JP7425176B2 - マスク処理装置及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明はマスク処理装置及び基板処理装置に関する。

半導体素子を製造するためにウエハのような基板には写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして薄膜蒸着等の様々な工程が遂行される。各々の工程には様々な処理液、処理ガスが使用される。また、基板を処理するのに使用される処理液を基板から除去するために、基板に乾燥工程が遂行される。

ウエハ上にパターンを形成するための前記写真工程は露光工程を含む。露光工程はウエハ上に付着された半導体集積材料を望むパターンに削り出すための作業である。露光工程は蝕刻のためのパターンを形成、イオン注入をためのパターンの形成等の様々な目的を有することができる。露光工程は、一種の‘フレーム’であるマスク（Ｍａｓｋ）を利用して、ウエハ上に光でパターンを描く。ウエハ上の半導体集積材料、例えばウエハ上のレジストに光が露出されれば、光及びマスクによって、パターンに合わせてレジストの化学的性質が変化する。パターンに合わせて化学的性質が変化したレジストに現像液が供給されれば、ウエハ上にはパターンが形成される。

露光工程を精密に遂行するためには、マスクに形成されたパターンが精密に製作されなければならない。場合によっては、マスクに形成されたパターンの線幅の調整が必要とすることができる。パターン線幅が望むサイズではない場合、マスクを新しく製作する方法を考慮することができるが、マスク１つの価額は非常に高価であるので、適切ではない。したがって、マスクを追加に加工してマスクに形成されたパターンの線幅を調整することが必要とする。

図１はＤＵＶ光を利用してウエハ上にパターンを描く形状を示す図面である。従来、ＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用してウエハ上にパターンを描くのに利用されるＤＵＶマスクは、ＤＵＶ光が通過されるように構成される。したがって、ＤＵＶマスク上に形成されたパターンの線幅を調整するために、ＤＵＶマスク上のパターン又はパターンの周辺領域にレーザービームを照射してパターンの線幅を調整することが可能である。例えば、パターンの線幅を大きくするために、パターンにレーザービームを照射することができる。また、パターンの線幅を狭くするために、パターン周辺領域にレーザービームを照射してパターン周辺領域にクラックを形成することができる。パターン周辺領域にクラックが形成される場合、パターン周辺領域が熱膨張しながら、パターンの線幅が狭くなることができる。しかし、このようなパターン線幅の調整方法はＥＵＶマスクには適用しにくい。

図２はＥＵＶ光を利用してウエハ上にパターンを描く形状を示す図面である。図２を参照すれば、ＥＵＶマスクは、ＤＵＶマスクと異なりにＥＵＶ光を反射する方式にウエハ上にパターンを描く。ＥＵＶ光は、ＤＵＶ光よりその波長が非常に短い。したがって、ＥＵＶ光はマスクを通過できなく、マスクに吸収される。したがって、ＥＵＶマスクはＥＵＶ光を反射する方式にウエハ上にパターンを描く。このような理由で、単純にレーザービームをマスク上のパターン又はパターンの周辺領域に照射してマスクの線幅を調整する方式はＥＵＶマスクには適用しにくい。

韓国特許公開第１０－２０２０－００４３７６７号公報

本発明の目的は基板を効率的に処理することができるマスク処理装置及び基板処理装置を提供することにある。

本発明の目的は基板を効率的に処理することができるマスク処理装置及び基板処理装置を提供することにある。

本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることはなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

本発明はマスクを処理するマスク処理装置を提供する。マスク処理装置は、マスクを支持する支持ユニット、及びマスクに光を照射してマスクに形成されたパターンの線幅を調整する光照射ユニットを含み、前記光照射ユニットは、光を発生させる光ソース、及び前記光ソースで発生される光を変調して照射パターンを形成する光変調素子を含むことができる。

一実施形態によれば、前記光変調素子は、回転可能に提供されるマイクロミラー、及び前記マイクロミラーが設置される素子基板を含むことができる。

一実施形態によれば、前記光照射ユニットは、前記マイクロミラーによって反射方向が変更されてマスクに伝達されない光を除去するための光ダンパーをさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記光ダンパーは内部空間を有する筒形状を有し、前記光変調素子が変調した光が通過するホールが形成されることができる。

一実施形態によれば、前記光ダンパーの内側面の中で少なくとも一部は、前記マイクロミラーによって反射方向が変更されてマスクに伝達されない光を除去できるように構成されるグルーブが形成されることができる。

一実施形態によれば、前記光照射ユニットは、前記光ダンパーを冷却させる冷却器具をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記マスク処理装置は、前記光変調素子が変調した光の照射位置を変更する照射位置変更器具をさらに含み、前記照射位置変更器具は、回転駆動器、及び前記回転駆動器に結合された回転可能な回転ミラーを含むことができる。

一実施形態によれば、前記回転駆動器及び前記回転ミラーが複数設けられ、複数の前記回転ミラーのいずれか１つの回転軸と、他の前記回転ミラーの１つの回転軸は、互いに平行でないように設置されることができる。

一実施形態によれば、前記マスク処理装置は、前記照射位置変更器具と前記支持ユニットとの間に設置され、前記照射位置変更器具によって傾くように進行する光を垂直方向に屈折させるＦ－Ｔｈｅｔａレンズをさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記マスク処理装置は、前記光照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は光照射が要求されるマスクの複数の領域の各々に要求される照射パターンを形成するように前記光変調素子を制御し、複数の領域に対する照射順序をランダムに決定することができる。

また、本発明は基板を処理する基板処理装置を提供する。基板処理装置は、基板を支持する支持ユニット、前記支持ユニットに支持された基板に薬液を供給する薬液供給ユニット、及び前記支持ユニットに支持された基板にレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットを含み、前記レーザービーム照射ユニットは、レーザービームを発生させるレーザービームソース、及び前記レーザービームソースで発生されるレーザービームを変調して照射パターンを形成するＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ－ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）素子を含むことができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、基板を処理する処理空間（前記支持ユニットは、前記処理空間で基板を支持する）を定義するボウルをさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は基板の第１領域にレーザービームを照射する時、前記ＤＭＤ素子が第１照射パターンを形成し、基板の前記第１領域と異なる第２領域にレーザービームを照射する時、前記ＤＭＤ素子が第２照射パターンを形成するように前記レーザービーム照射ユニットを制御することができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器はレーザービームの照射が必要である基板の複数の領域に対する照射順序をランダムに決定し、決定された前記照射順序に応じて基板にレーザービームを照射するように前記レーザービーム照射ユニットを制御することができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記ＤＭＤ素子が変調したレーザービームの照射位置を変更する照射位置変更器具をさらに含み、前記支持ユニットはレーザービームが基板に照射される間に、及び／又はレーザービームの照射位置が変更される間に基板の水平方向位置を固定された状態に維持させるように構成されることができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記薬液供給ユニット及び前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は前記薬液供給ユニットが前記支持ユニットに支持された基板に薬液を供給して液膜を形成し、液膜が形成された基板に前記レーザービーム照射ユニットがレーザービームを照射するように前記薬液供給ユニット、そして前記レーザービーム照射ユニットを制御することができる。

一実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記レーザービームソースで照射されるガウシアン形状のレーザービームをフラットトップ形状のレーザービームに変換するフラットトップ光学器具をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記ＤＭＤ素子は前記レーザービームソースが発生させるレーザービームの幅をそのまま維持するか、又はその幅を狭める方法でレーザービームを変調することができる。

また、ＥＵＶ光を反射して基板上にパターンを形成するＥＵＶマスクを処理するマスク処理装置を提供する。マスク処理装置は、マスクを支持する支持ユニット、マスクにエッチャントである薬液を供給する液供給ユニット、及び前記液供給ユニットが供給した薬液によって液膜が形成されたマスクにレーザービームを照射してマスクに形成されたパターンの線幅を調整するレーザービーム照射ユニットを含み、前記レーザービーム照射ユニットは、ガウシアン形状のレーザービームを発生させるレーザービームソース、前記レーザービームソースで発生されるレーザービームを変調して照射パターンを形成するＤＭＤ素子、前記ＤＭＤ素子によって反射方向が変更されて基板に照射されないレーザービームを除去するレーザービームダンパー－前記レーザービームダンパーには前記ＤＭＤ素子によって変調されたレーザービームが通過するホールが形成され、前記レーザービームダンパーの内側面には基板に照射されないレーザービームを除去できるように構成される複数のグルーブが形成され、前記レーザービームソースと前記ＤＭＤ素子との間に設置されて、ガウシアン形状のレーザービームをフラットトップ形状のレーザービームに変換するフラットトップ光学器具、前記ＤＭＤ素子によって変調されたレーザービームがマスクに照射される位置を変更するガルバノスキャナである照射位置変更器具、及び前記照射位置変更器具と前記支持ユニットとの間に位置し、前記照射位置変更器具を通過したレーザービームの進行方向を垂直方向に変更するＦ－Ｔｈｅｔａレンズを含むことができる。

一実施形態によれば、前記マスク処理装置は、前記レーザービーム照射ユニット及び前記薬液供給ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は、前記薬液供給ユニットが前記支持ユニットに支持されたマスクに薬液を供給して液膜を形成するように前記薬液供給ユニットを制御する動作、前記制御器がレーザービームの照射が必要であるマスクの複数の領域に対するレーザービームの照射順序をランダムに決定する動作、前記ＤＭＤ素子が複数の領域の中でレーザービームの照射が進行される領域に対応される照射パターンを形成するように前記ＤＭＤ素子を制御する動作、及び形成された照射パターン及び前記照射順序に応じてレーザービームをマスクに照射する動作を遂行するように構成されることができる。

また、本発明はマスクを処理する方法を提供する。マスク処理方法は、ビジョン検査を通じて前記マスクに形成されたパターンの線幅調整が必要である領域をマッピングするマスク検査段階、前記マスクに薬液を供給して液膜を形成する薬液供給段階、及び前記液膜が形成された前記マスクの前記線幅調整が必要である領域に光変調素子によって照射パターンが形成されたレーザービームを照射する光照射段階を含むことができる。

一実施形態によれば、前記マスク処理方法は、前記マスクが支持ユニットに置かれる位置、前記マスクが前記支持ユニットに置かれる方向、前記レーザービームが照射される位置の中で少なくとも１つ以上をアラインメントするアラインメント段階をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記アラインメント段階は、前記光照射段階より先に遂行されることができる。

一実施形態によれば、前記アラインメント段階で、前記マスクが前記支持ユニットに置かれる位置、前記マスクが前記支持ユニットに置かれる方向は前記マスクに表示されたアラインメントマークをビジョンセンサーで撮像して確認することができる。

一実施形態によれば、前記アラインメント段階で、前記レーザービームが照射される位置は、前記レーザービームの照射位置を変更するガルバノスキャナの下方にアラインメントプレートを位置させ、前記アラインメントプレートに前記レーザービームを照射し、前記アラインメントプレートをビジョンセンサーで撮像して確認することができる。

一実施形態によれば、前記光照射段階が遂行される間に前記マスクの水平方向位置及び垂直方向位置は固定された状態に維持されることができる。

一実施形態によれば、前記線幅調整が必要である領域に対する照射順序を決定し、前記照射順序は前記領域の位置と関わらずランダムに決定されることができる。

一実施形態によれば、前記レーザービームはガウシアン形状からフラットトップ形状に変換され、前記フラットトップ形状に変換された前記レーザービームが前記光変調素子によって変調されて前記照射パターンを形成することができる。

一実施形態によれば、前記光変調素子はレーザービームソースから発生される前記レーザービームの幅をそのまま維持するか、又はその幅を狭める方法で前記レーザービームを変調することができる。

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板処理方法は、ビジョン検査を通じて前記基板で加熱が必要である領域をマッピングする基板検査段階、前記基板に薬液を供給して液膜を形成する薬液供給段階、前記液膜が形成された前記基板にＤＭＤ素子によって変調されて照射パターンが形成されたレーザービームを照射するレーザービーム照射段階を含むことができる。

一実施形態によれば、前記基板処理方法は、前記基板が支持ユニットに置かれる位置、前記基板が前記支持ユニットに置かれる方向、前記レーザービームが照射される位置の中で少なくとも１つ以上をアラインメントするアラインメント段階をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記加熱が必要である領域に対する照射順序を決定し、前記照射順序はランダムに決定されることができる。

一実施形態によれば、前記レーザービームはガウシアン形状からフラットトップ形状に変換され、前記フラットトップ形状に変換された前記レーザービームが前記ＤＭＤ素子によって変調されて前記照射パターンを形成することができる。

一実施形態によれば、前記ＤＭＤ素子の前記照射パターンは前記加熱が必要である領域ごとに各々形成することができる。

一実施形態によれば、前記ＤＭＤ素子はレーザービームソースから発生する前記レーザービームの幅をそのまま維持するか、又はその幅を狭める方法で前記レーザービームを変調することができる。

本発明の一実施形態によれば、マスクを効果的に処理することができる。

また、本発明の一実施形態によれば、マスクに形成されたパターンの線幅を効果的に調整することができる。

本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

ＤＵＶ光を利用してウエハ上にパターンを描く形状を示す図面である。 ＥＵＶ光を利用してウエハ上にパターンを描く形状を示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。 図３の液処理チャンバーで処理される基板の形状を概略的に示した図面である。 図３の液処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。 光照射器具で出力される光の分布を示したグラフである。 フラットトップ光学器具を通過した光の分布を示したグラフである。 光変調素子の形状を概略的に示した図面である。 光変調素子で出力された光が基板に照射される形状を示す図面である。 光変調素子で出力された光が光ダンパーで除去される形状を示す図面である。 光ダンパーで光が除去される原理を説明するための図面である。 光変調素子で出力される光の照射パターンを説明するための図面である。 照射位置変更器具が光の照射位置を変更する形状を示す図面である。 照射位置変更器具で斜めの方向に進行する光の進行方向を垂直方向に変換する形状を示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理方法を示したフローチャートである。 図１５のアラインメント段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。 図１５の薬液供給段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。 図１５の光照射段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。 図１５の光照射段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。 光照射ユニットの照射順序を説明するためのマスクの形状である。

以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素も第１構成要素と称されることができる。

ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。

異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。

以下では、図３乃至図１９を参照して本発明の実施形態を説明する。

図３は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。

図３を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、および制御器３０を含む。上部から見る時、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向Ｘとし、上部から見る時、第１の方向Ｘと垂直になる方向を第２方向Ｙとし、第１の方向Ｘ及び第２方向Ｙに全て垂直になる方向を第３方向Ｚとする。

インデックスモジュール１０は基板Ｍが収納された容器ＣＲから基板Ｍを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｍを容器ＣＲに収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向Ｙに提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板Ｍが収納された容器ＣＲはロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向Ｙに沿って配置されることができる。

容器ＣＲとしては前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器ＣＲはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。

インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向Ｙに提供されたガイドレール１２４が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１２４上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｍが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向Ｚを軸とする回転、そして第３方向Ｚに沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。

制御器３０は基板処理装置が有する構成を制御することができる。制御器３０は基板処理装置の動作制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）で成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレー等で成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは格納部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。

制御器３０は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置を制御することができる。例えば、制御器３０は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように液処理チャンバー４００に提供される構成を制御することができる。

処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送チャンバー３００、および液処理チャンバー４００を含む。バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板Ｍと処理モジュール２０から搬出される基板Ｍが一時的に留まる空間を提供する。液処理チャンバー４００は基板Ｍ上に液を供給して基板Ｍを液処理する液処理工程を遂行する。搬送チャンバー３００はバッファユニット２００、液処理チャンバー４００、および乾燥チャンバー５００の間に基板Ｍを搬送する。

搬送チャンバー３００はその長さ方向が第１の方向Ｘに提供されることができる。バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー３００との間に配置されることができる。液処理チャンバー４００と乾燥チャンバー５００は搬送チャンバー３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバー４００と搬送チャンバー３００は第２方向Ｙに沿って配置されることができる。乾燥チャンバー５００と搬送チャンバー３００は第２方向Ｙに沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送チャンバー３００の一端に位置されることができる。

一例によれば、液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の両側に配置されることができる。搬送チャンバー３００の一側で液処理チャンバー４００は第１の方向Ｘ及び第３方向Ｚに沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。

搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には長さ方向が第１の方向Ｘに提供されたガイドレール３２４が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３２４上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０は基板Ｍが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向Ｚを軸とする回転、そして第３方向Ｚに沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。

バッファユニット２００は基板Ｍが置かれる複数のバッファ２２０を具備する。バッファ２２０は第３方向Ｚに沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は背面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。

以下では、液処理チャンバー４００で処理される基板Ｍに対して詳細に説明する。

図４は図３の液処理チャンバーで処理される基板の形状を概略的に示した図面である。

図４を参照すれば、液処理チャンバー４００で処理される被処理物はウエハ、ガラス、フォトマスクの中でいずれか１つの基板であり得る。例えば、液処理チャンバー４００で処理される基板Ｍは、露光工程の時使用される‘フレーム’であるフォトマスク（Ｐｈｏｔｏ Ｍａｓｋ）であり得る。

基板Ｍは方形の形状を有することができる。基板Ｍは露光工程の時使用される‘フレーム’であるフォトマスクであり得る。基板Ｍ上には少なくとも１つ以上の基準マークＡＫが表示されていることができる。例えば、基準マークＡＫは基板Ｍの角領域の各々に複数が形成されることができる。基準マークＡＫはアラインメントキー（Ａｌｉｇｎ Ｋｅｙ）と称される、基板Ｍを整列する時、使用されるマークであり得る。また、基準マークＡＫは基板Ｍの位置情報を導出するのに利用されるマークであり得る。例えば、液処理チャンバー４００にはカメラ等のビジョンセンサー（図示せず）が具備され、ビジョンセンサーは基準マークＡＫを撮像してイメージを獲得し、制御器３０は基準マークＡＫを含むイメージを分析して、基板Ｍの位置及び方向を検出することができる。また、基準マークＡＫは基板Ｍを搬送する時、基板Ｍの位置を把握するのに使用されてもよい。

基板Ｍ上にはセルＣＥが形成されることができる。セルＣＥは少なくとも１つ以上、例えばセルＣＥは複数が形成されることができる。各々のセルＣＥには複数のパターンが形成されることができる。各々のセルＣＥに形成されたパターンは１つのパターングループとして定義されることができる。セルＣＥに形成されるパターンは露光パターンＥＰ、および第１パターンＰ１を含むことができる。露光パターンＥＰは基板Ｍ上に実際パターンを形成するのに使用されることができる。また、第１パターンＰ１は１つのセルＣＥに形成された露光パターンＥＰを代表するパターンであり得る。また、セルＣＥが複数に提供される場合、第１パターンＰ１は複数に提供されることができる。また、１つのセルＣＥに複数の第１パターンＰ１が形成されてもよい。第１パターンＰ１は各露光パターンＥＰの一部が合わされた形状を有することができる。第１パターンＰ１はモニターリングパターンと称されることもあり得る。また、第１パターンＰ１は線幅モニターリングマクロ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｍａｃｒｏ）と称されることもあり得る。

作業者が走査電子顕微鏡ＳＥＭを通じて第１パターンＰ１を検査する場合、１つのセルＣＥに形成された露光パターンＥＰの形状の良／不良の可否を推定するすることができる。また、第１パターンＰ１は検査用パターンであり得る。また、第１パターンＰ１は実際露光工程に参加する露光パターンＥＰの中でいずれか１つのパターンであってもよい。また、第１パターンＰ１は検査用パターンでありながら、実際の露光に参加する露光パターンであってもよい。

第２パターンＰ２は基板Ｍ全体に形成された露光パターンＥＰを代表するパターンであり得る。例えば、第２パターンＰ２は各第１パターンＰ１の一部が合わされた形状を有することができる。

作業者が走査電子顕微鏡ＳＥＭを通じて第２パターンＰ２を検査する場合、１つの基板Ｍに形成された露光パターンＥＰの形状の良／不良の可否を推定するすることができる。また、第２パターンＰ２は検査用パターンであり得る。また、第２パターンＰ２は実際露光工程には参加しない検査用パターンであり得る。第２パターンＰ２はアンカーパターン（Ａｎｃｈｏｒ Ｐａｔｔｅｒｎ）と称されることもあり得る。

以下では、液処理チャンバー４００に提供される基板処理装置に対して詳細に説明する。液処理チャンバー４００に搬入される基板Ｍは、第１パターンＰ１と第２パターンＰ２、露光パターンＥＰの中で少なくとも１つ以上のパターンの線幅調整が必要とすることができる。

図５は図３の液処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。図５を参照すれば、液処理チャンバー４００は支持ユニット４２０、ボウル４３０、薬液供給ユニット４４０、および光照射ユニット５００を含むことができる。

支持ユニット４２０は後述するボウル４３０が定義する処理空間４３１で基板Ｍを支持することができる。支持ユニット４２０は基板Ｍを支持することができる。支持ユニット４２０は基板Ｍを回転させることができる。

支持ユニット４２０はチャック４２２、支持軸４２４、駆動部材４２５、および支持ピン４２６を含むことができる。チャック４２２には支持ピン４２６が設置されることができる。チャック４２２は一定厚さを有する板形状を有することができる。チャック４２２の下部には支持軸４２４が結合されることができる。支持軸４２４は中空軸であり得る。また、支持軸４２４は駆動部材４２５によって回転されることができる。駆動部材４２５は中空モーターであり得る。駆動部材４２５が支持軸４２４を回転させれば、支持軸４２４と結合されたチャック４２２は回転されることができる。チャック４２２に設置された支持ピン４２６に置かれる基板Ｍも、チャック４２２の回転に共に回転されることができる。

支持ピン４２６は基板Ｍを支持することができる。支持ピン４２６は上部から見る時、大体に円形状を有することができる。また、支持ピン４２６は上部から見る時、基板Ｍの角領域と対応する部分が下方向に湾入された形状を有することができる。即ち、支持ピン４２６は基板Ｍの角領域の下部を支持する第１面と、基板Ｍが回転される場合、基板Ｍの側方向への動きを制限できるように基板Ｍの角領域の側部と対向する第２面を含むことができる。支持ピン４２６は少なくとも１つ以上提供されることができる。支持ピン４２６は複数が提供されることができる。支持ピン４２６は方形の形状を有する基板Ｍの角領域の数に対応する数で提供されることができる。支持ピン４２６は基板Ｍを支持して基板Ｍの下面とチャック４２２の上面を離隔させることができる。

ボウル４３０は上部が開放された筒形状を有することができる。ボウル４３０は処理空間４３１を定義することができる。基板Ｍは処理空間４３１内で液処理及び加熱処理されることができる。ボウル４３０は基板Ｍに供給される処理液が飛散されて薬液供給ユニット４４０、および光照射ユニット５００に伝達されることを防止することができる。

ボウル４３０は底部４３３、垂直部４３４、および傾斜部４３５を含むことができる。底部４３３は上部から見る時、支持軸４２４が挿入されることができる開口が形成されることができる。垂直部４３４は底部４３３から第３方向Ｚに沿って延長されることができる。傾斜部４３５は垂直部４３４から上方向に傾くように延長されることができる。例えば、傾斜部４３５は支持ユニット４２０に支持された基板Ｍに向かう方向に傾くように延長されることができる。底部４３３には薬液供給ユニット４４０が供給する処理液を外部に排出することができる排出ホール４３２が形成されることができる。

また、ボウル４３０は昇降部材（図示せず）と結合されて、第３方向Ｚに沿ってその位置が変更されることができる。昇降部材はボウル４３０を上下方向に移動させる駆動装置であり得る。昇降部材は基板Ｍに対する液処理及び／又は加熱処理が遂行される間にはボウル４３０を上方向に移動させ、基板Ｍが液処理チャンバー４００に搬入又は基板Ｍが液処理チャンバー４００から搬出される場合にはボウル４３０を下方向に移動させることができる。

薬液供給ユニット４４０は基板Ｍを液処理する薬液を供給することができる。薬液供給ユニット４４０は支持ユニット４２０に支持された基板Ｍに薬液を供給することができる。薬液は蝕刻液、又はリンス液であり得る。蝕刻液はケミカルであり得る。蝕刻液は基板Ｍ上に形成されたパターンを蝕刻することができる。蝕刻液はエッチャント（Ｅｔｃｈａｎｔ）と称されることもあり得る。リンス液は基板Ｍを洗浄することができる。リンス液は公知された薬液で提供されることができる。

薬液供給ユニット４４０はノズル４４１、固定本体４４２、回転軸４４３、および回転部材４４４を含むことができる。

ノズル４１１は支持ユニット４２０に支持された基板Ｍに処理液を供給することができる。ノズル４１１は固定本体４４２に一端が連結され、他端が固定本体４４２から基板Ｍに向かう方向に延長されることができる。ノズル４１１は固定本体４４２から第１方向Ｘに沿って延長されることができる。また、ノズル４１１の他端は支持ユニット４２０に支持された基板Ｍに向かう方向に一定角度に曲がって延長されることができる。

必要によっては、ノズル４４１は複数が具備されることができる。ノズル４４１の中でいずれか１つは上述した蝕刻液を吐出するノズルであり、ノズル４４１の中で他の１つは上述したリンス液を吐出するノズルであり得る。

本体４４２はノズル４４１を固定支持することができる。本体４４２は回転部材４４４によって第３方向Ｚを基準に回転される回転軸４４３と連結されることができる。回転部材４４４が回転軸４４３を回転させれば、本体４４２は第３方向Ｚを軸に回転されることができる。したがって、ノズル４４１の吐出口は基板Ｍに処理液を供給する位置である液供給位置、そして基板Ｍに処理液を供給しない位置である待機位置の間で移動されることができる。

光照射ユニット５００はマスクである基板Ｍに光を照射することができる。光照射ユニット５００はマスクである基板Ｍにレーザービームを照射することができる。光照射ユニットはレーザービーム照射ユニットと称されることもあり得る。光照射ユニット５００は薬液供給ユニット４４０が供給する薬液（例えば、蝕刻液）によって、その上面に液膜が形成された基板Ｍに光を照射して基板Ｍに形成されたパターンの線幅を調整することができる。光照射ユニット５００が照射する光が照射されたマスクＭの領域の温度は高くなることができる。したがって、光が照射された領域では相対的に蝕刻がさらに行われ、光が照射されない領域では相対的に蝕刻が少なく行われることができる。このような方式に基板Ｍに形成されたパターンの線幅を調整することができる。

光照射ユニット５００は光ソース５１０、フラットトップ光学器具５２０、ミラー５３０、プリズム光学器具５４０、光変調素子５５０、光ダンパー５６０、冷却器具５７０、照射位置変更器具５８０、及びレンズ５９０を含むことができる。

光ソース５１０は光Ｌを発生させることができる。光ソース５１０は直進性を有する光Ｌを発生させることができる。光ソース５１０はレーザービームを発生させることができる。光ソース５１０はレーザービームソースと称されることもあり得る。光ソース５１０が発生させる光Ｌは基板Ｍに照射されて基板Ｍを加熱することができる。光ソース５１０は単位面積（Ｃｍ^２）当たり２０Ｗ以内の範囲の出力を有することができる。光ソース５１０は単位面積（Ｃｍ２）当たり２０Ｗ以内の範囲の出力を有する場合、光変調素子５５０が損傷されなく、適切に駆動されることができる。

フラットトップ光学器具５２０は光ソース５１０から出力される光の形状を変換することができる。

図６は光ソースで出力される光の分布を示したグラフであり、図７はフラットトップ光学器具を通過した光の分布を示したグラフである。

図５乃至図７を参照すれば、光ソース５１０から出力されるレーザービームは図６に図示されたように強度分布がガウシアン分布を有するガウシアン形状を有することができる。より詳細には、光ソース５１０から出力されるレーザービームは、レーザービームの中心ではその強さが大きく、レーザービームの中心から遠くなるほど、その強さ（強度）がだんだん小さくなることができる（図６参照）。したがって、光ソース５１０から出力されるレーザービームを基板Ｍに照射すれば、レーザービームの中心に近い領域はさらに加熱され、レーザービームの縁に近い領域は少なく加熱されることができる。したがって、本発明の一実施形態による光照射ユニット５００は光ソース５１０で出力される光Ｌの進行経路上にフラットトップ光学器具５２０を配置することができる。フラットトップ光学器具５２０は光ソース５１０で出力されるガウシアン形状の光Ｌをフラットトップ形態の光Ｌに変換するレーザービームシェーパーであり得る。光ソース５１０で出力される光Ｌはフラットトップ光学器具５２０を経て強さ（光度）分布が比較的均一なフラットトップ分布を有するフラットトップ形状に変換されることができる（図７参照）。

再び図５を参照すれば、フラットトップ光学器具５２０を通過した光Ｌは、ミラー５３０の中で、第１ミラー５３１によって反射されることができる。第１ミラー５３１によって反射された光はプリズム光学器具５３０に伝達されることができる。

プリズム光学器具５３０はフラットトップ光学器具５２０を通過し、第１ミラー５３１によって反射された光Ｌを、光変調素子５５０に再び反射することができる。光変調素子５５０に伝達された光Ｌは光変調素子５５０で変調されて、出力されることができる。光変調素子５５０で変調されて出力される光Ｌはプリズム光学器具５３０を通過してミラー５３０の中で第２ミラー５３２に伝達されることができる。第２ミラー５３２に伝達された光Ｌは反射されて照射位置変更器具５８０に伝達されることができる。

光変調素子５５０は伝達された光Ｌを変調することができる。光変調素子５５０は光ソース５１０が発生させる光Ｌを変調して照射パターンを形成することができる。光変調素子５５０はＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ－ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）素子であり得る。

図８は光変調素子の形状を概略的に示した図面である。光変調素子５５０は素子基板ＳＢと複数のマイクロミラーＭＩを含むことができる。素子基板ＳＢには複数のマイクロミラーＭＩの各々に対応される電極が設置されることができる。制御器３０は素子基板ＳＢに設置される電極に“０”又は“１”のデジタル信号を伝送することができる。マイクロミラーＭＩは回転可能に構成されることができる。マイクロミラーＭＩは第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、又は第１方向Ｘと第２方向Ｙを通る平面と平行である方向を回転軸として回転可能に構成されることができる。“０”のデジタル信号が伝達された電極と対応するマイクロミラーＭＩはオフ（Ｏｆｆ）状態になることができ、“１”のデジタル信号が伝達された電極と対応するマイクロミラーＭＩはオン（Ｏｎ）状態になることができる。オン（Ｏｎ）状態のマイクロミラーＭＩは基板Ｍに光Ｌを照射することができ、オフ（Ｏｆｆ）状態のマイクロミラーＭＩが反射する光Ｌは基板Ｍに照射されなくともよい。

図９は光変調素子で出力された光が基板に照射される形状を示す図面である。図９では説明の便宜をために、マイクロミラーＭＩの中でいずれか１つのマイクロミラーＭＩが反射する光の進行経路を図示した。図５、図８、及び図９を参照すれば、オン（Ｏｎ）状態のマイクロミラーＭＩは基板Ｍに伝達されることができる。

図１０は光変調素子で出力された光が光ダンパーで除去される形状を示す図面である。図１０では説明の便宜のために、マイクロミラーＭＩの中でいずれか１つのマイクロミラーＭＩが反射する光Ｌの進行経路を図示した。図５、図８、及び図１０を参照すれば、オフ（Ｏｆｆ）状態のマイクロミラーＭＩは光Ｌを反射して、基板Ｍに光Ｌを伝達しないことがあり得る。具体的に、マイクロミラーＭＩは上述したように回転可能に構成される。オフ状態のマイクロミラーＭＩは回転されて、光ソース５１０から伝達された光Ｌの進行経路を変更して基板Ｍに光が伝達されないようにすることができる。オフ状態のマイクロミラーＭＩが吐出する光Ｌは後述する光ダンパー５６０の第２ホール５６２を通過できなく、光ダンパー５６０の内側面に照射されて消滅されることができる。

図１１は光ダンパーで光が除去される原理を説明するための図面である。図５及び図１１を参照すれば、光ダンパー５６０は内部空間を有する筒形状を有することができる。光ダンパー５６０は光Ｌを吸収して除去することができる合成樹脂等の素材で形成されることができる。光ダンパー５６０の内部空間にはプリズム光学器具５４０が配置されることができる。光変調素子５５０は光ダンパー５６０の内部空間に配置されてもよく、又は光ダンパー５６０の外側に設置されてもよい。

光ダンパー５６０には第１ホール５６１と第２ホール５６２が形成されることができる。第１ホール５６１は光ダンパー５６０の側部に形成されることができる。第１ホール５６１は光ソース５１０で発生してフラットトップ光学器具５２０を経て変換された光Ｌが通過するホールであり得る。第２ホール５６２は光学変調素子５５０で変調された光Ｌが通過するホールであり得る。第２ホール５６２は光ダンパー５６０の下部に形成されることができる。

光ダンパー５６０の内側面５６３にはグルーブＧが形成されることができる。光ダンパー５６１の内側面５６３に形成されたグルーブＧはオフ状態のマイクロミラーＭＩが反射する光を吸収できるように構成されることができる。具体的に、グルーブＧに光Ｌが伝達されれば、光ＬはグルーブＧで反射が数回行って除去されることができる。光ＬはグルーブＧで数回反射されて光ダンパー５６０に熱エネルギーを取り除きながら、除去されることができる。図５及び図１１では、光ダンパー５６０の下部のみにグルーブＧが形成されることを例として図示したが、これに限定されることではなく、グルーブＧは光ダンパー５６０の内側面５６３の全体に亘って形成されることができる。

再び図５を参照すれば、光ダンパー５６０が光Ｌを除去することによって、光ダンパー５６０の温度は高くなることができる。したがって、本発明の一実施形態による光照射ユニット５００は光ダンパー５６０を冷却させる冷却器具５７０を含むことができる。冷却器具５７０は光ダンパー５６０を冷却させるための気流を形成するファン（Ｆａｎ）であり得る。

図１２は光変調素子で出力される光の照射パターンを説明するための図面である。図５、図８、及び図１２を参照すれば、上述したようにマイクロミラーＭＩはオン状態とオフ状態との間で転換されることができる。各々のマイクロミラーＭＩのオン状態とオフ状態での状態転換は非常に短い時間内に行われることができる。各々のマイクロミラーＭＩのオンーオフ状態の転換によって、光変調素子５５０は非常に様々な照射パターンＨＰを形成することができる。例えば、図１２では単位時間（例えば、１秒）の間に各マイクロミラーＭＩで反射する光Ｌが基板Ｍに単位時間当たり伝達する熱量を表示した。照射パターンＨＰは各マイクロミラーＭＩと対応する複数のパターンＰで構成されることができる。各マイクロミラーＭＩで単位時間当たり基板Ｍに伝達する熱量を大きくしようとする場合、単位時間当たりマイクロミラーＭＩのオン状態を長く、オフ状態を短く維持することができる。各マイクロミラーＭＩで単位時間当たり基板Ｍに伝達する熱量を小さくしようとする場合、単位時間当たりマイクロミラーＭＩのオン状態を短く、オフ状態を長く維持することができる。

図１３は照射位置変更器具が光の照射位置を変更する形状を示す図面である。図５及び図１３を参照すれば、照射位置変更器具５８０は光変調素子５５０で変調されて特定照射パターンＨＰを有する光Ｌを反射させて、照射位置を変更することができる。照射位置変更器具５８０は液処理チャンバー４００内にその位置が固定されて設置されることができる。照射位置変更器具５８０は第１反射器具５８１及び第２反射器具５８３を含むことができる。第１反射器具５８１は第１回転駆動器５８１ａ及び第１回転ミラー５８１ｂを含むことができる。第２反射器具５８３は第２回転駆動器５８３ａ及び第２回転ミラー５８３ｂを含むことができる。第１回転駆動器５８１ａと第２回転駆動器５８３ａはモーターであり得る。光変調素子５５０で変調された光Ｌは第１反射器具５８１で反射されて、第２反射器具５８３に伝達されることができる。第２反射器具５８３に伝達された光Ｌは第２反射器具５８３で再び反射されてレンズ５９０に伝達されることができる。照射位置変更器具５８０はガルバノスキャナ（Ｇａｌｖａｎｏ Ｓｃａｎｎｅｒ）であり得る。

第１回転ミラー５８１ｂの回転軸と第２回転ミラー５８３ｂの回転軸は互いに平行でないことがあり得る。また、必要によって第１回転ミラー５８１ｂの回転軸と第２回転ミラー５８３ｂの回転軸は垂直でないこともあり得る。したがって、第２ミラー５３２を通じて反射されて伝達される光Ｌの照射位置は第１回転ミラー５８１ｂ及び第２回転ミラー５８３ｂの回転によって多様に変化されることができる。

図１４は照射位置変更器具で斜めの方向に進行する光の進行方向を垂直方向に変換する形状を示す図面である。図５及び図１４を参照すれば、照射位置変更器具５８０で照射位置が変更される光Ｌは傾いた方向に進行されることができる。照射位置変更器具５８０によって傾いた方向に進行される光Ｌが直ちに基板Ｍに伝達されれば、基板Ｍには光Ｌが斜めに入射されることができる。このような問題を解消するために、本発明の一実施形態による光照射器具５００は照射位置変更器具５８０と支持ユニット４２との間にレンズ５９０が配置されることができる。レンズ５９０はＦ－Ｔｈｅｔａレンズであり得る。レンズ５９０は照射位置変更器具５８０によって地面に垂直になる第３方向Ｚに対して傾くように進行する光を垂直になる方向である第３方向Ｚに屈折させるように構成されることができる。

図１５は本発明の一実施形態による基板処理方法を示したフローチャートである。本発明の一実施形態による基板処理方法はマスクを処理するマスク処理方法であり得る。以下では説明する基板処理方法は、上述した制御器３０が、基板処理装置が具備する構成を制御して遂行されることができる。、
図４、図５、及び図１５を参照すれば、本発明の一実施形態による基板処理方法は、マスク検査段階（Ｓ１０）、アラインメント段階（Ｓ２０）、薬液供給段階（Ｓ３０）、及び光照射段階（Ｓ４０）を含むことができる。

マスク検査段階（Ｓ１０）には基板Ｍに形成されたパターンの線幅を検査することができる。例えば、マスク検査段階（Ｓ１０）には基板Ｍに形成された第１パターンＰ１、第２パターンＰ２、及び露光パターンＥＰの線幅を検査することができる。マスク検査段階（Ｓ１０）には基板Ｍに形成された第１パターンＰ１、第２パターンＰ２、及び露光パターンＥＰの中でパターン線幅の調整が必要であるパターンを特定することができる。マスク検査段階（Ｓ１０）には基板Ｍ上に光Ｌの照射が必要である領域を特定することができる。マスク検査段階（Ｓ１０）はカメラ等のビジョンセンサー等を利用した基板Ｍを撮像する方式に行われることができる。マスク検査段階（Ｓ１０）は本発明の基板処理装置に具備される検査チャンバー（図示せず）で行われることができ、又は基板処理装置の外部に具備される別の検査チャンバーでも行われることができる。マスク検査段階（Ｓ１０）にはビジョン検査を通じて基板Ｍに形成されたパターンの線幅調整が必要である領域（即ち、光Ｌによって加熱が必要である領域）をマッピングすることができる。マスク検査段階（Ｓ１０）でマッピングされた線幅調整が必要である領域に対するマッピングデータは、線幅調整が必要である領域の基板Ｍ上位置及びサイズ、並びに、パターンの線幅情報等を含むことができる。マッピングデータは制御器３０が記憶することができる。

図１５を参照すれば、アラインメント段階（Ｓ２０）には基板Ｍの位置及び方向に対するアラインメントと、光照射ユニット５００が照射する光Ｌの照射位置に対するアラインメントが遂行されることができる。

まず、基板Ｍの位置及び方向に対するアラインメントは、基板Ｍ上に表示されるアラインメントマークＡＫを利用して遂行されることができる。例えば、液処理チャンバー４００が有する未図示のカメラ等のビジョンセンサーを利用して基板Ｍを撮像し、基板Ｍに表示されたアラインメントマークＡＫを通じて支持ユニット４２０に基板Ｍが置かれる位置、および基板Ｍの方向を確認し、アラインメントすることができる。例えば、基板Ｍの位置がずれた場合、搬送ロボット３２０によって基板Ｍの位置をアラインメントすることができる。また、基板Ｍの位置がずれた場合、ずれた位置を反映して光照射ユニット５００が光Ｌを照射してもよい。また、基板Ｍの方向がずれた場合、支持ユニット４２０は基板Ｍを回転させて基板Ｍの方向をアラインメントすることができる。

図１６は図１５のアラインメント段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。図１６を参照すれば、光照射ユニット５００が照射する光Ｌの照射位置に対するアラインメントはアラインメントユニット６１０、６２０を活用して適用することができる。例えば、液処理チャンバー４００はアラインメントユニット６１０、６２０を具備することができる。アラインメントユニット６１０、６２０は基板Ｍとレンズ５９０との間で水平方向に移動可能に構成されるアラインメントプレート６１０と、アラインメントカメラ６２０を含むことができる。

アラインメント段階（Ｓ２０）で、光照射ユニット５００によって照射される光Ｌが照射される位置は、光Ｌの照射位置を変更する照射位置変更器具５８０（ガルバノスキャナ）の下方にアラインメントプレート６１０を位置させて、光照射ユニット５００がアラインメントプレート６１０に光Ｌを照射することができる。アラインメントプレート６１０に照射された光Ｌはアラインメントプレート６１０に光Ｌが照射された痕跡を残すことができる。アラインメントプレート６１０は未図示の移動器具によってビジョンセンサーであるアラインメントカメラ６２０の下側に移動することができる。アラインメントカメラ６２０は光Ｌが照射された痕跡を撮像することができる。アラインメントカメラ６２０が撮像したアラインメントプレート６１０のイメージは制御器３０に伝送され、制御器３０は伝送されたイメージから光照射ユニット５００の照射位置がずれているか否かを確認することができる。

例えば、光照射ユニット５００の照射位置変更器具５８０が設定位置に光Ｌを照射するようにセッティングされた状態で、アラインメントプレート６１０に光を照射し、アラインメントプレート６１０が移動した方向及び距離、並びに、アラインメントプレート６１０に光Ｌが照射された位置座標値を総合して、照射位置変更器具５８０が実際に光Ｌを照射した実際照射位置を推定し、実際の照射位置と前記設定位置が互いに同一であるか否かを比較して、光照射ユニット５００の光Ｌが照射された位置のアラインメントが一致しているか否かを確認し、アラインメントが一致していないか場合、その誤差値を反映して照射位置変更器具５８０が動作することができる。

図１７は図１５の薬液供給段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面である。図４、図１５、及び図１７を参照すれば、薬液供給段階（Ｓ３０）には基板Ｍに薬液Ｃを供給することができる。薬液供給段階（Ｓ３０）には基板Ｍを回転させながら、薬液Ｃを供給することができ、これと異なりに基板Ｍを回転させずに薬液Ｃを供給してもよい。薬液供給段階（Ｓ３０）で供給される薬液Ｃは蝕刻液であり得る。薬液Ｃはエッチャント（Ｅｔｃｈａｎｔ）と称されることもあり得る。薬液供給段階（Ｓ３０）が終了されれば、基板Ｍ上には薬液Ｃによる液膜が形成されている。薬液供給段階（Ｓ３０）で、支持ユニット４２０は基板Ｍを回転させることもでき、又は基板Ｍのアラインメントがずれることを防止するために基板Ｍを回転させなく、支持してもよい。

図１８及び図１９は図１５の光照射段階を遂行する基板処理装置の形状を示す図面であり、図２０は光照射ユニットの照射順序を説明するためのマスクの形状である。図１５、図１８、乃至図２０を参照すれば、光照射段階（Ｓ４０）には薬液Ｃによる液膜が形成された基板Ｍの上面に光を照射して基板Ｍの特定領域を加熱することができる。薬液Ｃによって基板Ｍ上のパターンの全体的な蝕刻が行われ、光Ｌが照射された特定領域は加熱されて蝕刻がさらに行われることができる。蝕刻が行われる程度は光Ｌが単位時間当たり伝達する熱量によって変わることになり、本発明の光変調素子５５０は様々な形状を有する照射パターンを形成することができるので、基板Ｍに対する蝕刻を様々な形状に制御することができるようになる。光照射段階（Ｓ４０）に支持ユニット４２０は基板Ｍを回転させなく、支持することができる。

また、図２０に図示されたようにマスク検査段階（Ｓ１０）で特定された光Ｌの照射が必要である領域、言い換えれば加熱が必要である領域（Ａ１乃至Ａ８）の各々には光照射ユニット５００が特定照射パターンを有する光Ｌを照射することができる。例えば、第１領域Ａ１に光Ｌを照射する時は、光変調素子５５０が第１照射パターンを形成し、第１領域Ａ１と異なる第２領域Ａ２に光Ｌを照射する時は、光変調素子５５０が第２照射パターンを形成することができる。また、光Ｌ照射が必要である領域Ａ１乃至Ａ８に対する光Ｌの照射順序は、その位置によって順次的に照射することではなく、照射順序をランダムに決定することができる。制御器３０はマスク検査段階（Ｓ１０）で特定された光Ｌの照射が必要である領域に対する照射順序を、ランダムに決定するアルゴリズムが記憶されていることができる。光Ｌ照射が必要である領域Ａ１乃至Ａ８に対する光Ｌの照射順序は、その位置によって順次的に照射するようになれば、特定領域に対する熱伝達が行われる時間が過度に長くなることができる。例えば、Ａ１、Ａ２、Ａ３領域に対する加熱を順次的に遂行すれば、Ａ２領域はＡ１領域を加熱しながら、発生する熱を間接的に受けるようになり、Ａ３領域を加熱しながら、発生する熱も間接的に受けるようになる。また、Ａ１、Ａ２、Ａ３領域と遠く離れているＡ４乃至Ａ８領域は熱伝達を受けることができない状態に薬液Ｃに露出される時間が長くなる。言い換えれば、光Ｌ照射が必要である領域Ａ１乃至Ａ８に対する光Ｌの照射順序は、その位置によって順次的に照射すれば、パターン線幅の調整を精密に遂行することを難しくする。

したがって、本発明の制御器３０は光Ｌの照射順序をランダムに決定して上述した問題が発生することを最小化することができる。また、本発明が光Ｌの照射順序をランダムにすることが可能なことは、本発明で光Ｌの照射位置を変更することを、基板Ｍを移動させて変更することではなく、光Ｌ自体の進行方向を照射位置変更器具５８０が変更するので、可能である。例えば、光Ｌは固定された状態に基板Ｍを支持するステージを移動する方式に光Ｌの照射位置を変更する場合、照射順序をランダムに下面ステージが移動するのに所要される時間が長くなるので、基板Ｍを処理するのに所要される時間を長くすることができる。

しかし、本発明は光Ｌが基板Ｍに照射される間に、及び／又は光Ｌの照射位置が変更される間に、支持ユニット４２０は基板Ｍの水平方向位置が固定された状態に維持し、光Ｌ自体の進行方向を照射位置変更器具５８０が変更するので、照射順序をランダムにしても基板Ｍを処理するのに所要される時間がほとんど長くならない。

また、本発明の光変調素子５５０は光ソース５１０が発生させる光Ｌの幅をそのまま維持するか、又は光Ｌの幅を狭める方法で光Ｌを変調することができる。このような光Ｌが基板Ｍに伝達される場合、単位面積を加熱するのに適用されるマイクロミラーＭＩの数が多くなる。したがって、単位面積を加熱するマイクロミラーＭＩの中で一部が故障しても、他のマイクロミラーＭＩによって加熱を十分に遂行することができるようになる。

上述した例では基板Ｍがマスクであることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、基板はウエハ、ガラス基板等の蝕刻又はパターン線幅の調整が必要である多様な種類の基板で提供されることができる。

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。

Ｍ 基板
ＡＫ 基準マーク
Ｃ セル
ＥＰ 露光パターン
Ｐ１ 第１パターン
Ｐ２ 第２パターン
４２０ 支持ユニット
４２２ チャック
４２４ 支持軸
４２５ 駆動部材
４２６ 支持ピン
４３０ ボウル
４３１ 処理空間
４３２ 排出ホール
４３３ 底部
４３４ 垂直部
４３５ 傾斜部
４３６ 昇降部材
４４０ 液供給ユニット
４４１ ノズル
４４２ 固定本体
４４３ 回転軸
４４４ 回転部材
５００ 光照射ユニット
５１０ 光ソース
５２０ フラットトップ光学器具
５３０ ミラー
５３１ 第１ミラー
５３２ 第２ミラー
５４０ プリズム光学器具
５５０ 光変調素子
５６０ 光ダンパー
５６１ 第１ホール
５６２ 第２ホール
５６３ 内側面
Ｇ グルーブ
５７０ 冷却器具
５８０ 照射位置変更器具
５９０ レンズ

Claims (20)

1. 所定のパターンが形成されたマスクを処理するマスク処理装置であって、
   マスクを支持する支持ユニットと、
   薬液によって液膜が形成されたマスクのパターンに光を照射してパターンの線幅を調整する光照射ユニットと、を含み、
   前記光照射ユニットは、
   光を発生させる光ソースと、
   前記光ソースで発生される光を変調して照射パターンを形成する光変調素子と、を含む
   マスク処理装置。
2. 前記光変調素子は、
   回転可能に提供されるマイクロミラーと、
   前記マイクロミラーが設置される素子基板と、を含む請求項１に記載のマスク処理装置。
3. 前記光照射ユニットは、
   前記マイクロミラーによって反射方向が変更されてマスクに伝達されない光を除去するための光ダンパーをさらに含む請求項２に記載のマスク処理装置。
4. 前記光ダンパーは、内部空間を有する筒形状を有し、前記光変調素子が変調した光が通過するホールが形成される請求項３に記載のマスク処理装置。
5. 前記光ダンパーの内側面の中で少なくとも一部は、前記マイクロミラーによって反射方向が変更されてマスクに伝達されない光を除去できるように構成されるグルーブが形成される請求項４に記載のマスク処理装置。
6. 前記光照射ユニットは、
   前記光ダンパーを冷却させる冷却器具をさらに含む請求項３に記載のマスク処理装置。
7. 前記光変調素子が変調した光の照射位置を変更する照射位置変更器具をさらに含み、
   前記照射位置変更器具は、
   回転駆動器と、
   前記回転駆動器に結合された回転可能な回転ミラーと、を含む請求項１に記載のマスク処理装置。
8. 複数の前記回転駆動器及び複数の前記回転ミラーが設けられ、
   複数の前記回転ミラーのうちのいずれかの前記回転ミラーの１つの回転軸と、他の前記回転ミラーの１つの回転軸とは、互いに平行でないように設置される請求項７に記載のマスク処理装置。
9. 前記照射位置変更器具と前記支持ユニットとの間に設置され、前記照射位置変更器具によって傾くように進行する光を垂直になる方向に屈折させるＦ－Ｔｈｅｔａレンズをさらに含む請求項７に記載のマスク処理装置。
10. 前記光照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、
    前記制御器は、光照射が要求されるマスクの複数の領域の各々に要求される照射パターンを形成するように前記光変調素子を制御し、複数の領域に対する照射順序をランダムに決定する請求項１に記載のマスク処理装置。
11. 所定のパターンが形成された基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された基板に薬液を供給する薬液供給ユニットと、
    前記支持ユニットに支持されるとともに前記薬液供給ユニットが供給した薬液によって液膜が形成された基板のパターンにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、を含み、
    前記レーザービーム照射ユニットは、
    レーザービームを発生させるレーザービームソースと、
    前記レーザービームソースで発生されるレーザービームを変調して照射パターンを形成するＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ－ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）素子と、を含む基板処理装置。
12. 基板を処理する処理空間を定義するボウルをさらに含み、
    前記支持ユニットは、前記処理空間で基板を支持する請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、
    前記制御器は、基板の第１領域にレーザービームを照射する時、前記ＤＭＤ素子が第１照射パターンを形成し、基板の前記第１領域と異なる第２領域にレーザービームを照射する時、前記ＤＭＤ素子が第２照射パターンを形成するように前記レーザービーム照射ユニットを制御する請求項１１に記載の基板処理装置。
14. 前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、
    前記制御器は、レーザービームの照射が必要である基板の複数の領域に対する照射順序をランダムに決定し、決定された前記照射順序に応じて基板にレーザービームを照射するように前記レーザービーム照射ユニットを制御する請求項１１に記載の基板処理装置。
15. 前記ＤＭＤ素子が変調したレーザービームの照射位置を変更する照射位置変更器具をさらに含み、
    前記支持ユニットは、レーザービームが基板に照射される間に、及び／又はレーザービームの照射位置が変更される間に基板の水平方向位置を固定された状態に維持させるように構成される請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記薬液供給ユニット及び前記レーザービーム照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、
    前記制御器は、前記薬液供給ユニットが前記支持ユニットに支持された基板に薬液を供給して液膜を形成し、液膜が形成された基板に前記レーザービーム照射ユニットがレーザービームを照射するように前記薬液供給ユニット、および前記レーザービーム照射ユニットを制御する請求項１１に記載の基板処理装置。
17. 前記レーザービームソースで照射されるガウシアン形状のレーザービームをフラットトップ形状のレーザービームに変換するフラットトップ光学器具をさらに含む請求項１１に記載の基板処理装置。
18. 前記ＤＭＤ素子は、前記レーザービームソースが発生させるレーザービームの幅をそのまま維持するか、又はその幅を狭める方法でレーザービームを変調する請求項１１に記載の基板処理装置。
19. ＥＵＶ光を反射して基板上に基板パターンを形成するＥＵＶマスクを処理するマスク処理装置であって、
    所定のマスクパターンが形成されたマスクを支持する支持ユニットと、
    マスクにエッチャントである薬液を供給する液供給ユニットと、
    前記液供給ユニットが供給した薬液によって液膜が形成されたマスクのマスクパターンにレーザービームを照射してマスクパターンの線幅を調整するレーザービーム照射ユニットと、を含み、
    前記レーザービーム照射ユニットは、
    ガウシアン形状のレーザービームを発生させるレーザービームソースと、
    前記レーザービームソースで発生されるレーザービームを変調して照射パターンを形成するＤＭＤ素子と、
    前記ＤＭＤ素子によって反射方向が変更されて基板に照射されないレーザービームを除去するレーザービームダンパーと、
    前記レーザービームダンパーには前記ＤＭＤ素子によって変調されたレーザービームが通過するホールが形成され、前記レーザービームダンパーの内側面には基板に照射されないレーザービームを除去できるように構成される複数のグルーブが形成され、
    前記レーザービームソースと前記ＤＭＤ素子との間に設置されて、ガウシアン形状のレーザービームをフラットトップ形状のレーザービームに変換するフラットトップ光学器具と、
    前記ＤＭＤ素子によって変調されたレーザービームがマスクに照射される位置を変更するガルバノスキャナである照射位置変更器具と、
    前記照射位置変更器具と前記支持ユニットとの間に位置し、前記照射位置変更器具を通過したレーザービームの進行方向を垂直になる方向に変更するＦ－Ｔｈｅｔａレンズと、
    を含むマスク処理装置。
20. 前記レーザービーム照射ユニット及び前記液供給ユニットを制御する制御器をさらに含み、
    前記制御器は、
    前記液供給ユニットが前記支持ユニットに支持されたマスクに薬液を供給して液膜を形成するように前記液供給ユニットを制御する動作と、
    前記制御器がレーザービームの照射が必要であるマスクの複数の領域に対するレーザービームの照射順序をランダムに決定する動作と、
    前記ＤＭＤ素子が複数の領域の中でレーザービームの照射が進行される領域に対応される照射パターンを形成するように前記ＤＭＤ素子を制御する動作と、
    形成された照射パターン及び前記照射順序に応じてレーザービームをマスクに照射する動作と、を遂行するように構成される請求項１９に記載のマスク処理装置。