JPH04100221A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04100221A JPH04100221A JP21783390A JP21783390A JPH04100221A JP H04100221 A JPH04100221 A JP H04100221A JP 21783390 A JP21783390 A JP 21783390A JP 21783390 A JP21783390 A JP 21783390A JP H04100221 A JPH04100221 A JP H04100221A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
バリアメタル層上に高融点金属層を形成する際、高融点
金属層を表面形状の荒れを生じないように滑らかに、か
つカバレッジ良く形成することができる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とし、 窒素または酸素を少なくともいずれか１つを含むプラズ
マ雰囲気中で窒素含有高融点金属化合物層を表面処理す
る工程を含むように構成する。
金属層を表面形状の荒れを生じないように滑らかに、か
つカバレッジ良く形成することができる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とし、 窒素または酸素を少なくともいずれか１つを含むプラズ
マ雰囲気中で窒素含有高融点金属化合物層を表面処理す
る工程を含むように構成する。
本発明はＴｉＮ等のバリアメタル層及びタングステン等
の高融点金属層及びアルミニウム層等からなる配線層を
形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
の高融点金属層及びアルミニウム層等からなる配線層を
形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
近時、半導体集積回路の高集積化に伴い、配線スケール
の微細化が進んできている。その結果、従来のアルミニ
ウム等を主とする配線ではエレクトロ・マイグレーシラ
ン等による信鯨性の低下が顕著となってきている。
の微細化が進んできている。その結果、従来のアルミニ
ウム等を主とする配線ではエレクトロ・マイグレーシラ
ン等による信鯨性の低下が顕著となってきている。
このため、アルミニウムに替わり、タングステン等のエ
レクトロ・マイグレーシランに対して強い配線材料を用
いた配線形成技術が必要になってきている。
レクトロ・マイグレーシランに対して強い配線材料を用
いた配線形成技術が必要になってきている。
第４図は従来の半導体装置の製造方法を説明する図であ
り、第４図において、３１はＳｉ等からなる基板、３２
はソース／ドレイン等の拡散層、３３は５ｉＯｚ等から
なる絶縁膜、３４は絶縁膜３３に形成されたコンタクト
ホール、３５はＴｉＮ等からなるバリアメタル層、３６
はＷ等からなる高融点金属層、３７は３ｉ０ｚ等からな
る絶縁膜である。
り、第４図において、３１はＳｉ等からなる基板、３２
はソース／ドレイン等の拡散層、３３は５ｉＯｚ等から
なる絶縁膜、３４は絶縁膜３３に形成されたコンタクト
ホール、３５はＴｉＮ等からなるバリアメタル層、３６
はＷ等からなる高融点金属層、３７は３ｉ０ｚ等からな
る絶縁膜である。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第４図（ａ）に示すように、例えばイオン注入に
より基板３１に拡散層３２を形成し、例えばＣＶＤ法に
より基板３１上にＳ ｉＯｚを堆積して絶縁膜３３を形
成し、例えばＲＩＰ、により絶縁膜３３を選択的にエツ
チングして絶縁１１３３にコンタクトホール３４を形成
するとともに、コンタクトホール３４内に拡散層３２が
形成された基板３１を露出させる。
より基板３１に拡散層３２を形成し、例えばＣＶＤ法に
より基板３１上にＳ ｉＯｚを堆積して絶縁膜３３を形
成し、例えばＲＩＰ、により絶縁膜３３を選択的にエツ
チングして絶縁１１３３にコンタクトホール３４を形成
するとともに、コンタクトホール３４内に拡散層３２が
形成された基板３１を露出させる。
次に、第４図（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りコンタクトホール３４内の拡散層３２とコンタクトを
取るようにＴｉＮを堆積してバリアメタル層５を形成し
た後、バリアメタル層３５上に発生した自然酸化膜等を
除去するために、フッ酸（硫酸でもよい）等の溶剤を用
いてバリアメタル層３５の表面処理を行う。
りコンタクトホール３４内の拡散層３２とコンタクトを
取るようにＴｉＮを堆積してバリアメタル層５を形成し
た後、バリアメタル層３５上に発生した自然酸化膜等を
除去するために、フッ酸（硫酸でもよい）等の溶剤を用
いてバリアメタル層３５の表面処理を行う。
そして、バリアメタル層３５表面処理後の試料を大気雰
囲気中を介してウェット処理装置から成膜装置に移し替
えて、例えばＣＶＤ法によりバリアメタル層３５上にＷ
を堆積して高融点金属層３６を形成して、第４図（ｃ）
に示すような拡散層３２とコンタクトされるバリアメタ
ル層３５、高融点金属層３６からなる配線層を得ること
ができる。なお、ここでのバリアメタル層３５は基板３
１のＳｔと高融点金属層３６のＷとの熱拡散による反応
を防止する機能を有する他、基板３１と高融点金属層３
６との接着を強固に行うための接着層としての機能を有
している。
囲気中を介してウェット処理装置から成膜装置に移し替
えて、例えばＣＶＤ法によりバリアメタル層３５上にＷ
を堆積して高融点金属層３６を形成して、第４図（ｃ）
に示すような拡散層３２とコンタクトされるバリアメタ
ル層３５、高融点金属層３６からなる配線層を得ること
ができる。なお、ここでのバリアメタル層３５は基板３
１のＳｔと高融点金属層３６のＷとの熱拡散による反応
を防止する機能を有する他、基板３１と高融点金属層３
６との接着を強固に行うための接着層としての機能を有
している。
上記した従来の半導体装置の製造方法では、バリアメタ
ル層３５上に高融点金属層３６を形成する場合、バリア
メタル層３５表面に生じた自然酸化膜等を除去するため
にフッ酸等の溶剤を用いてバリアメタル層３５の表面処
理を行っていた。このため、高融点金属層３６となるタ
ングステンの成長初期において、核形成が一様におこら
ず、その結果として結晶粒径が大きくなり、高融点金属
層３６の表面形状が滑らかにならず荒れてしまうという
問題があった。このように、高融点金属層３６の表面形
状が荒れると、特に微細化されるに伴い、高融点金属層
３６がカバレッジよく形成するのが困難になるという問
題があり、多層化、平坦化等の大きな支障となっていた
。
ル層３５上に高融点金属層３６を形成する場合、バリア
メタル層３５表面に生じた自然酸化膜等を除去するため
にフッ酸等の溶剤を用いてバリアメタル層３５の表面処
理を行っていた。このため、高融点金属層３６となるタ
ングステンの成長初期において、核形成が一様におこら
ず、その結果として結晶粒径が大きくなり、高融点金属
層３６の表面形状が滑らかにならず荒れてしまうという
問題があった。このように、高融点金属層３６の表面形
状が荒れると、特に微細化されるに伴い、高融点金属層
３６がカバレッジよく形成するのが困難になるという問
題があり、多層化、平坦化等の大きな支障となっていた
。
そこで、本発明は、バリアメタル層上に高融点金属層を
形成する際、高融点金属層を表面形状の荒れを生じない
ように滑らかに、かつカバレッジ良く形成することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
形成する際、高融点金属層を表面形状の荒れを生じない
ように滑らかに、かつカバレッジ良く形成することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、窒素または酸素を少な（ともいずれか１つを含むプ
ラズマ雰囲気中で窒素含有高融点金属化合物層を表面処
理する工程を含むものである。
め、窒素または酸素を少な（ともいずれか１つを含むプ
ラズマ雰囲気中で窒素含有高融点金属化合物層を表面処
理する工程を含むものである。
本発明に係る窒素または酸素を少なくともいずれか１つ
を含むプラズマには、窒素、窒素含有化合物、酸素、酸
素含有化合物のうちいずれか１つを含むプラズマであれ
ばよ（、例えばＮｔ、Ｎｚ０１Ｏｘ 、Ｎｔ ＋Ｈｚ
Ｏ＋ｏｇ （ｏｘはバリア性の点で１％以下が好まし
い）等よりなるプラズマが挙げられる。また、窒素含有
高融点金属化合物層には、ＴｉＮ、ＷＮ、Ｔｉ０Ｎ、Ｍ
ｏＮ、ＺｒＮ等が挙げられる。
を含むプラズマには、窒素、窒素含有化合物、酸素、酸
素含有化合物のうちいずれか１つを含むプラズマであれ
ばよ（、例えばＮｔ、Ｎｚ０１Ｏｘ 、Ｎｔ ＋Ｈｚ
Ｏ＋ｏｇ （ｏｘはバリア性の点で１％以下が好まし
い）等よりなるプラズマが挙げられる。また、窒素含有
高融点金属化合物層には、ＴｉＮ、ＷＮ、Ｔｉ０Ｎ、Ｍ
ｏＮ、ＺｒＮ等が挙げられる。
本発明においては、窒素含有高融点金属化合物層をその
表面に生じた自然酸化膜等を除去するためにウニシト処
理した後、前記プラズマ表面処理する場合であってもよ
い。
表面に生じた自然酸化膜等を除去するためにウニシト処
理した後、前記プラズマ表面処理する場合であってもよ
い。
本発明においては、前記プラズマ雰囲気中で表面処理す
る際、窒素含有高融点金属化合物層にイオンを照射する
場合であってもよく、この場合、イオン照射せずにラジ
カルのみでケミカルな表面処理を行う場合よりも更に窒
素含有高融点金属化合物層の表面状態を滑らかにするこ
とができ好ましい。これはイオンによる窒素含有高融点
金属化合物層表面のスパッタエツチングが無選択に行わ
れるためと推定される。
る際、窒素含有高融点金属化合物層にイオンを照射する
場合であってもよく、この場合、イオン照射せずにラジ
カルのみでケミカルな表面処理を行う場合よりも更に窒
素含有高融点金属化合物層の表面状態を滑らかにするこ
とができ好ましい。これはイオンによる窒素含有高融点
金属化合物層表面のスパッタエツチングが無選択に行わ
れるためと推定される。
本発明においては、前記表面処理後、大気雰囲気中に曝
すことなく連続的に窒素含有高融点金属化合物層上に高
融点金属層を形成する場合であってもよく、この場合、
高融点金属化合物層が酸化されないようにして高融点金
属化合物層上に酸化膜を生じないようにすることができ
、窒素含有高融点金属化合物層と高融点金属層とのコン
タクト抵抗を増加させることなく安定に窒素含有高融点
金属化合物層上に高融点金属層を形成することができる
。
すことなく連続的に窒素含有高融点金属化合物層上に高
融点金属層を形成する場合であってもよく、この場合、
高融点金属化合物層が酸化されないようにして高融点金
属化合物層上に酸化膜を生じないようにすることができ
、窒素含有高融点金属化合物層と高融点金属層とのコン
タクト抵抗を増加させることなく安定に窒素含有高融点
金属化合物層上に高融点金属層を形成することができる
。
〔作用］
窒素含有高融点金属化合物層となる例えばＴｉＮは堆積
直後、あるいはアニール後においてＮａＣ！構造を持つ
多結晶体であるが、最表面に部分的に存在するＴｉのダ
ングリングボンド（あるいは欠陥）には酸素等が吸着し
ていると考えられる。
直後、あるいはアニール後においてＮａＣ！構造を持つ
多結晶体であるが、最表面に部分的に存在するＴｉのダ
ングリングボンド（あるいは欠陥）には酸素等が吸着し
ていると考えられる。
このような欠陥に高融点金属層となるタングステンの成
長初期において核形成が集中するため、従来では高融点
金属層の表面形状が悪くなっていたと考えられる。これ
に対し、本発明のプラズマ処理を行うと、ＴｉＮ表面は
一様な表面状態をもつこととなり、タングステンの核形
成が一様となり、結晶配向も揃うため、平坦な形状とな
ると考えられる。
長初期において核形成が集中するため、従来では高融点
金属層の表面形状が悪くなっていたと考えられる。これ
に対し、本発明のプラズマ処理を行うと、ＴｉＮ表面は
一様な表面状態をもつこととなり、タングステンの核形
成が一様となり、結晶配向も揃うため、平坦な形状とな
ると考えられる。
第１図〜第３図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製造
方法を説明する図、第２図は一実施例の製造装置を示す
概略図、第３図は一実施例の効果を説明する図である。
一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製造
方法を説明する図、第２図は一実施例の製造装置を示す
概略図、第３図は一実施例の効果を説明する図である。
これらの図において、１はＳｉ等からなる基板、２はソ
ース／ドレイン等の拡散層、３は５ｉｎｔ等からなる絶
縁膜、４は絶縁！Ｉ３に形成されたコンタクトホール、
５はＴｉＮ等からなるバリアメタル層、６はＷ等からな
る高融点金属層、７はＳｉｎ、等からなる絶縁膜、８は
バリアメタル層５をプラズマ表面処理する表面処理室、
９はサセプタ、１０はプラズマ発生用のＲＦ電極、１１
は試料を搬送室１２を介して表面処理室８から成長室１
３、あるいは成長室１３から表面処理室８に出し入れさ
せるためのゲートバルブである。
ース／ドレイン等の拡散層、３は５ｉｎｔ等からなる絶
縁膜、４は絶縁！Ｉ３に形成されたコンタクトホール、
５はＴｉＮ等からなるバリアメタル層、６はＷ等からな
る高融点金属層、７はＳｉｎ、等からなる絶縁膜、８は
バリアメタル層５をプラズマ表面処理する表面処理室、
９はサセプタ、１０はプラズマ発生用のＲＦ電極、１１
は試料を搬送室１２を介して表面処理室８から成長室１
３、あるいは成長室１３から表面処理室８に出し入れさ
せるためのゲートバルブである。
次に、その製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、例えばイオン注入に
より基板１にＡｓ等の不純物を導入してｎ型の拡散層２
を形成し、例えばＣＶＤ法により基板１上にＳｉｎ、を
堆積して膜厚が例えば６０００人の絶縁膜３を形成し、
例えばＲＩＥにより絶縁膜３を選択的にエツチングして
絶縁膜３に幅が例えば０．５μｍのコンタクトホール４
を形成するとともに、コンタクトホール４内に拡散層２
が形成された基板１を露出させる。
より基板１にＡｓ等の不純物を導入してｎ型の拡散層２
を形成し、例えばＣＶＤ法により基板１上にＳｉｎ、を
堆積して膜厚が例えば６０００人の絶縁膜３を形成し、
例えばＲＩＥにより絶縁膜３を選択的にエツチングして
絶縁膜３に幅が例えば０．５μｍのコンタクトホール４
を形成するとともに、コンタクトホール４内に拡散層２
が形成された基板１を露出させる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
りコンタクトホール４内の拡散層２とコンタクトを取る
ようにＴｉＮを堆積して膜厚が例えば５００人のバリア
メタル層５を形成した後、バリアメタル層５上に発生し
た自然酸化膜等を除去するために、フッ酸（硫酸でもよ
い）等の溶剤を用いてバリアメタル層５の表面処理を行
う。次いで、第２図に示す表面処理室８内のサセプタ９
上に試料を配置し、例えばＮ Ｆ ｓガス（１０ｓｅｃ
ｍ）とＮ、ガス（１００ｓｃｃ＋＋＋）の混合ガスを導
入し、サセブタ９下のＲＦ電極１０にＲＦバイアスを印
加することによりＴｉＮからなるバリアメタル層５表面
をプラズマ処理する（第１図（Ｃ））。
りコンタクトホール４内の拡散層２とコンタクトを取る
ようにＴｉＮを堆積して膜厚が例えば５００人のバリア
メタル層５を形成した後、バリアメタル層５上に発生し
た自然酸化膜等を除去するために、フッ酸（硫酸でもよ
い）等の溶剤を用いてバリアメタル層５の表面処理を行
う。次いで、第２図に示す表面処理室８内のサセプタ９
上に試料を配置し、例えばＮ Ｆ ｓガス（１０ｓｅｃ
ｍ）とＮ、ガス（１００ｓｃｃ＋＋＋）の混合ガスを導
入し、サセブタ９下のＲＦ電極１０にＲＦバイアスを印
加することによりＴｉＮからなるバリアメタル層５表面
をプラズマ処理する（第１図（Ｃ））。
次に、バリアメタル層５表面処理後の試料を真空の搬送
室１２を介して表面処理室８から成長室１３に移送し、
例えばＣＶＤ法によりバリアメタル層５上にＷを堆積し
て膜厚が例えば３００ｎｍの高融点金属層６を形成する
。ここでのＷの成膜条件はＷＦ−ガス１０１０５ｃ、Ｓ
Ｉ Ｈａガス５ ｓｃｃ■、Ｈｚガス２００ｓｅｃｍ
、圧力２００ｍＴｏｒｒ、成長温度４００℃である。
室１２を介して表面処理室８から成長室１３に移送し、
例えばＣＶＤ法によりバリアメタル層５上にＷを堆積し
て膜厚が例えば３００ｎｍの高融点金属層６を形成する
。ここでのＷの成膜条件はＷＦ−ガス１０１０５ｃ、Ｓ
Ｉ Ｈａガス５ ｓｃｃ■、Ｈｚガス２００ｓｅｃｍ
、圧力２００ｍＴｏｒｒ、成長温度４００℃である。
そして、第１図（ｄ）に示すような拡散層２とコンタク
トされるバリアメタル層５、高融点金属層６からなる配
線層を得ることができる。なお、ここでのバリアメタル
層５は基板１のＳｔと高融点金属層６のＷとの熱拡散に
よる反応を防止する機能を有する他、基板１と高融点金
属層６との接着を強固に行うための接着層としての機能
を有している。
トされるバリアメタル層５、高融点金属層６からなる配
線層を得ることができる。なお、ここでのバリアメタル
層５は基板１のＳｔと高融点金属層６のＷとの熱拡散に
よる反応を防止する機能を有する他、基板１と高融点金
属層６との接着を強固に行うための接着層としての機能
を有している。
すなわち、従来のバリアメタル層５を薬品処理のみした
後高融点金属層６を形成する場合では高融点金属層６の
反射率がＡｒに対し４３％（可視光線λ＝ ４００ｎ園
）と表面形状が荒れていたのに対し、本発明の上記実施
例では、高融点金属層６の反射率がＡ２に対し５１％と
表面形状が従来例よりも滑らかであることが判った。し
たがって、高融点金属層３６を従来よりもカバレッジ良
く形成することができ、配線の多層化、平坦化をより一
層実現することができる。
後高融点金属層６を形成する場合では高融点金属層６の
反射率がＡｒに対し４３％（可視光線λ＝ ４００ｎ園
）と表面形状が荒れていたのに対し、本発明の上記実施
例では、高融点金属層６の反射率がＡ２に対し５１％と
表面形状が従来例よりも滑らかであることが判った。し
たがって、高融点金属層３６を従来よりもカバレッジ良
く形成することができ、配線の多層化、平坦化をより一
層実現することができる。
また、第３図に示すように、表面処理をしない場合（比
較例１）、ＨＦ処理した場合（比較例２）及びＡｒスパ
ッタ処理した場合（比較例３）では高融点金属層６の反
射率が全て低く表面形状が荒れていたのに対し、Ｎ２処
理した場合（本発明１）、ＮＦｓ処理した場合（本発明
２）、ＮＦ３ ＋Ｎｔ（ラジカルのみ）処理した場合（
本発明３）及びＮＦｓ ＋Ｎｚ （イオン照射）処理
した場合（本発明４）は反射率が比較例よりも全て高く
なっており表面形状が滑らかになっていることが判った
。
較例１）、ＨＦ処理した場合（比較例２）及びＡｒスパ
ッタ処理した場合（比較例３）では高融点金属層６の反
射率が全て低く表面形状が荒れていたのに対し、Ｎ２処
理した場合（本発明１）、ＮＦｓ処理した場合（本発明
２）、ＮＦ３ ＋Ｎｔ（ラジカルのみ）処理した場合（
本発明３）及びＮＦｓ ＋Ｎｚ （イオン照射）処理
した場合（本発明４）は反射率が比較例よりも全て高く
なっており表面形状が滑らかになっていることが判った
。
また、本発明４のイオン照射した場合は本発明３のラジ
カル処理した場合よりも高融点金属層６の反射率を高く
することができ、表面形状を滑らかにすることができ好
ましいことが判った。
カル処理した場合よりも高融点金属層６の反射率を高く
することができ、表面形状を滑らかにすることができ好
ましいことが判った。
なお、本発明３、本発明４の表面処理条件は以下の通り
である。
である。
（本発明３）
（トライオード型）：１０Ｗ、 １３．５６Ｍ七基板基
板バイアスはかか らない、Ｎ Ｆ ３１０ｓｃｃｍ。
板バイアスはかか らない、Ｎ Ｆ ３１０ｓｃｃｍ。
ｒ’ｈ １０１００５ｃ 。
圧力４０ｍＴｏｒｒ、処理時間６０秒。
（本発明４）
（平行平板型）：２０Ｗ、１３．５６ＭＨｚ基板バイア
スは約１．３ｋＶ。
スは約１．３ｋＶ。
Ｎ Ｆ ３１０１０５ｃ、 ＮｚＮｚ１００５ｃ。
圧力４０ｍＴｏｒｒ、処理時間６０秒。
本発明によれば、バリアメタル層上に高融点金属層を形
成する際、高融点金属層を表面形状の荒れを生じないよ
うに滑らかに、かつカバレンジ良く形成することができ
るという効果がある。
成する際、高融点金属層を表面形状の荒れを生じないよ
うに滑らかに、かつカバレンジ良く形成することができ
るという効果がある。
第１図〜第３図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製造
方法を説明する図、第２図は一実施例の製造装置を示す
概略図、第３図は一実施例の効果を説明する図、第４図
は従来例の製造方法を説明する図である。 ５・・・・・・バリアメタル層、 ６・・・・・・高融点金属層。 ″Ｖ更宅−／ ５：パリアメタル層 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 Ｎ含有プラズマ ６：高融点金属層 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 前処ｍｌ ＨＦ処理 ｒ Ｎ。 ＮＦ。 ＮＦ３＋Ｎよ ＮＦ１＋Ｎｌ なし 一実施例の効果を説明する図 第 図
一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製造
方法を説明する図、第２図は一実施例の製造装置を示す
概略図、第３図は一実施例の効果を説明する図、第４図
は従来例の製造方法を説明する図である。 ５・・・・・・バリアメタル層、 ６・・・・・・高融点金属層。 ″Ｖ更宅−／ ５：パリアメタル層 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 Ｎ含有プラズマ ６：高融点金属層 一実施例の製造方法を説明する図 第 図 前処ｍｌ ＨＦ処理 ｒ Ｎ。 ＮＦ。 ＮＦ３＋Ｎよ ＮＦ１＋Ｎｌ なし 一実施例の効果を説明する図 第 図
Claims (4)
- （１）窒素または酸素を少なくともいずれか１つを含む
プラズマ雰囲気中で窒素含有高融点金属化合物層（５）
を表面処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２）前記プラズマ雰囲気中で表面処理する際、前記窒
素含有高融点金属化合物層（５）にイオンを照射するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - （３）前記窒素含有高融点金属化合物層（５）をウェッ
ト処理した後、前記プラズマ表面処理することを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - （４）前記プラズマ表面処理後、大気雰囲気中に曝すこ
となく連続的に前記窒素含有高融点金属化合物層（５）
上に高融点金属層（６）を形成することを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21783390A JPH04100221A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21783390A JPH04100221A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100221A true JPH04100221A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16710465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21783390A Pending JPH04100221A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100221A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0711846A1 (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium nitride deposited by chemical vapor deposition |
| EP0720214A2 (en) * | 1994-12-30 | 1996-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method of treating metal nitride films to reduce silicon migration therein |
| WO1996039548A1 (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Materials Research Corporation | Process for plasma enhanced anneal of titanium nitride |
| US5989652A (en) * | 1997-01-31 | 1999-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications |
| KR100250730B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-05-01 | 김영환 | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 |
| US6251758B1 (en) | 1994-11-14 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Construction of a film on a semiconductor wafer |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
| US6699530B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for constructing a film on a semiconductor wafer |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP21783390A patent/JPH04100221A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0711846A1 (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium nitride deposited by chemical vapor deposition |
| US6251758B1 (en) | 1994-11-14 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Construction of a film on a semiconductor wafer |
| US6500742B1 (en) | 1994-11-14 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Construction of a film on a semiconductor wafer |
| EP0720214A2 (en) * | 1994-12-30 | 1996-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method of treating metal nitride films to reduce silicon migration therein |
| EP0720214A3 (en) * | 1994-12-30 | 1997-10-08 | Applied Materials Inc | Method for treating metal nitride films to reduce migration of silicon |
| WO1996039548A1 (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Materials Research Corporation | Process for plasma enhanced anneal of titanium nitride |
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| US5989652A (en) * | 1997-01-31 | 1999-11-23 | Tokyo Electron Limited | Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications |
| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
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