JP7542033B2 - Method for manufacturing a waveguide coupler - Google Patents
Method for manufacturing a waveguide coupler Download PDFInfo
- Publication number
- JP7542033B2 JP7542033B2 JP2022117446A JP2022117446A JP7542033B2 JP 7542033 B2 JP7542033 B2 JP 7542033B2 JP 2022117446 A JP2022117446 A JP 2022117446A JP 2022117446 A JP2022117446 A JP 2022117446A JP 7542033 B2 JP7542033 B2 JP 7542033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- coating
- stamp
- refractive index
- inverse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 85
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 75
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 58
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 58
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 22
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- DUSYNUCUMASASA-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);vanadium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[V+4] DUSYNUCUMASASA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/002—Manufacturing hollow waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
[0001] 本開示の実施形態は、概して、拡張現実、仮想現実、及び複合現実のための導波器に関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、導波器製造の方法を提示する。 [0001] Embodiments of the present disclosure generally relate to directors for augmented reality, virtual reality, and mixed reality. More specifically, embodiments described herein present methods of director manufacturing.
関連技術の記載
[0002] 仮想現実は、概して、ユーザが見かけ上の物理的存在を有する、コンピュータが生成したシミュレート環境であると考えられている。仮想現実体験は、3Dで生成され、実際の環境に取って代わる仮想現実環境を表示するためのレンズとしての接眼ディスプレイパネルを有する眼鏡又は他のウェアラブルディスプレイ装置などのヘッドマウントディスプレイ(HMD)で見ることができる。
2. Description of the Related Art Virtual reality is generally considered to be a computer-generated simulated environment in which a user has an apparent physical presence. Virtual reality experiences are generated in 3D and viewed with a head mounted display (HMD) such as glasses or other wearable display devices that have eyepiece display panels as lenses to display the virtual reality environment that replaces the real environment.
[0003] しかしながら、拡張現実は、ユーザが眼鏡又は他のHMD装置のディスプレイレンズを通して周囲環境を見ることができるが、表示のために生成され、環境の一部として現れる仮想物体の画像も見ることができる体験を可能にする。拡張現実は、音声入力及び触覚入力のような任意のタイプの入力、並びにユーザが経験する環境を強化又は拡張する仮想画像、グラフィック及びビデオを含むことができる。新たな技術として、拡張現実には多くの課題及び設計上の制約が存在する。 [0003] Augmented reality, however, allows for an experience where a user can see the surrounding environment through the display lenses of glasses or other HMD devices, but can also see images of virtual objects that are generated for display and appear as part of the environment. Augmented reality can include any type of input, such as voice input and haptic input, as well as virtual images, graphics, and video that enhance or extend the environment experienced by the user. As an emerging technology, augmented reality presents many challenges and design constraints.
[0004] そのような課題の1つは、周囲環境に重ね合わされた仮想画像を表示することである。導波器は、画像の重ね合わせを補助するために使用される。生成された光は、光が導波器から出て周囲環境に重ね合わされるまで、導波器を通って伝搬される。導波器は不均一な特性を有する傾向があるため、導波器の製造は困難になりうる。そのため、当該技術分野で必要とされているのは、改良された拡張導波器とその製造方法である。 [0004] One such challenge is displaying a virtual image superimposed on the surrounding environment. Waveguides are used to aid in the superimposition of the image. Generated light is propagated through the waveguide until the light exits the waveguide and is superimposed on the surrounding environment. Waveguides tend to have non-uniform properties, making them difficult to manufacture. Thus, what is needed in the art are improved enhanced waveguides and methods of manufacture.
[0005] 一実施形態では、導波構造の製造方法が提示される。この方法は、レジストにスタンプを刻印することを含む。スタンプは、少なくとも1つのパターン部分を含む凸型導波パターンを有する。刻印は、残留層を有する逆領域(inverse region)を含む凹型導波構造を形成する。レジストは、基板の一部分の表面上に配置され、基板は、第1の屈折率を有する。レジストは、基板の表面上で硬化される。スタンプが取り外され、残留層は除去される。コーティングが堆積される。コーティングは、基板の表面の第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれより大きい第2の屈折率を有する。レジストは、領域を含む導波構造から除去される。 [0005] In one embodiment, a method for fabricating a waveguiding structure is presented. The method includes imprinting a stamp into a resist. The stamp has a convex waveguiding pattern including at least one pattern portion. The imprint forms a concave waveguiding structure including an inverse region having a residual layer. The resist is disposed on a surface of a portion of a substrate, the substrate having a first refractive index. The resist is cured on the surface of the substrate. The stamp is removed and the residual layer is removed. A coating is deposited. The coating has a second refractive index that substantially matches or is greater than the first refractive index of the surface of the substrate. The resist is removed from the waveguiding structure including the region.
[0006] 別の実施形態では、導波構造の製造方法が提示される。本方法は、第2の屈折率を有するコーティングを、スタンプの凹型導波構造上に堆積させることを含む。第2の屈折率は、基板の第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれより大きい。凹型導波構造は逆領域を含む。コーティングは平坦化され、基板の一部の表面に接合される。スタンプは、領域を含む導波構造を形成するために取り外される。 [0006] In another embodiment, a method for fabricating a waveguiding structure is presented. The method includes depositing a coating having a second refractive index onto a recessed waveguiding structure of a stamp. The second refractive index substantially matches or is greater than a first refractive index of the substrate. The recessed waveguiding structure includes an inverted region. The coating is planarized and bonded to a surface of a portion of the substrate. The stamp is removed to form a waveguiding structure including the region.
[0007] さらに別の実施形態では、導波構造の製造方法が提示される。この方法は、スタンプの凹型導波構造上に、1.5から2.5の間の第2の屈折率を有するコーティングを堆積させることを含む。コーティングは、凹型導波構造上で実質的に平坦である。第2の屈折率は、基板の1.5から2.5の間の第1の屈折率に実質的に一致するか又はそれより大きい。凹型導波構造は、逆入力カップリング領域と逆出力カップリング領域を含む。コーティングは、基板の一部の表面に接合される。基板の表面には、第1の屈折率及び第2の屈折率に実質的に一致する第3の屈折率を有する光学接着剤が配置されている。領域を有する導波構造を形成するため、スタンプは取り外される。 [0007] In yet another embodiment, a method for fabricating a waveguiding structure is presented. The method includes depositing a coating having a second refractive index between 1.5 and 2.5 on a concave waveguiding structure of a stamp. The coating is substantially flat on the concave waveguiding structure. The second refractive index is substantially matched to or greater than a first refractive index between 1.5 and 2.5 of the substrate. The concave waveguiding structure includes a reverse input coupling region and a reverse output coupling region. The coating is bonded to a surface of a portion of the substrate. An optical adhesive having a third refractive index substantially matched to the first and second refractive indices is disposed on the surface of the substrate. The stamp is removed to form a waveguiding structure having a region.
[0008] 本開示の上述の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、添付の図面に例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容され得ることに留意されたい。 [0008] So that the above-mentioned features of the present disclosure may be understood in detail, a more particular description of the present disclosure briefly summarized above may be obtained by reference to embodiments, some of which are illustrated in the accompanying drawings. It should be noted, however, that the accompanying drawings show only exemplary embodiments and therefore should not be considered as limiting the scope of the present disclosure, as other equally effective embodiments may be permissible.
[0014] 理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込まれうると考えられる。 [0014] For ease of understanding, wherever possible, identical reference numbers have been used to designate identical elements common to the figures. It is believed that elements and features of one embodiment may be beneficially incorporated in other embodiments without further description.
[0015] 本明細書に記載の実施形態は、導波構造を製造するための方法に関する。本明細書に記載の方法は、無機材料又はハイブリッド(有機及び無機)材料から形成された入力カップリング領域、導波領域、及び出力カップリング領域を有する導波構造の製造を可能にする。 [0015] Embodiments described herein relate to methods for fabricating a waveguiding structure. The methods described herein allow for the fabrication of a waveguiding structure having an input coupling region, a waveguiding region, and an output coupling region formed from inorganic or hybrid (organic and inorganic) materials.
[0016] 図1は、導波結合器100の斜視正面図である。後述する導波結合器100は、例示的な導波結合器であることを理解されたい。導波結合器100は、複数の回折格子108によって画定される入力カップリング領域102と、導波領域104と、複数の回折格子110によって画定される出力カップリング領域106とを含む。
[0016] FIG. 1 is a perspective front view of a
[0017] 入力カップリング領域102は、マイクロディスプレイから強い光(仮想画像)の入射ビームを受け取る。複数の回折格子108の各回折格子は、入射ビームを各ビームがモードを有する複数のモードに分割する。ゼロ次モード(T0)ビームは、導波結合器100内で屈折して戻されるか、又は失われ、正の1次モード(T1)ビームは、導波結合器100を通って導波領域104から出力カップリング領域106まで内部全反射(TIR)を受け、また、負の1次モード(T-1)ビームは、導波結合器100内をT1ビームとは反対の方向に伝播する。T1ビームは、T1ビームが出力カップリング領域106内の複数の回折格子110に接触するまで、導波結合器100を通って内部全反射(TIR)を受ける。T1ビームは、複数の回折格子110の格子に接触し、そこでT1ビームは、導波結合器100内で屈折して戻されるか又は失われるT0ビームと、T1ビームが複数の回折格子110の別の格子に接触するまで出力カップリング領域106内でTIRを受けるT1ビームと、導波結合器100からアウトカップリングされるT-1ビームとに分割される。
[0017] The
[0018] 図2は、図3Aから図3Fに示されたように、導波構造300の製造方法200の工程を示すフロー図である。一実施形態では、導波構造300は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つに対応する。一実施形態では、導波構造300は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つのマスタに対応する。工程201では、凸型導波パターン310を有するスタンプ308が、基板304の一部302の表面306上に配置されたレジスト326の上に刻印(imprint)され、凹型導波構造312が形成される。基板304は、第1の屈折率を有する。一実施形態では、基板304は、ガラス材料及びプラスチック材料のうちの少なくとも1つを含む。
[0018] FIG. 2 is a flow diagram showing steps of a
[0019] 図3Aに示されるように、凸型導波パターン310は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つの形成をもたらすために、少なくとも1つのパターン部分314を含む。図3A及び図3Bに示すように、凹型導波構造312は、しばしば、底面と称される残留層318を有する逆領域316を含む。一実施形態では、逆領域316は、入力カップリング領域102の複数の回折格子108、出力カップリング領域106の複数の回折格子110、及び導波領域104のうちの少なくとも1つを形成するために、複数の逆回折格子320を含む。一実施形態では、逆回折格子320は、基板304の表面306に平行な逆上面322、逆側壁面324、及び基板304の表面306に平行な残留層318を有する。一実施形態では、逆回折格子320の逆側壁面324の各々は、基板304の表面306に垂直に配向される。別の実施形態では、逆回折格子320の逆側壁面324の各々は、基板304の表面306に対して角度がつけられている。さらに別の実施形態では、逆側壁面324の部分は垂直に配向されており、逆回折格子320の逆側壁面324の一部は基板304の表面306に対して角度がつけられている。
3A, the
[0020] 工程202では、基板304の表面306上のレジスト326を硬化させて、レジスト326を安定化させる。工程203では、スタンプ308はレジスト326から取り外される。一実施形態では、スタンプ308は、逆パターン部分を含む凹型パターンを有する導波マスタから製造される。スタンプ308は、導波マスタから成形される。スタンプ308は、溶融シリカ又はポリジメチルシロキサン(PDMS)などの半透明材料を含み、赤外線(IR)放射又は紫外線(UV)放射などの電磁放射に曝露することによってレジスト326を硬化させることができる。一実施形態では、レジスト326は、PDMSを含むスタンプ308によってナノインプリント可能なUV硬化性材料(Micro Resist Technology社から入手可能なmr-N210など)を含む。一実施形態では、基板304の表面306は、UVオゾン処理、酸素(O2)プラズマ処理、又はプライマー(Micro Resist Technology社から入手可能なmr-APS1など)の適用によって、UV硬化性材料のスピンコーティングのために準備される。代替的に、レジスト326を熱硬化させてもよい。別の実施形態では、レジスト326は、熱加熱又は赤外線照射加熱を含む溶媒蒸発硬化プロセスによって硬化することができる熱硬化性材料を含む。レジスト326は、液体材料注入キャスティング処理、スピンオンコーティング処理、液体スプレーコーティング処理、ドライパウダーコーティング処理、スクリーン印刷処理、ドクターブレーディング処理、物理気相堆積(PVD)処理、化学気相堆積(CVD)処理、流動性CVD(FCVD)処理、又は原子層堆積(ALD)処理を使用して、表面306上に配置することができる。
[0020] In
[0021] 工程204では、残留層318が除去される。一実施形態では、残留層318は、酸素ガス(O2)含有プラズマ、フッ素ガス(F2)含有プラズマ、塩素ガス(Cl2)含有プラズマ、及び/又はメタン(CH4)含有プラズマを使用して、プラズマ灰化(しばしばプラズマデスカム処理と称される)によって除去することができる。別の実施形態では、残留層318が除去されるまで、高周波(RF)電力がO2及びアルゴン(Ar)又は窒素(N)などの不活性ガスに印加される。図3Cに示すように、逆回折格子320は、逆上面322から基板304の表面306まで延在する逆深度328、330を有する。一実施形態では、逆深度328と逆深度330とは実質的に同じである。別の実施形態では、逆深度328と逆深度328とは異なる。
[0021] In
[0022] 工程205では、コーティング322が基板304の表面306上に堆積される。一実施形態では、図3D及び図3Eに示されるように、コーティング322は、基板304の表面306及び凹型導波構造312の残りの突起上に堆積される。コーティング322は、第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれより大きい第2の屈折率を有する。コーティング322は、スピンオンガラス(SOG)、流動性SOG、ゾルゲル、有機ナノインプリント可能な材料、無機ナノインプリント可能な材料、及びハイブリッドな(有機及び無機)ナノインプリント可能な材料、例えば、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、二酸化チタン(TiO2)、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化バナジウム(IV)(VOx)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、五酸化タンタル(Ta2O5)、窒化ケイ素(Si3N4)、窒化チタン(TiN)、及び/又は二酸化ジルコニウム(ZrO2)含有材料のうちの少なくとも1つなど、のうちの少なくとも1つを含む。コーティング322は、液体材料注入キャスティング処理、スピンオンコーティング処理、液体スプレーコーティング処理、ドライパウダーコーティング処理、スクリーン印刷処理、ドクターブレーディング処理、PVD処理、CVD処理、FCVD処理、又はALD処理を使用して、表面306上に配置することができる。さらに、SiOCコーティングなどのコーティング322は、UV硬化又は熱硬化を受けてもよい。図3Dに示すように、一実施形態では、過剰なコーティング322が存在してもよい。実施形態では、過剰なコーティング322は、材料熱リフロー又はエッチングを用いて除去される。図3Eに示されるように、コーティング322は、凹型導波構造312の残りの突起と同一平面上にあるか、又は、凹型導波構造312の残りの突起と同じ高さまで基板304の上方に延在する。一実施形態では、コーティング322は液体で堆積され、過剰なコーティング322は機械的な平坦化によって除去される。
[0022] In
[0023] コーティング322の屈折率は、基板304の第1の屈折率と、入力カップリング領域102で得られる複数の回折格子108及び/又は方法200によって形成される出力カップリング領域106で得られる複数の回折格子110などの回折格子の強度と、に基づいて調整される。コーティング322の屈折率は、光のインカップリング(入射)及びアウトカップリング(出射)を制御し、導波構造300を通る光の伝播を促進するため、基板304の第1の屈折率及び回折格子の強度に基づいて調整される。例えば、基板304の表面306の材料は、約1.5から約2.5の間の第1の屈折率を有し、コーティング322の材料は、約1.5から約2.5の間の第2の屈折率を有する。基板304を製造するために利用される材料及びコーティング322の材料の屈折率を一致させることによって、基板304の表面306とコーティング322の材料との間の界面における実質的な光屈折なしに、基板304及びコーティング322の材料の両方を通る光の伝播が達成されうる。基板304を製造するために利用される材料の屈折率がより大きいコーティング322の材料を利用することによって、より多くの光が、光受容角度を通って導波構造300からインカップリング及びアウトカップリングされるであろう。基板304及びコーティング322の材料は、集合的に導波構造300を構成する。空気の屈折率(1.0)と比較して、約1.5から約2.5の間の屈折率を有する材料を基板304に利用することによって、全内部反射、又は少なくともその高次の反射が達成され、導波構造300を通る光の伝播が促進される。
[0023] The refractive index of the
[0024] 工程206では、レジスト326は導波構造300から除去される。一実施形態では、レジスト326は、O2含有プラズマ、F2含有プラズマ、Cl2含有プラズマ、及び/又はCH4含有プラズマを使用するプラズマ灰化によって除去される。別の実施形態では、レジスト326が除去されるまで、O2及びアルゴン(Ar)又は窒素(N)などの不活性ガスにRF電力が印加される。図3Fに示されるように、導波構造300は、領域334を含む。一実施形態では、領域334は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つに対応する。領域334は、複数の回折格子336を含む。一実施形態では、領域334は、入力カップリング領域102の複数の回折格子108、出力カップリング領域106の複数の回折格子110、及び導波領域104のうちの少なくとも1つに対応する複数の回折格子336を含む。一実施形態では、回折格子336は、基板304の表面306に平行な上面338及び側壁面340を有する。一実施形態では、回折格子336の側壁面340の各々は、基板304の表面306に対して垂直に配向される。別の実施形態では、回折格子336の側壁面340の各々は、基板304の表面306に対して角度が付けられている。さらに別の実施形態では、側壁面340の一部は垂直に配向され、回折格子336の側壁面340の一部は、基板304の表面306に対して角度が付けられる。一実施形態では、側壁面340は、約15°から約75°の角度で傾斜している。回折格子336は、基板304の表面306から上面338まで延在する深度342、344を有する。一実施形態では、深度342と深度344とは実質的に同じである。別の実施形態では、深度342と深度344とは異なる。
[0024] In
[0025] 図4は、図5Aから図5Dに示されるように、導波構造500を製造するための方法400の工程を示すフロー図である一実施形態では、導波構造500は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つに対応する。別の実施形態では、導波構造500は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つのマスタに対応する。工程401では、コーティング322が、スタンプ308の凹型導波構造512上に堆積される。図5Aに示されるように、一実施形態では、堆積されたコーティング322は、スタンプ308の凹型導波構造512に共形である。図5Bに示すように、一実施形態では、堆積されたコーティング322は、スタンプ308の凹型導波構造512に対して実質的に平坦である。したがって、任意選択の操作402でコーティング322を平坦化する必要はない。任意選択の工程402では、一実施形態で、コーティング322を平坦化することは、重力、熱リフロー、又は化学機械研磨(CMP)による機械的平坦化を含む。
[0025] Figure 4 is a flow diagram showing steps of a
[0026] コーティング322が、IR放射又はUV放射などの電磁放射に曝露されて硬化されうるように、スタンプ308は、導波マスタから成形され、溶融シリカ又はPDMS材料などの半透明材料から製造されてもよい。一実施形態では、スタンプ308は、コーティング322の堆積及び平坦化を容易にするように機械的強度を加えるため、ガラスのシートなどの硬い裏打ちシートを含む。
[0026]
[0027] コーティング322は、SOG、流動性SOG、ゾルゲル、有機ナノインプリント可能な材料、無機ナノインプリント可能な材料、及びハイブリッドな(有機及び無機)ナノインプリント可能な材料(SiOC、TiO2、SiO2、VOx、Al2O3、ITO、ZnO、Ta2O5、Si3N4、TiN、及びZrO2含有材料のうちの少なくとも1つなど)のうちの少なくとも1つを含む。コーティング322は、液体材料注入キャスティング処理、スピンオンコーティング処理、液体スプレーコーティング処理、ドライパウダーコーティング処理、スクリーン印刷処理、ドクターブレーディング処理、PVD処理、CVD処理、FCVD処理、又はALD処理を使用して堆積されてもよい。一実施形態では、コーティング材料は、コーティング材料の溶融温度を下げ、かつ平坦化中のコーティング材料の流れを改善できるようにするために、ドーパント材料でドープされる。ドーパント材料は、より低い温度での熱リフローを可能にするリン(P)含有材料及び/又はホウ素(B)含有材料を含むことができる。
[0027] The
[0028] 図5A及び図5Bに示したように、凹型導波構造512は、逆領域516を含む。逆領域516は、入力カップリング領域102の複数の回折格子108、出力カップリング領域106の複数の回折格子110、及び導波領域104のうちの少なくとも1つを形成するため、複数の逆回折格子520を含む。一実施形態では、逆回折格子520は、スタンプ308の底面521に平行な逆上面522、逆側壁面524、及びスタンプ308の底面521に平行な逆底面523を有する。一実施形態では、逆回折格子520の逆側壁面524の各々は、スタンプ308の底面521に垂直に配向される。別の実施形態では、逆回折格子520の逆側壁面524の各々は、スタンプ308の底面521に対して角度が付けられる。別の実施形態では、逆回折格子520は、スタンプ308の底面521に対して角度付けされた逆ブレーズド面502と、スタンプ308の底面521に対して垂直に配向された逆側壁面524とを含むブレーズド逆角度付き回折格子である。さらに別の実施形態では、逆領域516は、ブレーズド逆角度付き回折格子と、逆側壁面524の一部が垂直に配向され、逆回折格子520の逆側壁面524の一部がスタンプ308の底面521に対して角度が付けられた複数の逆回折格子520とを含む。図5A及び図5Bに示されるように、逆回折格子520は、逆上面522からスタンプ308の底面521に延在する逆深度528、530を有する。一実施形態では、逆深度528と逆深度530とは実質的に同じである。別の実施形態では、逆深度528と逆深度530とは異なる。
5A and 5B, the
[0029] 操作403では、図5Cに示すように、コーティング322は基板304の一部302の表面306に接着される。光学接着剤501は、コーティング322を基板304の表面306に接合するために使用される。一実施形態では、光学接着剤501は、透明な金属酸化物材料又は透明なアクリルポリマーを含みうる。光学接着剤501は、第3の屈折率を有する。
[0029] In
[0030] コーティング322は、基板304の第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれより大きい第2の屈折率を有する。コーティングの第2の屈折率は、基板304の第1の屈折率と、入力カップリング領域102の結果として得られる複数の回折格子108、及び/又は、方法400によって形成される出力カップリング領域106の結果として得られる複数の回折格子110などの回折格子の強度と、に基づいて調整される。コーティング322の屈折率は、光のインカップリング及びアウトカップリングを制御し、導波構造500を通る光の伝播を促進するため、基板304の第1の屈折率及び回折格子の強度に基づいて調整される。また、光学接着剤501は、第1の屈折率及び第2の屈折率と実質的に一致する第3の屈折率を有する。例えば、基板304の表面306の材料は、約1.5から約2.5の間の第1の屈折率を有し、光学接着剤501の材料は、約1.5から約2.5の間の第3の屈折率を有し、コーティング322の材料は、約1.5から約2.5の間の第2の屈折率を有する。基板304を製造するために利用される材料、光学接着剤501の材料、及びコーティング322の材料の屈折率を一致させることによって、基板304、光学接着剤501の材料、及びコーティング322の材料を通る光伝播は、基板304、光学接着剤501の材料、及びコーティング322の材料の間の界面で実質的な光の屈折なしに達成されうる。基板304を製造するために利用される材料の屈折率よりも大きい屈折率を有するコーティング322の材料を利用することによって、より多くの光が、光受容角度を通って導波構造500からインカップリング及びアウトカップリングされる。空気の屈折率(1.0)と比較して、約1.5から約2.5の間の屈折率を有する材料を、基板304及び光学接着剤501に利用することにより、内部全反射、又は少なくともその高次の反射が達成され、導波構造500を通る光の伝播が容易になる。
[0030] The
[0031] 工程404では、導波構造500を形成するため、スタンプ308は取り外される。図5Dに示されるように、導波構造500は、領域534を含む。一実施形態では、領域534は、導波結合器100の入力カップリング領域102、導波領域104、及び出力カップリング領域106のうちの少なくとも1つに対応する。領域534は、複数の回折格子536を含む。一実施形態では、複数の回折格子536は、入力カップリング領域102の複数の回折格子108、出力カップリング領域106の複数の回折格子110、及び導波領域104のうちの少なくとも1つに対応する。一実施形態では、回折格子536は、基板304の表面306に平行な上面538及び側壁面540を有する。一実施形態では、回折格子536の側壁面540の各々は、基板304の表面306に対して垂直に配向される。別の実施形態では、回折格子536の側壁面540の各々は、基板304の表面306に対して角度が付けられている。別の実施形態では、回折格子536は、基板304の表面306に対して角度が付けられたブレーズ面506と、基板304の表面306に対して垂直に配向された側壁面540とを含むブレーズド角度付き回折格子である。さらに別の実施形態では、領域534は、ブレーズド角度付き回折格子と、基板304の表面306に対して回折格子536の側壁面540の一部が垂直に配向され且つ側壁面540の一部が角度が付けられた回折格子536を含む。回折格子536は、光学接着剤501から上面538まで延在する深度542、544を有する。一実施形態では、深度542と深度544とは実質的に同じである。別の実施形態では、深度542と深度544とは異なる。
[0031] In
[0032] 要約すると、導波結合器の製造方法が本明細書に記載されている。本方法は、微細な光回折格子を画定する無機又はハイブリッド(有機及び無機)材料から形成された入力カップリング領域、導波領域、及び出力カップリング領域を有する導波結合器を提供する。導波器を通る光の伝播に適した屈折率を有する回折格子を形成する際に、刻印可能でない有機レジストと比較して、無機又はハイブリッド導波構造は、安定的であり、光吸収損失が低く、導波結合器を通る光の伝播に最適な屈折率を有する。 [0032] In summary, a method for fabricating a waveguide coupler is described herein. The method provides a waveguide coupler having an input coupling region, a waveguiding region, and an output coupling region formed from inorganic or hybrid (organic and inorganic) materials that define a fine optical grating. In comparison to organic resists that are not imprintable in forming a grating having a suitable refractive index for the propagation of light through the waveguide, the inorganic or hybrid waveguiding structure is stable, has low optical absorption losses, and has an optimal refractive index for the propagation of light through the waveguide coupler.
[0033] 上記は、本開示の実施例を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施例及びさらなる実施例が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
(態様1)
導波構造の製造方法であって、
少なくとも1つのパターン部分を含む凸型導波パターンを有するスタンプを、第1の屈折率を有する基板の一部の表面上に配置されたレジストに刻印することであって、当該刻印により、残留層を有する逆領域を含む凹型導波構造を形成する、レジストに刻印することと、
前記基板の前記表面上で前記レジストを硬化することと、
前記スタンプを取り外すことと、
前記残留層を除去することと、
前記基板の前記表面の前記第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれより大きい第2の屈折率を有するコーティングを堆積することと、
ある領域を含む導波構造を形成するため、前記レジストを除去することと、
を含む、方法。
(態様2)
前記コーティングが、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、二酸化チタン(TiO
2
)、二酸化ケイ素(SiO
2
)、酸化バナジウム(IV)(VO
x
)、酸化アルミニウム(Al
2
O
3
)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、五酸化タンタル(Ta
2
O
5
)、窒化ケイ素(Si
3
N
4
)、窒化チタン(TiN)、及び二酸化ジルコニウム(ZrO
2
)含有材料のうちの少なくとも1つを含む、態様1に記載の方法。
(態様3)
前記領域は、導波結合器の入力カップリング領域、導波領域、及び出力カップリング領域のうちの少なくとも1つである、態様1に記載の方法。
(態様4)
前記領域は、前記入力カップリング領域及び前記出力カップリング領域のうちの少なくとも1つの複数の回折格子を含む、態様3に記載の方法。
(態様5)
前記複数の回折格子は、前記基板の前記表面に平行な上面と、前記基板の前記表面に対してある量だけ傾斜した側壁面とを備える、態様4に記載の方法。
(態様6)
導波構造の製造方法であって、
スタンプの凹型導波構造上に第2の屈折率を有するコーティングを堆積させることであって、前記第2の屈折率は、基板の第1の屈折率と実質的に一致するか又はそれよりも大きく、前記凹型導波構造は逆領域を含む、コーティングを堆積させることと、
前記コーティングを平坦化することと、
前記コーティングを前記基板の一部の表面に接合することと、
ある領域を含む導波構造を形成するため、前記スタンプを取り外すことと、
を含む、方法。
(態様7)
前記コーティングの前記堆積が、液体材料注入キャスティング処理、スピンオンコーティング処理、液体スプレーコーティング処理、ドライパウダーコーティング処理、スクリーン印刷処理、ドクターブレーディング処理、物理気相堆積(PVD)処理、化学気相堆積(CVD)処理、流動性CVD(FCVD)処理、又は原子層堆積(ALD)処理を含む、態様6に記載の方法。
(態様8)
前記コーティングが、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、二酸化チタン(TiO
2
)、二酸化ケイ素(SiO
2
)、酸化バナジウム(IV)(VO
x
)、酸化アルミニウム(Al
2
O
3
)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、五酸化タンタル(Ta
2
O
5
)、窒化ケイ素(Si
3
N
4
)、窒化チタン(TiN)、及び/又は二酸化ジルコニウム(ZrO
2
)含有材料を含む、態様6に記載の方法。
(態様9)
前記領域は、導波結合器の入力カップリング領域及び出力カップリング領域のうちの少なくとも1つの複数の回折格子を含む、態様6に記載の方法。
(態様10)
前記コーティングを前記基板の前記表面に接合するために光学接着剤が使用され、前記光学接着剤は、前記第1の屈折率及び前記第2の屈折率に実質的に一致する第3の屈折率を有する、態様6に記載の方法。
(態様11)
導波構造の製造方法であって、
スタンプの凹型導波構造上に1.5から2.5の間の第2の屈折率を有するコーティングを堆積させることであって、前記コーティングは、前記凹型導波構造上で実質的に平坦であり、前記第2の屈折率は、基板の1.5から2.5の間の第1の屈折率に実質的に一致するか又はそれよりも大きく、前記凹型導波構造は、逆入力カップリング領域及び逆出力カップリング領域を含む、コーティングを堆積させることと、
前記基板の一部の表面に前記コーティングを接合することであって、前記基板の前記表面には、前記第1の屈折率及び前記第2の屈折率に実質的に一致する第3の屈折率を有する光学接着剤が配置されている、前記コーティングを接合することと、
ある領域を有する導波構造を形成するため、前記スタンプを取り外すことと、
を含む、方法。
(態様12)
前記光学接着剤が、透明な金属酸化物材料又は透明なアクリルポリマーを含み、前記第3の屈折率が約1.5から約2.5の間である、態様11に記載の方法。
(態様13)
前記領域は、導波結合器の入力カップリング領域及び出力カップリング領域のうちの少なくとも1つの複数の回折格子を含む、態様11に記載の方法。
(態様14)
前記複数の回折格子は、前記基板の前記表面に平行な上面と、前記基板の前記表面に対してある量だけ傾斜した側壁面とを備える、態様13に記載の方法。
(態様15)
前記複数の回折格子は、前記基板の前記表面に対して角度が付けられたブレーズド面と、前記基板の前記表面に対して垂直に配向された側壁面と、を含むブレーズド角度付き回折格子である、態様13に記載の方法。
[0033] While the above is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the disclosure may be devised without departing from the basic scope thereof, the scope of the disclosure being determined by the claims that follow.
The present application also includes the aspects described below.
(Aspect 1)
1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
imprinting a stamp having a convex waveguide pattern including at least one pattern portion into a resist disposed on a surface of a portion of a substrate having a first refractive index, the imprinting forming a concave waveguide structure including an inverted region having a residual layer;
curing the resist on the surface of the substrate;
Removing the stamp; and
removing the residual layer; and
depositing a coating having a second refractive index substantially matching or greater than the first refractive index of the surface of the substrate;
removing the resist to form a waveguide structure including an area;
A method comprising:
(Aspect 2)
2. The method of claim 1, wherein the coating comprises at least one of silicon oxycarbide (SiOC), titanium dioxide (TiO2 ) , silicon dioxide (SiO2 ) , vanadium (IV) oxide (VOx ) , aluminum oxide (Al2O3 ) , indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), tantalum pentoxide (Ta2O5 ) , silicon nitride ( Si3N4 ) , titanium nitride (TiN), and zirconium dioxide (ZrO2 ) containing materials.
(Aspect 3)
2. The method of claim 1, wherein the region is at least one of an input coupling region, a waveguiding region, and an output coupling region of a waveguide coupler.
(Aspect 4)
4. The method of claim 3, wherein the regions include a plurality of diffraction gratings in at least one of the input coupling region and the output coupling region.
(Aspect 5)
5. The method of claim 4, wherein the plurality of diffraction gratings comprises a top surface parallel to the surface of the substrate and a sidewall surface that is inclined an amount relative to the surface of the substrate.
(Aspect 6)
1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
depositing a coating having a second refractive index on the recessed waveguide structure of the stamp, the second refractive index substantially matching or greater than a first refractive index of the substrate, the recessed waveguide structure including an inverted region;
planarizing the coating; and
bonding the coating to a surface of a portion of the substrate;
removing the stamp to form a waveguiding structure including a region; and
A method comprising:
(Aspect 7)
The method of aspect 6, wherein the deposition of the coating comprises a liquid material injection casting process, a spin-on coating process, a liquid spray coating process, a dry powder coating process, a screen printing process, a doctor blading process, a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a flowable CVD (FCVD) process, or an atomic layer deposition (ALD) process.
(Aspect 8)
7. The method of aspect 6, wherein the coating comprises silicon oxycarbide (SiOC), titanium dioxide (TiO2 ) , silicon dioxide ( SiO2 ), vanadium (IV) oxide (VOx ) , aluminum oxide (Al2O3 ) , indium tin oxide ( ITO ), zinc oxide (ZnO), tantalum pentoxide (Ta2O5 ) , silicon nitride ( Si3N4 ), titanium nitride (TiN), and/or zirconium dioxide (ZrO2 ) containing materials.
(Aspect 9)
7. The method of aspect 6, wherein the region comprises a plurality of diffraction gratings in at least one of an input coupling region and an output coupling region of a waveguide coupler.
(Aspect 10)
7. The method of claim 6, wherein an optical adhesive is used to bond the coating to the surface of the substrate, the optical adhesive having a third refractive index substantially matching the first refractive index and the second refractive index.
(Aspect 11)
1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
depositing a coating having a second refractive index between 1.5 and 2.5 on a concave waveguide structure of the stamp, the coating being substantially flat on the concave waveguide structure, the second refractive index substantially matching or greater than a first refractive index of a substrate between 1.5 and 2.5, the concave waveguide structure including a reverse input coupling region and a reverse output coupling region;
bonding the coating to a surface of a portion of the substrate, the surface of the substrate having an optical adhesive disposed thereon, the optical adhesive having a third index of refraction substantially matching the first index of refraction and the second index of refraction;
removing the stamp to form a waveguiding structure having an area; and
A method comprising:
(Aspect 12)
12. The method of claim 11, wherein the optical adhesive comprises a transparent metal oxide material or a transparent acrylic polymer, and the third refractive index is between about 1.5 and about 2.5.
(Aspect 13)
12. The method of aspect 11, wherein the region comprises a plurality of diffraction gratings in at least one of an input coupling region and an output coupling region of a waveguide coupler.
(Aspect 14)
14. The method of aspect 13, wherein the plurality of diffraction gratings comprises a top surface parallel to the surface of the substrate and a sidewall surface that is inclined an amount relative to the surface of the substrate.
(Aspect 15)
14. The method of claim 13, wherein the plurality of gratings are blazed angled gratings including a blazed surface that is angled relative to the surface of the substrate and a sidewall surface that is oriented perpendicular to the surface of the substrate.
Claims (14)
角度が付けられた複数のスタンプ構造を備えた凸型導波パターンを有するスタンプを、第1の屈折率を有する基板の一部の表面上に配置されたレジストに刻印することであって、当該刻印により、残留層を有し、かつ複数の逆回折格子を含む領域を含む凹型導波構造を形成し、角度が付けられた前記スタンプ構造に対応する前記複数の逆回折格子の各々の側壁面の一部は、前記基板の前記表面に対して垂直でない角度が付けられている、レジストに刻印することと、
前記基板の前記表面上で前記レジストを硬化することと、
前記スタンプを取り外すことと、
前記残留層を除去することと、
前記基板の前記表面の前記第1の屈折率と一致するか又はそれより大きい第2の屈折率を有するコーティングを堆積することと、
それぞれが前記基板の前記表面に対して垂直でない角度が付けられた側壁面を有する複数の回折格子を有する領域を含む導波構造を形成することと、
を含み、
前記コーティングが、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、酸化バナジウム(IV)(VOx)、及び窒化チタン(TiN)含有材料のうちの少なくとも1つを含む、方法。 1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
imprinting a stamp having a convex waveguide pattern with a plurality of angled stamp structures into a resist disposed on a surface of a portion of a substrate having a first refractive index, the imprinting forming a concave waveguide structure having a residual layer and including an area including a plurality of inverse gratings, a portion of a sidewall surface of each of the plurality of inverse gratings corresponding to the angled stamp structures being angled non-perpendicular to the surface of the substrate;
curing the resist on the surface of the substrate;
Removing the stamp; and
removing the residual layer; and
depositing a coating having a second refractive index that matches or is greater than the first refractive index of the surface of the substrate;
forming a waveguiding structure including a region having a plurality of diffraction gratings each having a sidewall surface that is angled non-perpendicular to the surface of the substrate;
Including,
The method, wherein the coating comprises at least one of silicon oxycarbide (SiOC), vanadium (IV) oxide (VO x ), and titanium nitride (TiN) containing materials.
異なる深度の複数のスタンプ構造を備えたスタンプの凹型導波構造上に第2の屈折率を有するコーティングを堆積させることであって、前記第2の屈折率は、基板の第1の屈折率と一致するか又は前記第1の屈折率よりも大きく、前記凹型導波構造は、複数の逆回折格子を含む領域を含み、各逆回折格子は、前記異なる深度の複数のスタンプ構造に対応する異なる逆深度を有している、コーティングを堆積させることと、
前記コーティングを平坦化することと、
前記コーティングを前記スタンプとともに接合することであって、前記コーティングが前記スタンプの上にある状態で前記基板の一部の表面に接合されることと、
それぞれが異なる深度を有する複数の回折格子を含む領域を含む導波構造を形成するため、前記スタンプを取り外すことと、
を含み、前記コーティングが、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、酸化バナジウム(IV)(VOx)、及び窒化チタン(TiN)含有材料のうちの少なくとも1つを含む、方法。 1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
depositing a coating having a second refractive index on a recessed waveguide structure of a stamp with a plurality of stamp structures of different depths, the second refractive index matching or exceeding a first refractive index of a substrate, the recessed waveguide structure including a region including a plurality of inverse gratings, each inverse grating having a different inverse depth corresponding to the plurality of stamp structures of different depths;
planarizing the coating; and
bonding the coating with the stamp, the coating being bonded to a surface of a portion of the substrate while the coating is on the stamp ;
removing the stamp to form a waveguiding structure including regions including a plurality of gratings, each region having a different depth;
wherein the coating comprises at least one of silicon oxycarbide (SiOC), vanadium (IV) oxide (VO x ), and titanium nitride (TiN) containing materials.
異なる深度の複数のスタンプ構造を含むスタンプの凹型導波構造上に1.5から2.5の間の第2の屈折率を有するコーティングを堆積させることであって、前記コーティングは、前記凹型導波構造上で平坦であり、前記第2の屈折率は、基板の1.5から2.5の間の第1の屈折率に一致するか又は前記第1の屈折率よりも大きく、前記凹型導波構造は、入力カップリング領域及び出力カップリング領域を含み、異なる深度の複数の逆回折格子のそれぞれが異なる逆深度を有し、該逆深度は各逆回折格子の逆上面から、異なる深度の前記複数のスタンプ構造に対応する前記スタンプの底面へ延在する、コーティングを堆積させることと。
前記コーティングを前記スタンプとともに接合することであって、前記コーティングが前記スタンプの上にある状態で前記基板の一部の表面に接合され、前記基板の前記表面には、前記第1の屈折率及び前記第2の屈折率に一致する第3の屈折率を有する光学接着剤が配置されている、前記コーティングを前記スタンプとともに接合することと、
それぞれが異なる深度を有する複数の回折格子を含む領域を有する導波構造を形成するため、前記スタンプを取り外すことであって、該深度は、各回折格子の上面から前記基板の上方に配置された光学接着剤へと延在するものである、前記スタンプを取り外すことと、
を含み、前記コーティングが、オキシ炭化ケイ素(SiOC)、酸化バナジウム(IV)(VOx)、及び窒化チタン(TiN)含有材料のうちの少なくとも1つを含む、方法。 1. A method for manufacturing a waveguide structure, comprising the steps of:
depositing a coating having a second refractive index between 1.5 and 2.5 on a concave waveguide structure of a stamp including a plurality of stamp structures of different depths, the coating being flat on the concave waveguide structure, the second refractive index matching or greater than a first refractive index between 1.5 and 2.5 of a substrate, the concave waveguide structure including an input coupling region and an output coupling region, each of a plurality of inverse diffraction gratings of different depths having a different inverse depth, the inverse depths extending from an inverse top surface of each inverse diffraction grating to a bottom surface of the stamp corresponding to the plurality of stamp structures of different depths;
bonding the coating with the stamp, the coating being bonded to a surface of a portion of the substrate while on the stamp, the surface of the substrate having an optical adhesive disposed thereon, the optical adhesive having a third index of refraction matching the first index of refraction and the second index of refraction;
removing the stamp to form a waveguiding structure having a region including a plurality of gratings each having a different depth, the depth extending from a top surface of each grating to an optical adhesive disposed above the substrate;
wherein the coating comprises at least one of silicon oxycarbide (SiOC), vanadium (IV) oxide (VO x ), and titanium nitride (TiN) containing materials.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762589457P | 2017-11-21 | 2017-11-21 | |
US62/589,457 | 2017-11-21 | ||
US201762593756P | 2017-12-01 | 2017-12-01 | |
US62/593,756 | 2017-12-01 | ||
PCT/US2018/060641 WO2019103871A1 (en) | 2017-11-21 | 2018-11-13 | Method of fabrication of waveguide combiners |
JP2020527764A JP2021504736A (en) | 2017-11-21 | 2018-11-13 | Manufacturing method of waveguide coupler |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020527764A Division JP2021504736A (en) | 2017-11-21 | 2018-11-13 | Manufacturing method of waveguide coupler |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022163081A JP2022163081A (en) | 2022-10-25 |
JP7542033B2 true JP7542033B2 (en) | 2024-08-29 |
Family
ID=66631728
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020527764A Pending JP2021504736A (en) | 2017-11-21 | 2018-11-13 | Manufacturing method of waveguide coupler |
JP2022117446A Active JP7542033B2 (en) | 2017-11-21 | 2022-07-22 | Method for manufacturing a waveguide coupler |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020527764A Pending JP2021504736A (en) | 2017-11-21 | 2018-11-13 | Manufacturing method of waveguide coupler |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2021504736A (en) |
KR (1) | KR102444339B1 (en) |
CN (2) | CN111480262B (en) |
WO (1) | WO2019103871A1 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI130396B (en) * | 2020-09-23 | 2023-08-10 | Dispelix Oy | Optical Waveguide for Augmented Reality Display |
WO2022197712A1 (en) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | Applied Materials, Inc. | Airgap structures for improved eyepiece efficiency |
US20230360890A1 (en) * | 2022-04-13 | 2023-11-09 | Applied Materials, Inc. | Optical device improvement |
CN117930417A (en) * | 2022-10-14 | 2024-04-26 | Oppo广东移动通信有限公司 | Optical waveguide assembly and augmented reality device |
TW202432449A (en) * | 2022-10-18 | 2024-08-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Diffraction grating formation method |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195274A (en) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Ricoh Co Ltd | Light deflector element, optical path switching device and image display device |
JP2004004161A (en) | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Ricoh Co Ltd | Polarizing hologram element and its manufacturing method |
JP2004145273A (en) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Canon Inc | Optical material, and optical element, diffractive optical element and laminated diffractive optical element formed with this material |
JP2006276195A (en) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Canon Inc | Uv-curable resin composition, and optical element, laminated diffractive optical element and optical system molded by the same |
WO2007032217A1 (en) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composite material and optical component using the same |
JP2008020846A (en) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Asahi Glass Co Ltd | Method for forming alignment layer, liquid crystal optical element, and optical head device |
JP2008299084A (en) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | Method of manufacturing optical element having fine irregular shape on the surface |
JP2010519588A (en) | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ナノコンプ リミテッド | Diffraction grating structure and design method of the diffraction grating structure |
JP2013007830A (en) | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Seiko Epson Corp | Transmissive diffraction grating and detecting device |
JP2013112537A (en) | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Nagase Chemtex Corp | Complex metal oxide fine particle for optical material |
US20170003504A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Tuomas Vallius | Diffractive optical elements with graded edges |
WO2017051622A1 (en) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | Display device and method for manufacturing same |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS627002A (en) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Production of phase shifting diffraction grating |
US5114513A (en) * | 1988-10-27 | 1992-05-19 | Omron Tateisi Electronics Co. | Optical device and manufacturing method thereof |
JPH03200106A (en) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Omron Corp | Optical waveguide lens |
EP1186916A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-13 | Corning Incorporated | Fabrication of gratings in planar waveguide devices |
US7245406B2 (en) * | 2003-09-17 | 2007-07-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for forming fine concavo-convex patterns, method for producing optical diffraction structure, and method for copying optical diffraction structure |
JP4814002B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-11-09 | 株式会社リコー | Phase plate manufacturing method, optical element and image projection apparatus |
US8092723B2 (en) * | 2005-11-18 | 2012-01-10 | Nanocomp Oy Ltd | Method of producing a diffraction grating element |
JP2008008990A (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Ricoh Co Ltd | Wavelength plate, image projector, and optical pick-up |
JP4842763B2 (en) * | 2006-10-23 | 2011-12-21 | 株式会社リコー | Optical element and optical device |
JP2011202067A (en) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Corp | Nanocomposite material, optical lens or window material having nanocomposite material, and method of manufacturing nanocomposite material |
US8699842B2 (en) * | 2011-05-27 | 2014-04-15 | Google Inc. | Image relay waveguide and method of producing same |
CN103091747B (en) * | 2011-10-28 | 2015-11-25 | 清华大学 | A kind of preparation method of grating |
US9981844B2 (en) * | 2012-03-08 | 2018-05-29 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacturing semiconductor device with glass pieces |
US8755647B2 (en) * | 2012-03-30 | 2014-06-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus for vertical coupling from dielectric waveguides |
US9780335B2 (en) * | 2012-07-20 | 2017-10-03 | 3M Innovative Properties Company | Structured lamination transfer films and methods |
WO2014132588A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | パナソニック株式会社 | Optical lens |
EP2863290B1 (en) * | 2013-10-18 | 2017-12-06 | Applied Materials, Inc. | Layer stack for a touch panel and method for forming a layer stack |
US9915826B2 (en) * | 2013-11-27 | 2018-03-13 | Magic Leap, Inc. | Virtual and augmented reality systems and methods having improved diffractive grating structures |
CN103837919B (en) * | 2014-03-06 | 2016-03-09 | 成都贝思达光电科技有限公司 | A kind of optical grating construction color filter film job operation based on double-layer glue nano impression |
CN103943715B (en) * | 2014-03-14 | 2016-10-19 | 中国科学院半导体研究所 | The reinforced graphite alkene waveguide photodetector of integrated distributed Blatt reflective grating |
KR102630100B1 (en) * | 2015-06-15 | 2024-01-25 | 매직 립, 인코포레이티드 | Virtual and augmented reality systems and methods |
US10197804B2 (en) * | 2016-04-25 | 2019-02-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Refractive coating for diffractive optical elements |
-
2018
- 2018-11-13 WO PCT/US2018/060641 patent/WO2019103871A1/en active Application Filing
- 2018-11-13 KR KR1020207017437A patent/KR102444339B1/en active IP Right Grant
- 2018-11-13 CN CN201880081384.0A patent/CN111480262B/en active Active
- 2018-11-13 CN CN202211223884.8A patent/CN115663442A/en active Pending
- 2018-11-13 JP JP2020527764A patent/JP2021504736A/en active Pending
-
2022
- 2022-07-22 JP JP2022117446A patent/JP7542033B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003195274A (en) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Ricoh Co Ltd | Light deflector element, optical path switching device and image display device |
JP2004004161A (en) | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Ricoh Co Ltd | Polarizing hologram element and its manufacturing method |
JP2004145273A (en) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Canon Inc | Optical material, and optical element, diffractive optical element and laminated diffractive optical element formed with this material |
JP2006276195A (en) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Canon Inc | Uv-curable resin composition, and optical element, laminated diffractive optical element and optical system molded by the same |
WO2007032217A1 (en) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composite material and optical component using the same |
JP2008020846A (en) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Asahi Glass Co Ltd | Method for forming alignment layer, liquid crystal optical element, and optical head device |
JP2010519588A (en) | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ナノコンプ リミテッド | Diffraction grating structure and design method of the diffraction grating structure |
JP2008299084A (en) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | Method of manufacturing optical element having fine irregular shape on the surface |
JP2013007830A (en) | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Seiko Epson Corp | Transmissive diffraction grating and detecting device |
JP2013112537A (en) | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Nagase Chemtex Corp | Complex metal oxide fine particle for optical material |
US20170003504A1 (en) | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Tuomas Vallius | Diffractive optical elements with graded edges |
WO2017051622A1 (en) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | ソニー株式会社 | Display device and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111480262B (en) | 2022-10-25 |
CN111480262A (en) | 2020-07-31 |
WO2019103871A1 (en) | 2019-05-31 |
JP2022163081A (en) | 2022-10-25 |
CN115663442A (en) | 2023-01-31 |
KR102444339B1 (en) | 2022-09-19 |
KR20200075893A (en) | 2020-06-26 |
JP2021504736A (en) | 2021-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7542033B2 (en) | Method for manufacturing a waveguide coupler | |
US10955606B2 (en) | Method of imprinting tilt angle light gratings | |
JP7331024B2 (en) | Gap filling of imprinted structures with spin-coated high-index materials for optical components | |
JP7561811B2 (en) | Method for direct etching manufacturing of waveguide couplers | |
US9880328B2 (en) | Transparent diffusers for lightguides and luminaires | |
TWI696849B (en) | Controlling grating outcoupling strength for ar waveguide combiners | |
US10409001B2 (en) | Waveguide fabrication with sacrificial sidewall spacers | |
US20220301926A1 (en) | Formation of angled gratings | |
US20220283376A1 (en) | Evacuated Periodic Structures and Methods of Manufacturing | |
US11194081B2 (en) | Method of manufacturing a diffractive grating | |
KR20230016014A (en) | Gradient encapsulation of waveguide gratings | |
TW202235931A (en) | An optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same | |
JP7196295B2 (en) | Controlled hard mask molding for making tapered slanted fins | |
TW202326227A (en) | Surface relief grating and method of making the same | |
TW202411692A (en) | Method to improve display efficiency and uniformity of ar waveguide | |
TW202433109A (en) | Total or local thickness variation for optical devices | |
CN118642227A (en) | Diffraction optical waveguide and processing method thereof | |
JPH09265002A (en) | Optical element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231017 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7542033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |