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JP7523994B2 - Electrical contact structure of electrical contact and electrical connection device - Google Patents

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JP7523994B2 JP2020140916A JP2020140916A JP7523994B2 JP 7523994 B2 JP7523994 B2 JP 7523994B2 JP 2020140916 A JP2020140916 A JP 2020140916A JP 2020140916 A JP2020140916 A JP 2020140916A JP 7523994 B2 JP7523994 B2 JP 7523994B2
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Description

本発明は、電気的接触子の電気的接触構造及び電気的接続装置に関する技術である。 The present invention is a technology relating to the electrical contact structure of an electrical contact and an electrical connection device.

例えば、半導体ウェハに形成されている複数の半導体集積回路の電気的特性の検査には、電気的接続装置としてのプローブカードが用いられる。 For example, a probe card is used as an electrical connection device to test the electrical characteristics of multiple semiconductor integrated circuits formed on a semiconductor wafer.

一般的に、プローブカードは、絶縁基板の下面に複数の電気的接触子(以下では、「接触子」、「プローブ」等と呼ぶ。)を配置して構成されており、プローブカードは各集積回路(被検査体)を検査する検査装置に取り付けられる。検査時に、プローブカードの各接触子が各集積回路の各電極に押し付けられて、各集積回路の電気的特性を検査している。 Generally, a probe card is configured with multiple electrical contacts (hereinafter referred to as "contacts" or "probes") arranged on the underside of an insulating substrate, and the probe card is attached to an inspection device that inspects each integrated circuit (test subject). During inspection, each contact of the probe card is pressed against each electrode of each integrated circuit to inspect the electrical characteristics of each integrated circuit.

電気的接続装置としてのプローブカードには、被検査体の各電極に対して垂直に各接触子を電気的に接触させる垂直型プローブカードと呼ばれるものがある。さらに、垂直型プローブカードに用いられる電気的接触子には、例えば、スプリングタイプと、ニードルタイプとがある。 Among the probe cards used as electrical connection devices, there is one called a vertical probe card, in which each contactor is electrically connected vertically to each electrode of the test subject. Furthermore, the electrical contactors used in vertical probe cards include, for example, a spring type and a needle type.

スプリングタイプの接触子は、被検査体に対して垂直方向に弾性を有するため、被検査体の電極に対して弾性的に確実に接触できる。 The spring-type contactor has elasticity in the direction perpendicular to the object under test, allowing it to reliably contact the electrodes of the object under test.

ニードルタイプの接触子は、線状(棒状)であるため、狭ピッチに配置された被検査体の電極に対して確実に電気的に接触できるが、垂直方向に弾性を持たせることは難しい。 Needle-type contacts are linear (rod-shaped) and can reliably make electrical contact with electrodes of the test object that are arranged at a narrow pitch, but it is difficult to make them elastic in the vertical direction.

そのため、複数の接触子34を支持する構造は、図2に例示するように、ニードルタイプの各接触子34の上部を支持する上段板(トップ板)43と、各接触子34の下部を支持する下段板(ボトム板)41とを用いて各接触子34を支持するようにしている。ここで、垂直方向の弾性を持たせるため、上段板(トップ板)43の支持孔43Aの位置と、下段板(ボトム板)41の支持孔41Aの位置とが、面方向において相対的にずれるように配置させている。このような構造とすることで、各接触子34を局部的に湾曲させて、垂直方向に弾性を持たせるようにしている。 For this reason, the structure for supporting the multiple contacts 34 is such that each contact 34 is supported using an upper plate (top plate) 43 that supports the upper part of each needle-type contact 34, and a lower plate (bottom plate) 41 that supports the lower part of each contact 34, as shown in FIG. 2. Here, in order to provide elasticity in the vertical direction, the position of the support hole 43A in the upper plate (top plate) 43 and the position of the support hole 41A in the lower plate (bottom plate) 41 are arranged so as to be relatively misaligned in the planar direction. With this structure, each contact 34 is locally curved to provide elasticity in the vertical direction.

近年、半導体集積回路の超微細化、超高集積化に伴い、プローブカードに設ける電気的接触子(プローブ)には、半導体チップ上の電極面積の縮小化、パッド間のピッチの狭小化に対応させることが求められる。また、半導体集積回路の動作速度の高速化に伴い、入出力ピンの信号周波数が増加する傾向にあり、電気的接触子(プローブ)には、高周波特性に対応させることも求められている。 In recent years, with the trend toward ultra-fine design and ultra-high integration of semiconductor integrated circuits, electrical contacts (probes) on probe cards are required to accommodate the smaller electrode area on semiconductor chips and the narrower pitch between pads. In addition, with the increasing operating speed of semiconductor integrated circuits, there is a trend toward increasing signal frequencies for input/output pins, and electrical contacts (probes) are also required to accommodate high-frequency characteristics.

特許文献1及び2には、半導体集積回路を検査するプローブヘッド(又はテストヘッド)が開示されている。例えば、プローブヘッドには、複数のコンタクトプローブを収容する複数のガイド孔が設けられている。さらに、垂直方向に弾性を持たせるため、コンタクトプローブをS字状に湾曲させる。コンタクトプローブは、第1の端部と第2の端部との間の長手方向に沿って延在し、第1の端部と、被検査体の電極と接触する第2の端部とより構成されている。また、コンタクトプローブは、第1の端部と第2の端部との間に、非導通性の第1の部分と、前記第1の部分から第2の端部までの第2の部分とを構成している。さらに、ガイド孔には導電部が設けられており、コンタクトプローブの第2の部分と導電部とを電気的に接続させて短絡させるようにしている。 Patent Documents 1 and 2 disclose a probe head (or test head) for testing a semiconductor integrated circuit. For example, the probe head is provided with a number of guide holes that accommodate a number of contact probes. Furthermore, in order to provide elasticity in the vertical direction, the contact probe is curved in an S-shape. The contact probe extends along the longitudinal direction between a first end and a second end, and is composed of the first end and a second end that contacts an electrode of the device under test. Furthermore, the contact probe is composed of a non-conductive first portion between the first end and the second end, and a second portion from the first portion to the second end. Furthermore, a conductive portion is provided in the guide hole, and the second portion of the contact probe is electrically connected to the conductive portion to short-circuit it.

国際公開第2018/108790号International Publication No. 2018/108790 国際公開第2019/091946号International Publication No. 2019/091946

しかしながら、特許文献1及び2の記載技術のように、ガイド孔の導電部(電極部)に対して、コンタクトプローブの導電性の接触部分を電気的に接触させようとすると、その接触箇所が摺動接点となり得るので、コンタクトプローブの接触部分及び又は導電部が摩耗するおそれが生じ、その結果、接触箇所が劣化し、高精度な検査にも影響が生じ得る。 However, as in the techniques described in Patent Documents 1 and 2, when attempting to electrically contact the conductive contact portion of the contact probe with the conductive portion (electrode portion) of the guide hole, the contact point may become a sliding contact, which may cause wear in the contact portion and/or the conductive portion of the contact probe, resulting in deterioration of the contact point and possibly affecting high-precision inspection.

そのため、電気的接触子を流れる導通経路長を短くでき、電気的接触子の導通部と電極部とを安定して接触させることができる電気的接触子の電気的接触構造及び電気的接続装置が求められている。 Therefore, there is a demand for an electrical contact structure and electrical connection device for an electrical contact that can shorten the length of the conductive path through the electrical contact and ensure stable contact between the conductive portion of the electrical contact and the electrode portion.

かかる課題を解決するため、第1の本発明に係る電気的接触子の電気的接触構造は、(1)支持基板の一方の面に開口が形成される支持穴と、(2)支持穴に挿通され、被検査体と電気的に接触する電気的接触子と、(3)支持穴の前記開口付近に設けられる電極部とを備え、(4)電気的接触子は、屈曲部を有する非導通部と、非導通部の一方の端部側に設けられた導通部とを有するものであり、(5)屈曲部は、導通部の一方の端部が被検査体と電気的に接触される際に、導通部の他方の端部側が電極部と短絡するように曲がるものであり、(6)電気的接触子の変形により、屈曲部と支持穴の内壁面とが接触することにより、支持穴の軸と交差する方向に向かって、導通部の他方の端部を移動させることを特徴とする。 In order to solve such problems, the electrical contact structure of an electrical contactor according to the first aspect of the present invention comprises: (1) a support hole having an opening formed on one side of a support substrate; (2) an electrical contactor inserted into the support hole and electrically contacting an object to be tested; and (3) an electrode portion provided near the opening of the support hole, (4) the electrical contactor has a non-conductive portion having a bent portion and a conductive portion provided on one end side of the non-conductive portion, (5) the bent portion bends so that when one end of the conductive portion is electrically contacted with the object to be tested, the other end side of the conductive portion is short-circuited with the electrode portion , and (6) the electrical contactor is deformed to bring the bent portion into contact with the inner wall surface of the support hole, thereby moving the other end of the conductive portion in a direction intersecting the axis of the support hole .

第2の本発明に係る電気的接続装置は、複数の電気的接触子を支持する支持基板を備え、被検査体と検査装置との間を電気的に接続する電気的接続装置において、第1の本発明の電気的接触子の電気的接触構造を有する。 The electrical connection device according to the second aspect of the present invention is an electrical connection device that includes a support substrate that supports a plurality of electrical contacts and electrically connects between an object to be inspected and an inspection device, and has the electrical contact structure of the electrical contacts according to the first aspect of the present invention.

本発明によれば、電気的接触子を流れる導通経路長を短くでき、電気的接触子の導通部と電極部とを安定して接触させることができる。 According to the present invention, it is possible to shorten the length of the conductive path through the electrical contact, and to achieve stable contact between the conductive portion of the electrical contact and the electrode portion.

実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an electrical connecting device according to an embodiment. 従来の接触子の電気的接続構造の構成を示す構成図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional electrical connection structure of a contact. 実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す正面図である。1 is a front view showing a configuration of an electrical connecting device according to an embodiment. 実施形態に係る接触子の電気的接続構造の構成を示す部分断面図である。1 is a partial cross-sectional view showing a configuration of an electrical connection structure of a contact according to an embodiment. 実施形態に係るプローブの構成を示す構成図である。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a probe according to an embodiment. 非コンタクト時とコンタクト時のプローブの状態を示す図である。1A and 1B are diagrams illustrating the states of a probe in non-contact and contact states. 変形実施形態に係る接触子の電気的接続構造の構成を示す部分断面図である(その1)。11 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contact according to a modified embodiment (part 1). FIG. 変形実施形態に係る接触子の電気的接続構造の構成を示す部分断面図である(その2)。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contact according to a modified embodiment (part 2). 変形実施形態に係る接触子の電気的接続構造の構成を示す部分断面図である(その3)。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of an electrical connection structure of a contact according to a modified embodiment (part 3). 変形実施形態に係るプローブの構成と接触子の電気的接続構造の構成とを示す構成図である。13A and 13B are configuration diagrams showing the configuration of a probe and the configuration of an electrical connection structure of a contact according to a modified embodiment.

(A)主たる実施形態
以下では、本発明に係る電気的接触子の電気的接触構造及び電気的接続装置の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
(A) Main Embodiments Hereinafter, embodiments of the electrical contact structure of an electrical contact and an electrical connecting device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(A-1)実施形態の構成
この実施形態では、本発明を利用して、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路の電気的特性の検査(例えば通電検査等)を行なう検査装置(以下では、「テスタ」とも呼ぶ。)に取り付けられる電気的接続装置に適用する場合を例示する。
(A-1) Configuration of the embodiment In this embodiment, an example is shown in which the present invention is applied to an electrical connection device attached to an inspection device (hereinafter also referred to as a "tester") that inspects the electrical characteristics (e.g., electrical conductivity testing) of multiple semiconductor integrated circuits formed on a semiconductor wafer.

以下の説明において「被検査体」は、検査装置が電気的特性を検査する対象物であり、例えば、集積回路、半導体ウェハ等を示す。「半導体ウェハ」は、ウェハに回路パターンが形成された複数の集積回路を有し、ダウジング前の状態を想定する。 In the following explanation, the term "test subject" refers to an object whose electrical characteristics are inspected by the inspection device, such as an integrated circuit or a semiconductor wafer. A "semiconductor wafer" is assumed to have multiple integrated circuits with circuit patterns formed on the wafer, in the state before dowsing.

「電気的接続装置」は、被検査体の各電極と電気的に接触する複数の接触子を有し、被検査体と検査装置とを電気的に接続する。電気的接続装置は、例えばプローブカード等であり、この実施形態では、垂直型プローブカードである場合を例示する。 The "electrical connection device" has multiple contacts that electrically contact each electrode of the test subject, and electrically connects the test subject to the test device. The electrical connection device is, for example, a probe card, and in this embodiment, a vertical probe card is shown as an example.

「接触子」は、被検査体の電極に対して電気的に接触する電気的接触子である。接触子は、例えばプローブを適用でき、線状部材で形成されたニードルタイプのプローブ、薄板の細幅部材で形成されたプローブ等を適用できる。この実施形態では、接触子が全体として線状部材で形成されたニードルタイプのプローブである場合を例示する。 The "contactor" is an electrical contactor that electrically contacts an electrode of the test subject. The contactor can be, for example, a probe, such as a needle-type probe made of a linear member or a probe made of a thin, narrow member. In this embodiment, the contactor is exemplified as a needle-type probe made of a linear member as a whole.

「支持基板」は、複数の接触子(電気的接触子)を支持する板状基板である。支持基板は、一方の面に開口が形成される複数の支持穴を有しており、支持基板の各支持穴に各接触子(電気的接触子)が挿通されて各接触子を支持する。支持基板は、例えば、後述するプローブ支持体17、配線基板2等とすることができる。 The "support substrate" is a plate-like substrate that supports multiple contacts (electrical contacts). The support substrate has multiple support holes with openings formed on one side, and each contact (electrical contact) is inserted into each support hole of the support substrate to support each contact. The support substrate can be, for example, the probe support 17 or wiring substrate 2 described below.

(A-1-1)電気的接続装置1の詳細な構成
図1は、実施形態に係る電気的接続装置1の構成を示す平面図である。図3は、実施形態に係る電気的接続装置1の構成を示す正面図である。図4は、実施形態に係る接触子(プローブ)21の電気的接続構造の構成を示す部分断面図である。
(A-1-1) Detailed configuration of the electrical connecting device 1 Fig. 1 is a plan view showing the configuration of the electrical connecting device 1 according to the embodiment. Fig. 3 is a front view showing the configuration of the electrical connecting device 1 according to the embodiment. Fig. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the electrical connection structure of a contactor (probe) 21 according to the embodiment.

電気的接続装置1は、配線基板2と、接続基板3と、複数の配線4と、プローブ組立体5とを有する。 The electrical connection device 1 has a wiring board 2, a connection board 3, a plurality of wirings 4, and a probe assembly 5.

配線基板2は、円板状に形成された基板である。配線基板2の一方の面(例えば上面)側の中央部には、当該配線基板2の厚さ方向(Z方向、板厚方向)に基板を貫通する矩形の開口7が形成されている。配線基板2の一方の面(例えば上面)には、矩形の開口7の一対の対辺に沿って、接続部としての多数の接続ランド9が整列して形成されている。また、配線基板2の一方の面(例えば上面)の外縁部には、検査装置(テスタ)の電気回路と接続する複数のテスタランド(テスタ接続部)が形成されている。各接続ランド9と対応するテスタランド8とは、従来の電気的接続装置と同様に、配線基板2の導電路(図示しない)を経て電気的接続されている。 The wiring board 2 is a board formed in a disk shape. A rectangular opening 7 is formed in the center of one surface (e.g., the top surface) of the wiring board 2, penetrating the board in the thickness direction (Z direction, plate thickness direction) of the wiring board 2. A large number of connection lands 9 are aligned and formed as connection parts along a pair of opposite sides of the rectangular opening 7 on one surface (e.g., the top surface) of the wiring board 2. In addition, a plurality of tester lands (tester connection parts) that connect to the electrical circuit of an inspection device (tester) are formed on the outer edge of one surface (e.g., the top surface) of the wiring board 2. Each connection land 9 and the corresponding tester land 8 are electrically connected via a conductive path (not shown) of the wiring board 2, as in a conventional electrical connection device.

接続基板3は、電気絶縁材料により形成され、配線基板の一方の面(例えば上面)側の略中央部に取り付けられる部材である。接続基板3は、開口7内に収容される矩形平面形状の矩形部11と、矩形部11の一方の面(例えば上面)において矩形部11の外縁に張り出す矩形の環状フランジ12とを有する。接続基板3は、矩形部11が配線基板2の開口7内に収められ、開口7の縁部に環状フランジ12が載置された状態で、複数のネジ部材13により環状フランジ12が配線基板2の一方の面(例えば上面)に取り付けられる。 The connection board 3 is made of an electrically insulating material and is a member that is attached to approximately the center of one surface (e.g., the top surface) of the wiring board. The connection board 3 has a rectangular section 11 of a rectangular planar shape that is accommodated in the opening 7, and a rectangular annular flange 12 that protrudes from the outer edge of one surface (e.g., the top surface) of the rectangular section 11. With the rectangular section 11 of the connection board 3 accommodated in the opening 7 of the wiring board 2 and the annular flange 12 placed on the edge of the opening 7, the annular flange 12 is attached to one surface (e.g., the top surface) of the wiring board 2 by a plurality of screw members 13.

接続基板3の矩形部11には、図1に示すように、基板の厚み方向(Z方向、板厚方向)に基板を貫通する複数の貫通孔14が形成されている。複数の貫通孔14のそれぞれは、被検査体15としての集積回路の電極16の位置に対応して形成されている。 As shown in FIG. 1, the rectangular portion 11 of the connection board 3 has a plurality of through holes 14 formed therethrough in the thickness direction (Z direction, plate thickness direction) of the board. Each of the plurality of through holes 14 is formed to correspond to the position of an electrode 16 of an integrated circuit as the test object 15.

各配線4の一端部は、接続基板3の各貫通孔14に挿入される。各貫通孔14に挿入された各配線4の一端部の先端面は、プローブ組立体5が支持している対応の各プローブ21と電気的に接続される。各配線4は、対応する各プローブ21と直接的に接続されてもよいし、導電路及び端子を介して間接的に各プローブ21と接続されてもよい。他方、各配線4の他端部は、対応する各接続ランド9と接続している。各プローブ21は各配線4を通じて各接続ランド9と接続する。従って、各プローブ21は、各接続ランド9と電気的に接続している対応のテスタランド8を経て、検査装置(テスタ)の電気回路に接続される。 One end of each wiring 4 is inserted into each through hole 14 of the connection board 3. The tip surface of one end of each wiring 4 inserted into each through hole 14 is electrically connected to the corresponding probe 21 supported by the probe assembly 5. Each wiring 4 may be directly connected to the corresponding probe 21, or may be indirectly connected to the probe 21 via a conductive path and a terminal. On the other hand, the other end of each wiring 4 is connected to the corresponding connection land 9. Each probe 21 is connected to each connection land 9 through each wiring 4. Therefore, each probe 21 is connected to the electrical circuit of the inspection device (tester) via the corresponding tester land 8 that is electrically connected to the connection land 9.

プローブ組立体5は、接続基板3の他方の面(例えば下面)側に取り付けられる。プローブ組立体5は、複数のプローブ21を支持するプローブ支持体17を有する。 The probe assembly 5 is attached to the other surface (e.g., the bottom surface) of the connection board 3. The probe assembly 5 has a probe support 17 that supports multiple probes 21.

プローブ支持体17は、電気絶縁性部材で形成された板状部材である。プローブ支持体17は、当該プローブ支持体17の他方の面(例えば下面)18に開口が形成され、上方(すなわち、板厚方向、Z方向)に向けて、複数のプローブ21のそれぞれを収容する複数の支持穴19を有している。言い換えると、各支持穴19は、プローブ支持体17の下面18に、開口が形成された凹部ともいえる。 The probe support 17 is a plate-like member formed of an electrically insulating material. The probe support 17 has an opening formed on the other surface (e.g., the lower surface) 18 of the probe support 17, and has a number of support holes 19 facing upward (i.e., in the plate thickness direction, Z direction) that accommodate each of the multiple probes 21. In other words, each support hole 19 can be said to be a recess with an opening formed in the lower surface 18 of the probe support 17.

プローブ支持体17の各支持穴19は、被検査体15の各電極16の位置に対応する位置に形成されている。プローブ支持体17の支持穴19は、被検査体15の電極16の数と同じ数だけ形成されている。 Each support hole 19 of the probe support 17 is formed at a position corresponding to the position of each electrode 16 of the test object 15. The number of support holes 19 of the probe support 17 is the same as the number of electrodes 16 of the test object 15.

各プローブ21を支持する各支持穴19の天井部192は、プローブ21の第1の端部(例えば、上端部)にある被支持部51を支持する。例えば、図4に例示するように、支持穴19の天井部192には、プローブ21の第1の端部を支持するための穴部が設けられ、その穴部にプローブ21の第1の端部が挿入されることで、支持穴19に収容されるプローブ21を支持することができる。つまり、天井部192に支持されたプローブ21は支持穴19の内部に下垂して、当該支持穴19に収容されると共に、各プローブ21の第2の端部側の導通部212の一部又は全部(図5参照)が支持穴19の下面18よりも下方に突出して設けられる。 The ceiling 192 of each support hole 19 supporting each probe 21 supports the supported portion 51 at the first end (e.g., the upper end) of the probe 21. For example, as illustrated in FIG. 4, the ceiling 192 of the support hole 19 has a hole for supporting the first end of the probe 21, and the probe 21 housed in the support hole 19 can be supported by inserting the first end of the probe 21 into the hole. In other words, the probe 21 supported by the ceiling 192 hangs down inside the support hole 19 and is housed in the support hole 19, and part or all of the conductive portion 212 on the second end side of each probe 21 (see FIG. 5) is provided to protrude below the lower surface 18 of the support hole 19.

なお、支持穴19にプローブ21を支持する方法は、特に限定されない。例えば、支持穴19の天井部192に空けた穴に、プローブ21の被支持部51を挿入した上で、接着材等で固定してもよい。また、各支持穴19は、断面が円形又は楕円形の穴であってもよいし、断面が正方形又は長方形又は多角形の穴であってもよい。 The method of supporting the probe 21 in the support hole 19 is not particularly limited. For example, the supported portion 51 of the probe 21 may be inserted into a hole in the ceiling portion 192 of the support hole 19 and then fixed with an adhesive or the like. Also, each support hole 19 may be a hole having a circular or elliptical cross section, or a hole having a square, rectangular, or polygonal cross section.

プローブ支持体17の下面18には、各支持穴19の近傍に、各電極端子20が設けられている。ここで、後述するように、各プローブ21の第1の端部側には屈曲部54を有する非導通ガイド部211が形成されている(図5参照)。被検査体15の検査時に、各プローブ21と被検査体15の電極16とが互いに接触すると、各支持穴19に支持されている各プローブ21が弾性変形(例えば撓み等)する。 Electrode terminals 20 are provided on the underside 18 of the probe support 17 near each support hole 19. As described below, a non-conductive guide portion 211 having a bent portion 54 is formed on the first end side of each probe 21 (see FIG. 5). When each probe 21 and the electrode 16 of the test subject 15 come into contact with each other during testing of the test subject 15, each probe 21 supported by each support hole 19 undergoes elastic deformation (e.g., bending, etc.).

各電極端子20は、コンタクト荷重により、変形した各プローブ21の導通部212(図5参照)と電気的に接触する。言い換えると、各電極端子20は、変形した各プローブ21の導通部212と電気的に接続する端子である。 The contact load causes each electrode terminal 20 to come into electrical contact with the conductive portion 212 (see FIG. 5) of each deformed probe 21. In other words, each electrode terminal 20 is a terminal that electrically connects with the conductive portion 212 of each deformed probe 21.

また、各電極端子20は、プローブ支持体17に形成された各導電路22と接続する。各導電路22は、各電極端子20と、対応する各配線4との間で電気信号を流す部分である。従って、各プローブ21の導通部212は、各電極端子20及び導電路22を経て、対応する各配線4と電気的に接続する。 In addition, each electrode terminal 20 is connected to each conductive path 22 formed on the probe support 17. Each conductive path 22 is a portion that passes an electrical signal between each electrode terminal 20 and each corresponding wiring 4. Therefore, the conductive portion 212 of each probe 21 is electrically connected to each corresponding wiring 4 via each electrode terminal 20 and the conductive path 22.

なお、導電路22は、プローブ支持体17の基板内部に形成されてもよい。また、例えば多層構造基板で形成されたプローブ支持体17とする場合、導電路22の一部がプローブ支持体17の面方向(すなわち、XY平面上)に形成されてもよい。 The conductive path 22 may be formed inside the substrate of the probe support 17. Also, for example, when the probe support 17 is formed of a multilayer substrate, a part of the conductive path 22 may be formed in the surface direction of the probe support 17 (i.e., on the XY plane).

ここで、実施形態における複数のプローブ21の支持構造と、図2に例示する従来の複数の接触子(プローブ)34の支持構造とを比較しながら説明する。 Here, we will explain the support structure for the multiple probes 21 in the embodiment by comparing it with the support structure for multiple contacts (probes) 34 in the related art shown in FIG. 2.

図2における従来のプローブ支持構造は、各接触子34の上部を支持する上段板(トップ板)43と、各接触子34の下部を支持する下段板(ボトム板)41とを用いて、略S字状の各接触子34を支持するようにしている。 The conventional probe support structure in Figure 2 supports each of the roughly S-shaped contacts 34 using an upper plate (top plate) 43 that supports the upper part of each contact 34 and a lower plate (bottom plate) 41 that supports the lower part of each contact 34.

これに対して、実施形態における複数のプローブ支持構造は、少なくとも下段板(ボトム板)41を設けない。後述するように、実施形態のプローブ21は、非導通ガイド部211が弾性機能を担っている。 In contrast, the multiple probe support structure in the embodiment does not include at least a lower plate (bottom plate) 41. As described below, in the probe 21 in the embodiment, the non-conductive guide portion 211 is responsible for the elastic function.

従って、実施形態では、プローブ組立体5の厚さ方向(Z方向)の長さを、従来のプローブ組立体の厚さ方向(Z方向)よりも短くすることができる。言い換えれば、被検査体15の検査時に、プローブ21を経て、被検査体15の電極16と配線4との間で流れる電流の導電路の長さを短くできる。その結果、検査精度を向上させることができる。また、プローブ組立体5のコストも抑えることができる。 Therefore, in the embodiment, the length in the thickness direction (Z direction) of the probe assembly 5 can be made shorter than the length in the thickness direction (Z direction) of a conventional probe assembly. In other words, the length of the conduction path of the current that flows between the electrode 16 of the test object 15 and the wiring 4 via the probe 21 during testing of the test object 15 can be made shorter. As a result, the testing accuracy can be improved. In addition, the cost of the probe assembly 5 can be reduced.

また、図2における従来のプローブ支持構造は、上段板(トップ板)43の支持孔43Aの位置と、下段板(ボトム板)41の支持孔41Aの位置とが、面方向において相対的にずれるように配置される。 In addition, in the conventional probe support structure shown in FIG. 2, the position of the support hole 43A in the upper plate (top plate) 43 and the position of the support hole 41A in the lower plate (bottom plate) 41 are positioned so that they are relatively misaligned in the planar direction.

これに対して、実施形態におけるプローブ支持構造は、プローブ支持体17の支持穴19に支持されるプローブ21は、支持点から垂直方向(Z方向)に延びて配置される。 In contrast, in the probe support structure of the embodiment, the probe 21 supported in the support hole 19 of the probe support 17 is arranged to extend vertically (Z direction) from the support point.

従って、実施形態のプローブ支持構造とすることで、被検査体15としての半導体ウェハ上の電極16に接触させるプローブ21の位置合わせを制御し易くなり、位置合わせ精度を向上させることができる。 Therefore, by using the probe support structure of the embodiment, it becomes easier to control the alignment of the probe 21 that contacts the electrode 16 on the semiconductor wafer as the test object 15, and the alignment accuracy can be improved.

なお、この実施形態では、プローブ組立体5のプローブ支持体17に複数のプローブ21を支持する場合を例示する。しかし、この例に限定されず、配線基板2の下面に、プローブ支持体17の各支持穴19と同様の構造を設け、配線基板2に設けた各支持穴19に、各プローブ21を支持させるようにしてもよい。この場合、上段板(トップ板)43も設ける必要がなくなる。 In this embodiment, a case where multiple probes 21 are supported on the probe support 17 of the probe assembly 5 is illustrated. However, this is not limited to this example, and a structure similar to each support hole 19 of the probe support 17 may be provided on the underside of the wiring board 2, and each probe 21 may be supported in each support hole 19 provided in the wiring board 2. In this case, there is no need to provide the upper plate (top plate) 43.

(A-1-2)プローブ21の構成
図5(A)は、実施形態に係るプローブ21の構成を示す側面図であり、図5(B)は、実施形態に係るプローブ21の構成を示す正面図である。なお、図5(A)及び図5(B)に例示するプローブ21のサイズ、線径、長さ及び屈曲の程度等は強調表示をしている。
(A-1-2) Configuration of the probe 21 Fig. 5(A) is a side view showing the configuration of the probe 21 according to the embodiment, and Fig. 5(B) is a front view showing the configuration of the probe 21 according to the embodiment. Note that the size, wire diameter, length, degree of bending, etc. of the probe 21 illustrated in Fig. 5(A) and Fig. 5(B) are highlighted.

プローブ21は、屈曲部54を有する非導通ガイド部211と、非導通ガイド部211の一方の端部側に設けられた導通部212とを有して形成される。プローブ21は、当該プローブ21全体として、例えば絶縁材料及び導電性金属の細線等で形成されたニードルタイプの接触子とすることができる。なお、プローブ21は、線状部材に限定されず、例えば絶縁材料及び導電性金属の幅長が小さい薄板状部材で形成されてもよい。この実施形態では、プローブ21が線状部材で形成されたものを例示する。 The probe 21 is formed with a non-conductive guide portion 211 having a bent portion 54, and a conductive portion 212 provided on one end side of the non-conductive guide portion 211. The probe 21 as a whole can be a needle-type contact formed, for example, of a thin wire of an insulating material and a conductive metal. The probe 21 is not limited to a linear member, and may be formed, for example, of a thin plate-like member of an insulating material and a conductive metal with a small width. In this embodiment, the probe 21 formed of a linear member is exemplified.

プローブ21の線径(プローブ21の直径)や全長は、特に限定されず、検査対象とする半導体ウェハの電極16のサイズ等に応じて適宜決めることができる。例えば、プローブ21の線径は数十μm程度、長さは数mm程度とすることができる。 The wire diameter and overall length of the probe 21 are not particularly limited and can be determined appropriately depending on the size of the electrode 16 of the semiconductor wafer to be inspected. For example, the wire diameter of the probe 21 can be about several tens of μm, and the length can be about several mm.

プローブ21の非導通ガイド部211は、絶縁性の合成樹脂材料等の絶縁性材料で形成されたものである。非導通ガイド部211は、プローブ21全体に上下方向(Z方向)に弾性を持たせる弾性機能を有する。また、非導通ガイド部211は、プローブ21の導通部212を支持する導電部支持部材として機能する。言い換えると、非導通ガイド部211は、弾性を有する導電部支持部材としての機能を有する。 The non-conductive guide portion 211 of the probe 21 is formed of an insulating material such as an insulating synthetic resin material. The non-conductive guide portion 211 has an elastic function that gives the entire probe 21 elasticity in the vertical direction (Z direction). In addition, the non-conductive guide portion 211 functions as a conductive portion support member that supports the conductive portion 212 of the probe 21. In other words, the non-conductive guide portion 211 functions as an elastic conductive portion support member.

絶縁性材料の線状で形成された非導通ガイド部211は、当該プローブ21が収容される支持穴19に支持される被支持部51と、当該プローブ21の長手方向に沿って、前記被支持部51の下方に延びる下方部分とを有する。前記下方部分は、被支持部51と一体的に連なっている。 The non-conductive guide portion 211, which is formed in a linear shape from an insulating material, has a supported portion 51 that is supported in the support hole 19 in which the probe 21 is housed, and a lower portion that extends below the supported portion 51 along the longitudinal direction of the probe 21. The lower portion is integrally connected to the supported portion 51.

非導通ガイド部211の下方部分の略中央部には、例えば曲げ加工により、当該下方部分を屈曲させた屈曲部54が形成されている。例えば、被検査体15の検査時に、被検査体15の電極16に対してプローブ21の下端部(導通部212の下端部)が接触し、プローブ21にコンタクト荷重が作用する。このとき、当該下方部分に屈曲部54が形成されていることで、屈曲部54を起点に、プローブ21全体が変形して、プローブ21が大きく湾曲し、プローブ21全体が上下方向(Z方向)の弾性を持つことになる。 At approximately the center of the lower part of the non-conductive guide part 211, a bent part 54 is formed by bending the lower part, for example, by bending. For example, when inspecting the test subject 15, the lower end of the probe 21 (the lower end of the conductive part 212) comes into contact with the electrode 16 of the test subject 15, and a contact load acts on the probe 21. At this time, since the bent part 54 is formed in the lower part, the entire probe 21 deforms starting from the bent part 54, the probe 21 is greatly curved, and the entire probe 21 has elasticity in the up-down direction (Z direction).

なお、図5(A)では、大きく屈曲させた屈曲部54を示しているが、コンタクト時に、屈曲部54を起点として、プローブ21が変形できる程度の屈曲でよい。屈曲部54は、曲げ加工で形成してもよいし、屈曲しやすくするため、屈曲部54の線径が、非導通ガイド部211の線径よりも小さくしてもよい。 In FIG. 5A, the bent portion 54 is shown bent greatly, but it is sufficient that the bend is such that the probe 21 can deform from the bent portion 54 when contact is made. The bent portion 54 may be formed by bending, or the wire diameter of the bent portion 54 may be smaller than the wire diameter of the non-conductive guide portion 211 to facilitate bending.

ここで、非導通ガイド部211の下方部分のうち、前記被支持部51から屈曲部54までの部分を第1のガイド部52と呼び、屈曲部54から非導通ガイド部211の下端部までを第2のガイド部53と呼ぶ。 Here, the lower part of the non-conductive guide part 211, from the supported part 51 to the bent part 54, is called the first guide part 52, and the part from the bent part 54 to the lower end of the non-conductive guide part 211 is called the second guide part 53.

プローブ21の導通部212は、非導通ガイド部211の第2のガイド部53の下端部に設けられている。導通部212は、導電性材料で形成される。導通部212は、例えば、銅、銅合金、ベリリウム銅合金等の金属、例えば、エラストマー等の導電性を有するゴム材料、導電性を有する合成樹脂材料などで形成されるようにしてもよい。また、非導通ガイド部211の下端部の表面にメッキ加工等を施して、導通部212を形成してもよい。この実施形態では、導通部212は、概ね導電性金属細線で形成される場合を例示する。 The conductive portion 212 of the probe 21 is provided at the lower end of the second guide portion 53 of the non-conductive guide portion 211. The conductive portion 212 is formed of a conductive material. The conductive portion 212 may be formed of a metal such as copper, a copper alloy, or a beryllium copper alloy, a rubber material having conductivity such as an elastomer, or a synthetic resin material having conductivity. The conductive portion 212 may also be formed by plating the surface of the lower end of the non-conductive guide portion 211. In this embodiment, the conductive portion 212 is formed generally from a thin conductive metal wire.

非導通ガイド部211に設けられる導通部212は、例えば接着材等で非導通ガイド部211の第2のガイド部53に接着して設けるようにしてもよい。 The conductive portion 212 provided in the non-conductive guide portion 211 may be provided by adhering it to the second guide portion 53 of the non-conductive guide portion 211, for example, with an adhesive or the like.

導通部212は、プローブ支持体17の他方の面(例えば下面)の電極端子20と接触する第2の接触部56と、被検査体15の電極16と接触する第1の接触部55とを有する。言い換えると、導通部212は、電極端子30及び導電路22を経て配線4と配線接続する第2の接触部56と、被検査体15の電極16に対して電気的に接触する第1の接触部55とを有する。 The conductive portion 212 has a second contact portion 56 that contacts the electrode terminal 20 on the other surface (e.g., the lower surface) of the probe support 17, and a first contact portion 55 that contacts the electrode 16 of the test subject 15. In other words, the conductive portion 212 has the second contact portion 56 that is wire-connected to the wiring 4 via the electrode terminal 30 and the conductive path 22, and the first contact portion 55 that electrically contacts the electrode 16 of the test subject 15.

導通部212の第2の接触部56は、コンタクト荷重を受けた当該プローブ21が弾性変形したときに、電極端子20に対して接触する。第2の接触部56の形状は、特に限定されず、例えば、丸みをもった逆三角柱又は逆三角錐等の形状としてもよい。その場合、第2の接触部56の上面部561若しくはその周辺部分と、電極端子20との接触面積が広くなり、電気的接触性が良好となる。 The second contact portion 56 of the conductive portion 212 comes into contact with the electrode terminal 20 when the probe 21 undergoes elastic deformation due to a contact load. The shape of the second contact portion 56 is not particularly limited, and may be, for example, a rounded inverted triangular prism or pyramid. In this case, the contact area between the upper surface portion 561 of the second contact portion 56 or its surrounding portion and the electrode terminal 20 becomes larger, resulting in good electrical contact.

導通部212の第1の接触部55は、第2の接触部56から下方に向けて延びた線状部分である。線状に形成された第1の接触部55の下端部551が、被検査体15の電極16と接触する。なお、第1の接触部55の下端部551を、電極16と接触する「接触部」とも呼ぶ。 The first contact portion 55 of the conductive portion 212 is a linear portion extending downward from the second contact portion 56. The lower end portion 551 of the linearly formed first contact portion 55 contacts the electrode 16 of the test subject 15. The lower end portion 551 of the first contact portion 55 is also called the "contact portion" that contacts the electrode 16.

第1の接触部55は、第2の接触部56と同様に、例えば、銅、銅合金、ベリリウム銅合金等の導電性材料で形成されている。第2の接触部56と第1の接触部55とは、同一材料で、一体的に形成されてもよい。同一材料で、一体的に形成することで、導通特性が良好となり、高精度な検査が可能となる。 Like the second contact portion 56, the first contact portion 55 is formed from a conductive material such as copper, a copper alloy, or a beryllium copper alloy. The second contact portion 56 and the first contact portion 55 may be integrally formed from the same material. By forming them integrally from the same material, the electrical conductivity characteristics are improved, enabling highly accurate testing.

プローブ21は、非導通ガイド部211の下端部に導通部212が設けられている。後述するように、導通部212の長さを短くすることで、被検査体15の検査時の導通経路の長さを短くすることができる。例えば、第2の接触部56及び第2の接触部を有する導通部212の長さを短くすることで、導通経路を短くすることができる。 The probe 21 has a conductive portion 212 at the lower end of the non-conductive guide portion 211. As described below, the length of the conductive portion 212 can be shortened to shorten the length of the conductive path during testing of the test subject 15. For example, the conductive path can be shortened by shortening the length of the conductive portion 212 having the second contact portion 56 and the second contact portion.

例えば絶縁性の合成樹脂材料で形成される非導通ガイド部211は、当該非導通ガイド部211の形状、長さ、線径等を加工しやすい。従って、導通部212の長さに依存せず、非導通ガイド部211の長さや形状を変形させるようにしてもよい。 For example, the non-conductive guide portion 211 made of an insulating synthetic resin material is easy to process in terms of shape, length, wire diameter, etc. Therefore, the length and shape of the non-conductive guide portion 211 may be changed regardless of the length of the conductive portion 212.

例えば、プローブ21の導通部212の長さを所定の長さとして、被検査体15の電極16にプローブ21を接触させる針圧を大きくしたいときは、非導通ガイド部211の長さを比較的短くし、他方、前記針圧を小さくしたいときには、非導通ガイド部211の長さを比較的長くするようにしてもよい。 For example, when the length of the conductive portion 212 of the probe 21 is set to a predetermined length and it is desired to increase the needle pressure with which the probe 21 contacts the electrode 16 of the test subject 15, the length of the non-conductive guide portion 211 can be made relatively short, whereas when it is desired to decrease the needle pressure, the length of the non-conductive guide portion 211 can be made relatively long.

(A-1-3)プローブ21の電気的接触構造
図6(A)は、非コンタクト時におけるプローブ21の状態を示す図であり、図6(B)は、コンタクト時におけるプローブ21の状態を示す図である。なお、図6(A)及び図6(B)に例示するプローブ21のサイズ、線径、長さ及び、屈曲・湾曲の程度等は強調表示をしている。
(A-1-3) Electrical Contact Structure of Probe 21 Fig. 6(A) is a diagram showing the state of probe 21 when not in contact, and Fig. 6(B) is a diagram showing the state of probe 21 when in contact. Note that the size, wire diameter, length, degree of bending/curvature, etc. of probe 21 shown in Fig. 6(A) and Fig. 6(B) are highlighted.

図6(A)は、プローブ21の非導通ガイド部211のうち、被支持部51が支持穴19の天井部192に支持されている状態を示している。 Figure 6 (A) shows the state in which the supported portion 51 of the non-conductive guide portion 211 of the probe 21 is supported by the ceiling portion 192 of the support hole 19.

非コンタクト時のプローブ21は、被支持部51の位置から垂直下方に延びて設けられる。導通部212に形成される第1の接触部55の下端部551は、概ね、プローブ21の支持点である被支持部51の位置から垂直方向に下した線C上若しくは線C付近に位置する。 When not in contact, the probe 21 extends vertically downward from the position of the supported part 51. The lower end 551 of the first contact part 55 formed on the conductive part 212 is generally located on or near line C that is vertically downward from the position of the supported part 51, which is the support point of the probe 21.

従来は、図2、特許文献1及び2に例示されるように、S字状に形成したプローブを配置させている。従って、プローブの上部位置と、被検査体の電極に接触させるプローブの下端部の位置とがずれている。これに対して、この実施形態のように、被支持部51の位置を通る垂線C上に下端部551を位置させることにより、被支持部51の位置と下端部551の位置とが整合(一致若しくはほぼ一致)する。従って、この実施形態によれば、被検査体15の電極16に対する、プローブ21の位置合わせを制御し易くなり、位置合わせ精度も向上する。 Conventionally, as illustrated in FIG. 2 and Patent Documents 1 and 2, a probe formed in an S-shape is positioned. Therefore, the position of the upper part of the probe is misaligned with the position of the lower end of the probe that contacts the electrode of the test object. In contrast, as in this embodiment, by positioning the lower end 551 on a perpendicular line C that passes through the position of the supported part 51, the position of the supported part 51 and the position of the lower end 551 are aligned (matched or nearly matched). Therefore, according to this embodiment, it becomes easier to control the alignment of the probe 21 with respect to the electrode 16 of the test object 15, and the alignment accuracy is also improved.

また、非コンタクト時のプローブ21は、支持穴19の内壁に接触することなく収容されることが望ましい。非導通ガイド部211には屈曲部54が形成されるが、屈曲部54が支持穴19の内壁に接触せずに、プローブ21が支持穴19に収容されることが望ましい。言い換えれば、支持穴19において、支持される被支持部51の位置は、支持穴19の天井部192の中心位置である必要はない。屈曲部54が支持穴19の内壁に接触しないように、被支持部51は支持穴19の天井部192に支持するようにしてもよい。 In addition, it is desirable that the probe 21, when not in contact, is accommodated in the support hole 19 without touching the inner wall of the support hole 19. A bent portion 54 is formed in the non-conductive guide portion 211, but it is desirable that the probe 21 is accommodated in the support hole 19 without the bent portion 54 touching the inner wall of the support hole 19. In other words, the position of the supported portion 51 that is supported in the support hole 19 does not need to be the center position of the ceiling portion 192 of the support hole 19. The supported portion 51 may be supported on the ceiling portion 192 of the support hole 19 so that the bent portion 54 does not contact the inner wall of the support hole 19.

なお、プローブ21の弾性が弱くなる可能性があるが、変形例として、非コンタクト時のプローブ21の屈曲部54等が支持穴19の内壁に接触していてもよい。 In addition, although the elasticity of the probe 21 may become weak, as a modified example, the bent portion 54 of the probe 21 when not in contact may be in contact with the inner wall of the support hole 19.

さらに、非コンタクト時のプローブ21は、導通部212がプローブ支持体17の下面18から突出するように支持穴19に収容される。例えば、導通部212における第2の接触部56の位置が、プローブ支持体17の下面18よりも下方に位置するように、プローブ21は支持穴19に支持される。これは、プローブ21のコンタクト時に、プローブ21の弾性変形時に、第2の接触部56と電極端子20とが電気的に接触するようにするためである。 Furthermore, when not in contact, the probe 21 is accommodated in the support hole 19 so that the conductive portion 212 protrudes from the lower surface 18 of the probe support 17. For example, the probe 21 is supported in the support hole 19 so that the position of the second contact portion 56 in the conductive portion 212 is located lower than the lower surface 18 of the probe support 17. This is to ensure that the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 are in electrical contact when the probe 21 is in contact and elastically deforms.

図6(B)は、被検査体15の電極16に対してプローブ21の下端部551が接触し、プローブ21にコンタクト荷重が作用しているときのプローブ21の状態を示している。 Figure 6 (B) shows the state of the probe 21 when the lower end 551 of the probe 21 is in contact with the electrode 16 of the test subject 15 and a contact load is acting on the probe 21.

プローブ21の下端部551が電極16に接触して、プローブ21にコンタクト荷重が作用すると、プローブ21は変形する。つまり、非導通ガイド部211に形成された屈曲部54が起点となり、線状の非導通ガイド部211が湾曲を強め、屈曲部54が支持穴19の内壁に接触する。屈曲部54と支持穴19の内壁面との接触により、支持穴19の軸(例えば、被支持部51からの垂線Cとしてもよい)に向かって、導通部212の他方の端部にある第2の接触部56を移動させる。そして、それとほぼ同時に、プローブ21の導通部212において、電極16と接触している下端部551が起点となり、コンタクト荷重により、線状の第1の接触部55が湾曲する。これにより、導通部212の第2の接触部56が上方に移動し、導通部212の第2の接触部56と電極端子20とが接触することになる。 When the lower end 551 of the probe 21 comes into contact with the electrode 16 and a contact load acts on the probe 21, the probe 21 is deformed. That is, the bent portion 54 formed in the non-conductive guide portion 211 becomes the starting point, and the linear non-conductive guide portion 211 strengthens its curvature, and the bent portion 54 comes into contact with the inner wall of the support hole 19. The contact between the bent portion 54 and the inner wall surface of the support hole 19 moves the second contact portion 56 at the other end of the conductive portion 212 toward the axis of the support hole 19 (which may be, for example, a perpendicular line C from the supported portion 51). Then, almost at the same time, the lower end 551 in contact with the electrode 16 in the conductive portion 212 of the probe 21 becomes the starting point, and the linear first contact portion 55 is curved by the contact load. This causes the second contact portion 56 of the conductive portion 212 to move upward, and the second contact portion 56 of the conductive portion 212 comes into contact with the electrode terminal 20.

つまり、屈曲部54は、導通部212の一方の端部にある下端部511が、被検査体15の電極16に電気的に接触される際に、導通部212の他方の端部側にある第2の接触部56が電極端子20と短絡するように曲がるように機能する。 In other words, the bent portion 54 functions to bend so that when the lower end portion 511 at one end of the conductive portion 212 is electrically contacted with the electrode 16 of the test subject 15, the second contact portion 56 at the other end of the conductive portion 212 is short-circuited with the electrode terminal 20.

またこのとき、支持穴19に支持されているプローブ21は、電極16に接触している接触点と、支持穴19の内壁に接触している接触点とにより支持されるので、プローブ21の姿勢を安定化させることができる。プローブ21の姿勢が安定している状態で、電極端子20に対して第2の接触部56が接触するので、電極端子20に対する第2の接触部56の摺動を抑えることができる。その結果、電極端子20と第2の接触部56との摩耗を抑えることができ、接触箇所の劣化を抑えることができ、検査精度も向上できる。 At this time, the probe 21 supported in the support hole 19 is supported by a contact point in contact with the electrode 16 and a contact point in contact with the inner wall of the support hole 19, so the posture of the probe 21 can be stabilized. With the posture of the probe 21 stable, the second contact portion 56 contacts the electrode terminal 20, so sliding of the second contact portion 56 against the electrode terminal 20 can be suppressed. As a result, wear between the electrode terminal 20 and the second contact portion 56 can be suppressed, deterioration of the contact points can be suppressed, and inspection accuracy can be improved.

図6(B)のコンタクト時のプローブ21の状態で、被検査体15の検査を行う場合を説明する。 The following describes the case where the test subject 15 is inspected with the probe 21 in the contact state shown in Figure 6 (B).

プローブ21の導通部212において、第1の接触部55の下端部551が被検査体15の電極16と電気的に接触すると共に、第2の接触部56が電極端子20と電気的に接触している。従って、電気信号が流れる導通経路は、第1の接触部55の下端部551が電極16に接触する接触点と、第2の接触部56が電極端子20に接触する接触点との間の経路となり、従来よりも導通経路を短くすることができる。 In the conductive portion 212 of the probe 21, the lower end 551 of the first contact portion 55 is in electrical contact with the electrode 16 of the test subject 15, and the second contact portion 56 is in electrical contact with the electrode terminal 20. Therefore, the conductive path through which the electrical signal flows is a path between the contact point where the lower end 551 of the first contact portion 55 is in contact with the electrode 16 and the contact point where the second contact portion 56 is in contact with the electrode terminal 20, making the conductive path shorter than in the past.

例えば、被検査体15としての集積回路の動作速度の高速化に伴い、プローブカードには、被検査体15の高周波特性に対応させることが求められる。検査に用いられるプローブ21の長さが長くなると、その分、リアクタンス成分が大きくなり、特に高周波特性の検査精度に影響が生じ得る。 For example, as the operating speed of integrated circuits serving as test objects 15 increases, probe cards are required to accommodate the high-frequency characteristics of the test objects 15. If the length of the probes 21 used for testing increases, the reactance component also increases accordingly, which can affect the testing accuracy of high-frequency characteristics in particular.

この実施形態によれば、非導通ガイド部211と、長さが短い導通部212とで形成されるプローブ21を用いることで、導通経路が短くなるので、検査精度を向上させることができる。 In this embodiment, by using a probe 21 formed of a non-conductive guide portion 211 and a short conductive portion 212, the conductive path is shortened, thereby improving the inspection accuracy.

(A-2)実施形態の変形例
以下に、上述した実施形態の変形例を、図面を参照しながら説明する。
(A-2) Modifications of the Embodiments Modifications of the above-described embodiments will now be described with reference to the drawings.

(A-2-1)図7(A)は、変形実施形態における非コンタクト時のプローブ21の状態を示す図であり、図7(B)は、変形実施形態におけるコンタクト時のプローブ21の状態を示す図である。 (A-2-1) Figure 7(A) is a diagram showing the state of the probe 21 when not in contact in a modified embodiment, and Figure 7(B) is a diagram showing the state of the probe 21 when in contact in a modified embodiment.

上述した実施形態では、電極端子20が、プローブ支持体17の下面18に設けられている場合を例示したが、図7(A)及び図7(B)では、導電路22と接続する電極端子20が、プローブ支持体17の支持穴19の内壁表面に設ける場合を例示する。例えば、この場合、コンタクト時に、湾曲を強めたプローブ21の第2の接触部56が支持穴19の内壁と接触する内壁表面に、電極端子20を設けるようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the electrode terminal 20 is provided on the underside 18 of the probe support 17, but Fig. 7(A) and Fig. 7(B) show an example in which the electrode terminal 20 connected to the conductive path 22 is provided on the inner wall surface of the support hole 19 of the probe support 17. For example, in this case, the electrode terminal 20 may be provided on the inner wall surface where the second contact portion 56 of the probe 21, which has a stronger curve, comes into contact with the inner wall of the support hole 19 when contact is made.

なお、図7(A)及び図7(B)では、プローブ21を収容する支持穴19の内壁のうち、コンタクト時にプローブ21の第2の接触部56が接触する支持穴19の内壁の一部分に電極端子20を設ける場合を例示している。しかし、例えば、Z方向に所定幅長の電極端子20を、支持穴19の内壁の全周に亘って設けてもよい。また例えば、支持穴19の内壁の全表面に電極端子20を設けてもよい。 Note that Figures 7(A) and 7(B) show an example in which the electrode terminal 20 is provided on a portion of the inner wall of the support hole 19 that houses the probe 21 and that comes into contact with the second contact portion 56 of the probe 21 when contact is made. However, for example, the electrode terminal 20 having a predetermined width in the Z direction may be provided around the entire circumference of the inner wall of the support hole 19. Also, for example, the electrode terminal 20 may be provided on the entire surface of the inner wall of the support hole 19.

このような構造とすることで、プローブ支持体17の下面18から下方に向けて突出するプローブ21の部分(すなわち、導通部212の線状の第1の接触部55)の長さを、より短くすることができる。また、プローブ21を収容する支持穴19の径(直径)をより大きくできる。従って、支持穴19にプローブ21を収容し易くなる。 By adopting such a structure, the length of the portion of the probe 21 that protrudes downward from the lower surface 18 of the probe support 17 (i.e., the linear first contact portion 55 of the conductive portion 212) can be made shorter. In addition, the diameter of the support hole 19 that accommodates the probe 21 can be made larger. Therefore, it becomes easier to accommodate the probe 21 in the support hole 19.

(A-2-2)別の変形実施形態を図8に例示する。図8(A)は、変形実施形態における非コンタクト時のプローブ21の状態を示す図であり、図8(B)は、変形実施形態におけるコンタクト時のプローブ21の状態を示す図である。 (A-2-2) Another modified embodiment is illustrated in FIG. 8. FIG. 8(A) is a diagram showing the state of the probe 21 in the modified embodiment when not in contact, and FIG. 8(B) is a diagram showing the state of the probe 21 in the modified embodiment when in contact.

図8(A)及び図8(B)では、プローブ支持体17において、支持穴19の開口端部の一部を切り欠き、この切り欠き部(斜面)191の一部表面又は全表面に、導電路22と接続する電極端子20を設けるようにしてもよい。 In Figures 8(A) and 8(B), a portion of the open end of the support hole 19 in the probe support 17 may be cut out, and an electrode terminal 20 that connects to the conductive path 22 may be provided on a portion or the entire surface of this cutout portion (slope) 191.

例えば、支持穴19の開口端部に設けた斜面である切り欠き部191の表面と、切り欠き部191と連なる支持穴19の内壁表面との両方又はいずれか一方に、電極端子20を設けるようにしてもよい。この場合も、支持穴19の内壁の全面に、導電路22と接続する電極端子20を設けるようにしてもよい。 For example, the electrode terminal 20 may be provided on both or either the surface of the cutout portion 191, which is a slope provided at the open end of the support hole 19, and the inner wall surface of the support hole 19 that is connected to the cutout portion 191. In this case, too, the electrode terminal 20 that connects to the conductive path 22 may be provided on the entire surface of the inner wall of the support hole 19.

なお、切り欠き部191は、例えば支持穴19の略円形の開口端部の全周に設けるようにしてもよい。言い換えると、支持穴19の開口端部に対して、Z方向の上に向かうほど径が細くなるテーパ状に加工した切り欠き部191を設けるようにしてもよい。 The cutout portion 191 may be provided, for example, around the entire circumference of the substantially circular opening end of the support hole 19. In other words, the cutout portion 191 may be tapered so that the diameter becomes smaller as it goes upward in the Z direction, relative to the opening end of the support hole 19.

このような構造とすることで、コンタクト時に、プローブ21の第2の接触部56と電極端子20との接触性が良好となり、第2の接触部56と電極端子20との接触面積もより大きくなる。その結果、検査精度が向上する。 By adopting such a structure, the contact between the second contact portion 56 of the probe 21 and the electrode terminal 20 is improved when contact is made, and the contact area between the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 is also increased. As a result, the inspection accuracy is improved.

(A-2-3)また別の変形実施形態を図9に例示する。図9(A)は、変形実施形態における非コンタクト時のプローブ21の状態を示す図であり、図9(B)は、変形実施形態におけるコンタクト時のプローブ21の状態を示す図である。 (A-2-3) Another modified embodiment is illustrated in FIG. 9. FIG. 9(A) is a diagram showing the state of the probe 21 in the modified embodiment when not in contact, and FIG. 9(B) is a diagram showing the state of the probe 21 in the modified embodiment when in contact.

図9(A)及び図9(B)では、プローブ支持体17の支持穴19が、被検査体15である半導体ウェアに対して斜め方向に設けた場合を例示する。すなわち、Z軸の垂直方向に対して所定の傾きを持たせた支持穴19を設け、プローブ21も支持穴19の傾斜に相応して斜め方向に支持されている場合を例示する。 Figures 9(A) and 9(B) show an example in which the support hole 19 of the probe support 17 is provided at an angle to the semiconductor wafer, which is the test object 15. In other words, the support hole 19 is provided at a predetermined inclination with respect to the vertical direction of the Z axis, and the probe 21 is also supported at an angle corresponding to the inclination of the support hole 19.

この場合、支持穴19の内壁面も傾斜する。他方、プローブ支持体17内には垂直方向の導電路22が設けられている。従って、プローブ支持体17内の垂直方向の導電路22が支持穴19と交差し、支持穴19の内壁の表面に現れる導電路22の部分を電極端子20としてもよい。図9(A)及び図9(B)では、支持穴19の傾斜する内壁面の下端部から、支持穴19の内壁の中央部付近までの広い範囲に亘って、電極端子20が設けられる場合を例示している。 In this case, the inner wall surface of the support hole 19 is also inclined. On the other hand, a vertical conductive path 22 is provided in the probe support 17. Therefore, the vertical conductive path 22 in the probe support 17 intersects with the support hole 19, and the part of the conductive path 22 that appears on the surface of the inner wall of the support hole 19 may be used as the electrode terminal 20. Figures 9(A) and 9(B) show an example in which the electrode terminal 20 is provided over a wide range from the lower end of the inclined inner wall surface of the support hole 19 to near the center of the inner wall of the support hole 19.

このような構造とすることで、コンタクト時に、プローブ21の第2の接触部56と電極端子20との接触性が良好となり、第2の接触部56と電極端子20との接触面積もより大きくなる。その結果、検査精度が向上する。 By adopting such a structure, the contact between the second contact portion 56 of the probe 21 and the electrode terminal 20 is improved when contact is made, and the contact area between the second contact portion 56 and the electrode terminal 20 is also increased. As a result, the inspection accuracy is improved.

(A-3)実施形態の効果
以上のように、実施形態によれば、プローブ21が非導通ガイド部211と導通部212を有して形成され、支持穴19に支持されるプローブ21が、コンタクト荷重により変形することで、導通部212の第2の接触部56が支持穴19付近の電極端子20に接触する。そのため、プローブ21を経て、被検査体15の電極16と電極端子20との間で流れる電流の導通経路を短くすることができる。その結果、被検査体15の電気的特性の検査精度を向上させることができる。
(A-3) Advantages of the embodiment As described above, according to the embodiment, the probe 21 is formed to have the non-conductive guide portion 211 and the conductive portion 212, and the probe 21 supported in the support hole 19 is deformed by a contact load, so that the second contact portion 56 of the conductive portion 212 comes into contact with the electrode terminal 20 near the support hole 19. This makes it possible to shorten the conduction path of the current that flows between the electrode 16 of the device under test 15 and the electrode terminal 20 via the probe 21. As a result, it is possible to improve the inspection accuracy of the electrical characteristics of the device under test 15.

また、実施形態によれば、被検査体15の電極16にプローブ21を接触させるコンタクト時に、非導通ガイド部211に形成した屈曲部54を起点としてプローブ21が変形する。屈曲部54が支持穴19の内壁に接触する接触点と、下端部551が電極16に接触する接触点により、プローブ21の姿勢が安定する。そのため、電極端子20に対する第2の接触部56の摺動及び摩耗を抑えることができる。 In addition, according to the embodiment, when the probe 21 is brought into contact with the electrode 16 of the test subject 15, the probe 21 deforms starting from the bent portion 54 formed in the non-conductive guide portion 211. The position of the probe 21 is stabilized by the contact point where the bent portion 54 contacts the inner wall of the support hole 19 and the contact point where the lower end portion 551 contacts the electrode 16. Therefore, sliding and wear of the second contact portion 56 against the electrode terminal 20 can be suppressed.

(B)他の実施形態
上述した実施形態においても種々の変形実施形態を言及したが、本発明は、以下の変形実施形態にも適用できる。
(B) Other Embodiments Although various modified embodiments have been mentioned in the above-described embodiment, the present invention can also be applied to the following modified embodiments.

(B-1)本発明に係る電気的接触子(プローブ)は、上述した実施形態で説明した構成に限定されない。例えば、図10(A)に例示するプローブ21Aの構成にも適用できる。 (B-1) The electrical contact (probe) according to the present invention is not limited to the configuration described in the above embodiment. For example, it can also be applied to the configuration of probe 21A shown in FIG. 10 (A).

図10(A)は、変形実施形態に係るプローブ21Aの構成を示す構成図であり、図10(B)は、変形実施形態のコンタクト時のプローブ21Aの状態を示す図である。 Figure 10 (A) is a diagram showing the configuration of probe 21A according to a modified embodiment, and Figure 10 (B) is a diagram showing the state of probe 21A during contact in the modified embodiment.

図10(A)において、プローブ21Aは、細線又は細幅板状部材の非導通ガイド部211Aと、細線又は細幅板状部材の導通部212Aとを有して形成される。 In FIG. 10(A), the probe 21A is formed with a non-conductive guide portion 211A made of a thin wire or a thin plate-like member, and a conductive portion 212A made of a thin wire or a thin plate-like member.

導通部212Aは、非導通ガイド部211Aの略中央部から非導通ガイド部211Aの下端部に亘って重ねられて形成されており、導通部212Aの下端部が、非導通ガイド部211Aの下端部よりも下方に突出している。 The conductive portion 212A is formed by overlapping from approximately the center of the non-conductive guide portion 211A to the lower end of the non-conductive guide portion 211A, and the lower end of the conductive portion 212A protrudes downward beyond the lower end of the non-conductive guide portion 211A.

例えば、細幅板状部材とする非導通ガイド部211Aの一方の面(図10(A)の左側面)に、導通部212Aが形成されるようにしてもよい。導通部212Aは、細幅板状部材であってもよい。その場合、細幅板状の導通部212Aの幅長は、非導通ガイド部211Aの幅長と同じ、若しくは、わずかに小さくしてもよい。 For example, the conductive portion 212A may be formed on one side (the left side in FIG. 10A) of the non-conductive guide portion 211A, which is a narrow plate-like member. The conductive portion 212A may be a narrow plate-like member. In that case, the width of the narrow plate-like conductive portion 212A may be the same as or slightly smaller than the width of the non-conductive guide portion 211A.

非導通ガイド部211Aは、上から、支持穴19に支持される被支持部51Aと、支持部58、第1のガイド部52A、第2のガイド部53A、屈曲部54Aを有する。他方、導通部212Aは、上から、被ガイド部57、第2の接触部56A、第1の接触部55Aを有する。第1の接触部55Aの下端部551Aが、被検査体15の電極16と接触する。 The non-conductive guide portion 211A has, from above, a supported portion 51A supported by the support hole 19, a support portion 58, a first guide portion 52A, a second guide portion 53A, and a bent portion 54A. On the other hand, the conductive portion 212A has, from above, a guided portion 57, a second contact portion 56A, and a first contact portion 55A. The lower end portion 551A of the first contact portion 55A contacts the electrode 16 of the test subject 15.

非導通ガイド部211Aの第1のガイド部52A、屈曲部54A及び第2のガイド部53Aは、導通部212Aの被ガイド部57、第2の接触部56A及び第1の接触部55Aと重なっている。 The first guide portion 52A, the bent portion 54A, and the second guide portion 53A of the non-conductive guide portion 211A overlap with the guided portion 57, the second contact portion 56A, and the first contact portion 55A of the conductive portion 212A.

また、屈曲部54Aは、非導通ガイド部211Aと導通部212Aとが重なっている部分において形成されている。屈曲部54Aの屈曲に伴い、導通部212Aも屈曲して、その導通部212Aの屈曲部分が第2の接触部56Aとして形成される。 The bent portion 54A is formed in the area where the non-conductive guide portion 211A and the conductive portion 212A overlap. As the bent portion 54A bends, the conductive portion 212A also bends, and the bent portion of the conductive portion 212A forms the second contact portion 56A.

従って、図10(B)に示すように、コンタクト時に、プローブ21Aの下端部551Aが電極16に接触して、コンタクト荷重が作用すると、非導通ガイド部211Aの屈曲部54Aが起点となり、プローブ21Aは変形する。 Therefore, as shown in FIG. 10(B), when contact is made, the lower end 551A of the probe 21A comes into contact with the electrode 16 and a contact load acts on the probe 21A, causing the bent portion 54A of the non-conductive guide portion 211A to become a starting point and deforming the probe 21A.

このとき、屈曲部54Aと対応する位置にある第2の接触部56Aが、支持穴19の内壁にある電極端子20と接触すると共に、非導通ガイド部211Aの支持部58が湾曲して支持穴19の内壁に接触する。 At this time, the second contact portion 56A, which is located in a position corresponding to the bent portion 54A, comes into contact with the electrode terminal 20 on the inner wall of the support hole 19, and the support portion 58 of the non-conductive guide portion 211A bends and comes into contact with the inner wall of the support hole 19.

この場合も、支持穴19に支持されているプローブ21Aは、電極16に接触している接触点と、支持穴19の内壁に接触している接触点(第2の接触部56A、支持部58の接触点58A)とにより支持されるので、プローブ21Aの姿勢を安定化させることができる。 In this case, the probe 21A supported in the support hole 19 is supported by a contact point in contact with the electrode 16 and a contact point in contact with the inner wall of the support hole 19 (the second contact portion 56A and the contact point 58A of the support portion 58), so the posture of the probe 21A can be stabilized.

つまり、プローブ21Aの姿勢が安定している状態で、電極端子20に対して第2の接触部56Aが接触するので、電極端子20に対する第2の接触部56Aの摺動を抑えることができる。その結果、電極端子20と第2の接触部56Aとの摩耗を抑えることができ、接触箇所の劣化を抑えることができ、検査精度も向上できる。 In other words, since the second contact portion 56A contacts the electrode terminal 20 while the attitude of the probe 21A is stable, sliding of the second contact portion 56A against the electrode terminal 20 can be suppressed. As a result, wear between the electrode terminal 20 and the second contact portion 56A can be suppressed, deterioration of the contact points can be suppressed, and inspection accuracy can be improved.

なお、図10(B)では、電極端子20が、支持穴19の内壁表面に設けられている場合を例示している。しかし、電極端子20は、図6(A)及び図6(B)に例示するようにプローブ支持体17の下面18に設けられてもよいし、又は、図8(A)及び図8(B)に例示するように、切り欠き部191及び又は支持穴19の内壁面に設けられてもよい。 In addition, FIG. 10(B) illustrates an example in which the electrode terminal 20 is provided on the inner wall surface of the support hole 19. However, the electrode terminal 20 may be provided on the lower surface 18 of the probe support 17 as illustrated in FIG. 6(A) and FIG. 6(B), or may be provided on the cutout portion 191 and/or the inner wall surface of the support hole 19 as illustrated in FIG. 8(A) and FIG. 8(B).

(B-2)上述した実施形態では、プローブ21が配線接続するための電極端子が、支持穴19付近又は支持穴19の内壁に設けられる場合を例示した。電極端子20の位置は、コンタクト荷重によりプローブ21が変形したときに、第2の接触部56と接触可能な位置であればよく、上述した実施形態に限定されるものではない。 (B-2) In the above-described embodiment, an example was given of an electrode terminal for wiring connection of the probe 21 provided near the support hole 19 or on the inner wall of the support hole 19. The position of the electrode terminal 20 may be any position that allows contact with the second contact portion 56 when the probe 21 is deformed by a contact load, and is not limited to the above-described embodiment.

(B-3)上述した実施形態では、プローブ21の非導通ガイド部211が、屈曲部54を有する場合を例示したが、非導通ガイド部211に設ける屈曲部54の数は、1個に限らず、複数個(例えば2個以上)であってもよい。 (B-3) In the above embodiment, the non-conductive guide portion 211 of the probe 21 has a bent portion 54. However, the number of bent portions 54 provided on the non-conductive guide portion 211 is not limited to one, and may be multiple (e.g., two or more).

1…電気的接続装置、5…プローブ組立体、15…被検査体、16…電極、17…プローブ支持体、18…プローブ支持体の下面、19…支持穴、191…切り欠き部、192…天井部、20…電極端子、21及び21A…電気的接触子(プローブ)、211及び211A…非導通ガイド部、212及び212A…導通部、51及び51A…被支持部、52及び52A…第1のガイド部、53及び53A…第2のガイド部、54及び54A…屈曲部、55及び55A…第1の接触部、551…下端部、56及び56A…第2の接触部、57…被ガイド部、58…支持部。
1...electrical connection device, 5...probe assembly, 15...object under test, 16...electrode, 17...probe support, 18...underside of probe support, 19...support hole, 191...cutout portion, 192...ceiling portion, 20...electrode terminal, 21 and 21A...electrical contactor (probe), 211 and 211A...non-conductive guide portion, 212 and 212A...conductive portion, 51 and 51A...supported portion, 52 and 52A...first guide portion, 53 and 53A...second guide portion, 54 and 54A...bent portion, 55 and 55A...first contact portion, 551...lower end portion, 56 and 56A...second contact portion, 57...guided portion, 58...support portion.

Claims (8)

支持基板の一方の面に開口が形成される支持穴と、
前記支持穴に挿通され、被検査体と電気的に接触する電気的接触子と、
前記支持穴の前記開口付近に設けられる電極部とを備え、
前記電気的接触子は、屈曲部を有する非導通部と、前記非導通部の一方の端部側に設けられた導通部とを有するものであり、
前記屈曲部は、前記導通部の一方の端部が前記被検査体と電気的に接触される際に、前記導通部の他方の端部側が前記電極部と短絡するように曲がるものであり、
前記電気的接触子の変形により、前記屈曲部と前記支持穴の内壁面とが接触することにより、前記支持穴の軸と交差する方向に向かって、前記導通部の他方の端部を移動させる
ことを特徴とする電気的接触子の電気的接触構造。
a support hole having an opening formed on one surface of a support substrate;
an electrical contact that is inserted into the support hole and electrically contacts the device under test;
an electrode portion provided near the opening of the support hole,
The electrical contact has a non-conductive portion having a bent portion and a conductive portion provided on one end side of the non-conductive portion,
the bent portion is bent such that, when one end of the conductive portion is brought into electrical contact with the test object, the other end of the conductive portion is short-circuited with the electrode portion,
The deformation of the electrical contact causes the bent portion to come into contact with the inner wall surface of the support hole, thereby moving the other end of the conductive portion in a direction intersecting the axis of the support hole.
2. An electrical contact structure for an electrical contact comprising:
前記導通部の他方の端部側には、前記導通部の軸方向と交差する方向に突出する第2接触部が設けられることを特徴とする請求項1に記載の電気的接触子の電気的接触構造。 2. The electrical contact structure of claim 1, wherein a second contact portion is provided on the other end side of the conductive portion so as to protrude in a direction intersecting with the axial direction of the conductive portion. 前記電気的接触子の変形により、前記導通部の第2の接触部と前記電極部とが接触することを特徴とする請求項1又は2に記載の電気的接触子の電気的接触構造。 The electrical contact structure of the electrical contactor according to claim 1 or 2, characterized in that the deformation of the electrical contactor brings the second contact portion of the conductive portion into contact with the electrode portion. 前記電気的接触子の前記非導通部が、線状部材又は細幅板状部材で形成され、
前記導通部の第2の接触部が、前記非導通部の前記一方の端部において、前記電極部に対して広い面積で接触する部材で形成され、
前記導通部の第1の接触部が、前記第2の接触部に支持される、線状部材又は細幅板状部材で形成されたものである
ことを特徴とする請求項1~のいずれかに記載の電気的接触子の電気的接触構造。
The non-conductive portion of the electrical contact is formed of a linear member or a narrow plate-like member,
a second contact portion of the conductive portion is formed of a member that contacts the electrode portion over a wide area at the one end of the non-conductive portion,
The electrical contact structure of an electrical contactor according to any one of claims 1 to 3 , characterized in that the first contact portion of the conductive part is formed of a linear member or a narrow plate member supported by the second contact portion.
前記電極部が、前記支持基板の底面であって、前記支持穴の開口付近に設けられたことを特徴とする請求項1~のいずれかに記載の電気的接触子の電気的接触構造。 5. The electrical contact structure of an electrical contactor according to claim 1 , wherein the electrode portion is provided on the bottom surface of the support substrate in the vicinity of an opening of the support hole. 前記電極部が、前記支持穴の内壁の一部表面又は全面に設けられたことを特徴とする請求項1~のいずれかに記載の電気的接触子の電気的接触構造。 5. The electrical contact structure of an electrical contactor according to claim 1, wherein the electrode portion is provided on a part or the entire surface of an inner wall of the support hole. 前記電極部が、前記支持穴の開口を切り欠きした切り欠き部の斜面表面、及び又は、前記支持穴の内壁面に設けられたことを特徴とする請求項1~のいずれかに記載の電気的接触子の電気的接触構造。 The electrical contact structure of an electrical contactor according to any one of claims 1 to 4 , characterized in that the electrode portion is provided on a sloping surface of a cutout portion formed by cutting out an opening of the support hole, and/or on an inner wall surface of the support hole. 複数の電気的接触子を支持する支持基板を備え、被検査体と検査装置との間を電気的に接続する電気的接続装置において、請求項1~のいずれかに記載の電気的接触子の電気的接触構造を有する電気的接続装置。 An electrical connection device comprising a support substrate supporting a plurality of electrical contacts and electrically connecting an object to be inspected and an inspection device, the electrical connection device having the electrical contact structure of the electrical contacts according to any one of claims 1 to 7 .
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