JP7310466B2 - マルチ荷電粒子ビーム評価方法 - Google Patents
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Description
2 描画部
20 電子鏡筒
21 電子銃
22 照明レンズ
23 成形アパーチャアレイ基板
24 ブランキングアパーチャアレイ基板
25 縮小レンズ
26 制限アパーチャ部材
27 対物レンズ
28 偏向器
30 描画室
32 XYステージ
40 基板
50 描画領域
52 ストライプ領域
Claims (6)
- マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に、互いに線幅が異なる複数の評価パターンを、所定のピッチで描画する工程と、
描画した前記複数の評価パターンの線幅を測定する工程と、
前記複数の評価パターンの線幅測定結果と設計値との差分の分布の空間周波数を解析する工程と、
を備え、
前記基板に描画する前記複数の評価パターンの線幅の差は、データ分解能以上で前記マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素のサイズより小さく、
前記互いに線幅が異なる複数の評価パターンが繰り返し配置されるように描画することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム評価方法。 - マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に、複数の評価パターンを、設計上のピッチを変化させて描画する工程と、
描画した前記複数の評価パターンのピッチを測定する工程と、
前記複数の評価パターンのピッチの測定結果と設計値との差分の分布の空間周波数を解析する工程と、
を備え、
前記基板に描画する前記複数の評価パターンのピッチの変化量は、前記マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素のサイズより小さく、
前記複数の評価パターンが繰り返し配置されるように描画することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム評価方法。 - マルチ荷電粒子ビームを用いて、基板に、複数の評価パターンを、所定のピッチで描画する工程と、
描画した前記複数の評価パターンの線幅を測定する工程と、
前記複数の評価パターンの線幅測定結果と設計値との差分の分布の空間周波数を解析する工程と、
を備え、
各評価パターンは、幅方向にずらして連結させた複数の矩形部を有し、
前記複数の矩形部のずらし幅は、データ分解能以上で前記マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素のサイズより小さく、
描画した前記複数の評価パターンの各矩形部の線幅を測定することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム評価方法。 - 前記描画において、前記マルチ荷電粒子ビームの各ビームのオンオフを切り替えるブランキングアパーチャアレイ基板の歪補正又は前記基板のたわみ補正を含む補正機能をオフにして描画することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム評価方法。
- 前記評価パターンを前記画素に分割したメッシュの開始座標に、前記評価パターンのパターンデータを配置し、前記パターンデータの配置ピッチが前記メッシュの整数倍になるように前記評価パターンの描画データを作成する、請求項4に記載のマルチ荷電粒子ビーム評価方法。
- 1つの前記評価パターンの描画に前記マルチ荷電粒子ビームのうちの1本を使用し、
前記複数の評価パターンをそれぞれ別のビームで同時に描画する、請求項1乃至5のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム評価方法。
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