JP7527114B2

JP7527114B2 - 光ファイバ

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Publication number: JP7527114B2
Application number: JP2020016615A
Authority: JP
Inventors: 幸寛土田; 景一相曽; 脩悟竹内; 和則武笠
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2020-02-03
Filing date: 2020-02-03
Publication date: 2024-08-02
Anticipated expiration: 2040-02-03
Also published as: JP2021124560A

Description

本発明は、光ファイバに関する。

従来、波長１５５０ｎｍにて低伝送損失の光ファイバが知られている。この種の光ファイバは、コア部が、純シリカガラス、または、フッ素、塩素、またはアルカリ金属が添加されたシリカガラスからなる部分を含む。フッ素は、たとえば微量だけ添加され、塩素は、たとえば高濃度に添加される。アルカリ金属としては、たとえばカリウム（Ｋ）やナトリウム（Ｎａ）が例示される。なお、フッ素、塩素、またはアルカリ金属は、共添加される場合もある。また、クラッド層には、シリカガラスの屈折率を低下させる添加物として、たとえばフッ素が添加されている（特許文献１～３）。

この種の低伝送損失の光ファイバの製造方法は、たとえば以下の通りである。まず、たとえばＶＡＤ（Axial Vapor Deposition）法によって、光ファイバのコア部となるシリカガラスロッド（コアロッド）を作製する。つづいて、ＯＶＤ（Outside Vapor Deposition）と呼ばれる外付け堆積法によって、コアロッドの外周にクラッド層となるスートを形成する。つづいて、フッ素含有ガス雰囲気下でスートを焼結してガラス化し、光ファイバ母材を作製する。なお、通常、スートの形成とスートのガラス化は、光ファイバ母材のクラッド層が必要な外径になるまで複数回行われる。その後、作製した光ファイバ母材から光ファイバを線引きする。

特表２００８－５３６１９０号公報特表２０１３－５１２４６３号公報特表２０１９－５２６０７３号公報

光ファイバには、より一層の低損失が求められている。また、広い波長帯域で低伝送損失であることが好ましい。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、低伝送損失である光ファイバを提供することにある。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様は、コア部と、前記コア部の外周に形成されており、前記コア部の最大屈折率よりも屈折率が低いクラッド層と、を備え、前記コア部の最大屈折率は、純シリカガラスに対する比屈折率差が０％以上０．２％以下であり、前記コア部と前記クラッド層との界面において、屈折率が当該光ファイバの径方向において連続的に変化しており、前記クラッド層における前記コア部との界面から径方向に所定距離だけ離間した２箇所以下の位置には屈折率が非連続的に変化する段差部があり、前記段差部の純シリカガラスに対する比屈折率差の段差は０．００５％以下である光ファイバである。

前記コア部は、純シリカガラス、または、フッ素、塩素、またはアルカリ金属が添加されたシリカガラスからなる部分を含み、前記クラッド層は、フッ素が添加されたシリカガラスからなるものでもよい。

前記光ファイバは、波長１５５０ｎｍにおける伝送損失が０．１７５ｄＢ／ｋｍ未満であり１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が１．０ｄＢ／ｋｍ以下であるものでもよい。

前記コア部のコア半径をｒ１［μｍ］とすると、３．０μｍ≦ｒ１［μｍ］≦５．０μｍであり、前記コア部に最も近い前記段差部の前記コア部の中心からの距離をｒ２［μｍ］とすると、１８μｍ≦ｒ２［μｍ］またはｒ２［μｍ］≦２４μｍであり、６＜ｒ２／ｒ１であるものでもよい。

前記光ファイバは、１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下であるものでもよい。

前記光ファイバは、波長１３１０ｎｍにおけるモードフィールド径が８．６μｍ以上９．５μｍ以下であり、実効カットオフ波長が１２６０ｎｍ以下であり、零分散波長が１３００ｎｍ以上１３２４ｎｍ以下であり、前記零分散波長での分散スロープが０．０９２ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍ以下であるものでもよい。

本発明は、低伝送損失であるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る光ファイバの模式的な断面図である。図２は、図１に示す光ファイバの屈折率プロファイルを示す図である。図３は、図１に示す光ファイバの製造方法の一例を示す図である。図４は、実施形態２に係る光ファイバの屈折率プロファイルを示す図である。図５は、実施形態３に係る光ファイバの屈折率プロファイルを示す図である。

以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する構成要素には適宜同一の符号を付し、適宜説明を省略している。また、本明細書においては、カットオフ（Ｃｕｔｏｆｆ）波長とは、実効カットオフ波長であり、ＩＴＵ－Ｔ（国際電気通信連合）Ｇ．６５０．１で定義するケーブルカットオフ波長を意味する。また、その他、本明細書で特に定義しない用語についてはＧ．６５０．１およびＧ．６５０．２における定義、測定方法に従うものとする。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る光ファイバの模式的な断面図である。光ファイバ１０は、コア部１と、コア部１の外周に形成されたクラッド層２と、を備える。

コア部１は、たとえば、純シリカガラス、または、フッ素、塩素、またはアルカリ金属が添加されたシリカガラスからなる部分を含む。純シリカガラスとは、屈折率を変化させるドーパントを実質的に含まず、波長１５５０ｎｍにおける屈折率が約１．４４４である、きわめて高純度のシリカガラスである。純シリカガラスは、レイリー散乱損失の発生要因となる不純物の濃度が極めて小さいので、コア部１の構成材料とすることによって、伝送損失の低減が期待できる。また、フッ素、塩素、またはアルカリ金属が添加されたシリカガラスは、そのガラス粘度が低下するので、コア部１の構成材料とすることによって、レイリー散乱損失のさらなる低減が期待できる。

クラッド層２は、コア部１の最大屈折率よりも屈折率が低い。クラッド層２は、たとえばフッ素が添加されたシリカガラスである。

図２は、光ファイバ１０の屈折率プロファイルを示す図である。横軸はコア部１の中心軸を零とした場合の光ファイバの径方向を示しており、横軸は純シリカガラスの屈折率に対する比屈折率差を示している。図中、純シリカガラスの屈折率はｎｓで示しており、比屈折率差は屈折率ｎｓにおいて零である。以下では、特に言及しない限り、比屈折率差は、波長１５５０ｎｍにおける純シリカガラスに対する比屈折率差であるとする。

コア部１の中心軸またはその近傍に位置する最大屈折率の部分の比屈折率差をΔｃｏｒｅとすると、Δｃｏｒｅは０％以上０．２％以下である。コア部１の最大屈折率が純シリカガラスからなる場合は、Δｃｏｒｅは０％である。また、コア部１に添加するフッ素、塩素、またはアルカリ金属の量によって、Δｃｏｒｅが０．２％以下に調整される。さらに、コア部１の最大屈折率の部分の周囲は、たとえばフッ素の量によって、比屈折率差が径方向に向かって減少する。

図２に示すように、コア部１の半径であるコア半径をｒ１とする。コア半径ｒ１は、さまざまな観点から定義することができる。たとえば、コア部１の最大比屈折率差の１／１０、または１／ｅ^２となる位置での半径として定義することができる。ここでｅは自然対数の底である。また、コア半径ｒ１は、比屈折率差が零になる位置での半径として定義することもできる。いずれの定義を選択するかについては、たとえば、光ファイバ１０の光学特性（カットオフ波長や波長分散）を実測し、その実測値から理論式を用いて導出したコア半径の値に最も近い値とすることができる。また、理論式を用いて導出したコア半径をコア半径ｒ１としてもよい。なお、図２では、例として、コア半径ｒ１を、比屈折率差が零になる位置での半径として定義している。

コア半径ｒ１は、たとえば３．０μｍ≦ｒ１≦５．０μｍを満たす。

また、図２に示すように、クラッド層２は、コア部１に近い方から配列された、第１領域２ａ、第２領域２ｂ、第３領域２ｃを有する。第１領域２ａ、第２領域２ｂ、第３領域２ｃは、いずれも略円筒形状の領域である。第３領域２ｃの外径はクラッド層２のクラッド径に相当する。クラッド径はたとえばＩＴＵ－ＴＧ．６５２で定義される標準的なシングルモード光ファイバの規格に準拠する１２５μｍ±１μｍである。

第１領域２ａは、クラッド層２とコア部１との界面を構成している領域である。図２に示すように、光ファイバ１０は、コア部１とクラッド層２との界面において、比屈折率差が光ファイバ１０の径方向において連続的に変化している。比屈折率差が連続的に変化していることは、屈折率が連続的に変化していることに相当する。なお、連続的に変化するとは、たとえば、公知のプロファイルアナライザ等の検査装置によって測定された屈折率や比屈折率差の曲線が、径に対して微分可能な曲線となることを意味する。また、界面における比屈折率差の変化は、なだらかであることが好ましい。なだらかとは、たとえば径方向の位置が０．１μｍ変化したときの比屈折率差の変化が０．０１％以下であることを意味する。

第１領域２ａの比屈折率差は、径方向において連続的に低下し、Δｃｌａｄになる。Δｃｌａｄは、クラッド層２の径方向における比屈折率差の平均値である。Δｃｌａｄは、Δｃｏｒｅとｒ１との関係で、光ファイバ１０の光学特性が所望の特性になるように設定される。Δｃｌａｄは、その絶対値が、たとえば（Δｃｏｒｅ＋Δｃｌａｄ）が０．３３％以上０．４０％以下となるように設定される。

なお、所望される光ファイバ１０の光学特性は、たとえば波長１３１０ｎｍにおけるモードフィールド径が８．６μｍ以上９．５μｍ以下であり、実効カットオフ波長が１２６０ｎｍ以下であり、零分散波長が１３００ｎｍ以上１３２４ｎｍ以下であり、零分散波長での分散スロープが０．０９２ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍ以下である。これらの特性は、ＩＴＵ－ＴＧ．６５２で定義される規格に準拠する。コア半径ｒ１が３．０μｍ≦ｒ１≦５．０μｍを満たせば、このような諸特性を実現することが容易である。

クラッド層２において、第２領域２ｂは、第１領域２ａの外周に隣接して存在する領域である。ここで、第２領域２ｂの第１領域２ａとの境界には、比屈折率差が非連続的に変化する第１段差部２ｂ１がある。第１段差部２ｂ１における比屈折率差の段差Δｓ１は、たとえば０．００５％以下である。第２領域２ｂの比屈折率差は第１段差部２ｂ１から径方向の外周側に向かってなだらかに低下する。

径方向における第１段差部２ｂ１の位置は、クラッド層２におけるコア部１との界面から径方向に所定距離だけ離間した位置である。以下、第１段差部２ｂ１の位置を、コア部１の中心からの距離としてのｒ２で表す。コア半径ｒ１とｒ２との関係を不等式で表すと、たとえば６＜ｒ２／ｒ１である。

第３領域２ｃは、第２領域２ｂの外周に隣接して存在する領域である。第３領域２ｃの第２領域２ｂとの境界には、比屈折率差が非連続的に変化する第２段差部２ｃ１がある。第２段差部２ｃ１における比屈折率差の段差Δｓ２は、たとえば０．００５％以下である。第３領域２ｃの比屈折率差は第２段差部２ｃ１から径方向の外周側に向かってなだらかに低下する。

径方向における第２段差部２ｃ１の位置は、クラッド層２におけるコア部１との界面から径方向に所定距離だけ離間した位置である。この光ファイバ１０では、段差部は第１段差部２ｂ１、第２段差部２ｃ１の２箇所である。第１段差部２ｂ１はコア部１に最も近い段差部の一例である。

このような段差は、たとえば光ファイバ１０の製造に用いる光ファイバ母材の製造時に、製造プロセスが切り替わるときに発生する。製造プロセスが切り替わる場合としては、スートの形成とスートのガラス化とを交互に複数回行なった後、ガラス化のプロセスから次のスートの形成のプロセスに切り替わる場合が挙げられる。このような段差が発生する場合は、段差Δｓ１、Δｓ２の最小値は公知のプロファイルアナライザ等の検査装置によって観測可能な最小値以上であり、たとえば０．０００１％以上である。

本実施形態１に係る光ファイバ１０は、コア部１とクラッド層２との界面において、比屈折率差が光ファイバ１０の径方向において連続的に変化している。これにより、光ファイバ１０は、界面において比屈折率差が非連続的に変化する場合における非連続性に起因する伝送損失の増大が抑制されており、低伝送損失である。

また、第１段差部２ｂ１のコア部１の中心からの距離であるｒ２が、１８μｍ≦ｒ２［μｍ］またはｒ２［μｍ］≦２４μｍを満たすことが好ましい。１８μｍ≦ｒ２［μｍ］であればコア部１と第１段差部２ｂ１との距離を十分に大きくでき、第１段差部２ｂ１に起因する伝送損失の増大が抑制される。さらには、仮に第１段差部２ｂ１がコア部１に近いと、光ファイバ１０のモードフィールド径やカットオフ波長に影響し、ＩＴＵ－ＴＧ．６５２の規格を満たすようにコア部１の屈折率プロファイルを設計しても規格から外れてしまう場合があるが、１８μｍ≦ｒ２［μｍ］であれば第１段差部２ｂ１の存在がモードフィールド径やカットオフ波長に与える影響を小さくできる。また、ｒ２［μｍ］≦２４μｍであれば、第１領域２ａの厚さが比較的薄いので、光ファイバ１０の製造性が高くなる。

特に、後述するように、コア部１とクラッド層２との界面において、比屈折率差が光ファイバ１０の径方向において連続的に変化する状態であれば、界面において水酸基（ＯＨ基）の濃度を極めて低減されているため、ＯＨ基に起因する１３８０ｎｍ波長帯の伝送損失を低減できる。１３８０ｎｍ波長帯とは、約１３８３ｎｍの波長におけるＯＨ基による光吸収のピークを含む波長帯であり、たとえば１３８３ｎｍ±３ｎｍの波長帯である。

光ファイバ１０においては、たとえば、波長１５５０ｎｍにおける伝送損失が０．１７５ｄＢ／ｋｍ未満であり、１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が１．０ｄＢ／ｋｍ以下という特性が実現できる。このような光ファイバ１０は、たとえば波長１３１０ｎｍから１６２５ｎｍまでの広帯域にわたって通信帯域として利用できる。

さらには、光ファイバ１０においては、たとえば、波長１３１０ｎｍから１６２５ｎｍまでにおける伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下、波長１５３０ｎｍから１５６５ｎｍまでにおける伝送損失が０．３０ｄＢ／ｋｍ以下、水素エージング後における１３８３ｎｍ±３ｎｍにおける伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下という特性が実現できる。このような光ファイバ１０は、ＩＴＵ－ＴＧ．６５２Ｄで定義される規格に準拠し、たとえば波長１３１０ｎｍから１６２５ｎｍまでの広帯域にわたって通信帯域として利用できる。

光ファイバ１０の製造方法の一例について図３を参照して説明する。
はじめに、ステップＳ１０１において、コアスートの作製を行う。つづいて、ステップＳ１０２において、コアスートのガラス化を行う。つづいて、ステップＳ１０３において、クラッドスートの堆積およびガラス化を行う。つづいて、ステップＳ１０４において、クラッドスートの堆積およびガラス化を行う。つづいて、ステップＳ１０５において、ステップＳ１０１～Ｓ１０４を行うことによって作製された光ファイバ母材の線引きを行う。

各ステップについて具体的に説明する。
ステップＳ１０１においては、光ファイバ１０のコア部１とクラッド層２における第１領域２ａとの部分になる光ファイバ母材の部分（以下、コア相当部、第１領域相当部と記載する場合がある）を形成するために、コアスートを作製する。コアスートは、たとえばＶＡＤ装置を用いて、ＶＡＤ法によって作製する。このとき、水素ガス、酸素ガス、コア相当部を形成するための原料となる第１原料ガスを含むガスを噴射する第１バーナと、水素ガス、酸素ガス、第１領域相当部を形成するための原料となる第２原料ガスを含むガスを噴射する第２バーナと、コア相当部を焼きなますための水素ガス、酸素ガスを含むガスを噴射する第３バーナとを用いる。第１原料ガスはたとえば塩化珪素ガスや、塩化珪素ガスなどの珪素を含むガスと、塩素ガスとの混合ガスである。第２原料ガスはたとえば塩化珪素ガスなどの珪素を含むガスである。

ステップＳ１０２においては、ステップＳ１０１において作製したコアスートを、ガラス化炉を用いて加熱してガラス化し、コアロッドを作製する。このガラス化は、ガラス化炉内にフッ素を含有するフッ素含有ガスを流し、フッ素含有ガス雰囲気下で行う。フッ素含有ガスは、たとえば四フッ化珪素（ＳｉＦ_４）ガスと不活性ガス（たとえば窒素（Ｎ_２）ガス）との混合ガスである。ＳｉＦ_４ガスとＮ_２ガスとの流量比はたとえば１：１である。ガラス化をフッ素含有ガス雰囲気下で行うことによって、コア相当部と第１領域相当部とにフッ素を侵入させて、フッ素を添加することができる。また、ステップＳ１０１においてコア相当部を適度に焼きなますことによって、フッ素のコア相当部への侵入量を調整することができる。

ステップＳ１０３においては、光ファイバ１０の第２領域２ｂの部分になる光ファイバ母材の部分（以下、第２領域相当部と記載する場合がある）を形成するために、コアロッドの外周にクラッドスートを堆積する。クラッドスートは、たとえばＯＶＤ装置を用いて、ＯＶＤ法によって作製する。このとき、水素ガス、酸素ガス、第２領域相当部を形成するための原料となる原料ガスを含むガスを噴射するバーナを用いる。原料ガスはたとえば塩化珪素ガスなどの珪素を含むガスである。このとき、プロセスの切り換えによって、第２領域相当部には第１段差部２ｂ１に相当する段差部が形成される。また、ステップＳ１０２からステップＳ１０３へのプロセスの切り換えの際にコアロッドの外周にＯＨ基が付与される場合がある。つづいて、ガラス化炉を用いて加熱してクラッドスートをガラス化する。このガラス化もステップＳ１０２の場合と同様にフッ素含有ガス雰囲気下で行う。

このガラス化の際に、コアロッドの外周のＯＨ基はある程度除去されるが、一般的には完全には除去されず、光ファイバになった後の１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失の原因となる。ただし、本製造方法によれば、コアロッドの外周にＯＨ基が残存したとしても、コアロッドの外周は光ファイバ１０のコア部１の外周から径方向に離間した位置にある、クラッド層２における第１領域２ａと第２領域２ｂとの界面に相当する。そのため、コア部１を伝搬する光のフィールドが強い位置から遠い位置にＯＨ基が残存することとなるので、１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が低減される。

ステップＳ１０４においては、光ファイバ１０の第３領域２ｃの部分になる光ファイバ母材の部分（以下、第３領域相当部と記載する場合がある）を形成するために、コアロッドの外周にクラッドスートを堆積する。クラッドスートは、ステップＳ１０３と同様に作製できる。このとき、プロセスの切り換えによって、第３領域相当部には第２段差部２ｃ１に相当する段差部が形成される。つづいて、ガラス化炉を用いて加熱してクラッドスートをガラス化する。このガラス化もステップＳ１０２の場合と同様にフッ素含有ガス雰囲気下で行う。

ステップＳ１０５においては、公知の線引装置を用いて光ファイバ母材の線引きを行うことによって、光ファイバ１０が製造される。

（実施形態２）
図４は、実施形態２に係る光ファイバの屈折率プロファイルを示す図である。光ファイバ１０Ａは、コア部１Ａと、コア部１Ａの外周に形成されたクラッド層２Ａと、を備える。この光ファイバ１０Ａの断面構造は、実施形態１に係る光ファイバ１０と同様なので説明を適宜省略する。

コア部１Ａは、光ファイバ１０のコア部１と同様の構造を有し、同様の構成材料からなる。クラッド層２Ａは、光ファイバ１０のクラッド層２と同様の構成材料からなるが、クラッド層２Ａは、コア部１Ａに近い方から配列された、第１領域２Ａａ、第２領域２Ａｂの２つの領域からなる点でクラッド層２とは異なる。

第１領域２Ａａは、クラッド層２Ａとコア部１Ａとの界面を構成している領域である。光ファイバ１０Ａは、コア部１Ａとクラッド層２Ａとの界面において、比屈折率差が光ファイバ１０Ａの径方向において連続的に変化している。第１領域２Ａａの比屈折率差は、径方向において連続的に低下し、Δｃｌａｄになる。

クラッド層２Ａにおいて、第２領域２Ａｂは、第１領域２Ａａの外周に隣接して存在する領域である。第２領域２Ａｂの第１領域２Ａａとの境界には、比屈折率差が非連続的に変化する第１段差部２Ａｂ１がある。第１段差部２ｂ１における比屈折率差の段差ΔｓＡ１は、たとえば０．００５％以下である。第２領域２Ａｂの比屈折率差は第１段差部２Ａｂ１から径方向の外周側に向かってなだらかに低下する。第２領域２Ａｂの外径はクラッド層２Ａのクラッド径に相当する。クラッド径はたとえば１２５μｍ±１μｍである。

本実施形態２に係る光ファイバ１０Ａは、光ファイバ１０と同様の効果を奏し、たとえば広い波長帯域にわたって低伝送損失である。光ファイバ１０Ａは、図３の製造方法によって、光ファイバ１０と同様に製造できる。ただし、ステップＳ１０４は省略できる。

（実施形態３）
図５は、実施形態３に係る光ファイバの屈折率プロファイルを示す図である。光ファイバ１０Ｂは、コア部１Ｂと、コア部１Ｂの外周に形成されたクラッド層２Ｂと、を備える。この光ファイバ１０Ｂの断面構造は、実施形態１に係る光ファイバ１０と同様なので説明を適宜省略する。また、クラッド層２Ｂは、コア部１Ｂに近い方から配列された、第１領域２Ｂａ、第２領域２Ｂｂ、第３領域２Ｂｃを有する。また、第２領域２Ｂｂには段差ΔｓＢ１の第１段差部２Ｂｂ１があり、第３領域２Ｂｃには、段差ΔｓＢ２の第２段差部２Ｂｃ１がある。

光ファイバ１０Ｂは、コア部１Ｂの屈折率プロファイルが、いわゆるα型である点で、光ファイバ１０とは異なる。コア部１Ｂの屈折率プロファイルがα型であるので、光ファイバ１０Ｂの光学特性、たとえばカットオフ波長の制御性が高くなる。

本実施形態３に係る光ファイバ１０Ｂは、光ファイバ１０と同様の効果を奏し、たとえば広い波長帯域にわたって低伝送損失である。光ファイバ１０Ｂは、図３の製造方法によって、光ファイバ１０と同様に製造できる。ただし、ステップＳ１０１において、コア部１Ｂの屈折率プロファイルをα型とするために、たとえば、焼きなましの際の酸素ガス、水素ガスの流量をたとえば１／３程度に減らして焼きなましの程度を低くする。

なお、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

１、１Ａ、１Ｂコア部
２、２Ａ、２Ｂクラッド層
２ａ、２Ａａ、２Ｂａ第１領域
２ｂ、２Ａｂ、２Ｂｂ第２領域
２ｂ１、２Ａｂ１、２Ｂｂ１第１段差部
２ｃ、２Ｂｃ第３領域
２ｃ１、２Ｂｃ１第２段差部
１０、１０Ａ、１０Ｂ光ファイバ

Claims

コア部と、
前記コア部の外周に形成されており、前記コア部の最大屈折率よりも屈折率が低いクラッド層と、
を備え、
前記コア部の最大屈折率は、純シリカガラスに対する比屈折率差が０％以上０．２％以下であり、
前記コア部と前記クラッド層との界面において、屈折率が当該光ファイバの径方向において連続的に変化しており、
前記クラッド層における前記コア部との界面から径方向に所定距離だけ離間した２箇所以下の位置には屈折率が非連続的に変化する段差部があり、前記段差部の純シリカガラスに対する比屈折率差の段差は０．００５％以下であり、
前記コア部のコア半径をｒ１［μｍ］とすると、３．０μｍ≦ｒ１［μｍ］≦５．０μｍであり、
前記コア部に最も近い前記段差部の前記コア部の中心からの距離をｒ２［μｍ］とすると、１８μｍ≦ｒ２［μｍ］およびｒ２［μｍ］≦２４μｍであり、
６＜ｒ２／ｒ１であり、
波長１５５０ｎｍにおける伝送損失が０．１７５ｄＢ／ｋｍ未満であり、
１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が１．０ｄＢ／ｋｍ以下であり、
波長１３１０ｎｍにおけるモードフィールド径が８．６μｍ以上９．５μｍ以下であり、実効カットオフ波長が１２６０ｎｍ以下であり、零分散波長が１３００ｎｍ以上１３２４ｎｍ以下であり、前記零分散波長での分散スロープが０．０９２ｐｓ／ｎｍ ^２／ｋｍ以下であり、
前記段差部から径方向の外周側に向かって、径方向の位置が０．１μｍ変化したときに純シリカガラスに対する比屈折率差の変化が０％を超え０．０１％以下となるように、当該比屈折率差が低下する
光ファイバ。
前記コア部は、純シリカガラス、または、フッ素、塩素、またはアルカリ金属が添加されたシリカガラスからなる部分を含み、
前記クラッド層は、フッ素が添加されたシリカガラスからなる
請求項１に記載の光ファイバ。
１３８０ｎｍ波長帯における伝送損失が０．４０ｄＢ／ｋｍ以下である
請求項１または２に記載の光ファイバ。