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JP7464056B2 - 圧電センサ - Google Patents

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JP7464056B2 JP2021545134A JP2021545134A JP7464056B2 JP 7464056 B2 JP7464056 B2 JP 7464056B2 JP 2021545134 A JP2021545134 A JP 2021545134A JP 2021545134 A JP2021545134 A JP 2021545134A JP 7464056 B2 JP7464056 B2 JP 7464056B2
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Description

本技術は、圧電センサに関する。
圧電センサには様々な用途があるが、その一例として、弱い振動を検知するのにも用いられている。圧電センサが比較的弱い振動を検知するためには、圧電センサの検出感度が高いことが必要である。1つの圧電膜の出力電圧は、圧電定数と膜厚との積に比例することが知られているから、1つの圧電膜でより高い検出感度を得る方法には、圧電膜の厚膜化が考えられるが、厚膜化すると圧電膜の結晶性が低下するため、効果的に高い検出感度は得られない。そのため、高い検出感度を得るためには、複数の圧電膜について直列接続する必要があった。
特許文献1は、高分子圧電フィルムの上下に電極を形成して折り曲げ一つのユニットとし、複数のユニットを直列に接続することで、検出感度が高い圧電センサを開示している。
特開2019-007749号公報
しかしながら、特許文献1の圧電センサを実現するためには、作製すべきパーツ数が多く、それらを接続し組み立てる工程数も多いことから、製造コストが高くなるという問題があった。
従って、本技術は、製造コストが低く、検出感度が高い、圧電センサを提供することを目的の一つとする。
上述した課題を解決するために、本技術は、可撓性基材の一面に、第1の電極と第2の電極に挟まれて圧電膜が配置され、
第1の電極、第2の電極と圧電膜は、保護膜に被覆され、
複数の圧電膜が、第1の電極と第2の電極とを介して、直列に接続され、
可撓性基材が曲折され、複数の圧電膜が積層されるように配置された、圧電センサである。
図1Aは、一実施の形態に係る圧電センサの平面図と中央断面図であり、図1Bは、両端を加工した圧電センサの平面図である。 図2Aから図2Dは、一実施の形態に係る圧電センサの作製過程を示す図である。 図3は、実施例の圧電センサの断面図である。 図4Aから図4Dは、実施例の結果を模式的に示す図である。 図5A及び図5Bは、比較例1の結果を模式的に示す図である。 図6Aから図6Cは、で比較例2の結果を模式的に示す図である。
以下、本技術の実施の形態等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
<1.一実施の形態>
<2.変形例>
以下に説明する実施の形態等は本技術の好適な具体例であり、本技術の内容がこれらの実施の形態等に限定されるものではない。
<1.一実施の形態>
「構造」
一実施の形態の圧電センサ1は自在に曲折させることができる。そのために、圧電センサ1は可撓性基材を基板としている。可撓性基材は例えば、金属箔11である。金属箔11の素材は例えば、42アロイやコバールなどのような、線膨張係数が後述する圧電膜14になるべく近いものが好ましいが、その他の金属材料でもよい。金属箔11の厚さは10μm以上100μm以下である。縁応力低減による対屈曲性向上の観点から、金属箔11の厚さは10μm以上50μm以下であることが好ましい。
金属箔11それ自体は電気伝導性が有り、そのまま圧電センサ1などの素子を成膜するとショートする恐れがある。そこで、金属箔11の表面を絶縁膜12で被覆することで、金属箔11の表面は電気的に絶縁されている。絶縁膜12は、例えば、SiO2、Al23などの酸化膜、Si34などの窒化膜、SiONなどの酸窒化膜である。可撓性基材に金属箔11を用いた場合は、圧電膜の作製プロセスで、高温の条件を用いることができる利点がある。
図1Aに、一実施の形態における圧電センサ1の一例を示す。図1Aのように、金属箔11の一面に絶縁膜12が被覆され、絶縁膜12の表面には、所定の間隔をあけて繰り返し、第1の電極13が被覆されている。第1の電極13の素材は、圧電膜14の結晶化に有利なものが望ましく、例えば、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Mo、Irである。第1の電極13の膜厚は50nm以上が好ましく、100nmから200nm程度がより好ましい。
第1の電極13の一部は、圧電膜14で被覆されている。圧電膜14の素材は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、AlN、ZnO、又は、金属をドープしたPZT、AlN、ZnOなどであり、よりc軸配向を高めることで圧電定数を高めることが好ましい。圧電膜14のパターンサイズは、量産性を上げるために、1~10mm角程度であることが好ましく、圧電膜14の厚さは100nm~10μm程度が好ましい。圧電膜14の結晶性を良くするために、第1の電極13と圧電膜14との間には、バッファ層(不図示)が形成されていることが好ましい。バッファ層は、例えば、SrRuO3、ZrO2、AlNなどである。
第1の電極13の長さと間隔により、圧電膜の配置が制御される。第1の電極13の表面の一部に圧電膜14が被覆されている。第2の電極15は、圧電膜14の表面上から、圧電膜14が被覆された第1の電極13と隣接する第1の電極13の表面上の一部までに被覆されている。図1Aの圧電膜14は第1の電極13の一方の端面にも被覆されている。図1Aのように、第1の電極13と第2の電極15により圧電膜14の両主面を挟むように接続し、第2の電極15が隣接する(図1Aでは右隣にある)別の第1の電極13に接続することで、直列接続を実現している。図1Aでは、4つの圧電膜14が直列に接続されているので、4直列(4S)である。
圧電センサ1の一番上の層には、保護膜16が被覆されている。保護膜16の材質は、例えば、SiO2、Al23などの酸化膜、Si34などの窒化膜、SiONなどの酸窒化膜である。保護膜16の役割は外部との絶縁であり、例えば、圧電膜14同士を積層したときに他の圧電膜14と絶縁することである。保護膜16は、圧電センサ1の両端にある第1の電極13の一部には被覆されていない。圧電センサ1の両端にある第1の電極13は検出信号の取り出し電極として使用される。取出し電極として利用しやすいように、図1Bのように、圧電センサ1の両端にある第1の電極13の一部をレーザ加工などで切断して、リードのように細い形状に加工してもよい。
「作製方法」
一実施形態の圧電センサ1の作製方法について説明する。まず、可撓性基材として、金属箔11を用意した。金属箔11の一主面の全部に絶縁膜12を成膜した。絶縁膜12は酸化膜、窒化膜、酸窒化膜などの絶縁材料である。そして、図2Aに示すように、第1の電極13を周期的に成膜した。隣り合う第1の電極13同士に一定の間隔を隔てて隣接している。第1の電極13は上述のように金属材料である。
次に、図2Bに示すように、第1の電極13と絶縁膜12との表面上に、圧電膜14を成膜した。圧電膜14は第1の電極の13の主面の一部と片側の端面に被覆されている。それから、図2Cに示すように、圧電膜14と絶縁膜12と第1の電極13との表面上に、第2の電極15を成膜した。第2の電極15は圧電膜14と隣接する第1の電極13とを電気的に接続する役割を担う。圧電膜14の材質は上述の通りであり、第2の電極15は、第1の電極13と同様に金属材料である。
最後に、図2Dに示すように、両端にある第1の電極13の一部を除いた表面全体の上に保護膜16を成膜した。保護膜16の素材は、金属箔上の絶縁膜12の素材と同様である。保護膜16の役割は他と電気的に絶縁するためである。以上、全ての成膜をスパッタ法により行った。
以下、上記のようにして作製した圧電センサを用いて、圧電センサに圧力を掛けながら振動を与えて試験した実施例に基づいて、本技術を具体的に説明する。なお、本技術は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
「実施例」
図3のように、圧電膜14が3つある圧電センサ2を用意し、圧電膜14のない部分(圧電膜14と当該圧電膜14に隣接する圧電膜14との間の第1の電極13がある部分)を曲折させて、圧電膜14が図3に示される一点鎖線上のほぼ同じ位置に積層されるように配置した。3つの圧電膜14は直列接続(3直列)である。ほぼ同じ位置に積層された圧電膜14について、圧電膜14の上に錘を載せ1200Nの力を掛けながら、錘の上からAEセンサにて正弦波振動を与えて、圧電センサ2から発生する電圧の波形を計測した。正弦波振動の周波数は270kHzとした。AEセンサから圧電センサ2までの距離は錘を挟んで約10cmとした。さらに、積層させた状態のまま、3つの圧電膜14一つひとつについて、同様に圧力を掛けながら、正弦波振動を与えて、圧電膜14一つひとつから出力される個別の電圧の波形を計測した。
図4A~図4Cに、積層しない状態での圧電膜から出力される電圧の波形を個別に計測した結果を模式的に示す。積層しない場合の圧電膜から出力される個別の電圧はそれぞれ、700mV(図4A)、800mV(図4B)、1000mV(図4C)であった。図3のように、ほぼ同じ位置に積層した場合の圧電膜から出力される電圧は、図4Dに示すように、2500mVであった。
「比較例1」
直列接続をした2つの圧電膜を並置した圧電センサを用意し、1つの錘で2つの圧電膜14に力を掛けながら実施例と同様の正弦波振動を与えて、圧電センサから発生する電圧の波形を計測した。さらに、2つの圧電膜を並置したまま、実施例と同様に力を掛けながら、正弦波振動を与えて、圧電膜14一つひとつから出力される個別の電圧の波形を計測した。
図5Aと図5Bに、比較例1の圧電膜から出力される電圧の波形を個別に計測した結果を模式的に示す。圧電膜から出力される個別の電圧値はそれぞれ、300mV(図5A)と200mV(図5B)であり、安定した電圧波形が得られた。2つの圧電膜を並置し、1つの錘で2つの圧電膜に圧力を掛けた場合の電圧波形は乱れてしまい、電圧値は一定とならなかった(不図示)。
「比較例2」
並列接続をした2つの圧電膜14を、圧電膜14が実施例のようにほぼ同じ位置に積層されるように配置した圧電センサを用意し、実施例と同様に力を掛けながら正弦波振動を与えて、圧電センサから発生する電圧の波形を計測した。さらに、並列接続をせずに、ほぼ同じ位置に積層されるように配置したまま、実施例と同様に圧力を掛けながら、正弦波振動を与えて、圧電膜14一つひとつから出力される個別の電圧の波形を計測した。
図6Aと図6Bに、比較例2の圧電膜14から出力される電圧の波形を個別に計測した結果を模式的に示す。圧電膜14から出力される個別の電圧値はそれぞれ、200mV(図6A)と300mV(図6B)であった。並列接続をした2つの圧電膜14を、圧電膜14がほぼ同じ位置に積層されるように配置した場合、図6Cに示すように、電圧値は200mVであった。
実施例の圧電センサ2の電圧値は、圧電膜14の個別の電圧値をほぼ積算したものに等しかったのに対し、比較例2では圧電膜14の個別の電圧値を積算したものとはならなかった。また、比較例1では、電圧値が安定しなかった。実施例の圧電センサ2は、比較例1よりも電圧の波形が安定していて、比較例2よりも検出感度が高いと言える。したがって、本技術は、被測定物に対する信号発生部の位置が重ね合わせにより同じになるため、出力信号を高めながら、ばらつきが抑えられる。
圧電センサ1と圧電センサ2は圧電膜14の厚膜化をすることなく、5回程度の成膜プロセスで完成していて、圧電センサ2は曲折により、圧電膜14の積層を直列接続で実現している。したがって、本技術は、圧電膜を無理に厚膜化することなく、最小となる成膜プロセス回数で、複数の積層化を直列接続で実現できることから、製造プロセスが簡易になり、低コスト化が実現できる。
説明した実施の形態によれば、パーツ数や工程数が少ないため安価であり、検出感度が高い圧電センサを実現することができる。なお、本明細書で例示された効果により本技術の内容が限定して解釈されるものではない。
<2.変形例>
以上、本技術の一実施の形態について具体的に説明したが、本技術の内容は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
上述した一実施の形態においては、4つの圧電膜が直列に接続されていたが、4つ以外の個数の圧電膜が直列に接続されていてもよい。実施例の圧電センサ2では3つの圧電膜が積層されるように配置していたが、圧電膜が積層される数は2つであってもよいし、4つ以上であってもよい。
第1の電極13を取出し電極として扱う場合、実施例の圧電センサ2の場合は、両端の取出し電極が反対側を向いていたが、圧電センサ2の圧電膜14がもし偶数(2,4,6,・・・)個ある場合は、奇数(2-1,4-1,6-1,・・・)箇所を曲折することによって取出し電極を同じ向きに揃えて出すことができる。また、実施例のように、圧電膜14が3つなどの奇数個ある場合は、圧電センサ2の片端にある圧電膜14のない部分を長くして、曲折箇所を1箇所増やして奇数箇所とし、取出し電極を同じ向きに揃えて出すことができる。
さらに、可撓性基材は厚さが10μm以上200μm以下のポリイミド樹脂であってもよい。この場合、ポリイミド樹脂自体に絶縁性があるので、ポリイミド樹脂の表面に絶縁膜12を作製する必要はない。圧電膜14の作製プロセスに高温条件が課されない場合に好適である。
さらに、圧電センサ1の成膜方法をスパッタ法としていたが、塗布法、蒸着法やその他の方法により成膜してもよい。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
(1)
可撓性基材の一面に、第1の電極と第2の電極に挟まれて圧電膜が配置され、
前記第1の電極、前記第2の電極と前記圧電膜は、保護膜に被覆され、
複数の前記圧電膜が、前記第1の電極と前記第2の電極とを介して、直列に接続され、
前記可撓性基材が曲折され、複数の前記圧電膜が積層されるように配置された、圧電センサ。
(2)
可撓性基材の一面に、前記第1の電極は間隔をあけて繰り返し被覆され、
前記第1の電極の一部に、前記圧電膜が被覆され、
前記圧電膜に被覆された前記第1の電極に隣接する第1の電極と、前記圧電膜とに前記第2の電極が被覆された(1)に記載の圧電センサ。
(3)
前記可撓性基材が曲折された箇所は、前記圧電膜と当該圧電膜に隣接する圧電膜との間の前記第1の電極がある部分である(1)又は(2)に記載の圧電センサ。
(4)
前記圧電膜の数が奇数の場合、前記圧電センサの片端にある圧電膜が覆われていない部分が曲折され、取出し電極が同じ向きに揃えられた(1)から(3)の何れかに記載の圧電センサ。
(5)
前記圧電膜の素材は、PZT、AlN、ZnOの何れか、又は、金属をドープしたPZT、AlN、ZnOの何れかである(1)から(4)の何れかに記載の圧電センサ。
(6)
前記圧電膜の厚さは、100nmから10μmである(1)から(5)の何れかに記載の圧電センサ。
(7)
前記可撓性基材は、厚さが10μm以上100μm以下であり、表面に絶縁膜を成膜した金属箔である(1)から(6)の何れかに記載の圧電センサ。
(8)
前記可撓性基材は、厚さが10μm以上200μm以下のポリイミド樹脂である(1)から(6)の何れかに記載の圧電センサ。
(9)
前記保護膜は、酸化膜又は窒化膜若しくは酸窒化膜である(1)から(8)の何れかに記載の圧電センサ。
1,2・・・圧電センサ、11・・・金属箔、12・・・絶縁膜、13・・・第1の電極、14・・・圧電膜、15・・・第2の電極、16・・・保護膜

Claims (9)

  1. 可撓性基材の一面に、第1の電極と第2の電極に挟まれて圧電膜が配置され、
    前記第1の電極、前記第2の電極と前記圧電膜は、保護膜に被覆され、
    複数の前記圧電膜が、前記第1の電極と前記第2の電極を介して、直列に接続され、
    前記可撓性基材が曲折され、複数の前記圧電膜が積層されるように配置された、圧電センサ。
  2. 可撓性基材の一面に、前記第1の電極が間隔をあけて繰り返し被覆され、
    前記第1の電極の一部に、前記圧電膜が被覆され、
    前記圧電膜に被覆された前記第1の電極に隣接する第1の電極と、前記圧電膜と前記第2の電極が被覆した請求項1に記載の圧電センサ。
  3. 前記可撓性基材が曲折された箇所は、前記圧電膜と当該圧電膜に隣接する圧電膜との間の前記第1の電極がある部分である請求項1に記載の圧電センサ。
  4. 前記第1の電極が取出し電極とされ、前記圧電センサの片端にある圧電膜が覆われていない部分が曲折され、曲折箇所の数が奇数とされ、前記取出し電極が同じ向きに揃えられた請求項1に記載の圧電センサ。
  5. 前記圧電膜の素材は、PZT、AlN、ZnOの何れか、又は、金属をドープしたPZT、AlN、ZnOの何れかである請求項1に記載の圧電センサ。
  6. 前記圧電膜の厚さは、100nmから10μmである請求項1に記載の圧電センサ。
  7. 前記可撓性基材は、厚さが10μm以上100μm以下であり、表面に絶縁膜を成膜した金属箔である請求項1に記載の圧電センサ。
  8. 前記可撓性基材は、厚さが10μm以上200μm以下のポリイミド樹脂である請求項1に記載の圧電センサ。
  9. 前記保護膜は、酸化膜又は窒化膜若しくは酸窒化膜である請求項1に記載の圧電センサ。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007514130A (ja) 2003-09-18 2007-05-31 オクルースカン・アクチエンゲゼルシャフト 力の測定用トランスデューサ
WO2009119820A1 (ja) 2008-03-27 2009-10-01 京セラ株式会社 圧電素子、圧力センサ及び圧電素子の製造方法
JP2011087423A (ja) 2009-10-16 2011-04-28 Murata Mfg Co Ltd アクチュエータ及びアクチュエータを製造する方法
WO2013122110A1 (ja) 2012-02-15 2013-08-22 バンドー化学株式会社 圧電素子、アクチュエータ素子、アクチュエータ、発電素子、発電デバイス及び可撓性シート
JP2014219341A (ja) 2013-05-10 2014-11-20 積水化学工業株式会社 圧電型振動センサー
JP2016508210A (ja) 2012-11-02 2016-03-17 ノキア テクノロジーズ オーユー 圧力感知装置及びその組立方法
US20160190427A1 (en) 2014-12-30 2016-06-30 University-Industry Cooperation Group Of Kyung Hee University Nanofiber web piezoelectric material obtained by electrospinning polylactic acid, method of producing same, piezoelectric sensor comprising same, and method of manufacturing the piezoelectric sensor
US20170077839A1 (en) 2015-09-15 2017-03-16 The Regents Of The University Of Michigan Energy harvesting for leadless pacemakers
US20180337325A1 (en) 2017-05-22 2018-11-22 Apple Inc. Multi-element piezo sensor for in-bed physiological measurements
WO2019069730A1 (ja) 2017-10-02 2019-04-11 株式会社村田製作所 折り畳み構造に用いられる押圧センサ及び電子機器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155409A (en) * 1991-07-11 1992-10-13 Caterpillar Inc. Integral conductor for a piezoelectric actuator
DE102008002492A1 (de) * 2008-06-18 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Faltaktor oder Faltsensor sowie Herstellungsverfahren für einen Faltaktor oder Faltsensor
JP2019007749A (ja) * 2017-06-20 2019-01-17 ヤマハ株式会社 圧力センサー

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007514130A (ja) 2003-09-18 2007-05-31 オクルースカン・アクチエンゲゼルシャフト 力の測定用トランスデューサ
WO2009119820A1 (ja) 2008-03-27 2009-10-01 京セラ株式会社 圧電素子、圧力センサ及び圧電素子の製造方法
JP2011087423A (ja) 2009-10-16 2011-04-28 Murata Mfg Co Ltd アクチュエータ及びアクチュエータを製造する方法
WO2013122110A1 (ja) 2012-02-15 2013-08-22 バンドー化学株式会社 圧電素子、アクチュエータ素子、アクチュエータ、発電素子、発電デバイス及び可撓性シート
JP2016508210A (ja) 2012-11-02 2016-03-17 ノキア テクノロジーズ オーユー 圧力感知装置及びその組立方法
JP2014219341A (ja) 2013-05-10 2014-11-20 積水化学工業株式会社 圧電型振動センサー
US20160190427A1 (en) 2014-12-30 2016-06-30 University-Industry Cooperation Group Of Kyung Hee University Nanofiber web piezoelectric material obtained by electrospinning polylactic acid, method of producing same, piezoelectric sensor comprising same, and method of manufacturing the piezoelectric sensor
US20170077839A1 (en) 2015-09-15 2017-03-16 The Regents Of The University Of Michigan Energy harvesting for leadless pacemakers
US20180337325A1 (en) 2017-05-22 2018-11-22 Apple Inc. Multi-element piezo sensor for in-bed physiological measurements
WO2019069730A1 (ja) 2017-10-02 2019-04-11 株式会社村田製作所 折り畳み構造に用いられる押圧センサ及び電子機器

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