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JP7381713B2 - プロセスキットのシース及び温度制御 - Google Patents

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Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板処理システムに関し、より具体的には、基板処理システムで使用するためのプロセスキットに関するものである。
［０００２］高周波（ＲＦ）電力は、例えば、コンタクトを作製するための非常に高いアスペクト比の孔や、電気経路のインフラストラクチャを敷設するための深いトレンチを必要とするエッチングプロセスによく使用される。ＲＦ電力は、プラズマの生成、及び／又はバルクプラズマからイオンを引き寄せるために処理中の基板にバイアス電圧を発生させるために使用され得る。処理中の基板温度を制御するために、静電チャックを使用して、基板が静電的に保持される。静電チャックは、通常、誘電体プレートに埋め込まれた電極と、誘電体プレートの下方に配置された冷却プレートとを含む。プロセスキットは、しばしば、冷却プレートの上方の誘電体プレートの周りに配置され、基板を案内するエッジリングを含み得る。
［０００３］しかしながら、長いアイドル時間の後に基板を処理チャンバに入れると、２つの異なるＲＦ電力で基板が処理されるため、エッジリングの温度が上昇する。エッジリングと誘電体プレートとの間の温度差により、誘電体プレートとプロセスガスとに比較して、エッジリングとプロセスガスとの間の化学反応が不均一になり、プロセスドリフトが引き起こされ得る。
［０００４］バイアスを発生させるためのＲＦ電源が、冷却プレートに印加される。本発明者らは、基板処理中のイオン衝撃によりエッジリングの高さが下がると、バイアス高周波電源によって生じたシース内の等電位線がエッジリング近傍で傾き、プロセスドリフトを引き起こすことを確認した。
［０００５］そこで、本発明者らは、改善されたプロセスキットの実施形態を提供した。
［０００６］基板処理チャンバで使用するためのプロセスキットの実施形態が本明細書で提供される。幾つかの実施形態では、基板処理チャンバで使用するためのプロセスキットは、上面及び下面を有するセラミックリングであって、セラミックリング内に配置されたチャッキング電極と、セラミックリング内に配置された加熱要素とを含む、セラミックリングと、セラミックリング上に配置されたエッジリングとを含む。
［０００７］幾つかの実施形態では、基板処理チャンバで使用するための基板支持体は、基板を支持するように構成された第１の側面と、第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックプレートであって、セラミックプレート内に埋め込まれた電極を含む、セラミックプレートと、セラミックプレートの第２の側面に結合された第１の冷却プレートと、セラミックプレートの周りに配置され、第１の側面と、第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックリングであって、セラミックリング内に配置された１又は複数のチャッキング電極と加熱要素とを含み、第１の冷却プレートから間隔を空けて配置された、セラミックリングと、セラミックリング上に配置されたエッジリングと、セラミックリングの第２の側面に結合された第２の冷却プレートであって、第１の冷却プレートから熱的に絶縁される、第２の冷却プレートとを含む。
［０００８］幾つかの実施形態では、プロセスチャンバは、チャンバ本体の内部領域内に配置された基板支持体を有するチャンバ本体を含み、基板支持体は、冷却プレートと、冷却プレートの上方に配置されたセラミックプレート及びセラミックプレートの底面から上面へ延在するガスチャネルと、冷却プレートの上方のセラミックプレートの周りに、その間に間隙を設けて配置されたセラミックリングであって、セラミックリング内に配置された１又は複数のチャッキング電極と加熱要素とを有する、セラミックリングと、セラミックリング上に配置されたエッジリングと、セラミックプレートの温度とは独立してセラミックリングの温度を制御するために、加熱要素に結合された電源とを含む。
［０００９］本開示の他の及びさらなる実施形態について以下に説明する。
［００１０］添付の図面に示す本開示の例示の実施形態を参照することで、上記に要約し、以下により詳細に説明する本開示の実施形態を理解することができる。ただし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を有するプロセスチャンバを示す概略側面図である。 本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略的な部分側面図である。 本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略的な部分側面図を示している。
［００１４］理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。図面は縮尺どおりに描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。
［００１５］基板処理チャンバで使用するための基板支持体及びプロセスキットの実施形態が本明細書で提供される。基板支持体は、基板を支持するための支持面を有するセラミックプレートを含む。基板支持体は、セラミックプレートの周りに配置されたセラミックリングを有するプロセスキットを含む。プロセスキットは、基板を案内するためにセラミックリング上に配置されたエッジリングを更に含む。セラミックリング及びセラミックプレートは、独立した温度制御を有利に提供するために、互いに熱的に絶縁される。
［００１６］図１は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、基板支持体を有するプロセスチャンバ（例えば、プラズマ処理チャンバ）を示す概略側面図である。幾つかの実施形態では、プラズマ処理チャンバは、エッチング処理チャンバである。しかしながら、異なるプロセス用に構成された他の種類の処理チャンバも使用することができる、又は本明細書に記載の静電チャックの実施形態と共に使用するために変更を加えることが可能である。
［００１７］チャンバ１００は、基板処理中にチャンバ内部領域１２０内に低大気圧を維持するように好適に適合された真空チャンバである。チャンバ１００は、チャンバ内部領域１２０の上半分に位置する処理領域１１９を封入するリッド１０４でカバーされたチャンバ本体１０６を含む。チャンバ１００はまた、様々なチャンバ構成要素とイオン化されたプロセス材料との間の不要な反応を防止するために、かかる構成要素を囲む１又は複数のシールド１０５を含み得る。チャンバ本体１０６及びリッド１０４は、アルミニウム等の金属でできていてよい。チャンバ本体１０６は、グラウンド１１５への結合を介して接地され得る。
［００１８］基板支持体１２４は、例えば半導体ウエハ等の基板１２２、又は静電的に保持され得る他のそのような基板を支持し保持するために、チャンバ内部領域１２０内に配置される。基板支持体１２４は、概して、静電チャック１５０（図２～３に関して以下に更に詳述する）と、静電チャック１５０を支持するための中空支持シャフト１１２とを備え得る。静電チャック１５０は、その中に配置された１又は複数の電極１５４を有するセラミックプレート１５２と、冷却プレート１３６とを含む。中空支持シャフト１１２は、例えば、裏側ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力等を静電チャック１５０に供給するための導管を提供する。基板支持体１２４は、セラミックプレート１５２の周りに配置されたセラミックリング１８７（図２～３に関して以下でより詳細に説明する）を含む。
［００１９］幾つかの実施形態では、中空支持シャフト１１２は、アクチュエータ又はモータ等のリフト機構１１３に結合され、このリフト機構は、上部の処理位置（図１に示す）と下部の移送位置（図示せず）との間の静電チャック１５０の垂直移動を提供する。ベローズアセンブリ１１０は、中空支持シャフト１１２の周りに配置され、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に結合されて、チャンバ１００内からの真空の損失を防止しながら静電チャック１５０の垂直運動を可能にする可撓性シールを提供する。ベローズアセンブリ１１０はまた、チャンバ真空の損失防止を助けるために底面１２６に接触するＯリング１６５又は他の適切なシール要素と接触する下部ベローズフランジ１６４を含む。
［００２０］中空支持シャフト１１２は、裏側ガス供給部１４１、チャッキング電源１４０、及びＲＦ源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０及びバイアス電源１１７）を静電チャック１５０に結合するための導管を提供する。幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０によって供給されるＲＦエネルギーは、約４０ＭＨｚ以上の周波数を有し得る。裏側ガス供給部１４１は、チャンバ本体１０６の外側に配置され、静電チャック１５０に伝熱ガスを供給する。幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０及びバイアス電源１１７は、それぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６のみ図示）を介して静電チャック１５０に結合される。幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、代替的に、ＡＣ、ＤＣ、又はＲＦバイアス電力を含み得る。
［００２１］基板リフト１３０は、基板１２２を静電チャック１５０に配置する、又は静電チャック１５０から取り外しすることができるように、基板リフト１３０を昇降させるための第２のリフト機構１３２に結合されたシャフト１１１に接続されたプラットフォーム１０８に取り付けられたリフトピン１０９を含み得る。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受け入れるための貫通孔を含み得る。ベローズアセンブリ１３１は、基板リフト１３０と底面１２６との間に結合され、基板リフト１３０の垂直運動の間、チャンバ真空を維持する可撓性シールを提供する。
［００２２］幾つかの実施形態では、静電チャック１５０は、静電チャック１５０の下面（例えば、冷却プレート１３６の底面）から静電チャック１５０の上面の様々な開口部へ延在するガス分配チャネル１３８を含む。ガス分配チャネル１３８は、伝熱媒体として作用するように、窒素（Ｎ）又はヘリウム（Ｈｅ）等の裏側ガスを静電チャック１５０の上面に供給するように構成される。ガス分配チャネル１３８は、使用中に静電チャック１５０の温度及び／又は温度プロファイルを制御するために、ガス導管１４２を介して裏側ガス供給部１４１と流体連結している。
［００２３］チャンバ１００は、チャンバ１００を排気するために使用されるスロットルバルブ（図示せず）及び真空ポンプ（図示せず）を含む真空システム１１４に結合され、これと流体連結している。チャンバ１００内の圧力は、スロットルバルブ及び／又は真空ポンプを調整することによって調節され得る。チャンバ１００はまた、そこに配置された基板を処理するために１又は複数のプロセスガスをチャンバ１００に供給し得るプロセスガス供給部１１８に結合され、これと流体連結している。
［００２４］工程において、例えば、プラズマ１０２が、１又は複数のプロセスを実行するために、チャンバ内部領域１２０内に生成され得る。プラズマ１０２は、プラズマ電源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０）からの電力を、チャンバ内部領域１２０の近く又は内部の１又は複数の電極を介してプロセスガスに結合させ、プロセスガスに点火してプラズマ１０２を生成することによって生成され得る。バイアス電源（例えば、バイアス電源１１７）から静電チャック１５０内の１又は複数の電極１５４にバイアス電力を供給して、プラズマから基板１２２に向かってイオンを引きつけることができる。
［００２５］図２は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略的な部分側面図である。セラミックプレート１５２は、基板１２２を支持するように構成された第１の側面２１６と、第１の側面２１６に対向する第２の側面２２４とを含む。セラミックプレート１５２は、その中に埋め込まれた１又は複数の電極１５４を含む。幾つかの実施形態では、１又は複数の電極１５４は、上部電極と、下部電極と、上部電極及び下部電極に電気的に結合された複数のポストとを含む。幾つかの実施形態では、セラミックプレート１５２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）でできている。幾つかの実施形態では、セラミックプレート１５２は、セラミックプレート１５２の外側側壁２３２から半径方向外側へ延在する環状リング２８６を含む。
［００２６］幾つかの実施形態では、冷却プレート１３６は、導電性材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）でできている。幾つかの実施形態では、冷却プレート１３６は、セラミックプレート１５２の第２の側面２２４に結合された第１の冷却プレート２０８を含む。幾つかの実施形態では、第１の冷却プレート２０８の外面は、セラミックプレート１５２の外面と同一平面上にある。第１の冷却プレート２０８は、複数の第１の冷却剤チャネル２４２を含む。第１の冷却剤チャネル２４２は、セラミックプレート１５２を冷却するために、それを通して冷却剤を流すように構成される。
［００２７］幾つかの実施形態では、結合層２３０が、セラミックプレート１５２と第１の冷却プレート２０８との間に配置される。結合層２３０は、第１の冷却プレート２０８とセラミックプレート１５２との間に改善された熱結合を提供するように構成される。幾つかの実施形態では、結合層２３０は、シリコーンを含む。幾つかの実施形態では、結合層２３０は、約０．１ｍｍから約０．４ｍｍの厚さを有する。幾つかの実施形態では、結合層２３０は、約０．２Ｗ／ｍＫから約１．２Ｗ／ｍｋの熱伝導率を有する。
［００２８］セラミックプレート１５２の周りに、セラミックリング１８７が配置される。セラミックリング１８７は、第１の側面２４４と、第１の側面２４４に対向する第２の側面２２６とを含む。幾つかの実施形態では、第１の側面２４４は上側である。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７は、その中に埋め込まれた１又は複数のチャッキング電極２２８を含む。セラミックリング１８７に、エッジリング２１０が配置される。幾つかの実施形態では、エッジリング２１０の外径は、セラミックリング１８７の外径よりも大きい。エッジリング２１０は、エッジリング２１０の最上面と第２の上面２１４との間に配置された角度のついた内面２１２を含む。１又は複数のチャッキング電極２２８がチャッキング電源２５４に結合され、エッジリング２１０を保持する。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）でできている。
［００２９］幾つかの実施形態では、バイアス電源１１７が冷却プレート１３６に電気的に結合され、基板１２２及びエッジリング２１０に同じバイアス電圧を生じさせる。工程において、冷却プレート１３６に印加されたバイアス電源１１７により、基板１２２とプラズマ１０２との間にシースが形成される。その結果、プラズマ１０２からのイオンがバイアスされた基板１２２に引きつけられ、イオンはシース内の等電位線に垂直な方向に加速してシース内を通過する。エッジリング２１０が処理により経時的に侵食されると、シースの形状が基板１２２のエッジに近接して曲がり、基板１２２の処理が不均一になる。
［００３０］基板１２２への影響を最小限に抑え、直接電圧制御を行うために、バイアス電源１１７は、１又は複数のチャッキング電極２２８に負のパルスＤＣ電源２５８を供給するように有利には構成される。負のパルスＤＣ電源２５８は、シースの曲がりを修正するための電力プロファイルを提供し、基板１２２全体で実質的に平坦なシースプロファイルを維持するように構成される。幾つかの実施形態では、１又は複数のチャッキング電極２２８は、エッジリング２１０への負のパルスＤＣ電力の効率的な結合を得るために、エッジリング２１０の底部から０．３ｍｍ未満に配置される。
［００３１］セラミックリング１８７は、セラミックリング１８７に埋め込まれた加熱要素２１９を含む。加熱要素２１９は、加熱要素２１９を加熱するために、電源２６８（例えば、ＡＣ電源）に結合される。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７の第２の側面２２６に温度プローブが配置され、電源２６８によって加熱要素２１９に印加される電力を制御することによって、セラミックリング１８７の温度を監視及び制御する。幾つかの実施形態では、第１の側面２４４と加熱要素２１９との間に、チャッキング電極が配置される。セラミックリング１８７は、セラミックプレート１５２から間隔を空けて配置される。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７は、第１の冷却プレート２０８から間隔を空けて配置される。
［００３２］幾つかの実施形態では、ガス分配チャネル１３８は、静電チャック１５０の下面（例えば、冷却プレート１３６の底面）からセラミックリング１８７の上面へ延在する第２のガスチャネル（図２参照）を含む。第２のガスチャネルは、伝熱媒体として作用するように、窒素（Ｎ）又はヘリウム（Ｈｅ）等の裏側ガスをセラミックリング１８７の上面に供給するように構成される。
［００３３］幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７は、上部内側エッジに第１のノッチを含む。幾つかの実施形態では、第１のノッチ内に環状リング２８６が配置される。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７は、上部内側エッジに第２のノッチを含む。幾つかの実施形態では、第２のノッチは、裏側ガスのためのシールを提供するためにＯリングを収容するように構成される。
［００３４］第２の冷却プレート２１８は、セラミックリング１８７の第２の側面２２６に結合される。幾つかの実施形態では、第２の冷却プレート２１８は、第１の冷却プレート２０８に電気的に接続されているが、第１の冷却プレート２０８から熱的に絶縁されている。第２の冷却プレート２１８は、複数の第２の冷却剤チャネル２５２を含む。第２の冷却剤チャネル２５２は、セラミックリング１８７を冷却するために、その中を冷却剤が流れるように構成される。幾つかの実施形態では、第２の冷却剤チャネル２５２は、有利には、エッジリング２１０及び基板１２２を独立して冷却するために、第１の冷却剤チャネル２４２から流体的に独立している。第１の冷却剤チャネル２４２及び第２の冷却剤チャネル２５２は、その中を冷却剤が再循環するように構成されたチラー２７２に結合される。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７と第２の冷却プレート２１８との間に結合層２６２が配置される。幾つかの実施形態では、結合層２６２は、結合層２３０と同様である。
［００３５］幾つかの実施形態では、図２に示すように、第１の冷却プレート２０８は、ディスク形状を有し、ディスク形状を有する第２の冷却プレート２１８上に配置される。幾つかの実施形態では、第２の冷却プレート２１８は、第２の冷却プレート２１８の周縁部に隆起したリップ２８４を有する。幾つかの実施形態では、隆起したリップ２８４の幅は、セラミックリング１８７の幅と実質的に同じである。隆起したリップ２８４は、第１の冷却プレート２０８から間隔を空けて配置され、第１の冷却プレート２０８からの熱絶縁を提供する。
［００３６］幾つかの実施形態では、図２に示すように、第１の冷却プレート２０８と第２の冷却プレート２１８との間に、第１の冷却プレート２０８を第２の冷却プレート２１８から熱的に絶縁する熱絶縁層２８２が配置される。幾つかの実施形態では、熱絶縁層２８２は、ミシガン州ミッドランドのデュポンエレクトロニクス社によって製造されたＣＩＲＬＥＸ（登録商標）でできている。幾つかの実施形態では、熱絶縁層２８２は、約１．０ｍｍから約２．０ｍｍの厚さを有する。幾つかの実施形態では、熱絶縁層２８２は、約０．１Ｗ／ｍＫから約０．３Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。
［００３７］幾つかの実施形態では、図２に示すように、ガス分配チャネル１３８は、第２の冷却プレート２１８の底部から、第２の冷却プレート２１８、第１の冷却プレート２０８、及びセラミックプレート１５２を介してセラミックプレート１５２の第１の側面２１６又は上面へ延在する第１のガスチャネル２３８を含む。幾つかの実施形態では、ガス分配チャネル１３８は、第２の冷却プレート２１８の底部から第２の冷却プレート２１８及びセラミックリング１８７を通ってセラミックリング１８７の第１の側面２４４へ延在する第２のガスチャネル２５６を含む。第１のガスチャネル２３８及び第２のガスチャネル２５６は、それぞれ、セラミックプレート１５２の第１の側面２１６及びセラミックリング１８７の第１の側面２４４に裏側ガスを供給するように構成される。幾つかの実施形態では、第１のガスチャネル２３８及び第２のガスチャネル２５６は、基板支持体１２４内で流体的に独立しており、基板１２２及びエッジリング２１０に独立した温度制御を提供する。
［００３８］図３は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略的な部分側面図である。幾つかの実施形態では、図３に示すように、第２の冷却プレート３１８はリング状であり、第１の冷却プレート３０８の周りに配置される。幾つかの実施形態では、第１の冷却プレート３０８は、下部周縁部にノッチ３１４を含む。幾つかの実施形態では、第２の冷却プレート３１８は、第２の冷却プレート３１８の下面３４２から半径方向内側へ延在する環状タブ３１２を含む。環状タブ３１２は、第１の冷却プレート３０８に接触せずに、ノッチ３１４の中へ延在する。幾つかの実施形態では、間隙３４６は、第１の冷却プレート３０８と第２の冷却プレート３１８との間に延在し、第１の冷却プレート３０８を第２の冷却プレート３１８から熱的に絶縁する。幾つかの実施形態では、第２の冷却プレート３１８の下面３４２は、第１の冷却プレート３０８の下面と同一平面上にある。幾つかの実施形態では、第１の冷却プレート２０８及び第２の冷却プレート３１８は、絶縁体３０４上に配置され、絶縁体３０４に結合される。幾つかの実施形態では、絶縁体は、プラスチック材料でできている。
［００３９］幾つかの実施形態では、ノッチ３１４によって画定される面と環状タブ３１２との間にＯリング３１６が配置され、間隙３４６への裏側ガス漏れを低減又は防止するためのシールを提供する。幾つかの実施形態では、ノッチ３１４によって画定される面と環状タブ３１２との間に環状ガスケット３２８が配置され、第１の冷却プレート３０８及び第２の冷却プレート３１８を電気的に結合する。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７とエッジリング２１０との間に第２のＯリング３２６が配置され、間隙３４６への裏側ガス漏れを低減又は防止するためのシールを提供する。幾つかの実施形態では、セラミックリング１８７と第２の冷却プレート２１８との間に第３のＯリング３２４が配置され、その間の裏側ガス漏れを低減又は防止するためのシールを提供する。
［００４０］前述の内容は本開示の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することが可能である。

Claims (20)

  1. 基板処理チャンバで使用するためのプロセスキットであって、
    基板を支持するように構成された第１の側面と、前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックプレートであって、前記セラミックプレート内に埋め込まれた電極を含む、セラミックプレートと、
    前記セラミックプレートの前記第２の側面に結合された第１の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの周りに配置された、第１の側面と前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックリングであって、前記セラミックリング内に配置された１又は複数のチャッキング電極と、前記セラミックリング内に配置された加熱要素とを含み、前記セラミックプレート及び前記第１の冷却プレートから間隔を空けて配置される、セラミックリングと、
    前記セラミックリング上に配置されたエッジリングと、
    前記セラミックリングの前記第２の側面に結合された第２の冷却プレートであって、前記第２の冷却プレートは、前記第１の冷却プレートの周りに、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に間隙を設けて配置されたリングであり、前記第１の冷却プレートから熱的に絶縁され、前記第１の冷却プレート及び前記第２の冷却プレートが、冷却剤を循環させるように構成された冷却剤チャネルを含み、前記第１の冷却プレートの前記冷却剤チャネルは前記第２の冷却プレートの前記冷却剤チャネルから流体的に独立している、第２の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第１のガスチャネルと、
    前記セラミックリングの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第２のガスチャネルと、
    １または複数のシール要素であって、
    前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間、
    前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間、及び
    前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置され、
    前記シール要素は前記第２のガスチャネルから、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に配置された前記間隙へのガスの流れを低減するように寸法決めされかつ配置された、シール要素と
    を備える、
    プロセスキット。
  2. 前記セラミックリングの前記第１の側面は、上面を形成し、前記１又は複数のチャッキング電極は、前記上面と前記加熱要素との間に配置される、請求項１に記載のプロセスキット。
  3. 前記セラミックリングが窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含む、請求項１に記載のプロセスキット。
  4. 前記セラミックリングは、上部内側エッジにノッチを含む、請求項１に記載のプロセスキット。
  5. 前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間に配置された接合層を更に備える、請求項１に記載のプロセスキット。
  6. 基板処理チャンバで使用するための基板支持体であって、
    基板を支持するように構成された第１の側面と、前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックプレートであって、前記セラミックプレート内に埋め込まれた電極を含む、セラミックプレートと、
    前記セラミックプレートの前記第２の側面に結合された第１の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの周りに配置された、第１の側面と前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックリングであって、前記セラミックリング内に配置された１又は複数のチャッキング電極と、前記セラミックリング内に配置された加熱要素とを含み、前記セラミックプレート及び前記第１の冷却プレートから間隔を空けて配置される、セラミックリングと、
    前記セラミックリング上に配置されたエッジリングと、
    前記セラミックリングの前記第２の側面に結合された第２の冷却プレートであって、前記第２の冷却プレートは、前記第１の冷却プレートの周りに、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に間隙を設けて配置されたリングであり、前記第１の冷却プレートから熱的に絶縁され、前記第１の冷却プレート及び前記第２の冷却プレートが、冷却剤を循環させるように構成された冷却剤チャネルを含み、前記第１の冷却プレートの前記冷却剤チャネルは前記第２の冷却プレートの前記冷却剤チャネルから流体的に独立している、第２の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第１のガスチャネルと、
    前記セラミックリングの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第２のガスチャネルと、
    １または複数のシール要素であって、
    前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間、
    前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間、及び
    前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置され、
    前記シール要素は前記第２のガスチャネルから、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に配置された前記間隙へのガスの流れを低減するように寸法決めされかつ配置された、シール要素と
    を備える、基板支持体。
  7. 前記１又は複数のチャッキング電極は、負のパルスＤＣ電源に結合される、請求項６に記載の基板支持体。
  8. 前記エッジリングは角度の付いた内面を含む、請求項６に記載の基板支持体。
  9. 前記第１の冷却プレートは、前記第２の冷却プレート上に、その間に熱絶縁層を設けて配置される、請求項６に記載の基板支持体。
  10. プロセスチャンバであって、
    チャンバ本体であって、該チャンバ本体の内部領域内に配置された基板支持体を有し、前記基板支持体は、
    基板を支持するように構成された、第１の側面と前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックプレートであって、前記セラミックプレート内に埋め込まれた電極を含む、セラミックプレートと、
    前記セラミックプレートの前記第２の側面に結合された第１の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの周りに配置された、第１の側面と前記第１の側面に対向する第２の側面とを有するセラミックリングであって、前記セラミックリング内に配置された１又は複数のチャッキング電極と、前記セラミックリング内に配置された加熱要素とを含み、前記セラミックプレート及び前記第１の冷却プレートから間隔を空けて配置される、セラミックリングと、
    前記セラミックリング上に配置されたエッジリングと、
    前記セラミックリングの前記第２の側面に結合された第２の冷却プレートであって、前記第２の冷却プレートは、前記第１の冷却プレートの周りに、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に間隙を設けて配置されたリングであり、前記第１の冷却プレートから熱的に絶縁され、前記第１の冷却プレート及び前記第２の冷却プレートが、冷却剤を循環させるように構成された冷却剤チャネルを含み、前記第１の冷却プレートの前記冷却剤チャネルは前記第２の冷却プレートの前記冷却剤チャネルから流体的に独立している、第２の冷却プレートと、
    前記セラミックプレートの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第１のガスチャネルと、
    前記セラミックリングの前記第１の側面から前記第２の側面へ延在する第２のガスチャネルと、
    １または複数のシール要素であって、
    前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間、
    前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間、及び
    前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置され、
    前記シール要素は前記第２のガスチャネルから、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に配置された前記間隙へのガスの流れを低減するように寸法決めされかつ配置された、シール要素と、
    前記セラミックプレートの温度とは独立して前記セラミックリングの温度を制御するために、前記加熱要素に結合された電源と
    を含む、チャンバ本体を備える、プロセスチャンバ。
  11. 前記第１の冷却プレート及び前記第２の冷却プレートは、絶縁体上に配置される、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
  12. 前記第１の冷却プレートは、前記第２の冷却プレート上に、その間に熱絶縁層を設けて配置される、請求項１０に記載のプロセスチャンバ。
  13. 前記１または複数のシール要素は、少なくとも、
    前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間に配置されたＯリング、
    前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間に配置されたＯリング、及び
    前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置されたＯリング、の内の一つである、
    請求項６に記載の基板支持体。
  14. 前記第２の冷却プレートは、前記第１の冷却プレートと前記第２の冷却プレートとの間の接触なしに、前記第２の冷却プレートの下面から前記第１の冷却プレートの下側に配置された対応するノッチ内に半径方向内側に延在する環状タブを含み、前記Ｏリングは、前記環状タブと前記ノッチの間に配置されている、請求項１３に記載の基板支持体。
  15. 前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置された前記Ｏリングは、前記セラミックリング、前記エッジリング、および前記セラミックプレート間をシールするように寸法決めされ配置されている、請求項１３に記載の基板支持体。
  16. 前記セラミックリングの第１の側面は、上面を形成し、前記１又は複数のチャッキング電極は、前記上面と前記加熱要素との間に配置される、請求項６に記載の基板支持体。
  17. 前記セラミックリングが窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ ２ Ｏ ３ ）を含む、請求項６に記載の基板支持体。
  18. 前記セラミックリングは、上部内側エッジにノッチを含む、請求項６記載の基板支持体。
  19. 前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間に配置された接合層を更に備える、請求項６に記載の基板支持体。
  20. 前記セラミックリングと前記エッジリングとの間に配置された前記１または複数のシール要素は、前記接合層に近接して前記セラミックリングと前記第２の冷却プレートとの間に配置されたＯリングを含む、請求項１９に記載の基板支持体。
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