JP7550790B2 - ランダムアクセス方法及び端末 - Google Patents
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Description
本出願は、2019年4月26日に中国で提出された中国特許出願番号No.201910345900.2の優先権を主張しており、同出願の内容の全ては、ここに参照として取り込まれる。
本開示は、通信技術分野に関し、特にランダムアクセス方法及び端末に関する。
少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのビーム測定結果を取得することと、
前記ビーム測定結果及び第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択することと、
前記ターゲットセル上でランダムアクセスプロセスを開始することとを含む。
少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのビーム測定結果を取得するための第一の取得モジュールと、
前記ビーム測定結果及び第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択するための第一の選択モジュールと、
前記ターゲットセル上でランダムアクセスプロセスを開始するための開始モジュールとを含む。
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下は、本開示の実施例において使用される必要がある添付図面を簡単に紹介する。自明なことに、以下の記述における添付図面は、ただ本開示のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、創造的な労力を払わない前提で、それらの添付図面に基づき、他の添付図面を取得することもできる。
チャネル状態情報リファレンス信号(Channel State Information Reference Signal、CSI-RS)の測定結果と、
同期信号ブロック(Synchronization Signal and PBCH block、SSB)の測定結果と、
復調リファレンス信号(Demodulation Reference Signal、DMRS)の測定結果と、
他のリファレンス信号の測定結果と、のうちの少なくとも一つを含んでもよいが、それらに限らない。
リファレンス信号受信パワー(Reference Signal Receiving Power、RSRP)と、
リファレンス信号受信品質(Reference Signal Received Quality、RSRQ)と、
信号対干渉とノイズ比(Signal to Interference plus Noise Ratio、SINR)と、
チャネル品質指示(Channel Quality Indicator、CQI)と、のうちの少なくとも一つを含んでもよいが、それらに限らない。
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、そのうち、この関連パラメータは、例えば予め設定された閾値、予め設定された数などであることと、
端末において第二の判断条件の関連パラメータが配置されておらず、そのうち、この関連パラメータは、例えば予め設定された閾値、予め設定された平均化を必要とするビーム数などであることと、
端末において第一の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された数など)が配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された平均化を必要とするビーム数など)が配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであってもよく、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。上記予め設定された平均化を必要とするビーム数は、セル測定結果を決定するために用いられる。即ち、セル測定結果を計算する時、予め設定された数のビーム又は予め設定された閾値よりも高い予め設定された数のビームの測定結果の平均値に基づいて、セル測定結果を取得する。
潜在的ターゲットセルに存在するビームの測定結果が第一の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第一のビームの数が第一の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第一のビームの測定結果が第二の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第二のビームの数がサービングセルにおける第三のビームの数以上であり、そのうち、前記第二のビームの測定結果が第三の予め設定された閾値を下回らず、前記第三のビームの測定結果が第四の予め設定された閾値を下回らず、理解できるように、第三の予め設定された閾値と第四の予め設定された閾値とが同じであっても異なっていてもよいことと、
潜在的ターゲットセルにおける第四のビームの数とサービングセルにおける第五のビームの数との差値が第二の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第四のビームの測定結果が第五の予め設定された閾値を下回らず、前記第五のビームの測定結果が第六の予め設定された閾値を下回らず、理解できるように、第五の予め設定された閾値と第六の予め設定された閾値とが同じであっても異なっていてもよいことと、のうちのいずれか一つを含んでもよいが、それらに限らない。
少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのセル測定結果を取得することをさらに含み、
上記ステップ102は、
ビーム測定結果、セル測定結果及び前記第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択することを含む。
潜在的ターゲットセルのビーム測定結果が第一の判断条件を満たし、且つ前記潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第二の判断条件を満たすことであってもよい。
複数の前記潜在的ターゲットセルのセル測定結果が前記第二の判断条件を満たす場合、第六のビームの数が最も多い潜在的ターゲットセルを前記ターゲットセルとして選択するか、又は、第七のビームの数が第三の予め設定された数よりも大きいいずれか一つの潜在的ターゲットセルを前記ターゲットセルとして選択することを含んでもよく、
そのうち、前記第六のビームの測定結果は第一の判断条件を満たし、前記第七のビームの測定結果は前記第一の判断条件を満たす。
サービングセルのセル測定結果が第一の絶対閾値よりも優れているというイベントA1と、
サービングセルのセル測定結果が第二の絶対閾値よりも悪いというイベントA2と、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果がサービングセルのセル測定結果よりも優れているというイベントA3と、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第三の絶対閾値よりも優れているというイベントA4と、
サービングセルのセル測定結果が第四の絶対閾値よりも悪く、且つ潜在的セルのセル測定結果が第五の絶対閾値よりも優れているというイベントA5と、のうちの少なくとも一つを含んでもよい。
端末において第一の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された数など)が配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された平均化を必要とするビーム数など)が配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであってもよく、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。
前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのセル測定結果を取得することと、
前記セル測定結果及び第二の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択することとをさらに含み、
そのうち、前記第二の条件付き切り替えトリガ条件は、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第二の判断条件を満たすことである。
端末において第一の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された数など)が配置されていないことと、
端末において第二の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された平均化を必要とするビーム数など)が配置されていることと、
端末において第一の判断条件の関連パラメータ(例えば予め設定された閾値、予め設定された数など)が配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、セル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであってもよく、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。この第一の判断条件と第二の判断条件は、上述したとおりであってもよい。ここでは説明を省略する。
少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのビーム測定結果を取得するための第一の取得モジュール21と、
前記ビーム測定結果及び第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択するための第一の選択モジュール22と、
前記ターゲットセル上でランダムアクセスプロセスを開始するための開始モジュール23とを含む。
潜在的ターゲットセルのビーム測定結果が第一の判断条件を満たすことである。
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において第二の判断条件の関連パラメータが配置されていないことと、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果及びセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。
前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのセル測定結果を取得するための第二の取得モジュールをさらに含み、
前記第一の選択モジュールは、具体的には、
前記ビーム測定結果、前記セル測定結果及び前記第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルから前記ターゲットセルを選択するために用いられる。
潜在的ターゲットセルのビーム測定結果が第一の判断条件を満たし、且つ前記潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第二の判断条件を満たすことである。
潜在的ターゲットセルに存在するビームの測定結果が第一の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第一のビームの数が第一の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第一のビームの測定結果が第二の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第二のビームの数がサービングセルにおける第三のビームの数以上であり、そのうち、前記第二のビームの測定結果が第三の予め設定された閾値を下回らず、前記第三のビームの測定結果が第四の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第四のビームの数とサービングセルにおける第五のビームの数との差値が第二の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第四のビームの測定結果が第五の予め設定された閾値を下回らず、前記第五のビームの測定結果が第六の予め設定された閾値を下回らないことと、のうちのいずれか一つを含む。
サービングセルのセル測定結果が第一の絶対閾値よりも優れているというイベントと、
サービングセルのセル測定結果が第二の絶対閾値よりも悪いというイベントと、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果がサービングセルのセル測定結果よりも優れているというイベントと、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第三の絶対閾値よりも優れているというイベントと、
サービングセルのセル測定結果が第四の絶対閾値よりも悪く、且つ潜在的セルのセル測定結果が第五の絶対閾値よりも優れているというイベントと、のうちの少なくとも一つを含む。
複数の前記潜在的ターゲットセルのセル測定結果が前記第二の判断条件を満たす場合、第六のビームの数が最も多い潜在的ターゲットセルを前記ターゲットセルとして選択するか、又は、第七のビームの数が第三の予め設定された数よりも大きいいずれか一つの潜在的ターゲットセルを前記ターゲットセルとして選択するために用いられ、
そのうち、前記第六のビームの測定結果は前記第一の判断条件を満たし、前記第七のビームの測定結果は前記第一の判断条件を満たす。
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。
前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのセル測定結果を取得するための第三の取得モジュールと、
前記セル測定結果及び第二の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択するための第二の選択モジュールとをさらに含み、
そのうち、前記第二の条件付き切り替えトリガ条件は、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第二の判断条件を満たすことである。
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されていないことと、
端末において第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、セル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていること、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である。
CSI-RSの測定結果と、
SSBの測定結果と、
DMRSの測定結果と、
他のリファレンス信号の測定結果と、のうちの少なくとも一つを含む。
RSRPと、RSRQと、SINRと、CQIと、のうちの少なくとも一つを含む。
Claims (8)
- 端末に用いられるランダムアクセス方法であって、
少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのビーム測定結果を取得することと、
前記ビーム測定結果及び第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択することと、
前記ターゲットセル上でランダムアクセスプロセスを開始することとを含み、
前記第一の条件付き切り替えトリガ条件が、ビーム測定結果のみに関し、前記第一の条件付き切り替えトリガ条件が、潜在的ターゲットセルのビーム測定結果が第一の判断条件を満たすことである場合、
前記第一の条件付き切り替えトリガ条件を採用する前提条件は、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果に基づいて第一の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果及びセル測定結果に基づいて第一の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第一の判断条件の関連パラメータは、ビーム測定結果に基づく条件付き切り替えトリガ条件に対応する閾値パラメータであり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件の関連パラメータは、セル測定結果に基づく条件付き切り替えトリガ条件に対応する閾値パラメータである、方法。 - 前記第一の判断条件は、
潜在的ターゲットセルに存在するビームの測定結果が第一の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第一のビームの数が第一の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第一のビームの測定結果が第二の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第二のビームの数がサービングセルにおける第三のビームの数以上であり、そのうち、前記第二のビームの測定結果が第三の予め設定された閾値を下回らず、前記第三のビームの測定結果が第四の予め設定された閾値を下回らないことと、
潜在的ターゲットセルにおける第四のビームの数とサービングセルにおける第五のビームの数との差値が第二の予め設定された数以上であり、そのうち、前記第四のビームの測定結果が第五の予め設定された閾値を下回らず、前記第五のビームの測定結果が第六の予め設定された閾値を下回らないことと、のうちのいずれか一つを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのセル測定結果を取得することと、
前記セル測定結果及び第二の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択することとをさらに含み、
そのうち、前記第二の条件付き切り替えトリガ条件は、
潜在的ターゲットセルのセル測定結果が第二の判断条件を満たすことである、請求項1に記載の方法。 - 前記第二の条件付き切り替えトリガ条件を採用する前提条件は、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されていないことと、
端末において第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、セル測定結果に基づいて第二の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果とセル測定結果に基づいて第二の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件である、請求項3に記載の方法。 - 前記ビーム測定結果は、
チャネル状態情報リファレンス信号CSI-RSの測定結果と、
同期信号ブロックSSBの測定結果と、
復調リファレンス信号DMRSの測定結果と、
他のリファレンス信号の測定結果と、のうちの少なくとも一つを含み、
前記測定結果は、
リファレンス信号受信パワーRSRPと、
リファレンス信号受信品質RSRQと、
信号対干渉とノイズ比SINRと、
チャネル品質指示CQIと、のうちの少なくとも一つを含む、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも一つの潜在的ターゲットセルのビーム測定結果を取得するための第一の取得モジュールと、
前記ビーム測定結果及び第一の条件付き切り替えトリガ条件に基づいて、前記少なくとも一つの潜在的ターゲットセルからターゲットセルを選択するための第一の選択モジュールと、
前記ターゲットセル上でランダムアクセスプロセスを開始するための開始モジュールとを含み、
前記第一の条件付き切り替えトリガ条件が、ビーム測定結果のみに関し、前記第一の条件付き切り替えトリガ条件が潜在的ターゲットセルのビーム測定結果が第一の判断条件を満たすことである場合、
前記第一の条件付き切り替えトリガ条件を採用する前提条件は、
端末において第一の判断条件の関連パラメータが配置されており、且つ第二の判断条件の関連パラメータが配置されていることと、
端末において、ビーム測定結果に基づいて第一の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するか、又は、ビーム測定結果及びセル測定結果に基づいて第一の条件付き切り替えトリガ条件の判断を行うよう明示的又は非明示的に指示するための指示情報が配置されていることと、のうちのいずれか一つであり、
そのうち、前記第一の判断条件は、ビーム測定結果に対応する条件であり、前記第一の判断条件の関連パラメータは、ビーム測定結果に基づく条件付き切り替えトリガ条件に対応する閾値パラメータであり、前記第二の判断条件は、セル測定結果に対応する条件であり、前記第二の判断条件の関連パラメータは、セル測定結果に基づく条件付き切り替えトリガ条件に対応する閾値パラメータである、端末。 - メモリと、プロセッサと、前記メモリに記憶されており、且つ前記プロセッサ上で運行できるコンピュータプログラムとを含み、前記コンピュータプログラムが前記プロセッサによって実行される時、請求項1~5のいずれか1項に記載のランダムアクセス方法のステップを実現させる、端末。
- コンピュータプログラムが記憶されており、前記コンピュータプログラムがプロセッサによって実行される時、請求項1~5のいずれか1項に記載のランダムアクセス方法のステップを実現させる、コンピュータ可読記憶媒体。
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