JP7570061B2 - 双方向スイッチモジュール及び双方向スイッチ - Google Patents
双方向スイッチモジュール及び双方向スイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7570061B2 JP7570061B2 JP2021520737A JP2021520737A JP7570061B2 JP 7570061 B2 JP7570061 B2 JP 7570061B2 JP 2021520737 A JP2021520737 A JP 2021520737A JP 2021520737 A JP2021520737 A JP 2021520737A JP 7570061 B2 JP7570061 B2 JP 7570061B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- gate electrode
- source electrode
- gate
- wiring portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims description 583
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 134
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 69
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 62
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 14
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 11
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having 2D charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/475—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
- H10D30/47—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels having 2D charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]
- H10D30/471—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT]
- H10D30/475—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs
- H10D30/4755—High electron mobility transistors [HEMT] or high hole mobility transistors [HHMT] having wider bandgap layer formed on top of lower bandgap active layer, e.g. undoped barrier HEMTs such as i-AlGaN/GaN HEMTs having wide bandgap charge-carrier supplying layers, e.g. modulation doped HEMTs such as n-AlGaAs/GaAs HEMTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
- H03K17/122—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/343—Gate regions of field-effect devices having PN junction gates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/82—Heterojunctions
- H10D62/824—Heterojunctions comprising only Group III-V materials heterojunctions, e.g. GaN/AlGaN heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
- H10D62/8503—Nitride Group III-V materials, e.g. AlN or GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
- H10D64/251—Source or drain electrodes for field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
- H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
- H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
- H10D64/512—Disposition of the gate electrodes, e.g. buried gates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
- H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4811—Connecting to a bonding area of the semiconductor or solid-state body located at the far end of the body with respect to the bonding area outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K2017/6878—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using multi-gate field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0009—AC switches, i.e. delivering AC power to a load
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
- H10D64/251—Source or drain electrodes for field-effect devices
- H10D64/257—Source or drain electrodes for field-effect devices for lateral devices wherein the source or drain electrodes are characterised by top-view geometrical layouts, e.g. interdigitated, semi-circular, annular or L-shaped electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
以下では、実施形態1に係る双方向スイッチモジュール100について、図1~3に基づいて説明する。
双方向スイッチモジュール100は、図1に示すように、複数(例えば、3つ)の双方向スイッチ1と、実装基板200と、を備える。複数の双方向スイッチ1の各々は、図2及び3に示すように、第1ソース電極71、第1ゲート電極81、第2ゲート電極82及び第2ソース電極72を有する。実装基板200には、図1に示すように、複数の双方向スイッチ1が実装されている。ここにおいて、実装基板200は、例えば、複数の双方向スイッチ1に一対一に対応する複数のダイパッド部202を有する。複数の双方向スイッチ1は、複数のダイパッド部202のうち対応するダイパッド部202に搭載されている。複数の双方向スイッチ1は、複数のダイパッド部202のうち対応するダイパッド部202に搭載されることで、ダイパッド部202に接合されている。双方向スイッチ1とダイパッド部202とを接合している接合部は、例えば、はんだ、導電性ペースト等のダイボンド材を用いて形成されている。双方向スイッチモジュール100では、複数の双方向スイッチ1が並列接続されている。
以下、双方向スイッチモジュール100の各構成要素について、より詳細に説明する。
双方向スイッチ1は、例えば、図3に示すように、基板2と、第1窒化物半導体層4と、第2窒化物半導体層5と、第1ソース電極71と、第1ゲート電極81と、第2ゲート電極82と、第2ソース電極72と、を有する。また、双方向スイッチ1は、第1p型層61と、第2p型層62と、を更に有する。
以下では、説明の便宜上、第1ゲート電極81と第1ソース電極71との間に第1閾値(例えば、1.3V)電圧以上の電圧が印加されていない状態を、第1ゲート電極81がオフ状態ともいう。また、第1ゲート電極81と第1ソース電極71との間に第1ゲート電極81を高電位側として第1閾値電圧以上の電圧が印加されている状態を、第1ゲート電極81がオン状態ともいう。また、第2ゲート電極82と第2ソース電極72との間に第2閾値電圧(例えば、1.3V)以上の電圧が印加されていない状態を、第2ゲート電極82がオフ状態ともいう。また、第2ゲート電極82と第2ソース電極72との間に第2ゲート電極82を高電位側として第2閾値電圧以上の電圧が印加されている状態を、第2ゲート電極がオン状態ともいう。
実装基板200は、図1に示すように、絶縁性基板201と、第1ソース配線部SS1と、第1ゲート配線部GG1と、第2ゲート配線部GG2と、第2ソース配線部SS2と、を有する。
双方向スイッチモジュール100は、第1ソースワイヤWS1と、第1ゲートワイヤWG1と、第2ゲートワイヤWG2と、第2ソースワイヤWS2と、を更に備える。
実施形態1に係る双方向スイッチモジュール100は、複数の双方向スイッチ1と、実装基板200と、を備える。複数の双方向スイッチ1の各々は、第1ソース電極71、第1ゲート電極81、第2ゲート電極82及び第2ソース電極72を有する。実装基板200には、複数の双方向スイッチ1が実装されている。双方向スイッチモジュール100では、複数の双方向スイッチ1が並列接続されている。
以下、変形例1に係る双方向スイッチモジュール100Aについて図4に基づいて説明する。
以下、変形例2に係る双方向スイッチモジュール100Bについて図5に基づいて説明する。
以下、変形例3に係る双方向スイッチモジュール100Cについて図6に基づいて説明する。
以下、実施形態2に係る双方向スイッチモジュール100Dについて、図7及び8に基づいて説明する。
以下、実施形態3に係る双方向スイッチモジュール100Eについて、図9、10A及び10Bに基づいて説明する。
以下、実施形態4に係る双方向スイッチモジュール100Fについて、図11及び12に基づいて説明する。
以下、実施形態5に係る双方向スイッチモジュール100Gについて、図13に基づいて説明する。
上記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
以上説明した実施形態等から本明細書には以下の態様が開示されている。
11 第1辺
12 第2辺
13 第3辺
14 第4辺
2 基板
3 バッファ層
4 第1窒化物半導体層
5 第2窒化物半導体層
61 第1p型層
62 第2p型層
71 第1ソース電極
711 第1ソース電極櫛歯部
72 第2ソース電極
721 第2ソース電極櫛歯部
81 第1ゲート電極
811 第1ゲート電極櫛歯部
82 第2ゲート電極
821 第2ゲート電極櫛歯部
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G 双方向スイッチモジュール
200、200A、200B、200C、200D、200G 実装基板
201 絶縁性基板
203 導体部
202、204、205、206、207 ダイパッド部
G1 第1ゲート電極パッド
G2 第2ゲート電極パッド
GG1 第1ゲート配線部
GG11 第1ゲート配線延長部
GG2 第2ゲート配線部
GG21 第2ゲート配線延長部
S1 第1ソース電極パッド
S2 第2ソース電極パッド
SS1 第1ソース配線部
SS11 第1ソース配線延長部
SS2 第2ソース配線部
SS21 第2ソース配線延長部
WG1 第1ゲートワイヤ
WG2 第2ゲートワイヤ
WS1 第1ソースワイヤ
WS2 第2ソースワイヤ
Claims (21)
- 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドは、前記第3辺に沿って配置されており、
前記第2ゲート電極パッドは、前記第4辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドと前記第1ソース電極パッドとの距離が、前記第1ゲート電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの距離よりも短く、
前記第2ゲート電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの距離が、前記第2ゲート電極パッドと前記第1ソース電極パッドとの距離よりも短い、
双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された2つの第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された2つの第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記2つの第1ゲート電極パッドのうち1つの第1ゲート電極パッドと前記2つの第2ゲート電極パッドのうち1つの第2ゲート電極パッドとは、
前記第3辺に沿って配置されており、
前記第1ソース電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの間において、前記1つの第1ゲート電極パッドが前記第1ソース電極パッド側に位置し、前記1つの第2ゲート電極パッドが前記第2ソース電極パッド側に位置しており、
前記2つの第1ゲート電極パッドのうち残りの1つの第1ゲート電極パッドと前記2つの第2ゲート電極パッドのうち残りの1つの第2ゲート電極パッドとは、
前記第4辺に沿って配置されており、
前記第1ソース電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの間において、前記残りの1つの第1ゲート電極パッドが前記第1ソース電極パッド側に位置し、前記残りの1つの第2ゲート電極パッドが前記第2ソース電極パッド側に位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 前記複数の双方向スイッチの各々は、
横型トランジスタである、
請求項1又は2に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記複数の双方向スイッチの各々は、
基板と、
前記基板上に形成された第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に形成されており、前記第1窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きな第2窒化物半導体層と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極、前記第1ゲート電極、前記第2ゲート電極、及び前記第2ソース電極が前記第2窒化物半導体層上に形成されている、
請求項3に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記第1ゲート電極と前記第2窒化物半導体層との間に介在している第1p型層と、
前記第2ゲート電極と前記第2窒化物半導体層との間に介在している第2p型層と、を更に有する、
請求項4に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記基板が導電性を有し、
前記基板は、前記第1ソース電極、前記第2ソース電極、前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極の全てに対して電気的に絶縁されており、
前記実装基板は、
前記複数の双方向スイッチの前記基板が電気的に接続される導体部を有し、
前記導体部は、前記複数の双方向スイッチに一対一に対応し対応する双方向スイッチが搭載される複数のダイパッド部を含む、
請求項5に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記複数の双方向スイッチの各々は、平面視で長方形状である、
請求項1~6のいずれか一項に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備える、
請求項1~7のいずれか一項に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板では、
平面視において、前記第1ソース配線部、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ゲート配線部と前記第2ゲート配線部との間において前記第1ゲート配線部及び前記第2ゲート配線部から離れて位置している、
請求項8記載の双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドと前記第2ゲート電極パッドとは、前記第3辺に沿って配置されており、
前記第3辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッド、前記第1ゲート電極パッド、前記第2ゲート電極パッド及び前記第2ソース電極パッドが、この順に並んでおり、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ソース配線部、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ゲート配線部と前記第2ゲート配線部との間において前記第1ゲート配線部及び前記第2ゲート配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッド及び前記第1ゲート電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第1辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッドの長さが、前記第1ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記第2ソース電極パッド及び前記第2ゲート電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第2辺に沿った方向において、前記第2ソース電極パッドの長さが、前記第2ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ソース配線部、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ゲート配線部と前記第2ゲート配線部との間において前記第1ゲート配線部及び前記第2ゲート配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第1ソース配線部、前記第2ソース配線部及び前記第2ゲート配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
請求項8に記載の双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドと前記第2ゲート電極パッドとは、前記第3辺に沿って配置されており、
前記第3辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッド、前記第1ゲート電極パッド、前記第2ゲート電極パッド及び前記第2ソース電極パッドが、この順に並んでおり、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第1ソース配線部、前記第2ソース配線部及び前記第2ゲート配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッド及び前記第1ゲート電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第1辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッドの長さが、前記第1ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記第2ソース電極パッド及び前記第2ゲート電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第2辺に沿った方向において、前記第2ソース電極パッドの長さが、前記第2ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第1ソース配線部、前記第2ソース配線部及び前記第2ゲート配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部、前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
請求項8記載の双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドと前記第2ゲート電極パッドとは、前記第3辺に沿って配置されており、
前記第3辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッド、前記第1ゲート電極パッド、前記第2ゲート電極パッド及び前記第2ソース電極パッドが、この順に並んでおり、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部、前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 各々が第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を有する複数の双方向スイッチと、
前記複数の双方向スイッチが実装された実装基板と、を備え、
前記複数の双方向スイッチが並列接続されており、
前記複数の双方向スイッチの各々では、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に有し、
前記複数の双方向スイッチの各々は、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッド及び前記第1ゲート電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第1辺に沿った方向において、前記第1ソース電極パッドの長さが、前記第1ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記第2ソース電極パッド及び前記第2ゲート電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第2辺に沿った方向において、前記第2ソース電極パッドの長さが、前記第2ゲート電極パッドの長さよりも長く、
前記実装基板は、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されている第1ソース配線部、第1ゲート配線部、第2ゲート配線部及び第2ソース配線部と、を有し、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ソース電極と前記第1ソース配線部とを電気的に接続している第1ソースワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第1ゲート電極と前記第1ゲート配線部とを電気的に接続している第1ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ゲート電極と前記第2ゲート配線部とを電気的に接続している第2ゲートワイヤと、
前記複数の双方向スイッチの各々の前記第2ソース電極と前記第2ソース配線部とを電気的に接続している第2ソースワイヤと、を更に備え、
前記実装基板では、
平面視において、前記第1ゲート配線部、前記第2ゲート配線部、前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部が、この順に並んでおり、
前記複数の双方向スイッチは、前記第1ソース配線部と前記第2ソース配線部との間において前記第1ソース配線部及び前記第2ソース配線部から離れて位置している、
双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板は、
前記第1ゲート配線部から前記第2ゲート配線部に近づく向きに延びている複数の第1ゲート配線延長部と、
前記第2ゲート配線部から前記第1ゲート配線部に近づく向きに延びている複数の第2ゲート配線延長部と、を更に有し、
前記複数の第1ゲート配線延長部は、前記複数の双方向スイッチに一対一に対応し対応する双方向スイッチに隣接しており、
前記複数の第2ゲート配線延長部は、前記複数の双方向スイッチに一対一に対応し対応する双方向スイッチに隣接しており、
前記実装基板では、
前記複数の第1ゲート配線延長部と前記複数の第2ゲート配線延長部とが一対一に対応し対応する第1ゲート配線延長部と第2ゲート配線延長部との先端同士が対向している、
請求項9~11のいずれか一項に記載の双方向スイッチモジュール。 - 前記実装基板は、
前記第1ソース配線部から前記第2ソース配線部に近づく向きに延びている複数の第1ソース配線延長部と、
前記第2ソース配線部から前記第1ソース配線部に近づく向きに延びている複数の第2ソース配線延長部と、を更に有し、
前記複数の第1ソース配線延長部と前記複数の第2ソース配線延長部とが1つずつ交互に並んでおり、
前記複数の第1ソース配線延長部と前記複数の第2ソース配線延長部とのうち隣り合う第1ソース配線延長部と第2ソース配線延長部との間に、前記複数の双方向スイッチのうち1つの双方向スイッチが位置している、
請求項12に記載の双方向スイッチモジュール。 - 第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を備える双方向スイッチであって、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記双方向スイッチは、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に備え、
前記双方向スイッチは、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドは、前記第3辺に沿って配置されており、
前記第2ゲート電極パッドは、前記第4辺に沿って配置されており、
前記第1ゲート電極パッドと前記第1ソース電極パッドとの距離が、前記第1ゲート電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの距離よりも短く、
前記第2ゲート電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの距離が、前記第2ゲート電極パッドと前記第1ソース電極パッドとの距離よりも短い、
双方向スイッチ。 - 第1ソース電極、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び第2ソース電極を備える双方向スイッチであって、
前記第1ソース電極は、複数の第1ソース電極櫛歯部を有し、
前記第1ゲート電極は、複数の第1ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ゲート電極は、複数の第2ゲート電極櫛歯部を有し、
前記第2ソース電極は、複数の第2ソース電極櫛歯部を有し、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部と複数の第2ソース電極櫛歯部とが、1つずつ交互に並んでおり、隣り合う第1ソース電極櫛歯部と第2ソース電極櫛歯部との間において第1ソース電極櫛歯部側から順に前記複数の第1ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第1ゲート電極櫛歯部及び前記複数の第2ゲート電極櫛歯部のうちの1つの第2ゲート電極櫛歯部が並んでおり、
前記双方向スイッチは、
前記複数の第1ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第1ソース電極パッドと、
前記複数の第1ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された2つの第1ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ゲート電極櫛歯部に電気的に接続された2つの第2ゲート電極パッドと、
前記複数の第2ソース電極櫛歯部に電気的に接続された第2ソース電極パッドと、を更に備え、
前記双方向スイッチは、
平面視で互いに平行な第1辺及び第2辺と、
平面視で互いに平行な第3辺及び第4辺と、を有し、
前記第1ソース電極パッドは、前記第1辺に沿って配置されており、
前記第2ソース電極パッドは、前記第2辺に沿って配置されており、
前記2つの第1ゲート電極パッドのうち1つの第1ゲート電極パッドと前記2つの第2ゲート電極パッドのうち1つの第2ゲート電極パッドとは、
前記第3辺に沿って配置されており、
前記第1ソース電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの間において、前記1つの第1ゲート電極パッドが前記第1ソース電極パッド側に位置し、前記1つの第2ゲート電極パッドが前記第2ソース電極パッド側に位置しており、
前記2つの第1ゲート電極パッドのうち残りの1つの第1ゲート電極パッドと前記2つの第2ゲート電極パッドのうち残りの1つの第2ゲート電極パッドとは、
前記第4辺に沿って配置されており、
前記第1ソース電極パッドと前記第2ソース電極パッドとの間において、前記残りの1つの第1ゲート電極パッドが前記第1ソース電極パッド側に位置し、前記残りの1つの第2ゲート電極パッドが前記第2ソース電極パッド側に位置している、
双方向スイッチ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019095446 | 2019-05-21 | ||
JP2019095446 | 2019-05-21 | ||
PCT/JP2020/019191 WO2020235429A1 (ja) | 2019-05-21 | 2020-05-14 | 双方向スイッチモジュール及び双方向スイッチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020235429A1 JPWO2020235429A1 (ja) | 2020-11-26 |
JP7570061B2 true JP7570061B2 (ja) | 2024-10-21 |
Family
ID=73458813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021520737A Active JP7570061B2 (ja) | 2019-05-21 | 2020-05-14 | 双方向スイッチモジュール及び双方向スイッチ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12125904B2 (ja) |
JP (1) | JP7570061B2 (ja) |
CN (1) | CN113841254A (ja) |
WO (1) | WO2020235429A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001045772A (ja) | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Yaskawa Electric Corp | 3レベルインバータまたはpwmサイクロコンバータ |
JP2002141506A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 双方向スイッチの実装構造と双方向スイッチを備える保護回路 |
JP2005237138A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
WO2011064955A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
JP2012023074A (ja) | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | 窒化物半導体装置 |
WO2016203764A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-12-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びモジュール部品 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5433214B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | モータ駆動回路 |
JP2011165749A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP5555206B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2014-07-23 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体パワーモジュール |
US8901639B2 (en) * | 2012-07-26 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Monolithic bidirectional silicon carbide switching devices |
DE112015006984B4 (de) * | 2015-09-29 | 2020-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und halbleitermodul, das mit derselben versehen ist |
US11862630B2 (en) * | 2018-04-23 | 2024-01-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device having a bidirectional switch and discharge circuit |
-
2020
- 2020-05-14 WO PCT/JP2020/019191 patent/WO2020235429A1/ja active Application Filing
- 2020-05-14 US US17/612,542 patent/US12125904B2/en active Active
- 2020-05-14 JP JP2021520737A patent/JP7570061B2/ja active Active
- 2020-05-14 CN CN202080037026.7A patent/CN113841254A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001045772A (ja) | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Yaskawa Electric Corp | 3レベルインバータまたはpwmサイクロコンバータ |
JP2002141506A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 双方向スイッチの実装構造と双方向スイッチを備える保護回路 |
JP2005237138A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
WO2011064955A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
JP2012023074A (ja) | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | 窒化物半導体装置 |
WO2016203764A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-12-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びモジュール部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020235429A1 (ja) | 2020-11-26 |
JPWO2020235429A1 (ja) | 2020-11-26 |
CN113841254A (zh) | 2021-12-24 |
US20220310835A1 (en) | 2022-09-29 |
US12125904B2 (en) | 2024-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7547964B2 (en) | Device packages having a III-nitride based power semiconductor device | |
CN103229284B (zh) | 氮化物半导体装置 | |
JP7213469B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5692377B2 (ja) | 半導体ユニットおよび半導体装置 | |
JP4645313B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7137558B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7428018B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP6744610B2 (ja) | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 | |
JP2005302951A (ja) | 電力用半導体装置パッケージ | |
JP7491043B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US11062981B2 (en) | Bidirectional switch and bidirectional switch device including the switch | |
JP6468984B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7570061B2 (ja) | 双方向スイッチモジュール及び双方向スイッチ | |
CN103597588A (zh) | 氮化物半导体装置 | |
CN108807369B (zh) | 具有可控半导体元件的半导体装置 | |
JP7209615B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10290583B2 (en) | Semiconductor device | |
CN114365281A (zh) | 电气回路和半导体模块 | |
JP7407684B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7434750B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2022153806A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2024166718A1 (ja) | トランスチップ | |
JP2024135948A (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
CN118591889A (zh) | 半导体装置和半导体模块 | |
TW202447963A (zh) | 對四象限三族氮化物開關的配置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7570061 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |