JP7372164B2 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents
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Description
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置100の全体構成の例を示す図である。図1に例が示されるように、基板処理装置100は、処理対象である基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのflat panel display(FPD)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
本実施の形態における超音波センサー、特に、少なくとも超音波センサー63は、たとえばクランプオン式であり、配管の周囲に巻き付けられる態様で設けられる。また、本実施の形態における超音波センサーは、巻き付けられている配管の内径を測定する内径測定機能と、巻き付けられている配管を流れる処理液の流量(単位時間当たりの量、および、単位時間当たりの量に吐出時間を乗じて算出される積算流量を含む)を測定する流量測定機能とを有する。単位時間当たりの量の場合にポンプの吐出時間を乗じることによって、積算流量が導き出される。
以下、基板処理装置100の動作のうち、特に処理液を吐出する動作について説明する。以下では、図2に示された構成のうち、たとえば、塗布液供給源69から塗布液が供給され、基板Wに対してノズル18から塗布液が吐出される場合について説明する。
図4は、内径測定の変形例1に関する模式図である。図4において、配管201は図の奥行き方向(X軸方向)に延びるものとし、配管201のX軸方向に延びる中心軸を軸X0とする。また、配管201には、処理液203が流れているものとする。また、配管201で反射する超音波に関連して模式的に示される反射波の波形図は、波形A1、波形A2および波形A3に加えて、波形A4を示している。波形A4は、超音波センサー200に対向しない内側面201Bと処理液203との境界で反射した際の超音波の波形を示している。
超音波センサーを、たとえば配管の周りに超音波の出力方向が互いに直交するように複数配置して、超音波センサーから配管に対して異なる方向から超音波が出力されることによって、配管の内径を異なる方向から複数測定したり、配管の延びる方向に複数の超音波センサーを配置して、それぞれの超音波センサーの位置において配管の内径が測定されることによって、配管が延びる方向における配管の内径の変化(たとえば、配管の端部同士での内径の変化)を測定したりすることができる。また、たとえば、同じ超音波センサーで複数回測定された配管の内径値の平均を用いることによって、内径の測定精度を向上させることができる。
基板処理装置100における基板Wの処理は、たとえば、薬液処理、リンス処理、置換処理、充填材充填処理および乾燥処理の順で行われる。図6は、基板処理装置100における基板Wの処理の流れの一例を示す図である。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、積算流量を所定の値にするためポンプの出力を制御することで記載したが、積算流量は単位時間当たりの量と吐出時間とから調整してもよい。それぞれの構成要素の寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
3 処理液供給系
5 制御系
7 スピンチャック
9 処理カップ
11 回転駆動モータ
15 支持ピン
17,18,19,21 ノズル
20,62,66 ノズルアーム
23,25,27,68,201 配管
29 薬液供給源
29A,45A,67 ポンプ
31,39,47,65 流量調整弁
33,41,49,61 吐出バルブ
35,43,51,63,200,200D 超音波センサー
37 DIW供給源
45 IPA供給源
53 制御部
55 記憶部
57 報知部
59 演算部
69 塗布液供給源
100 基板処理装置
102 インデクサ部
103 搬送部
201A 外側面
201B 内側面
201C 流路
202 反射部材
203 処理液
Claims (14)
- 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、
前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、
前記配管の内径である第1の内径を測定するための少なくとも1つの内径測定器と、
入力される前記配管の内径に基づいて、前記配管を流れる前記処理液の流量を超音波を用いて測定するための流量測定器と、
前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第1の流量と、前記第1の内径を用いて前記流量測定器によって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第2の流量とを比較し、
前記第2の流量が前記第1の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であり、
前記処理液は、ポリマーである、
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であり、
前記制御部は、前記第1の内径に基づいて、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力を制御する、
基板処理装置。 - 請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記制御部は、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力時間を制御する、
基板処理装置。 - 請求項1から4のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記内径測定器を複数備え、
それぞれの前記内径測定器は、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される、
基板処理装置。 - 請求項1から5のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記内径測定器を複数備え、
それぞれの前記内径測定器は、前記配管の周方向における複数箇所に配置される、
基板処理装置。 - 請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記内径測定器は、超音波センサーである、
基板処理装置。 - 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、
前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、
前記配管の内径である第1の内径を測定し、かつ、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定するための少なくとも1つの超音波センサーと、
前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、
前記制御部は、
前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第1の流量と、前記第1の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第2の流量とを比較し、
前記第2の流量が前記第1の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であり、
前記超音波センサーを複数備え、
それぞれの前記超音波センサーは、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される、
基板処理装置。 - 請求項8または9に記載の基板処理装置であり、
前記超音波センサーを複数備え、
それぞれの前記超音波センサーは、前記配管の周方向における複数箇所に配置される、
基板処理装置。 - 請求項1から10のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記制御部は、前記第1の内径と、前記配管の内径の規格値である第2の内径とを用いて誤差率を算出し、かつ、前記誤差率を用いて測定される前記第2の流量が前記第1の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
基板処理装置。 - 請求項11に記載の基板処理装置であり、
前記誤差率があらかじめ定められたしきい値よりも大きい場合に警報を発報する報知部をさらに備える、
基板処理装置。 - 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための基板処理方法であり、
前記配管の内径である第1の内径を測定する工程と、
超音波センサーを用いて、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定する工程と、
前記配管を介して前記基板を処理するための前記処理液を送液するためのポンプの出力を制御する工程とを備え、
前記ポンプの出力を制御する工程は、
前記基板の処理のためにあらかじめ設定された前記処理液の第1の流量と、前記第1の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記基板の処理のために送液される前記処理液の第2の流量とを比較し、さらに、前記第2の流量が前記第1の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する工程である、
基板処理方法。 - 請求項13に記載の基板処理方法であり、
前記第1の内径を測定する工程は、前記配管内に前記処理液が流れている状態で前記第1の内径を測定する工程である、
基板処理方法。
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