JPH0410454A - Transferer for wafer - Google Patents
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、ウェハの移し替え装置であり、特に２枚一組
でセットされている各ウェハを、それぞれ独立した状態
にセットするウェハの移し替え装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial Application Field The present invention relates to a wafer transfer device, and particularly a wafer transfer device that sets each wafer set in pairs in a separate state. The present invention relates to a transfer device.
（ロ）従来の技術
一般にウェハ移し替え技術は、半導体プロセスにとって
重要である。この技術は、例えば特開昭６０−２５４６
１２号公報等がその一例である。(b) Conventional technology Generally, wafer transfer technology is important for semiconductor processes. This technology is known, for example, from Japanese Patent Application Laid-open No. 60-2546.
An example is Publication No. 12.
この発明は次のような工程を経てウェハが移し替えられ
る。In this invention, wafers are transferred through the following steps.
まず複数枚のウェハが収容されたウェハ載置台（バスケ
ット）を、イメージセンサやＸＹ駆動機を介して、ウェ
ハ保持装置の下まで移動する。First, a wafer mounting table (basket) containing a plurality of wafers is moved to below the wafer holding device via an image sensor and an XY driver.
次にこのウェハ載置台を上昇させて、ウェハ保持装置の
保持手段がウェハの水平の直径部よりも下となるように
設定し、この保持手段を水平方向に駆動させてウェハを
接触保持する。Next, this wafer mounting table is raised, and the holding means of the wafer holding device is set to be below the horizontal diameter portion of the wafer, and the holding means is driven in the horizontal direction to contact and hold the wafer.
続いてこのウェハ載置台を下降させ、別のウェハ載置台
を上昇させる。Subsequently, this wafer mounting table is lowered, and another wafer mounting table is raised.
続いて、この保持手段をウェハから離間させ、このウェ
ハ載置台にウェハをセットし、ウェハの移し替えが終了
する。Subsequently, the holding means is separated from the wafer, the wafer is set on the wafer mounting table, and the wafer transfer is completed.
ここで、このウェハ保持装置の保持手段は、ウェハと接
触する側面が鋸の刃の如く、所定間隔で三角形の凹部が
設けられている。しからこの接触面は斜面または円弧状
に設けられており、ウェハの水平方向の直径位置よりも
下方でウェハと接触し、ウェハが下に落ちないようにな
っている。Here, the holding means of this wafer holding device has triangular recesses arranged at predetermined intervals like a saw blade on the side surface that contacts the wafer. This contact surface is provided in the form of a slope or an arc, and contacts the wafer below the horizontal diameter of the wafer to prevent the wafer from falling downward.
一方、ウェハの一方の面を長時間拡散するときは、第１
６図のように一枚一枚セットしていると効率が悪いため
に、第１３図に示したように、拡散を必要としない面を
対向させ２枚１組でセットする所謂「バック・トウ・バ
ック」が使用されるようになってきた。このバ・／り・
トウ・バラフチセットすれば、ウェハのチャージ枚数は
倍となり、長時間の拡散工程等において効率を高めるこ
とが可能となる。On the other hand, when diffusing one side of the wafer for a long time, the first
Since setting each sheet one by one as shown in Figure 6 is inefficient, it is recommended to set the sheets in sets of two with the surfaces that do not require diffusion facing each other, as shown in Figure 13.・Back' has come to be used. This bar/ri/
If the tow/balance setting is used, the number of wafers to be charged can be doubled, making it possible to improve efficiency in a long-time diffusion process, etc.
第１４図及び第１５図は、第１３図の平面図であり、こ
のバック・トウ・バックでウェハ載置台（１）にセット
されているウェハを、それぞれ１枚ずつに分離するとき
の状態を説明した概略図である。Figures 14 and 15 are plan views of Figure 13, showing the state when the wafers set on the wafer mounting table (1) are separated one by one in this back-to-back manner. FIG.
第１４図は、ウェハ（２）の両端に前記ウェハ保持装置
の保持手段（３）が近接した状態を示している。図の如
く、三角形の四部（４）の間に設けられた鋭角な凸部（
爪）（５）は、ウェハ（２）間に挿入できるように、位
置が調整されている。FIG. 14 shows a state in which the holding means (3) of the wafer holding device are close to both ends of the wafer (2). As shown in the figure, an acute-angled protrusion (
The position of the claw (5) is adjusted so that it can be inserted between the wafers (2).
続いて第１５図の如く、前記保持手段（３）をウェハに
近接させ、前記広（５）をウェハとウェハの間に挿入し
、ウェハを離間させた状態でウェハを保持する。Subsequently, as shown in FIG. 15, the holding means (3) is brought close to the wafer, and the wide part (5) is inserted between the wafers to hold the wafers with the wafers separated.
最後に別の第２のウェハ載置台（６）を前記ウェハ（２
）の下に移動させ、ウェハを第１６図の通リセットする
。Finally, another second wafer mounting table (6) is placed on the wafer (2).
) and reset the wafer as shown in FIG.
以上のような機構でバック・トウ・バックのウェハを１
枚１枚分離していた。With the above mechanism, back-to-back wafers are
One piece was separated.
（ハ）発明が解決しようとした課題
しかしこの機構により、バック・トウ・バックの状態で
セットされているウェハを分離する場合、ウェハとウェ
ハが実質的に接触していると、前記型（５）をウェハ間
に挿入することは非常に雛しくかった。(c) Problems to be Solved by the Invention However, when using this mechanism to separate wafers set back-to-back, if the wafers are substantially in contact with each other, the mold (5) ) was very difficult to insert between wafers.
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は前述の課題に鑑みて成され、
奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異なら
しめてセットする反転機構と、前記ファセット位置を異
ならしめことで生じるウェハの露出部分に外力を加え、
前記２枚一組のウェハ間隔を広げる流体吹き付け機構と
で解決するものである。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes an inversion mechanism that sets facet positions of odd-numbered wafers and even-numbered wafers at different positions, and a reversing mechanism that sets facet positions of odd-numbered and even-numbered wafers by making the facet positions different. Applying an external force to the exposed part of the wafer,
This problem is solved by a fluid spraying mechanism that widens the distance between the two wafers.
（ホ）作用
奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異なら
しめる反転機構で、第７図のようにウェハの一方はウェ
ハと重畳しない部分が生じる。(e) Operation This reversal mechanism makes the facet positions of odd-numbered and even-numbered wafers different, and as shown in FIG. 7, one of the wafers has a portion that does not overlap with the other wafer.
一方、前記ウェハ保持手段に設けられた溝は、ウェハが
装着されていても若干マージンがあるので、ウェハの動
きを可能とした。On the other hand, since the groove provided in the wafer holding means has a slight margin even when the wafer is mounted, the wafer can be moved.
従ってウェハの露出部分に例えばＮ２ガス等の流体を吹
き付ければ、前記マージンにより第９図の如くウェハ間
隔を広げられ、この間に別の保持手段の爪を完全に挿入
できる。しから、若干マージンのある状態でウェハを回
転すれば、ウェハに負荷を加えることなくこの爪に連な
る保持手段の溝に１枚１枚がセットできる。Therefore, by spraying a fluid such as N2 gas onto the exposed portion of the wafer, the wafer spacing can be widened by the margin as shown in FIG. 9, and the claws of another holding means can be completely inserted between the wafers. Therefore, if the wafers are rotated with a slight margin, each wafer can be set in the groove of the holding means connected to the claw without applying any load to the wafer.
従ってこの機構を採用することで、何の問題もなく自動
化が可能となる。Therefore, by adopting this mechanism, automation becomes possible without any problems.
（へ）実施例
一般に、一方のウェハ面にだけ拡散を必要とした工程は
非常に多く、この片面拡散において第１３図のようにバ
ック・トウ・バックのセットを行えば、従来のセット方
法（第１６図）でセットできる枚数の倍の能力を持つこ
とが可能となる。(f) Example In general, there are many processes that require diffusion only on one wafer surface, and if back-to-back setting is performed as shown in FIG. 13 in this single-sided diffusion, the conventional setting method ( It becomes possible to have the capacity to double the number of sheets that can be set using the method shown in Fig. 16).
従って処理能力を非常に高めることができる。Therefore, processing capacity can be greatly increased.
通常、拡散時間が短いもの、拡散精度を必要としたもの
は、第１６図のように１枚１枚セットして拡散している
。例えばエミッタ拡散は拡散時間が短く、ｈＦＥを決め
る重要な工程なので、このセット方法で処理をしている
。Usually, when the diffusion time is short or when diffusion precision is required, the diffusion is performed by setting one sheet at a time as shown in FIG. 16. For example, emitter diffusion has a short diffusion time and is an important process that determines hFE, so this setting method is used for processing.
しかしベース拡散は非常に時間をかけて拡散をするため
処理枚数を拡大するためにバック・トウ・バックでセッ
トしている。However, base diffusion takes a very long time to diffuse, so to increase the number of sheets that can be processed, the sheets are set back-to-back.
本発明は、前述のように、何らかの理由により２枚一組
でセットされている薄板（ここでは半導体ウェハ）を分
離し、次の工程へ移行させるために第１６図のようにウ
ェハを１枚ずつに分離するための機構や１枚１枚のウェ
ハをバック・トウ・バックにセットする機構を有した装
置にかんするものである。As mentioned above, in order to separate the thin plates (semiconductor wafers here) that are set in pairs for some reason and move them to the next process, the present invention separates the thin plates (semiconductor wafers) into one wafer as shown in Fig. 16. This relates to an apparatus having a mechanism for separating wafers into individual wafers and a mechanism for setting wafers one by one back-to-back.
まず洗浄工程から熱処理工程のために石英ボードへ移す
ときは、１枚１枚バラバラな状態から第１３図の如く、
バック・トウ・バックの状態ヘセットする機構が必要で
ある。本発明はリセットのとき重要となる構成、すなわ
ち石英ボードのウェハのファセットを１枚１枚交互に一
トと下にセットしている。First, when transferring from the cleaning process to the quartz board for the heat treatment process, each board is separated one by one as shown in Figure 13.
A mechanism for setting back-to-back conditions is required. The present invention has a configuration that is important at the time of resetting, that is, the facets of the wafers on the quartz board are set alternately one after the other.
また石英ボードから洗浄工程へ移すときは、バンク・ト
ウ・バックから１枚１枚に分離するリセット機構が必要
である。Further, when transferring from a quartz board to a cleaning process, a reset mechanism is required to separate each board from bank to back.
次に、第２図乃至第６図のとおり、自動機で２枚一組の
ウェハをバック・トウ・バンクの状態で且つ一方のウェ
ハのファセットを下に、他方のウェハのファセットを上
にセットする前述したセット機構について説明する。Next, as shown in Figures 2 to 6, a set of two wafers are set in a back-to-bank state using an automatic machine, with the facets of one wafer facing down and the facets of the other wafer facing up. The above-mentioned setting mechanism will be explained.
ウェハは、例えば洗浄工程を経た後のものであり、ウェ
ハのファセットは、バラバラの状態にある。The wafer has undergone a cleaning process, for example, and the facets of the wafer are in a disjointed state.
そして通常のファセットアライナ−で全てのファセット
が上方または下方にセットされる。All facets are then set upward or downward using a normal facet aligner.
まず第１図の通リセットされている第１のウェハ載置台
（１０）（ここでは洗浄治具）が、第１２図に示す装置
の回転円ｆｉ（１１）ＪＺにセットされている。First, the first wafer mounting table (10) (here, the cleaning jig), which has been reset as shown in FIG. 1, is set in the rotation circle fi (11) JZ of the apparatus shown in FIG. 12.
二の回転円盤（］Ｉ１の回転によりこの第１のウェハ載
置台（１０）が、ウェハ保持機構（１２）の下方に移動
される。The rotation of the second rotating disk (]I1 moves this first wafer mounting table (10) below the wafer holding mechanism (12).
続いてこの第１のウェハ載置台（１０）のウェハ（１３
）がウェハの下方に設けられている第１のウェハ保持手
段（１４）により前記ウェハ保持機構（１２）の中に移
動する。Subsequently, the wafer (13) on this first wafer mounting table (10) is
) is moved into the wafer holding mechanism (12) by a first wafer holding means (14) provided below the wafer.
この機構の中には第２図に示す４種類のウェハ保持手段
が配置されており、Ｂ１とＡはウニ／Ｘの中心を通る水
平線の下方にセットされ、ウェハの下落防止のための斜
面を有した溝があり、またＢ２とＣはウェハの中心を通
る水平線の上方にセットされ、ウェハが上方へ移動でき
ない斜面を有する溝がある。またこの保持機構は全体が
回転するようになっており、また第１７図の如く、Ｂｌ
。Four types of wafer holding means shown in Fig. 2 are arranged in this mechanism, and B1 and A are set below the horizontal line passing through the center of the sea urchin/X, and have slopes to prevent the wafer from falling. There is also a groove with a slope B2 and C set above a horizontal line passing through the center of the wafer, and a slope that prevents the wafer from moving upwards. Moreover, this holding mechanism is designed to rotate as a whole, and as shown in FIG.
.
Ｂ２．Ｃには、溝が形成されている。B2. A groove is formed in C.
次に、Ｂ１で示された第２のウェハ保持手段が矢印のと
おり、ウェハに近接する。この保持手段には破線で示す
とおり溝の底面が斜めに形成され、下落しないようにな
っている。また第１７図の如く交互に溝の深さが異なる
ので前記第１のウェハ保持手段（１４）が下方へ移動す
れば、深い溝に対応する破線で示したウェハが下落し、
奇数番目または偶数番目のウェハだけを第２のウェハ保
持手段Ｂ１にセットできる。Next, the second wafer holding means indicated by B1 approaches the wafer as indicated by the arrow. The bottom surface of the groove in this holding means is formed obliquely, as shown by the broken line, to prevent it from falling down. Further, as shown in FIG. 17, since the depths of the grooves are alternately different, when the first wafer holding means (14) moves downward, the wafer indicated by the broken line corresponding to the deep groove falls,
Only odd-numbered or even-numbered wafers can be set on the second wafer holding means B1.
続いてＢ２で示した第３のウェハ保持手段が近接する。Subsequently, the third wafer holding means indicated by B2 approaches.
この保持手段Ｂ２の溝は破線のとおりに底面が斜めに設
けであるので第３図のようにウェハを回転させてら落下
しない。Since the groove of this holding means B2 has an oblique bottom surface as shown by the broken line, the wafer will not fall when rotated as shown in FIG.
続いて、第１２図の回転機構（１５）により、奇数番目
または偶数番目のウェハを、第３図矢印の如くウェハ面
が回転するように回転する。Subsequently, the rotation mechanism (15) shown in FIG. 12 rotates the odd-numbered or even-numbered wafers so that the wafer surface rotates as indicated by the arrow in FIG.
続いて第１のウェハ保持手段（１４）にセットされてい
る偶数番目または奇数番目のウェハ（１３）が第４図の
とおり上昇する。Subsequently, the even-numbered or odd-numbered wafers (13) set in the first wafer holding means (14) are raised as shown in FIG.
次に第５図の通り、第３のウェハ保持手段Ｂ２が離れ、
Ｃで示した第４のウェハ保持手段）にセットされる。こ
の状態で、奇数番目のウェハと偶数番目のウェハのファ
セットが上下に異なって配置される。Next, as shown in FIG. 5, the third wafer holding means B2 is separated,
4th wafer holding means) indicated by C). In this state, the facets of odd-numbered wafers and even-numbered wafers are vertically arranged differently.
以上の機構は、後述の露出領域を形成する重要な機構で
ある。The above-mentioned mechanism is an important mechanism for forming an exposed region, which will be described later.
その後、第１２図のウェハ保持機構（１２）が右方向へ
スライドし、サブステージ（１６）上にセットされ、更
にウェハ移動装置Ｚ（１７）で１組ずつ所定のピッチで
石英ボード（１８）ヘセットされる。Thereafter, the wafer holding mechanism (12) in Fig. 12 slides to the right and is set on the sub-stage (16), and the wafer moving device Z (17) moves the quartz board (18) one by one at a predetermined pitch. Heset.
次に前述のリセット機構について説明する。石英ボード
（１８）上のウェハを本装置上にあるサブステージ（１
６）ヘウエハ移動装置（１７）でセットする。ウェハが
全てセットされたら、前記ウェハ保持機構（１２）をサ
ブステージ（１６）まで右へスライドさせる。Next, the above-mentioned reset mechanism will be explained. The wafer on the quartz board (18) is placed on the substage (1) on this device.
6) Set the wafer using the wafer moving device (17). Once all the wafers are set, slide the wafer holding mechanism (12) to the right until it reaches the substage (16).
続いて第６図の如く、ウェハの下方から上昇して来る第
１のウェハ保持手段（Ｉ４）により全てのウェハをウェ
ハ保持機構まで上昇させる。Subsequently, as shown in FIG. 6, all the wafers are lifted up to the wafer holding mechanism by the first wafer holding means (I4) rising from below the wafers.
この時のウェハの状態を示したものが第７図である。図
からも分かるように、斜線で示した領域が、本発明の特
徴としたところであり、ここでは手前から偶数番目のウ
ェハ上部は、前記セット機構によりファセットがずれる
ことで露出されている。FIG. 7 shows the state of the wafer at this time. As can be seen from the figure, the shaded area is the feature of the present invention, and here the upper part of the even-numbered wafer from the front is exposed due to the shift of the facet by the setting mechanism.
一方、この露出領域（１９）は、第８図の通り、ウェハ
保持手段の溝の底面が斜めになっていれば回転しなくと
も実現可能であるが、この場合は露出面積が少ないので
、前述したとおリファセットもずらして露出面積を拡大
している。On the other hand, this exposed area (19) can be realized without rotation if the bottom surface of the groove of the wafer holding means is oblique as shown in FIG. 8, but in this case, since the exposed area is small, The facet was also shifted to expand the exposed area.
次に、第８図のとおり、ウェハ（１３）の露出領域（１
９）に流体を吹き付ける工程がある。Next, as shown in FIG.
9) includes a step of spraying fluid.
ここではノズル（２０）が下降しＮ２ガスを前記露出領
域（１９）に吹き付けている。従って、他方のウェハ（
１３−）は第９図のとおり斜めに傾きウェハ間隔を広げ
ることができる。Here, the nozzle (20) is lowered to spray N2 gas onto the exposed area (19). Therefore, the other wafer (
13-) can be tilted diagonally as shown in FIG. 9 to widen the wafer spacing.
ここでは下方から上昇する第１のウェハ保持手段（１４
）が上昇しても可能である。Here, the first wafer holding means (14
) increases.
続いて広げられたウェハ上部の間に、第１０図、第１１
図の如く、Ｃで示された第４のウェハ保持手段が近接し
、爪（２１）が挿入されて行き、ウェハが分離される。10 and 11 between the upper parts of the wafers that were subsequently spread out.
As shown in the figure, the fourth wafer holding means indicated by C approaches and the claws (21) are inserted to separate the wafers.
しかしウェハはこの保持手段Ｃにより完全に固定されて
おらず、若干フリーな状態である。またウェハの水平面
の直径位置よりも下に第５のウェハ保持手段Ａ、ここで
は落下防止のウェハホルダーが近接しウェハと接触する
。However, the wafer is not completely fixed by this holding means C and is in a slightly free state. Further, below the diametrical position of the horizontal plane of the wafer, a fifth wafer holding means A, in this case a wafer holder to prevent falling, approaches and comes into contact with the wafer.
続いてウェハが分離された状態で１８０°回転し、ウェ
ハの自重により、前記第４のウェハ保持手段Ｃの爪と連
続して設けられた溝（２２）に１枚１枚セットされる。Subsequently, the separated wafers are rotated 180 degrees, and due to their own weight, they are set one by one in the grooves (22) provided continuously with the claws of the fourth wafer holding means C.
実際の断面は第１７図に示す。The actual cross section is shown in FIG.
ここではウェハへ負荷が加わらないように回転している
。つまり回転をしなくても、前記保持手段Ｃがウェハを
完全にクランプし、ウェハを全て垂直にセットすれば、
そのまま別のウェハ載置台にセットできる。しかし第９
図のとおり、ウェハは斜めの状態であり、このウェハを
クランプして別のウェハ載置台にセットする間には、ウ
ェハに負荷を４える可能性がある。Here, the wafer is rotated so that no load is applied to the wafer. In other words, even without rotation, if the holding means C completely clamps the wafer and sets all the wafers vertically,
It can be placed directly on another wafer mounting table. But the ninth
As shown in the figure, the wafer is in an inclined state, and there is a possibility that a load will be applied to the wafer while the wafer is being clamped and set on another wafer mounting table.
従って、ウェハがフリーな状態で回転し、自重によりセ
ットしたほうが、ウェハに負荷を与えず好ましいセット
ができる。Therefore, if the wafer rotates freely and is set by its own weight, it is possible to set the wafer more preferably without applying any load to the wafer.
続いてウェハ保持機Ｆ＊（１２）を左へスライドし、前
記第１のウェハ保持手段（１４）を上昇させ、第３のウ
ェハ保持手段Ｂ２を近接させ、第４のウェハ保持手段Ｃ
を引っ込める。従って第３のウェハ保持手段Ｂ２の深い
溝に対応するウェハが、下方にセットされている洗浄治
具へ落下しセットされる。Subsequently, the wafer holder F* (12) is slid to the left, the first wafer holder (14) is raised, the third wafer holder B2 is brought closer, and the fourth wafer holder C is moved up.
retract. Therefore, the wafer corresponding to the deep groove of the third wafer holding means B2 falls and is set in the cleaning jig set below.
更に第２のウェハ保持手段Ｂ１を近接させ、ウェハを前
述と同様に１８０”回転させる。そして第３のウェハ保
持手段Ｂ２を引っ込めて、先にウェハが半分セットされ
ている洗浄治具を上昇させ、第２のウェハ保持手段Ｂｌ
を引っ込めて洗浄治具に落下させセットする。Furthermore, the second wafer holding means B1 is brought closer and the wafer is rotated 180'' in the same manner as described above.Then, the third wafer holding means B2 is retracted, and the cleaning jig in which half the wafer is previously set is raised. , second wafer holding means Bl
Retract it and drop it into the cleaning jig and set it.
従って全てのウェハはファセットが一致して且つウェハ
の表面も揃ってセットされる。Therefore, all wafers are set with matching facets and even wafer surfaces.
（ト）発明の効果
以上の説明から明らかな如く、奇数番目と偶数番目のウ
ェハのファセット位置を異ならしめる反転機構で、第７
図のようにウェハの一方はウェハと重畳しない部分が生
じるから、ウェハに流体を吹き付けて間隔を広げること
ができ、ウェハに障害を与えずに１枚１枚分離できる。(g) Effects of the invention As is clear from the above explanation, the seventh
As shown in the figure, since there is a part of the wafer that does not overlap with the wafer, it is possible to widen the gap by spraying fluid onto the wafers, allowing them to be separated one by one without damaging the wafers.
しかもウェハ間隔を広げられるので、ウェハ保持手段の
爪をスムーズに挿入できる。さらにはウェハの厚さに関
係なく挿入できるので自動化が可能となる。Moreover, since the wafer spacing can be widened, the claws of the wafer holding means can be inserted smoothly. Furthermore, since the wafer can be inserted regardless of its thickness, automation is possible.
またウェハのファセットをずらしたり、ウェハの設置高
さを異ならしめることで、一方のウェハの一部を露出さ
せることができるので、この露出領域に流体を吹き付け
れば、効率よくウェハ間隔を広げることができる。従っ
てウェハ保持手段の爪をウェハ間に完全にいれることが
できる。In addition, by shifting the facets of the wafers or setting the wafers at different heights, it is possible to expose a portion of one wafer, and by spraying fluid on this exposed area, the wafer spacing can be efficiently increased. I can do it. Therefore, the claws of the wafer holding means can be completely inserted between the wafers.
また一連の保持手段によりウェハはバック・トウ・バッ
クに自動的にセットできるため、作業効率を向−トさせ
ることができる。Further, since the wafer can be automatically set back-to-back by a series of holding means, work efficiency can be improved.
以上本発明は、片面の拡散（これはバイポーラだけに限
らすモスや化合物半導体等にも当てはまる）のときに非
常に有効な装置である。As described above, the present invention is a very effective device for single-sided diffusion (this applies not only to bipolar devices but also to moss, compound semiconductors, etc.).
第１図はウェハがセットされた時の図、第２図乃至第６
図は反転機構を説明するための図、第７図乃至第１１図
はウェハを分離する機構を説明するための図、第１２図
は本移し替え装置の図、第１３図はウェハ載置台にバッ
ク・トウ・バンクでセットされている図、第１４図およ
び第１５図は従来の方法でウェハを分離する時の説明図
、第１６図は、ウェハが１枚１枚分離されてセットされ
ている図、第１７図は保持手段の断面図である。Figure 1 is a diagram when the wafer is set, Figures 2 to 6
The figure is a diagram for explaining the reversing mechanism, Figures 7 to 11 are diagrams for explaining the mechanism for separating wafers, Figure 12 is a diagram of the main transfer device, and Figure 13 is a diagram of the wafer mounting table. Figures 14 and 15 are illustrations of wafers being set in a back-toe bank, and Figure 16 is an illustration of wafers being separated and set one by one. FIG. 17 is a sectional view of the holding means.
Claims (7)
ウェハを反転させファセット位置を他方のウェハのファ
セット位置と異ならしめるウェハの反転機構を有したウ
ェハの移し替え装置であって、 所定のウェハ保持手段にファセットがアライニングされ
てセットされている複数枚のウェハと、別のウェハ保持
手段を近接または接触させ、前記別のウェハ保持手段に
より奇数番目または偶数番目のウェハのみを反転させ、 奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異なら
しめてセットする反転機構を有したウェハの移し替え装
置。(1) A wafer transfer device having a wafer reversing mechanism for setting semiconductor wafers in pairs and reversing one wafer to make the facet position different from the facet position of the other wafer, A plurality of wafers set with aligned facets on a wafer holding means are brought into close proximity to or in contact with another wafer holding means, and only odd-numbered or even-numbered wafers are inverted by the other wafer holding means. , A wafer transfer device having an inversion mechanism that sets odd-numbered and even-numbered wafers with different facet positions.
方で、奇数番目または偶数番目のウェハの両端に前記別
のウェハ保持手段を近接または接触させ、前記奇数番目
または偶数番目のウェハを１８０゜回転させる反転機構
を有することを特徴とした請求項第１項記載のウェハの
移し替え装置。(2) The other wafer holding means is brought close to or in contact with both ends of the odd-numbered or even-numbered wafer above and below the horizontal line passing through the center of the wafer, and the odd-numbered or even-numbered wafer is held at 180°. 2. The wafer transfer device according to claim 1, further comprising an inversion mechanism for rotating the wafer.
ウェハの露出部分に外力を加え、前記２枚一組のウェハ
間隔を広げる機構を有することを特徴とした請求項第１
項記載のウェハの移し替え装置。(3) Claim 1, further comprising a mechanism that applies an external force to the exposed portion of the wafer caused by changing the facet positions to widen the gap between the two wafers.
The wafer transfer device described in Section 1.
保持手段に設けられた凸部を挿入することで、前記２枚
一組のウェハを分離するウェハ分離機構を有することを
特徴とした請求項第３項記載のウェハの移し替え装置。(4) A wafer separation mechanism that separates the set of two wafers by inserting a convex portion provided on the holding means between the wafers spread by the spraying mechanism. The wafer transfer device according to item 3.
せにセットした状態でセットされることを特徴とした請
求項第１項、第２項、第３項または第４項記載のウェハ
の移し替え装置。(5) The set of two wafers is set with their non-processed surfaces facing back to back. Wafer transfer equipment.
アライニングされた一連のウェハがセットされた第１の
ウェハ載置台とウェハ保持機構とを近接させ、 前記第１のウェハ載置台から第１のウェハ保持手段にウ
ェハを移し、 前記ウェハの中心を通る水平線の上方および下方で、奇
数番目または偶数番目のウェハの両端に第２のウェハ保
持手段および第３のウェハ保持手段を近接または接触さ
せ、 前記第２のウェハ保持手段および第３のウェハ保持手段
にセットされた奇数番目または偶数番目のウェハを反転
させ、 前記反転されたウェハまたはそのままのウェハを移動さ
せ、奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異
ならした状態でウェハをセットする反転機構を有したウ
ェハの移し替え装置。(6) A first wafer mounting table on which a series of wafers subjected to semiconductor processing and facet alignment are set is brought into close proximity to a wafer holding mechanism; Transferring the wafer to a wafer holding means, bringing a second wafer holding means and a third wafer holding means close to or in contact with both ends of odd-numbered or even-numbered wafers above and below a horizontal line passing through the center of the wafer; Inverting the odd-numbered or even-numbered wafers set in the second wafer holding means and the third wafer holding means, moving the inverted wafers or the wafers as they are, and separating the odd-numbered and even-numbered wafers. A wafer transfer device that has an inversion mechanism that sets wafers with different facet positions.
るウェハの露出部分に流体を吹き付けて、ウェハ間隔を
広げ、 前記広げられたウェハ間に第４のウェハ保持手段に設け
られた凸部を挿入し、 前記ウェハの下方に第５のウェハ保持手段を当接し、前
記ウェハを１８０゜回転することで前記第４のウェハ保
持手段の凸部に連なる溝に前記ウェハをセットするウェ
ハ分離機構を有することを特徴とした請求項第６項記載
のウェハの移し替え装置。(7) Spraying fluid onto the exposed portions of the wafers caused by making the facet positions different, widening the wafer spacing, and inserting the convex portion provided on the fourth wafer holding means between the widened wafers. and a wafer separation mechanism that abuts a fifth wafer holding means below the wafer and sets the wafer in a groove connected to a convex portion of the fourth wafer holding means by rotating the wafer 180 degrees. The wafer transfer device according to claim 6, characterized in that:
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2752332A1 (en) * | 1996-08-12 | 1998-02-13 | Commissariat Energie Atomique | PLATELET DECOLUTION DEVICE AND METHOD FOR IMPLEMENTING SAID DEVICE |
| KR20020076819A (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | (주)케이.씨.텍 | apparatus for seizing a substrate and apparatus for handling a substrate having the same |
| FR2828428A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-14 | Soitec Silicon On Insulator | Device for separating substrates prepared with cleavage planes, and associated method |
| KR100413742B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-12-31 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | Method of fabricating a display panel and method of relocating a display panel |
| KR100473929B1 (en) * | 1998-02-18 | 2005-03-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Apparatus for and method of transporting substrates to be processed |
| JP2010510681A (en) * | 2006-11-24 | 2010-04-02 | ヨナス アンド レードマン アウトマーツィオーンズテヒニク ゲーエムベーハー | Method of forming a stack of wafers to be doped on one side, particularly a solar wafer, and a handling system for loading a plurality of wafer batches on a process boat |
| KR20140085560A (en) * | 2011-10-27 | 2014-07-07 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | Process for smoothing a surface via heat treatment |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
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| US8395568B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-03-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
| US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
| US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP11193190A patent/JPH0722177B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0824267A1 (en) * | 1996-08-12 | 1998-02-18 | Commissariat A L'energie Atomique | Lift-off device for flat pieces and its use |
| US6077383A (en) * | 1996-08-12 | 2000-06-20 | Commissariat A L'energie | Device for separating wafers and process for using said device |
| FR2752332A1 (en) * | 1996-08-12 | 1998-02-13 | Commissariat Energie Atomique | PLATELET DECOLUTION DEVICE AND METHOD FOR IMPLEMENTING SAID DEVICE |
| KR100473929B1 (en) * | 1998-02-18 | 2005-03-07 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Apparatus for and method of transporting substrates to be processed |
| US6769948B1 (en) | 1999-01-08 | 2004-08-03 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating a display panel and method of relocating a display panel |
| KR100413742B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-12-31 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | Method of fabricating a display panel and method of relocating a display panel |
| KR20020076819A (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | (주)케이.씨.텍 | apparatus for seizing a substrate and apparatus for handling a substrate having the same |
| JP2004537866A (en) * | 2001-08-07 | 2004-12-16 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | Apparatus and associated method for splitting a substrate |
| WO2003013815A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Device for detaching substrates and the associated method |
| FR2828428A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-14 | Soitec Silicon On Insulator | Device for separating substrates prepared with cleavage planes, and associated method |
| US7017570B2 (en) | 2001-08-07 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Apparatus and method for splitting substrates |
| CN1329949C (en) * | 2001-08-07 | 2007-08-01 | 硅绝缘技术公司 | Apparatus and method for splitting substrates |
| KR100784579B1 (en) * | 2001-08-07 | 2007-12-10 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | Device for detaching substrates and the associated method |
| US7648888B2 (en) | 2001-08-07 | 2010-01-19 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Apparatus and method for splitting substrates |
| JP2010510681A (en) * | 2006-11-24 | 2010-04-02 | ヨナス アンド レードマン アウトマーツィオーンズテヒニク ゲーエムベーハー | Method of forming a stack of wafers to be doped on one side, particularly a solar wafer, and a handling system for loading a plurality of wafer batches on a process boat |
| KR20140085560A (en) * | 2011-10-27 | 2014-07-07 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | Process for smoothing a surface via heat treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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