JP7537219B2

JP7537219B2 - アレイ素子の製造方法、製造装置、および製造プログラム

Info

Publication number: JP7537219B2
Application number: JP2020170765A
Authority: JP
Inventors: 良輔久保田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2020-10-08
Filing date: 2020-10-08
Publication date: 2024-08-21
Anticipated expiration: 2040-10-08
Also published as: US12107382B2; JP2022062622A; US20220115833A1; CN114300948A

Description

本開示はアレイ素子の製造方法、製造装置、および製造プログラムに関するものである。

ウェハに複数の面発光レーザ（垂直共振型面発光レーザ、ＶＣＳＥＬ：ＶｅｒｔｉｃａｌＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒ）などの光学素子を製造する技術が知られている。ウェハを分割し、光学素子を含むアレイ素子を製造する（例えば特許文献１）。

特開２０１０－２３２５０２号公報

アレイ素子内の光学素子のうち１つでも不良品であれば、当該アレイ素子全体が不良品となり、歩留まりが低下してしまう。そこで、歩留まりの向上が可能なアレイ素子の製造方法、製造装置、および製造プログラムを提供することを目的とする。

本開示に係るアレイ素子の製造方法は、ウェハに複数の光学素子を形成する工程と、前記複数の光学素子を検査する工程と、前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する工程と、前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する工程と、を有する。

本開示に係るアレイ素子の製造装置は、ウェハに複数の光学素子を形成する形成部と、前記複数の光学素子を検査部と、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようなダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成するダイシング制御部と、を具備する。

本開示に係るアレイ素子の製造プログラムは、コンピュータに、ウェハに複数の光学素子を形成する処理と、前記複数の光学素子を検査する処理と、前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する処理と、前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する処理と、を実行させる。

本開示によれば歩留まりの向上が可能である。

図１Ａは製造装置を例示するブロック図である。図１Ｂは制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。図２Ａはウェハを例示する平面図である。図２Ｂは面発光レーザを例示する平面図である。図３はアレイ素子の製造方法を例示するフローチャートである。図４Ａはウェハの一部を拡大した平面図である。図４Ｂはウェハの一部を拡大した平面図である。図５はウェハの一部を拡大した平面図である。図６Ａは比較例における製造方法を例示するフローチャートである。図６Ｂはウェハを拡大した平面図である。

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。

本開示の一形態は、（１）ウェハに複数の光学素子を形成する工程と、前記複数の光学素子を検査する工程と、前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する工程と、前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する工程と、を有するアレイ素子の製造方法である。アレイ素子が検査で良品とされたものだけを含むようにダイシングラインを定める。アレイ素子が良品だけを含み、不良品を含まないため、歩留まりの向上が可能である。
（２）前記アレイ素子を形成する工程は、互いに大きさの異なる複数の前記アレイ素子を形成する工程でもよい。不良品の位置および数に応じて、不良品を避けるように、ダイシングラインを定めることができる。良品のアレイ素子が得られ、歩留まりが向上する。
（３）前記ダイシングラインを決定する工程は、含まれる前記光学素子の個数が多い第１アレイ素子を、含まれる前記光学素子の個数が少ない第２アレイ素子よりも優先して前記ウェハに割り当てるように、前記ダイシングラインを決定する工程でもよい。不良品の位置および数に応じて、アレイ素子の大きさを変えることができる。良品のアレイ素子が得られ、歩留まりが向上する。
（４）前記第１アレイ素子は４つ以上の前記光学素子を有してもよい。不良品の位置および数に応じて、アレイ素子の大きさを変えることができる。良品のアレイ素子が得られ、歩留まりが向上する。
（５）前記光学素子を形成する工程は、化合物半導体で形成された面発光レーザまたは受光素子を形成する工程でもよい。光学素子がウェハの面内において光の出射または受光を行うため、ダイシング前に検査を実施することができる。
（６）前記検査する工程は複数の項目について検査する工程であり、前記ダイシングラインを決定する工程は、前記アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記複数の項目のすべてにおける良品だけを含むように前記ダイシングラインを決定する工程でもよい。アレイ素子がすべての検査で良品の光学素子だけを含むため、歩留まりの向上が可能である。
（７）前記検査する工程は、前記光学素子の外観検査、電気的特性の検査、および光学特性の検査の少なくとも１つを行う工程でもよい。アレイ素子がすべての検査で良品の光学素子だけを含むため、歩留まりの向上が可能である。
（８）前記アレイ素子を形成する工程は前記ウェハにレーザダイシングを行う工程を含んでもよい。レーザダイシングによりダイシングラインに沿ってウェハを切断し、アレイ素子を形成することができる。
（９）ウェハに複数の光学素子を形成する形成部と、前記複数の光学素子を検査部と、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようなダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成するダイシング制御部と、を具備するアレイ素子の製造装置である。アレイ素子が検査で良品とされたものだけを含むようにダイシングラインを定める。アレイ素子が良品だけを含み、不良品を含まないため、歩留まりの向上が可能である。
（１０）コンピュータに、ウェハに複数の光学素子を形成する処理と、前記複数の光学素子を検査する処理と、前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する処理と、前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する処理と、を実行させるアレイ素子の製造プログラムである。アレイ素子が検査で良品とされたものだけを含むようにダイシングラインを定める。アレイ素子が良品だけを含み、不良品を含まないため、歩留まりの向上が可能である。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係るアレイ素子の製造方法、製造装置、製造プログラムの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

（製造装置）
図１Ａは製造装置１００を例示するブロック図である。図１Ａに示すように、製造装置１００は制御部１０、面発光レーザ形成部２０、電気特性検査部２１、光学特性検査部２２、外観検査部２４、およびダイシング装置２６を有し、ウェハ４０からアレイ素子を製造する。

面発光レーザ形成部２０は、ウェハ４０に面発光レーザを形成する。面発光レーザ形成部２０は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、蒸着、エッチング、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの各工程に用いる装置を含む。

電気特性検査部２１は、例えば電流電圧源などを含み、微分抵抗など面発光レーザの電気的な特性の検査を行う。光学特性検査部２２は、例えば受光素子および分光器などを含み、発光強度およびスペクトルなどを測定し、光学的な特性の検査を行う。外観検査部２４は例えばカメラなどを含み、ウェハ４０に形成される面発光レーザの外観検査を行う。ダイシング装置２６は例えばレーザ光源およびブレードを有し、レーザダイシングおよびブレードによるダイシングを行い、ダイシングラインに沿ってウェハ４０を分割する。

図１Ｂは制御部１０のハードウェア構成を示すブロック図である。図１Ｂに示すように、制御部１０は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ、中央演算処理装置）３０、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）３２、記憶装置３４、インターフェース３６を備える。ＣＰＵ３０、ＲＡＭ３２、記憶装置３４およびインターフェース３６は互いにバスなどで接続されている。ＲＡＭ３２はプログラムおよびデータなどを一時的に記憶する揮発性メモリである。記憶装置３４は例えばＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどのソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ：ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ：ＨａｒｄＤｉｓｃＤｒｉｖｅ）などである。記憶装置３４は、後述の測定プログラムなどを記憶する。

ＣＰＵ３０がＲＡＭ３２に記憶されるプログラムを実行することにより、制御部１０に図１Ａの形成制御部１１、検査制御部１２およびダイシング制御部１４などが実現される。制御部１０の各部は、回路などのハードウェアでもよい。形成制御部１１は面発光レーザ形成部２０を制御し、ウェハ４０に面発光レーザを形成する。検査制御部１２は、電気特性検査部２１、光学特性検査部２２および外観検査部２４から検査に関するデータを取得し、良否判定を行う。電気特性検査部２１、光学特性検査部２２および外観検査部２４がそれぞれ良否判定を行い、検査制御部１２は良否判定の結果を取得してもよい。ダイシング制御部１４は、良否判定の結果に基づいて、ダイシングラインを決定し、当該ダイシングラインに基づいてダイシング装置２６にダイシングを実施させる。

図２Ａはウェハ４０を例示する平面図である。ウェハ４０は例えば数万個の面発光レーザ４２を有する。ウェハ４０はＸＹ平面に広がる。Ｘ軸方向およびＹ軸方向に複数の面発光レーザ４２が二次元グリッド状に配列されている。Ｚ軸方向は面発光レーザ４２の光の出射方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向は互いに直交する。オリエンテーションフラット４１はＸ軸方向に延伸する。

面発光レーザ４２は例えばインジウムリン（ＩｎＰ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）およびインジウムガリウム砒素リン（ＩｎＧａＡｓＰ）などの化合物半導体で形成され、下側クラッド層、コア層および上側クラッド層が積層されたものである。下側クラッド層は例えばｎ型アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）などで形成されている。上側クラッド層は例えばｐ型ＡｌＧａＡｓなどで形成されている。活性層はＩｎＧａＡｓなどで形成され、多重井戸量子構造（ＭＱＷ：ＭｕｌｔｉＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ）を有する。

図２Ｂは面発光レーザ４２を例示する平面図である。図２Ｂに示すように、面発光レーザ４２は、メサ４４、パッド４６～４８を有する。メサ４４は面発光レーザ４２の中央付近に位置する。パッド４６～４８は面発光レーザ４２の頂点付近に位置する。パッド４６とパッド４７とはＸ軸方向に並ぶ。パッド４６とパッド４８とはＹ軸方向に並ぶ。パッド４７、メサ４４およびパッド４８は面発光レーザ４２の対角線に沿って並ぶ。

メサ４４は下側クラッド層、コア層および上側クラッド層を含み、発光部として機能する。電極４５はメサ４４の上に設けられ、ｐ型の上側クラッド層およびパッド４６に電気的に接続されている。パッド４７および４８は、不図示のｎ型電極およびｎ型の下側クラッド層に電気的に接続されている。パッド４６～４８は例えば金（Ａｕ）などの金属で形成されている。電極４５は例えばチタン、白金、および金の積層体（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）である。ｎ型電極は金ゲルマニウム合金（Ａｕ－Ｇｅ合金）などで形成されている。

面発光レーザ４２を駆動させる際、２つのｎ型のパッド４７および４８のうち、一方を用いる。すなわち、パッド４６と、パッド４７および４８の一方とに電圧を印加し、メサ４４のコア層にキャリアを注入する。キャリアの注入によって、面発光レーザ４２は例えば波長８００ｎｍ～１０００ｎｍの光をＺ軸方向に出射する。

図２Ａに示すウェハ４０から面発光レーザ４２を含むアレイ素子を製造する。本実施形態におけるアレイ素子とは、１つ以上の面発光レーザ４２を含む素子を意味する。

図３はアレイ素子の製造方法を例示するフローチャートである。まず、図１Ａの面発光レーザ形成部２０を用いて、ウェハ４０に複数の面発光レーザ４２を形成する（ステップＳ１０）。具体的には、ＭＯＣＶＤ法などでウェハ４０に下側クラッド層、コア層および上側クラッド層などをエピタキシャル成長する。エッチングなどによって、図２Ｂに示したメサ４４を形成する。例えばエッチングなどで、導電性の半導体層に溝を形成し、ウェハ４０内の複数の面発光レーザ４２を互いに電気的に分離する。ウェハ４０の表面には、化学気相成長法（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などで、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化シリコン（ＳｉＯ_２）など絶縁体の保護膜を設ける。レジストパターニングおよび蒸着などで電極４５、およびパッド４６～４８を形成する。

電気特性検査部２１および光学特性検査部２２は、面発光レーザ４２の特性の検査を行う（ステップＳ１２）。電気特性検査部２１は例えば微分抵抗などの測定を行う。光学特性検査部２２は例えば光強度、発振波長、スペクトルなどの測定を行う。外観検査部２４は面発光レーザ４２の外観検査を行う（ステップＳ１４）。特性の検査および外観検査は、ウェハ４０内のすべての面発光レーザ４２に行ってもよいし、一部の面発光レーザ４２のみに行ってもよい。

制御部１０は、電気特性検査部２１、光学特性検査部２２および外観検査部２４から検査結果を取得し、ウェハ４０内の良品および不良品を認識する。ダイシング制御部１４は、良品および不良品の位置に基づいてダイシングライン５０を決定する（ステップＳ１６）。ダイシングライン５０の幅は例えば５０μｍである。ダイシングライン５０からは半導体層が露出する。ダイシング装置２６は、ダイシングライン５０に沿ってダイシングを行い、アレイ素子を形成する（ステップＳ１８）。以上で図３の工程は終了する。

図４Ａから図５はウェハ４０の一部を拡大した平面図であり、ダイシングの例を示す。図４Ａから図５にかけてダイシングが進行する。面発光レーザ４２ａは、検査において良品と判定されたものである。図４Ａから図５において黒塗りの面発光レーザ４２ｂは不良品と判定されたものである。実線はダイシングライン５０を示す。点線は複数の面発光レーザ４２間の境界５２を示す。ダイシングライン５０および境界５２は格子状に延伸する。ダイシングライン５０は、境界５２のいずれかに重なる。

図５に示すように、ウェハ４０から、面発光レーザ４２の数および配置の異なる、複数種類のアレイ素子６０、６２、６４、６６および６８を形成する。アレイ素子内においてＸ軸方向に並ぶ面発光レーザ４２の数をＡ、Ｙ軸方向に並ぶ面発光レーザ４２の数をＢとすると、当該アレイ素子をＢ×Ａの素子と記載することがある。アレイ素子６０は１×８の素子であり、アレイ素子６２は１×４の素子である。アレイ素子６４は１×１の素子である。アレイ素子６６は１×２の素子であり、アレイ素子６８は２×１の素子である。

図４Ａの実線に示すように、アレイ素子が不良品の面発光レーザ４２ｂを含まず、良品の面発光レーザ４２ａのみを含むように、ダイシング制御部１４はダイシングライン５０を定める（図３のステップＳ１６）。ダイシング制御部１４は、例えば優先順位の高い順にアレイ素子６０、アレイ素子６２、アレイ素子６４をウェハ４０に割り当て、ウェハ４０の残りの部分にアレイ素子６６および６８を割り当てる。

ダイシング制御部１４は、図４Ａの左下から順にアレイ素子６０をウェハ４０に割り当てる。図４Ａ中の最下段のように良品の面発光レーザ４２ａが８個並んでいれば、１×８のアレイ素子６０を割り当てることができる。一方、下から２段目のように、不良品の面発光レーザ４２ｂを含む部分には、アレイ素子６０を割り当てることができない。ダイシング制御部１４は、面発光レーザ４２ａが４個並んだ部分に１×４のアレイ素子６２を割り当て、さらに１×１のアレイ素子６４を３つ割り当てる。ダイシング制御部１４は、ウェハ４０の残りの部分にもアレイ素子を割り当てる。ダイシング制御部１４は、例えば良品の面発光レーザ４２ａが６個並ぶ部分には、１×４のアレイ素子６２と、１×２のアレイ素子６６とを割り当てる。

図４Ｂに示すように、ダイシング装置２６は、ダイシングライン５０に沿ってダイシングを行い、ウェハ４０からアレイ素子６０を切り離す。図４Ｂのようにウェハ４０をＸ軸方向に切断する際には、ダイシング装置２６はブレードによるダイシングを行ってもよいし、レーザダイシングを行ってもよい。

図５に示すように、ダイシング装置２６はさらにダイシングを行い、アレイ素子６０、６２、６４、６６および６８を形成する。図５のようにウェハ４０をＸ軸方向およびＹ軸方向に切断する際には、方向の制御が容易なレーザダイシングを行うことが好ましい。アレイ素子６０を４個、アレイ素子６２を４個、アレイ素子６６を２個、アレイ素子６４を５個、アレイ素子６８を１個製造することができる。

（比較例）
比較例では検査の前にダイシングライン５０を定め、ウェハ４０から同一の形状のアレイ素子だけを形成する。図６Ａは比較例における製造方法を例示するフローチャートである。図６Ａに示すように、まずダイシングライン５０を定める（ステップＳ１６）。例えば１×８のアレイ素子６０だけを形成するような、ダイシングライン５０とする。ウェハ４０に面発光レーザ４２を形成し（ステップＳ１０）、特性の検査および外観検査を行う（ステップＳ１２およびＳ１４）。ダイシングライン５０に沿ってダイシングを行い、複数のアレイ素子６０を形成する（ステップＳ１８）。

図６Ｂはウェハ４０を拡大した平面図である。アレイ素子６０が不良の面発光レーザ４２ｂを含むと、アレイ素子６０も不良品とされる。図６Ｂの例では、４個のアレイ素子６０を製造することができるが、斜線を付された４個のアレイ素子６０が不良品である。この結果、歩留まりが低下する。

本実施形態によれば、ウェハ４０のダイシング前に複数の面発光レーザ４２の検査を行う。アレイ素子が検査において良品とされた面発光レーザ４２ａだけを含むように、ダイシング制御部１４はダイシングライン５０を定める。図５に示すように、アレイ素子は良品の面発光レーザ４２ａのみを有し、不良品の面発光レーザ４２ｂは含まない。この結果、アレイ素子の歩留まりが向上する。

図４Ａ～図５の例のように、不良品の面発光レーザ４２ｂの位置および数に応じて、面発光レーザ４２ｂを避け、異なる形状を有する複数種類のアレイ素子を形成してもよい。良品のアレイ素子が得られ、歩留まりが向上する。ダイシング制御部１４は、含まれる面発光レーザ４２の個数が多いアレイ素子を、含まれる面発光レーザ４２の個数が多いアレイ素子よりも優先して、ウェハ４０に割り当てる。例えば、含まれる面発光レーザ４２の個数が多いアレイ素子は、ウェハ４０の中の不良品が少ない領域に割り当てられる。面発光レーザ４２の個数が少ないアレイ素子は不良品が多い領域に割り当てられる。

図４Ａ～図５に示すように、例えばウェハ４０のうち不良品が少ない部分からは、４個、６個または８個など複数の面発光レーザ４２を含むアレイ素子を取得する。不良品が多い部分からは、例えば１個の面発光レーザ４２を含むアレイ素子６４を取得する。アレイ素子が不良品となることを抑制し、歩留まりが向上する。アレイ素子は４個以上の面発光レーザ４２を含んでもよいし、８個以上の面発光レーザ４２を含んでもよい。アレイ素子は１×１、１×２、１×４、１×８、２×１のような１次元アレイ素子以外でもよく、２×２など２次元アレイ素子でもよい。

面発光レーザ４２の２つのｎ型のパッド４７および４８はメサ４４を挟んで対向する。例えば１×２のアレイ素子６６においては、２つの面発光レーザ４２がＸ軸方向に並び、パッド４７および４６が交互に並ぶ。Ｘ軸方向に並ぶパッド４７および４６を用いて電気信号を入力する。２×１のアレイ素子６８においては、２つの面発光レーザ４２がＹ軸方向に並び、パッド４６および４８が交互に並ぶ。Ｙ軸方向に並ぶパッド４７および４６を用いて電気信号を入力する。アレイ素子内の面発光レーザの配置に応じて、パッドを使い分ければよい。

面発光レーザ４２は例えば化合物半導体層を含む。化合物半導体層はＭＯＣＶＤ法および分子線成長法（ＭＢＥ：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）などでエピタキシャル成長する。エピタキシャル成長の工程において、化合物半導体層に方向性を持った欠陥が発生する恐れがある。方向性を持たないランダムな不良が発生する恐れもある。本実施形態では、面発光レーザ４２の形成および検査の後にダイシングライン５０を決定することで、不良品を含まないアレイ素子を形成することができる。

面発光レーザ４２はウェハ４０に垂直な方向（Ｚ軸方向）に光を出射する。ウェハ４０のダイシング前において、面発光レーザ４２を動作させ、検査し、良品と不良品とを識別することができる。ウェハ４０には例えば受光素子などを形成し、ダイシングによって受光素子を含むアレイ素子を形成してもよい。受光素子はＸＹ平面において光を受光し、電気信号を出力する。ウェハ４０のダイシング前に光を入射し、検査することができる。

複数の項目において検査を行った後、ダイシングライン５０を決定することが好ましい。いずれか１つの項目でも不良ならば、面発光レーザ４２は不良品とされる。すべての項目において良品とされる面発光レーザ４２ａのみで、アレイ素子を形成することができる。検査項目は、例えば電気的な特性、光学特性、外観のうち少なくとも１つを含み、これらすべてを含んでもよいし、別の項目を含んでもよい。

図４Ａから図５に示すように、ダイシングライン５０はＸ軸方向およびＹ軸方向に延伸し、比較例に比べて複雑な形状を区画する。ダイシング装置２６はレーザダイシングを行うことが好ましい。ブレードに比べてレーザダイシングは複雑な形状を形成することができる。例えば、ウェハ４０を一方向に切断する際にはブレードを用いる。一方、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に切断する際には、レーザダイシングを行う。ダイシングライン５０に沿ってウェハ４０を切断し、複数種類のアレイ素子を形成することができる。

以上、本開示の実施形態について詳述したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０制御部
１１形成制御部
１２検査制御部
１４ダイシング制御部
２０面発光レーザ形成部
２１電気特性検査部
２２光学特性検査部
２４外観検査部
２６ダイシング装置
３０ＣＰＵ
３２ＲＡＭ
３４記憶装置
３６インターフェース
４０ウェハ
４１オリエンテーションフラット
４２、４２ａ、４２ｂ面発光レーザ
４４メサ
４５電極
４６、４７、４８パッド
５０ダイシングライン
５２境界
６０、６２、６４、６６、６８アレイ素子
１００製造装置

Claims

ウェハに複数の光学素子を形成する工程と、
前記複数の光学素子を検査する工程と、
前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する工程と、
前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する工程と、を有し、
前記ダイシングラインを決定する工程は、含まれる前記光学素子の個数が多い第１アレイ素子を、含まれる前記光学素子の個数が少ない第２アレイ素子よりも優先して前記ウェハに割り当てるように、前記ダイシングラインを決定する工程であるアレイ素子の製造方法。
前記アレイ素子を形成する工程は、互いに大きさの異なる複数の前記アレイ素子を形成する工程である請求項１に記載のアレイ素子の製造方法。
前記第１アレイ素子は４つ以上の前記光学素子を有する請求項１に記載のアレイ素子の製造方法。
前記光学素子を形成する工程は、化合物半導体で形成された面発光レーザまたは受光素子を形成する工程である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のアレイ素子の製造方法。
前記検査する工程は複数の項目について検査する工程であり、
前記ダイシングラインを決定する工程は、前記アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記複数の項目のすべてにおける良品だけを含むように前記ダイシングラインを決定する工程である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のアレイ素子の製造方法。
前記検査する工程は、前記光学素子の外観検査、電気的特性の検査、および光学特性の検査の少なくとも１つを行う工程である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のアレイ素子の製造方法。
前記アレイ素子を形成する工程は前記ウェハにレーザダイシングを行う工程を含む請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のアレイ素子の製造方法。
ウェハに複数の光学素子を形成する形成部と、
前記複数の光学素子を検査する検査部と、
アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようなダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成するダイシング制御部と、を具備し、
前記ダイシング制御部は、含まれる前記光学素子の個数が多い第１アレイ素子を、含まれる前記光学素子の個数が少ない第２アレイ素子よりも優先して前記ウェハに割り当てるように、前記ダイシングラインを決定するアレイ素子の製造装置。
コンピュータに、
ウェハに複数の光学素子を形成する処理と、
前記複数の光学素子を検査する処理と、
前記検査する工程の後、アレイ素子が前記複数の光学素子のうち前記検査における良品だけを含むようにダイシングラインを決定する処理と、
前記ダイシングラインにおいて前記ウェハにダイシングを行い、前記アレイ素子を形成する処理と、を実行させ、
前記ダイシングラインを決定する処理は、含まれる前記光学素子の個数が多い第１アレイ素子を、含まれる前記光学素子の個数が少ない第２アレイ素子よりも優先して前記ウェハに割り当てるように、前記ダイシングラインを決定する処理であるアレイ素子の製造プログラム。