JP7408663B2 - 改善された耐高温性を有する石膏建築材料 - Google Patents
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Description
T=345 log10(8t+1)+20
式中、
Tは、平均炉温度(摂氏度)であり、tは、経過した時間(分)である。最初の60分間で、試料を約950℃まで加熱した。この初期期間の後、実行された試験による温度適用は、DIN EN1363-1:2012-10から逸脱した:60~120分の試験実行時間、950℃の一定の温度適用を使用した。本発明による組成を有する試料は、同一組成であるがH-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含まない試験片よりも小さい収縮率を有する。
本開示に係る態様は以下の態様も含む。
<1>
石膏建築材料において、少なくとも石膏、H-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素、ならびに任意選択でさらなる添加剤を含み、前記H-シロキサンが、前記石膏建築材料中に均一に分布する、および/または前記石膏建築材料の少なくとも1つの表面に塗布されることを特徴とし、少なくとも80℃の温度の影響下にある前記石膏建築材料が、H-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含まない石膏建築材料よりも長い膨張段階を有し、前記石膏建築材料が、それ以外は同一組成であることを特徴とする、石膏建築材料。
<2>
前記石膏建築材料の前記膨張段階が、同一組成であるがH-シロキサンまたは非晶質二酸化ケイ素を含まない前記石膏建築材料の前記膨張段階の少なくとも1.2倍の前記時間、好ましくは少なくとも2倍の前記時間、および特に好ましくは少なくとも2.5倍の前記時間であることを特徴とする、<1>に記載の石膏建築材料。
<3>
最初の60分間、DIN EN1363-1:2012-10による温度/時間曲線に従った温度の影響下にあり、次の60分間、常に950℃下にある前記石膏建築材料が、同一組成であるがH-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含まない石膏建築材料よりも小さい収縮率を有することを特徴とする、<1>または<2>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<4>
前記石膏建築材料の前記収縮率が、同一組成であるがH-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含まない石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも10%低い、好ましくは少なくとも50%低い、および特に少なくとも75%低いことを特徴とする、<3>に記載の石膏建築材料。
<5>
前記石膏建築材料が、使用されるスタッコの質量に対して、0.01~10重量%のH-シロキサンを含むことを特徴とする、<1>~<4>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<6>
前記石膏建築材料が、使用されるスタッコの量に対して、少なくとも0.5重量%、および最大20重量%、好ましくは最大10%y重量、および特に好ましくは最大6重量%の非晶質二酸化ケイ素を含むことを特徴とする、<1>~<5>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<7>
前記石膏建築材料が、1~2.5重量%のH-シロキサンおよび1~5重量%の非晶質二酸化ケイ素を含むことを特徴とする、<6>に記載の石膏建築材料。
<8>
前記非晶質二酸化ケイ素が、マイクロシリカおよび/または熱分解的に生成された二酸化ケイ素を含むことを特徴とする、<1>~<7>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<9>
前記石膏建築材料が、石膏建築ボードであることを特徴とする、<1>~<8>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<10>
前記石膏建築ボードの少なくとも1つの表面が、H-シロキサンで処理されていることを特徴とする、<1>~<9>のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
<11>
前記石膏建築ボードの少なくとも2つの表面、好ましくは上面および下面が、H-シロキサンで処理されていることを特徴とする、<10>に記載の石膏建築材料。
<12>
前記石膏建築ボードが、少なくとも1つの第1のエッジ層およびコア層を有し、少なくとも前記第1のエッジ層が、H-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含有することを特徴とする、<9>に記載の石膏建築材料。
<13>
石膏建築ボードを製造するための方法において、少なくとも1つのスラリーが、少なくともスタッコと水とが互いに混合されることで製造され、前記スラリーが、石膏建築ボードの切れ目のないストランドへと形成されて、次いでこれが石膏建築ボードに分離され、前記石膏建築ボードが乾燥され、前記スラリーを製造するために、H-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素がさらに使用されること、および/または少なくとも80℃の温度の影響下にある前記石膏建築ボードがH-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含まない石膏建築ボードよりも長い膨張段階を有するように、H-シロキサンが、前記石膏建築ボードの切れ目のないストランドまたは前記分離された石膏建築ボードの少なくとも1つの表面に塗布され、前記石膏建築ボードが、それ以外は同一組成であることを特徴とする、方法。
<14>
少なくとも1つの第1のおよび1つの第2のスラリーが、製造され、前記第1のスラリーが、H-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素を含有し、前記第1のスラリーが、前記石膏建築ボードの少なくとも1つのエッジ層を形成するために使用されることを特徴とする、<13>に記載の方法。
<15>
温度の影響下で石膏建築材料の収縮率を低減するためのH-シロキサンおよび/または非晶質二酸化ケイ素の使用であって、DIN EN1363-1:2012-10による温度/時間曲線に従った前記石膏建築材料が、0分から60分まで、950℃まで加熱され、60分から120分まで、常に950℃の一定温度に保ちながら処理され、前記石膏建築材料が、H-シロキサンおよび/また非晶質二酸化ケイ素を含まないがそれ以外は同一組成の石膏建築材料と比較して、より長い膨張段階および/またはより小さい収縮率を有する、使用。
Claims (18)
- 石膏建築材料において、少なくとも石膏と、1~2.5重量%のH-シロキサンと、1~5重量%の非晶質二酸化ケイ素と、を含み、前記H-シロキサンが、前記石膏建築材料中に均一に分布することを特徴とし、
少なくとも80℃の温度の影響下にある前記石膏建築材料が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料よりも長い膨張段階を有し、前記非晶質二酸化ケイ素はマイクロシリカを含むことを特徴とする、石膏建築材料。 - 前記石膏建築材料が、さらなる添加剤を含む、請求項1に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも1.2倍であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも2倍であることを特徴とする、請求項3に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記膨張段階が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の膨張段階の時間の少なくとも2.5倍であることを特徴とする、請求項4に記載の石膏建築材料。
- 最初の60分間、DIN EN1363-1:2012-10による温度/時間曲線に従った温度の影響下にあり、次の60分間、950℃の一定の温度適用下にある前記石膏建築材料が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料よりも小さい収縮率を有することを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも10%低いことを特徴とする、請求項6に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも50%低いことを特徴とする、請求項7に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料の前記収縮率が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築材料の前記収縮率よりも少なくとも75%低いことを特徴とする、請求項8に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築材料が、石膏建築ボードであることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも1つの表面が、H-シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項10に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも2つの表面が、H-シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項11に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードの少なくとも上面および下面が、H-シロキサンで処理されていることを特徴とする、請求項12に記載の石膏建築材料。
- 前記石膏建築ボードが、少なくとも1つの第1のエッジ層およびコア層を有し、少なくとも前記第1のエッジ層が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含有することを特徴とする、請求項10に記載の石膏建築材料。
- 石膏建築ボードを製造するための方法において、
少なくとも1つのスラリーが、少なくともスタッコと水とが互いに混合されることで製造され、前記スラリーが、石膏建築ボードの切れ目のないストランドへと形成されて、次いでこれが複数の石膏建築ボードに分離され、前記複数の石膏建築ボードが乾燥され、
前記スラリーを製造するために、少なくとも80℃の温度の影響下にある前記石膏建築ボードがH-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成である石膏建築ボードよりも長い膨張段階を有するよう、また、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素が前記石膏建築ボード中に均一に分布するように、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を互いに混合すること、前記石膏建築ボードが1~2.5重量%のH-シロキサンと1~5重量%の非晶質二酸化ケイ素とを含むこと、前記非晶質二酸化ケイ素はマイクロシリカを含むことを特徴とする、石膏建築ボードを製造するための方法。 - H-シロキサンが、前記石膏建築ボードの切れ目のないストランドまたは分離された前記複数の石膏建築ボードの少なくとも1つの表面に塗布される、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも1つの第1のスラリーおよび1つの第2のスラリーが、製造され、前記第1のスラリーが、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含有し、前記第1のスラリーが、前記石膏建築ボードの少なくとも1つのエッジ層を形成するために使用されることを特徴とする、請求項15又は16に記載の方法。
- 温度の影響下で石膏建築材料の膨張段階を延長するためのH-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素の使用であって、前記石膏建築材料が、DIN EN1363-1:2012-10による温度/時間曲線に従って、0分から60分まで、950℃まで加熱され、60分から120分まで、常に950℃の一定温度に保ちながら処理され、前記石膏建築材料が、H-シロキサンおよび非晶質二酸化ケイ素を含まずそれ以外は同一組成の石膏建築材料と比較して、より長い膨張段階を有し、前記石膏建築材料は1~2.5重量%のH-シロキサンと1~5重量%の非晶質二酸化ケイ素とを含み、前記非晶質二酸化ケイ素はマイクロシリカを含む、使用。
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