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JP7437928B2 - Imprint equipment, imprint method, and article manufacturing method - Google Patents

Imprint equipment, imprint method, and article manufacturing method Download PDF

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JP7437928B2
JP7437928B2 JP2019227703A JP2019227703A JP7437928B2 JP 7437928 B2 JP7437928 B2 JP 7437928B2 JP 2019227703 A JP2019227703 A JP 2019227703A JP 2019227703 A JP2019227703 A JP 2019227703A JP 7437928 B2 JP7437928 B2 JP 7437928B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and an article manufacturing method.

インプリント装置では、基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、該インプリント材を硬化させることにより該インプリント材の硬化物からなるパターンが形成される。よく知られているように、ショット領域に形成されているパターンとその上に重ねてインプリント装置によって形成されるパターンとの重ね合わせ精度が重要である。そのための技術として、型を変形させる技術やショット領域を変形させる技術が知られている。特許文献1には、モールドの側面に力を加えることによってモールドのパターン領域の形状を補正する技術が記載されている。特許文献2には、基板側パターン領域を加熱することによって基板側パターン領域の形状を補正する技術が記載されている。 In an imprint apparatus, a pattern made of a cured product of the imprint material is formed by bringing the imprint material above the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material. As is well known, the overlay accuracy of the pattern formed in the shot area and the pattern formed thereon by the imprint apparatus is important. As techniques for this purpose, techniques for deforming the mold and techniques for deforming the shot area are known. Patent Document 1 describes a technique for correcting the shape of a pattern area of a mold by applying force to the side surface of the mold. Patent Document 2 describes a technique for correcting the shape of a substrate-side pattern region by heating the substrate-side pattern region.

特表2008-504141号公報Special Publication No. 2008-504141 特開2013-102132号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-102132

インプリント装置において重ね合わせ精度を向上させるための従来の技術は、高次の空間周波数を有する形状補正には適していない。 Conventional techniques for improving overlay accuracy in imprint apparatuses are not suitable for shape correction having high-order spatial frequencies.

本発明は、重ね合わせ精度の向上に有利な技術を提供する。 The present invention provides a technique advantageous for improving overlay accuracy.

本発明の1つの側面は、基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、前記インプリント材を硬化させることにより前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記ショット領域が変形するように前記基板を加熱する加熱部と、前記ショット領域の上の前記インプリント材を硬化させる硬化部と、前記加熱部および前記硬化部を制御する制御部と、を備え、前記ショット領域は、互いに離隔した複数の第1領域および互いに離隔した複数の第2領域を含み、前記パターン領域は、前記複数の第1領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第3領域および前記複数の第2領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第4領域を含み、前記制御部は、前記複数の第1領域のそれぞれと前記複数の第3領域のうち対応する第3領域とをアライメントする第1アライメントを制御した後に前記複数の第1領域の上の前記インプリント材を硬化させるように前記硬化部を制御し、その後、前記複数の第2領域のそれぞれと前記複数の第4領域のうち対応する第4領域とをアライメントする第2アライメントを制御した後に前記ショット領域の全域の上の前記インプリント材が硬化するように前記硬化部を制御し、前記第2アライメントは、前記加熱部による前記複数の第2領域の加熱を含み、前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい。 One aspect of the present invention is to form a pattern made of a cured product of the imprint material by bringing the imprint material above the shot area of the substrate into contact with the pattern area of the mold and curing the imprint material. The imprint apparatus includes: a heating unit that heats the substrate so that the shot area is deformed; a curing unit that hardens the imprint material on the shot area; a control section that controls the curing section, the shot region includes a plurality of first regions spaced apart from each other and a plurality of second regions spaced apart from each other, and the pattern region includes a plurality of first regions spaced apart from each other. a plurality of third regions each having a pattern to be transferred to each of the plurality of third regions; and a plurality of fourth regions each having a pattern to be transferred to each of the plurality of second regions; and a corresponding third region of the plurality of third regions, and then controlling the curing unit to cure the imprint material on the plurality of first regions. Then, after controlling a second alignment that aligns each of the plurality of second regions and a corresponding fourth region of the plurality of fourth regions, the imprint material over the entire area of the shot region is The curing section is controlled to cure, the second alignment includes heating the plurality of second regions by the heating section, and the dimensional difference between the first region and the third region is determined by the second alignment. It is smaller than the dimensional difference between the region and the fourth region.

本発明によれば、重ね合わせ精度の向上に有利な技術が提供される。 According to the present invention, a technique advantageous for improving overlay accuracy is provided.

一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an imprint apparatus according to an embodiment. 加熱部の構成例を示す図。The figure which shows the example of a structure of a heating part. 基板のショット領域の構成例および基板側マークの配置例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an example of the configuration of a shot area on a board and an example of arrangement of marks on the board. 歪の大きさが互いに異なる2つの領域を有するショット領域を例示する図。FIG. 3 is a diagram illustrating a shot area having two areas with different distortion magnitudes. メモリセルアレイ領域の(目標寸法からの)縮み量が周辺回路領域の(目標寸法からの)縮み量よりも大きい例を示す図。FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which the amount of shrinkage (from the target size) of the memory cell array area is larger than the amount of shrinkage (from the target size) of the peripheral circuit area. インプリント装置の動作を例示する図。FIG. 3 is a diagram illustrating the operation of the imprint apparatus. 物品製造方法を例示する図。The figure which illustrates the article manufacturing method.

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the following embodiments do not limit the claimed invention. Although a plurality of features are described in the embodiments, not all of these features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar components are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図1には、一実施形態のインプリント装置1の構成が模式的に示されている。インプリント装置1は、基板3のショット領域3aの上のインプリント材4とモールド2のパターン領域2aとを接触させ、インプリント材4を硬化させることによりインプリント材4の硬化物からなるパターンを形成する。 FIG. 1 schematically shows the configuration of an imprint apparatus 1 according to an embodiment. The imprint apparatus 1 brings the imprint material 4 on the shot area 3a of the substrate 3 into contact with the pattern area 2a of the mold 2, and hardens the imprint material 4 to form a pattern made of a cured product of the imprint material 4. form.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。また、インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に供給されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体(Si、GaN、SiC等)、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that is cured by being given curing energy is used. As energy for curing, electromagnetic waves, heat, etc. can be used. The electromagnetic wave can be, for example, light whose wavelength is selected from a range of 10 nm or more and 1 mm or less, such as infrared rays, visible light, and ultraviolet rays. The curable composition may be a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Among these, a photocurable composition that is cured by irradiation with light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal mold release agents, surfactants, antioxidants, polymer components, and the like. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. Further, the imprint material may be supplied in the form of a film onto the substrate using a spin coater or a slit coater. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25° C.) may be, for example, 1 mPa·s or more and 100 mPa·s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor (Si, GaN, SiC, etc.), resin, etc. can be used. If necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be provided on the surface of the substrate.

基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。あるいは、基板は、SOI(Silicon on Insulator)基板でありうる。モールドは、インプリント材を硬化させるための硬化エネルギー(例えば、紫外線)を透過する材料、例えば石英で構成されうる。 The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass. Alternatively, the substrate may be a silicon on insulator (SOI) substrate. The mold may be constructed of a material, such as quartz, that is transparent to curing energy (e.g., ultraviolet light) for curing the imprint material.

本明細書および添付図面では、基板の表面に平行な方向をXY平面とするXYZ座標系において方向を示す。XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向とし、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および/または姿勢を制御することを意味する。アライメント(位置合わせ)は、基板のショット領域とモールドのパターン領域とのアライメント誤差(重ね合わせ誤差)が低減されるように基板およびモールドの少なくとも一方の位置および/または姿勢を制御することを含みうる。また、アライメントは、基板のショット領域およびモールドのパターン領域の少なくとも一方の形状を補正あるいは変更するための制御を含みうる。 In this specification and the accompanying drawings, directions are shown in an XYZ coordinate system in which the XY plane is a direction parallel to the surface of the substrate. Directions parallel to the X, Y, and Z axes in the XYZ coordinate system are defined as the X direction, Y direction, and Z direction, respectively, and rotation around the X axis, rotation around the Y axis, and rotation around the Z axis are respectively θX and θY. , θZ. Control or drive regarding the X-axis, Y-axis, and Z-axis means control or drive in a direction parallel to the X-axis, a direction parallel to the Y-axis, and a direction parallel to the Z-axis, respectively. Control or drive regarding the θX-axis, θY-axis, and θZ-axis refers to rotation around an axis parallel to the X-axis, rotation around an axis parallel to the Y-axis, and rotation around an axis parallel to the Z-axis, respectively. means controlling or driving. Furthermore, the position is information that can be specified based on the coordinates of the X axis, Y axis, and Z axis, and the posture is information that can be specified based on the values of the θX axis, θY axis, and θZ axis. Positioning means controlling position and/or orientation. The alignment may include controlling the position and/or orientation of at least one of the substrate and the mold so that an alignment error (overlay error) between the shot area of the substrate and the pattern area of the mold is reduced. . Furthermore, the alignment may include control for correcting or changing the shape of at least one of the shot area of the substrate and the pattern area of the mold.

モールド2は、その外周形状が矩形でありうる。モールド2は、基板3と対向する側の面にパターン領域2aを有する。1回のインプリント処理で、パターン領域2aと同程度の面積を有するパターンが基板3のショット領域3aの上に形成される。この明細書では、ショット領域は、1回のインプリント処理によってパターンが形成される領域を意味し、基板3は、1又は複数のショット領域、典型的には複数のショット領域を有しうる。インプリント装置1に提供される基板3に既に形成されているパターンの形成のために使用された露光装置におけるショット領域の寸法と、インプリント装置1におけるショット領域の寸法とは、同じであってもよいし、互いに異なってもよい。1つのショット領域のサイズは、例えば、26mm×33mm程度である。1つのショット領域は、1又は複数のチップ領域を含みうる。複数のチップ領域は、スクライブラインによって互いに離隔されうる。露光装置におけるショット領域がインプリント装置1におけるショット領域より小さい場合、露光装置における複数のショット領域は、インプリント装置において1つのショット領域として扱われうる。 The mold 2 may have a rectangular outer circumferential shape. The mold 2 has a pattern area 2a on the side facing the substrate 3. A pattern having approximately the same area as the pattern area 2a is formed on the shot area 3a of the substrate 3 by one imprint process. In this specification, a shot area refers to an area where a pattern is formed by one imprint process, and the substrate 3 may have one or more shot areas, typically a plurality of shot areas. The dimensions of the shot area in the exposure device used to form the pattern already formed on the substrate 3 provided to the imprint apparatus 1 and the dimensions of the shot area in the imprint apparatus 1 are the same. They may be different from each other. The size of one shot area is, for example, about 26 mm x 33 mm. One shot area may include one or more chip areas. The plurality of chip regions may be separated from each other by scribe lines. When the shot area in the exposure apparatus is smaller than the shot area in the imprint apparatus 1, the plurality of shot areas in the exposure apparatus can be treated as one shot area in the imprint apparatus.

インプリント装置1は、モールド駆動機構7、基板駆動機構23、ディスペンサ15、アライメント計測部19、硬化部5、基板加熱部17、制御部CNT等を備えうる。モールド駆動機構7は、例えば、モールド2を保持するモールド保持部8と、モールド保持部8を駆動することによってモールド2を駆動する駆動機構9と、モールド2のパターン領域2aを変形させるモールド変形機構10とを含みうる。パターン領域2aを変形させる動作は、パターン領域2aの形状を補正する動作でありうる。モールド保持部8と駆動機構9は、硬化部5からの硬化光5aおよび基板加熱部17からの加熱光17aを通過させる開口部13を有しうる。開口部13には、透過部材14が配置されうる。透過部材14は、モールド2の裏面(パターン領域2aを有する面とは反対側の面)の側に密閉空間SPを規定する。透過部材14は、硬化部5からの硬化光5aおよび基板加熱部17からの加熱光17aを透過する。 The imprint apparatus 1 may include a mold drive mechanism 7, a substrate drive mechanism 23, a dispenser 15, an alignment measurement section 19, a curing section 5, a substrate heating section 17, a control section CNT, and the like. The mold drive mechanism 7 includes, for example, a mold holder 8 that holds the mold 2, a drive mechanism 9 that drives the mold 2 by driving the mold holder 8, and a mold deformation mechanism that deforms the pattern area 2a of the mold 2. 10. The operation of deforming the pattern area 2a may be an operation of correcting the shape of the pattern area 2a. The mold holding section 8 and the drive mechanism 9 may have an opening 13 through which the curing light 5a from the curing section 5 and the heating light 17a from the substrate heating section 17 pass. A transparent member 14 may be placed in the opening 13 . The transparent member 14 defines a sealed space SP on the back surface of the mold 2 (the surface opposite to the surface having the pattern region 2a). Transmissive member 14 transmits curing light 5a from curing section 5 and heating light 17a from substrate heating section 17.

密閉空間SPの圧力は、不図示の圧力調整器によって調整されうる。圧力調整器によって密閉空間SPの圧力が外部圧力より高くすることによって、パターン面2aを基板3に向かって凸形状に変形させることができる。これにより、基板3の上のショット領域3aの中心部においてインプリント材4に対するパターン領域2aの接触を開始させることができる。このような動作は、パターン領域2aとインプリント材4との間に気体が残留することを抑えるために有利である。 The pressure in the sealed space SP can be adjusted by a pressure regulator (not shown). By making the pressure in the closed space SP higher than the external pressure using the pressure regulator, the pattern surface 2a can be deformed into a convex shape toward the substrate 3. This allows the pattern region 2a to start contacting the imprint material 4 at the center of the shot region 3a on the substrate 3. Such an operation is advantageous in order to prevent gas from remaining between the pattern area 2a and the imprint material 4.

駆動機構9は、例えば、ボイスコイルモータ、エアシリンダ、ピエゾ、リニアモータ等のアクチュエータの少なくとも1つを含みうる。駆動機構9は、モールド2と基板3の上のインプリント材4とを接触させたり、硬化したインプリント材4からモールド2を分離させたりするように、モールド保持部8(モールド2)をZ方向に駆動しうる。駆動機構9は、例えば、X軸、Y軸、θX軸、θY軸、θZ軸の全部または一部に関しても、モールド保持部8(モールド2)を駆動してもよい。 The drive mechanism 9 may include, for example, at least one actuator such as a voice coil motor, an air cylinder, a piezo, a linear motor, or the like. The drive mechanism 9 moves the mold holder 8 (mold 2) in a Z direction so as to bring the mold 2 into contact with the imprint material 4 on the substrate 3 or to separate the mold 2 from the cured imprint material 4. It can be driven in the direction. The drive mechanism 9 may also drive the mold holder 8 (mold 2) with respect to all or part of the X axis, Y axis, θX axis, θY axis, and θZ axis, for example.

モールド変形機構10は、例えば、リニアモータ、ピエゾ等のアクチュエータの少なくとも1つを含み、該アクチュエータによって、モールド2の側面に対して力を加えうる。このような力は、パターン領域2aに平行な方向の力でありうる。モールド変形機構10は、モールド2の側面に対して力を加えることによってパターン領域2aを変形させ、これによりパターン領域2aの形状を補正しうる。 The mold deformation mechanism 10 includes, for example, at least one actuator such as a linear motor or a piezo, and can apply force to the side surface of the mold 2 by the actuator. Such a force may be a force in a direction parallel to the pattern area 2a. The mold deformation mechanism 10 deforms the pattern area 2a by applying force to the side surface of the mold 2, thereby correcting the shape of the pattern area 2a.

基板駆動機構23は、基板3を保持する基板保持部12と、基板保持部12を支持する基板ステージ13と、基板ステージ13を駆動することによって基板3を駆動する駆動機構21とを含みうる。駆動機構21は、例えば、リニアモータを含みうる。駆動機構21は、例えば、X軸、Y軸、θZ軸に関して基板ステージ13(基板3)を駆動しうる。駆動機構21は、Z軸、θX軸、θY軸の全部または一部に関しても、基板ステージ13(基板3)を駆動してもよい。基板駆動機構23は、粗動駆動系および微動駆動系の組み合わせのように、複数の駆動系によって構成されてもよい。基板ステージ11の位置は、例えば、筐体16に設けられたスケールと基板ステージ13に設けられた光学機器とで構成されるエンコーダシステムによって計測されうる。基板ステージ11の位置は、他の計測器、例えば、筐体16に設けられたレーザ干渉計と基板ステージ13に設けられた反射鏡とで構成される干渉計システムによって計測されてもよい。 The substrate drive mechanism 23 may include a substrate holder 12 that holds the substrate 3, a substrate stage 13 that supports the substrate holder 12, and a drive mechanism 21 that drives the substrate 3 by driving the substrate stage 13. Drive mechanism 21 may include, for example, a linear motor. The drive mechanism 21 can drive the substrate stage 13 (substrate 3) about, for example, the X axis, the Y axis, and the θZ axis. The drive mechanism 21 may also drive the substrate stage 13 (substrate 3) with respect to all or part of the Z axis, θX axis, and θY axis. The substrate drive mechanism 23 may be configured by a plurality of drive systems, such as a combination of a coarse drive system and a fine drive system. The position of the substrate stage 11 can be measured, for example, by an encoder system that includes a scale provided on the housing 16 and an optical device provided on the substrate stage 13. The position of the substrate stage 11 may be measured by another measuring device, for example, an interferometer system including a laser interferometer provided in the housing 16 and a reflecting mirror provided in the substrate stage 13.

ディスペンサ15は、基板3の1又は複数のショット領域に対してインプリント材4を供給するように構成されうる。ディスペンサ15は、例えば、基板駆動機構23によって基板3が走査駆動されている状態で基板3の目標位置にインプリント材14が配置されるようにインプリント材14を吐出しうる。 Dispenser 15 may be configured to dispense imprint material 4 to one or more shot areas of substrate 3 . For example, the dispenser 15 can discharge the imprint material 14 so that the imprint material 14 is placed at a target position on the substrate 3 while the substrate 3 is being scanned and driven by the substrate drive mechanism 23 .

アライメント計測部19は、モールド2のパターン領域2aに配置されたモールド側マーク2bと、基板3のショット領域3aに配置された基板側マーク3bとの相対位置を計測する。このような計測は、複数のマーク対について実施されうる。各マーク対は、モールド側マーク2bと基板側マーク3bとからなる。 The alignment measurement unit 19 measures the relative position between the mold-side mark 2b placed in the pattern area 2a of the mold 2 and the substrate-side mark 3b placed in the shot area 3a of the substrate 3. Such measurements may be performed for multiple mark pairs. Each mark pair consists of a mold side mark 2b and a substrate side mark 3b.

制御部CNTは、モールド駆動機構7、基板駆動機構23、ディスペンサ15、アライメント計測部19、硬化部5、基板加熱部17を制御する。制御部CNTは、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、又は、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。 The control unit CNT controls the mold drive mechanism 7, the substrate drive mechanism 23, the dispenser 15, the alignment measurement unit 19, the curing unit 5, and the substrate heating unit 17. The control unit CNT is, for example, a PLD (Programmable Logic Device) such as FPGA (Field Programmable Gate Array), or an ASIC (Application Specific Integrated CNT). (abbreviation for ircuit), or a general-purpose computer with a built-in program. or a dedicated computer, or a combination of all or part of these.

図2には、加熱部17の構成例が示されている。加熱部17は、照度分布を有する加熱光17aを基板3のショット領域3aに照射することによってショット領域3aに温度分布を形成し、これによりショット領域3aの形状を補正しうる。なお、図2において、図1のミラー18、ハーフミラー6、透過部材14は、省略されている。加熱部17は、光源61、光ファイバ62、光学系63、DMD(Digital Micro-mirror Device)64、投影光学系65、照射制御部66を含みうる。 FIG. 2 shows an example of the configuration of the heating section 17. The heating unit 17 forms a temperature distribution in the shot area 3a by irradiating the shot area 3a of the substrate 3 with heating light 17a having an illuminance distribution, thereby correcting the shape of the shot area 3a. Note that in FIG. 2, the mirror 18, half mirror 6, and transparent member 14 in FIG. 1 are omitted. The heating unit 17 may include a light source 61, an optical fiber 62, an optical system 63, a DMD (Digital Micro-mirror Device) 64, a projection optical system 65, and an irradiation control unit 66.

光源61は、加熱用の光を発生する。加熱用の光は、インプリント材4を硬化させず、かつ基板3によって吸収されやすい波長を有することが好ましい。加熱用の光は、例えば、400nm~2000nmでありうる。光源61が発生する加熱用の光は、光ファイバ62および光学系63を介してDMD64に入射しうる。DMD64は、それに入射した光を空間変調し加熱光17aを生成する。加熱光17aは、投影光学系65を介して基板3のショット領域に照射される。これにより、基板3のショット領域には、照度分布が形成され、それに応じて該ショット領域が変形し、形状が補正される。光源61は、例えば、高出力半導体レーザを含みうる。光学系63は、例えば、光源61から射出された光を集光させる集光光学系(不図示)、集光光学系からの光の強度を均一化してDMD64を照明するための均一照明光学系(不図示)を含みうる。均一照明光学系は、例えば、MLA(Micro Lens Array)を含みうる。 The light source 61 generates heating light. The heating light preferably has a wavelength that does not harden the imprint material 4 and is easily absorbed by the substrate 3. The heating light can be, for example, between 400 nm and 2000 nm. The heating light generated by the light source 61 can be incident on the DMD 64 via the optical fiber 62 and the optical system 63. The DMD 64 spatially modulates the light incident thereon to generate heating light 17a. The heating light 17a is irradiated onto the shot area of the substrate 3 via the projection optical system 65. As a result, an illuminance distribution is formed in the shot area of the substrate 3, and the shot area is deformed and its shape is corrected accordingly. Light source 61 may include, for example, a high-power semiconductor laser. The optical system 63 includes, for example, a condensing optical system (not shown) that condenses the light emitted from the light source 61, and a uniform illumination optical system that uniformizes the intensity of the light from the condensing optical system to illuminate the DMD 64. (not shown). The uniform illumination optical system may include, for example, an MLA (Micro Lens Array).

DMD64は、2次元に配列された複数のマイクロミラー(不図示)を含む。DMD64は、例えば、照射制御部66からの指令に従って、各マイクロミラーをマイクロミラーの配列面に対して-12度(ON状態)または+12度(OFF状態)の角度で傾けうる。投影光学系65は、DMD64と基板3とを光学的に共役な位置関係にするように構成されている。ON状態のマイクロミラーで反射された光は、加熱光17aとして投影光学系65により基板3上に結像される。OFF状態のマイクロミラーで反射された光は、基板3に到達しない方向に導かれる。 The DMD 64 includes a plurality of micromirrors (not shown) arranged two-dimensionally. For example, the DMD 64 can tilt each micromirror at an angle of −12 degrees (ON state) or +12 degrees (OFF state) with respect to the micromirror array plane according to a command from the irradiation control unit 66. The projection optical system 65 is configured to bring the DMD 64 and the substrate 3 into an optically conjugate positional relationship. The light reflected by the micromirror in the ON state is imaged onto the substrate 3 by the projection optical system 65 as heating light 17a. The light reflected by the micromirror in the OFF state is guided in a direction that does not reach the substrate 3.

照射制御部66は、DMD64を制御する。加熱部17には、制御された照度分布がショット領域に形成されるように各マイクロミラーの状態(ON状態又はOFF状態)を制御するための制御データが供給されうる。加熱光17aが照射された基板3のショット領域では、加熱光17aの光エネルギーが熱エネルギーに変換され、ショット領域には、照度分布に応じた熱量分布が形成される。これにより、ショット領域を目標形状に変形させることができる。 The irradiation control unit 66 controls the DMD 64. The heating unit 17 can be supplied with control data for controlling the state (ON state or OFF state) of each micromirror so that a controlled illuminance distribution is formed in the shot area. In the shot area of the substrate 3 irradiated with the heating light 17a, the optical energy of the heating light 17a is converted into thermal energy, and a heat distribution corresponding to the illuminance distribution is formed in the shot area. Thereby, the shot area can be transformed into the target shape.

図1に戻り、硬化部5は、硬化エネルギーとして、基板3のショット領域3aの上のインプリント材4を硬化させるための硬化光5aを発生し、ショット領域3aの上のインプリント材4に照射する。硬化光5aの光路には、光学素子20が配置されうる。硬化部5は、例えば、光源、DMD、アパーチャ、可変視野絞り、結像光学系等を含み、照度分布および/または照射領域を制御可能である。照度分布および/または照射領域の制御によって、ショット領域3aのうち目標とする一部分のみに硬化光5aを照射することができる。光学素子20と透過部材14との間には、ミラー20が配置されている。加熱部17からの加熱光17aは、例えば、ミラー18およびハーフミラー6を介して基板3に照射されうる。硬化部5からの硬化光5aは、ミラー20およびハーフミラー6を介して基板3の上のインプリント材4に照射されうる。 Returning to FIG. 1, the curing unit 5 generates curing light 5a as curing energy for curing the imprint material 4 on the shot area 3a of the substrate 3, and hardens the imprint material 4 on the shot area 3a. irradiate. An optical element 20 may be placed in the optical path of the curing light 5a. The curing section 5 includes, for example, a light source, a DMD, an aperture, a variable field stop, an imaging optical system, etc., and can control the illuminance distribution and/or the irradiation area. By controlling the illuminance distribution and/or the irradiation area, it is possible to irradiate only a targeted portion of the shot area 3a with the curing light 5a. A mirror 20 is arranged between the optical element 20 and the transparent member 14. The heating light 17a from the heating unit 17 can be irradiated onto the substrate 3 via the mirror 18 and the half mirror 6, for example. The curing light 5a from the curing section 5 can be irradiated onto the imprint material 4 on the substrate 3 via the mirror 20 and the half mirror 6.

図3(a)には、基板3のショット領域3aの構成例および基板側マーク3bの配置例が示されている。図3(b)には、モールド2のパターン領域2aの構成例およびモールド側マーク2bの配置例が示されている。図3(b)のモールド2は、図3(a)の基板3のショット領域3aの上にパターンを形成するために使用される。 FIG. 3A shows an example of the configuration of the shot area 3a of the substrate 3 and an example of the arrangement of the substrate-side marks 3b. FIG. 3(b) shows an example of the configuration of the pattern area 2a of the mold 2 and an example of the arrangement of the mold-side marks 2b. The mold 2 in FIG. 3(b) is used to form a pattern on the shot area 3a of the substrate 3 in FIG. 3(a).

図3(a)の例では、1つのショット領域3aは、複数のチップ領域3cと、複数のチップ領域3cを相互に離隔するスクライブライン3dと、複数の基板側マーク3bとを有する。複数の基板側マーク3bは、スクライブライン3dに配置されうる。各基板側マーク3bは、ショット領域3aの角部分に配置されうる。図3(b)の例では、図3(a)のショット領域3aの構成に適合するように、1つのパターン領域2aは、複数のチップ領域2cと、複数のチップ領域2cを相互に離隔するスクライブライン2dと、複数のモールド側マーク2bとを有する。複数のモールド側マーク2bは、スクライブライン2dに配置されうる。各モールド側マーク2bは、パターン領域2aの角部分に配置されうる。 In the example of FIG. 3A, one shot region 3a includes a plurality of chip regions 3c, a scribe line 3d separating the plurality of chip regions 3c from each other, and a plurality of substrate-side marks 3b. The plurality of substrate side marks 3b may be arranged on the scribe line 3d. Each substrate-side mark 3b may be placed at a corner of the shot area 3a. In the example of FIG. 3(b), one pattern region 2a separates a plurality of chip regions 2c from each other so as to match the configuration of the shot region 3a of FIG. 3(a). It has a scribe line 2d and a plurality of mold side marks 2b. The plurality of mold-side marks 2b may be arranged on the scribe line 2d. Each mold-side mark 2b may be placed at a corner of the pattern area 2a.

図3(a)、(b)の例では、各々が基板側マーク3bとパターン側マーク2bとからなる4つのマーク対が存在し、4つのマーク対について、アライメント計測部19によって、板側マーク3bとパターン側マーク2bとの相対位置が計測されうる。ここで、相対位置の計測は、X方向およびY方向に関してなされる。この計測により、ショット領域3aとパターン領域2aとの間の、X方向の位置ずれ、Y方向の位置ずれ、Z軸周りの回転ずれ、倍率成分のずれ、スキュー成分のずれ、および、台形成分のずれに関する情報を得ることができる。これらの情報に基づいて、制御部CNTは、ショット領域3aとパターン領域2aとの重ね合わせ誤差が許容範囲に収まるように基板駆動機構23、モールド駆動機構7および加熱部17を制御するアライメントを制御することができる。なお、上記の倍率、スキューおよび台形成分は、ショット領域3aの全体についての成分であり、各チップ領域についての成分ではない。 In the example shown in FIGS. 3A and 3B, there are four mark pairs each consisting of a board side mark 3b and a pattern side mark 2b, and the alignment measuring unit 19 determines the board side mark for each of the four mark pairs. 3b and the pattern side mark 2b can be measured. Here, the relative position is measured in the X direction and the Y direction. Through this measurement, the positional deviation in the X direction, the positional deviation in the Y direction, the rotational deviation around the Z axis, the deviation in the magnification component, the deviation in the skew component, and the trapezoidal component between the shot area 3a and the pattern area 2a are detected. Information regarding the deviation can be obtained. Based on this information, the control unit CNT controls the alignment of the substrate drive mechanism 23, mold drive mechanism 7, and heating unit 17 so that the overlay error between the shot area 3a and the pattern area 2a falls within an allowable range. can do. Note that the magnification, skew, and trapezoidal components described above are components for the entire shot area 3a, not for each chip area.

図4(a)には、歪の大きさが互いに異なる2つの領域を有するショット領域3aの例が示されている。ここで、歪量が互いに異なる2つの領域は、周辺回路領域3f、および、メモリセルアレイ領域3eある。図4(a)の例では、ショット領域3aは、複数のチップ領域3cを含み、各チップ領域3cは、メモリ製品のチップ領域である。周辺回路領域3fとメモリセルアレイ領域3eとでは、構造が互いに異なるので、剛性も互いに異なる。したがって、一連の製造工程において、例えば、スパッタリングなどの成膜工程などのように加熱を伴う工程を経ることで、周辺回路領域3fとメモリセル領域3eとには、互いに異なる大きさの歪が生じうる。 FIG. 4(a) shows an example of a shot region 3a having two regions having different magnitudes of distortion. Here, the two regions having different amounts of strain are the peripheral circuit region 3f and the memory cell array region 3e. In the example of FIG. 4A, the shot area 3a includes a plurality of chip areas 3c, and each chip area 3c is a chip area of a memory product. Since the peripheral circuit region 3f and the memory cell array region 3e have different structures, their rigidities also differ from each other. Therefore, in a series of manufacturing processes, for example, through a process that involves heating such as a film forming process such as sputtering, different magnitudes of strain occur in the peripheral circuit region 3f and the memory cell region 3e. sell.

図4(b)には、図4(a)のショット領域3aを有する基板3の上にパターンを形成するために使用されるモールド2の例が示されている。モールド2のパターン領域2aは、周辺回路領域3fに転写すべきパターンを有する第1パターン領域2fおよびメモリセルアレイ領域3eに転写すべきパターンを有する第2パターン領域2eを含む。 FIG. 4(b) shows an example of the mold 2 used to form a pattern on the substrate 3 having the shot area 3a of FIG. 4(a). The pattern area 2a of the mold 2 includes a first pattern area 2f having a pattern to be transferred to the peripheral circuit area 3f and a second pattern area 2e having a pattern to be transferred to the memory cell array area 3e.

図5(a)には、メモリセルアレイ領域3eの(目標寸法からの)縮み量が周辺回路領域3fの(目標寸法からの)縮み量よりも大きい例が示されている。換言すると、図5(a)の例では、周辺回路領域3fと第1パターン領域2fとの寸法差は、メモリセルアレイ領域3eと第2パターン領域2eとの寸法差より小さい。図5(a)の例では、メモリセルアレイ領域3eが点線で示されるメモリセルアレイ領域3e’になってしまっている状態が示されている。なお、メモリセルアレイ領域3eおよび周辺回路領域3fの歪の大きさは、実際にはnmオーダであるが、図5(a)では誇張して示されている。 FIG. 5A shows an example in which the amount of shrinkage (from the target size) of the memory cell array region 3e is larger than the amount of shrinkage (from the target size) of the peripheral circuit region 3f. In other words, in the example of FIG. 5A, the dimensional difference between the peripheral circuit region 3f and the first pattern region 2f is smaller than the dimensional difference between the memory cell array region 3e and the second pattern region 2e. In the example of FIG. 5A, a state is shown in which the memory cell array area 3e has become a memory cell array area 3e' indicated by a dotted line. Note that the magnitude of distortion in the memory cell array region 3e and peripheral circuit region 3f is actually on the order of nm, but is shown exaggerated in FIG. 5(a).

図5(a)の例では、パターン面2aとショット領域3aの形状を合わせるには、ショット領域3aにおいて、周辺回路領域3fの膨張を抑えながらメモリセル領域3eを膨張させる必要がある。ここで、加熱部17によってメモリセル領域3eに加熱光17aが照射されると、メモリセル領域3eで熱が発生し、この熱によってメモリセル領域3eが膨張する。しかしながら、この熱は、周辺回路領域3fに伝達されるので、周辺回路領域3fも膨張しうる。 In the example of FIG. 5A, in order to match the shapes of the pattern surface 2a and the shot region 3a, it is necessary to expand the memory cell region 3e in the shot region 3a while suppressing the expansion of the peripheral circuit region 3f. Here, when the heating section 17 irradiates the memory cell region 3e with the heating light 17a, heat is generated in the memory cell region 3e, and the memory cell region 3e expands due to this heat. However, since this heat is transferred to the peripheral circuit region 3f, the peripheral circuit region 3f may also expand.

そこで、メモリセルアレイ領域3eの外側の領域、即ち周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dの全部または一部に硬化光5aを照射し、周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dの上のインプリント材4を硬化させる第1硬化工程が実施される。以下では、第1硬化工程において硬化光5aが照射される領域を第1領域と定義し、また、ショット領域のうち第1領域とは異なる領域を第2領域と定義する。この定義に従えば、パターン領域2aは、第1領域に転写すべきパターンを有する第3領域、および、第2領域に転写すべきパターンを有する第4領域を含む。 Therefore, the area outside the memory cell array area 3e, that is, all or part of the peripheral circuit area 3f and the scribe line 3d is irradiated with curing light 5a to harden the imprint material 4 on the peripheral circuit area 3f and the scribe line 3d. A first curing step is performed. Below, the area irradiated with the curing light 5a in the first curing step is defined as a first area, and the area different from the first area among the shot areas is defined as a second area. According to this definition, the pattern area 2a includes a third area having a pattern to be transferred to the first area, and a fourth area having a pattern to be transferred to the second area.

第1硬化工程では、周辺回路領域3fの上のインプリント材4は、周辺回路領域3fを膨張させない状態で、即ち重ね合わせ誤差を悪化させない状態で硬化される。図5(b)には、第1硬化工程が模式的に示されている。図5(b)において、網掛けの領域は、ショット領域3aのうち第1硬化工程において、硬化光5aが照射される第1領域である。ショット領域3aが複数のチップ領域を含む場合、第1領域は、各チップ領域に配置された領域(以下、第1部分領域)を含み、第2領域も、各チップ領域に配置された領域(以下、第2部分領域)を含みうる。複数の第1部分領域は、互いに離隔して配置されてもよい。あるいは、複数の第2部分領域は、互いに離隔して配置されてもよい。あるいは、複数の第1部分領域、または、複数の第2部分領域は、互いに離隔して配置されてもよい。複数の第1部分領域は、周期的に配置されうる。複数の第2部分領域は、周期的に配置されうる。 In the first curing step, the imprint material 4 on the peripheral circuit region 3f is cured without expanding the peripheral circuit region 3f, that is, without worsening the overlay error. FIG. 5(b) schematically shows the first curing step. In FIG. 5(b), the shaded area is the first area of the shot area 3a that is irradiated with the curing light 5a in the first curing process. When the shot area 3a includes a plurality of chip areas, the first area includes an area (hereinafter referred to as a first partial area) arranged in each chip area, and the second area also includes an area (hereinafter referred to as a first partial area) arranged in each chip area. (hereinafter referred to as a second partial region). The plurality of first partial regions may be spaced apart from each other. Alternatively, the plurality of second partial regions may be arranged apart from each other. Alternatively, the plurality of first partial regions or the plurality of second partial regions may be arranged apart from each other. The plurality of first partial regions may be arranged periodically. The plurality of second partial regions may be arranged periodically.

第1硬化工程では、メモリセルアレイ領域3eの外側に、メモリセルアレイ領域3eを取り囲むように、硬化光5aが照射されない非照射領域が設けられてもよい。非照射領域は、周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dの一部分でありうる。第1ショット領域は、周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dから非照射領域を除いた部分でありうる。 In the first curing step, a non-irradiation area to which the curing light 5a is not irradiated may be provided outside the memory cell array area 3e so as to surround the memory cell array area 3e. The non-irradiated area may be a portion of the peripheral circuit area 3f and the scribe line 3d. The first shot area may be a portion of the peripheral circuit area 3f and the scribe line 3d excluding the non-irradiated area.

その後、ショット領域3aとパターン領域2aとをアライメントするために、メモリセルアレイ領域3eが加熱部17によって加熱され、メモリセルアレイ領域3eが変形されうる。この際に、モールド変形部10によってパターン領域2aも変形されてもよい。その後、ショット領域3aの全域においてインプリント材4が硬化するようにショット領域3aに硬化光5aを照射する第2硬化工程が実施される。ここで、第2硬化工程では、少なくとも、ショット領域3aのうち第1硬化工程において硬化光5aが照射されてない領域(即ち、第2領域)に硬化光5aが照射されうる。しかし、第2硬化工程では、ショット領域3aのうち第1硬化工程において硬化光5aが照射された領域(即ち、第1領域)の全体又は一部にも硬化光5aが照射されてもよい。 Thereafter, in order to align shot region 3a and pattern region 2a, memory cell array region 3e is heated by heating unit 17, and memory cell array region 3e can be deformed. At this time, the pattern area 2a may also be deformed by the mold deforming section 10. Thereafter, a second curing step is performed in which the shot area 3a is irradiated with curing light 5a so that the imprint material 4 is cured in the entire shot area 3a. Here, in the second curing step, the curing light 5a may be irradiated at least to a region of the shot region 3a that was not irradiated with the curing light 5a in the first curing step (ie, a second region). However, in the second curing process, the curing light 5a may also be irradiated to the entire or part of the area (i.e., the first area) that was irradiated with the curing light 5a in the first curing process in the shot area 3a.

以上の方法によれば、周辺回路領域3fにおける重ね合わせ精度を向上させつつ、メモリセルアレイ領域3eにおける重ね合わせ精度を向上させることができる。 According to the above method, it is possible to improve the overlay accuracy in the memory cell array area 3e while improving the overlay accuracy in the peripheral circuit area 3f.

なお、周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dの全部または一部は第1領域の一例に過ぎず、また、メモリセルアレイ領域3eは第2領域の一例に過ぎない。第1領域および第2領域は、任意の製品のショット領域において任意に定められうる。 Note that all or part of the peripheral circuit region 3f and the scribe line 3d are only an example of the first region, and the memory cell array region 3e is only an example of the second region. The first region and the second region can be arbitrarily defined in the shot region of any product.

図6には、1枚の基板に対するインプリント装置1の動作が例示的に示されている。図6に示された処理は、制御部CNTによって制御される。工程S301では、インプリント装置1に基板4がロードされ、基板保持部12によって基板3が保持される。工程S302では、インプリント処理によってパターンを形成する対象のショット領域3aの上にディスペンサ15によってインプリント材4が配置される。工程S303では、ディスペンサ15によってインプリント材4が配置されたショット領域3aがモールド2の下に配置されるように基板駆動機構23によって基板3が駆動および位置決めされる。 FIG. 6 exemplarily shows the operation of the imprint apparatus 1 on one substrate. The processing shown in FIG. 6 is controlled by the control unit CNT. In step S301, the substrate 4 is loaded into the imprint apparatus 1, and the substrate 3 is held by the substrate holding section 12. In step S302, the imprint material 4 is placed by the dispenser 15 on the shot area 3a where a pattern is to be formed by imprint processing. In step S303, the substrate 3 is driven and positioned by the substrate drive mechanism 23 so that the shot area 3a where the imprint material 4 is placed by the dispenser 15 is placed below the mold 2.

工程S304では、基板3のショット領域3aの上のインプリント材4とモールド2のパターン領域2aとが接触するようにモールド駆動機構7によってモールド2が駆動される。工程S305では、アライメント計測部15を使って、ショット領域3aの4つのマーク対について、モールド側マーク2bと基板側マーク3bとの相対位置を計測することによって、ショット領域3aとパターン領域2aとの重ね合わせ誤差が計測される。そして、この重ね合わせ誤差が低減されるように第1アラメントがなされる。第1アライメントでは、X方向の位置ずれ、Y方向の位置ずれ、Z軸周りの回転ずれと、倍率成分のずれ、スキュー成分のずれ、および、台形成分のずれが低減されるように、基板駆動機構23およびモールド駆動機構7が制御されうる。X方向の位置ずれ、Y方向の位置ずれ、Z軸周りの回転ずれの低減には、基板駆動機構23、および、モールド駆動機構7の駆動機構9が使用されうる。また、倍率成分のずれ、スキュー成分のずれ、および、台形成分のずれの低減のために、モールド変形機構10のモールド変形機構10が使用されうる。 In step S304, the mold 2 is driven by the mold drive mechanism 7 so that the imprint material 4 on the shot area 3a of the substrate 3 and the pattern area 2a of the mold 2 are in contact with each other. In step S305, the alignment measurement unit 15 is used to measure the relative positions of the mold side mark 2b and the substrate side mark 3b for the four mark pairs in the shot area 3a, thereby determining the relationship between the shot area 3a and the pattern area 2a. Overlay error is measured. Then, the first alignment is performed so that this overlay error is reduced. In the first alignment, the substrate is aligned so that the positional deviation in the X direction, the positional deviation in the Y direction, the rotational deviation around the Z axis, the deviation in the magnification component, the deviation in the skew component, and the deviation in the trapezoid component are reduced. The drive mechanism 23 and the mold drive mechanism 7 can be controlled. The substrate drive mechanism 23 and the drive mechanism 9 of the mold drive mechanism 7 can be used to reduce the displacement in the X direction, the displacement in the Y direction, and the rotational displacement around the Z axis. Furthermore, the mold deformation mechanism 10 of the mold deformation mechanism 10 can be used to reduce the deviation of the magnification component, the deviation of the skew component, and the deviation of the trapezoid component.

ここで、第1領域、第2領域、第3領域、第4領域の間の寸法の関係について説明する。1つの例において、第1アライメントにおいてモールド変形機構10によってモールド2を変形させた状態での第1領域(周辺回路領域3fの一部およびスクライブライン3dの一部)と第3領域2fとの寸法差をΔ1とする。また、第1アライメントにおいてモールド変形機構10によってモールド2を変形させた状態での第2領域(メモリセルアレイ領域3eおよび非照射領域)と第4領域との寸法差をΔ2とする。このとき、Δ1<Δ2でありうる。 Here, the dimensional relationship among the first region, second region, third region, and fourth region will be explained. In one example, the dimensions of the first region (part of the peripheral circuit region 3f and part of the scribe line 3d) and the third region 2f in a state where the mold 2 is deformed by the mold deformation mechanism 10 in the first alignment. Let the difference be Δ1. Further, the dimensional difference between the second region (memory cell array region 3e and non-irradiated region) and the fourth region in a state in which the mold 2 is deformed by the mold deformation mechanism 10 in the first alignment is Δ2. At this time, Δ1<Δ2 may hold.

他の例において、第1アライメントにおいてモールド変形機構10によってモールド2の変形を開始する時点(換言すると、モールド2を変形させていない状態)での第1領域と第3領域との寸法差をΔ1’とする。また、第1アライメントにおいてモールド変形機構10によってモールド2の変形を開始する時点での第2領域と第4領域との寸法差をΔ2’とする。このとき、Δ1’<Δ2’でありうる。 In another example, the dimensional difference between the first region and the third region at the time when the mold deformation mechanism 10 starts deforming the mold 2 in the first alignment (in other words, when the mold 2 is not deformed) is set to Δ1. '. Further, the dimensional difference between the second region and the fourth region at the time when the mold deformation mechanism 10 starts deforming the mold 2 in the first alignment is assumed to be Δ2'. At this time, Δ1'<Δ2' may hold.

工程S306では、第1硬化工程が実施される。具体的には、工程S306では、図6(b)に例示されるように、制御部CNTは、第1領域、即ち周辺回路領域3fおよびスクライブライン3dの全部または一部の上のインプリント材4が硬化されるように硬化部5を制御する。第1領域は、基板側マーク3bが存在する領域を含んでもよく、この場合、第1硬化工程において、基板側マーク3bとモールド側マーク3bとの相対位置が固定される。 In step S306, a first curing step is performed. Specifically, in step S306, as illustrated in FIG. 6(b), the control unit CNT controls the imprint material on all or part of the first region, that is, the peripheral circuit region 3f and the scribe line 3d. The curing section 5 is controlled so that the curing portion 4 is cured. The first region may include a region where the substrate-side mark 3b exists, and in this case, the relative positions of the substrate-side mark 3b and the mold-side mark 3b are fixed in the first curing step.

工程S307では、ショット領域3aとパターン領域2aとの重ね合わせ誤差が低減されるように第2アライメントが実施される。第2アライメントは、加熱部17による第2領域(あるいはメモリセルアレイ領域3e)の加熱を含みうる。加熱部17によるメモリセルアレイ領域3eの加熱は、第2領域(あるいはメモリセルアレイ領域3e)に対して制御された照度分布を与えることによって、重ね合わせ誤差が低減されるようにメモリセルアレイ領域3eを変形させるようになされうる。ここで、第2アライメントが開始される時点において、第2領域(あるいはメモリセルアレイ領域)3eは、第4領域(あるいは第2パターン領域)2eよりも小さい。 In step S307, second alignment is performed so that the overlay error between shot area 3a and pattern area 2a is reduced. The second alignment may include heating the second region (or memory cell array region 3e) by the heating unit 17. The heating of the memory cell array region 3e by the heating unit 17 deforms the memory cell array region 3e so that the overlay error is reduced by giving a controlled illuminance distribution to the second region (or the memory cell array region 3e). can be made to do so. Here, at the time when the second alignment is started, the second area (or memory cell array area) 3e is smaller than the fourth area (or second pattern area) 2e.

第2アライメントにおいても、モールド変形機構10が使用されうる。あるいは、制御部CNTは、第1アライメントおよび第2アライメントの少なくとも一方においてモールド変形機構10を動作させてもよい。第2アライメントでは、密閉空間SPの圧力の調整によってパターン領域2aの形状が追加的に補正されてもよい。 The mold deformation mechanism 10 can also be used in the second alignment. Alternatively, the control unit CNT may operate the mold deformation mechanism 10 in at least one of the first alignment and the second alignment. In the second alignment, the shape of the pattern region 2a may be additionally corrected by adjusting the pressure in the closed space SP.

以上の制御例では、制御部CNTは、第1アライメントにおいて加熱部17に第1領域を加熱させない。しかし、制御部CNTは、第1アライメントにおいて加熱部17が第1領域に与える熱量が第2アライメントにおいて加熱部17が第2領域に与える熱量より小さいように加熱部17を制御してもよい。 In the above control example, the control unit CNT does not cause the heating unit 17 to heat the first region in the first alignment. However, the control unit CNT may control the heating unit 17 so that the amount of heat that the heating unit 17 gives to the first region in the first alignment is smaller than the amount of heat that the heating unit 17 gives to the second region in the second alignment.

工程S308では、第2硬化工程が実施される。具体的には、工程S308では、制御部CNTは、ショット領域3aの全域の上のインプリント材4が硬化されるように硬化部5を制御する。工程S308では、工程S306における第1領域への硬化光5aの照射量を考慮して、第1硬化工程および第2硬化工程による硬化光5aの合計の照射量が許容値を超えないように第2硬化工程における照度分布あるいは照射領域が制御されうる。 In step S308, a second curing step is performed. Specifically, in step S308, the control unit CNT controls the curing unit 5 so that the imprint material 4 over the entire shot area 3a is cured. In step S308, in consideration of the amount of irradiation of the curing light 5a to the first region in step S306, the total amount of irradiation of the curing light 5a in the first curing step and the second curing step does not exceed the allowable value. The illuminance distribution or irradiation area in the second curing step can be controlled.

工程S309では、硬化したインプリント材4からモールド2が分離されるようにモールド駆動機構7によってモールド2が駆動される。工程310では、基板3の複数のショット領域のうちパターンを形成すべき全てのショット領域に対するパターンの形成が終了したか否かが判断され、終了してない場合には、次にパターンを形成すべきショット領域について工程S302~S309が実施される。一方、パターンを形成すべき全てのショット領域に対するパターンの形成が終了した場合には、工程S311において、基板保持部12から基板3がアンロードされる。 In step S309, the mold 2 is driven by the mold drive mechanism 7 so that the mold 2 is separated from the cured imprint material 4. In step 310, it is determined whether or not pattern formation has been completed for all shot areas in which patterns are to be formed among the plurality of shot areas on the substrate 3. If pattern formation has not been completed, a pattern is formed next. Steps S302 to S309 are performed for the target shot area. On the other hand, if pattern formation for all shot areas in which patterns are to be formed has been completed, the substrate 3 is unloaded from the substrate holder 12 in step S311.

工程S306(第1硬化工程)でインプリント材を硬化させる第1領域と、工程S307(第2アライメント工程)で加熱部17がショット領域に形成する照度分布は、一例において、以下のようにして決定されうる。まず、図6に示す処理において工程S306、S307を省いたテストインプリントを実施して、ショット領域3aとその上にモールド3を使って形成されたパターンとの重ね合せ誤差を、SEMなどを使って取得する。次に、重ね合せ誤差を補正するために最適な第1領域と加熱光17aの照度分布を数値シミュレーションなどによって計算する。 In one example, the illuminance distribution formed in the first region where the imprint material is cured in step S306 (first curing step) and in the shot region by the heating unit 17 in step S307 (second alignment step) is as follows. can be determined. First, a test imprint is performed in which steps S306 and S307 are omitted in the process shown in FIG. and obtain it. Next, in order to correct the overlay error, the optimum illuminance distribution of the first region and the heating light 17a is calculated by numerical simulation or the like.

本実施形態によれば、ショット領域3aの部分的な領域(第1領域)の上のインプリント材4を硬化させることで、ショット領域3aとパターン領域2aとが相対的に変形できない領域が規定される。また、当該部分的な領域(第1領域)以外の領域(第2領域)は、ショット領域3aとパターン領域2aとが相対的に変形できる領域として規定される。よって、本実施形態は、高次の空間周波数を有する形状補正に有利である。高次の空間周波数を有する形状補正が必要な例としては、例えば、ショット領域が複数のチップ領域を有し、各チップ領域の形状を補正すべきケースを挙げることができる。 According to this embodiment, by curing the imprint material 4 on a partial region (first region) of the shot region 3a, a region where the shot region 3a and the pattern region 2a cannot be relatively deformed is defined. be done. Further, an area (second area) other than the partial area (first area) is defined as an area where the shot area 3a and the pattern area 2a can be relatively deformed. Therefore, this embodiment is advantageous for shape correction having a high-order spatial frequency. An example of a case where shape correction having a high-order spatial frequency is required is, for example, a case where a shot region has a plurality of chip regions and the shape of each chip region should be corrected.

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。 The pattern of the cured material formed using the imprint device is used permanently on at least a portion of various articles, or temporarily when manufacturing various articles. The articles include electric circuit elements, optical elements, MEMS, recording elements, sensors, molds, and the like. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting and the like.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product can be used as it is as a component of at least a portion of the article, or can be used temporarily as a resist mask. After etching, ion implantation, or the like is performed in a substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図7(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。 Next, an article manufacturing method will be described in which a pattern is formed on a substrate using an imprint apparatus, the substrate on which the pattern is formed is processed, and an article is manufactured from the processed substrate. As shown in FIG. 7(a), a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared, and then ink is applied to the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. Apply printing material 3z. Here, a state in which a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are applied onto a substrate is shown.

図7(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図7(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを介して照射すると、インプリント材3zは硬化する。 As shown in FIG. 7(b), the imprint mold 4z is placed facing the imprint material 3z on the substrate, with the side on which the concavo-convex pattern is formed facing the imprint material 3z on the substrate. As shown in FIG. 7(c), the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled into the gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図7(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。 As shown in FIG. 7D, after the imprint material 3z is cured, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of the cured imprint material 3z is formed on the substrate 1z. The pattern of this cured product has a shape in which the concave parts of the mold correspond to the convex parts of the cured product, and the convex parts of the mold correspond to the concave parts of the cured product.In other words, the concave and convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It means that it was done.

図7(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図7(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 7(e), when etching is performed using the pattern of the cured material as an etching-resistant mask, parts of the surface of the workpiece 2z where there is no or a thin remaining cured material are removed, forming grooves 5z and Become. As shown in FIG. 7(f), by removing the pattern of the cured material, it is possible to obtain an article in which grooves 5z are formed on the surface of the workpiece 2z. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as an interlayer insulation film included in a semiconductor element or the like, that is, as a component of an article, without removing it even after processing.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are hereby appended to disclose the scope of the invention.

1:インプリント装置、2:モールド、3:基板、5:硬化部、17:加熱部、CNT:制御部 1: Imprint device, 2: Mold, 3: Substrate, 5: Curing section, 17: Heating section, CNT: Control section

Claims (13)

基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、前記インプリント材を硬化させることにより前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント装置であって、
前記ショット領域が変形するように前記基板を加熱する加熱部と、
前記ショット領域の上の前記インプリント材を硬化させる硬化部と、
前記加熱部および前記硬化部を制御する制御部と、を備え、
前記ショット領域は、互いに離隔した複数の第1領域および互いに離隔した複数の第2領域を含み、前記パターン領域は、前記複数の第1領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第3領域および前記複数の第2領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第4領域を含み、
前記制御部は、前記複数の第1領域のそれぞれと前記複数の第3領域のうち対応する第3領域とをアライメントする第1アライメントを制御した後に前記複数の第1領域の上の前記インプリント材を硬化させるように前記硬化部を制御し、その後、前記複数の第2領域のそれぞれと前記複数の第4領域のうち対応する第4領域とをアライメントする第2アライメントを制御した後に前記ショット領域の全域の上の前記インプリント材が硬化するように前記硬化部を制御し、
前記第2アライメントは、前記加熱部による前記複数の第2領域の加熱を含み、
前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus that forms a pattern made of a cured product of the imprint material by bringing an imprint material on a shot region of a substrate into contact with a pattern region of a mold and curing the imprint material, the imprint device comprising:
a heating unit that heats the substrate so that the shot area is deformed;
a curing section that hardens the imprint material above the shot area;
A control unit that controls the heating unit and the curing unit,
The shot area includes a plurality of first areas separated from each other and a plurality of second areas separated from each other, and the pattern area includes a plurality of third areas each having a pattern to be transferred to each of the plurality of first areas. and a plurality of fourth regions each having a pattern to be transferred to each of the plurality of second regions,
The control unit controls the imprint on the plurality of first regions after controlling a first alignment that aligns each of the plurality of first regions and a corresponding third region of the plurality of third regions. The curing section is controlled to harden the material, and after that, the second alignment is controlled to align each of the plurality of second regions with a corresponding fourth region of the plurality of fourth regions, and then the shot is controlling the curing section so that the imprint material over the entire area is cured;
The second alignment includes heating the plurality of second regions by the heating unit,
The dimensional difference between the first region and the third region is smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region.
An imprint device characterized by:
前記制御部は、前記第1アライメントにおいて前記加熱部に前記第1領域を加熱させない、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
The control unit does not cause the heating unit to heat the first region in the first alignment.
The imprint apparatus according to claim 1, characterized in that:
前記制御部は、前記第1アライメントにおいて前記加熱部が前記第1領域に与える熱量が前記第2アライメントにおいて前記加熱部が前記第2領域に与える熱量より小さいように前記加熱部を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
The control unit controls the heating unit such that the amount of heat that the heating unit gives to the first region in the first alignment is smaller than the amount of heat that the heating unit gives to the second region in the second alignment.
The imprint apparatus according to claim 1, characterized in that:
前記モールドを変形させるモールド変形機構を更に備え、
前記制御部は、前記第1アライメントおよび前記第2アライメントの少なくとも一方において前記モールド変形機構を動作させる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
further comprising a mold deformation mechanism that deforms the mold,
The control unit operates the mold deformation mechanism in at least one of the first alignment and the second alignment.
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
前記モールドを変形させるモールド変形機構を更に備え、
前記制御部は、前記第1アライメントおよび前記第2アライメントにおいて前記モールド変形機構を動作させる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
further comprising a mold deformation mechanism that deforms the mold,
The control unit operates the mold deformation mechanism in the first alignment and the second alignment.
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
前記第1アライメントにおいて前記モールド変形機構によってモールドを変形させた状態での前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第1アライメントにおいて前記モールド変形機構によってモールドを変形させた状態での前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
The dimensional difference between the first region and the third region when the mold is deformed by the mold deformation mechanism in the first alignment is the same as the dimensional difference between the first region and the third region when the mold is deformed by the mold deformation mechanism in the first alignment. smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region,
The imprint apparatus according to claim 5, characterized in that:
前記第1アライメントにおいて前記モールド変形機構によってモールドの変形を開始する時点での前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第1アライメントにおいて前記モールド変形機構によってモールドの変形を開始する時点での前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
The dimensional difference between the first region and the third region at the time when the mold deformation mechanism starts deforming the mold in the first alignment is such that the dimensional difference between the first region and the third region causes the mold deformation mechanism to start deforming the mold in the first alignment. smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region at the time,
The imprint apparatus according to claim 5, characterized in that:
前記第2アライメントを開始する時点において、前記第2領域は、前記第4領域より小さい、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
At the time of starting the second alignment, the second region is smaller than the fourth region,
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
前記ショット領域は、複数のチップ領域を含み、前記第1領域は、各チップ領域に配置された領域を含み、前記第2領域は、各チップ領域に配置された領域を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置。
The shot area includes a plurality of chip areas, the first area includes an area arranged in each chip area, and the second area includes an area arranged in each chip area.
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 8, characterized in that:
基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、前記インプリント材を硬化させることにより前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント装置であって、
前記ショット領域が変形するように前記基板を加熱する加熱部と、
前記ショット領域の上の前記インプリント材を硬化させる硬化部と、
前記加熱部および前記硬化部を制御する制御部と、を備え、
前記ショット領域は、複数のチップ領域を含み、各チップ領域は、第1領域および第2領域を含み、前記パターン領域は、前記第1領域に転写すべきパターンを有する第3領域および前記第2領域に転写すべきパターンを有する第4領域を含み、
前記制御部は、前記第1領域と前記第3領域とをアライメントする第1アライメントを制御した後に前記第1領域の上の前記インプリント材を硬化させるように前記硬化部を制御し、その後、前記第2領域と前記第4領域とをアライメントする第2アライメントを制御した後に前記ショット領域の全域の上の前記インプリント材が硬化するように前記硬化部を制御し、
前記第2アライメントは、前記加熱部による前記第2領域の加熱を含み、
前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus that forms a pattern made of a cured product of the imprint material by bringing an imprint material on a shot region of a substrate into contact with a pattern region of a mold and curing the imprint material, the imprint device comprising:
a heating unit that heats the substrate so that the shot area is deformed;
a curing section that hardens the imprint material above the shot area;
A control unit that controls the heating unit and the curing unit,
The shot area includes a plurality of chip areas, each chip area includes a first area and a second area, and the pattern area includes a third area having a pattern to be transferred to the first area and the second area. a fourth region having a pattern to be transferred to the region;
The control unit controls the curing unit to cure the imprint material on the first area after controlling a first alignment that aligns the first area and the third area, and then, controlling the curing section so that the imprint material over the entire area of the shot area is cured after controlling a second alignment that aligns the second area and the fourth area;
The second alignment includes heating the second region by the heating unit,
The dimensional difference between the first region and the third region is smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region.
An imprint device characterized by:
請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置によって基板の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された前記基板の加工を行う工程と、
を含み、前記加工が行われた前記基板から物品を得ることを特徴とする物品製造方法。
forming a pattern made of a cured imprint material on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 10;
processing the substrate on which a pattern has been formed in the step;
A method for manufacturing an article, comprising: obtaining an article from the substrate subjected to the processing.
基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、前記インプリント材を硬化させることにより前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域は、互いに離隔した複数の第1領域および互いに離隔した複数の第2領域を含み、前記パターン領域は、前記複数の第1領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第3領域および前記複数の第2領域のそれぞれに転写すべきパターンをそれぞれ有する複数の第4領域を含み、
前記インプリント方法は、
前記複数の第1領域のそれぞれと前記複数の第3領域のうち対応する第3領域とをアライメントする第1アライメント工程と、
前記第1アライメント工程の後に、前記複数の第1領域の上の前記インプリント材を硬化させる第1硬化工程と、
前記第1硬化工程の後に、前記複数の第2領域のそれぞれと前記複数の第4領域のうち対応する第4領域とをアライメントする第2アライメント工程と、
前記第2アライメント工程の後に、前記ショット領域の全域の上の前記インプリント材を硬化させる第2硬化工程と、を含み、
前記第2アライメント工程は、前記複数の第2領域を加熱により変形させることを含み、
前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とするインプリント方法。
An imprint method in which an imprint material on a shot area of a substrate is brought into contact with a pattern area of a mold, and a pattern made of a cured product of the imprint material is formed by curing the imprint material, the imprint method comprising:
The shot area includes a plurality of first areas separated from each other and a plurality of second areas separated from each other, and the pattern area includes a plurality of third areas each having a pattern to be transferred to each of the plurality of first areas. and a plurality of fourth regions each having a pattern to be transferred to each of the plurality of second regions,
The imprint method includes:
a first alignment step of aligning each of the plurality of first regions and a corresponding third region of the plurality of third regions;
After the first alignment step, a first curing step of curing the imprint material on the plurality of first regions;
After the first curing step, a second alignment step of aligning each of the plurality of second regions and a corresponding fourth region among the plurality of fourth regions;
After the second alignment step, a second curing step of curing the imprint material over the entire area of the shot area,
The second alignment step includes deforming the plurality of second regions by heating,
The dimensional difference between the first region and the third region is smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region.
An imprint method characterized by:
基板のショット領域の上のインプリント材とモールドのパターン領域とを接触させ、前記インプリント材を硬化させることにより前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域は、複数のチップ領域を含み、各チップ領域は、第1領域および第2領域を含み、前記パターン領域は、前記第1領域に転写すべきパターンを有する第3領域および前記第2領域に転写すべきパターンを有する第4領域を含み、
前記インプリント方法は、
前記第1領域と前記第3領域とをアライメントする第1アライメント工程と、
前記第1アライメント工程の後に、前記第1領域の上の前記インプリント材を硬化させる第1硬化工程と、
前記第1硬化工程の後に、前記第2領域と前記第4領域とをアライメントする第2アライメント工程と、
前記第2アライメント工程の後に、前記ショット領域の全域の上の前記インプリント材を硬化させる第2硬化工程と、を含み、
前記第2アライメント工程は、前記第2領域を加熱して前記第2領域を変形させることを含み、
前記第1領域と前記第3領域との寸法差は、前記第2領域と前記第4領域との寸法差より小さい、
ことを特徴とするインプリント方法。
An imprint method in which an imprint material on a shot area of a substrate is brought into contact with a pattern area of a mold, and a pattern made of a cured product of the imprint material is formed by curing the imprint material, the imprint method comprising:
The shot area includes a plurality of chip areas, each chip area includes a first area and a second area, and the pattern area includes a third area having a pattern to be transferred to the first area and the second area. a fourth region having a pattern to be transferred to the region;
The imprint method includes:
a first alignment step of aligning the first region and the third region;
a first curing step of curing the imprint material on the first region after the first alignment step;
a second alignment step of aligning the second region and the fourth region after the first curing step;
After the second alignment step, a second curing step of curing the imprint material over the entire area of the shot area,
The second alignment step includes heating the second region to deform the second region,
The dimensional difference between the first region and the third region is smaller than the dimensional difference between the second region and the fourth region.
An imprint method characterized by:
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