および端面にパラ
ジウム触媒を吸着させた後、無電解ニッケルメッキが施
される。この場合、半田濡れ性の信頼性を向上させるた
め、ジメチルアミンボランを還元側としたＮｉ−Ｂのニ
ッケルメッキ液を使用するのが望ましく、かかるＮｉ−
８層３上に金層５が無電解メッキにより形成され、接続
バッド２が形成される。
以上の説明から明らかなように、本発明による配！９！
基板によれば、半田溶食に対する拡散防止層となるＮｉ
−Ｂ層の膜厚のばらつきを抑えることができ、さらにＣ
ｕ層の端面をも該Ｎｉ−Ｂ層で覆うことができるので、
半田溶食を完全に防止することができる。
基板によれば、半田溶食に対する拡散防止層となるＮｉ
−Ｂ層の膜厚のばらつきを抑えることができ、さらにＣ
ｕ層の端面をも該Ｎｉ−Ｂ層で覆うことができるので、
半田溶食を完全に防止することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来例を示す図である。
図において、
ｌ・・・密着層、
２・・・接続パッド、
３・・・Ｎｉ−Ｂ層、
４・・・Ｃｕ層、
５・・・Ａｕ層、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕 密着層（１）上にＣｕ−Ｎｉ−Ａｕの多層構造
を有する接続パッド（２）を形成してなる配線基板にお
いて、 前記Ｎｉ層（３）を無電解Ｎｉ−Ｂにて形成したことを
特徴とする配線基板。 〔２〕 密着層（１）上にＣｕ−Ｎｉ−Ａｕの多層構造
を有する接続パッド（２）を形成する配線基板の製造方
法において、 前記Ｃｕ層（４）を電解メッキにて形成した後、適宜の
触媒を該Ｃｕ層（４）の露出部に吸着させ、次いでＮｉ
−Ｂ、およびＡｕ層（５）を無電解メッキにて積層して
なる配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26648890A JP2886317B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26648890A JP2886317B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144190A true JPH04144190A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2886317B2 JP2886317B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=17431630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26648890A Expired - Fee Related JP2886317B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2886317B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09191164A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 微細厚膜接続基板とその製造方法 |
| WO2004059305A2 (de) * | 2002-12-23 | 2004-07-15 | Friz Biochem Gesellschaft Für Bioanalytik Mbh | Leiterplatte zur elektrochemischen detektion von biomolekülen |
| KR100516171B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-11-28 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 재생기기의 비디오출력 선택장치 및 그방법 |
| KR100756261B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-09-07 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 배선 기판의 제조 방법 |
| CN102190277A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 欧姆龙株式会社 | 电极结构及具有该电极结构的微型设备用封装 |
| JP2013038407A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
| WO2020004271A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26648890A patent/JP2886317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09191164A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 微細厚膜接続基板とその製造方法 |
| KR100516171B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-11-28 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 재생기기의 비디오출력 선택장치 및 그방법 |
| WO2004059305A2 (de) * | 2002-12-23 | 2004-07-15 | Friz Biochem Gesellschaft Für Bioanalytik Mbh | Leiterplatte zur elektrochemischen detektion von biomolekülen |
| WO2004059305A3 (de) * | 2002-12-23 | 2004-10-14 | Friz Biochem Gmbh | Leiterplatte zur elektrochemischen detektion von biomolekülen |
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| CN102190277A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 欧姆龙株式会社 | 电极结构及具有该电极结构的微型设备用封装 |
| JP2011192847A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Omron Corp | 電極構造及び当該電極構造を備えたマイクロデバイス用パッケージ |
| JP2013038407A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
| WO2020004271A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| JPWO2020004271A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2021-06-24 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2886317B2 (ja) | 1999-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |