JP7549117B1 - 調光フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適した調光フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の調光フィルムＸは、基材フィルム１０と、電極層２０と、調光層３０と、電極層４０とを、厚さ方向Ｈにこの順で備える。電極層２０は、インジウム含有導電性酸化物層である。電極層２０は、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有する。電極層２０は、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向Ｈにおいて複数の結晶粒を含む領域を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、調光フィルムに関する。

建物および乗り物等の窓ガラスに貼り合わされる調光フィルムが知られている。調光フィルムは、調光部と、当該調光部を支持する透明な基材フィルムとを備える。調光部は、例えば、透明導電層と、調光層と、透明導電層とを、厚さ方向にこの順で備える。調光層は、二つの透明導電層によって挟まれる。調光層は、エレクトクロミック（ＥＣ）材料から形成される。ＥＣ材料は、例えば、電気化学的酸化還元により、有色の非透明状態と無色の透明状態との間で可逆的に変化可能な材料である。各透明導電層は、電極層である。電極（透明導電層）間の電圧のオン・オフにより、調光層が、例えば、非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で切り替えられる。このような調光フィルムが貼り合わされた窓ガラスでは、電極間の電圧のオン・オフにより、当該調光フィルム付き窓ガラスに対する可視光などの光の透過率が、切り替えられる（光透過率のスイッチング制御）。このような調光フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。

特開２０１９－１０１２０６号公報

建物内および乗り物内の快適性向上および冷房負荷の低減等の観点から、調光フィルムには、太陽光に対する遮熱性を有することが求められる。

一方、本発明者らは、調光フィルムに関し、次のような知見を得た。電極（透明導電層）は、太陽光中の熱線（放射によって熱を伝える近赤外線等の電磁波）に対して有意な反射性を有する自由電子を、キャリアとして含有する。調光フィルムでは、そのような電極が、調光層に対して全面的に設けられている。すなわち、調光フィルムにおける面方向での電極の占有面積割合は、大きい。このような調光フィルムでは、電極におけるキャリア数の調整により、太陽光に対する同フィルムの遮熱性を効率よく制御できる。本発明は、このような知見に基づく。

本発明は、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適した調光フィルムを提供する。

本発明［１］は、基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備える調光フィルムであって、前記第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であり、前記第１電極層が、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、前記第１電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、調光フィルムを含む。

本発明［２］は、前記インジウム含有導電性酸化物が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物である、上記［１］に記載の調光フィルムを含む。

本発明［３］は、前記第２電極層が、インジウム含有導電性酸化物層である、上記［１］または［２］に記載の調光フィルムを含む。

本発明［４］は、前記第２電極層における前記インジウム含有導電性酸化物が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物である、上記［３］に記載の調光フィルムを含む。

本発明［５］は、前記第２電極層が、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有する、上記［１］から［４］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。

本発明［６］は、前記第２電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層である、上記［１］から［５］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。

本発明［７］は、前記第２電極層が、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、上記［６］に記載の調光フィルムを含む。

本発明［８］は、前記基材フィルムが、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する、上記［１］から［７］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。

本発明［９］は、波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率が５０％以下である、上記［１］から［８］のいずれか一つに記載の調光フィルムを含む。

本発明の調光フィルムは、上記のように、基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備え、第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する。このような調光フィルムは、第１電極層における平面視の単位面積あたりの自由電子数（キャリア数）を確保するのに適する。第１電極層における単位面積あたりの自由電子数が多いほど、当該第１電極層の、太陽光中の熱線に対する反射性は高い。熱線に対する第１電極層の反射性が高いほど、そのような第１電極層を備える調光フィルムの、熱線に対する遮蔽性（遮熱性）は高い。したがって、本発明の調光フィルムは、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適する。

本発明の調光フィルムの一実施形態の断面模式図である。 図１に示す調光フィルムの部分拡大断面図である。 図１に示す調光フィルムの他の部分拡大断面図である。 図１に示す調光フィルムの製造方法の一例における一部の工程を表す。図４Ａは基材フィルム用意工程を表し、図４Ｂは透明導電層形成工程を表し、図４Ｃは結晶化工程を表し、図４Ｄは調光層形成工程を表す。 図４Ｄに示す工程の後の貼合せ工程を表す。

本発明の一実施形態としての調光フィルムＸは、基材フィルム１０（第１基材フィルム）と、電極層２０（第１電極層）と、調光層３０と、電極層４０（第２電極層）と、基材フィルム５０（第２基材フィルム）とを、厚さ方向Ｈにこの順で備える。基材フィルム１０は、第１面１０ａと、当該第１面１０ａとは反対側の第２面１０ｂとを有する。電極層２０は、第１面１０ａ上に配置されている。電極層２０と第１面１０ａとは、互いに接する。調光層３０は、電極層２０上に配置されている。調光層３０と電極層２０とは、互いに接する。電極層４０は、調光層３０上に配置されている。電極層４０と調光層３０とは、互いに接する。基材フィルム５０は、電極層４０上に配置されている。基材フィルム５０は、電極層４０側の第１面５０ａと、当該第１面５０ａとは反対側の第２面５０ｂとを有する。電極層４０と第１面５０ａとは、互いに接する。また、調光フィルムＸは、厚さ方向Ｈと直交する方向（面方向）に広がるシート形状を有する。

調光フィルムＸにおいて、基材フィルム１０と電極層２０とは、電極付き基材フィルムＹ１を形成する。

基材フィルム１０は、本実施形態では、樹脂フィルム１１と、硬化樹脂層１２とを、厚さ方向Ｈに順に備える。硬化樹脂層１２は、樹脂フィルム１１に接する。硬化樹脂層１２は、基材フィルム１０の第１面１０ａを形成する。

樹脂フィルム１１は、調光フィルムＸの強度を確保する基材である。また、樹脂フィルム１１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。樹脂フィルム１１の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。樹脂フィルム１１の材料は、透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂であり、より好ましくはＰＥＴである。

樹脂フィルム１１における硬化樹脂層１２側の表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる（後記の樹脂フィルム５１に関する表面改質処理についても同様である）。

樹脂フィルム１１の厚さは、調光フィルムＸの強度を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、更に好ましくは３０μｍ以上である。樹脂フィルム１１の厚さは、ロールトゥロール方式における樹脂フィルム１１の取り扱い性を確保する観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１５０μｍ以下である。樹脂フィルム１１の厚さは、調光フィルムＸの強度と取り扱い性との両立の観点から、好ましくは１０～３００μｍ、より好ましくは２０～２００μｍ、更に好ましくは３０～１５０μｍである。

樹脂フィルム１１の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。樹脂フィルム１１の可視光透過率は、例えば１００％以下である。可視光透過率とは、波長３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲での透過率とする。

硬化樹脂層１２は、本実施形態では、調光フィルムＸの光学特性を良化するための光学調整層（屈折率調整層）である。硬化樹脂層１２は、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）において、樹脂フィルム１１から発生する水分や有機ガスを遮断する機能を有してもよい。硬化樹脂層１２は、本実施形態では、硬化型の第１樹脂組成物の硬化物である。第１樹脂組成物は、樹脂を含有する。当該樹脂としては、例えば、メラミン樹脂、アルキド樹脂、有機シラン縮合物、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、およびエポキシ樹脂が挙げられる。これら樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第１樹脂組成物中の樹脂は、基材フィルム１０に対する電極層２０の密着性を確保する観点から、好ましくは、メラミン樹脂、アルキド樹脂および有機シラン縮合物からなる群より選択される少なくとも一つである。また、第１樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。

硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性を良化する観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、一層好ましくは３０ｎｍ以上である。硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは５０ｎｍ以下、一層好ましくは４０ｎｍ以下である。硬化樹脂層１２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性と薄型化との両立の観点から、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは１０～１００ｎｍ、更に好ましくは２０～５０ｎｍ、一層好ましくは３０～４０ｎｍである。

基材フィルム１０は、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に他の硬化樹脂層を有してもよい。他の硬化樹脂層としては、例えば、ハードコート層およびアンチブロッキング層が挙げられる。図１では、基材フィルム１０における他の硬化樹脂層を、硬化樹脂層１３として仮想線で示す。

他の硬化樹脂層は、例えば、硬化型の第２樹脂組成物の硬化物である。第２樹脂組成物は、樹脂を含有する。当該樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。第２樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。

第２樹脂組成物は、粒子を含有してもよい。当該粒子としては、例えば、無機酸化物粒子および有機粒子が挙げられる。無機酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。粒子は、好ましくは無機酸化物粒子であり、より好ましくは、シリカ粒子およびジルコニア粒子からなる群より選択される少なくとも一つである。

他の硬化樹脂層の厚さは、当該硬化樹脂層の機能を確保する観点から、好ましくは０.５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは２μｍ以上である。この硬化樹脂層の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。この硬化樹脂層の厚さは、同層の機能確保と調光フィルムＸの薄型化との両立の観点から、好ましくは０.５～１０μｍ、より好ましくは１～５μｍ、更に好ましくは２～３μｍである。

基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの取り扱い性を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上、更に好ましくは５０μｍ以上、一層好ましくは６０μｍ以上である。基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは２００μｍ以下、一層好ましくは１５０μｍ以下である。基材フィルム１０の厚さは、調光フィルムＸの取り扱い性と薄型化との両立の観点から、好ましくは１０～５００μｍ、より好ましくは３０～３００μｍ、更に好ましくは５０～２００μｍ、一層好ましくは６０～１５０μｍである。

基材フィルム１０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム１０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。

基材フィルム１０は、好ましくは、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する（各層は図示略）。近赤外線吸収層とは、近赤外線（波長７００ｎｍ～２５００ｎｍ）に対して有意な吸収能を示す層を意味する。近赤外線反射層とは、近赤外線（波長７００ｎｍ～２５００ｎｍ）に対して有意な反射能を示す層を意味する。

近赤外線吸収層は、樹脂フィルム１１と硬化樹脂層１２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム１１が、近赤外線吸収層であってもよいし、近赤外線吸収層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線吸収層は、例えば、近赤外線吸収剤と、バインダー樹脂とを含む。近赤外線吸収剤としては、例えば、無機近赤外線吸収剤および有機近赤外線吸収剤が挙げられる。無機近赤外線吸収剤としては、例えば、ＣＦＭ複合酸化物粒子および酸化タングステン粒子が挙げられる。ＣＦＭ複合酸化物とは、銅と鉄とマンガンとの複合酸化物である。バインダー樹脂の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。

近赤外線反射層は、樹脂フィルム１１と硬化樹脂層１２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム１１に対して硬化樹脂層１２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム１１が、近赤外線反射層であってもよいし、近赤外線反射層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線反射層は、例えば、光学特性の異なる複数の樹脂薄層を含む多層構造を有し、好ましくは、光学特性の異なる第１樹脂薄層および第２樹脂薄層が厚さ方向Ｈに交互に配置された多層構造を有する。光学特性としては、例えば、面内平均屈折率が挙げられる。第１樹脂薄層と第２樹脂薄層との面内平均屈折率の差は、好ましくは０.０１以上、より好ましくは０.０３以上であり、また、好ましくは０.１５以下、より好ましくは０.１２以下である。多層構造を形成する樹脂薄層の積層数は、例えば２０以上であり、また、例えば７００以下である。樹脂薄層の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。

電極層２０は、光透過性と導電性とを兼ね備える層である。このような電極層２０は、透明導電材料から形成されている。すなわち、電極層２０は透明導電層である。

電極層２０は、透明導電材料としてのインジウム含有導電性酸化物から形成されている。すなわち、電極層２０は、インジウム含有導電性酸化物層である。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、インジウム含有導電性酸化物は、好ましくはＩＴＯである。このＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。

ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）および酸化スズ（ＳｎＯ_２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合（酸化スズ割合）は、後述の結晶化工程（図４Ｃ）にて透明導電層中の結晶粒の成長を適度に抑制して、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１１質量％以上、より好ましくは１２質量％以上、更に好ましくは１２.５質量％以上である。酸化スズ割合は、電極層２０の低抵抗化の観点から、好ましくは１８質量以下、より好ましくは１６質量％以下、更に好ましくは１４質量％以下である。酸化スズ割合は、上記のキャリア数の確保と上記の低抵抗化との両立の観点から、好ましくは１１～１８質量％、より好ましくは１２～１６質量％、更に好ましくは１２.５～１４質量％である。

ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、例えば次のようにして同定できる。まず、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により、測定対象物としてのＩＴＯにおけるインジウム原子（Ｉｎ）とスズ原子（Ｓｎ）の存在比率を求める。ＩＴＯ中のＩｎおよびＳｎの各存在比率から、ＩＴＯ中のＩｎの原子数に対するＳｎの原子数の比率を求める。これにより、ＩＴＯにおける酸化スズ割合が得られる。また、ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、スパッタ成膜時に用いるＩＴＯターゲットの酸化スズ（ＳｎＯ_２）含有割合からも特定できる。

電極層２０は、結晶質層である。電極層２０が結晶質層であることは、電極層２０の低抵抗化の観点から好ましく、また、電極層２０および調光フィルムＸにおいて良好な赤外線反射特性を実現するのに好ましい。

導電性酸化物から形成された電極層（調光フィルムＸでは電極層２０,４０）が結晶質層（結晶質膜）であることは、例えば、次の方法によって判断できる。まず、電極層を、濃度５質量％の塩酸に、２０℃で１５分間、浸漬する。次に、電極層を、水洗した後、乾燥する。次に、電極層の露出平面において、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定する。この測定において、端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合に、当該電極層が結晶質層であると判断できる。

電極層２０（結晶質層）の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、３００ｎｍ以下であり、好ましくは２７０ｎｍ以下、より好ましくは２４０ｎｍ以下、更に好ましくは２２０ｎｍ以下である（電極層２０において、結晶粒が小さいほど、粒界の合計長さは増大し、キャリア数は増大する傾向がある）。電極層２０の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０において、調光フィルムの電極にとって好適な低比抵抗を確保する観点から、例えば３０ｎｍ以上であり、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、更に好ましくは１８０ｎｍ以上、一層好ましくは２００ｎｍ以上である。電極層２０の面方向における平均結晶粒径は、電極層２０のキャリア数の確保と低比抵抗との両立の観点から、好ましくは１００～３００ｎｍ、より好ましくは１５０～２７０ｎｍ、更に好ましくは１８０～２４０ｎｍ、一層好ましくは２００～２２０ｎｍである。電極層２０の厚さ方向Ｈにおける基材フィルム１０からの距離にかかわらず、電極層２０における平均結晶粒径は、上記の範囲をとるのが好ましい。電極層２０の平均結晶粒径の調整方法としては、例えば、電極層２０の組成の調整、電極層２０の厚さの調整、および後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）での成膜温度の調整が挙げられる。電極層２０の組成の調整は、透明導電層形成工程における、スパッタ成膜に用いられるターゲットの組成の調整、および、酸素導入量の割合の調整を含む。電極層（電極層２０,４０）の平均結晶粒径の測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。

電極層２０は、厚さ方向Ｈにおいて複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）を有する。粒子積層領域における、厚さ方向Ｈの粒子数は、２、３または４以上である。図２には、電極層２０が、厚さ方向Ｈにおいて２つの結晶粒２１を含む粒子積層領域を有する場合を、例示的に示す。電極層２０が粒子積層領域を有することは、電極層２０において、粒界Ｌの長さ（合計長さ）を確保して、キャリア数を確保するのに適する。電極層（電極層２０,４０）が粒子積層領域を有することの確認方法は、実施例に関して後述するとおりである。

電極層２０の比抵抗は、電極層２０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、２.５×１０^－４Ω・cm以下であり、好ましくは２.２×１０^－４Ω・cm以下、より好ましくは２.０×１０^－４Ω・cm以下、更に好ましくは１.８×１０^－４Ω・cm以下である。電極層２０の比抵抗が低いことは、電極層２０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層２０の比抵抗は、後記の結晶化工程（図４Ｃ）において透明導電層（この層から電極層２０が形成される）の良好な結晶化速度を実現する観点から、好ましくは０.５×１０^－４Ω・cm以上、より好ましくは１.０×１０^－４Ω・cm以上、更に好ましくは１.３×１０^－４Ω・cm以上、一層好ましくは１.５×１０^－４Ω・cm以上である。電極層２０の比抵抗は、電極層２０のキャリア数の確保と結晶化速度との両立の観点から、好ましくは０.５×１０^－４～２.５×１０^－４Ω・cm、より好ましくは１.０×１０^－４～２.２×１０^－４Ω・cm、更に好ましくは１.３×１０^－４～２.０×１０^－４Ω・cm、一層好ましくは１.５×１０^－４～１.８×１０^－４Ω・cmである。電極層２０の比抵抗は、電極層２０の表面抵抗に厚さを乗じて求められる。比抵抗を求める方法は、具体的には、実施例に関して後述するとおりである。電極層２０の比抵抗の調整方法としては、例えば、電極層２０をスパッタ成膜する時の各種条件の調整が挙げられる。その条件としては、例えば、電極層２０が成膜される下地（本実施形態では基材フィルム１０）の温度、成膜室内への酸素導入量、成膜室内の気圧、および、ターゲット上の水平磁場強度が挙げられる。

電極層２０の平面視（面方向）におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層２０での遮熱性確保の観点から、好ましくは１０×１０^１５cm^－２以上、より好ましくは１２×１０^１５cm^－２以上、更に好ましくは１４×１０^１５cm^－２以上、一層好ましくは１４.５×１０^１５cm^－２以上である。このキャリア数は、電極層２０の平面視における単位面積（１平方センチメートル）あたりのキャリア（自由電子）の個数を表す。電極層２０の平面視におけるキャリア数は、電極層２０の可視光透過率を確保する観点から、好ましくは１００×１０^１５cm^－２以下、より好ましくは６０×１０^１５cm^－２以下、更に好ましくは４０×１０^１５cm^－２以下、一層好ましくは２０×１０^１５cm^－２以下である。電極層２０のキャリア数は、電極層２０の遮熱性確保と可視光透過率との両立の観点から、好ましくは１０×１０^１５～１００×１０^１５cm^－２、より好ましくは１２×１０^１５～６０×１０^１５cm^－２、更に好ましくは１４×１０^１５～４０×１０^１５cm^－２、一層好ましくは１４.５×１０^１５～２０×１０^１５cm^－２である。電極層２０のキャリア数の調整方法としては、例えば、電極層２０の組成の調整、電極層２０の厚さの調整、および後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）での成膜温度の調整が挙げられる。電極層２０の組成の調整は、透明導電層形成工程における、スパッタ成膜に用いられるターゲットの組成の調整、および、酸素導入量の割合の調整を含む。電極層（電極層２０,４０）のキャリア数の測定方法は、実施例に関して後述するとおりである。

電極層２０の厚さは、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、一層好ましくは１２０ｎｍ以上である。電極層２０が厚いことは、電極層２０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層２０の厚さは、電極層２０の耐屈曲性（屈曲時の電極層２０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１７０ｎｍ以下、一層好ましくは１４０ｎｍ以下である。電極層２０の厚さは、電極層２０のキャリア数の確保、低抵抗化および耐屈曲性の観点から、好ましくは５０～３００ｎｍ、より好ましくは８０～２００ｎｍ、一層好ましくは１００～１７０ｎｍ、更に好ましくは１２０～１４０ｎｍである。

電極層２０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、例えば５０％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。また、電極層２０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。

電極層２０における希ガス原子の含有割合は、電極層２０の低抵抗化（低比抵抗化）の観点から、好ましくは０.３原子％以下、より好ましくは０.２原子％以下、更に好ましくは０.１原子％以下であり、また、例えば０.０００１原子％以上である。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。希ガス原子は、例えば、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）で用いられるスパッタリングガスに由来する（スパッタリングガスが混入したものである）。電極層２０における希ガス原子の含有割合の同定方法としては、例えば、蛍光Ｘ線分析およびラザフォード後方散乱分光分析（ＲＢＳ)が挙げられる（後記の電極層４０における希ガス原子の含有割合の同定方法についても同様である）。

調光層３０は、例えば、電流または電界の作用によって有色の非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で可逆的に変化可能な材料から形成されている。調光層３０としては、例えば、エレクトクロミック（ＥＣ）調光層、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：polymer dispersed liquid crystal）を含む調光層、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：polymer network liquid crystal）を含む調光層、および、ＳＰＤ（suspended particle device）調光層が挙げられる。

ＥＣ調光層は、ＥＣ材料から形成される。ＥＣ材料は、電気化学的酸化還元により、有色の非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で可逆的に変化可能な材料である。ＥＣ材料としては、無機ＥＣ材料および有機ＥＣ材料が挙げられる。無機ＥＣ材料としては、例えば、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化イリジウム、酸化ロジウム、および窒化インジウムが挙げられる。有機ＥＣ材料としては、例えば、ポリアニリン、ビオロゲン、およびポリオキソタングステートが挙げられる。

高分子分散型液晶は、高分子内において液晶が相分離した構造を有する。高分子ネットワーク型液晶は、高分子ネットワーク中に液晶が分散された構造を有し、高分子ネットワーク中の液晶は、連続相を形成している。これらにおいて、液晶化合物としては、例えば、ネマティック型液晶化合物、スメクティック型液晶化合物、および、コレステリック型液晶化合物が挙げられる。ネマティック型液晶化合物としては、例えば、ビフェニル系化合物、フェニルベンゾエート系化合物、シクロヘキシルベンゼン系化合物、アゾキシベンゼン系化合物、アゾベンゼン系化合物、アゾメチン系化合物、ターフェニル系化合物、ビフェニルベンゾエート系化合物、シクロヘキシルビフェニル系化合物、フェニルピリジン系化合物、シクロヘキシルピリミジン系化合物、および、コレステロール系化合物が挙げられる。

調光層３０の厚さは、調光フィルムＸにおいて、非透明状態と透明状態との間で可視光透過率の大きな差を確保する観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、更に好ましくは１０μｍ以上である。調光層３０の厚さは、調光フィルムＸの薄型化および透明状態での高透過性の確保の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下である。調光層３０の厚さは、調光フィルムＸにおける上記の可視光透過率差と上記の薄型化および高透過性との両立の観点から、好ましくは１～２００μｍ、より好ましくは５～１００μｍ、更に好ましくは１０～８０μｍである。

調光フィルムＸにおいて、基材フィルム５０と電極層４０とは、電極付き基材フィルムＹ２を形成する。

基材フィルム５０は、本実施形態では、樹脂フィルム５１と、硬化樹脂層５２とを、厚さ方向Ｈに順に備える。硬化樹脂層５２は、樹脂フィルム５１に接する。硬化樹脂層５２は、基材フィルム５０の第１面５０ａを形成する。

樹脂フィルム５１は、調光フィルムＸの強度を確保する基材である。また、樹脂フィルム５１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。樹脂フィルム５１の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１の材料として上記した材料が挙げられる。樹脂フィルム５１における硬化樹脂層５２側の表面は、表面改質処理されていてもよい。樹脂フィルム５１の好ましい厚さおよび好ましい可視光透過率については、樹脂フィルム１１に関して上述した好ましい厚さおよび好ましい可視光透過率と同様である。

硬化樹脂層５２は、本実施形態では、調光フィルムＸの光学特性を良化するための光学調整層（屈折率調整層）である。硬化樹脂層５２は、透明導電層形成工程において、樹脂フィルム５１から発生する水分や有機ガスを遮断する機能を有してもよい。硬化樹脂層５２は、本実施形態では、第３硬化型樹脂組成物の硬化物である。第３硬化型樹脂組成物は、樹脂を含有する。第３硬化型樹脂組成物の樹脂としては、例えば、第１樹脂組成物に関して上記した樹脂が挙げられる。また、第３硬化型樹脂組成物は、紫外線硬化型の樹脂組成物であってもよいし、熱硬化型の樹脂組成物であってもよい。

硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性を良化する観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、一層好ましくは３０ｎｍ以上である。硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの薄型化の観点から、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、更に好ましくは５０ｎｍ以下、一層好ましくは４０ｎｍ以下である。硬化樹脂層５２の厚さは、調光フィルムＸの光透過特性と薄型化との両立の観点から、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは１０～１００ｎｍ、更に好ましくは２０～５０ｎｍ、一層好ましくは３０～４０ｎｍである。

基材フィルム５０は、基材フィルム１０に関して上述したのと同様に、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に他の硬化樹脂層（例えば、ハードコート層およびアンチブロッキング層）を有してもよい。図１では、基材フィルム５０における他の硬化樹脂層を、硬化樹脂層５３として仮想線で示す。

基材フィルム５０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態時に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム５０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。

基材フィルム５０は、好ましくは、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する（各層は図示略）。

基材フィルム５０において、近赤外線吸収層は、樹脂フィルム５１と硬化樹脂層５２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム５１が、近赤外線吸収層であってもよいし、近赤外線吸収層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線吸収層は、例えば、近赤外線吸収剤と、バインダー樹脂とを含む。近赤外線吸収剤としては、例えば、基材フィルム１０に関して上記した近赤外線吸収剤が挙げられる。バインダー樹脂の材料としては、例えば、樹脂フィルム１１に関して上記した材料が挙げられる。

基材フィルム５０において、近赤外線反射層は、樹脂フィルム５１と硬化樹脂層５２との間に配置されてもよいし、樹脂フィルム５１に対して硬化樹脂層５２とは反対側に配置されてもよい。樹脂フィルム５１が、近赤外線反射層であってもよいし、近赤外線反射層を含む多層構造を有してもよい。近赤外線反射層としては、例えば、基材フィルム１０に関して上記した近赤外線反射層が挙げられる。

電極層４０は、光透過性と導電性とを兼ね備える層である。電極層４０は、透明導電材料から形成されている。すなわち、電極層４０は透明導電層である。透明導電材料としては、例えば、インジウム含有導電性酸化物およびアンチモン含有導電性酸化物が挙げられる。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。アンチモン含有導電性酸化物としては、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、透明導電材料は、好ましくはインジウム含有導電性酸化物であり、より好ましくはＩＴＯである。すなわち、電極層４０は、好ましくはインジウム含有導電性酸化物層であり、より好ましくはＩＴＯ層である。ＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。

電極層４０がＩＴＯから形成される場合、ＩＴＯにおける酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）および酸化スズ（ＳｎＯ_２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合（酸化スズ割合）は、後述の結晶化工程（図４Ｃ）にて透明導電層中の結晶粒の成長を適度に抑制して、電極層４０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１１質量％以上、より好ましくは１２質量％以上、更に好ましくは１２.５質量％以上である。電極層４０での酸化スズ割合は、電極層４０の低抵抗化の観点から、好ましくは１８質量以下、より好ましくは１６質量％以下、更に好ましくは１４質量％以下である。電極層４０での酸化スズ割合は、上記のキャリア数の確保と上記の低抵抗化との両立の観点から、好ましくは１１～１８質量％、より好ましくは１２～１６質量％、更に好ましくは１２.５～１４質量％である。

電極層４０は、好ましくは結晶質層である。電極層４０が結晶質層であることは、電極層４０の低抵抗化の観点から好ましく、また、電極層４０および調光フィルムＸにおいて良好な赤外線反射特性を実現するのに好ましい。

電極層４０（結晶質層）の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２７０ｎｍ以下、更に好ましくは２４０ｎｍ以下、一層好ましくは２２０ｎｍ以下である（電極層４０において、結晶粒が小さいほど、粒界の合計長さが増大し、キャリア数が増大する）。電極層４０の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０の耐屈曲性（屈曲時の電極層４０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上、更に好ましくは１８０ｎｍ以上、一層好ましくは２００ｎｍ以上である。電極層４０の面方向における平均結晶粒径は、電極層４０のキャリア数の確保と耐屈曲性の確保との両立の観点から、好ましくは１００～３００ｎｍ、より好ましくは１５０～２７０ｎｍ、更に好ましくは１８０～２４０ｎｍ、一層好ましくは２００～２２０ｎｍである。電極層４０の厚さ方向Ｈにおける基材フィルム５０からの距離にかかわらず、電極層４０における平均結晶粒径は、上記の範囲をとるのが好ましい。電極層４０の平均結晶粒径の調整方法については、電極層２０の平均結晶粒径の調整方法として上記したのと同様である。

電極層４０は、好ましくは、厚さ方向Ｈにおいて複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。粒子積層領域における、厚さ方向Ｈの粒子数は、２、３または４以上である。図３には、電極層４０が、厚さ方向Ｈにおいて２つの結晶粒４１を含む粒子積層領域を有する場合を、例示的に示す。電極層４０が粒子積層領域を有することは、電極層４０において、粒界Ｌの長さ（合計長さ）を確保して、キャリア数を確保するのに適する。

電極層４０の比抵抗は、電極層４０のキャリア数（自由電子数）を確保する観点から、好ましくは２.５×１０^－４Ω・cm以下、より好ましくは２.２×１０^－４Ω・cm以下、更に好ましくは２.０×１０^－４Ω・cm以下、一層好ましくは１.８×１０^－４Ω・cm以下である。電極層４０の比抵抗が低いことは、電極層４０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層４０の比抵抗は、結晶化工程での透明導電層（この層から電極層４０が形成される）の良好な結晶化速度を実現する観点から、好ましくは０.５×１０^－４Ω・cm以上、より好ましくは１.０×１０^－４Ω・cm以上、更に好ましくは１.３×１０^－４Ω・cm以上、一層好ましくは１.５×１０^－４Ω・cm以上である。電極層４０の比抵抗は、電極層４０のキャリア数の確保と結晶化速度との両立の観点から、好ましくは０.５×１０^－４～２.５×１０^－４Ω・cm、より好ましくは１.０×１０^－４～２.２×１０^－４Ω・cm、更に好ましくは１.３×１０^－４～２.０×１０^－４Ω・cm、一層好ましくは１.５×１０^－４～１.８×１０^－４Ω・cmである。電極層４０の比抵抗の調整方法については、電極層２０の比抵抗の調整方法として上記したのと同様である。

電極層４０の平面視（面方向）におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層４０での遮熱性確保の観点から、好ましくは１０×１０^１５cm^－２以上、より好ましくは１２×１０^１５cm^－２以上、更に好ましくは１４×１０^１５cm^－２以上、一層好ましくは１４.５×１０^１５cm^－２以上である。電極層４０の平面視におけるキャリア数は、１０×１０^１５cm^－２未満であってもよい。電極層４０の平面視におけるキャリア数（自由電子数）は、電極層４０の可視光透過率を確保する観点から、好ましくは１００×１０^１５cm^－２以下、より好ましくは６０×１０^１５cm^－２以下、更に好ましくは４０×１０^１５cm^－２以下、一層好ましくは２０×１０^１５cm^－２以下である。電極層４０のキャリア数は、電極層４０の遮熱性確保と可視光透過率との両立の観点から、好ましくは１０×１０^１５～１００×１０^１５cm^－２、より好ましくは１２×１０^１５～６０×１０^１５cm^－２、更に好ましくは１４×１０^１５～４０×１０^１５cm^－２、一層好ましくは１４.５×１０^１５～２０×１０^１５cm^－２である。電極層４０のキャリア数の調整方法については、電極層２０のキャリア数の調整方法として上記したのと同様である。

電極層４０の厚さは、電極層４０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、一層好ましくは１２０ｎｍ以上である。電極層４０が厚いことは、電極層４０の低抵抗化の観点からも好ましい。電極層４０の厚さは、電極層４０の耐屈曲性（屈曲時の電極層４０の割れの抑制）を確保する観点から、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１７０ｎｍ以下、一層好ましくは１４０ｎｍ以下である。電極層４０の厚さは、電極層４０のキャリア数、低抵抗化および耐屈曲性の観点から、好ましくは５０～３００ｎｍ、より好ましくは８０～２００ｎｍ、一層好ましくは１００～１７０ｎｍ、更に好ましくは１２０～１４０ｎｍである。

電極層４０の可視光透過率は、調光フィルムの透明状態に求められる透明性を調光フィルムＸにおいて確保する観点から、例えば５０％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。また、電極層４０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。

電極層４０における希ガス原子の含有割合は、電極層４０の低抵抗化（低比抵抗化）の観点から、好ましくは０.３原子％以下、より好ましくは０.２原子％以下、更に好ましくは０.１原子％以下であり、また、例えば０.０００１原子％以上である。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。希ガス原子は、例えば、後述の透明導電層形成工程（図４Ｂ）で用いられるスパッタリングガスに由来する（スパッタリングガスが混入したものである）。

調光フィルムＸの可視光透過率（透明状態時）は、調光フィルムＸの透明性を確保する観点から、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。基材フィルム１０の可視光透過率は、例えば１００％以下である。

調光フィルムＸの、波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率は、調光フィルムＸにおいて、太陽光に対する良好な遮熱性を確保する観点から、好ましくは５０％以下、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下である。調光フィルムＸの同平均透過率は、例えば０％以上であり、好ましくは１０％以上である。調光フィルムＸは、好ましくは、有色状態または透明状態にてこのような平均透過率（波長８００ｎｍ～１３００ｎｍ）の値をとり、より好ましくは、有色状態および透明状態の両状態にてこのような平均透過率（波長８００ｎｍ～１３００ｎｍ）の値をとる。

調光フィルムＸは、例えば以下のように製造される。

まず、図４Ａに示すように、基材フィルム１０を用意する。基材フィルム１０は、樹脂フィルム１１上に硬化樹脂層１２を形成することによって作製できる。硬化樹脂層１２は、樹脂フィルム１１上に、上記の第１樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を硬化させることによって形成できる。第１樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。第１樹脂組成物が紫外線化型樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって前記塗膜を硬化させる。樹脂フィルム１１上に形成された硬化樹脂層１２の露出表面は、必要に応じて、表面改質処理される。表面改質処理としてプラズマ処理する場合、不活性ガスとして例えばアルゴンガスを用いる。また、プラズマ処理における放電電力は、例えば１０Ｗ以上であり、また、例えば５０００Ｗ以下である。また、樹脂フィルム１１における硬化樹脂層１２とは反対側には、上記の他の硬化樹脂層１３（図１）を形成してもよい。

次に、図４Ｂに示すように、基材フィルム１０上に、非晶質の透明導電層２０’を形成する（透明導電層形成工程）。具体的には、スパッタリング法により、基材フィルム１０における硬化樹脂層１２上に透明導電材料を成膜して透明導電層２０’を形成する。

スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用するのが好ましい。調光フィルムＸの製造において、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を使用する場合、長尺の基材フィルム１０を、装置が備える繰出しロールから巻取りロールまで走行させつつ、当該基材フィルム１０上に材料を成膜して透明導電層２０’を形成する。また、当該スパッタリング法では、一つの成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよいし、基材フィルム１０の走行経路に沿って順に配置された複数の成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよい。

スパッタリング法では、具体的には、スパッタ成膜装置が備える成膜室内に真空条件下でスパッタリングガス（不活性ガス）を導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を基材フィルム１０上に堆積させる。ターゲットの材料としては、例えば、電極層２０に関して上述した導電性酸化物の焼結体が用いられる。スパッタリングガスとしては、例えば、希ガス原子が挙げられる。希ガス原子としては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびキセノン（Ｘｅ）が挙げられる。

スパッタリング法は、好ましくは、反応性スパッタリング法である。反応性スパッタリング法では、例えば、スパッタリングガス（不活性ガス）と反応性ガスとしての酸素が、成膜室内に導入される。反応性スパッタリング法において成膜室に導入されるスパッタリングガスおよび酸素の合計導入量に対する、酸素の導入量の割合は、電極層２０のキャリア数を確保する観点から、好ましくは１.５流量％以上、より好ましくは２.０流量％以上、更に好ましくは２.２流量％以上である。酸素導入量の割合は、電極層２０の良好な結晶性を確保する観点から、好ましくは３.２流量％以下、より好ましくは２.８流量％以下、更に好ましくは２.６流量％以下である。酸素導入量の割合は、電極層２０のキャリア数と結晶性との両立の観点から、好ましくは１.５～３.２流量％、より好ましくは２.０～２.８流量％、更に好ましくは２.２～２.６流量％である。

スパッタリング法による成膜（スパッタ成膜）中の成膜室内の気圧は、例えば０.０２Ｐａ、好ましくは０.１Ｐａ以上、より好ましくは０.２Ｐａ以上であり、また、例えば１Ｐａ以下、好ましくは０.７Ｐａ以下、より好ましくは０.５Ｐａ以下である。

スパッタリング法における成膜温度（スパッタ成膜中の基材フィルム１０の温度）は、次の結晶化工程で結晶成長できる非晶質の透明導電層を適切に形成する観点から、好ましくは５０℃以下、より好ましくは３０℃以下、更に好ましくは１０℃以下、一層好ましくは０℃以下、より一層好ましくは－５℃以下である。成膜温度は、例えば、－３０℃以上または－２０℃以上である。

ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、およびＲＦ電源が挙げられる。電源としては、ＤＣ電源とＲＦ電源とを併用してもよい。スパッタ成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば５０Ｖ以上であり、また、例えば５００Ｖ以下である。ターゲット上の水平磁場強度は、例えば１０ｍＴ以上であり、また、例えば１００ｍＴ以下である。

次に、図４Ｃに示すように、基材フィルム１０上の透明導電層２０’（図４Ｂ）を加熱によって結晶化させて、電極層２０（結晶質の透明導電層）を形成する（結晶化工程）。これにより、電極付き基材フィルムＹ１が作製される。加熱の手段としては、例えば、赤外線ヒーターおよびオーブン（熱媒加熱式オーブン，熱風加熱式オーブン）が挙げられる。加熱温度は、高い結晶化速度を確保する観点から、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。加熱温度は、基材フィルム１０への加熱の影響を抑制する観点から、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下である。加熱時間は、例えば６００分未満、好ましくは１２０分未満、より好ましくは９０分以下、更に好ましくは６０分以下であり、また、例えば１分以上、好ましくは５分以上である。

次に、図４Ｄに示すように、電極層２０上に調光層３０を形成する。調光層３０を形成する材料として無機ＥＣ材料を用いる場合、例えば、ドライコーティング法によって無機ＥＣ材料を電極層２０上に成膜する。ドライコーティング法としては、スパッタリング法が好ましい。調光層３０を形成する材料として有機ＥＣ材料を用いる場合、例えば、ウェットコーティング法によって有機ＥＣ材料を電極層２０上に成膜する。

一方、電極付き基材フィルムＹ２（基材フィルム５０，電極層４０）を作製する。具体的には、電極付き基材フィルムＹ１の作製方法（図４Ａ～図４Ｃ）と同様である。

次に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、調光層３０を伴う電極付き基材フィルムＹ１と電極付き基材フィルムＹ２とを一体化させる。具体的には、電極付き基材フィルムＹ１,Ｙ２によって調光層３０が挟まれるように、電極付き基材フィルムＹ１,Ｙ２および調光層３０を一体化させる。

以上のようにして、調光フィルムＸを製造できる。調光フィルムＸにおいては、電極層２０,４０間の電圧のオン・オフにより、調光層３０が、非透明状態（遮光状態）と透明状態（非遮光状態）との間で切り替えられる。このような調光フィルムＸは、例えば、建物および乗り物等の窓ガラスに組付けられる調光フィルムである。調光フィルムＸが貼り合わされた窓ガラスでは、電極層２０,４０間の電圧のオン・オフにより、当該調光フィルムＸ付き窓ガラスに対する可視光などの光の透過率が、切り替えられる。

調光フィルムＸは、上記のように、電極層２０が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。このような調光フィルムＸは、電極層２０の平面視における単位面積あたりの自由電子数（キャリア数）を確保するのに適する。電極層２０における当該自由電子数が多いほど、太陽光中の熱線に対する電極層２０の反射性は高く、従って、調光フィルムＸの遮熱性は高い。したがって、調光フィルムＸは、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに適する。このような調光フィルムＸは、屋外向け調光フィルムとして好適である。屋外向け調光フィルムとしては、例えば、自家用車等の車のサンルーフ用の調光フィルム、家屋およびビル等の建物の窓用の調光フィルムが挙げられる。

調光フィルムＸは、上記のように、好ましくは、電極層４０が、インジウム含有導電性酸化物層であって、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、平面視における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、且つ、厚さ方向において複数の結晶粒を含む粒子積層領域を有する。調光フィルムＸが電極層２０に加えて電極層４０を備えることは、調光フィルムにおいて、太陽光に対する良好な遮熱性を実現するのに役立つ。

本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替できる。

〔実施例１〕
まず、長尺の樹脂フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ１００μｍ，三菱ケミカル社製）のロールを用意した。次に、ＰＥＴフィルムの一方面（第１面）に、熱硬化型の樹脂組成物Ｃ１を塗布して塗膜を形成した。樹脂組成物Ｃ１は、１００質量部のメラミン樹脂と、１００質量部のアルキド樹脂と、５０質量部の有機シラン縮合物とを含む。次に、ＰＥＴフィルム上の塗膜を、加熱して熱硬化させた。加熱温度は１８５℃とした。加熱時間は１分とした。これにより、厚さ３５ｎｍの光学調整層としての第１硬化樹脂層を形成した。次に、ＰＥＴフィルムの他方面（第２面）に、紫外線硬化型の樹脂組成物Ｃ２を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。これにより、厚さ２μｍのハードコート（ＨＣ）層としての第２硬化樹脂層を形成した。以上のようにして、基材フィルム（第１硬化樹脂層／基材フィルム／第２硬化樹脂層）を作製した。

次に、反応性スパッタリング法により、基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、厚さ１２５ｎｍの非晶質の透明導電層を形成した（透明導電層形成工程）。本工程では、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（ＤＣマグネトロンスパッタ成膜装置）を使用した。同装置は、ロールトゥロール方式でワークフィルムを走行させつつ成膜プロセスを実施できる成膜室を備える。本工程におけるスパッタ成膜の条件は、次のとおりである。

スパッタ成膜においては、成膜室内の到達真空度が０.５×１０^－４Ｐａに至るまでスパッタ成膜装置内を真空排気した後、成膜室内に、スパッタリングガス（不活性ガス）としてのアルゴン（Ａｒ）と、反応性ガスとしての酸素とを導入し、成膜室内の気圧を０.３Ｐａとした。成膜室に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は２.４流量％とした。また、ターゲット（第１ターゲット）としては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ割合が１２.５質量％のＩＴＯ）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は９０ｍＴとした。成膜温度（透明導電層が積層される基材フィルムの温度）は－８℃とした。形成された透明導電層（非晶質）の比抵抗は、６.５×１０^－４Ω・cmであった。

次に、非晶質の透明導電層を、熱風オーブン内での加熱によって結晶化させた（結晶化工程）。加熱温度は１５０℃とした。加熱時間は２時間とした。これにより、厚さ１２５ｎｍの結晶質の透明導電層を電極層として形成した。

以上のようにして、電極層付フィルムのロールを作製した。この電極層付フィルムは、基材フィルム（第２硬化樹脂層／樹脂フィルム／第１硬化樹脂層）と、基材フィルム上の電極層とを備える。

次に、電極層付フィルムのロールから、２枚の電極層付フィルムを切り出した。次に、一方の電極層付フィルム（第１の電極層付フィルム）における電極層上に、粘着剤（品名「ＬＵＣＩＡＣＳ ＣＳ９８６１ＵＡ」，日東電工社製）を塗付することにより、疑似調光層として厚さ２５μｍの粘着剤層を形成した。次に、他方の電極層付フィルム（第２の電極層付フィルム）の電極層側を粘着剤層に貼り合わせた。すなわち、２枚の電極層付フィルムを、粘着剤層を介して接合した。

以上のようにして、実施例１の積層フィルムを作製した。この積層フィルムは、調光フィルム類似の積層構成を有する疑似調光フィルムである（このフィルムは、疑似的な形態を有するフィルムであり、調光機能を有しない）。実施例１の積層フィルムは、具体的には、第１の基材フィルムと、厚さ１２５ｎｍの第１の電極層と、疑似調光層と、厚さ１２５ｎｍの第２の電極層と、第２の基材フィルムとを、厚さ方向にこの順で有する。

〔比較例１〕
次のこと以外は実施例１の積層フィルムと同様にして、比較例１の積層フィルムを作製した。

透明導電層形成工程の反応性スパッタリング法において、第１ターゲットに代えて第２ターゲットを用い、成膜室に導入されるアルゴンおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合を３.４流量％とした。第２ターゲットは、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体であって、酸化スズ割合が１０.０質量％のＩＴＯである。また、結晶化工程を実施しなかった。

〔比較例２〕
次のこと以外は実施例１の積層フィルムと同様にして、比較例２の積層フィルムを作製した。

透明導電層形成工程において、反応性スパッタリング法により、基材フィルムにおける第１硬化樹脂層上に、非晶質の透明導電層（厚さ２４ｎｍ）を形成した。同工程では、第１ターゲットに代えて第２ターゲット（酸化スズ割合が１０.０質量％のＩＴＯ焼結体）を用い、且つ、成膜温度を－８℃に代えて２０℃とした。

比較例２の積層フィルムは、第１の基材フィルムと、厚さ２４ｎｍの第１の電極層と、疑似調光層と、厚さ２４ｎｍの第２の電極層と、第２の基材フィルムとを、厚さ方向にこの順で有する。

〈電極層の厚さ〉
実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層の厚さを、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）での観察（ＦＥ－ＴＥＭ観察）により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工により、実施例および比較例における各電極層の断面観察用サンプル（第１サンプル）を作製した（ＦＩＢマイクロサンプリング法）。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（品名「ＦＢ２２００」，Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、第１サンプルにおける電極層の断面をＦＥ－ＴＥＭによって観察し、当該観察画像において電極層の厚さを測定した。同観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。また、実施例１の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）を確認できた。比較例１の電極層は、上記のように結晶化工程を経ておらず、非晶質層であった。具体的には、比較例１の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、同電極が非晶質層であることが確認され、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域（粒子積層領域）は確認できなかった。また、比較例２の積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のＦＥ－ＴＥＭ観察では、粒子積層領域を確認できなかった。

〈比抵抗〉
実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層（透明導電層）について、比抵抗を調べた。具体的には、まず、ＪＩＳ Ｋ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、電極層の表面抵抗を測定した。次に、表面抵抗値と電極層の厚さとを乗じることにより、電極層の比抵抗（Ω・cm）を求めた。その結果を表１に示す。

〈平均結晶粒径〉
まず、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察用のサンプルを作製した。具体的には、電極層からウルトラミクロトーム（Leica製）によって薄片を切り出した。このとき、ウルトラミクロトームによる切断面が電極層の面方向と略平行となるように薄片を切り出した。次に、この薄片について、透過型電子顕微鏡（品名「ＨＴ７８２０」，日立ハイテクノロジーズ社製）によって観察（平面視観察）および撮影を実施し、ＴＥＭ観察画像を得た。観察の倍率は、５００００倍とした。次に、ＴＥＭ観察画像において、１.５μｍ×１.５μｍの正方形の領域を任意に選定した後、この領域内に含まれる複数の結晶粒を特定し、結晶粒ごとに、結晶粒の最大長さを求めた。この最大長さを、結晶粒の粒径とした。次に、領域内の複数の結晶粒の粒径の平均値を求めた。その値を平均結晶粒径として表１に示す。

〈キャリア数〉
実施例および比較例の各積層フィルムの作製過程で得られた電極層付フィルムの電極層のキャリア数（cm^－２）を、ホール効果測定装置（品名「ＨＬ５５００ＰＣ」，バイオラッド社製）によって測定した。測定結果を表１に示す。

〈透過率，反射率〉
実施例および比較例の各積層フィルムについて、分光光度計Ｕ－４１００（ＨＩＴＡＣＨＩ社製）により、波長３００ｎｍ～２５００ｎｍの範囲における日射透過率（Ｔe）および日射反射率（Ｒe）を測定した。本測定では、測定ピッチを５ｎｍとした。測定結果を表１に示す。日射とは、波長３００ｎｍ～２５００ｎｍの範囲の放射をいう。日射透過率（Ｔe）は、分光透過率と分光日射照度とを式中に含む所定の積和計算から、分光光度計によって算出される。日射反射率（Ｒe）は、分光反射率と分光日射照度とを式中に含む所定の積和計算から、分光光度計によって算出される。

〈日射熱取得率〉
実施例および比較例の各積層フィルムについて、日射熱取得率を求めた。具体的には、積層フィルムの日射熱取得率を、ＩＳＯ １３８３７：２０２１に基づき、下記の式（１）～（３）によって求めた。式（１）において、Ｔtsは、日射熱取得率を表し、遮熱性の指標となる。

Ｔts ＝ Ｔe ＋ Ｑi （１）
Ｑi ＝ Ａe ×｛ｈi／(ｈi ＋ ｈe)｝ （２）
Ａe ＝ １００－ Ｔe － Ｒe （３）

実施例および比較例の各積層フィルムにとり、式（１）～（３）については以下のとおりである。Ｔtsは、試料に（積層フィルム）に対して照射される光（照射光）の総エネルギーを１００％とした場合の、当該試料を通過するエネルギーの合計の割合（％）を示す。Ｔeは、試料に対する照射光のうち当該試料を透過する光（透過光）のエネルギーを、割合で示す。Ｔeとして、上記測定で得られた日射透過率を用いた。Ｑiは、試料を通過する二次熱流速を表し、式（２）によって求められる。この値が小さいほど、試料は熱を伝えにくく、断熱性が高いことを意味する。式（２）において、Ａeは、試料に対する照射光のエネルギーのうち当該試料によって吸収されるエネルギーを割合で示し、式（３）によって求められる。ｈiは、試料における、光通過方向と同方向への熱の伝わりやすさを示すパラメータである。ｈiとして８Ｗ/（ｍ^２・Ｋ）を用いた。ｈeは、試料における、光通過方向とは逆の方向への熱の伝わりやすさを示すパラメータである。ｈeとして２１Ｗ/（ｍ^２・Ｋ）を用いた。式（３）において、Ｒeは、試料に対する照射光のうち当該試料にて反射される光(反射光)のエネルギーを、割合で示す。Ｒeとして、上記測定で得られた日射反射率を用いた。

Ｘ 調光フィルム
Ｈ 厚さ方向
Ｙ１，Ｙ２ 電極付き基材フィルム
１０，５０ 基材フィルム
１１，５１ 樹脂フィルム
１２，５２ 硬化樹脂層
２０ 電極層（第１電極層）
３０ 調光層
４０ 電極層（第２電極層）

Claims (10)

1. 基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備える調光フィルムであって、
   前記第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であり、
   前記第１電極層が、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、
   前記第１電極層が、面方向における平均結晶粒径が、１００ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、調光フィルム。
2. 前記インジウム含有導電性酸化物層が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物層である、請求項１に記載の調光フィルム。
3. 前記第２電極層が、インジウム含有導電性酸化物層である、請求項１に記載の調光フィルム。
4. 前記第２電極層が、酸化スズ割合１１質量％以上のインジウムスズ複合酸化物層である、請求項３に記載の調光フィルム。
5. 前記第２電極層が、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有する、請求項１に記載の調光フィルム。
6. 前記第２電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層である、
   請求項１に記載の調光フィルム。
7. 前記第２電極層が、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、請求項６に記載の調光フィルム。
8. 前記基材フィルムが、近赤外線吸収層および／または近赤外線反射層を有する、請求項１に記載の調光フィルム。
9. 波長８００ｎｍ～１３００ｎｍでの平均透過率が５０％以下である、請求項１から８のいずれか一つに記載の調光フィルム。
10. 基材フィルムと、第１電極層と、調光層と、第２電極層とを厚さ方向にこの順で備える調光フィルムであって、
    前記第１電極層が、インジウム含有導電性酸化物層であり、
    前記インジウム含有導電性酸化物層が、酸化スズ割合１１質量％以上１８質量％以下のインジウムスズ複合酸化物層であり、
    前記第１電極層が、２.５×１０^－４Ω・cm以下の比抵抗を有し、
    前記第１電極層が、面方向における平均結晶粒径が３００ｎｍ以下の結晶質層であり、厚さ方向において複数の結晶粒を含む領域を有する、調光フィルム。