JP7569656B2 - バスバーアッセンブリの製造方法 - Google Patents
バスバーアッセンブリの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7569656B2 JP7569656B2 JP2020171749A JP2020171749A JP7569656B2 JP 7569656 B2 JP7569656 B2 JP 7569656B2 JP 2020171749 A JP2020171749 A JP 2020171749A JP 2020171749 A JP2020171749 A JP 2020171749A JP 7569656 B2 JP7569656 B2 JP 7569656B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- busbar
- forming
- region
- busbar assembly
- frame body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/005—Laminated bus-bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/12—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by mechanical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/14—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to metal, e.g. car bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/007—Butt joining of bus-bars by means of a common bolt, e.g. splice joint
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Connection Or Junction Boxes (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
Description
特に、上下方向に関し小型化を図る為に前記一の平板状バスバーと前記他の平板状バスバーとの間の絶縁層の厚みを薄くすると、両バスバー間にリーク電流が流れる恐れがある。
前記第2下面領域513bは前記下面側積層部513aより下方へ延在されて外部に露出されており、前記第1及び第2バスバー510(1)、510(2)を外部に電気的に接続する為の下面側接続部として作用する。
前記レーザー光照射工程は、一のバスバー形成部位の周縁のうち隣接する他のバスバー形成部位に接する部分の幅に基づいて設定された大きさの照射スポットを有するレーザー光を用い、当該レーザー光を、少なくとも前記第2下面領域に対応した第2下面形成領域の全域並びに前記第1及び第2下面形成領域の境界に照射して、前記スリット内には照射されない範囲内において前記第2下面形成領域の全域を露出させるように構成されているバスバーアッセンブリの製造方法を提供する。
これに代えて、前記レーザー光照射工程を、前記平板固着工程後に行うことも可能である。
図1(a)~(c)に、それぞれ、本実施の形態に係る製造方法によって製造されたバスバーアッセンブリ1の平面図、図1(a)におけるI(b)-I(b)線に沿った断面図及び底面図を示す。
本実施の形態に係る前記バスバーアッセンブリ1は、前記複数のバスバー10として、第1~第3バスバー10(1)~10(3)の3つのバスバーを有しており、前記間隙19として、第1及び第2間隙19(1)、19(2)を有している。
前記上面側接続部12は、前記バスバーアッセンブリ1に装着されるLED等の半導体素子110(下記図2参照)が装着又は電気的に接続される素子用接続部として作用する。
この場合、前記上面側積層部21には、前記上面側接続部12を露出させる為の開口22が設けられる。
なお、本実施の形態においては、前記側面側積層部25は前記上面側積層部21とも一体化されている。
前記枠体30は、前記上面側接続部12に搭載されるLED等の半導体素子110(下記図2参照)及び前記半導体素子110に接続されるワイヤ120(下記図2参照)を保護する封止樹脂体130(下記図2参照)を保持する為の部材である。
本実施の形態においては、前記枠体30は、導電性金属部材(好ましくは前記バスバー10と同一部材)によって形成されており、外周面に枠体側絶縁層40が設けられている。
また、本実施の形態におけるように、前記バスバー連結体の上面に前記上面側積層部21が設けられる構成においては、前記枠体30を導電性部材によって形成しつつ、前記枠体側絶縁層40を削除することも可能である。
前記半導体モジュール101においては、前記半導体素子110として、第1及び第2半導体素子110(1)、110(2)が装着されている。
前記封止樹脂層130は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ等の透明樹脂材料によって形成される。
図3(a)及び(b)に、それぞれ、前記バスバー用平板200の平面図及び図3(a)におけるIII(b)-III(b)線に沿った拡大断面図を示す。
かかる変形構成によれば、より多くのバスバーアッセンブリ1を同時に製造することができる。
さらに、図4(b)に、前記厚み調整工程後における前記バスバーアッセンブリ形成領域210の底面図を示す。
前記厚み調整工程は、例えば、レーザートリミング又はエッチング等により行うことができる。
図5に、前記スリット形成工程後の前記バスバー用平板200の平面図を示す。
また、図6(a)~(c)に、それぞれ、図5におけるVI(a)部拡大図、図6(a)におけるVI(b)-VI(b)線に沿った断面図及び図6(b)の底面図を示す。
斯かる構成を備えることにより、前記第1及び第2スリット219(1)、219(2)(前記第1及び第2間隙19(1)、19(2))を精度良く形成することができる。
また、図8(b)に、図8(a)におけるVIII(b)線に沿って視た、前記バスバーアッセンブリ形成領域210の部分拡大底面図を示す。
図8(b)中の符号291は、照射されるレーザー光290の照射スポットである。
また、図10に、図9(a)におけるX-X線に沿った断面図を示す。
従って、前記製造方法には、前記枠体30を形成する枠体形成処理が備えられる。
図11に、前記枠体形成処理において用いられる枠体用平板300の平面図を示す。
図12に、前記枠体側絶縁層形成工程後の前記枠体用平板300の平面図を示す。
本実施の形態においては、前記枠体側絶縁層形成工程は、中央が打ち抜かれた状態の前記枠体形成領域310の全周に絶縁性樹脂塗料を塗布して硬化させることにより、前記枠体形成領域310の全周に枠体側絶縁層40を形成するように構成されている。
好ましくは、前記枠体用平板300は、前記バスバー用平板200と同一材料によって形成される。
若しくは、前記接着剤に代えて又は加えて、前記バスバー側絶縁層20を形成する絶縁性樹脂塗膜又は前記枠体側絶縁層40を形成する絶縁性樹脂塗膜の硬化作用を利用して行うことも可能である。
即ち、前記バスバー側絶縁層形成工程後(図7(a)及び(b)に示された状態)の前記バスバー用平板200に、前記枠体形成処理後(図12に示された状態)の前記枠体用平板300を固着させ、その後に、前記枠体用平板300が固着された状態の前記バスバー用平板200に対して前記レーザー光照射工程を行うことも可能である。
なお、図中、本実施の形態におけると同一部材には同一符号を付している。
また、前記レーザー光照射工程は、前記バスバーアッセンブリ形成領域210の上面211へのレーザー光照射が削除される。
なお、図中、本実施の形態及び前記第1変形例におけると同一部材には同一符号を付している。
なお、図中、本実施の形態、前記第1変形例及び前記第2変形例におけると同一部材には同一符号を付している。
11 上面
12 上面側接続部
13 下面
13a 第1下面領域
13b 第2下面領域
14 下面側接続部
15 側面
19(1)、19(2) 第1及び第2間隙
20 バスバー側絶縁層
21 上面側積層部
22 上面側積層部の開口
23 下面側積層部
25 側面側積層部
29 間隙充填部
30 枠体
40 枠体側絶縁層
60(1)~60(3) 第1~第3バスバー
200 バスバー用平板
210 バスバーアッセンブリ形成領域
211 バスバーアッセンブリ形成領域の上面
212 上面側接続部形成領域
213 バスバーアッセンブリ形成領域の下面
213a 第1下面形成領域
213b 第2下面形成領域
213c 第1及び第2下面形成領域の境界
219(1)、219(2) 第1及び第2スリット
290 レーザー光
300 枠体用平板
310 枠体形成領域
Claims (7)
- 導電性平板状部材によって形成され、対向する側面の間に間隙が存する状態で同一平面内に配置された複数のバスバーと、前記間隙内に充填された間隙充填部及び前記複数のバスバーの下面に配置されるように前記間隙充填部から一体的に延びる下面側積層部を含むバスバー側絶縁層とを備え、前記バスバーの上面は、少なくとも一部が露出されて上面側接続部を形成し、前記バスバーの下面は、前記間隙の下端と厚み方向同一位置に位置して前記下面側積層部が設けられる第1下面領域と、前記第1下面領域より前記上面とは反対側へ突出された位置において外部に露出されて下面側接続部を形成する第2下面領域とを有しているバスバーアッセンブリの製造方法であって、
前記複数のバスバーが前記バスバー側絶縁層によって連結されてなるバスバー連結体に対応した平面視外形状を有し、且つ、前記上面及び前記第2下面領域の間の厚みと同一厚みを有するバスバーアッセンブリ形成領域を含む導電性金属製のバスバー用平板を用意する工程と、
前記バスバーアッセンブリ形成領域の下面のうち前記第1下面領域に対応した第1下面形成領域の厚みを前記バスバーの上面及び第1下面領域の間の厚みと一致させるように、前記バスバーアッセンブリ形成領域の厚みを調整する厚み調整工程と、
前記厚み調整工程の前又は後に実行されるスリット形成工程であって、前記バスバーアッセンブリ形成領域に厚み方向に貫通し且つ前記間隙と同一幅を有する一又は複数のスリットを形成して、前記複数のバスバーに対応した複数のバスバー形成部位を画するスリット形成工程と、
少なくとも前記スリット内及び前記バスバーアッセンブリ形成領域の下面の全域に絶縁性樹脂塗料を塗布し、硬化させてバスバー側絶縁層を設けるバスバー側絶縁層形成工程と、
レーザー光照射工程と、
前記バスバーアッセンブリ形成領域を前記バスバー用平板から切断する切断工程とを含み、
前記バスバーアッセンブリ形成領域は、一のバスバーを形成する一のバスバー形成部位の下面の周縁のうち、少なくとも隣接する他のバスバーを形成する他のバスバー形成部位に接する部分が前記第1下面形成領域とされており、
前記レーザー光照射工程は、一のバスバー形成部位の周縁のうち隣接する他のバスバー形成部位に接する部分の幅に基づいて設定された大きさの照射スポットを有するレーザー光を用い、当該レーザー光を、少なくとも前記第2下面領域に対応した第2下面形成領域の全域並びに前記第1及び第2下面形成領域の境界に照射して、前記スリット内には照射されない範囲内において前記第2下面形成領域の全域を露出させるように構成されていることを特徴とするバスバーアッセンブリの製造方法。 - 前記バスバー側絶縁層形成工程は、前記スリット内及び前記バスバーアッセンブリ形成領域の下面の全域に加えて、前記バスバーアッセンブリ形成領域の上面の全域にも絶縁層を設けるものとされ、
前記レーザー光照射工程は、前記バスバーアッセンブリ形成領域の上面のうち前記上面側接続部に対応した上面側接続部形成領域にレーザー光を照射して、当該上面側接続部形成領域を露出させるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。 - 前記バスバー用平板は、前記スリットの長手方向に沿った第1方向に直列配置された複数の前記バスバーアッセンブリ形成領域と、隣接する前記バスバーアッセンブリ形成領域を連結する連結領域とを一体的に有しており、
一のバスバーアッセンブリ形成領域に形成されたスリットは、長手方向一端側が当該一のバスバーアッセンブリ形成領域の第1方向一方側に連接された連結領域内へ延び且つ長手方向他端側が当該一のバスバーアッセンブリ形成領域の第1方向他方側に連接された連結領域内へ延びていることを特徴とする請求項1又は2に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。 - 前記バスバー用平板を用意する工程から前記レーザー光照射工程までの処理の前又は後、若しくは、並行して行う枠体形成処理と、前記枠体形成処理後及び前記バスバー側絶縁層形成工程後に行う平板固着工程とを含み、
前記枠体形成処理は、
前記バスバーアッセンブリ形成領域に対応した平面視形状を有する枠体形成領域を含む導電性金属製の枠体用平板を用意する工程と、
前記枠体形成領域を前記バスバーアッセンブリ形成領域に重合させた際に、少なくとも前記上面側接続部に対応した上面側接続部形成領域が平面視において囲まれた状態で上方へ露出されるように、前記枠体形成領域の中央を打ち抜く打ち抜き工程と、
中央が打ち抜かれた状態の前記枠体形成領域のうち少なくとも下面に絶縁性樹脂塗料を塗布し、硬化させて枠体側絶縁層を設ける枠体側絶縁層形成工程とを含み、
前記平板固着工程は、前記枠体形成処理後の前記枠体形成領域の下面を前記バスバー側絶縁層形成工程後の前記バスバーアッセンブリ形成領域の上面に固着させるように構成され、
前記切断工程は、前記平板固着工程後において、固着状態の前記バスバーアッセンブリ形成領域及び前記枠体形成領域を前記バスバー用平板及び前記枠体用平板から切断するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。 - 前記バスバー用平板は、前記スリットの長手方向に沿った第1方向に直列配置された複数の前記バスバーアッセンブリ形成領域と、隣接する前記バスバーアッセンブリ形成領域を連結する連結領域とを一体的に有しており、
一のバスバーアッセンブリ形成領域に形成されたスリットは、長手方向一端側が当該一のバスバーアッセンブリ形成領域の第1方向一方側に連接された連結領域内へ延び且つ長手方向他端側が当該一のバスバーアッセンブリ形成領域の第1方向他方側に連接された連結領域内へ延びており、
前記枠体用平板は、前記複数のバスバーアッセンブリ形成領域と同一ピッチで前記第1方向に直列配置された複数の前記枠体形成領域と、前記第1方向に隣接する前記枠体形成領域を連結する連結領域とを一体的に有していることを特徴とする請求項4に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。 - 前記平板固着工程は、前記レーザー光照射工程後に行われることを特徴とする請求項4又は5に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。
- 前記レーザー光照射工程は、前記平板固着工程後に行われることを特徴とする請求項4又は5に記載のバスバーアッセンブリの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020171749A JP7569656B2 (ja) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
PCT/JP2021/035020 WO2022080115A1 (ja) | 2020-10-12 | 2021-09-24 | バスバーアッセンブリ及びバスバーアッセンブリの製造方法 |
US18/031,324 US20230378736A1 (en) | 2020-10-12 | 2021-09-24 | Busbar assembly and method for manufacturing the same |
CN202180069651.4A CN116367931A (zh) | 2020-10-12 | 2021-09-24 | 汇流条组件及汇流条组件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020171749A JP7569656B2 (ja) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022063465A JP2022063465A (ja) | 2022-04-22 |
JP7569656B2 true JP7569656B2 (ja) | 2024-10-18 |
Family
ID=81207918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020171749A Active JP7569656B2 (ja) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230378736A1 (ja) |
JP (1) | JP7569656B2 (ja) |
CN (1) | CN116367931A (ja) |
WO (1) | WO2022080115A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021374A (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体パッケージ |
JP6637002B2 (ja) | 2017-09-04 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
JP2020035824A (ja) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 |
JP2020068261A (ja) | 2018-10-23 | 2020-04-30 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6637003B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ |
-
2020
- 2020-10-12 JP JP2020171749A patent/JP7569656B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-24 US US18/031,324 patent/US20230378736A1/en active Pending
- 2021-09-24 WO PCT/JP2021/035020 patent/WO2022080115A1/ja active Application Filing
- 2021-09-24 CN CN202180069651.4A patent/CN116367931A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021374A (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体パッケージ |
JP6637002B2 (ja) | 2017-09-04 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
JP2020035824A (ja) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 |
JP2020068261A (ja) | 2018-10-23 | 2020-04-30 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230378736A1 (en) | 2023-11-23 |
CN116367931A (zh) | 2023-06-30 |
JP2022063465A (ja) | 2022-04-22 |
WO2022080115A1 (ja) | 2022-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3675142B1 (en) | Method for manufacturing bus bar assembly | |
US20110303945A1 (en) | Semiconductor arrangement and method of producing a semiconductor arrangement | |
CN101930935A (zh) | 用于改善可靠性的引线框设计 | |
JP7142517B2 (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
JP7569656B2 (ja) | バスバーアッセンブリの製造方法 | |
EP3675141B1 (en) | Bus bar assembly | |
JP7606318B2 (ja) | バスバーアッセンブリの製造方法及びバスバーアッセンブリ用平板積層構造 | |
JP7201649B2 (ja) | バスバーアッセンブリ及び半導体モジュール | |
JP7535918B2 (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
US20250007266A1 (en) | Busbar assembly and method for manufacturing the same | |
JP6788767B1 (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
EP3872875A1 (en) | Bus bar assembly and manufacturing method therefor | |
US20220359101A1 (en) | Busbar assembly and method for manufacturing the same | |
JP7582829B2 (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
US20240379926A1 (en) | Light-emitting device, and method for producing light-emitting device | |
JP2024165043A (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
JP2024165042A (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
JP2025011394A (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
US7213333B2 (en) | Method for manufacturing mounting substrate and method for manufacturing circuit device | |
JP2024172922A (ja) | バスバーアッセンブリ及びその製造方法 | |
DE112021006819T5 (de) | Halbleitervorrichtung, verfahren zu deren herstellung und halbleitergehäuse | |
DE102021131049A1 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20241007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7569656 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |