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JP7403912B2 - フルオレン系化合物、これを用いた有機発光素子、およびこれの製造方法 - Google Patents

フルオレン系化合物、これを用いた有機発光素子、およびこれの製造方法 Download PDF

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Description

本出願は、２０２０年１月８日付にて韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０－２０２０－０００２３１８号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
本明細書は、フルオレン系化合物、前記フルオレン系化合物を含むコーティング組成物、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子、およびこれの製造方法に関する。
有機発光現象は、特定の有機分子の内部プロセスにより電流が可視光に転換される例の一つである。有機発光現象の原理は次のとおりである。アノードとカソードとの間に有機物層を位置させた際、二つの電極の間に電圧を印加すると、カソードとアノードからそれぞれ電子と正孔が有機物層に注入される。有機物層に注入された電子と正孔は再結合してエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、該エキシトンが再び基底状態に落ちて光が出ることになる。このような原理を用いた有機発光素子は、一般に、カソードとアノードおよびその間に位置した有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む有機物層で構成されることができる。
有機発光素子で用いられる物質としては、純粋有機物質または有機物質と金属が錯体をなす錯化合物が大半を占めており、用途に応じて正孔注入物質、正孔輸送物質、発光物質、電子輸送物質、電子注入物質などに区分することができる。ここで、正孔注入物質や正孔輸送物質としては、ｐ－タイプの性質を有する有機物質、すなわち、酸化し易く、酸化時に電気化学的に安定した状態を有する有機物が主に用いられている。一方、電子注入物質や電子輸送物質としては、ｎ－タイプの性質を有する有機物質、すなわち、還元し易く、還元時に電気化学的に安定した状態を有する有機物が主に用いられている。発光層物質としては、ｐ－タイプの性質とｎ－タイプの性質を同時に有する物質、すなわち、酸化と還元状態でいずれにも安定した形態を有する物質が好ましく、エキシトンが形成された際にそれを光に転換する発光効率の高い物質が好ましい。
低電圧駆動が可能な高効率の有機発光素子を得るためには、有機発光素子内に注入された正孔または電子が円滑に発光層に伝達されるとともに、注入された正孔と電子が発光層の外に抜け出ないようにしなければならない。このために、有機発光素子に用いられる物質は、適切なバンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）およびＨＯＭＯまたはＬＵＭＯエネルギー準位を有しなければならない。
この他にも、有機発光素子で用いられる物質は、化学的安定性、電荷移動度、電極や隣接した層との界面特性などに優れていなければならない。すなわち、有機発光素子で用いられる物質は、水分や酸素による物質の変形が少ないべきである。また、適切な正孔または電子移動度を有することで、有機発光素子の発光層において、正孔と電子の密度がバランスをなすようにしてエキシトンの形成を極大化しなければならない。そして、素子の安定性のために、金属または金属酸化物を含む電極との界面を良くするべきである。
上記で言及したものの他に、溶液工程用有機発光素子で用いられる物質は、次のような性質をさらに有しなければならない。
第１に、貯蔵可能な均質な溶液を形成しなければならない。商用化された蒸着工程用物質の場合、結晶性が良いため、溶液によく溶けないかまたは溶液を形成するとしても結晶が形成されやすいので、貯蔵期間に応じて溶液の濃度勾配が異なったり不良素子を形成したりする可能性が大きい。
第２に、溶液工程が行われる層は、他の層を形成する工程で用いられる溶媒および物質に対する耐性があるべきであり、有機発光素子の製造時、電流効率に優れ、寿命特性に優れることが求められる。
したがって、当技術分野においては、新しい有機物の開発が求められている。
本明細書は、溶液工程用有機発光素子において使用可能なフルオレン系化合物およびこれを含む有機発光素子を提供する。
本発明の一実施態様は、下記化学式１で表されるフルオレン系化合物を提供する。
Figure 0007403912000001
前記化学式１のうち、
Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換もしくは非置換のアルキレン基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；またはハロゲン基であり、Ｘ１およびＸ２のうち少なくとも一つはハロゲン基であり、
Ｘ３およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のヘテロアリール基；または光硬化性基または熱硬化性基であり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ１～４の整数であり、
ｎ１およびｎ６は、それぞれ独立して０～５の整数であり、
ｎ２およびｎ５は、それぞれ独立して０～４の整数であり、
ｎ３およびｎ４は、それぞれ独立して０～３の整数であり、
ｍ１、ｍ２、およびｎ１～ｎ６がそれぞれ２以上である場合、それぞれの括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
また、本発明の一実施態様は、前記フルオレン系化合物を含むコーティング組成物を提供する。
なお、本発明の一実施態様は、第１電極；
第２電極；および
前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層を含み、
前記有機物層のうち１層以上は、前記コーティング組成物またはその硬化物を含み、
前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理により硬化された状態である、有機発光素子を提供する。
さらに、本発明の一実施態様は、基板を準備するステップ；
前記基板上に第１電極を形成するステップ；
前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップ；および
前記有機物層上に第２電極を形成するステップを含み、
前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含む、有機発光素子の製造方法を提供する。
本発明の一実施態様によるフルオレン系化合物は、コア構造がハロゲン基で置換されている。これにより、ハロゲン基で置換されていないコア構造を有する化合物に比べて、相対的に大きい双極子モーメント（ｄｉｐｏｌｅ ｍｏｍｅｎｔ）と、相対的に低いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する。したがって、有機発光素子に適用時に長寿命の特性を示す。
また、本発明の一実施態様によるフルオレン系化合物は、２５０℃以下の熱処理またはＵＶ処理により、次の溶液工程においても損傷しない安定した薄膜を形成する。
本発明の一実施態様による化合物が含まれたコーティング組成物が塗布された薄膜は、２５０℃以下の熱処理またはＵＶ処理により、次の溶液工程においても損傷しない安定した薄膜を形成する。
本発明の一実施態様によるフルオレン系化合物は、溶液工程用有機発光素子の有機物層材料として用いることができ、低い駆動電圧、高い発光効率、および高い寿命特性を提供することができる。また、前記フルオレン系化合物を用いることにより、溶解度が増加するため、溶液工程のインク製造時、溶媒の選択が広くなり、融点および硬化温度を下げることができるという利点がある。
本発明の一実施態様による有機発光素子の例を示すものである。 中間体Ａ－１のＮＭＲ測定結果を示す図である。 化合物１のＨＰＬＣ測定結果を示す図である。 実験例１で製造されたコーティング組成物１により形成した薄膜の膜保持率の実験結果を示す図である。 実験例１で製造されたコーティング組成物２により形成した薄膜の膜保持率の実験結果を示す図である。
一般に、溶液工程用有機発光素子で用いられるアリールアミン系単分子の場合、それ自体に次の工程の溶媒に耐性を有する場合がないため、溶液工程用有機発光素子に使用可能なアリールアミン系単分子化合物は、硬化基が導入されなければならない。
本発明のアミン基が結合されたフルオレン化合物を含むコーティング組成物を熱または光処理して作製した薄膜は、溶媒に対する耐性に優れ、電流効率および素子の特性に優れた有機発光素子を提供する。
以下、本発明について詳しく説明する。
本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする際、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけでなく、二つの部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする際、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含んでもよいことを意味する。
本発明の一実施態様は、下記化学式１で表されるフルオレン系化合物を提供する。
Figure 0007403912000002
前記化学式１のうち、
Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換もしくは非置換のアルキレン基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；またはハロゲン基であり、Ｘ１およびＸ２のうち少なくとも一つはハロゲン基であり、
Ｘ３およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のヘテロアリール基；または光硬化性基または熱硬化性基であり、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ１～４の整数であり、
ｎ１およびｎ６は、それぞれ独立して０～５の整数であり、
ｎ２およびｎ５は、それぞれ独立して０～４の整数であり、
ｎ３およびｎ４は、それぞれ独立して０～３の整数であり、
ｍ１、ｍ２、およびｎ１～ｎ６がそれぞれ２以上である場合、それぞれの括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
本明細書において、前記Ｘ１およびＸ２のうち少なくとも一つはハロゲン基である。すなわち、前記化学式１で表される化合物は、コア構造が一つ以上のハロゲン基で置換されている。これにより、ハロゲン基で置換されていないコア構造を有する化合物に比べて、相対的に大きい双極子モーメント（ｄｉｐｏｌｅ ｍｏｍｅｎｔ）と、相対的に低いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する。したがって、有機発光素子に適用時に長寿命の特性を示す。
本明細書において、「熱硬化性基または光硬化性基」とは、熱および／または光に曝露した際に、化合物の間に架橋をさせる反応性置換基を意味し得る。架橋は、熱処理または光照射により、炭素－炭素多重結合、環状構造が分解されることで生成されたラジカルが連結されることで生成されることができる。
本発明の一実施態様において、前記熱硬化性基または光硬化性基は、下記構造のいずれか一つである。
Figure 0007403912000003
本発明の一実施態様において、前記化学式１で表されるフルオレン系化合物の場合、溶液塗布法により有機発光素子を製造することができるため、素子の大面積化が可能であり、時間および費用的に経済的であるという効果がある。
また、前記化学式１で表されるフルオレン系化合物を用いてコーティング層を形成する場合、熱硬化性基または光硬化性基が熱または光により架橋を形成するため、コーティング層の上部に追加の層を積層する際に、コーティング組成物に含まれたフルオレン系化合物が溶媒により洗い落とされるのを防止してコーティング層を維持するとともに、上部に追加の層を積層することができる。
さらに、前記化学式１で表されるフルオレン系化合物は、熱硬化性基または光硬化性基が架橋を形成してコーティング層を形成するため、コーティング層の溶媒に対する耐化学性が高くなり、膜保持率が高いという効果がある。
また、本発明の一実施態様により、熱処理または光照射により架橋が形成されたフルオレン系化合物の場合、複数のフルオレン系化合物が架橋されて薄膜の形態で有機発光素子内に備えられるため、熱的安定性に優れるという効果がある。
本明細書に記載された化合物に置換基が結合されていない位置は、水素や重水素が結合されていてもよい。
本明細書において、
Figure 0007403912000004
 は、他の置換基または結合部に結合される部位を意味する。
本明細書において、前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合された水素原子が他の置換基に置き換わることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置、すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定されず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
本明細書において、「置換もしくは非置換」という用語は、 重水素；ハロゲン基；ニトリル基；ニトロ基；アルキル基；アルコキシ基；アリール基；およびヘテロアリール基からなる群より選択された１つ以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうち２以上の置換基が連結された置換基で置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
本明細書において、ハロゲン基は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素である。
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖、分岐鎖もしくは環状鎖であってもよく、炭素数は、特に限定されないが、１～４０であることが好ましい。一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１～２０である。具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ペンチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ヘキシル基、ｎ－ヘキシル基、ヘプチル基、ｎ－ヘプチル基、ヘキシル基、ｎ－ヘキシル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分岐鎖もしくは環状鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は、特に限定されないが、炭素数１～２０であることが好ましい。具体的に、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｉ－プロピルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、３，３－ジメチルブチルオキシ基、２－エチルブチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、ベンジルオキシ基、ｐ－メチルベンジルオキシ基などであってもよいが、これらに限定されない。
本明細書において、アリール基は、特に限定されないが、炭素数６～６０であることが好ましく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６～４０である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６～２０である。前記アリール基は、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基などであってもよいが、これらに限定されない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などであってもよいが、これらに限定されない。
本明細書において、前記フルオレニル基は置換されていてもよく、隣接した置換基が互いに結合して環を形成してもよい。
前記フルオレニル基が置換される場合、
Figure 0007403912000005
 などであってもよい。ただし、これらに限定されない。
本明細書において、ヘテロアリール基は、炭素ではない原子、ヘテロ原子を１以上含むものであって、具体的に、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、およびＳなどからなる群より選択される原子を１以上含んでもよい。炭素数は、特に限定されないが、炭素数２～６０であることが好ましい。一実施態様によれば、前記ヘテロアリール基の炭素数は２～４０である。一実施態様によれば、前記ヘテロアリール基の炭素数は２～２０である。前記ヘテロアリール基は、単環式もしくは多環式であってもよい。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、フラニル基、ピロール基、イミダゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、フェノチアジニル基、およびジベンゾフラニル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において、前記アルキレン基は、２価の基であることを除いては、前述したアルキル基の例示の中から選択されてもよい。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～４０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６～６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２～６０のヘテロアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；または置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のイソブチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ－ブチル基；置換もしくは非置換のペンチル基；または置換もしくは非置換のヘキシル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のメチル基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のエチル基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のプロピル基；置換もしくは非置換のブチル基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のイソブチル基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のｔｅｒｔ－ブチル基；ハロゲン基で置換もしくは非置換のペンチル基；またはハロゲン基で置換もしくは非置換のヘキシル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；フッ素；フッ素で置換もしくは非置換のメチル基；エチル基；プロピル基；ブチル基；イソブチル基；ｔｅｒｔ－ブチル基；ペンチル基；またはヘキシル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；または炭素数１～３０の置換もしくは非置換のアルキル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；またはハロゲン基で置換もしくは非置換の炭素数１～３０の置換もしくは非置換のアルキル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；フッ素で置換もしくは非置換のメチル基；またはｔｅｒｔ－ブチル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１およびＲ６は、水素；フッ素で置換もしくは非置換のメチル基；またはｔｅｒｔ－ブチル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ２～Ｒ５は水素である。
本発明の一実施態様において、前記ｎ１およびｎ６は、それぞれ０～２の整数である。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６～６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２～６０のヘテロアリール基である。
また一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６～４０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２～４０のヘテロアリール基である。
また一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基である。
本発明の一実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のフルオレニル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、重水素またはアルキル基で置換もしくは非置換のフェニル基；重水素またはアルキル基で置換もしくは非置換のビフェニル基；重水素またはアルキル基で置換もしくは非置換のナフチル基；重水素またはアルキル基で置換もしくは非置換のフルオレニル基である。
また一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、フェニル基；ビフェニル基；またはナフチル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は下記構造のいずれか一つであってもよいが、これらに限定されず、下記構造はさらに置換されていてもよい。
Figure 0007403912000006
前記構造のうち、
Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＮＲａ、ＣＲｂＲｃ、またはＳｉＲｄＲｅであり、
Ｒ３１～Ｒ４１、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であり、
ｐ１は、０～７の整数であり、
ｐ２、ｐ４、およびｐ５は、それぞれ０～４の整数であり、
ｐ３およびｐ６は、それぞれ０～５の整数であり、
ｐ１～ｐ６がそれぞれ２以上である場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
Figure 0007403912000007
 は、化学式１に結合される部位である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ３１～Ｒ４１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～３０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒ３１～Ｒ４１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基である。
また一つの実施態様において、前記Ｒ３１～Ｒ４１は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～８のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～１２のアリール基である。
また一つの実施態様において、前記Ｒ３１～Ｒ４１は、それぞれ水素である。
本発明の一実施態様において、前記ＷはＯである。
本発明の一実施態様において、前記ＷはＳである。
本発明の一実施態様において、前記ＷはＣＲｂＲｃである。
本発明の一実施態様において、前記ＷはＳｉＲｄＲｅである。
本発明の一実施態様において、前記Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～３０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～２０のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～２０のアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１～８のアルキル基；または置換もしくは非置換の炭素数６～１２のアリール基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；または置換もしくは非置換のフェニル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、およびＲｅは、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；メチル基；エチル基；またはフェニル基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；またはハロゲン基であり、Ｘ１およびＸ２のうち少なくとも一つはハロゲン基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１はハロゲン基であり、前記Ｘ２は水素である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１はフッ素であり、前記Ｘ２は水素である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１は水素であり、前記Ｘ２はハロゲン基である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１は水素であり、前記Ｘ２はフッ素である。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１およびＸ２は、それぞれフッ素である。
前記Ｌ１が直接結合である場合、フルオレンの９番炭素とＸ３が直接結合し、具体的な構造は下記のとおりである。
Figure 0007403912000008
前記Ｌ２が直接結合である場合、フルオレンの９番炭素とＸ４が直接結合し、具体的な構造は下記のとおりである。
Figure 0007403912000009
本発明の一実施態様において、前記Ｘ３およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、光硬化性基または熱硬化性基である。
前記Ｘ３およびＸ４が光硬化性基または熱硬化性基である場合、有機発光素子に適用時に溶液工程が可能であるという利点がある。
例えば、前記化合物を用いて有機物層を形成するステップにおいて、熱処理または光処理により複数のフルオレン系化合物が架橋を形成することになるため、薄膜化した構造が含まれた有機物層を提供することができる。また、前記形成された有機物層の表面上に他の層を積層する際に、溶媒により溶解されるか、または形態学的に影響を受けることや分解されるのを防止することができる。
本発明の一実施態様において、前記Ｘ３およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、光硬化性基または熱硬化性基であり、下記構造であってもよい。
Figure 0007403912000010
本発明の一実施態様において、前記Ｘ３およびＸ４は、
Figure 0007403912000011
 である。
本発明の一実施態様において、前記ｍ１およびｍ２は、それぞれ１である。
本発明の一実施態様において、前記化学式１は、下記化学式１－１で表される。
Figure 0007403912000012
前記化学式１－１のうち、Ｘ１～Ｘ４、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１～Ｒ６、Ａｒ１、Ａｒ２、およびｎ１～ｎ６は、化学式１で定義したとおりである。
前記化学式１－１で表される化合物は、Ｘ１およびＸ２の位置が特定されることで、重合が容易である。
本発明の一実施態様において、前記化学式１のフルオレン系化合物は、下記構造のいずれか一つで表されてもよい。
Figure 0007403912000013
Figure 0007403912000014
Figure 0007403912000015
本発明の一実施態様によるフルオレン系化合物は、後述する製造方法により製造されてもよい。
例えば、前記化学式１のフルオレン系化合物は、下記製造方法によりコア構造が製造されてもよい。この際、置換基は、当技術分野で周知の方法により結合されてもよく、置換基の種類、位置、または個数は、当技術分野で周知の技術により変更されてもよい。
＜化学式１の一般的な製造方法＞
Figure 0007403912000016
前記製造方法の置換基は、化学式１の置換基の定義のとおりである。
本発明の一実施態様は、前述したフルオレン系化合物を含むコーティング組成物を提供する。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、前記フルオレン系化合物および溶媒を含む。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、液状であってもよい。前記「液状」は、常温および常圧で液体状態であることを意味する。
本発明の一実施態様において、前記前述したフルオレン系化合物は、一部の溶媒に対して溶解性を有する。
本発明の一実施態様において、前記溶媒は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン（Ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ）、テトラロン（Ｔｅｔｒａｌｏｎｅ）、デカロン（Ｄｅｃａｌｏｎｅ）、アセチルアセトン（Ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ）などのケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２－ヘキサンジオールなどの多価アルコールおよびその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；およびテトラリンなどであってもよいが、本発明の一実施態様によるフルオレン誘導体を溶解または分散可能な溶媒であればよく、これらに限定されない。
本発明の一実施態様において、前記溶媒は、１種単独で用いるか、または２種以上の溶媒を混合して用いてもよい。
本発明の一実施態様において、前記化学式１のフルオレン系化合物は、示差走査熱量計（ＤＳＣ、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ）で測定した結果、発熱ピークと発熱ピーク前の吸熱ピークとの間の温度差が２０℃以上である。具体的に、前記発熱ピークと発熱ピーク前の吸熱ピークとの間の温度差が２０℃～２００℃であってもよい。
前記示差走査熱量計（ＤＳＣ、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ）は、試料および基準物質の温度をプログラムにより一定の速度で変化させつつ、二つの間の温度差をゼロ（ｚｅｒｏ）に維持するために必要なエネルギー（ｅｎｔｈａｌｐｙ）の量を測定し、熱の流れを温度の関数で示して得られたピークの位置、模様、および数から試料の定性的分析と、試料変性時のピークの広さ変化から試料の熱に対するエンタルピー変化などに対する変数を定量的に測定可能な装置を意味する。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含まない。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含む。
本発明において、前記ｐドーピング物質とは、ホスト物質をｐ半導体特性を有するようにする物質を意味する。ｐ半導体特性とは、ＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギー準位で正孔の注入を受けたり輸送したりする特性、すなわち、正孔伝導度が大きい物質の特性を意味する。
本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質は、ｐ半導体特性を有するようにする物質であれはよく、１種または２種以上を用いてもよく、その種類は限定されない。
前記ｐドーピング物質の例示としては、Ｆ４ＴＣＮＱ；またはホウ素アニオンを含む化合物である。具体的に、前記ｐドーピング物質は、下記化学式９－１～９－３のいずれか一つであるか、またはＦａｒｙｌｂｏｒａｔｅ系化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007403912000017
本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含量は、前記化学式１のフルオレン系化合物を基準として０重量％～５０重量％である。
本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含量は、前記コーティング組成物の全体固形分含量を基準として０重量％～３０重量％である。本発明の一実施態様において、前記ｐドーピング物質の含量は、前記コーティング組成物の全体固形分含量を基準として１重量％～３０重量％であることが好ましく、また一つの実施態様において、前記ｐドーピング物質の含量は、前記コーティング組成物の全体固形分含量を基準として１０重量％～３０重量％であることがより好ましい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、熱硬化性基または光硬化性基を含む単分子；または熱によるポリマーの形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含んでもよい。
本発明の一実施態様において、前記熱硬化性基または光硬化性基を含む単分子；または熱によるポリマーの形成が可能な末端基を含む単分子は、分子量が２，０００ｇ／ｍｏｌ以下の化合物であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、熱硬化性基または光硬化性基を含み、かつ分子量が２，０００ｇ／ｍｏｌ以下の単分子；または熱によるポリマーの形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含む。
本発明の一実施態様において、前記熱硬化性基または光硬化性基を含む単分子は、フェニル、ビフェニル、フルオレン、ナフタレンなどのアリール；アリールアミン；またはフルオレンであり、熱によるポリマーの形成が可能な末端基を含む単分子は、熱によるポリマーの形成が可能な末端基が置換された単分子を意味し得る。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子内に熱硬化性基または光硬化性基が導入された化合物および高分子化合物からなる群より選択される１種または２種の化合物をさらに含んでもよい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子内に熱硬化性基または光硬化性基が導入された化合物をさらに含んでもよい。前記コーティング組成物が分子内に熱硬化性基または光硬化性基が導入された化合物をさらに含む場合には、コーティング組成物の硬化度をさらに高めることができる。
本発明の一実施態様において、前記分子内に熱硬化性基または光硬化性基が導入された化合物の分子量は、１，０００ｇ／ｍｏｌ～３，０００ｇ／ｍｏｌである。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、高分子化合物をさらに含んでもよい。前記コーティング組成物が高分子化合物をさらに含む場合には、コーティング組成物のインク特性を高めることができる。すなわち、前記高分子化合物をさらに含むコーティング組成物は、コーティングまたはインクジェットするのに適した粘度を提供することができる。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、熱重合開始剤および光重合開始剤からなる群より選択される１種または２種以上の添加剤をさらに含んでもよい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物の粘度は、２ｃＰ～１５ｃＰである。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、２５０℃以下の熱処理後、薄膜保持試験での薄膜保持率が９５％以上である。本発明のコーティング組成物は、２５０℃以下の熱処理後、薄膜保持試験での薄膜保持率が９５％以上であるため、トルエン、シクロヘキサノンなどの溶媒に対する耐性に優れる。
前記薄膜保持試験は、先ず、前記コーティング組成物を基材（ｅｘ、ガラスなど）にスピンコーティングして薄膜を形成し、窒素雰囲気内で熱処理した後、薄膜のＵＶ吸収を測定する。その後、薄膜をトルエン、シクロヘキサノンなどの溶媒に約１０分間浸してから乾燥させた後に薄膜のＵＶ吸収を測定し、溶媒に浸す前後のＵＶ吸収の最大ピークの大きさを比較（溶媒に浸した後のＵＶ吸収の最大ピーク／溶媒に浸す前のＵＶ吸収の最大ピークの大きさ×１００）して薄膜保持率を測定する。
本発明の一実施態様は、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子を提供する。
本発明の一実施態様は、第１電極；
第２電極；および
前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層を含み、
前記有機物層のうち１層以上は、前記コーティング組成物またはその硬化物を含み、
前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理により硬化された状態である、有機発光素子を提供する。
本明細書において、硬化物は、化合物に含まれた光硬化性基または熱硬化性基が、化合物が適用された層に含まれた他の材料および／または化合物と結合された状態を意味する。例えば、光硬化性基または熱硬化性基が二重結合を含む場合、二重結合が単結合に変化し、化合物間に重合された状態に変換したことを意味し得る。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層、正孔注入層、または正孔輸送と正孔注入を同時にする層である。
本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、正孔注入層である。
他の一実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、発光層である。
また一つの実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記フルオレン系化合物を発光層のホストとして含む。
本発明の一実施態様において、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含む。
本発明の一実施態様において、前記第１電極はアノードであり、第２電極はカソードである。
また一つの実施態様によれば、前記第１電極はカソードであり、第２電極はアノードである。
一実施態様において、有機発光素子は、基板上に、アノード、１層以上の有機物層、およびカソードが順次積層されたノーマル構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
また一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、カソード、１層以上の有機物層、およびアノードが順次積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入および正孔輸送を同時にする層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子注入および輸送を同時にする層のうち２層以上を含む構造を有してもよい。しかし、有機発光素子の構造は、これに限定されず、さらに少ない数の有機層を含んでもよい。
本発明の有機発光素子は、［基板／アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／電子輸送層／カソード］の順に積層されてもよい。
また一つの実施態様による本発明の有機発光素子は、［基板／アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入および輸送層／カソード］の順に積層されてもよい。
本発明の一実施態様による有機発光素子の構造は図１に例示されている。
図１には、基板１０１の上に、アノード２０１、正孔注入層３０１、正孔輸送層４０１、発光層５０１、電子注入および輸送層６０１、およびカソード７０１が順次積層された有機発光素子の構造が例示されている。
しかし、本発明の有機発光素子の構造は、図１のものに限定されない。
前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質から形成されてもよい。
本発明の有機発光素子は、有機物層のうち１層以上が前記フルオレン系化合物を含むコーティング組成物を用いて形成されることを除いては、当技術分野で周知の材料および方法により製造されてもよい。
例えば、本発明の有機発光素子は、基板上に、アノード、有機物層、およびカソードを順次積層させることで製造されることができる。この際、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸着法（ｅ－ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を用いて、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入および輸送層を含む有機物層を蒸着または溶液工程により形成した後、その上にカソードとして使用可能な物質を蒸着させることで製造されることができる。このような方法の他にも、基板上にカソード物質から有機物層、アノード物質を順に蒸着させて有機発光素子を作製することができる。
本発明の一実施態様は、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。
具体的に、本発明の一実施態様は、基板を準備するステップ；
前記基板上に第１電極を形成するステップ；
前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップ；および
前記有機物層上に第２電極を形成するステップを含み、
前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含む。
すなわち、前記有機物層のうち１層以上が前記コーティング組成物を用いて形成される。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層は、溶液工程を用いて形成される。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層は、スピンコーティングを用いて形成される。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層は、印刷法により形成される。
前記印刷法としては、例えば、インクジェット印刷、ノズル印刷、オフセット印刷、転写印刷、またはスクリーン印刷などが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の一実施態様によるコーティング組成物は、構造的な特性上、溶液工程が適しており、印刷法により形成することができるため、素子の製造時に時間および費用的に経済的であるという効果がある。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップは、前記カソードまたはアノード上に前記コーティング組成物をコーティングするステップ；および前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップを含む。
本発明の一実施態様において、前記熱処理するステップでの熱処理温度は、８５℃～２５０℃である。
また一つの実施態様において、前記熱処理するステップでの熱処理時間は、１分～１時間であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物が添加剤を含まない場合、１００℃～２５０℃の温度で熱処理して架橋が行われることが好ましく、１２０℃～２００℃の温度で架橋が行われることがより好ましい。
前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップにおいて、前記熱処理または光処理ステップを含む場合には、コーティング組成物に含まれた複数のフルオレン系化合物が架橋を形成し、薄膜化した構造が含まれた有機物層を提供することができる。この場合、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層の表面上に他の層を積層する際に、溶媒により溶解されるか、または形態学的に影響を受けることや分解されるのを防止することができる。
したがって、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理ステップを含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を増加させることができる。
例えば、前記化合物を溶解させる溶媒を用いてコーティング組成物を製造し、溶液工程により有機物層を製造したとしても、熱処理または光処理により硬化させる際に同一の溶媒に対して耐性を有することができる。したがって、前記化合物を用いて有機物層を形成した後に熱処理過程を経ると、他の有機物層に適用時にも溶液工程が可能である。一例として、前記コーティング組成物が正孔輸送層に適用される場合、上部層（発光層など）を製造する際に、前記硬化されたコーティング組成物が耐性を示す特定の溶媒を用いることで、上部層もまた溶液工程により導入が可能である。
本発明の一実施態様において、前記フルオレン系化合物を含むコーティング組成物としては、高分子結合剤に混合して分散させたコーティング組成物を用いてもよい。
本発明の一実施態様において、高分子結合剤としては、電荷輸送を極度に阻害しないことが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。高分子結合剤としては、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）およびその誘導体、ポリ（２，５－チエニレンビニレン）およびその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどが挙げられる。
本発明の一実施態様において、前記有機発光素子は、有機物層にフルオレン系化合物が単独で含まれてもよく、フルオレン系化合物を含むコーティング組成物が熱処理または光処理されて薄膜化した状態で含まれてもよく、他のモノマーと混合された共重合体として含まれてもよい。また、他の高分子と混合された共重合体として含まれてもよく、混合物として含まれてもよい。この際、他のモノマーと混合された共重合体は、コーティング組成物に他のモノマーを含ませることで形成されてもよく、他の高分子と混合された共重合体は、コーティング組成物に他の高分子を含ませることで形成されてもよい。
本発明の一実施態様において、前記アノード物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑になるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能なアノード物質の具体的な例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物の組み合わせ；ポリ（３－メチルチオフェン）、ポリ［３，４－（エチレン－１，２－ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロール、およびポリアニリンのような導電性高分子などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
前記カソード物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易になるように仕事関数の小さい物質が好ましい。カソード物質の具体的な例としては、バリウム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、および鉛のような金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌのような多層構造の物質などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層であって、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力をもってアノードでの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力に優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）がアノード物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体的な例としては、化学式１で表される化合物、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノン、およびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などが挙げられるが、これらのみ限定されるものではない。
前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層であって、正孔輸送物質としては、アノードや正孔注入層から正孔の輸送を受けて発光層に移せる物質であって、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。正孔輸送物質の例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共に存在するブロック共重合体などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。前記正孔輸送物質は、具体的にはアリールアミン系の有機物、より具体的にはａ－ＮＰＤであってもよいが、これらに限定されない。
前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子の輸送をそれぞれ受けて結合させることで可視光線領域の光を出せる物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体的な例としては、８－ヒドロキシ－キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系化合物；二量化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０－ヒドロキシベンゾキノリン－金属化合物；ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾール、およびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含んでもよい。ホスト材料としては、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などが挙げられる。具体的に、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などが挙げられ、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などが挙げられるが、これらに限定されない。
ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などが挙げられる。具体的に、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどが挙げられ、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物であって、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より１または２以上選択される置換基で置換もしくは非置換である。具体的に、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどが挙げられるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などが挙げられるが、これらに限定されない。
具体的に、前記発光層は、ホストとしてアントラセン誘導体を含み、ドーパントとして置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物を含んでもよいが、これに限定されない。
前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層であって、電子輸送物質としては、カソードから電子の注入を円滑に受けて発光層に移せる物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体的な例としては、８－ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン－金属錯体などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により用いられたように、任意の所望のカソード物質と共に用いてもよい。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的に、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、それぞれの場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。
前記電子注入層は、電極から電子を注入する層であって、電子を輸送する能力を有し、カソードからの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力に優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、フェナントロリン、アントロンなどとその誘導体、金属錯体化合物、および含窒素５員環誘導体などが挙げられるが、これらに限定されない。
前記金属錯体化合物としては、８－ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８－ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８－ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２－メチル－８－キノリナート）クロロガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）（ｏ－クレゾラート）ガリウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）（１－ナフトラート）アルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリナート）（２－ナフトラート）ガリウムなどが挙げられるが、これらに限定されない。
前記電子注入および輸送層は、電子注入と輸送を同時にする層である。電子注入および輸送層物質としては、電子注入層および電子輸送層に適用可能な物質であれば制限されずに使用可能である。例えば、フェナントロリン誘導体が用いられてもよいが、これに限定されない。
前記正孔阻止層は、正孔のカソード到達を阻止する層であって、一般に正孔注入層と同一の条件で形成されてもよい。具体的に、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ＢＣＰ、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ）などが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明に係る有機発光素子は、用いられる材料に応じて、前面発光型、背面発光型、または両面発光型であってもよい。
本発明の一実施態様において、前記フルオレン系化合物は、有機発光素子の他にも、有機太陽電池または有機トランジスタに含まれてもよい。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳しく説明する。ただし、本発明に係る実施例は種々の他の形態に変形されてもよく、本発明の範囲が以下に記述する実施例に限定されるものと解釈されない。本発明の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
＜製造例＞
合成例１．化合物１の製造
Figure 0007403912000018
（１）中間体Ａ－１の合成
丸底フラスコに、１－ブロモ－４－クロロ－２－フルオロベンゼン１２．２４ｇ（１．３ｅｑ）、２－（４－クロロ－２－フルオロフェニル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン１０ｇ（１．０ｅｑ）、ＰｄＣｌ２（ＡＭＰＨＯＳ）０．１３ｇ（０．００５ｅｑ）、およびＮａ２ＣＯ３ ８．２６ｇ（２．０ｅｑ）を入れ、トルエン（Ｔｏｌｕｅｎｅ）１５０ｍＬとＤ２Ｏ １５０ｍＬに溶かした。温度を４５℃まで昇温させた後、Ａｌｉｑｕｉｔ３３６ １．５７ｇ（０．１０ｅｑ）を注入した。１２時間の撹拌後、蒸留水を介して反応を終了し、有機層を抽出した後、ジクロロメタン（ＤＣＭ）およびメタノールを介して純度１００％の中間体Ａ－１を７．７ｇ得た。
図２は、中間体Ａ－１のＮＭＲ測定結果を示す図である。
（２）中間体Ｂ－１の合成
丸底フラスコに、中間体Ａ－１ ７．７ｇ（１．０ｅｑ）、アニリン６．９ｇ（２．２ｅｑ）、ビス（トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ２（ｔ－Ｂｕ）Ｐ）０．７５ｇ（０．０５ｅｑ）、およびナトリウム－ｔ－ブトキシド（Ｎａ－ｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ）７．１４ｇ（２．５ｅｑ）を入れ、キシレン（Ｘｙｌｅｎｅ）２００ｍＬに溶かした。温度を１３０℃まで昇温させた後に１２時間撹拌した。蒸留水を介して反応を終了し、有機層を抽出した後、ジクロロメタン（ＤＣＭ）およびヘキサンを介して純度９６％の中間体Ｂ－１を８．０ｇ得た。
（３）化合物１の合成
丸底フラスコに、中間体Ｂ－１ ２ｇ（１．０ｅｑ）および２－ブロモ－９－（２，５－ジメチルフェニル）－９－（４－ビニルフェニル）－９Ｈ－フルオレン５．３６ｇ（２．２ｅｑ）を入れ、トルエン４０ｍＬに溶かした後、２．５Ｍナトリウム－ｔ－ペントキシド（Ｎａ－ｔ－ｐｅｎｔｏｘｉｄｅ）６．４８ｍＬ（２．５ｅｑ）を徐々に注入した後、Ｐｄ２（ｔ－Ｂｕ）Ｐ ０．０８ｇ（０．０２ｅｑ）を投入し、６０℃で６時間撹拌した。蒸留水を介して反応を終了し、有機層を抽出した後、ＴＨＦおよびエタノールを介して純度９９．７％の化合物１を１ｇ得た。
図３は、化合物１のＨＰＬＣ測定結果である。
ＨＰＬＣは、ＴＨＦ：Ｈ２Ｏ＝６０：４０の条件で測定された。測定されたＨＰＬＣ結果から、化合物１の純度が９９．７％であることを確認した。
合成例２．化合物２の製造
Figure 0007403912000019
（１）中間体Ａ－２の合成
前記製造例１の（１）において、１－ブロモ－４－クロロ－２－フルオロベンゼンの代わりに１－ブロモ－４－クロロベンゼンを用いたことを除いては、製造例１の（１）と同様の方法で純度１００％の中間体Ａ－２を８．０ｇ得た。
（２）中間体Ｂ－２の合成
前記製造例１の（２）において、中間体Ａ－１の代わりに中間体Ａ－２を用いたことを除いては、製造例１の（２）と同様の方法で純度１００％の中間体Ｂ－２を８．０ｇ得た。
（３）化合物２の合成
前記製造例１の（３）において、中間体Ｂ－１の代わりに中間体Ｂ－２を用いたことを除いては、製造例１の（３）と同様の方法で純度９９．７％の化合物２を１．０ｇ得た。
合成例３．化合物３の製造
Figure 0007403912000020
（１）中間体Ｂ－３の合成
前記製造例１の（２）において、アニリンの代わりにブロモ－ビフェニルを用いたことを除いては、製造例１の（２）と同様の方法で純度１００％の中間体Ｂ－３を８．０ｇ得た。
（２）化合物３の合成
前記製造例１の（３）において、中間体Ｂ－１の代わりに中間体Ｂ－３を用いたことを除いては、製造例１の（３）と同様の方法で純度９９．６％の化合物３を１．０ｇ得た。
実験例１．薄膜保持率の測定
前記合成例１で製造された化合物１および下記化学式９－２のｐ－ドーピング物質をトルエンに２ｗｔ％（化合物１：化学式９－２＝８：２（重量比））濃度で溶かし、コーティング組成物１を製造した。また、下記比較化合物１および下記化学式９－２のｐ－ドーピング物質をトルエンに２ｗｔ％（比較化合物１：化学式９－２＝８：２（重量比））濃度で溶かし、コーティング組成物２を製造した。
前記コーティング組成物１および２をそれぞれガラスにスピンコーティングして薄膜を形成した。薄膜を２２０℃で３０分間熱処理し、ＵＶ吸収を測定した。この薄膜をトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）に再び１０分間浸した後に乾燥し、ＵＶ吸収を測定した。浸す前後のＵＶ吸収の最大ピークの大きさの比較により薄膜保持率を確認することができる。
Figure 0007403912000021
図４は、コーティング組成物１により形成した薄膜の膜保持率の実験結果を示す図である。
図５は、コーティング組成物２により形成した薄膜の膜保持率の実験結果を示す図である。
図４および５において、横軸は、波長（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）を意味し、縦軸は、光学密度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）を意味し、（ａ）は、薄膜を熱処理した直後（トルエンに１０分間浸す前）のＵＶ測定結果であり、（ｂ）は、薄膜をトルエンに１０分間浸した後のＵＶ測定結果である。
図４から、化学式１で表される化合物を含むコーティング組成物１により形成した薄膜の場合、薄膜保持率が１００％であることを確認することができる。これに対し、図５から、硬化性基を含まない比較化合物１を含むコーティング組成物２により形成した薄膜の場合、薄膜保持率が０％であることを確認することができる。
実験例２．エネルギーレベルの測定
前記合成例１で合成された化合物１および下記比較化合物２をそれぞれトルエンに２ｗｔ％濃度で溶かしたコーティング組成物を製造した。前記コーティング組成物をＩＴＯ基板上にスピンコーティングして薄膜に形成した。約３０ｎｍの厚さに形成された薄膜フィルムをＡＣ３装置を介してエネルギーレベルを測定し、その結果を下記表１に示す。
Figure 0007403912000022
Figure 0007403912000023
前記表１から、Ｆが導入された化合物１のＨＯＭＯエネルギーレベルが電子求引性（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ）効果により、比較化合物2に比べてダウンシフト（ｄｏｗｎ－ｓｈｉｆｔ）する傾向を示すことを確認することができる。また、Ｆが導入された化合物１の場合、比較化合物２よりも大きいバンドギャップを示し、これは、三重項状態（ｔｒｉｐｌｅｔ ｓｔａｔｅ）の上昇効果を同時にもたらす。したがって、素子の作製時、化合物１を適用する場合、比較化合物２を適用した場合よりも円滑な正孔移動がなされることを確認することができる。
実験例３．有機発光素子の製造
実施例１．
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れ、超音波で洗浄した。この際、洗剤としては、フィッシャー社製（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）の製品を用い、蒸留水としては、ミリポア社製（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を用いた。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返して超音波洗浄を１０分間行った。
蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトンの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、前記基板を５分間洗浄した後、グローブボックスに基板を輸送させた。
ＩＴＯ透明電極上に、前記化合物１および前記化学式９－２のｐ－ドーピング物質をトルエンに１．５ｗｔ％濃度で溶かした（化合物１：化学式９－２＝８：２（重量比））コーティング組成物をスピンコーティングし、２２０℃で３０分間熱処理（硬化）し、３０ｎｍの厚さに正孔注入層形成した。上記で形成された正孔注入層上に、α－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン）を２ｗｔ％含むトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）溶液をスピンコーティングし、正孔輸送層を４０ｎｍの厚さに形成した。その後、真空蒸着機に移送した後、前記正孔輸送層上に、９，１－ジ－２－ナフタレニル－アントラセン（ＡＤＮ）とＤＰＡＶＢｉの重量比（ＡＤＮ：ＤＰＡＶＢｉ）を２０：１にして２０ｎｍの厚さに真空蒸着し、発光層を形成した。前記発光層上に、ＢＣＰを３５ｎｍの厚さに真空蒸着し、電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、１ｎｍの厚さにＬｉＦおよび１００ｎｍの厚さにアルミニウムを順次蒸着し、カソードを形成した。
上記の過程において、有機物の蒸着速度は０．４Å／ｓｅｃ～０．７Å／ｓｅｃを維持し、カソードのフッ化リチウムは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０－７ｔｏｒｒ～５×１０－６ｔｏｒｒを維持した。
Figure 0007403912000024
実施例２．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物２を用いたことを除いては、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
実施例３．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物３を用いたことを除いては、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
比較例１．
前記実施例１において、化合物１の代わりに下記比較化合物２を用いたことを除いては、実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
Figure 0007403912000025
比較例２．
前記実施例１において、化合物１の代わりに硬化基を含まない下記比較化合物１を用いて正孔注入層を形成し、形成された正孔注入層上にＮＰＤを２ｗｔ％含むトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）溶液をスピンコーティングして正孔輸送層を形成しようとしたが、比較化合物１がＮＰＤが含まれたトルエン溶液に溶解され、素子の作製が不可能であった。
Figure 0007403912000026
前記実施例１～３および比較例１で製造された有機発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で性能測定した結果を下記表２に示す。
Figure 0007403912000027
前記表２のうち、Ｔ９５は、輝度が初期輝度から９５％に減少するのに必要な時間を意味する。
表２から分かるように、Ｆが導入された化合物の場合（実施例１～３）、低電圧においても駆動が可能であり、これは、Ｆの導入により、比較化合物２よりも向上した移動度を有していることを意味する。また、寿命も、実施例１～３の方が比較例１に比べて向上することを確認することができる。
１０１ ・・・基板
２０１ ・・・アノード
３０１ ・・・正孔注入層
４０１ ・・・正孔輸送層
５０１ ・・・発光層
６０１ ・・・電子注入および輸送層
７０１ ・・・カソード

Claims (13)

  1. 下記化学式１で表されるフルオレン系化合物：
    前記化学式１のうち、
    Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    Ｌ１およびＬ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、直接結合；または置換もしくは非置換のアルキレン基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
    Ｘ１およびＸ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；またはハロゲン基であり、Ｘ１およびＸ２のうち少なくとも一つはハロゲン基であり、
    Ｘ３およびＸ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、光硬化性基または熱硬化性基であり、
    前記光硬化性基または熱硬化性基は、下記構造:
    のいずれか一つであり、
    ｍ１およびｍ２は、それぞれ１～４の整数であり、
    ｎ１およびｎ６は、それぞれ独立して０～５の整数であり、
    ｎ２およびｎ５は、それぞれ独立して０～４の整数であり、
    ｎ３およびｎ４は、それぞれ独立して０～３の整数であり、
    ｍ１、ｍ２、およびｎ１～ｎ６がそれぞれ２以上である場合、それぞれの括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
  2. 前記Ｒ１～Ｒ６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、水素；または炭素数１～３０の置換もしくは非置換のアルキル基である、請求項１に記載のフルオレン系化合物。
  3. 前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の炭素数６～３０のアリール基である、請求項１又は２に記載のフルオレン系化合物。
  4. 前記化学式１は、下記化学式１－１で表される、請求項１に記載のフルオレン系化合物：
    前記化学式１－１のうち、
    Ｘ１～Ｘ４、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１～Ｒ６、Ａｒ１、Ａｒ２、およびｎ１～ｎ６は、化学式１で定義したとおりである。
  5. 前記化学式１は、下記構造のいずれか一つである、請求項１に記載のフルオレン系化合物：
  6. 請求項１～５のいずれか１項に記載のフルオレン系化合物を含む、コーティング組成物。
  7. 前記コーティング組成物は、ｐドーピング物質をさらに含む、請求項６に記載のコーティング組成物。
  8. 前記ｐドーピング物質は、Ｆ４ＴＣＮＱ；またはホウ素アニオンを含む化合物である、請求項７に記載のコーティング組成物。
  9. 前記コーティング組成物は、熱硬化性基または光硬化性基を含む単分子；または熱によるポリマーの形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含む、請求項６に記載のコーティング組成物。
  10. 第１電極；
    第２電極；および
    前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層を含み、
    前記有機物層のうち１層以上は、請求項６に記載のコーティング組成物またはその硬化物を含み、
    前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理により硬化された状態である、有機発光素子。
  11. 前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層、正孔注入層、または正孔輸送と正孔注入を同時にする層である、請求項１０に記載の有機発光素子。
  12. 基板を準備するステップ；
    前記基板上に第１電極を形成するステップ；
    前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップ；および
    前記有機物層上に第２電極を形成するステップを含み、
    前記有機物層を形成するステップは、請求項６に記載のコーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含む、有機発光素子の製造方法。
  13. 前記コーティング組成物を用いて有機物層を形成するステップは、
    前記第１電極上に前記コーティング組成物をコーティングするステップ；および
    前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップを含む、請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
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