JPH04129209A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH04129209A JPH04129209A JP2248816A JP24881690A JPH04129209A JP H04129209 A JPH04129209 A JP H04129209A JP 2248816 A JP2248816 A JP 2248816A JP 24881690 A JP24881690 A JP 24881690A JP H04129209 A JPH04129209 A JP H04129209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- chuck
- alignment
- fine movement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はIC,LSI等の半導体素子製造用露光装置に
関し、特にウェハステージの制御特性を改良して位置決
め精度の向上と位置設定時間の短縮を図り、レチクル上
に形成された電子回路等のパターンをレンズ等の光学手
段を介して、クエへ面上に露光転写する際、レチクルと
ウニへの位置合せ(アライメント)を高精度に行なう露
光装置に関するものである。
関し、特にウェハステージの制御特性を改良して位置決
め精度の向上と位置設定時間の短縮を図り、レチクル上
に形成された電子回路等のパターンをレンズ等の光学手
段を介して、クエへ面上に露光転写する際、レチクルと
ウニへの位置合せ(アライメント)を高精度に行なう露
光装置に関するものである。
[従来の技術]
IC,LSI等の半導体素子製造用の露光装置には解像
性能、重ね合せ性能という2つの基本的な性能が要求さ
れている。前者は半導体基板(以下「ウェハ」と称す)
面上に塗布されたフォトレジスト面上にいかに微細なパ
ターンを形成するかという能力であり、後者は前工程で
ウェハ面上に形成されたパターンに対し、フォトマスク
上のパターンをいかに正確に位置合せして転写できるか
という能力である。
性能、重ね合せ性能という2つの基本的な性能が要求さ
れている。前者は半導体基板(以下「ウェハ」と称す)
面上に塗布されたフォトレジスト面上にいかに微細なパ
ターンを形成するかという能力であり、後者は前工程で
ウェハ面上に形成されたパターンに対し、フォトマスク
上のパターンをいかに正確に位置合せして転写できるか
という能力である。
露光装置はその露光方法により、例えばコンタクト、プ
ロキシミディ、ミラー1:1投影、ステッパー X線ア
ライナ−等に大分類され、その中で各々最適な重ね合せ
方式が考案され実施されている。
ロキシミディ、ミラー1:1投影、ステッパー X線ア
ライナ−等に大分類され、その中で各々最適な重ね合せ
方式が考案され実施されている。
一般に半導体素子製造用としては解像性能と重ね合せ性
能の双方のバランスがとれた露光方法が好ましく、この
為、現在縮少投影型の露光装置、所謂ステッパーが多用
されている。
能の双方のバランスがとれた露光方法が好ましく、この
為、現在縮少投影型の露光装置、所謂ステッパーが多用
されている。
これからの露光装置として要求される解像性能は0.5
μm近傍であり、この性能を達成可能な露光方式として
は例えばエキシマレーザ−を光源としたステッパー、X
線を露光源としたプロキシミティタイプのアライナ−、
モしてEBの直接描画方式の3方式がある。このうち生
産性の点からすれば前者2つの方式が好ましい。
μm近傍であり、この性能を達成可能な露光方式として
は例えばエキシマレーザ−を光源としたステッパー、X
線を露光源としたプロキシミティタイプのアライナ−、
モしてEBの直接描画方式の3方式がある。このうち生
産性の点からすれば前者2つの方式が好ましい。
一方、重ね合せ精度は一般的に焼付最小線幅の173〜
115の値が必要とされており、この精度を達成するこ
とは一般に解像性能の達成と同等か、それ以上の困難さ
を伴フている。
115の値が必要とされており、この精度を達成するこ
とは一般に解像性能の達成と同等か、それ以上の困難さ
を伴フている。
露光装置に於けるアライメントとは、レチクル面上のパ
ターンとウェハ面上のパターンとの相対位置合せおよび
第1層露光時の各ステップ配列の位置合わせをいう。
ターンとウェハ面上のパターンとの相対位置合せおよび
第1層露光時の各ステップ配列の位置合わせをいう。
従来この種の露光装置は、ウェハ受渡し時に、ウェハス
テージに内蔵されたウェハ受渡し手段(具体的には3点
ピン又はセンターアップ)がウェハを受け取りウェハチ
ャックにこのウェハを受け渡しウェハをチャックに真空
吸着後に粗アライメント(プリアライメント)を行なっ
ていた。
テージに内蔵されたウェハ受渡し手段(具体的には3点
ピン又はセンターアップ)がウェハを受け取りウェハチ
ャックにこのウェハを受け渡しウェハをチャックに真空
吸着後に粗アライメント(プリアライメント)を行なっ
ていた。
一方、プリアライメントを行なうためには、上下方向(
Z方向)及び回転方向(θ方向)に関し、ストロークは
2方向に1.5mm程度、θ方向に±3°程度必要とし
、分解能はZ方向に0.1mm、θ方向に25″程度必
要である。従来、プリアライメント時にはウェハを真空
吸着した状態でウェハチャックのみ駆動し、微動ステー
ジに固定されたレーザ、干渉計を用いて参照用ミラーに
より基準位置からの距離を計測してプリアライメントを
行なっていた。このため、微動ステージ内部に、ウェハ
チャック駆動用の機構及びプリアライメント完了後の状
態を維持するためのロック機構が必要となる。従って、
従来は第4図に示すように2粗動ステージおよびθ粗動
ステージが共にθ微動ステージおよびZ微動ステージの
上に積み重ねられた構成をしていた。
Z方向)及び回転方向(θ方向)に関し、ストロークは
2方向に1.5mm程度、θ方向に±3°程度必要とし
、分解能はZ方向に0.1mm、θ方向に25″程度必
要である。従来、プリアライメント時にはウェハを真空
吸着した状態でウェハチャックのみ駆動し、微動ステー
ジに固定されたレーザ、干渉計を用いて参照用ミラーに
より基準位置からの距離を計測してプリアライメントを
行なっていた。このため、微動ステージ内部に、ウェハ
チャック駆動用の機構及びプリアライメント完了後の状
態を維持するためのロック機構が必要となる。従って、
従来は第4図に示すように2粗動ステージおよびθ粗動
ステージが共にθ微動ステージおよびZ微動ステージの
上に積み重ねられた構成をしていた。
[発明が解決しようとする!!題コ
しかしながら、上記従来例では、ウェハステージに内蔵
されたウェハ受け渡し手段がウェハを受け取りウェハチ
ャックにこのウェハを受け渡し、ウェハをチャックに真
空吸着後にウェハ吸着状態でウェハチャックを駆動する
ことにより、粗アライメントを行なっていたため、粗ア
ライメント終了後、ウェハチャックを上下方向、回転方
向にロックするロック機構が必要となる。また、ウェハ
チャック自体をθ移動後、θロックするため確実なロッ
クのためには手間を要しこのためステージ位置決め時間
が増大しスルーブツトの低下を来していた。さらに、ス
テップ・アンド・リピートによりロックずわを生じアラ
イメント精度を劣化させていた。
されたウェハ受け渡し手段がウェハを受け取りウェハチ
ャックにこのウェハを受け渡し、ウェハをチャックに真
空吸着後にウェハ吸着状態でウェハチャックを駆動する
ことにより、粗アライメントを行なっていたため、粗ア
ライメント終了後、ウェハチャックを上下方向、回転方
向にロックするロック機構が必要となる。また、ウェハ
チャック自体をθ移動後、θロックするため確実なロッ
クのためには手間を要しこのためステージ位置決め時間
が増大しスルーブツトの低下を来していた。さらに、ス
テップ・アンド・リピートによりロックずわを生じアラ
イメント精度を劣化させていた。
また、前述のように第4図に示す従来の構造においては
、微動ステージ全高が高くなりステージ重心位置が上方
に移動し、このため平面方向(X、Y方向)の移動時に
位置決め精度を悪化させ、位置決め時間が増加して装置
全体のスルーブツトを低下させるとともにアライメント
精度と劣化させていた。またウェハの大口径化焼付パタ
ーンの微細化に伴い、ウェハチャックの大口径化及び、
平面度の向上が必要となり、ウエハチャック重量が増大
する。一方スチツパ−は、ステップ・アンド・リピート
を行ないながらウェハ全域を露光するために、各ステッ
プごとにウェハチャックを駆動する。従って、前記理由
によるウェハチャックの重量増大により微動ステージお
よびウェハチャックのロック力を増大させなければなら
ない。ロック力が弱ければ、露光ごとにウェハチャック
が移動ずれし、アライメント精度の劣化となる。またこ
れを防止しようとすればXYステージの移動加速度を小
さくしなければならずスルーブツトを低下させる。
、微動ステージ全高が高くなりステージ重心位置が上方
に移動し、このため平面方向(X、Y方向)の移動時に
位置決め精度を悪化させ、位置決め時間が増加して装置
全体のスルーブツトを低下させるとともにアライメント
精度と劣化させていた。またウェハの大口径化焼付パタ
ーンの微細化に伴い、ウェハチャックの大口径化及び、
平面度の向上が必要となり、ウエハチャック重量が増大
する。一方スチツパ−は、ステップ・アンド・リピート
を行ないながらウェハ全域を露光するために、各ステッ
プごとにウェハチャックを駆動する。従って、前記理由
によるウェハチャックの重量増大により微動ステージお
よびウェハチャックのロック力を増大させなければなら
ない。ロック力が弱ければ、露光ごとにウェハチャック
が移動ずれし、アライメント精度の劣化となる。またこ
れを防止しようとすればXYステージの移動加速度を小
さくしなければならずスルーブツトを低下させる。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、ロック剛性を高め、位置決め精度の向上および位置
決め時間の短縮を図った露光装置の提供を目的とする。
て、ロック剛性を高め、位置決め精度の向上および位置
決め時間の短縮を図った露光装置の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段及び作用]前記目的を達成
するため、本発明によれば、ウェハステージに内蔵され
た、受渡し手段でウェハを受け取った状態で粗アライメ
ント(プリアライメント)を実行し、θ補正したのちウ
ェハチャックに吸着することにより、ウェハステージの
剛性を高め、位置決め精度の向上と位置決め時間の短縮
を可能としたものである。
するため、本発明によれば、ウェハステージに内蔵され
た、受渡し手段でウェハを受け取った状態で粗アライメ
ント(プリアライメント)を実行し、θ補正したのちウ
ェハチャックに吸着することにより、ウェハステージの
剛性を高め、位置決め精度の向上と位置決め時間の短縮
を可能としたものである。
[実施例コ
第1図、第2図は、本発明の実施例を示し、第1図は装
置全体図、第2図は、微動ステージ部分の詳細図である
。第1図に於いて1−1は投影レンズであり、レチクル
1−2のパターンをウェハ1−4に投影する。1−2は
半導体、回路等のパターンが描かれている原板(レチク
ル)である。
置全体図、第2図は、微動ステージ部分の詳細図である
。第1図に於いて1−1は投影レンズであり、レチクル
1−2のパターンをウェハ1−4に投影する。1−2は
半導体、回路等のパターンが描かれている原板(レチク
ル)である。
1−3はレチクルステージであり、レチクル1−2を吸
着し、不図示の基準マークに対し位置合せする。レチク
ルステージ1−3は鏡筒定盤1−9に支持されている。
着し、不図示の基準マークに対し位置合せする。レチク
ルステージ1−3は鏡筒定盤1−9に支持されている。
1−4は、レチクル1−2のパターンを投影レンズ1−
1を介して記録するウェハ、1−5はウェハ1−4を真
空吸着するウェハチャックであり、微動ステージ1−6
.Xステージ1−7、Yステージ1−8およびステージ
定盤1−16からなるXYステージ上に固定される。微
動ステージ1−6は、Xステージ1−7に固定され、ウ
ェハ1−4の受け渡し手段を内蔵する。この微動ステー
ジ1−6はウェハ1−4を投影レンズ1−1およびオフ
アクシス1−10の焦点位置に合せる機能と、投影レン
ズ1−1の光軸回りの方向(θ方向)に回転・駆動する
機能と、紙面に対し垂直なXY平面内のX、Y%廻り(
α、β方向)に回転する機能とを有する。Xステージ1
−7は、Yステージ1−8の上方に設けられ、X方向に
移動可能である。Yステージ1−8はステージ定盤1−
16上に設けられY方向に移動可能である。1−9は、
投影レンズ1−1、レチクルステージ1−3、オフアク
シス1−10を支持する鏡筒定盤である。オフアクシス
1−10は投影レンズ1−1の光軸から所定距離の鏡筒
定盤下面に固定されウェハのアライメントマークを観察
してプリアライメントを行う。1−11は、基礎定盤1
−15に固定され、レチクル1−2を照明し投影レンズ
1−1を介してウェハ1−4を露光するための照明系で
ある。オフアクシスアライメントスコープ1−10によ
りウェハ1−4上のアライメント用マークおよび粗アラ
イメントマークを観察しアライメント誤差を計測するた
めにCCDカメラ1−10a、CCUI−10bおよび
イメージプロセッサー1−10cが備わる。微動ステー
ジ1−6上にはXYステージの位置計測の基準となるY
方向干渉計用参照ミラー1−12Yが固定される。1−
13は、基礎定盤1−15に固定されたレーザ測長用レ
ーザヘッドである。1−14は、装置全体を支持し床振
動等と絶縁するためのマウント、1−15は装置全体の
基礎となる基礎定盤、1−16はYステージ1−8を支
持し基礎定盤に固定されたステージ定盤である。1−2
0はイメージプロセッサ(IP)1−100により、求
めたアライメント誤差に基づいて微動ステージ1−6、
Xステージ1−7およびYステージ1−8を駆動する制
御装置である。
1を介して記録するウェハ、1−5はウェハ1−4を真
空吸着するウェハチャックであり、微動ステージ1−6
.Xステージ1−7、Yステージ1−8およびステージ
定盤1−16からなるXYステージ上に固定される。微
動ステージ1−6は、Xステージ1−7に固定され、ウ
ェハ1−4の受け渡し手段を内蔵する。この微動ステー
ジ1−6はウェハ1−4を投影レンズ1−1およびオフ
アクシス1−10の焦点位置に合せる機能と、投影レン
ズ1−1の光軸回りの方向(θ方向)に回転・駆動する
機能と、紙面に対し垂直なXY平面内のX、Y%廻り(
α、β方向)に回転する機能とを有する。Xステージ1
−7は、Yステージ1−8の上方に設けられ、X方向に
移動可能である。Yステージ1−8はステージ定盤1−
16上に設けられY方向に移動可能である。1−9は、
投影レンズ1−1、レチクルステージ1−3、オフアク
シス1−10を支持する鏡筒定盤である。オフアクシス
1−10は投影レンズ1−1の光軸から所定距離の鏡筒
定盤下面に固定されウェハのアライメントマークを観察
してプリアライメントを行う。1−11は、基礎定盤1
−15に固定され、レチクル1−2を照明し投影レンズ
1−1を介してウェハ1−4を露光するための照明系で
ある。オフアクシスアライメントスコープ1−10によ
りウェハ1−4上のアライメント用マークおよび粗アラ
イメントマークを観察しアライメント誤差を計測するた
めにCCDカメラ1−10a、CCUI−10bおよび
イメージプロセッサー1−10cが備わる。微動ステー
ジ1−6上にはXYステージの位置計測の基準となるY
方向干渉計用参照ミラー1−12Yが固定される。1−
13は、基礎定盤1−15に固定されたレーザ測長用レ
ーザヘッドである。1−14は、装置全体を支持し床振
動等と絶縁するためのマウント、1−15は装置全体の
基礎となる基礎定盤、1−16はYステージ1−8を支
持し基礎定盤に固定されたステージ定盤である。1−2
0はイメージプロセッサ(IP)1−100により、求
めたアライメント誤差に基づいて微動ステージ1−6、
Xステージ1−7およびYステージ1−8を駆動する制
御装置である。
第2図は、微動ステージ1−6の詳細図である。2−1
はウェハ、2−2はウェハ2−1を真空吸着し平面矯正
するためのウェハチャック、2−3はウェハチャック2
−2を支持し、ウェハ受け渡し時に下方に移動しプリア
ライメント終了後に上方に移動可能なチエツク保持板、
2−4は、ウェハ2−1を吸着する機能を有しZ方向及
びθ方向に移動可能でウェハ2−1の真空吸着時にウニ
八表面をオフアクシスアライメントスコープ1−10の
焦点位置と合致させるウェハ受け渡し用ビンである。2
−5はボールブツシュであり、ウェハ受け渡しピン2−
4がθ及び2方向に移動するときおよびチャック支持板
2−3が2方向に移動するときのガイドとなる。2−6
はZ駆動用ピエゾ素子であり、ウェハ受け渡しピン2−
4に吸着されたウェハ2−1をオフアクシスアライメン
トスコープ10の焦点位置に合致するように駆動する。
はウェハ、2−2はウェハ2−1を真空吸着し平面矯正
するためのウェハチャック、2−3はウェハチャック2
−2を支持し、ウェハ受け渡し時に下方に移動しプリア
ライメント終了後に上方に移動可能なチエツク保持板、
2−4は、ウェハ2−1を吸着する機能を有しZ方向及
びθ方向に移動可能でウェハ2−1の真空吸着時にウニ
八表面をオフアクシスアライメントスコープ1−10の
焦点位置と合致させるウェハ受け渡し用ビンである。2
−5はボールブツシュであり、ウェハ受け渡しピン2−
4がθ及び2方向に移動するときおよびチャック支持板
2−3が2方向に移動するときのガイドとなる。2−6
はZ駆動用ピエゾ素子であり、ウェハ受け渡しピン2−
4に吸着されたウェハ2−1をオフアクシスアライメン
トスコープ10の焦点位置に合致するように駆動する。
2−7はIPI−10cにより計測されたプリアライメ
ント誤差信号によりウェハ受け渡し用ピンをθ方向に駆
動するための粗θ駆動用モータ、2−8は、粗θ駆動用
モータ2−7の駆動力をウェハ受け渡しピンに伝達する
ためのギヤトレイン、2−9は、ウェハ受け渡し用ピン
2−4からウェハ2−1をウェハチャック2−2に受け
渡すためにチャック支持板2−3を2方向に駆動する粗
2駆動用モータである。2−10は、粗2駆動モータ2
−7の駆動力をカム2−11に伝達するためのウオーム
ギヤであり、カム2−11は、ウェハ支持板2−3をZ
方向に駆動する。2−12は徴2基板に支持され、微θ
基板2−16をθ方向に回転させるために紙面に垂直方
向に、伸縮し、鋼球を介し点接触で微θ基板2−16を
押圧する徴θ駆動用ピエゾ素子である。2−13は、徴
θ駆動用板バネであり、徴θ基板2−16と徴2基板2
−17間を結合する。この板バネ2−13は紙面に垂直
な方向に剛性が小さくz方向に大台な剛性を有するため
徴θ駆動時θ方向のガイドの働きをする。2−14はX
ステージ1−7上の3力所以上に設けられた徴2駆動用
ピエゾ素子であり、徴2基板2−17を2方向に駆動し
てウェハ2−1を2方向及びα、β方向に移動させる。
ント誤差信号によりウェハ受け渡し用ピンをθ方向に駆
動するための粗θ駆動用モータ、2−8は、粗θ駆動用
モータ2−7の駆動力をウェハ受け渡しピンに伝達する
ためのギヤトレイン、2−9は、ウェハ受け渡し用ピン
2−4からウェハ2−1をウェハチャック2−2に受け
渡すためにチャック支持板2−3を2方向に駆動する粗
2駆動用モータである。2−10は、粗2駆動モータ2
−7の駆動力をカム2−11に伝達するためのウオーム
ギヤであり、カム2−11は、ウェハ支持板2−3をZ
方向に駆動する。2−12は徴2基板に支持され、微θ
基板2−16をθ方向に回転させるために紙面に垂直方
向に、伸縮し、鋼球を介し点接触で微θ基板2−16を
押圧する徴θ駆動用ピエゾ素子である。2−13は、徴
θ駆動用板バネであり、徴θ基板2−16と徴2基板2
−17間を結合する。この板バネ2−13は紙面に垂直
な方向に剛性が小さくz方向に大台な剛性を有するため
徴θ駆動時θ方向のガイドの働きをする。2−14はX
ステージ1−7上の3力所以上に設けられた徴2駆動用
ピエゾ素子であり、徴2基板2−17を2方向に駆動し
てウェハ2−1を2方向及びα、β方向に移動させる。
2−15は、Xステージ1−7と徴Z基板2−17を連
結する徴Z駆動用ガイド板バネであり、紙面に垂直な方
向に剛性を有し上下方向(Z方向)に剛性が小さい、2
−18は、チャック支持板2−3が2移動するとき、θ
方向の回転を規制し、Z移動後、徹θ駆動時にチャック
支持板2−3と徹θ基板2−16を一体として駆動する
ための回転規制部である。この回転規制部2−18の詳
細を第3図に示す。2−21は徹θ基板2−16とチャ
ック支持板2−3を一定力でつきあてるために一端はチ
ャック支持板にもう一端は徴θ基板に取りつけられた片
よせバネである。2−19は回転規制時および徴θ駆動
時にチャック支持板に力を伝達するためのベアリングで
ある。2−20は参照ミラーである。
結する徴Z駆動用ガイド板バネであり、紙面に垂直な方
向に剛性を有し上下方向(Z方向)に剛性が小さい、2
−18は、チャック支持板2−3が2移動するとき、θ
方向の回転を規制し、Z移動後、徹θ駆動時にチャック
支持板2−3と徹θ基板2−16を一体として駆動する
ための回転規制部である。この回転規制部2−18の詳
細を第3図に示す。2−21は徹θ基板2−16とチャ
ック支持板2−3を一定力でつきあてるために一端はチ
ャック支持板にもう一端は徴θ基板に取りつけられた片
よせバネである。2−19は回転規制時および徴θ駆動
時にチャック支持板に力を伝達するためのベアリングで
ある。2−20は参照ミラーである。
次に上記構成の露光装置の動作について説明する。
まず図示しないレチクル搬送系によりレチクル1−2が
レチクルステージ1−3に搬送され、レチクルステージ
1−3により所定位置に位置合せされる0次にメヤニア
ルブリアライメントされたウェハ1−4が不図示のウェ
ハ供給ハンドによりウェハ受け渡し位置に位置決めされ
たXYステージに内蔵されたウニへ受け渡しピン2−4
に受け渡される。なおこの時、ウェハチャック1−5(
2−2)及びチャック支持板2−3は下方に位置してい
る。ウェハ1−4 (2−1)がウェハ受け渡しピン2
−4へ受け渡されると、これを制御装置1−20が確認
し、次にXYステージに対し、プリアライメント位置へ
移動指令を出す。
レチクルステージ1−3に搬送され、レチクルステージ
1−3により所定位置に位置合せされる0次にメヤニア
ルブリアライメントされたウェハ1−4が不図示のウェ
ハ供給ハンドによりウェハ受け渡し位置に位置決めされ
たXYステージに内蔵されたウニへ受け渡しピン2−4
に受け渡される。なおこの時、ウェハチャック1−5(
2−2)及びチャック支持板2−3は下方に位置してい
る。ウェハ1−4 (2−1)がウェハ受け渡しピン2
−4へ受け渡されると、これを制御装置1−20が確認
し、次にXYステージに対し、プリアライメント位置へ
移動指令を出す。
XYステージは不図示のレーザ測長器により制御され、
プリアライメント位置へ移動する。
プリアライメント位置へ移動する。
次に、プリアライメント位置でウェハ受け渡し用ビン2
−4は、オフアクシスアライメントスコープ1−10の
焦点位置にウェハ1−4上面が合致するように制御装置
の指令により微動ステージ1−6内の2駆動用ピエゾを
駆動する。駆動量は、オフアクシスアライメントスコー
プ1−10のオートフォーカス機能により計測され、制
御系に通信される。フォーカス後、オフアクシスアライ
メントスコープ1−10によりウェハ1−4(2−1)
上のプリアライメントマークを計測し、誤差をIPI−
10cにより算出し、制御装置1−20に通信する。制
御装置1−20が微動ステージ1−6内の粗θ駆動モー
タに駆動指令を出すとウェハ受け渡し用ピン2−4はウ
ェハ1−4(2−1)を真空吸着した状態でθ方向に回
転しプリアライメントが完了する。
−4は、オフアクシスアライメントスコープ1−10の
焦点位置にウェハ1−4上面が合致するように制御装置
の指令により微動ステージ1−6内の2駆動用ピエゾを
駆動する。駆動量は、オフアクシスアライメントスコー
プ1−10のオートフォーカス機能により計測され、制
御系に通信される。フォーカス後、オフアクシスアライ
メントスコープ1−10によりウェハ1−4(2−1)
上のプリアライメントマークを計測し、誤差をIPI−
10cにより算出し、制御装置1−20に通信する。制
御装置1−20が微動ステージ1−6内の粗θ駆動モー
タに駆動指令を出すとウェハ受け渡し用ピン2−4はウ
ェハ1−4(2−1)を真空吸着した状態でθ方向に回
転しプリアライメントが完了する。
次に、プリアライメント完了信号を受けとった制御装置
1−20より微動ステージ1−6に対しウェハ1−4(
2−1)をウェハチャック2−2へ受け渡す指令が出さ
れ、ウェハチャック2−2は、粗Z駆動用モータ2−9
、ウオームギヤ2−10、カム2−11によりZ方向に
駆動されウェハ受け渡し用ピン2−4よりウェハ1−4
(2−1)を受け取る。ウェハはこのウェハチャック2
−2に真空吸着される。このと幹、ウェハチャックは回
転規制部2−18によりθ方向に回転することはなく、
またチャックの支持板2−3と徴θ基板2−16内にあ
るZ駆動モータをロックすることにより、チャック支持
板2−3はその位置でロックされる。
1−20より微動ステージ1−6に対しウェハ1−4(
2−1)をウェハチャック2−2へ受け渡す指令が出さ
れ、ウェハチャック2−2は、粗Z駆動用モータ2−9
、ウオームギヤ2−10、カム2−11によりZ方向に
駆動されウェハ受け渡し用ピン2−4よりウェハ1−4
(2−1)を受け取る。ウェハはこのウェハチャック2
−2に真空吸着される。このと幹、ウェハチャックは回
転規制部2−18によりθ方向に回転することはなく、
またチャックの支持板2−3と徴θ基板2−16内にあ
るZ駆動モータをロックすることにより、チャック支持
板2−3はその位置でロックされる。
ウェハ1−4(2−1)のウェハチャック2−2への吸
着及びチャック支持板のロックが制御装置1−20で確
認されるとこの制御装置1−20よりXYステージに対
し、アライメント位置への移動指令が出る。その後通常
の露光装置の動作と同様に動作が行なわれる。ただしプ
リアライメント完了後、以降は、θ微動、Z微動のみ駆
動で通常の露光装置の動作が可能である。
着及びチャック支持板のロックが制御装置1−20で確
認されるとこの制御装置1−20よりXYステージに対
し、アライメント位置への移動指令が出る。その後通常
の露光装置の動作と同様に動作が行なわれる。ただしプ
リアライメント完了後、以降は、θ微動、Z微動のみ駆
動で通常の露光装置の動作が可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明では、ステージに内蔵され
た、ウェハ受け渡し手段がウェハを受け取った状態でプ
リアライメントを実行しウェハ受け渡し手段をθ補正し
たのちクエへをウェハチャックに吸着することにより、
ウェハステージの剛性を高めステージ位置決め精度の向
上と位置決め時間の短縮が図られるため露光装置の高精
度、高スループツト化が可能となる。
た、ウェハ受け渡し手段がウェハを受け取った状態でプ
リアライメントを実行しウェハ受け渡し手段をθ補正し
たのちクエへをウェハチャックに吸着することにより、
ウェハステージの剛性を高めステージ位置決め精度の向
上と位置決め時間の短縮が図られるため露光装置の高精
度、高スループツト化が可能となる。
341図は、本発明の実施例に係る露光装置の主体構成
図、 第2図は、′s1図の露光装置の微動ステージ部分の詳
細図、 第3図は、 の拡大図、 第4図は、 ある。 第2図の微動ステージの回転規制部 従来の微動ステージの構成説明図で 1−1:投影レンズ、1−2ニレチクル、1−4:ウェ
ハ、1−6:微動ステージ、1−7:Xステージ、1−
B:Yスf−ジ、1−10:オフアクシスアライメント
スコープ2−1:ウェハ、2−2:ウェハチャック、2
−3=チヤツク保持板、 2−4=ウエハ受け渡し用ピン、 2−6 : Z駆動用ピエゾ素子。
図、 第2図は、′s1図の露光装置の微動ステージ部分の詳
細図、 第3図は、 の拡大図、 第4図は、 ある。 第2図の微動ステージの回転規制部 従来の微動ステージの構成説明図で 1−1:投影レンズ、1−2ニレチクル、1−4:ウェ
ハ、1−6:微動ステージ、1−7:Xステージ、1−
B:Yスf−ジ、1−10:オフアクシスアライメント
スコープ2−1:ウェハ、2−2:ウェハチャック、2
−3=チヤツク保持板、 2−4=ウエハ受け渡し用ピン、 2−6 : Z駆動用ピエゾ素子。
Claims (2)
- (1)転写すべきパターンが形成された第1物体と、前
記パターンを焼付ける第2物体と、前記第1物体を支持
する第1ステージと、前記第2物体を搭載する第2ステ
ージと、前記第1および第2物体間に設けた投影光学系
と、前記第1物体および投影光学系を介して前記第2物
体を露光する照明系と、前記第2ステージに装着された
前記第2物体の受け渡し手段と、前記第2物体を前記第
2ステージ上に固定するための吸着手段と、前記第1お
よび第2物体を相互に位置合わせするために前記第2ス
テージを駆動制御する制御装置とを具備し、前記第2ス
テージはX、YおよびZ方向に移動可能でかつX、Yお
よびZ軸廻りに回転可能であり、前記制御装置は前記受
け渡し手段が第2物体を受け取った状態でプリアライメ
ントおよびZ軸廻りの回転位置決めを行ない、その後に
該第2物体を前記吸着手段により固定するように構成し
たことを特徴とする露光装置。 - (2)前記第2ステージはXステージとYステージと微
動ステージとからなり、該微動ステージは3か所以上に
設けたZ方向の駆動手段とZ軸廻りの回転駆動手段とを
具備し、前記受け渡し手段は該微動ステージ上面に突出
可能であり、前記吸着手段は該受け渡し手段に対しZ方
向に移動可能に構成されたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2248816A JP2756865B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2248816A JP2756865B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04129209A true JPH04129209A (ja) | 1992-04-30 |
JP2756865B2 JP2756865B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17183839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2248816A Expired - Fee Related JP2756865B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2756865B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6400445B2 (en) | 1994-02-22 | 2002-06-04 | Nikon Corporation | Method and apparatus for positioning substrate |
JP2006294793A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
JP2006339263A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Z軸調整機構及び微動ステージ装置 |
JP2010199243A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011210932A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Yaskawa Electric Corp | ステージ装置 |
JP2013046044A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Canon Inc | リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2248816A patent/JP2756865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6400445B2 (en) | 1994-02-22 | 2002-06-04 | Nikon Corporation | Method and apparatus for positioning substrate |
JP2006294793A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
JP4673117B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-04-20 | キヤノン株式会社 | ステージ装置および露光装置 |
JP2006339263A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Z軸調整機構及び微動ステージ装置 |
JP4489639B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2010-06-23 | 住友重機械工業株式会社 | Z軸調整機構及び微動ステージ装置 |
JP2010199243A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011210932A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Yaskawa Electric Corp | ステージ装置 |
JP2013046044A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Canon Inc | リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2756865B2 (ja) | 1998-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4029182B2 (ja) | 露光方法 | |
US4749867A (en) | Exposure apparatus | |
US20020089655A1 (en) | Substrate transport apparatus and method | |
JPH10214783A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JP2002289514A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
KR20170136446A (ko) | 패턴 형성 장치, 기판을 배치하는 방법, 및 물품을 제조하는 방법 | |
JPH10312957A (ja) | 露光方法およびデバイス製造方法 | |
US20030020889A1 (en) | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method | |
JPH11307425A (ja) | マスクの受け渡し方法、及び該方法を使用する露光装置 | |
JPH11284052A (ja) | 基板搬送方法、基板搬送装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPH04129209A (ja) | 露光装置 | |
JP2000228347A (ja) | 位置決め方法及び露光装置 | |
US20040025322A1 (en) | Waffle wafer chuck apparatus and method | |
JP2003156322A (ja) | 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JPH11219999A (ja) | 基板の受け渡し方法、及び該方法を使用する露光装置 | |
JPH0774084A (ja) | 基板処理装置 | |
US20050018168A1 (en) | Substrate holding device, substrate processing apparatus using the same, and method for aligning and holding substrate | |
JP2004259845A (ja) | パラメータ調整方法、物体搬送方法、露光装置、及びプログラム | |
JP2004247548A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP3624057B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2005311113A (ja) | 位置合わせ装置と位置合わせ方法、搬送システムと搬送方法、及び露光システムと露光方法並びにデバイス製造方法 | |
JP2003060000A (ja) | 基板搬送装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2007189265A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2006080357A (ja) | 基板温調装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JPH0628224B2 (ja) | 露光方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |