JP7306217B2 - 坩堝及びSiC単結晶成長装置 - Google Patents
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Description
2 側壁
3 底部
4、14、34、44 隔壁
5、15、35、45 仕切り板
6、16、36、46 突出部
6A、16A、36A、46A 支持部
6B、16B、36B、46B 遮蔽部
10 坩堝
16Ba 第1面
20 加熱手段
21 第1加熱手段
22 第2加熱手段
100、101、102、103 SiC単結晶成長装置
A1 第1空間
A2 第2空間
A3 第3空間
C 単結晶
原料 G1
第2原料 G2
Claims (5)
- 側壁と蓋と底部を有し、原料と種結晶を収容する坩堝であって、
内部に、隔壁を有し、
前記隔壁は、第1原料から昇華した昇華ガスが前記種結晶上で再結晶化する第1空間と、前記第1原料と別に第2原料を収容できる第2空間とを、第1方向に区分し、
前記隔壁は、前記第2空間から前記第1空間に向って突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記第1方向に延びる支持部と、前記第1方向と交差する方向に広がる遮蔽部とを有し、
前記支持部と前記遮蔽部とは、内部に前記第2空間と繋がる第3空間を有する、坩堝。 - 前記遮蔽部の前記種結晶側の第1面は、中央から外側に向って前記種結晶から離れる方向に傾斜する、請求項1に記載の坩堝。
- 前記支持部の内径が、前記遮蔽部に近づくに従い縮径する、請求項1又は2に記載の坩堝。
- 前記隔壁が前記突出部を複数有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の坩堝。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の坩堝と、
前記坩堝を囲む加熱手段と、を備え、
前記加熱手段は、前記第1空間に収容される前記第1原料を加熱する第1加熱手段と、前記第2空間に収容される前記第2原料を加熱する第2加熱手段と、を有する、SiC単結晶成長装置。
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JP2000264795A (ja) | 1999-03-23 | 2000-09-26 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
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