JP7450076B2 - 蒸着マスク - Google Patents

Description

本発明は、蒸着パターンを備えるマスク本体を枠体で支持する形態の蒸着マスクに関す
る。本発明に係る蒸着マスクは、例えば有機ＥＬ素子の発光層を形成する際に好適に使用
される。

基板（蒸着対象）上に有機ＥＬ素子の発光層（蒸着層）が形成された有機ＥＬディスプ
レイは、蒸着マスク法により製造されるが、この種の蒸着マスクは、例えば本出願人が先
に提案した特許文献１に開示されている。図９に示すように、特許文献１の蒸着マスク１
０１は、マトリクス状に配置される複数のマスク本体１０２と、各マスク本体１０２を囲
むように配置される補強用の枠体１０３と、両者１０２・１０３を不離一体的に接合する
金属層１０４とで構成される。各マスク本体１０２は多数独立の蒸着通孔１０５からなる
蒸着パターンを備えている。マスク本体１０２、枠体１０３、および金属層１０４はいず
れも磁性金属で形成されている。有機ＥＬディスプレイの製造時には、消磁されているマ
グネットチャック１０７上にまず基板１０８を載置し、次いで基板１０８上に蒸着マスク
１０１を載置したのちマグネットチャック１０７を着磁する。これにて、マグネットチャ
ック１０７上に基板１０８および蒸着マスク１０１が移動不能に固定され、この状態で蒸
着工程を行うことにより、マスク本体１０２の蒸着通孔１０５に対応する蒸着層が基板１
０８上に形成される。枠体１０３および金属層１０４の枠体寄りの下側には逃げ凹部１０
９が形成されており、蒸着マスク１０１の固定時において、蒸着マスク１０１と基板１０
８とが接触して基板表面に傷が付くことを防いでいる。

特開２０１７－２１０６３３号公報

マスク本体１０２を囲むように配置される枠体１０３は補強用であるため、その厚みは
マスク本体１０２に比べて十分に厚く設定される。例えばマスク本体１０２の厚みが約８
μｍであるのに対して、枠体１０３の厚みは約１ｍｍに設定される。また、金属層１０４
は蒸着通孔１０５の近傍まで形成される。例えば枠体１０３から内方に延出する金属層１
０４の距離Ｗ４が約１．２ｍｍであるのに対して、金属層１０４の端部から蒸着通孔１０
５の形成領域１０６までの距離Ｗ５は０．２ｍｍに設定される（図１０参照）。蒸着マス
ク１０１および基板１０８をマグネットチャック１０７で固定するとき、マスク本体１０
２よりも厚み寸法が大きい枠体１０３にはより大きな磁気吸着力が作用する。また、蒸着
通孔１０５の形成領域１０６は、蒸着通孔１０５の分だけマスク本体１０２の体積が減少
しているため、当該領域１０６に作用する磁気吸着力は弱くなる。そのため、枠体１０３
が逃げ凹部１０９側に沈み込み、図９の拡大図に示すように逃げ凹部１０９の縁Ｆを支点
にして、延出端側の金属層１０４が反り上がり、マスク本体２が浮き上がることがある。
このとき、蒸着通孔１０５の形成領域１０６が浮き上がると、基板１０８と蒸着通孔１０
５との間に隙間が生じるため、蒸着層が適正な形状から大きくにじんだように形成され、
蒸着パターン通りの蒸着層を得ることができない。とくに蒸着通孔１０５の形成領域１０
６の外縁側でにじみが大きくなる。

本発明は、枠体の下面に逃げ凹部を備える蒸着マスクにおいて、基板に対してマスク本
体が備えるパターン形成領域を適正に密着させて、多数独立の蒸着通孔からなる蒸着パタ
ーンに対応した蒸着層を基板上に高精度に形成できるようにすることを目的とする。

本発明は、多数独立の蒸着通孔１３からなる蒸着パターンを備えるマスク本体２と、マ
スク本体２が配置されるマスク開口５を有する補強用の枠体３と、マスク開口５の内周面
５ａから開口中心に向かって延出されて各マスク本体２と枠体３とを不離一体的に接合す
る金属層４とを備え、少なくとも枠体３が配置される下面に上向きに凹み形成される逃げ
凹部５０を有する蒸着マスクを対象とする。各マスク本体２は、蒸着通孔１３が形成され
る内側のパターン形成領域８と、上面が金属層４で覆われる外側の接合領域９とを含む。
そして、パターン形成領域８と接合領域９との間に、通孔および／または凹みが形成され
ない吸着領域１０が設けられていることを特徴とする。

金属層４は、マスク開口５の内周面５ａから内向きに延出される接合部４ｂを備えてお
り、マスク開口５の内周面５ａから金属層４の延出先端４ｃまでの接合部４ｂの距離をＷ
１、金属層４の延出先端４ｃからパターン形成領域８までの吸着領域１０の距離をＷ２と
したとき、前記接合部４ｂの距離Ｗ１と前記吸着領域１０の距離Ｗ２とが、式（Ｗ２／（
Ｗ１＋Ｗ２）＝０．４～０．８）を満足するように設定されている。

前記接合部４ｂの距離Ｗ１と前記吸着領域１０の距離Ｗ２とが、不等式（Ｗ２≧Ｗ１）
を満足するように設定されている。

マスク本体２の接合領域９の距離をＷ３としたとき、前記接合領域９の距離Ｗ３と前記
吸着領域１０の距離Ｗ２とが、不等式（Ｗ３≦Ｗ２）を満足するように設定されている。

吸着領域１０の厚みをＴ１、金属層４を含む接合領域９における厚みをＴ２としたとき
、前記吸着領域１０の厚みＴ１と前記接合領域９の厚みＴ２とが、不等式（Ｔ１＜Ｔ２）
を満足するように設定されている。

本発明に係る蒸着マスクでは、蒸着通孔１３が形成される内側のパターン形成領域８と
、上面が金属層４で覆われる外側の接合領域９とを含むように各マスク本体２を構成し、
パターン形成領域８と接合領域９との間に、通孔および／または凹みが形成されない吸着
領域１０を設けた。このようにパターン形成領域８の外側に吸着領域１０を設けると、パ
ターン形成領域８の外側周囲にマグネットチャック４９の磁気吸着力を大きく作用させて
マスク本体２を強固に吸着保持できる。また、マスク本体２を強固に吸着保持することで
、枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込むのを阻止できるので、枠体３が逃げ凹部５０側に沈
み込むことに由来する、マスク本体２の浮き上がりを解消できる。仮に枠体３が逃げ凹部
５０側に沈み込んで、金属層４近傍の吸着領域１０が浮き上がった場合でも、吸着領域１
０に作用する吸着力で、同領域１０の中途部で再びマスク本体２を基板４８に密着させて
、パターン形成領域８におけるマスク本体２と基板４８との間の隙間の形成を防止できる
。以上のように、本発明によれば、基板４８に対してマスク本体２が備えるパターン形成
領域８を適正に密着させて、基板４８上に多数独立の蒸着通孔１３からなる蒸着パターン
に対応した蒸着層を高精度に形成できる。

接合部４ｂの距離をＷ１、吸着領域１０の距離をＷ２としたとき、前記距離Ｗ１と前記
距離Ｗ２とが、式（Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）＝０．４～０．８）を満足するように設定され
ていると、パターン形成領域８の周囲に十分な磁気吸着力が得られる吸着領域１０を形成
できるので、吸着領域１０に作用する磁気吸着力で的確にマスク本体２を基板４８に密着
させることができる。

接合部４ｂの距離Ｗ１と吸着領域１０の距離Ｗ２との関係を、式（Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２
）＝０．４～０．８）を満足するように設定するのは以下の理由に拠る。前記距離Ｗ２を
前記距離Ｗ１＋Ｗ２で除した値が０．４未満であると、吸着領域１０が小さいため磁気吸
着力が吸着領域１０に十分に作用せず、パターン形成領域８が基板４８から浮き離れるお
それがある。また、前記距離Ｗ２を前記距離Ｗ１＋Ｗ２で除した値が０．８を超えると、
枠体３のサイズとマスク本体２の配置形態との関係でマスク開口５の内周面５ａからパタ
ーン形成領域８までの距離（Ｗ１＋Ｗ２）を長く形成できないとき、マスク本体２の接合
領域９が小さくなり、金属層４とマスク本体２との接合強度を十分に確保できない。

接合部４ｂの距離Ｗ１と吸着領域１０の距離Ｗ２とは、不等式（Ｗ２≧Ｗ１）を満足す
るように設定されていることが望ましい。これによれば、枠体３から蒸着通孔１３までの
距離（Ｗ１＋Ｗ２）の半分以上を吸着領域１０とすることができるので、十分な磁気吸着
力が作用する吸着領域１０を形成して、マスク本体２を強固に吸着保持できる。

接合領域９の距離Ｗ３と吸着領域１０の距離Ｗ２とが、不等式（Ｗ３≦Ｗ２）を満足す
るように設定されていると、パターン形成領域８を除くマスク本体２における吸着領域１
０が占める割合を大きくして、十分な磁気吸着力が作用する吸着領域１０を形成できる。

吸着領域１０の厚みＴ１と金属層４を含む接合領域９の厚みＴ２とが、不等式（Ｔ１＜
Ｔ２）を満足するように設定されていると、金属層４を含む接合領域９に作用する磁気吸
着力で、枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込むのを抑制してマスク本体２の浮き上がりを阻
止できる。

本発明に係る蒸着マスクの要部を示す縦断正面図である。 蒸着マスクの全体を示す斜視図である。 蒸着マスクの縦断正面図である。 蒸着マスクの要部を示す平面図である。 蒸着マスクの製造方法の前段を示す説明図である。 蒸着マスクの製造方法の中断を示す説明図である。 蒸着マスクの製造方法の後段を示す説明図である。 密着めっき層の形成領域の別実施例を示す縦断正面図である。 従来の蒸着マスクの問題点を説明するための縦断正面図である。 従来の蒸着マスクの接合部位を示す縦断正面図である。

（実施例） 図１から図７に、本発明に係る蒸着マスクを有機ＥＬディスプレイの製造に
使用される蒸着マスクに適用した実施例を示す。なお、本実施例の各図における厚みや幅
などの寸法は、実際の様子を示したものではなく、それぞれ模式的に示したものである。

図２および図３に示すように蒸着マスク１は、マトリクス状に配置される複数（本実施
例では８枚）のマスク本体２と、各マスク本体２を囲むように配置される補強用の枠体３
と、両者２・３を不離一体的に接合する金属層４とを含む。枠体３は、マスク本体２と同
数のマスク開口５を備える。各マスク開口５はマスク本体２よりも一回り大きく形成され
ており、各マスク開口５にマスク本体２が１枚ずつ配置されている。本実施例の各マスク
開口５は、長手方向の長さ寸法が１２５ｍｍであり、短手方向の長さ寸法が７１ｍｍであ
る。

図３および図４に示すように各マスク本体２は、四隅が丸められた長方形状に形成され
ており、内側のパターン形成領域８と、外側の接合領域９と、パターン形成領域８と接合
領域９との間に設けられる吸着領域１０とを備える。吸着領域１０は四角枠状に形成され
てパターン形成領域８の外側を囲んでおり、接合領域９は四角枠状に形成されて吸着領域
１０の外側を囲んでいる。パターン形成領域８には、多数独立の蒸着通孔１３からなる蒸
着パターンが形成されており、接合領域９には、マスク本体２の各辺に沿って二列に並ぶ
多数個の接合通孔１４が形成されている。吸着領域１０は、通孔や凹み等が形成されてい
ない、板厚が均一な領域である。本実施例の各マスク本体２は、長手方向の長さ寸法が１
２２ｍｍであり、短手方向の長さ寸法が６８ｍｍである。また、接合領域９は各辺部の幅
寸法（後述する距離Ｗ３）が０．６５ｍｍであり、吸着領域１０は各辺部の幅寸法（後述
する距離Ｗ２）が１．７ｍｍである。なお、マスク本体２の長手および短手方向の長さ寸
法は、製造される有機ＥＬディスプレイのサイズに対応する。マスク本体２の寸法および
先のマスク開口５の寸法は、有機ＥＬディスプレイを製造する場合の参考値であり、有機
ＥＬディスプレイは、スマートフォン、スマートウォッチ、ヘッドアップディスプレイ、
ヘッドマウントディスプレイなどに用いることができる。

このマスク本体２は、ニッケルからなる電着金属を素材として電鋳法で形成される。各
マスク本体２の厚みは、好ましくは８～１００μｍの範囲とし、本実施例では１０μｍに
設定した。なおマスク本体２は、ニッケル以外にニッケルコバルト等のニッケル合金、銅
、その他の電着金属を素材として形成することができる。さらにマスク本体２は、二層以
上の積層構造であってもよく、具体的には例えば、光沢めっき層からなる上層と、無光沢
めっき層からなる下層とを有するマスク本体２を形成し、各層の厚み比率を例えば上層：
下層＝５：７に設定することができる。マスク本体２が二層以上の積層構造において、光
沢めっき層と無光沢めっき層の順番や各層の厚み比率は自由に設定できる。

金属層４はマスク本体２と枠体３を接合しており、ニッケルからなる電着金属を素材と
して電鋳法で形成される。具体的には、金属層４は、枠体３の上面部を覆う被覆部４ａと
、被覆部４ａに連続してマスク開口５の内周面５ａから開口中心に向かって延出される結
合部４ｂを備えている。マスク本体２の接合領域９の上面は結合部４ｂの延出先端４ｃ側
で覆われており、当該部分でマスク本体２と枠体３は接合されている。なお、金属層４は
、被覆部４ａが省略された形態であってもよく、この場合には、枠体３の上面が蒸着マス
ク１の外面に露出する。

図２に示すように枠体３は、矩形枠状の外周枠１７と、外周枠１７内にマスク開口５を
区画する格子枠１８とを備える。図３に拡大して示すように、枠体３は積層構造となって
おり、同一形状の上枠１９と下枠２０を接着層２１で貼り合わせて構成される。上枠１９
と下枠２０は、ニッケル－鉄合金であるインバー材からなる低熱線膨張係数の金属板材で
形成されている。本実施例の上枠１９と下枠２０の厚み寸法はそれぞれ０．５ｍｍ（枠体
３の厚み寸法は１．０ｍｍ）であり、枠体３はマスク本体２よりも十分に肉厚に形成した
。また、外周枠１７は各辺部の幅寸法が２０ｍｍであり、格子枠１８は各枠部の幅寸法が
１０ｍｍである。なお、各枠１７・１８の寸法は、マスク本体２の配置個数、基板４８の
サイズ等により適宜変化する。

上記の上枠１９と下枠２０は、上記のインバー材以外に、ニッケル－鉄－コバルト合金
であるスーパーインバー材などで形成してもよく、上枠１９と下枠２０の厚み寸法は異な
っていてもよい。また枠体３は、上枠１９と下枠２０の二層構造以外に、三層以上の積層
構造や単層構造であってもよく、上枠１９と下枠２０を備える枠体３を２つ重ねて貼り合
わせた四層構造を採用してもよい。接着層２１としては、シート状の未硬化感光性ドライ
フィルムレジストや、市販されている種々の接着剤などを用いることができる。

本実施例に係る蒸着マスク１の製造方法の一例を図５から図７に示す。まず図５（ａ）
に示すように、導電性を有する例えばステンレスや真ちゅう製の電鋳母型２４の表面に、
ネガタイプのフォトレジスト層２５を形成する。次いで、フォトレジスト層２５の上に、
ガラスマスクからなるパターンフィルム２６を密着させ、パターンニング前段体２７を得
る。パターンフィルム２６には、マスク本体２の蒸着通孔１３に対応する透光孔２６ａと
、同本体２の接合通孔１４に対応する透光孔２６ｂとが形成されている。さらにパターン
フィルム２６には、マスク本体２の外周に対応する透光枠２６ｃが形成されている。

次いで、紫外線ランプ２８を備える紫外線照射装置の炉内を、露光作業時の炉内温度に
予熱する。予熱が完了したら、得られたパターンニング前段体２７を紫外線照射装置の炉
内に収容し、パターンニング前段体２７を炉内温度に馴染ませたのち、紫外線ランプ２８
で紫外線光を照射することにより、パターンフィルム２６を介してフォトレジスト層２５
を露光する。露光後のパターンニング前段体２７を取り出し、フォトレジスト層２５から
パターンフィルム２６を取り外し、フォトレジスト層２５の未露光部分を溶解除去（現像
）することにより、図５（ｂ）に示すように、電鋳母型２４上に一次パターンレジスト２
９を形成する。一次パターンレジスト２９は、パターンフィルム２６の各透光孔２６ａ、
２６ｂおよび透光枠２６ｃに対応するレジスト体２９ａ～２９ｃで構成される。

次いで、図５（ｃ）に示すように、レジスト体２９ａ～２９ｃで覆われていない電鋳母
型２４の表面に電鋳処理を施すことにより、レジスト体２９ａ～２９ｃの高さの範囲内で
一次電鋳層３０を形成する。一次電鋳層３０は、蒸着マスク１の完成品を構成する複数の
マスク本体２と、その完成前に除去される枠体支持部３１とで構成される。一次電鋳層３
０の形成後、図５（ｄ）に示すように、一次パターンレジスト２９を溶解除去する。これ
により、マスク本体２の蒸着通孔１３および接合通孔１４が現れる。

次工程では、マスク本体２に対する金属層４の接合強度（密着性）を高めるための密着
めっき層３４（図３参照）を形成する。本実施例のマスク本体２においては、接合領域９
の上面および外周面と、接合通孔１４の内周面とに密着めっき層３４を形成する。なお密
着めっき層３４は、ニッケルや銅などを素材として、ストライクめっきや無光沢めっきに
より、一次電鋳層３０よりも十分に薄く形成される。

密着めっき層３４の形成手順としては、まず図６（ａ）に示すように、一次電鋳層３０
の表面全体にネガタイプのフォトレジスト層３５を形成し、その上にパターンフィルム３
６を密着させる。このパターンフィルム３６は、マスク本体２の接合領域９に対応する矩
形枠状の非透光部３６ａと、その他の部分を占める透光部３６ｂとを備える。次いで、紫
外線ランプ２８で紫外線光を照射して、パターンフィルム３６を介してフォトレジスト層
３５を露光する。露光後、フォトレジスト層３５からパターンフィルム３６を取り外し、
フォトレジスト層３５の未露光部分を溶解除去（現像）することにより、図６（ｂ）に示
すパターンレジスト３７を形成する。このパターンレジスト３７は、マスク本体２の接合
領域９を露出させる開口３７ａを有する。つまりパターンレジスト３７は、密着めっき層
３４の形成領域を除く一次電鋳層３０の表面全体を覆う。

次いで、開口３７ａに臨む一次電鋳層３０の表面にめっき処理（密着処理）を施すこと
により、図６（ｃ）に拡大して示す密着めっき層３４を形成することができる。なお密着
めっき層３４は、開口３７ａに臨む電鋳母型２４の表面にも不可避的に形成されるが、電
鋳母型２４上の密着めっき層３４は、後にマスク本体２を電鋳母型２４から剥離する際の
妨げになるため、その面積をなるべく小さくすることが好ましい。密着めっき層３４の形
成後にパターンレジスト３７を溶解除去すると、図６（ｃ）に示す状態になる。なお、接
合領域９と接合通孔１４に密着めっき層３４を形成するのに代えて、酸浸漬や電解処理等
の活性化処理（密着処理）を施してもよい。これによってもマスク本体２に対する金属層
４の接合強度（密着性）を高めることができる。

次工程では、一次電鋳層３０のマスク本体２に対して、枠体３を金属層４で接合する。
具体的にはまず、図７（ａ）に示すように、密着めっき層３４を形成した一次電鋳層３０
の表面全体にネガタイプのフォトレジスト層４０を形成し、その上にパターンフィルム４
１を密着させる。このパターンフィルム４１は、マスク本体２のパターン形成領域８およ
び吸着領域１０に対応する角を丸めた長方形状の透光孔４１ａを備える。

次いで、紫外線ランプ２８で紫外線光を照射して、パターンフィルム４１を介してフォ
トレジスト層４０を露光する。露光後、フォトレジスト層４０からパターンフィルム４１
を取り外し、フォトレジスト層４０の未露光部分を溶解除去（現像）することにより、図
７（ｂ）に示す二次パターンレジスト４２を形成する。二次パターンレジスト４２は、マ
スク本体２のパターン形成領域８および吸着領域１０の表面を覆う。パターン形成領域８
の蒸着通孔１３は二次パターンレジスト４２で覆われるため、その後の電鋳処理の際に、
同通孔１３に電鋳液が浸入することは無い。

次いで、図７（ｃ）に示すように、一次電鋳層３０の枠体支持部３１の上面の所定の位
置に枠体３を載置する。平面視において枠体支持部３１は枠体３よりもひとまわり大きく
形成されている。枠体支持部３１で支持される枠体３の下面には、剥離層４４を介して接
着層４５が予め積層されており、この接着層４５によって枠体３は枠体支持部３１に対し
てズレ動き不能に固定される。本実施例では剥離層４４をニッケルで形成し、接着層４５
を未露光のフォトレジスト層で形成した。

次いで、図７（ｄ）に示すようにめっき処理を施して、枠体３の表面からマスク本体２
にわたって連続する二次電鋳層すなわち金属層４を形成する。一次電鋳層３０の表面にお
ける金属層４は、二次パターンレジスト４２の高さの範囲内で形成する。またこのとき、
接合通孔１４内に金属層４を形成することにより、接合通孔１４の内周面に密着めっき層
３４を形成していることと相俟って、マスク本体２に対する金属層４の接合強度がより向
上する。電鋳処理後、電鋳母型２４から一次電鋳層３０および金属層４を剥離する。次い
で一次電鋳層３０の枠体支持部３１を接着層４５および剥離層４４と共に、枠体３および
金属層４から剥離することにより、後述する逃げ凹部５０が形成される。最後に二次パタ
ーンレジスト４２を除去することにより、図７（ｅ）に示す蒸着マスク１の完成品を得る
ことができる。なお、二次パターンレジスト４２の除去は、一次電鋳層３０および金属層
４の剥離前に行っても良いし、枠体支持部３１、接着層４５および剥離層４４の剥離前に
行っても良い。

電鋳母型２４から剥離した完成後の蒸着マスク１において、各マスク本体２には内方へ
収縮しようとする応力が作用する。これは、マスク本体２を含む一次電鋳層３０を形成す
る際の電鋳槽の液温（例えば４０～５０℃）が、常温よりも高いことなどに起因するもの
である。各マスク本体２が収縮しようとすることにより、枠体３には金属層４を介して引
張応力が作用する。

基板（蒸着対象）４８上への蒸着層（発光層）の形成は、蒸着装置内において、蒸着マ
スク１と基板４８とを密着固定した状態で行われる。具体的には、図１に示すように、基
板４８を消磁されているマグネットチャック４９上に位置合わせして載置し、次いで蒸着
マスク１を基板４８上に位置合わせして載置する。この状態でマグネットチャック４９を
着磁することにより、マグネットチャック４９上において、蒸着マスク１と基板４８とが
上下に積層され、マスク本体２が基板４８の表面に密着した状態で、移動不能に固定され
る。両者１・４８を固定したとき、マスク本体２以外の蒸着マスク１の下面が基板４８と
接触するのを極力避けるために枠体３および枠体３寄りの金属層４の下側に、逃げ凹部５
０が上向きに凹み形成されている。この逃げ凹部５０は、マスク本体２以外が接触するこ
とによる基板４８表面の傷付きを抑制するために設けられている。

マグネットチャック４９を着磁すると、マスク本体２よりも厚みが大きな枠体３にはよ
り大きな磁気吸着力が作用する。そのため、枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込もうとする
が、先に説明したように、本実施例のマスク本体２にはパターン形成領域８の外側に吸着
領域１０が設けられているので、パターン形成領域８の外側周囲にマグネットチャック４
９の磁気吸着力を大きく作用させてマスク本体２をマグネットチャック４９に引き寄せ強
固に吸着保持できる。また、マスク本体２を強固に吸着保持することで、枠体３が逃げ凹
部５０側に沈み込むのを阻止できるので、枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込むことに由来
する、マスク本体２の浮き上がりを解消できる。仮に枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込ん
で、金属層４近傍の吸着領域１０が浮き上がった場合でも、吸着領域１０に作用する磁気
吸着力で、同領域１０の中途部で再びマスク本体２を基板４８に密着させて、パターン形
成領域８におけるマスク本体２と基板４８との間の隙間の形成を防止できる。以上のよう
に、本実施例によれば、基板４８に対してマスク本体２が備えるパターン形成領域８を適
正に密着させて、基板４８上に多数独立の蒸着通孔１３からなる蒸着パターンに対応した
蒸着層を高精度に形成できる。

金属層４が備える接合部４ｂ、すなわちマスク開口５の内周面５ａから金属層４の延出
先端４ｃまでの距離をＷ１、吸着領域１０、すなわち金属層４の延出先端４ｃからパター
ン形成領域８までの距離をＷ２としたとき、接合部４ｂの距離Ｗ１と吸着領域１０の距離
Ｗ２とが、式（Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）＝０．４～０．８）を満足するように設定されてい
る。このように前記距離Ｗ１と前記距離Ｗ２とが、式（Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）＝０．４～
０．８）を満足するように設定されていると、パターン形成領域８の周囲に十分な磁気吸
着力が得られる吸着領域１０を形成できるので、吸着領域１０に作用するマグネットチャ
ック４９の磁気吸着力で的確にマスク本体２を基板４８に密着させることができる。

上記のように、接合部４ｂの距離Ｗ１と吸着領域１０の距離Ｗ２との関係を、式（Ｗ２
／（Ｗ１＋Ｗ２）＝０．４～０．８）を満足するように設定するのは以下の理由に拠る。
前記距離Ｗ２を前記距離Ｗ１＋Ｗ２で除した値が０．４未満であると、吸着領域１０が小
さいためマグネットチャック４９の磁気吸着力が吸着領域１０に十分に作用せず、パター
ン形成領域８が基板４８から浮き離れるおそれがある。また、前記距離Ｗ２を前記距離Ｗ
１＋Ｗ２で除した値が０．８を超えると、枠体３のサイズとマスク本体２の配置個数の関
係で前記距離Ｗ１を長く形成できないとき、マスク本体２の接合領域９が小さくなり、金
属層４とマスク本体２との接合強度を十分に確保できない。

接合部４ｂの距離Ｗ１と吸着領域１０の距離Ｗ２とは、不等式（Ｗ２≧Ｗ１）を満足す
るように設定されていることが望ましい。これによれば、枠体３から蒸着通孔１３までの
距離（Ｗ１＋Ｗ２）の半分以上を吸着領域１０とすることができるので、十分な磁気吸着
力が作用する吸着領域１０を形成して、マグネットチャック４９の磁気吸着力でマスク本
体２を確実に基板４８に吸着保持して密着させることができる。なお、接合部４ｂの距離
Ｗ１が１．０ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下に設定されているとき、吸着領域１０の距離Ｗ２
が１．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であることが好ましい。本実施例では、前記距離Ｗ１
は１．２ｍｍであり、前記距離Ｗ２は１．７ｍｍである。

マスク開口５の内周面５ａからパターン形成領域８までの距離（Ｗ１＋Ｗ２）は、２．
５ｍｍ以上、１０．０ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。これは以下の理由に拠
る。前記（Ｗ１＋Ｗ２）の距離が２．５ｍｍ未満であると、マスク本体２の接合領域９が
小さくなり、金属層４とマスク本体２との接合強度を十分に確保できず、さらに、吸着領
域１０が小さいためマグネットチャック４９の磁気吸着力が吸着領域１０に十分に作用せ
ず、マスク本体２が基板４８から浮き離れるおそれがある。また、前記（Ｗ１＋Ｗ２）の
距離が１０．０ｍｍを超えると、蒸着マスク１が大型化して基板４８の歩留まりが悪化す
る。一方、歩留まりが良好な基板４８を得ようとすると、枠体３の外周枠１７および格子
枠１８の幅寸法を小さくせざるを得ないため、枠体３の構造強度が低下し、蒸着マスク１
の破損を招く。

マスク本体２の接合領域９の距離をＷ３としたとき（図１参照）、先に説明したように
、接合領域９の距離Ｗ３と吸着領域１０の距離Ｗ２とが、不等式（Ｗ３≦Ｗ２）を満足す
るように設定されていると、パターン形成領域８を除くマスク本体２における吸着領域１
０が占める割合を大きくして、十分な磁気吸着力が作用する吸着領域１０を形成できる。

また、吸着領域１０の厚みをＴ１、金属層４を含む接合領域９における厚みをＴ２とし
たとき（図３参照）、前記吸着領域１０の厚みＴ１と前記接合領域９の厚みＴ２とが、不
等式（Ｔ１＜Ｔ２）を満足するように設定されていると、金属層４を含む接合領域９に作
用する磁気吸着力で、枠体３が逃げ凹部５０側に沈み込むのを抑制してマスク本体２の浮
き上がりを阻止できる。

本実施例の吸着領域１０の面積は、蒸着通孔１３を除くパターン形成領域８の面積より
も大きく形成することができる。このように、各領域８・１０の面積が前記関係を満たす
とき、吸着領域１０により大きな磁気吸着力を作用させることができるので、パターン形
成領域８が浮き上がるのを確実に解消できる。

図８に密着めっき層３４の形成領域の別実施例を示す。この実施例の密着めっき層３４
は、上記実施例の密着めっき層３４に比べてマスク本体２の周側面部および上面周縁部が
省略されている。なお、密着めっき層３４は、接合通孔１４部分および接合通孔１４に連
続するマスク本体２の上面部分に形成されていればよい。

蒸着マスク１が有するマスク本体２の枚数や配置態様は、上記実施例に示したものに限
られない。また、マスク本体２は複数である必要はなく１個であってもよい。各部の寸法
等も上記実施例に示したものに限られない。上記実施例では、磁気吸着で蒸着マスク１と
基板４８とを密着固定したが、静電吸着、あるいは真空（負圧）吸着で両者１・４８を密
着固定することもできる。この場合にも、マスク本体２に設けた吸着領域１０に作用する
静電吸着力、あるいは真空吸着力で、マスク本体２の浮き上がりを解消できる。また、厚
み寸法が大きい枠体３の場合、上記密着固定手段を用いずとも、枠体３の自重により、枠
体３が逃げ凹部５０側に沈み込み、マスク本体２が浮き上がるおそれがあるが、金属層４
の延出先端４ｃからパターン形成領域８までの距離Ｗ２（吸着領域１０）を確保すること
で、距離Ｗ２（吸着領域１０）の中途部で再びマスク本体２を基板４８に密着させること
ができ、パターン形成領域８におけるマスク本体２と基板４８との間の隙間の形成を防止
できる。

本発明の蒸着マスク１は、有機ＥＬディスプレイの製造に使用されるものに限られない
。また、蒸着マスク１のマスク構造は、スクリーン印刷用マスク、はんだボール搭載用マ
スク、はんだボール吸着用マスクとして転用することも可能である。スクリーン印刷用マ
スクの場合には、パターン形成領域８に印刷パターンに合致する一群のパターン開口が形
成され、はんだボール搭載用マスクの場合には、パターン形成領域８にはんだボールより
僅かに大径の一群の搭載孔が形成され、はんだボール吸着用マスクの場合には、パターン
形成領域８にはんだボールより僅かに小径の一群の搭載孔が形成される。

マスク本体２の浮き上がりを抑制できる参考例としては、枠体３の下面側に逃げ凹部５
０がない構成、あるいは逃げ凹部５０内に支持体を形成する構成とすることも考えられる
。前者の形成方法の具体例としては、枠体３の下面に形成された接着層４５および剥離層
４４と、枠体３が載置される枠体支持部３１とを、枠体３および金属層４から除去せずに
残存させたままの状態が考えられる。但し、接着層４５は蒸着（昇温）による変質によっ
て発光層の形成に悪影響をもたらすおそれがある。後者の具体例として、逃げ凹部５０内
に支持体（金属体）を形成し、該支持体の下面とマスク本体２の下面とが一致するように
形成する。かかる支持体の形成方法としては、図７（ｅ）に示すように、枠体支持部３１
、接着層４５および剥離層４４を除去したあとに、別途凹部５０内に支持体（金属体）を
形成することが考えられる。

１ 蒸着マスク
２ マスク本体
４ 金属層
４ｂ 接合部
４ｃ 延出先端
５ マスク開口
５ａ 内周面
８ パターン形成領域
９ 接合領域
１０ 吸着領域
１３ 蒸着通孔
５０ 逃げ凹部
Ｗ１ 金属層の接合部の距離
Ｗ２ マスク本体の吸着領域の距離
Ｗ３ マスク本体の接合領域の距離

Claims (2)

1. 多数独立の蒸着通孔（１３）からなる蒸着パターンを備えるマスク本体（２）と、マスク本体（２）が配置されるマスク開口（５）を有する補強用の枠体（３）と、マスク開口（５）の内周面（５ａ）から開口中心に向かって延出されてマスク本体（２）と枠体（３）とを不離一体的に接合する金属層（４）とを備え、少なくとも枠体（３）が配置される下面に凹み形成される逃げ凹部（５０）を有する蒸着マスクであって、
   マスク本体（２）は、蒸着通孔（１３）が形成される内側のパターン形成領域（８）と、上面が金属層（４）で覆われる外側の接合領域（９）とを含み、
   パターン形成領域（８）と接合領域（９）との間に、通孔および／または凹みが形成されない吸着領域（１０）が設けられ、
   吸着領域（１０）の面積は、蒸着通孔（１３）を除くパターン形成領域（８）の面積よりも大きく形成されており、
   吸着領域（１０）の厚みを（Ｔ１）、金属層（４）を含む接合領域（９）における厚みを（Ｔ２）としたとき、前記吸着領域（１０）の厚み（Ｔ１）と前記接合領域（９）の厚み（Ｔ２）とが、不等式（Ｔ１＜Ｔ２）を満足するように設定されていることを特徴とする蒸着マスク。
2. 多数独立の蒸着通孔（１３）からなる蒸着パターンを備えるマスク本体（２）と、マスク本体（２）が配置されるマスク開口（５）を有する補強用の枠体（３）と、マスク開口（５）の内周面（５ａ）から開口中心に向かって延出されてマスク本体（２）と枠体（３）とを不離一体的に接合する金属層（４）とを備え、少なくとも枠体（３）が配置される下面に凹み形成される逃げ凹部（５０）を有する蒸着マスクであって、
   マスク本体（２）は、蒸着通孔（１３）が形成される内側のパターン形成領域（８）と、上面が金属層（４）で覆われる外側の接合領域（９）とを含み、
   パターン形成領域（８）と接合領域（９）との間に、通孔および／または凹みが形成されない吸着領域（１０）が設けられ、
   吸着領域（１０）の面積は、蒸着通孔（１３）を除くパターン形成領域（８）の面積よりも大きく形成されていることを特徴とする蒸着マスク。