JP7561108B2 - 固体撮像素子、及び固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子、及び固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7561108B2 JP7561108B2 JP2021149630A JP2021149630A JP7561108B2 JP 7561108 B2 JP7561108 B2 JP 7561108B2 JP 2021149630 A JP2021149630 A JP 2021149630A JP 2021149630 A JP2021149630 A JP 2021149630A JP 7561108 B2 JP7561108 B2 JP 7561108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- filter
- width
- solid
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 65
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 97
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 34
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 108091081062 Repeated sequence (DNA) Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
図1乃至図3を用いて固体撮像装置1の構成例を説明する。図1は、固体撮像装置1の概略構成の一例を示すブロック図である。図2は、固体撮像装置1の画素グループ10grの配置例を示す図である。図3は、画素10の回路構成例を示す図である。この固体撮像装置1は、例えば、直線状に画素を配列したリニアイメージセンサである。また、固体撮像装置1は、読み取り対象に対して、相対的に移動させることにより、読み取り対象の画像情報を取得する装置である。
次に、実施形態に係る固体撮像装置1の動作について説明をする。図4は、実施形態に関わる、固体撮像装置1の読出信号RD、バリア信号BG、転送信号SH及び画素信号Vの波形図の一例を示す図である。
図5Aは、比較例1の画素配置例を示す図である。比較例1では、主走査方向Xの1画素ピッチ、及び副走査方向Yの1画素ピッチ内の画素グループ10graに、同一形状の赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnが配置される。この例では、長方形状の赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnを主走査方向Xに並列させている。
図7は、変形例1に係る画素グループ10grの構成例を示す図である。図7に示すように、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnの副走査方向Yの大きさを画素ピッチの1倍より大きく、2倍未満とした点で第1実施形態に係る画素例と相違する。すなわち、変形例1に係る固体撮像装置1は、副走査方向Yにおいて画像データの撮像領域に重複を生じさせることが可能となる。
図8は、変形例2に係る画素グループ10grdの構成例を示す図である。図8に示すように、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内を3分割することで、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnが配置される。より具体的には、長方形に三角形を加えた形状の青色画素Bnと、青色画素Bnの形状を180度回転した赤色画素Rnとに挟まれる形状の緑色画素Gnが配置される。青色画素Bnの形状と緑色画素Gnの形状と赤色画素Rnの形状が異なっている。主走査方向Xの画素開口は、どの色も広くなっており、例えば1画素ピッチの3分の2の広がりを有しており、主走査方向Xの色分布の情報をより多く取得できる。また、縦の副走査方向Yの画素開口も1画素ピッチ分の幅を有し、画素感度がより高くなる。さらに、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチの重心部に緑色画素Gnを配置する。すなわち、画素グループ10grdの重心部に緑色画素Gnの主領域AGを配置する。これにより、緑色画素Gnの開口が画素ピッチの中心に広く設けられるので、読み取り時に主走査方向X又は副走査方向Yの機械的なずれが生じても縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内の画像の輪郭が得られ易くなる。
図9は、変形例3に係る画素グループ10greの構成例を示す図である。図9に示すように、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnの副走査方向Yの大きさを画素ピッチの1倍より大きく、2倍未満とした点で変形例2に係る画素例と相違する。すなわち、変形例3に係る固体撮像装置1は、副走査方向Yにおいて画像データの撮像領域に重複を生じさせることが可能となる。
図10は、変形例2に係る画素グループ10grfの構成例を示す図である。図10に示すように、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内を3分割することで、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnが配置される。より具体的には、コの字形状に2つの三角形を重ねた形状の青色画素Bnと、青色画素Bnの形状を180度回転した赤色画素Rnとに挟まれる形状の緑色画素Gnが配置される。青色画素Bnの形状と緑色画素Gnの形状と赤色画素Rnの形状が異なっている。主走査方向Xの画素開口は、どの色も広くなっており、例えば1画素ピッチの3分の2の広がりを有しており、主走査方向Xの色分布の情報をより多く取得できる。また、縦の副走査方向Yの画素開口も1画素ピッチ分の幅を有し、画素感度がより高くなる。さらに、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチの重心部に緑色画素Gnを配置する。すなわち、画素グループ10grfの重心部に緑色画素Gnの主領域AGを配置する。これにより、緑色画素Gnの開口が画素ピッチの中心に広く設けられるので、読み取り時に主走査方向X又は副走査方向Yの機械的なずれが生じても縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内の画像の輪郭が得られ易くなる。
図11は、変形例5に係る画素グループ10grfの構成例を示す図である。図11に示すように、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnの副走査方向Yの大きさを画素ピッチの1倍より大きく、2倍未満とした点で変形例2に係る画素例と相違する。すなわち、変形例3に係る固体撮像装置1は、副走査方向Yにおいて画像データの撮像領域に重複を生じさせることが可能となる。
図12は、変形例6に係る画素グループ10grhの構成例を示す図である。図12に示すように、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内を3分割することで、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnが配置される。より具体的には、カタカナのヒ形状の青色画素Bnと、カタカナのフ形状の赤色画素Rnとに挟まれる下凸形状の緑色画素Gnが配置される。青色画素Bnの形状と緑色画素Gnの形状と赤色画素Rnの形状が異なっている。主走査方向Xの画素開口は、どの色も広くなっており、例えば1画素ピッチの3分の2の広がりを有しており、主走査方向Xの色分布の情報をより多く取得できる。また、縦の副走査方向Yの画素開口も1画素ピッチ分の幅を有し、画素感度がより高くなる。さらに、縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチの重心部に緑色画素Gnを配置する。すなわち、画素グループ10grhの重心部に緑色画素Gnの主領域AGを配置する。これにより、緑色画素Gnの開口が画素ピッチの中心に広く設けられるので、読み取り時に主走査方向X又は副走査方向Yの機械的なずれが生じても縦1画素ピッチ及び横1画素ピッチ内の画像の輪郭が得られ易くなる。
図13は、変形例3に係る画素グループ10grjの構成例を示す図である。図9に示すように、赤色画素Rn、緑色画素Gn、及び青色画素Bnの副走査方向Yの大きさを画素ピッチの1倍より大きく、2倍未満とした点で変形例2に係る画素例と相違する。すなわち、変形例3に係る固体撮像装置1は、副走査方向Yにおいて画像データの撮像領域に重複を生じさせることが可能となる。
前記光電変換部と、前記フィルタと、を有する光電変換層と、
電荷転送回路と、前記電荷電圧変換回路と、を有する制御素子層と、は積層される、請求項10に記載の固体撮像装置。
前記光電変換部は、フォトダイオードである、請求項10に記載の固体撮像装置。
前記フィルタは、それぞれが異なる特定波長範囲を通す第1フィルタ、第2フィルタ、及び第3フィルタの少なくともいずれかであり、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、及び前記第3フィルタが順に繰り返し配置される、請求項10に記載の固体撮像装置。
前記第1フィルタの前記1方向の幅が前記第2方向に対して、次第に大きくなる場合に、前記第3フィルタの前記1方向の幅が前記第2方向に対して、次第に小さくなる、請求項13に記載の固体撮像装置。
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、及び前記第3フィルタの前記1方向の幅の合計値は、前記1方向の解像度に対応する1画素ピッチの幅の値である、請求項13に記載の固体撮像装置。
前記第3フィルタは、前記第1フィルタを180度回転させた形状を有する、請求項13に記載の固体撮像装置。
前記第1フィルタは、前記第2方向に対して、所定点まで一定の幅を有し、前記所定点を超えると前記一定の幅よりも幅が広くなる、請求項13に記載の固体撮像装置。
前記第1フィルタは赤色フィルタに対応し、前記第2フィルタは緑色フィルタに対応し、前記第3フィルタは青色フィルタに対応する、請求項13に記載の固体撮像装置。
制御回路を更に有し、
前記制御回路は、前記信号電荷の蓄積周期を制御する、請求項13に記載の固体撮像装置。
前記制御回路は、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、及び前記第3フィルタを有する同一グループ内の画素の蓄積周期を同様に制御する、
請求項19に記載の固体撮像装置。
Claims (7)
- 第1方向に沿って順に配置された複数の画素を備え、
前記複数の画素は、
平面形状の光電変換部と、
前記光電変換部の形状に対応し、それぞれが異なる特定波長範囲の光を通す平面形状の第1フィルタ、第2フィルタ、及び第3フィルタが順に繰り返し配置され、幅の合計値は、前記第1方向の解像度に対応する1画素ピッチの幅の値であるフィルタと、を有し、
前記第2フィルタは、前記1画素ピッチの中点位置を含んで配置され、前記第1方向の幅は、前記中点位置から前記第1方向に直交する第2方向及び前記第2方向の反対方向の所定範囲で前記第1フィルタ、及び前記第3フィルタのそれぞれにおける前記第1方向の幅よりも広く構成され、
前記第1フィルタ、及び前記第3フィルタのそれぞれは、前記第2方向のいずれかの位置で、前記1画素ピッチの幅の3分の1よりも大きな前記第1方向の幅を有し、且つ、前記第2方向に前記第2方向の1画素ピッチ分の幅を有する、固体撮像素子。 - 前記第1フィルタの前記第1方向の幅が前記第2方向に対して、次第に大きくなる場合に、前記第3フィルタの前記第1方向の幅が前記第2方向に対して、次第に小さくなる、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第3フィルタは、前記第1フィルタを180度回転させた形状を有する、請求項1又は2に記載の固体撮像素子。
- 前記第1フィルタは、前記第2方向に対して、所定点まで一定の幅を有し、前記所定点を超えると前記一定の幅よりも幅が広くなる、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記第1フィルタは赤色フィルタに対応し、前記第2フィルタは緑色フィルタに対応し、前記第3フィルタは青色フィルタに対応する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記フィルタの前記第2方向における長さは、前記第2方向の解像度に対応する前記1画素ピッチよりも長く、2画素ピッチよりも短い、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 第1方向に沿って順に配置された平面形状の複数の光電変換部と、
前記光電変換部の形状に対応し、それぞれが異なる特定波長範囲の光を通す平面形状の第1フィルタ、第2フィルタ、及び第3フィルタが順に繰り返し配置され、幅の合計値は、前記第1方向の解像度に対応する1画素ピッチの幅の値であるフィルタと、
前記複数の光電変換部から信号電荷を読み出して転送する電荷転送回路と、
前記電荷転送回路から転送された信号電荷を信号電圧に変換し、出力回路に画素信号を出力する電荷電圧変換回路と、を備え、
前記第2フィルタは、前記1画素ピッチの中点位置を含んで配置され、前記第1方向の幅は、前記中点位置から前記第1方向に直交する第2方向及び前記第2方向の反対方向の所定範囲で前記第1フィルタ、及び前記第3フィルタのそれぞれにおける前記第1方向の幅よりも広く構成され、
前記第1フィルタ、及び前記第3フィルタのそれぞれは、前記第2方向のいずれかの位置で、前記1画素ピッチの幅の3分の1よりも大きな前記第1方向の幅を有し、且つ、前記第2方向に前記第2方向の1画素ピッチ分の幅を有する、固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021149630A JP7561108B2 (ja) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 固体撮像素子、及び固体撮像装置 |
CN202210078744.XA CN115914862A (zh) | 2021-09-14 | 2022-01-24 | 固体拍摄元件以及固体拍摄装置 |
US17/684,159 US12108171B2 (en) | 2021-09-14 | 2022-03-01 | Solid state imaging unit and solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021149630A JP7561108B2 (ja) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 固体撮像素子、及び固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023042368A JP2023042368A (ja) | 2023-03-27 |
JP7561108B2 true JP7561108B2 (ja) | 2024-10-03 |
Family
ID=85479791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021149630A Active JP7561108B2 (ja) | 2021-09-14 | 2021-09-14 | 固体撮像素子、及び固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12108171B2 (ja) |
JP (1) | JP7561108B2 (ja) |
CN (1) | CN115914862A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011004318A (ja) | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 撮像素子、電荷読み出し方法、撮像装置 |
JP2013258168A (ja) | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
US20190157329A1 (en) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04369268A (ja) | 1991-06-17 | 1992-12-22 | Hitachi Ltd | Ccd固体撮像素子 |
JPH08163314A (ja) | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH08251347A (ja) | 1995-03-09 | 1996-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 同期加算式カラーリニアイメージセンサ |
JP2003318386A (ja) | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | リニアイメージセンサ |
US7091464B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-08-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image sensor |
US7109488B2 (en) * | 2004-02-26 | 2006-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multi-color infrared imaging device |
JP4858281B2 (ja) | 2006-05-16 | 2012-01-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7675560B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-03-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Solid-state image sensing device |
WO2011053711A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Invisage Technologies, Inc. | Systems and methods for color binning |
JP2016018962A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
WO2019078336A1 (ja) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | ソニー株式会社 | 撮像装置および信号処理装置 |
US20210104561A1 (en) * | 2019-10-07 | 2021-04-08 | Nikon Corporation | Sub-pixel resolution for an individual observation of ionizing radiation by electrode gerrymandering |
-
2021
- 2021-09-14 JP JP2021149630A patent/JP7561108B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-24 CN CN202210078744.XA patent/CN115914862A/zh active Pending
- 2022-03-01 US US17/684,159 patent/US12108171B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011004318A (ja) | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Sony Corp | 撮像素子、電荷読み出し方法、撮像装置 |
JP2013258168A (ja) | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および撮像装置 |
US20190157329A1 (en) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230077483A1 (en) | 2023-03-16 |
CN115914862A (zh) | 2023-04-04 |
JP2023042368A (ja) | 2023-03-27 |
US12108171B2 (en) | 2024-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10204954B2 (en) | Photoelectric conversion element, image reading device, and image forming apparatus | |
JP4457326B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7440019B2 (en) | Solid-state image pick-up device | |
US8717471B2 (en) | Solid-state imaging device applied to CMOS image sensor | |
US9813681B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
US6961157B2 (en) | Imaging apparatus having multiple linear photosensor arrays with different spatial resolutions | |
US20050052552A1 (en) | Image device for adding signals including same color component | |
US9270914B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
JP2009117979A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
US7714916B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP7561108B2 (ja) | 固体撮像素子、及び固体撮像装置 | |
US10855944B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
EP1471726B1 (en) | Image sensor array | |
KR20220051240A (ko) | 이미지 캡쳐 방법, 카메라 어셈블리 및 모바일 터미널 | |
JP2009055273A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP6257348B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び複写機 | |
JPH0399574A (ja) | カラーイメージセンサ | |
US7091464B2 (en) | Image sensor | |
US9380183B2 (en) | Image sensing device | |
JP2009022041A (ja) | リニアイメージセンサ | |
JP2006246337A (ja) | 固体撮像素子およびその信号読出し方法 | |
JP2008005387A (ja) | 撮像装置および画像読取装置 | |
US20090086079A1 (en) | Ccd type solid-state imaging device | |
JPH0514597A (ja) | 1次元カラーイメージセンサ | |
JP2009022040A (ja) | リニアイメージセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7561108 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |