JP7375997B2 - クロス結合軌道を有する誘導形センサ装置 - Google Patents
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Description
1.それぞれが第1の波長で正弦波的又は余弦波的に変化する第1受信器信号の位相変調
2.スケールに沿うセンサユニットの位置で変化する第1受信器信号の振幅変調
3.スケールに沿うセンサユニットの位置で変化する第2受信器信号の振幅変調
21 内側ジョウ
22 外側ジョウ
23 誘導形センサ装置
24 スケール
25 センサユニット
26 第1軌道
27 第2軌道
28 第1スケール要素
29 第2スケール要素
30 送信器回路
31 受信器回路
32 制御ユニット
33 メモリ
34 第1送信器コイル
35 第2送信器コイル
36 AC電圧源
37 処理手段
40 第1受信器コイル配列
41 第2受信器コイル配列
42Aa 正弦波第2受信器コイル
42Bb 余弦波第2受信器コイル
44 スケールループ
45 軸方向導体部
46 横断導体部
50 第1スケール要素の内側部分
51 第1スケール要素の外側部分
52 上端
53 下端
55 ルックアップテーブル
I 軌跡上の第1位置
II 軌跡上の第2位置
II 軌跡上の第3位置
IV 軌跡上の第4位置
α 傾斜角
λ1 第1スケール波長
λ2 第2スケール波長
θ11 第1位置位相
θ22 第2位置位相
θA 振幅位相値
B1 第1磁場
B11 第1変調磁場
B2 第2磁場
B21 第2変調磁場
B22 第3変調磁場
B12 第4変調磁場
dy 変位
f1~fn 公差範囲
G 間隙
H オフセット
M1(x) 第1変調規則
M2(x) 第2変調規則
pd 変数
pm 変数
q1~qn 公差範囲
R1 第1の比
R2 第2の比
T 軌跡
u 第1二乗比
U1~U4 第1閾値
v 第2二乗比
V1~V4 第2閾値
w 幅
w1 第1幅
w2 第2幅
w3 第3幅
x 測定方向
X1 第1軸
X2 第2軸
y 横方向
Claims (16)
- 測定方向(x)に延在する第1軸(X1)に沿って配列された複数の第1スケール要素(28)を有する第1軌道(26)を少なくとも備えるスケール(24)と、
前記スケール(24)に対して前記測定方向(x)に相対的に移動可能であり、送信器回路(30)と受信器回路(31)とを備えるセンサユニット(25)であって、前記送信器回路(30)は第1送信器コイル(34)と第2送信器コイル(35)とを備える、センサユニット(25)と、
を備える誘導形センサ装置(23)であって、
前記第1スケール要素(28)は、前記第1送信器コイル(34)の第1磁場(B1)に対する第1磁束変調特性と、前記第2送信器コイル(35)の第2磁場(B2)に対する第2磁束変調特性とを提供し、前記第1磁束変調特性と第2磁束変調特性とは、互いに異なった測定方向への位置依存性で変化し、
前記送信器回路(30)と前記受信器回路(31)とに通信可能に接続された制御ユニット(32)が提供されて、前記制御ユニット(32)は、
第1受信器信号(S11(x)、C11(x))を生成するために、前記第1送信器コイル(34)と前記受信器回路(31)とを操作し、
第2受信器信号(S21(x)、C21(x))を生成するために、前記第2送信器コイル(35)と前記受信器回路(31)とを操作し、
少なくとも前記第1及び第2の受信器信号(S11(x)、C11(x)、S21(x)、C21(x))に依存する、測定方向(x)における前記センサユニット(25)の位置を計算する
ように適合された、誘導形センサ装置。 - 前記受信器回路(31)は、測定方向(x)に互いにずれた2つの受信器コイル(42a、42b)を有する、少なくとも1つの受信器コイル配列(40、41)を備える、
請求項1に記載の誘導形センサ装置。 - 前記送信器回路(30)は、前記第1及び第2の送信器コイル(34、35)を互いに独立して操作するように適合された、
請求項1又は請求項2に記載の誘導形センサ装置。 - 前記スケール(24)は、前記第1軸(X1)に平行な第2軸(X2)に沿って配列された複数の第2スケール要素(29)を有し、かつ磁束変調特性を有する第2軌道(27)を更に備える、
請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 前記制御ユニット(32)は、
第3受信器信号((S22(x)、C22(x)))を生成するための前記第2送信器コイル(35)と前記受信器回路(31)の操作、及び第4受信器信号((S12(x)、C12(x)))を生成するための前記第1送信器コイル(34)と前記受信器回路(31)の操作のうち少なくとも一方を実行し、
前記第3受信器信号及び第4受信器信号(S22(x)、C22(x)、S12(x)、C12(x))のうちの少なくとも1つに更に依存する、前記センサユニット(25)の測定方向(x)における位置を計算する
ように適合された、請求項4に記載の誘導形センサ装置。 - 第2スケール要素(29)のそれぞれは、前記第2軌道(27)に沿って、測定方向(x)の位置には依存しない同一の磁束変調特性を有する、
請求項4又は請求項5に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第2スケール要素(29)の全ては、前記第1軸(X1)に平行な同一の幅と、第1軸(X1)を横切る横方向(y)における同一の高さとを有する、
請求項6に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第1スケール要素(28)は、第1スケール波長(λ1)を定義するために測定方向(x)に等間隔に間隔をあけ、前記第2スケール要素(29)は、前記第1スケール波長(λ1)とは異なる第2スケール波長(λ2)を定義するために測定方向(x)に等間隔に間隔をあける、
請求項4~請求項7のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第1スケール波長(λ1)は、前記第1スケール要素(28)の第1磁束変調特性を定義する、請求項8に記載の誘導形センサ装置。
- 第1スケール要素(28)のそれぞれは、測定方向(x)の幅と、前記第1軸(X1)を横切る横方向(y)の高さを有し、
前記第1スケール要素(28)の前記第2磁束変調特性は、
測定方向(x)の位置により変化する、前記第1スケール要素(28)の少なくとも一部の幅と、
測定方向(x)の位置により変化する、前記第1スケール要素(28)の少なくとも一部の高さと、
測定方向(x)の位置により変化する、前記第1スケール要素(28)の横方向(y)における横方向位置と、
のうちの少なくとも1つによって定義される、
請求項1~請求項9のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 第1スケール要素(28)のそれぞれは、前記第1軸(X1)の片側に内側部分(50)と、前記第1軸(X1)の反対側に外側部分(51)とを有し、
前記第1スケール要素(28)の少なくとも前記内側部分(50)又は前記外側部分(51)の磁束変調特性は、前記第1スケール要素(28)の前記第2磁束変調特性を定義するために前記第1軌道(26)に沿う測定方向(x)の位置に依存して変化する、
請求項1~請求項10のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第1スケール要素(28)の前記内側部分(50)は、測定方向(x)の位置に依存する第1規則(M1)に従って変化する磁束変調特性を有し、
前記第1スケール要素(28)の外側部分(51)は、測定方向(x)の位置に依存する第2規則(M2)に従って変化する磁束変調特性を有する、
請求項11に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第1規則(M1)と前記第2規則(M2)とは互いに異なる、請求項12に記載の誘導形センサ装置。
- 前記制御ユニット(32)は、少なくとも前記第1及び第2の受信器信号(S11(x)、C11(x)、S21(x)、C21(x))に依存する所定の閾値(U1~U4、V1~V4)により識別可能な振幅位相値(θA)を含むルックアップテーブル(55)が格納されるメモリ(33)と通信可能に接続される、
請求項1~請求項13のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 前記第1スケール要素(28)及び第2スケール要素(29)のうち少なくとも一方は閉鎖導体ループ(44)である、
請求項1~請求項14のいずれか一項に記載の誘導形センサ装置。 - 各導体ループ(44)は主として測定方向(x)に延在する2つの側方導体部(45)と主として横方向(y)に延在する2つの横断導体部(46)とを有し、前記側方導体部(45)の幅(w1)は前記横断導体部(46)の幅(w2)より大きい、
請求項15に記載の誘導形センサ装置。
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