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JP7336956B2 - 基板処理システム、及び基板処理方法 - Google Patents

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JP7336956B2 JP2019187086A JP2019187086A JP7336956B2 JP 7336956 B2 JP7336956 B2 JP 7336956B2 JP 2019187086 A JP2019187086 A JP 2019187086A JP 2019187086 A JP2019187086 A JP 2019187086A JP 7336956 B2 JP7336956 B2 JP 7336956B2
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Description

本開示は、基板処理システム、及び基板処理方法に関する。
特許文献１に記載の乾燥装置は、バッファ槽と、移送部と、回転乾燥部とを備える。バッファ槽は、水洗処理された半導体ウェハを水中に保持する。半導体ウェハは、複数枚が１つの保持台に載せられた状態で水洗処理され、保持台に載せられたままの状態でバッファ槽の水中に保持される。移送部は、バッファ槽から半導体ウェハを１枚ずつ取り上げて移送する。回転乾燥部は、移送部で移送された１枚の半導体ウェハを、主面が水平になるように支持し、高速回転させ、水を除去する。
特開平９－１６２１５７号公報
本開示の一態様は、基板処理システムを小型化できる、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理システムは、
複数枚の基板を収容したカセットが搬入出される搬入出部と、複数枚の前記基板を含むロットを、一括で処理するバッチ処理部と、前記ロットの前記基板を１枚ずつ処理する枚葉処理部と、前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインターフェース部とを有し、
前記搬入出部と、前記枚葉処理部と、前記インターフェース部と、前記バッチ処理部とがこの順番で並び、
前記インターフェース部は、前記ロットを形成するロット形成部と、前記枚葉処理部から前記ロット形成部に前記基板を搬送し、且つ、前記バッチ処理部から前記枚葉処理部に前記基板を搬送する搬送部とを含み、
前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬される処理液又は霧状の処理液を貯留する処理槽を有し、
前記搬送部は、前記処理液中で保持される前記基板を、前記バッチ処理部の前記処理槽から前記枚葉処理部に搬送する。
本開示の一態様によれば、基板処理システムを小型化できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図３は、図１のロット形成部の一例を示す平面図である。 図４Ａは、図３のロット形成部の動作の一例を示す側面図である。 図４Ｂは、図４Ａに続き、ロット形成部の動作の一例を示す側面図である。 図４Ｃは、図４Ｂに続き、ロット形成部の動作の一例を示す側面図である。 図５は、図１のロット解除部の一例を示す平面図である。 図６Ａは、図５のロット解除部の動作の一例を示す断面図である。 図６Ｂは、図６Ａに続き、ロット解除部の動作の一例を示す断面図である。 図６Ｃは、図６Ｂに続き、ロット解除部の動作の一例を示す断面図である。 図７は、図１のインターフェース部の搬送部の一例を示す側面図である。 図８は、搬送部の別の一例を示す側面図である。 図９は、図１の乾燥装置の一例を示す斜視図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出部２と、枚葉処理部３と、インターフェース部５と、バッチ処理部６と、制御部９とを有する。搬入出部２は、カセットＣを載置する載置台２１を有する。カセットＣは、複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収容し、搬入出部２に対して搬入出される。カセットＣの内部にて、基板Ｗは水平に保持され、鉛直方向に第１ピッチＰ１のＮ倍である第２ピッチＰ２（Ｐ２＝Ｎ×Ｐ１）で保持される。Ｎは、２以上の自然数であり、本実施形態では２であるが、３以上であってもよい。枚葉処理部３は、基板Ｗを１枚ずつ処理する。インターフェース部５は、枚葉処理部３とバッチ処理部６との間で基板Ｗを受け渡す。バッチ処理部６は、複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを第１ピッチＰ１で含むロットＬを、一括で処理する。１つのロットＬは、例えばＮ個のカセットＣの基板Ｗで構成される。
搬入出部２と、枚葉処理部３と、インターフェース部５と、バッチ処理部６とは、この順番で、Ｘ軸方向負側からＸ軸方向正側に向けて並ぶ。基板Ｗは、搬入出部２から図１に示す矢印Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４及びＡ５の順番で搬送され、搬入出部２に戻る。搬入出部２は搬入部と搬出部とを兼ねるので、基板処理システム１を小型化できる。
搬入出部２は載置台２１を有し、載置台２１は複数の載置板２２を有する。複数の載置板２２には、複数のカセットＣが載置される。なお、載置板２２の数は特に限定されない。同様に、カセットＣの数も特に限定されない。
搬入出部２は第１搬送領域２３を有し、第１搬送領域２３は載置台２１に隣接しており載置台２１のＸ軸方向正側に配置される。第１搬送領域２３には、第１搬送装置２４が設けられる。第１搬送装置２４は第１搬送アームを有し、第１搬送アームは水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向に移動し、鉛直軸周りに回転する。第１搬送アームは、カセットＣと、後述の受渡部２５との間で、基板Ｗを搬送する。第１搬送アームの数は１つでも複数でもよく、後者の場合、第１搬送装置２４は複数枚（例えば５枚）の基板Ｗを一括で搬送する。
搬入出部２は受渡部２５を有し、受渡部２５は第１搬送領域２３に隣接しており、第１搬送領域２３のＸ軸方向正側に配置される。受渡部２５は、基板Ｗを一時的に保管する第１トランジション装置２６を有する。第１トランジション装置２６の数は複数であってよく、複数の第１トランジション装置２６が鉛直方向に積み重ねられてもよい。第１トランジション装置２６は、第１搬送装置２４から基板Ｗを受け取り、後述の第２搬送装置３２に渡すまで、一時的に保管する。また、第１トランジション装置２６は、第２搬送装置３２から基板Ｗを受け取り、第１搬送装置２４に渡すまで、一時的に保管する。
枚葉処理部３は第２搬送領域３１を有し、第２搬送領域３１は受渡部２５に隣接しており受渡部２５のＸ軸方向正側に配置される。第２搬送領域３１には、第２搬送装置３２が設けられる。第２搬送装置３２は第２搬送アームを有し、第２搬送アームは水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向に移動し、鉛直軸周りに回転する。第２搬送アームは、第２搬送領域３１に隣接する装置同士の間で基板を搬送する。第２搬送アームの数は１つでも複数でもよく、後者の場合、第２搬送装置３２は複数枚（例えば５枚）の基板Ｗを一括で搬送する。
枚葉処理部３は、第２搬送領域３１の隣に、例えば、第２トランジション装置３３と、液処理装置３４と、乾燥装置３５とを有する。第２トランジション装置３３は第２搬送領域３１に隣接しており第２搬送領域３１のＸ軸方向正側に配置される。第２トランジション装置３３は、第２搬送装置３２から基板Ｗを受け取り、インターフェース部５に渡すまで、一時的に保管する。液処理装置３４は、枚葉式であって、基板Ｗを１枚ずつ処理液で処理する。処理液は、複数であってもよく、例えば、ＤＩＷなどの純水と、純水よりも表面張力の低い乾燥液とであってよい。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などのアルコールであってよい。乾燥装置３５は、枚葉式であって、基板Ｗを１枚ずつ超臨界流体で乾燥する。なお、液処理装置３４と乾燥装置３５の両方が枚葉式ではなくてもよく、液処理装置３４が枚葉式であって乾燥装置３５がバッチ式であってもよい。乾燥装置３５は、複数枚の基板Ｗを一括で超臨界流体で乾燥してもよい。乾燥装置３５で一括で処理される基板Ｗの枚数は、バッチ処理部６で一括で処理される基板Ｗの枚数以上であってもよいが、少なくてもよい。
なお、液処理装置３４及び乾燥装置３５の配置及び数は図１のものに限定されない。例えば、液処理装置３４は第２搬送領域３１のＹ軸方向両側に配置されてもよい。また、液処理装置３４はＺ軸方向に積み重ねられてもよい。乾燥装置３５の配置も、液処理装置３４の配置と同様である。また、液処理装置３４及び乾燥装置３５以外の装置が第２搬送領域３１の隣に配置されてもよい。
インターフェース部５は、例えばロット形成部５１と、搬送部５２とを有する。ロット形成部５１は、複数枚の基板Ｗを第１ピッチＰ１で保持し、ロットＬを形成する。搬送部５２は、枚葉処理部３からロット形成部５１に基板Ｗを搬送し、且つ、バッチ処理部６から枚葉処理部３に基板Ｗを搬送する。
搬送部５２は、図７に示すように第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４とを含む。第１搬送ロボット５３は、枚葉処理部３からロット形成部５１に基板Ｗを搬送する。第２搬送ロボット５４は、バッチ処理部６から枚葉処理部３に基板Ｗを搬送する。なお、搬送部５２は、図８に示すように第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４を兼ねる１つの搬送ロボット４１を含んでもよい。
第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４とが別々に設けられるので、枚葉処理部３からバッチ処理部６に向う基板Ｗの流れＡ１と、バッチ処理部６から枚葉処理部３に向う基板Ｗの流れＡ３とを別々に制御できる。それゆえ、インターフェース部５にて基板Ｗの流れが停滞するのを抑制でき、スループットを向上できる。
バッチ処理部６は第３搬送領域６１を有し、第３搬送領域６１はインターフェース部５に隣接しておりインターフェース部５のＸ軸方向正側に配置される。第３搬送領域６１には、第３搬送装置６２が設けられる。第３搬送装置６２は第３搬送アームを有し、第３搬送アームは水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向に移動し、鉛直軸周りに回転する。なお、第３搬送アームは、鉛直軸周りに回転しなくてもよい。第３搬送アームは、第３搬送領域６１に隣接する装置同士の間で基板Ｗを搬送する。第３搬送アームは、ロットＬを一括で搬送する。
第３搬送領域６１は平面視長方形であり、その長手方向はＸ軸方向である。第３搬送領域６１の短辺の隣にロット形成部５１が配置され、第３搬送領域６１の長辺の隣に処理槽（例えば第３リンス液槽６８）が配置され、ロット形成部５１と処理槽の両方の隣に搬送部５２が配置される。搬送部５２がロット形成部５１と処理槽の両方にアクセスしやすいので、第１搬送ロボット５３及び第２搬送ロボット５４として、手先の可動範囲の狭いものを使用できる。
ところで、ロット形成部５１は第３搬送領域６１の短辺の隣に配置され、処理槽は第３搬送領域６１の長辺の隣に配置されるので、ロット形成部５１と処理槽とで、基板Ｗの配列方向が異なる。そこで、第３搬送装置６２が鉛直軸周りに回転する。第３搬送装置６２の回転によって、基板Ｗの配列方向をＸ軸方向とＹ軸方向との間で変更できる。なお、基板の配列方向の変更が不要である場合、第３搬送装置６２は鉛直軸周りに回転しなくてもよい。
バッチ処理部６は、第３搬送領域６１の隣に、例えば、第１薬液槽６３と、第１リンス液槽６４と、第２薬液槽６５と、第２リンス液槽６６と、第３薬液槽６７と、第３リンス液槽６８とを有する。これらの処理槽は、第３搬送領域６１の長辺に沿って並ぶ。具体的には、Ｘ軸方向正側からＸ軸方向負側に向けて、第１薬液槽６３と、第１リンス液槽６４と、第２薬液槽６５と、第２リンス液槽６６と、第３薬液槽６７と、第３リンス液槽６８とがこの順で並ぶ。
なお、第３搬送領域６１の隣に配置される処理槽の数は図１のものに限定されない。例えば、第２薬液槽６５及び第２リンス液槽６６は、図１では１組であるが、複数組であってもよい。
第１薬液槽６３は、ロットＬが浸漬される第１薬液を貯留する。第１薬液は、特に限定されないが、例えば、ＤＨＦ（希フッ酸）である。ＤＨＦは、自然酸化膜を除去する。ＤＨＦの代わりに、ＢＨＦ（フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）が用いられてもよい。第１リンス液槽６４は、ロットＬが浸漬される第１リンス液を貯留する。第１リンス液は、基板Ｗから第１薬液を除去する純水であって、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。
バッチ処理部６は、第３搬送装置６２からロットＬを受け取り、保持する第１処理具７１を有する。第１処理具７１は、複数枚の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持し、複数枚の基板Ｗのそれぞれを鉛直に保持する。また、バッチ処理部６は、第１処理具７１をＸ軸方向及びＺ軸方向に移動させる第１駆動装置７２を有する。第１処理具７１は、第１薬液中でロットＬを保持し、次いで、第１リンス液中でロットＬを保持し、その後、ロットＬを第３搬送装置６２に渡す。
なお、第１処理具７１と第１駆動装置７２のユニットの数は、本実施形態では１つであるが、複数でもよい。後者の場合、１つのユニットが第１薬液にロットＬを浸漬し、別のユニットが第１リンス液にロットＬを浸漬する。この場合、第１駆動装置７２は、第１処理具７１をＺ軸方向に移動させればよく、第１処理具７１をＸ軸方向に移動させなくてもよい。
第２薬液槽６５は、ロットＬが浸漬される第２薬液を貯留する。第２薬液は、特に限定されないが、例えば、リン酸水溶液である。リン酸水溶液は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングし、除去する。第２リンス液槽６６は、ロットＬが浸漬される第２リンス液を貯留する。第２リンス液は、基板Ｗから第２薬液を除去する純水であって、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。
バッチ処理部６は、第３搬送装置６２からロットＬを受け取り、保持する第２処理具７３を有する。第２処理具７３は、第１処理具７１と同様に、複数枚の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持し、複数枚の基板Ｗのそれぞれを鉛直に保持する。また、バッチ処理部６は、第２処理具７３をＺ軸方向に移動させる第２駆動装置７４を有する。第２処理具７３は、第２薬液中でロットＬを保持し、その後、ロットＬを第３搬送装置６２に渡す。
同様に、バッチ処理部６は、第３搬送装置６２からロットＬを受け取り、保持する第３処理具７５を有する。第３処理具７５は、第１処理具７１と同様に、複数枚の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持し、複数枚の基板Ｗのそれぞれを鉛直に保持する。また、バッチ処理部６は、第３処理具７５をＺ軸方向に移動させる第３駆動装置７６を有する。第３処理具７５は、第２リンス液中でロットＬを保持し、その後、ロットＬを第３搬送装置６２に渡す。
第３薬液槽６７は、ロットＬが浸漬される第３薬液を貯留する。第３薬液は、特に限定されないが、例えば、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水の混合液）である。ＳＣ１は、有機物及びパーティクルを除去する。第３リンス液槽６８は、ロットＬが浸漬される第３リンス液を貯留する。第３リンス液は、基板Ｗから第３薬液を除去する純水であって、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。
バッチ処理部６は、第３搬送装置６２からロットＬを受け取り、保持する第１保持具８１１を有する。第１保持具８１１は、複数枚の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持し、複数枚の基板Ｗのそれぞれを鉛直に保持する。また、バッチ処理部６は、第１保持具８１１をＸ軸方向及びＺ軸方向に移動させる駆動装置８１８を有する。第１保持具８１１は、第３薬液中でロットＬを保持し、次いで、第３リンス液中でロットＬを保持する。
なお、第１保持具８１１と駆動装置８１８のユニットの数は、本実施形態では１つであるが、複数でもよい。後者の場合、１つのユニットが第３薬液にロットＬを浸漬し、別のユニットが第３リンス液にロットＬを浸漬する。この場合、駆動装置８１８は、第１保持具８１１をＺ軸方向に移動させればよく、第１保持具８１１をＸ軸方向に移動させなくてもよい。
更に、バッチ処理部６は、第２ピッチＰ２（Ｐ２＝Ｎ×Ｐ１）で並ぶ複数枚の基板Ｗを、第１保持具８１１から第３処理液中で受け取る第２保持具８１４を有する。第１保持具８１１と、第２保持具８１４と、駆動装置８１８とは、ロット解除部８１を形成する。
なお、バッチ処理部６で使用される薬液の種類は、希フッ酸、ＢＦＨ、リン酸水溶液、及びＳＣ１には限定されず、例えば、希硫酸、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素と水の混合液）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素と水の混合液）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウムと水の混合液）、メッキ液などであってもよい。薬液は、剥離処理用又はメッキ処理用であってもよい。また、薬液の数は、特に限定されず、１つであってもよい。
制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理システム１の動作を制御する。また、制御部９は、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを備える。制御部９は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。
上記プログラムは、例えばコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶され、その記憶媒体から制御部９の記憶媒体９２にインストールされる。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御部９の記憶媒体９２にインストールされてもよい。
次に、図２を参照して、上記基板処理システム１の動作、つまり、基板処理方法について説明する。図２に示す処理は、制御部９による制御下で実施される。
先ず、カセットＣが、複数枚の基板Ｗを収容した状態で、搬入出部２に搬入され、載置板２２に載置される。カセットＣの内部にて、基板Ｗは水平に保持され、鉛直方向に第２ピッチＰ２（Ｐ２＝Ｎ×Ｐ１）で保持される。Ｎは、２以上の自然数であり、本実施形態では２であるが、３以上であってもよい。
次に、第１搬送装置２４が、カセットＣ内の基板Ｗを取り出し（図２のＳ１０１）、第１トランジション装置２６に搬送する。次いで、第２搬送装置３２が、第１トランジション装置２６から基板Ｗを受け取り、第２トランジション装置３３に搬送する。その後、第１搬送ロボット５３が、第２トランジション装置３３から基板Ｗを受け取り、ロット形成部５１に搬送する。
次に、ロット形成部５１が、複数枚の基板Ｗを第１ピッチＰ１（Ｐ１＝Ｐ２／Ｎ）で保持し、ロットＬを形成する（図２のＳ１０２）。１つのロットＬは、例えばＮ個のカセットＣの基板Ｗで構成される。基板Ｗのピッチが第２ピッチＰ２から第１ピッチＰ１に狭くなるので、一括で処理する基板Ｗの枚数を増加できる。
次に、第３搬送装置６２が、ロット形成部５１からロットＬを受け取り、第１処理具７１に搬送する。その途中で、第３搬送装置６２は、鉛直軸周りに回転し、複数枚の基板Ｗの配列方向をＸ軸方向からＹ軸方向に変更する。
次に、第１処理具７１が、第１薬液槽６３の上方から下降し、第１薬液にロットＬを浸漬し、第１薬液処理を実施する（図２のＳ１０３）。その後、第１処理具７１は、第１薬液からロットＬを引き上げるべく上昇し、続いて第１リンス液槽６４の上方に向けてＸ軸方向に移動する。
次に、第１処理具７１が、第１リンス液槽６４の上方から下降し、第１リンス液にロットＬを浸漬し、第１リンス液処理を実施する（図２のＳ１０４）。その後、第１処理具７１は、第１リンス液からロットＬを引き上げるべく上昇する。続いて、第３搬送装置６２が、第１処理具７１からロットＬを受け取り、第２処理具７３に搬送する。
次に、第２処理具７３が、第２薬液槽６５の上方から下降し、第２薬液にロットＬを浸漬し、第２薬液処理を実施する（図２のＳ１０５）。その後、第２処理具７３は、第２薬液からロットＬを引き上げるべく上昇する。続いて、第３搬送装置６２が、第２処理具７３からロットＬを受け取り、第３処理具７５に搬送する。
次に、第３処理具７５が、第２リンス液槽６６の上方から下降し、第２リンス液にロットＬを浸漬し、第２リンス液処理を実施する（図２のＳ１０６）。その後、第３処理具７５は、第２リンス液からロットＬを引き上げるべく上昇する。続いて、第３搬送装置６２が、第３処理具７５からロットＬを受け取り、第１保持具８１１に搬送する。
次に、第１保持具８１１が、第３薬液槽６７の上方から下降し、第３薬液にロットＬを浸漬し、第３薬液処理を実施する（図２のＳ１０７）。その後、第１保持具８１１は、第３薬液からロットＬを引き上げるべく上昇し、続いて第３リンス液槽６８の上方に向けてＸ軸方向に移動する。
次に、第１保持具８１１が、第３リンス液槽６８の上方から下降し、第３リンス液にロットＬを浸漬し、第３リンス液処理を実施する（図２のＳ１０８）。
また、第１保持具８１１は、下降の途中で、ロットＬの一部を第２保持具８１４に渡し、基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２広げる（図２のＳ１０９）。第２保持具８１４が複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持し、第１保持具８１１も複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持する。なお、第１保持具８１１は、第２保持具８１４に渡す基板Ｗと、第２保持具８１４に渡すことなく保持し続ける基板Ｗとを、交互に繰り返し保持する。つまり、ロットＬの一部である基板Ｗと、ロットＬの残部である基板Ｗとは、交互に繰り返し並び、ロットＬを形成する。
次に、第２搬送ロボット５４が、第３リンス液中で第１保持具８１１と第２保持具８１４とに分かれて保持される基板Ｗを、枚葉処理部３に搬送する。基板Ｗのピッチが広いので、基板Ｗと、第２搬送ロボット５４との干渉を防止できる。また、ロットＬ形成時の基板Ｗのピッチを狭くでき、一括で処理する基板Ｗの枚数を増加できる。第２搬送ロボット５４は、基板Ｗを１枚ずつ枚葉処理部３の液処理装置３４に搬送する。
次に、液処理装置３４が、基板Ｗを１枚ずつ液体で処理する（図２のＳ１１０）。液体は、複数であってもよく、例えば、ＤＩＷなどの純水と、純水よりも表面張力の低い乾燥液とであってよい。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などのアルコールであってよい。液処理装置３４は、基板Ｗの上面に、純水と乾燥液とをこの順で供給し、乾燥液の液膜を形成する。
次に、第２搬送装置３２が、液処理装置３４から基板Ｗを受け取り、乾燥液の液膜を上に向けて基板Ｗを水平に保持する。第２搬送装置３２は、基板Ｗを液処理装置３４から乾燥装置３５に搬送する。
次に、乾燥装置３５が、基板Ｗを１枚ずつ超臨界流体で乾燥する（図２のＳ１１１）。乾燥液を超臨界流体で置換でき、乾燥液の表面張力による基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を抑制できる。超臨界流体は、耐圧容器を要するので、耐圧容器を小型化すべく、バッチ処理ではなく、枚葉処理で行われる。
乾燥装置３５は、図９に示すように、耐圧容器３５１と、可動トレー３５３と、供給ポート３５６とを含む。耐圧容器３５１は、基板Ｗを搬入出する搬入出口３５２を有する。可動トレー３５３は、搬入出口３５２を開閉する蓋３５４と、基板Ｗを水平に保持する保持部３５５とを有する。蓋３５４が搬入出口３５２を閉じた状態で、保持部３５５が耐圧容器３５１の内部に基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗの上面には予め凹凸パターンが形成され、乾燥液の液膜が凹凸パターンを覆う。供給ポート３５６は、耐圧容器３５１の内部に、二酸化炭素などの超臨界流体を供給する。なお、供給ポート３５６の数及び位置は、図９に示すものには限定されない。枚葉式の乾燥装置３５は、液膜を形成した基板Ｗを、１枚ずつ、超臨界流体で乾燥する。
なお、乾燥装置３５は、本実施形態では枚葉式であるが、上記の通り、バッチ式でもよい。バッチ式の乾燥装置３５は、液膜を形成した複数枚の基板Ｗを、一括で、超臨界流体で乾燥する。枚葉式の乾燥装置３５が保持部３５５を１つ有するのに対し、バッチ式の乾燥装置３５は複数の保持部３５５を有する。
なお、本実施形態の乾燥装置３５は基板Ｗを超臨界流体で乾燥するが、乾燥の方式は特に限定されない。乾燥の方式は、基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を抑制できるものであればよく、例えば、スピン乾燥、スキャン乾燥、又は撥水乾燥などでもよい。スピン乾燥は、基板Ｗを回転し、遠心力によって液膜を基板Ｗから振り切る。スキャン乾燥は、乾燥液の供給位置を基板Ｗの中心から基板Ｗの外周に向けて移動させながら、基板Ｗを回転し、遠心力によって液膜を基板Ｗから振り切る。スキャン乾燥は、更に、Ｎ２ガスなどの乾燥ガスの供給位置を、乾燥液の供給位置に追従するように基板Ｗの中心から基板Ｗの外周に向けて移動させてもよい。
その後、第２搬送装置３２が、乾燥装置３５から基板Ｗを受け取り、第１トランジション装置２６に搬送する。
次に、第１搬送装置２４が、第１トランジション装置２６から基板Ｗを受け取り、カセットＣ内に収納する（図２のＳ１１２）。カセットＣは、複数枚の基板Ｗを収容した状態で、搬入出部２から搬出される。
次に、図３、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを参照して、ロット形成部５１について説明する。なお、図面のスペースの都合上、基板Ｗの枚数を、実際の枚数よりも少なく図示する。第１保持溝５１３の数、第２保持溝５１６の数、及び通過溝５１７の数について同様である。
ロット形成部５１は第１保持具５１１を有し、第１保持具５１１は図４Ｃに示すように複数枚（例えば５０枚、図４Ｃには５０枚中１２枚のみ図示）の基板ＷをＸ軸方向に第１ピッチＰ１で保持し、ロットＬを形成する。第１保持具５１１は図３に示すように複数本の第１アーム５１２を有する。第１アーム５１２の本数は、図示のものに限定されない。
複数本の第１アーム５１２は、それぞれ、Ｘ軸方向に延びており、Ｘ軸方向に第１ピッチＰ１で並ぶ第１保持溝５１３を有する。第１保持溝５１３には基板Ｗの外周が挿入され、第１保持溝５１３が基板Ｗの外周を保持する。複数本の第１アーム５１２は、複数枚の基板Ｗのそれぞれの外周を周方向に沿って間隔をおいて保持する。
また、ロット形成部５１は第２保持具５１４を有し、第２保持具５１４は図４Ｂに示すように複数枚（例えば２５枚、図４Ｂには２５枚中６枚のみ図示）の基板ＷをＸ軸方向に第２ピッチＰ２で保持する。第２保持具５１４は図３に示すように複数本の第２アーム５１５を有する。第２アーム５１５の本数は、図示のものに限定されない。
複数本の第２アーム５１５は、それぞれ、Ｘ軸方向に延びており、Ｘ軸方向に第２ピッチＰ２で並ぶ第２保持溝５１６を有する。第２保持溝５１６には基板Ｗの外周が挿入され、第２保持溝５１６が基板Ｗの外周を保持する。複数本の第２アーム５１５は、複数枚の基板Ｗのそれぞれの外周を周方向に沿って間隔をおいて保持する。
また、複数本の第２アーム５１５は、Ｘ軸方向に第２ピッチＰ２で並ぶ通過溝５１７を更に有する。通過溝５１７にも基板Ｗの外周が挿入されるが、通過溝５１７は基板Ｗの外周を保持することなく基板Ｗを通過させる。通過溝５１７と第２保持溝５１６とは、Ｘ軸方向に交互に配置される。通過溝５１７と第２保持溝５１６は、複数の第１保持溝５１３のいずれかと同じＸ軸方向位置に配置される。
更に、ロット形成部５１は駆動装置５１８を有し、駆動装置５１８は第２保持具５１４に対して第１保持具５１１を昇降させる。第１保持具５１１は、第２保持具５１４よりも下方の退避位置（図４Ｂ参照）と、第２保持具５１４よりも上方のロット形成位置（図４Ｃ参照）との間で昇降させられる。
次に、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを再度参照して、ロット形成部５１の動作について説明する。
先ず、図４Ａに示すように、第１保持具５１１は、第２保持具５１４よりも下方の受取位置で停止する。但し、受取位置は、退避位置とロット形成位置との間に設定さればよく第２保持具５１４よりも上方に設定されてもよい。第１搬送ロボット５３が、基板Ｗを複数枚（例えば５枚、図４Ａには５枚中２枚のみ図示）ずつ、第２保持具５１４の通過溝５１７に差し込み、第１保持具５１１に渡す。この動作が複数回繰り返され、第１保持具５１１が複数枚（例えば２５枚、図４Ａには２５枚中６枚のみ図示）の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持する。なお、第１搬送ロボット５３は、基板Ｗを１枚ずつ、第２保持具５１４の通過溝５１７に差し込み、第１保持具５１１に渡してもよい。
次に、図４Ｂに示すように、第１保持具５１１は、基板Ｗと、第１搬送ロボット５３の第１搬送アーム５３１との干渉を防止すべく、受取位置から退避位置まで下降する。そして、第１搬送ロボット５３が、基板Ｗを複数枚（例えば５枚、図４Ｂには５枚中２枚のみ図示）ずつ、第２保持具５１４の第２保持溝５１６に差し込み、第２保持具５１４に渡す。この動作が複数回繰り返され、第２保持具５１４が複数枚（例えば２５枚、図４Ａには２５枚中６枚のみ図示）の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持する。なお、第１搬送ロボット５３は、基板Ｗを１枚ずつ、第２保持具５１４の第２保持溝５１６に差し込み、第２保持具５１４に渡してもよい。
次に、図４Ｃに示すように、第１保持具５１１は、退避位置からロット形成位置まで上昇する。その途中で、第１保持具５１１は、空いている第１保持溝５１３で第２保持具５１４から基板Ｗを受け取り、元々保持していた基板Ｗと合わせ、ロットＬを形成する。
１つのロットＬは、例えばＮ個のカセットＣの基板Ｗで構成される。但し、１つのロットＬは、１個のカセットＣの基板Ｗで構成されてもよいし、３個以上のカセットＣの基板Ｗで構成されてもよい。１つのロットＬは、複数枚の基板Ｗを第１ピッチＰ１で含めばよい。
ロット形成部５１は不図示の第３保持具を更に有してもよい。第３保持具は、第２保持具５１４と同様に、複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持し、保持した基板Ｗを第１保持具５１１に渡す。第１保持具５１１が第２保持具５１４だけではなく第３保持具からも基板Ｗを受け取るので、第１ピッチＰ１と第２ピッチＰ２の比Ｎを大きくでき、一括で処理する基板Ｗの枚数を増加できる。
次に、図５、図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを参照して、ロット解除部８１について説明する。なお、図面のスペースの都合上、基板Ｗの枚数を、実際の枚数よりも少なく図示する。第１保持溝８１３の数、第２保持溝８１６の数、及び通過溝８１７の数について同様である。
ロット解除部８１は第１保持具８１１を有し、第１保持具８１１は図６Ａに示すように複数枚（例えば５０枚、図６Ａには５０枚中１２枚のみ図示）の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持する。第１保持具８１１は図５に示すように複数本の第１アーム８１２を有する。第１アーム８１２の本数は、図示のものに限定されない。
複数本の第１アーム８１２は、それぞれ、Ｙ軸方向に延びており、Ｙ軸方向に第１ピッチＰ１で並ぶ第１保持溝８１３を有する。第１保持溝８１３には基板Ｗの外周が挿入され、第１保持溝８１３が基板Ｗの外周を保持する。複数本の第１アーム８１２は、複数枚の基板Ｗのそれぞれの外周を周方向に沿って間隔をおいて保持する。
また、ロット解除部８１は第２保持具８１４を有し、第２保持具８１４は図６Ｂに示すように複数枚（例えば２５枚、図６Ｂには２５枚中６枚のみ図示）の基板ＷをＹ軸方向に第２ピッチＰ２で保持する。第２保持具８１４は図５に示すように複数本の第２アーム８１５を有する。第２アーム８１５の本数は、図示のものに限定されない。
複数本の第２アーム８１５は、それぞれ、Ｙ軸方向に延びており、Ｙ軸方向に第２ピッチＰ２で並ぶ第２保持溝８１６を有する。第２保持溝８１６には基板Ｗの外周が挿入され、第２保持溝８１６が基板Ｗの外周を保持する。複数本の第２アーム８１５は、複数枚の基板Ｗのそれぞれの外周を周方向に沿って間隔をおいて保持する。
また、複数本の第２アーム８１５は、Ｙ軸方向に第２ピッチＰ２で並ぶ通過溝８１７を更に有する。通過溝８１７にも基板Ｗの外周が挿入されるが、通過溝８１７は基板Ｗの外周を保持することなく基板Ｗを通過させる。通過溝８１７と第２保持溝８１６とは、Ｙ軸方向に交互に配置される。通過溝８１７と第２保持溝８１６は、複数の第１保持溝８１３のいずれかと同じＹ軸方向位置に配置される。
更に、ロット解除部８１は駆動装置８１８を有し、駆動装置８１８は第２保持具８１４に対して第１保持具８１１を昇降させる。第１保持具８１１は、第２保持具８１４よりも上方の下降開始位置（図６Ａ参照）と、第２保持具８１４よりも下方の下降終了位置（図６Ｂ参照）との間で昇降させられる。
次に、図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃを再度参照して、ロット解除部８１の動作について説明する。
先ず、図６Ａに示すように、第１保持具８１１は、下降開始位置にて、複数枚の基板ＷをＹ軸方向に第１ピッチＰ１で保持する。第１保持具８１１は、複数枚の基板Ｗのそれぞれを鉛直に保持する。下降開始位置は、第３リンス液槽６８の上方に設定される。
次に、図６Ｂに示すように、第１保持具８１１は、ロットＬの一部を第２保持具８１４に渡すべく下降する。第２保持具８１４は、第２ピッチＰ２で並ぶ複数枚の基板Ｗを、第１保持具８１１から第３リンス液中で受け取る。第１保持具８１１は、下降終了位置にて、第２保持具８１４の通過溝８１７を通過した複数枚の基板Ｗを、第２ピッチＰ２で保持する。
その結果、複数枚の基板Ｗは、第３リンス液中で、第１保持具８１１と第２保持具８１４とに分かれて保持される。第２保持具８１４は、第１保持具８１１よりも上方で、複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持する。同様に、第１保持具８１１は、複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で保持する。複数枚の基板Ｗは、それぞれ、鉛直に保持される。
次に、図６Ｂに示すように、第２搬送ロボット５４が、第２保持具８１４から基板Ｗを受け取り、基板Ｗを１枚ずつ第３リンス液から引き上げ、枚葉処理部３に搬送する。基板Ｗは第２ピッチＰ２で保持されるので、基板Ｗと、第２搬送ロボット５４の第２搬送アーム５４１との干渉を防止できる。なお、第２搬送ロボット５４は、基板Ｗを複数枚ずつ第３リンス液から引き上げてもよい。その引き上げは、第２保持具８１４から基板Ｗが無くなるまで、繰り返される。
次に、図６Ｃに示すように、第１保持具８１１は、基板Ｗを第２搬送ロボット５４に渡すべく上昇する。第１保持具８１１は、第２保持具８１４よりも僅かに下方の位置で停止するが、第２保持具８１４よりも上方の位置で停止してもよい。基板Ｗが、第３リンス液中に浸漬され続ければよい。
次に、図６Ｃに示すように、第２搬送ロボット５４が、第１保持具８１１から基板Ｗを受け取り、基板Ｗを１枚ずつ第３リンス液から引き上げ、枚葉処理部３に搬送する。基板Ｗは第２ピッチＰ２で保持されるので、基板Ｗと、第２搬送ロボット５４の第２搬送アーム５４１との干渉を防止できる。なお、第２搬送ロボット５４は、基板Ｗを複数枚ずつ第３リンス液から引き上げてもよい。その引き上げは、第１保持具８１１から基板Ｗが無くなるまで、繰り返される。
上記の通り、基板Ｗは、第２搬送ロボット５４で第３リンス液から引き上げられるまで、第３リンス液中で保持される。第３リンス液の液面よりも下に基板Ｗが存在するので、第３リンス液の表面張力が基板Ｗに作用せず、基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を防止できる。
ロット解除部８１は不図示の第３保持具を更に有してもよい。第３保持具は、第２保持具８１４と同様に、第２ピッチＰ２で並ぶ複数枚の基板Ｗを、第１保持具８１１から第３リンス液中で受け取る。第１保持具８１１が第２保持具８１４だけではなく第３保持具にも基板Ｗを渡すので、第１ピッチＰ１と第２ピッチＰ２の比Ｎを大きくできる。
なお、ロット解除部８１は、バッチ処理部６を小型化すべく第３リンス液槽６８に設置されるが、専用の処理槽に設置されてもよい。その処理槽は、第３リンス液槽６８と同様に、純水を貯留するものであってよい。純水を用いれば、第２搬送ロボット５４の第２搬送アーム５４１の劣化を抑制できる。なお、第２搬送アーム５４１の劣化を抑制できる限り、ロット解除部８１は薬液槽に設置されてもよい。
次に、図７を参照して、第１搬送ロボット５３及び第２搬送ロボット５４について説明する。なお、図面のスペースの都合上、第１搬送ロボット５３の第１搬送アーム５３１の数を、実際の数よりも少なく図示する。
第１搬送ロボット５３は、枚葉処理部３からインターフェース部５のロット形成部５１に基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、ロット形成部５１によってロットＬになった後、ロット形成部５１からバッチ処理部６に搬送される。
第１搬送ロボット５３は、例えば６軸ロボットであり、６つの回転軸Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６を有する。なお、第１搬送ロボット５３は、７軸ロボットでもよい。また、第１搬送ロボット５３は、多関節ロボットではなくてもよく、直交ロボットなどであってもよい。直交ロボットは、回転軸を有してもよい。
第１搬送ロボット５３は、その手先に第１搬送アーム５３１を有する。第１搬送アーム５３１は、基板Ｗを保持する。第１搬送アーム５３１の厚さは、第２ピッチＰ２で配列される基板Ｗ同士の間に第１搬送アーム５３１を挿入できるような厚さに設定される。第１搬送アーム５３１は、複数枚（例えば５枚、図７には５枚中２枚のみ図示）の基板Ｗを一括で搬送できるように、複数設けられてよい。
第２搬送ロボット５４は、バッチ処理部６から枚葉処理部３に基板Ｗを搬送する。例えば、第２搬送ロボット５４は、第３リンス液槽６８から液処理装置３４に基板Ｗを搬送する。第３リンス液槽６８から液処理装置３４への基板Ｗの搬送には、第２搬送ロボット５４が用いられ、第２搬送装置３２は用いられない。従って、第２搬送装置３２が第３リンス液で濡れるのを抑制できる。なお、搬送元は、バッチ処理部６の構成に応じて適宜選択される。同様に、搬送先は、枚葉処理部３の構成応じて適宜選択される。
第２搬送ロボット５４は、第１搬送ロボット５３と同様に構成され、その手先に第２搬送アーム５４１を有する。第２搬送アーム５４１は、基板Ｗを保持する。第２搬送アーム５４１の厚さは、第２ピッチＰ２で配列される基板Ｗ同士の間に第２搬送アーム５４１を挿入できるような厚さに設定される。第２搬送アーム５４１は、基板Ｗを１枚ずつ搬送すべく１つのみ設けられるが、複数枚の基板Ｗを一括で搬送できるように、複数設けられてもよい。
第２搬送アーム５４１は、第３リンス液中から基板Ｗを引き上げるので、第３リンス液で濡れる。第３リンス液が第２搬送アーム５４１からその手首に垂れるのを抑制すべく、第２搬送ロボット５４はインターフェース部５の天井５５に吊下げられる。一方、第１搬送ロボット５３は、インターフェース部５の床５６に設置される。
なお、第２搬送ロボット５４と第１搬送ロボット５３との配置は逆でもよく、第１搬送ロボット５３が天井５５に吊下げられ、第２搬送ロボット５４が床５６に設置されてもよい。この場合、第２搬送アーム５４１に付いた第３リンス液が第１搬送ロボット５３に垂れるのを抑制できる。第１搬送ロボット５３は、常に乾いた状態で、基板Ｗを搬送できる。
なお、第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４が、両方とも天井５５に吊下げられてもよいし、両方とも床５６に設置されてもよい。また、第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４の１つ以上が、側壁に設置されてもよい。側壁は、天井５５と床５６の間に配置されるものであり、天井５５及び床５６とは異なり、鉛直に配置される。天井５５及び床５６は、水平に配置される。
なお、第２搬送アーム５４１による基板Ｗの搬送中に、基板Ｗの乾燥防止を目的として基板Ｗに対して高湿度ガスを供給してもよい。第２搬送ロボット５４には、第２搬送アーム５４１に付いた液滴を吹き飛ばすガスノズルが設けられてもよい。また、第２搬送ロボット５４には、第２搬送アーム５４１からその手首に向けて垂れる液滴を回収するドレインパンが設けられてもよい。液滴は、第３リンス液、又は高湿度ガスの凝縮したものである。
以上、本開示に係る基板処理システム及び基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
例えば、上記実施形態及び上記変形例では、カセットＣは、その内部に基板Ｗを第２ピッチＰ２で収容するが、第２ピッチＰ２以外のピッチで収容してもよく、第２ピッチＰ２よりも狭いピッチ（例えば第１ピッチＰ１）で収容してもよいし、第２ピッチＰ２よりも広いピッチで収容してもよい。ロット解除部８１が基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に広げれば、基板Ｗと搬送ロボット５４、５８との干渉を抑制できる。
上記実施形態及び上記変形例では、ロット形成部５１は、ロットＬの形成時に、基板Ｗのピッチを狭めるが、狭めなくてもよい。例えば、カセットＣの最大収容枚数よりも少ない枚数の基板ＷがカセットＣに収容されている場合、ロット形成部５１は、基板Ｗのピッチを狭めなくてもよい。いずれにしろ、ロット解除部８１が基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に広げれば、基板Ｗと搬送ロボット５４、５８との干渉を抑制できる。
上記実施形態及び上記変形例では、ロット解除部８１は、基板Ｗよりも大きい塊状の処理液中で、基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に広げるが、霧状の処理液中で、基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に広げてもよい。処理液は、霧状であっても、基板Ｗの乾燥を防止できるので、基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を抑制できる。
上記実施形態及び上記変形例では、搬送部５２は、図７に示すように第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４とを含むが、図８に示すように１つの搬送ロボット４１を含んでもよい。搬送ロボット４１は、第１搬送ロボット５３と第２搬送ロボット５４とを兼ねる。
搬送ロボット４１は、第１搬送ロボット５３の第１搬送アーム５３１と、第２搬送ロボット５４の第２搬送アーム５４１とを有する。第１搬送アーム５３１と第２搬送アーム５４１は、それぞれ、搬送ロボット４１の手先に取り付けられる。搬送ロボット４１は、第１搬送アーム５３１にて枚葉処理部３からロット形成部５１に基板Ｗを搬送し、第２搬送アーム５４１にてバッチ処理部６から枚葉処理部３に基板Ｗを搬送する。
図８に示すように、搬送ロボット４１は、第１搬送アーム５３１と第２搬送アーム５４１とを独立に動作させるべく、第１搬送アーム５３１に対して相対的に第２搬送アーム５４１を移動させる移動機構４１１を更に有する。移動機構４１１は、例えば搬送ロボット４１の手先に設けられる。移動機構４１１は、図８では搬送ロボット４１の手先に対して第２搬送アーム５４１を移動させるが、搬送ロボット４１の手先に対して第１搬送アーム５３１を移動させてもよい。
搬送ロボット４１は、図８に示すように天井５５に吊下げられてもよいし、床５６に設置されてもよいし、側壁に設置されてもよい。
上記実施形態及び上記変形例では、バッチ処理部６がロット解除部８１を有するが、ロット解除部８１のうちの少なくとも一部、より詳細には第２保持具８１４を有しなくてもよい。搬入出部２と、枚葉処理部３と、インターフェース部５と、バッチ処理部６とがこの順番で並び、インターフェース部５がロット形成部５１と搬送部５２とを有していれば、上記の通り、基板Ｗの搬送経路を確保でき、基板処理システム１を小型化できる。搬入出部２は搬入部と搬出部とを兼ねるからである。
上記実施形態及び上記変形例では、枚葉処理部３が液処理装置３４と乾燥装置３５の両方を有するが、乾燥装置３５のみを有してもよい。この場合、搬送部５２が基板Ｗを乾燥装置３５へ直接搬送してもよいし、搬送部５２が基板Ｗを第２トランジション装置３３へ搬送し、第２搬送装置３２が第２トランジション装置３３から受け取った基板Ｗを乾燥装置３５へ搬送してもよい。また、この場合、乾燥装置３５の蓋３５４が開き、且つ保持部３５５が基板Ｗを保持した状態（図９に示す状態）で、乾燥液が基板Ｗの上面に供給され、乾燥液の液膜が基板Ｗに形成されてもよい。
１ 基板処理システム
２ 搬入出部
３ 枚葉処理部
５ インターフェース部
５１ ロット形成部
５２ 搬送部
６ バッチ処理部
Ｗ 基板

Claims (14)

  1. 複数枚の基板を収容したカセットが搬入出される搬入出部と、複数枚の前記基板を含むロットを、一括で処理するバッチ処理部と、前記ロットの前記基板を１枚ずつ処理する枚葉処理部と、前記バッチ処理部と前記枚葉処理部との間で前記基板を受け渡すインターフェース部とを有し、
    前記搬入出部と、前記枚葉処理部と、前記インターフェース部と、前記バッチ処理部とがこの順番で並び、
    前記インターフェース部は、前記ロットを形成するロット形成部と、前記枚葉処理部から前記ロット形成部に前記基板を搬送し、且つ、前記バッチ処理部から前記枚葉処理部に前記基板を搬送する搬送部とを含み、
    前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬される処理液又は霧状の処理液を貯留する処理槽を有し、
    前記搬送部は、前記処理液中で保持される前記基板を、前記バッチ処理部の前記処理槽から前記枚葉処理部に搬送する、基板処理システム。
  2. 前記搬送部は、前記枚葉処理部から前記ロット形成部に前記基板を搬送する第１搬送ロボットと、前記バッチ処理部から前記枚葉処理部に前記基板を搬送する第２搬送ロボットとを含む、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記第１搬送ロボットは、前記インターフェース部の天井に吊下げられ、
    前記第２搬送ロボットは、前記インターフェース部の床に設置される、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記第１搬送ロボットは、前記インターフェース部の床に設置され、
    前記第２搬送ロボットは、前記インターフェース部の天井に吊下げられる、請求項２に記載の基板処理システム。
  5. 前記バッチ処理部は、平面視長方形の搬送領域と、前記搬送領域にて前記ロットを保持しながら、移動し、回転する搬送装置とを更に含み、
    前記搬送領域の短辺の隣に前記ロット形成部が配置され、前記搬送領域の長辺の隣に前記処理槽が配置され、前記ロット形成部と前記処理槽の両方の隣に前記搬送部が配置される、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  6. 前記処理槽は、前記ロットが浸漬される純水を貯留する、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  7. 前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬される希フッ酸を貯留する薬液槽を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  8. 前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬されるリン酸水溶液を貯留する薬液槽を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  9. 前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬されるＳＣ１を貯留する薬液槽を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  10. 前記バッチ処理部は、前記ロットが浸漬されるＳＰＭを貯留する薬液槽を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  11. 前記枚葉処理部は、前記基板を１枚ずつ液体で処理する液処理装置を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  12. 前記枚葉処理部は、前記基板を１枚ずつ超臨界流体で乾燥する乾燥装置を含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  13. 前記枚葉処理部は、１枚ずつ、前記基板の凹凸パターンが形成される表面に乾燥液の液膜を形成する液処理装置と、前記液膜を形成した複数枚の前記基板を、一括で、超臨界流体で乾燥する乾燥装置とを含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  14. 請求項１～１３のいずれか１項に記載の基板処理システムを用い、前記処理液中で保持される前記基板を前記バッチ処理部の前記処理槽から前記枚葉処理部に搬送する、基板処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7336955B2 (ja) * 2019-10-10 2023-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、及び基板処理方法
JP2022173634A (ja) * 2021-05-10 2022-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2022176640A (ja) * 2021-05-17 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2022178486A (ja) * 2021-05-20 2022-12-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US20230268202A1 (en) 2022-02-21 2023-08-24 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
JP2023121571A (ja) 2022-02-21 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及び記録媒体
TW202341270A (zh) 2022-03-02 2023-10-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
JP2024044508A (ja) 2022-09-21 2024-04-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024046371A (ja) 2022-09-22 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024106669A (ja) 2023-01-27 2024-08-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261546A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006261548A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016066668A (ja) 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3192951B2 (ja) 1995-12-05 2001-07-30 株式会社東芝 半導体ウエハの乾燥装置
JP4180787B2 (ja) * 2000-12-27 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2002346487A (ja) * 2001-05-25 2002-12-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20040040660A1 (en) * 2001-10-03 2004-03-04 Biberger Maximilian Albert High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates
JP3939178B2 (ja) 2002-03-25 2007-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置
JP4059844B2 (ja) * 2003-12-12 2008-03-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2006147693A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd 処理システム
JP4522295B2 (ja) * 2005-03-18 2010-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI277461B (en) * 2004-12-24 2007-04-01 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus
JP4401285B2 (ja) * 2004-12-24 2010-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4688637B2 (ja) * 2005-10-28 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
JP4727500B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法
KR100822373B1 (ko) * 2006-09-12 2008-04-17 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 건조 장치, 이를 구비한 기판처리 설비 및 기판 처리 방법
JP2010283402A (ja) * 2010-09-24 2010-12-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5871845B2 (ja) * 2013-03-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体
JP6189257B2 (ja) 2014-06-23 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6881922B2 (ja) * 2016-09-12 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6862163B2 (ja) * 2016-12-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6967951B2 (ja) 2017-11-30 2021-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7169857B2 (ja) * 2018-11-22 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102661734B1 (ko) * 2021-10-08 2024-05-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261546A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006261548A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016066668A (ja) 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

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