JP7366341B2 - Etching method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置や電子機器等の製造等に有用なエッチング処理方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an etching method useful for manufacturing semiconductor devices, electronic devices, etc.
高耐圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム(Ga2O3)を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置への適用が期待されている。しかも、広いバンドギャップからLEDやセンサー等の受発光装置としての応用も期待されている。当該酸化ガリウムは非特許文献1によると、インジウムやアルミニウムをそれぞれ、あるいは組み合わせて混晶することによりバンドギャップ制御することが可能であり、InAlGaO系半導体として極めて魅力的な材料系統を構成している。ここでInAlGaO系半導体とはInXAlYGaZO3(0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X+Y+Z=1.5~2.5)を示し、酸化ガリウムを内包する同一材料系統として俯瞰することができる。 Semiconductor devices using gallium oxide (Ga 2 O 3 ), which has a large band gap, are attracting attention as next-generation switching elements that can achieve high voltage resistance, low loss, and high heat resistance, and are expected to be used in power semiconductor devices such as inverters. Application is expected. Moreover, due to its wide bandgap, it is also expected to be applied to light receiving and emitting devices such as LEDs and sensors. According to Non-Patent Document 1, the bandgap of gallium oxide can be controlled by mixing indium and aluminum individually or in combination, and constitutes an extremely attractive material system as an InAlGaO semiconductor. . Here, InAlGaO-based semiconductor refers to In X Al Y Ga Z O 3 (0≦X≦2, 0≦Y≦2, 0≦Z≦2, It can be viewed from a bird's-eye view as the same material system.
しかしながら、酸化ガリウムはHF等のエッチング液を用いてエッチング処理に付してもなかなかエッチングできないという問題があった。基板または半導体膜もしくは絶縁膜等のエッチング対象物に、エッチング処理を、液体材料を用いて行う技術が知られており、例えば、スプレー法等を用いたエッチング処理方法が一般的に知られている。中でも、霧化された液体原料(ミスト)を用いることにより、エッチング対象物に対してエッチング処理を行う方法が検討されている。また、近年においては、半導体装置や電子機器等の製造工程で、サブミクロンオーダーのパターン形成が行われるため、例えば、段差被覆が、ミストを用いる場合でも困難になる問題が生じていた。そのため、半導体装置や電子機器等の製造に有用な、エッチング対象物へのエッチング処理をナノレベルで制御できる処理方法が待ち望まれていた。 However, there is a problem in that gallium oxide cannot be easily etched even if it is subjected to an etching process using an etching solution such as HF. Techniques are known in which an etching target such as a substrate, a semiconductor film, or an insulating film is subjected to an etching process using a liquid material. For example, an etching process method using a spray method is generally known. . Among these, a method of etching an object to be etched by using an atomized liquid raw material (mist) has been studied. Furthermore, in recent years, patterns on the order of submicrons are formed in the manufacturing process of semiconductor devices, electronic devices, etc., which has led to the problem that, for example, it is difficult to cover steps even when using mist. Therefore, a processing method that is useful in manufacturing semiconductor devices, electronic equipment, etc. and that can control etching on an etching target at the nano-level has been awaited.
特許文献1には、10μm以下の平均粒径を有するマイクロミストを半導体ウエハの表面に噴霧して、ウエハ上の既存構造物を溶解除去するエッチング処理を行うことが記載されている。しかしながら、特許文献1に記載のエッチング処理方法では、酸化ガリウムをエッチングするにはまだまだ不十分であり、酸化ガリウムを良好にエッチングできるエッチング処理方法が待ち望まれていた。 Patent Document 1 describes that an etching process is performed in which existing structures on the wafer are dissolved and removed by spraying a micro mist having an average particle size of 10 μm or less onto the surface of a semiconductor wafer. However, the etching method described in Patent Document 1 is still insufficient for etching gallium oxide, and an etching method that can satisfactorily etch gallium oxide has been desired.
特許文献2には、ファインチャネル方式のミストエッチング装置が記載されており、塩酸あるいは塩酸と硝酸の混合物からなるエッチング原料と純水からなる溶媒とから構成されたエッチング液を用いて酸化亜鉛等のエッチング対象物にエッチング処理を施すことが記載されている。しかしながら、特許文献2に記載のエッチング処理方法では、酸化ガリウムを良好にエッチングすることが困難であり、エッチング量も少なく工業的に適用可能なエッチング処理方法が待ち望まれていた。 Patent Document 2 describes a fine channel type mist etching apparatus, in which zinc oxide, etc. It is described that an etching process is performed on an object to be etched. However, with the etching method described in Patent Document 2, it is difficult to properly etch gallium oxide, and an industrially applicable etching method with a small amount of etching has been desired.
本発明は、工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することができるエッチング処理方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching method capable of etching an object to be etched with industrial advantage.
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、エッチング対象物にエッチング液を用いてエッチング処理する方法において、エッチング液として、臭化水素酸を適用し、200℃以上の高温下でエッチング処理することにより、エッチングが困難な酸化ガリウムであっても良好にエッチングすることができることを見出した。また、このようなエッチング処理方法が、上記した従来の問題を一挙に解決できるものであることを見出した。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて、本発明を完成させるに至った。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have developed a method for etching an object to be etched using an etching solution. It has been found that even gallium oxide, which is difficult to etch, can be satisfactorily etched by etching with . It has also been found that such an etching treatment method can solve the above-mentioned conventional problems all at once.
Further, after obtaining the above knowledge, the present inventors conducted further studies and completed the present invention.
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
[1] エッチング対象物にエッチング液を用いてエッチング処理する方法であって、前記エッチング液が、臭素を含み、前記エッチング処理を、200℃よりも高い温度下で行うことを特徴とするエッチング処理方法。
[2] 前記エッチング対象物が、アルミニウムまたは/およびガリウムを少なくとも含む前記[1]記載のエッチング処理方法。
[3] 前記エッチング対象物が、ガリウムを少なくとも含む前記[1]または[2]に記載のエッチング処理方法。
[4] 前記エッチング対象物が、コランダム構造を有する前記[1]~[3]のいずれかに記載のエッチング処理方法。
[5] 前記エッチング対象物が、酸化ガリウムを含む前記[1]~[4]のいずれかに記載のエッチング処理方法。
[6] 前記エッチング処理を、400℃以上の温度下で行う前記[1]~[5]のいずれかに記載のエッチング処理方法。
[7] 前記エッチング処理を、前記エッチング液を含む霧化液滴を用いて行う前記[1]~[6]のいずれかに記載のエッチング処理方法。
[8] 前記霧化液滴が、前記エッチング液を霧化して液滴を浮遊させ、ついで、キャリアガスを用いて搬送されるものである前記[7]記載のエッチング処理方法。
[9] 前記キャリアガスが、不活性ガスである前記[8]記載のエッチング処理方法。
[10] エッチング処理方法を用いて半導体装置を製造する方法であって、前記エッチング処理方法が、前記[1]~[9]のいずれかに記載のエッチング処理方法である半導体装置の製造方法。
[11] エッチング処理方法を用いて製品を製造する方法であって、前記エッチング処理方法が、前記[1]~[9]のいずれかに記載のエッチング処理方法である製品の製造方法。
That is, the present invention relates to the following inventions.
[1] A method of etching an object to be etched using an etching liquid, the etching liquid containing bromine, and the etching process being carried out at a temperature higher than 200°C. Method.
[2] The etching method according to [1], wherein the object to be etched contains at least aluminum and/or gallium.
[3] The etching method according to [1] or [2], wherein the object to be etched contains at least gallium.
[4] The etching method according to any one of [1] to [3], wherein the object to be etched has a corundum structure.
[5] The etching method according to any one of [1] to [4] above, wherein the object to be etched contains gallium oxide.
[6] The etching treatment method according to any one of [1] to [5], wherein the etching treatment is performed at a temperature of 400° C. or higher.
[7] The etching treatment method according to any one of [1] to [6], wherein the etching treatment is performed using atomized droplets containing the etching solution.
[8] The etching processing method according to [7], wherein the atomized droplets atomize the etching liquid to suspend the droplets, and then are transported using a carrier gas.
[9] The etching method according to [8], wherein the carrier gas is an inert gas.
[10] A method of manufacturing a semiconductor device using an etching method, wherein the etching method is the etching method according to any one of [1] to [9].
[11] A method of manufacturing a product using an etching treatment method, wherein the etching treatment method is the etching treatment method according to any one of [1] to [9] above.
本発明のエッチング処理方法によれば、工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することができる。 According to the etching method of the present invention, an object to be etched can be etched with industrial advantage.
本発明のエッチング処理方法は、エッチング対象物にエッチング液を用いてエッチング処理する方法であって、前記エッチング液が、臭素を含み、前記エッチング処理を、200℃よりも高い温度下で行うことを特長とする。 The etching treatment method of the present invention is a method of etching an object to be etched using an etching solution, the etching solution containing bromine, and the etching treatment being performed at a temperature higher than 200°C. Features:
(エッチング液)
前記エッチング液は、臭素を含んでおり、前記エッチング対象物をエッチング処理できるものであれば、特に限定されない。また、前記エッチング液は、さらに、無機材料を含んでいてもよいし、有機材料を含んでいてもよい。本発明においては、前記エッチング液が、臭化水素を含むのが、より良好にエッチング処理を行うことができるので、好ましい。なお、前記エッチング液の溶媒は、特に限定されないが、無機溶媒であるのが好ましく、極性溶媒であるのがより好ましく、水であるのが最も好ましい。前記エッチング液の濃度は、特に限定されないが、体積比で前記エッチング液の溶媒に対して5%以上であるのが好ましく、10%以上であるのがより好ましく、20%であるのが最も好ましい。前記濃度の上限は、霧化または液滴化が可能な範囲であれば、特に限定されない。
(etching solution)
The etching solution is not particularly limited as long as it contains bromine and can etch the object to be etched. Further, the etching solution may further contain an inorganic material or an organic material. In the present invention, it is preferable that the etching solution contains hydrogen bromide because the etching process can be performed better. Note that the solvent of the etching solution is not particularly limited, but is preferably an inorganic solvent, more preferably a polar solvent, and most preferably water. The concentration of the etching solution is not particularly limited, but it is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and most preferably 20% by volume based on the solvent of the etching solution. . The upper limit of the concentration is not particularly limited as long as atomization or droplet formation is possible.
(エッチング対象物)
前記エッチング対象物は、前記エッチング液を用いてエッチング処理可能なものであれば、特に限定されない。前記エッチング対象物の材料も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の材料であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記エッチング対象物の形状は、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、膜状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられる。本発明においては、前記エッチング対象物が、膜状であるのが好ましい。本発明の態様においては、前記エッチング対象物が、アルミニウムまたは/およびガリウムを少なくとも含むのが好ましく、アルミニウムまたは/およびガリウム含有酸化物を含むのがより好ましく、酸化アルミニウムおよび/または酸化ガリウムを含むのがさらにより好ましく、酸化ガリウムを含むのが最も好ましい。また、前記エッチング対象物は、結晶であるのが好ましく、コランダム構造、β―ガリア構造、または六方晶構造を有するのがより好ましく、コランダム構造を有するのが最も好ましい。
(Object to be etched)
The object to be etched is not particularly limited as long as it can be etched using the etching solution. The material of the object to be etched is not particularly limited as long as it does not impede the object of the present invention, and may be any known material, such as an organic compound or an inorganic compound. The shape of the object to be etched may be any shape, and is effective for all shapes, such as plate shapes such as flat plates and disks, film shapes, fiber shapes, rod shapes, and column shapes. , prismatic, cylindrical, spiral, spherical, ring-shaped, etc. In the present invention, it is preferable that the object to be etched is in the form of a film. In an aspect of the present invention, the object to be etched preferably contains at least aluminum or/and gallium, more preferably contains an oxide containing aluminum or/and gallium, and more preferably contains an oxide containing aluminum oxide and/or gallium oxide. is even more preferred, and most preferably contains gallium oxide. Further, the object to be etched is preferably a crystal, more preferably has a corundum structure, a β-gallium structure, or a hexagonal structure, and most preferably has a corundum structure.
前記エッチング対象物は、基体等と一体化されていてもよく、本発明においては、基体上に直接または他の層を介して、積層されているものであるのが好ましい。前記基体は、前記エッチング対象物を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。 The object to be etched may be integrated with a substrate or the like, and in the present invention, it is preferably laminated on the substrate directly or via another layer. The substrate is not particularly limited as long as it can support the object to be etched. The material of the substrate is not particularly limited as long as it does not impede the object of the present invention, and may be a known substrate, an organic compound, or an inorganic compound. The shape of the substrate may be any shape, and is effective for all shapes, such as plate shapes such as flat plates and disks, fiber shapes, rod shapes, cylinder shapes, prismatic shapes, Examples include a cylindrical shape, a spiral shape, a spherical shape, a ring shape, etc., but a substrate is preferable in the present invention. The thickness of the substrate is not particularly limited in the present invention.
前記基板は、板状であって、前記エッチング対象物の支持体となるものであれば特に限定されない。絶縁体基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、導電性基板であってもよいが、前記基板が、絶縁体基板であるのが好ましく、また、表面に金属膜を有する基板であるのも好ましい。前記基板としては、好適には例えば、コランダム構造を有する基板などが挙げられる。基板材料は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知のものであってよい。前記のコランダム構造を有する基板としては、例えば、コランダム構造を有する基板材料を少なくとも表面の一部に有する基板であってもよい。また、コランダム構造を有する基板材料を主成分とする下地基板であってもよく、より具体的には例えば、サファイア基板(好ましくはc面サファイア基板)やα型酸化ガリウム基板などが挙げられる。ここで、「主成分」とは、前記特定の結晶構造を有する基板材料が、原子比で、基板材料の全成分に対し、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上、更に好ましくは90%以上含まれることを意味し、100%であってもよいことを意味する。
前記基体上に前記エッチング対象物を積層する手段は、公知の手段であってもよい。
The substrate is not particularly limited as long as it has a plate shape and serves as a support for the object to be etched. The substrate may be an insulating substrate, a semiconductor substrate, or a conductive substrate, but it is preferable that the substrate is an insulating substrate and has a metal film on the surface. It is also preferable that it is a substrate. Preferably, the substrate includes, for example, a substrate having a corundum structure. The substrate material is not particularly limited and may be any known material as long as it does not impede the purpose of the present invention. The substrate having a corundum structure may be, for example, a substrate having at least part of its surface a substrate material having a corundum structure. Further, it may be a base substrate mainly composed of a substrate material having a corundum structure, and more specifically, for example, a sapphire substrate (preferably a c-plane sapphire substrate) or an α-type gallium oxide substrate can be mentioned. Here, the term "main component" means that the substrate material having the specific crystal structure preferably accounts for 50% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably 90% of the total components of the substrate material in terms of atomic ratio. % or more, and may even be 100%.
The means for laminating the object to be etched on the base may be a known means.
本発明においては、前記エッチング液を用いて前記エッチング対象物を200℃よりも高い温度下でエッチング処理する。前記エッチング処理手段は、前記エッチング液を用いて前記エッチング対象物をエッチング処理できる手段であれば、特に限定されない。本発明においては、前記エッチング処理を、前記エッチング液を含む霧化液滴を用いて行うのが好ましく、前記エッチング対象物に前記エッチング液を含む霧化液滴を反応させることにより行うのがより好ましい。前記霧化液滴は、前記エッチング液を霧化または液滴化したものであれば、特に限定されない。霧化手段または液滴化手段は、前記エッチング液を霧化し、液滴を浮遊させ、霧化液滴を発生させる手段であるのが好ましい。本発明においては、霧化液滴を発生させる手段が、超音波を用いる霧化手段または液滴化手段であるのが好ましい。超音波を用いて得られた霧化液滴は、初速度がゼロであり、空中に浮遊するので好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊してガスとして搬送することが可能な霧化液滴であるので衝突エネルギーによる損傷がないため、非常に好適である。本発明においては、前記霧化液滴が、前記エッチング液を霧化または液滴化し、ついで、キャリアガスを用いて搬送されたものであるのが好ましい。また、前記エッチング処理温度は、200℃より高い処理温度であれば、特に限定されないが、本発明においては、前記処理温度が、400℃以上であるのが好ましい。 In the present invention, the object to be etched is etched using the etching solution at a temperature higher than 200°C. The etching treatment means is not particularly limited as long as it is a means capable of etching the object to be etched using the etching solution. In the present invention, the etching process is preferably carried out using atomized droplets containing the etching solution, and more preferably carried out by causing the etching object to react with the atomized droplets containing the etching solution. preferable. The atomized droplets are not particularly limited as long as the etching solution is atomized or dropletized. It is preferable that the atomizing means or droplet forming means is a means for atomizing the etching solution, suspending the droplets, and generating atomized droplets. In the present invention, the means for generating atomized droplets is preferably an atomization means or a droplet formation means using ultrasonic waves. Atomized droplets obtained using ultrasound are preferable because they have an initial velocity of zero and float in the air.For example, rather than being sprayed like a spray, they can be suspended in space and transported as a gas. Since it is possible to atomize droplets, there is no damage due to collision energy, which is very suitable. In the present invention, it is preferable that the atomized droplets are those obtained by atomizing or forming droplets the etching liquid, and then conveying the etching liquid using a carrier gas. Further, the etching temperature is not particularly limited as long as it is higher than 200°C, but in the present invention, it is preferable that the etching temperature is 400°C or higher.
本発明においては、前記霧化液滴を、キャリアガスを用いて搬送するのが好ましい。前記キャリアガスは、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが好適な例として挙げられる。また、キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、流量を下げた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01~20L/分であるのが好ましく、1~10L/分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、0.001~2L/分であるのが好ましく、0.1~1L/分であるのがより好ましい。 In the present invention, it is preferable to transport the atomized droplets using a carrier gas. The carrier gas is not particularly limited as long as it does not impede the purpose of the present invention, and suitable examples include oxygen, ozone, inert gases such as nitrogen and argon, and reducing gases such as hydrogen gas and forming gas. Can be mentioned. Further, the number of types of carrier gas may be one, but it may be two or more types, and a diluted gas with a lowered flow rate (for example, 10 times diluted gas, etc.) may be further used as the second carrier gas. Good too. Further, the number of locations where the carrier gas is supplied is not limited to one location, but may be two or more locations. The flow rate of the carrier gas is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 L/min, more preferably 1 to 10 L/min. In the case of diluent gas, the flow rate of the diluent gas is preferably 0.001 to 2 L/min, more preferably 0.1 to 1 L/min.
前記反応は、前記霧化液滴を用いて前記エッチング対象物をエッチング処理可能な反応であればそれでよく、化学的な反応を含んでいてもよいし、熱による熱反応を含んでいてもよい。本発明では、前記エッチング処理を、通常、200℃より高い温度で行うが、本発明においては、350℃以上が好ましく、400℃以上がより好ましい。本発明においては、このよう高温であっても、安定的且つ良好に前記エッチング対象物をエッチング処理することができる。上限については、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、1900℃以下が好ましく、1400℃以下がより好ましい。また、前記反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよいが、非酸素雰囲気下または酸素雰囲気下で行われるのが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行われるのがより好ましい。また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、エッチング量は、エッチング処理時間を調整することにより、設定することができる。 The reaction may be any reaction as long as the object to be etched can be etched using the atomized droplets, and may include a chemical reaction or a thermal reaction due to heat. . In the present invention, the etching process is usually performed at a temperature higher than 200°C, but in the present invention, the temperature is preferably 350°C or higher, and more preferably 400°C or higher. In the present invention, even at such high temperatures, the object to be etched can be etched stably and favorably. The upper limit is not particularly limited as long as it does not impede the object of the present invention, but is preferably 1900°C or lower, more preferably 1400°C or lower. Further, the reaction may be carried out under any atmosphere including vacuum, non-oxygen atmosphere, reducing gas atmosphere and oxygen atmosphere, as long as the purpose of the present invention is not impaired. It is preferable to carry out under an atmosphere, and it is more preferable to carry out under an inert gas atmosphere. Further, although it may be carried out under any of atmospheric pressure, increased pressure, and reduced pressure, in the present invention, it is preferable to carry out under atmospheric pressure. Note that the etching amount can be set by adjusting the etching processing time.
前記エッチング処理方法は、種々の製品の製造工程において適用することが可能であり、好適には、半導体装置の製造工程等に用いられる。前記半導体装置としては、例えば、ダイオード、トランジスタ、JBSなどが挙げられる。前記製品としては、前記半導体装置以外には、例えば、デジタルカメラ、プリンタ、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のCPU搭載電子装置や、掃除機、アイロン等の電源ユニット搭載電子装置等、モータ、駆動機構、電気自動車、電機飛行機、小型電動機器やMEMS等の駆動電子装置等が挙げられる。 The etching treatment method can be applied in the manufacturing process of various products, and is preferably used in the manufacturing process of semiconductor devices. Examples of the semiconductor device include a diode, a transistor, and a JBS. In addition to the semiconductor devices, the products include, for example, CPU-equipped electronic devices such as digital cameras, printers, projectors, personal computers, and mobile phones, electronic devices equipped with power supply units such as vacuum cleaners and irons, motors, drives, etc. Examples include mechanisms, electric vehicles, electric airplanes, small electric devices, and driving electronic devices such as MEMS.
以下、本発明のエッチング処理方法を製品(半導体装置)の製造工程に適用して製品(半導体装置)を製造する例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail using an example of manufacturing a product (semiconductor device) by applying the etching method of the present invention to the manufacturing process of the product (semiconductor device), but the present invention is not limited to this. It is not something that will be done.
図5は、本発明のエッチング処理方法を適用して製造する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を模式的に示す断面図である。図5のMOSFETは、トレンチ型のMOSFETであり、n-型半導体層131a、第1のn+型半導体層131b及第2のn+型半導体層131c、ゲート絶縁膜134、ゲート電極135a、ソース電極135bおよびドレイン電極135cを備えている。ドレイン電極135c上には、例えば厚さ100nm~100μmの第1のn+型半導体層131bが形成されており、第1のn+型半導体層131b上には、例えば厚さ100nm~100μmのn-型半導体層131aが形成されている。そして、さらに、前記n-型半導体層131a上には、第2のn+型半導体層131cが形成されており、第2のn+型半導体層131c上には、ソース電極135bが形成されている。 FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) manufactured by applying the etching method of the present invention. The MOSFET in FIG. 5 is a trench-type MOSFET, which includes an n-type semiconductor layer 131a, a first n+-type semiconductor layer 131b, a second n+-type semiconductor layer 131c, a gate insulating film 134, a gate electrode 135a, and a source electrode 135b. and a drain electrode 135c. A first n+ type semiconductor layer 131b with a thickness of 100 nm to 100 μm, for example, is formed on the drain electrode 135c, and an n- type semiconductor layer 131b with a thickness of 100 nm to 100 μm, for example, is formed on the first n+ type semiconductor layer 131b. A semiconductor layer 131a is formed. Furthermore, a second n+ type semiconductor layer 131c is formed on the n- type semiconductor layer 131a, and a source electrode 135b is formed on the second n+ type semiconductor layer 131c.
また、前記n-型半導体層131a及び前記第2のn+型半導体層131c内には、第2のn+型半導体層131cを貫通し、前記n-型半導体層131aの途中まで達する深さの複数のトレンチ溝が形成されている。前記トレンチ溝内には、例えば、10nm~1μmの厚みのゲート絶縁膜134を介してゲート電極135aが埋め込み形成されている。 Further, in the n- type semiconductor layer 131a and the second n+ type semiconductor layer 131c, there are a plurality of depths that penetrate the second n+ type semiconductor layer 131c and reach halfway through the n- type semiconductor layer 131a. A trench groove is formed. A gate electrode 135a is buried in the trench via a gate insulating film 134 having a thickness of, for example, 10 nm to 1 μm.
図6は、図5のMOSFETの製造工程の一部を示している。例えば図6(a)に示すような半導体構造を用いて、n-型半導体層131aおよび第2のn+型半導体層131cの所定領域にエッチングマスクを設け、前記エッチングマスクをマスクにして、本発明のエッチング処理方法を用いてエッチング処理を行って、図6(b)に示すように、第2の「n+型半導体層131c表面から前記n-型半導体層131aの途中にまで達する深さのトレンチ溝を形成する。なお、エッチング液およびエッチング処理条件としては、上記したエッチング液およびエッチング処理条件等が挙げられる。前記n型+型半導体層131cおよびn-型半導体層131aがいずれもα-Ga2O3を主成分として含む場合、前記エッチング液として、臭素を含むエッチング液を用いて、本発明のエッチング処理方法でもってエッチング処理を行うことにより、α-Ga2O3を含むデバイスをより工業的有利に製造することができる。次いで、図6(c)に示すように、熱酸化法、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等の公知の手段を用いて、前記トレンチ溝の側面及び底面に、例えば50nm~1μm厚のゲート絶縁膜134を形成した後、CVD法、真空蒸着法、スパッタリング法等を用いて、前記トレンチ溝に、例えばポリシリコン等のゲート電極材料135aをn-型半導体層の厚み以下に形成する。 FIG. 6 shows part of the manufacturing process of the MOSFET shown in FIG. For example, using a semiconductor structure as shown in FIG. 6(a), etching masks are provided in predetermined regions of the n- type semiconductor layer 131a and the second n+-type semiconductor layer 131c, and the etching mask is used as a mask to perform the present invention. As shown in FIG. 6(b), etching is performed using the etching method described above to form a trench with a depth reaching from the surface of the second n+ type semiconductor layer 131c to partway through the n- type semiconductor layer 131a. The etching solution and etching treatment conditions include the etching solution and etching treatment conditions described above.The n-type + type semiconductor layer 131c and the n- type semiconductor layer 131a are both made of α-Ga. 2 O 3 as a main component, the device containing α-Ga 2 O 3 can be further improved by etching using the etching method of the present invention using an etching solution containing bromine as the etching solution. It can be produced industrially advantageously.Next, as shown in FIG. 6(c), the side surfaces of the trench groove and After forming a gate insulating film 134 with a thickness of, for example, 50 nm to 1 μm on the bottom surface, an n-type gate electrode material 135a such as polysilicon is deposited in the trench groove using a CVD method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness is formed to be less than the thickness of the semiconductor layer.
そして、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等の公知の手段を用いて、n+型半導体層131c上にソース電極135bを、n+型半導体層131b上にドレイン電極135cを、それぞれ形成することで、パワーMOSFETを製造することができる。なお、ソース電極およびドレイン電極の電極材料は、それぞれ公知の電極材料であってもよく、前記電極材料としては、例えば、Al、Mo、Co、Zr、Sn、Nb、Fe、Cr、Ta、Ti、Au、Pt、V、Mn、Ni、Cu、Hf、W、Ir、Zn、In、Pd、NdもしくはAg等の金属またはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン又はポリピロ-ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物などが挙げられる。 Then, by forming a source electrode 135b on the n+ type semiconductor layer 131c and a drain electrode 135c on the n+ type semiconductor layer 131b using known means such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a CVD method, Power MOSFETs can be manufactured. Note that the electrode material of the source electrode and the drain electrode may be each known electrode material, and examples of the electrode material include Al, Mo, Co, Zr, Sn, Nb, Fe, Cr, Ta, and Ti. , Au, Pt, V, Mn, Ni, Cu, Hf, W, Ir, Zn, In, Pd, Nd or Ag or their alloys, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) ), a metal oxide conductive film such as indium zinc oxide (IZO), an organic conductive compound such as polyaniline, polythiophene or polypyrrole, or a mixture thereof.
図7は、本発明のエッチング処理方法を適用して製造するジャンクションバリアショットキーダイオード(JBS)を模式的に示す断面図である。図7の半導体装置は、n型半導体層3と、前記n型半導体層3上に設けられておりかつ前記n型半導体層3との間にショットキーバリアを形成可能な電極(バリア電極)2と、電極(バリア電極)2とn型半導体層3との間に設けられておりかつ前記n型半導体層3との間に電極(バリア電極)2のショットキーバリアのバリアハイトよりも大きなバリアハイトのショットキーバリアを形成可能なp型半導体とを含んでいる。なお、p型半導体1はn型半導体層3に埋め込まれている。 FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a junction barrier Schottky diode (JBS) manufactured by applying the etching treatment method of the present invention. The semiconductor device in FIG. 7 includes an n-type semiconductor layer 3 and an electrode (barrier electrode) 2 provided on the n-type semiconductor layer 3 and capable of forming a Schottky barrier between the n-type semiconductor layer 3 and the n-type semiconductor layer 3. and a barrier height larger than the Schottky barrier height of the electrode (barrier electrode) 2 provided between the electrode (barrier electrode) 2 and the n-type semiconductor layer 3 and between the n-type semiconductor layer 3 and the electrode (barrier electrode) 2. and a p-type semiconductor capable of forming a Schottky barrier. Note that the p-type semiconductor 1 is embedded in the n-type semiconductor layer 3.
以下、図8を用いて、図7の半導体装置の好ましい製造工程等を説明する。図8(a)は、n型半導体層3としての半導体基板上にオーミック電極4が積層されており、その反対側表面に複数のトレンチが形成されている積層体を示している。そして、図8(a)の積層体に対して、本発明のエッチング処理方法を用いて、積層体の表面にエッチング処理を行った後、フォトリソグラフィー法を用いて、図8(b)のとおり、n型半導体層3のトレンチ内に、p型半導体1を形成する。図8(b)の積層体を得た後、p型半導体1およびn型半導体層3上に、電極(バリア電極)2を前記ドライ法(好ましくは真空蒸着法またはスパッタ)または前記ウェット法等により形成し、図8(c)の積層体を得る。本発明のエッチング処理方法は、半導体装置の製造工程において、半導体装置の各層(半導体層、絶縁体層等)の再成長前の前処理としても、好適に用いることができる。 Hereinafter, preferred manufacturing steps for the semiconductor device shown in FIG. 7 will be described using FIG. 8. FIG. 8A shows a stacked body in which an ohmic electrode 4 is stacked on a semiconductor substrate serving as an n-type semiconductor layer 3, and a plurality of trenches are formed on the opposite surface. Then, the surface of the laminate shown in FIG. 8(a) is etched using the etching method of the present invention, and then the surface of the laminate is etched using the photolithography method as shown in FIG. 8(b). , a p-type semiconductor 1 is formed in the trench of the n-type semiconductor layer 3. After obtaining the laminate shown in FIG. 8(b), an electrode (barrier electrode) 2 is formed on the p-type semiconductor 1 and the n-type semiconductor layer 3 using the dry method (preferably vacuum evaporation or sputtering) or the wet method. The laminate shown in FIG. 8(c) is obtained. The etching treatment method of the present invention can also be suitably used as a pretreatment before regrowth of each layer (semiconductor layer, insulator layer, etc.) of a semiconductor device in the manufacturing process of a semiconductor device.
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto.
(実施例1)
1.エッチング処理装置
図1を用いて、本実施例で用いたエッチング処理装置19を説明する。図1のエッチング処理装置19は、キャリアガスを供給するキャリアガス源22aと、キャリアガス源22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、キャリアガス(希釈)を供給するキャリアガス(希釈)源22bと、キャリアガス(希釈)源22bから送り出されるキャリアガス(希釈)の流量を調節するための流量調節弁23bと、エッチング液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、エッチング処理室30と、ミスト発生源24から成膜室30までをつなぐ石英製の供給管27と、エッチング処理室30内に設置されたホットプレート(ヒーター)28とを備えている。ホットプレート28上には、エッチング対象物20が設置されている。また、エッチング処理室30には、側壁の高い位置に排気口が設けられ、ミストがエッチング対象物20周辺で滞留するように構成されている。
(Example 1)
1. Etching Processing Apparatus The etching processing apparatus 19 used in this example will be explained using FIG. The etching processing apparatus 19 in FIG. 1 includes a carrier gas source 22a that supplies a carrier gas, a flow rate control valve 23a that adjusts the flow rate of the carrier gas sent out from the carrier gas source 22a, and a carrier gas (dilution) that supplies the carrier gas. A carrier gas (dilution) source 22b, a flow rate adjustment valve 23b for adjusting the flow rate of the carrier gas (dilution) sent out from the carrier gas (dilution) source 22b, and a mist generation source 24 containing an etching solution 24a. A container 25 into which water 25a is placed, an ultrasonic vibrator 26 attached to the bottom of the container 25, an etching chamber 30, and a supply pipe 27 made of quartz that connects the mist source 24 to the film forming chamber 30. A hot plate (heater) 28 installed in the etching processing chamber 30 is provided. The object to be etched 20 is placed on the hot plate 28 . Further, the etching processing chamber 30 is provided with an exhaust port at a high position on the side wall, and is configured so that the mist stays around the object to be etched 20.
2.エッチング液の作製
超純水に臭化水素酸を体積比で20%となるように混合し、これをエッチング液とした。
2. Preparation of Etching Solution Hydrobromic acid was mixed with ultrapure water at a volume ratio of 20%, and this was used as an etching solution.
3.エッチング準備
上記2.で得られたエッチング液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、エッチング対象物20として、c面α―Ga2O3膜が表面に形成されたc面サファイア基板をホットプレート28上に設置し、ホットプレート28を作動させてエッチング対象物20の温度を365℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23aおよび23bを開いて、キャリアガス源22aから供給されるキャリアガスの流量を2.0L/分に、キャリアガス(希釈)源22bから供給される希釈ガスの流量を2.0L/分にそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
3. Preparation for etching 2. The etching solution 24a obtained in the above was stored in the mist generation source 24. Next, as the object 20 to be etched, a c-plane sapphire substrate with a c-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface is placed on a hot plate 28 , and the hot plate 28 is operated to raise the temperature of the object 20 to be etched. The temperature was raised to 365°C. Next, the flow rate control valves 23a and 23b are opened, and the flow rate of the carrier gas supplied from the carrier gas source 22a is set to 2.0 L/min, and the flow rate of the dilution gas supplied from the carrier gas (dilution) source 22b is set to 2.0 L/min. Each was adjusted to .0 L/min. Note that nitrogen was used as a carrier gas.
4.エッチング処理
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、エッチング液24aを霧化させてミスト(霧化液滴)24bを生成させた。このミスト24bが、キャリアガスによって、供給管27内を通って、エッチング処理室30内に導入され、大気圧下、365℃にて、エッチング対象物20上でミストが反応して、エッチング対象物20をエッチング処理した。処理時間は1時間であった。エッチング処理後、顕微鏡にてクラックの有無を観察した。顕微鏡像を図3に示す。図3から明らかなように、エッチング処理をしてもクラックは発生しなかった。なお、エッチング量は698nmであった。
4. Etching process Next, the ultrasonic vibrator 26 is vibrated at 2.4 MHz, and the vibration is propagated to the raw material solution 24a through the water 25a, thereby atomizing the etching liquid 24a and forming a mist (atomized droplets) 24b. was generated. This mist 24b is introduced into the etching processing chamber 30 through the supply pipe 27 by the carrier gas, and the mist reacts on the etching object 20 at 365° C. under atmospheric pressure, thereby etching the etching object. No. 20 was etched. Processing time was 1 hour. After the etching process, the presence or absence of cracks was observed using a microscope. A microscopic image is shown in Figure 3. As is clear from FIG. 3, no cracks were generated even after the etching treatment. Note that the etching amount was 698 nm.
(実施例2)
超純水に臭化水素酸を体積比で30%となるように混合し、これをエッチング液としたこと以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を行った。また、エッチング量は1277nmであった。
(Example 2)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 1, except that ultrapure water was mixed with hydrobromic acid at a volume ratio of 30%, and this was used as the etching solution. Further, the etching amount was 1277 nm.
(比較例1)
超純水に塩酸を体積比で20%となるように混合し、これをエッチング液としたこと以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を行った。また、エッチング量は12nmであった。
(Comparative example 1)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 1, except that ultrapure water was mixed with hydrochloric acid at a volume ratio of 20%, and this was used as the etching solution. Further, the etching amount was 12 nm.
(比較例2)
超純水に塩酸を体積比で30%となるように混合し、これをエッチング液としたこと以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を行った。また、エッチング量は13nmであった。
(Comparative example 2)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 1, except that ultrapure water was mixed with hydrochloric acid at a volume ratio of 30%, and this was used as the etching solution. Further, the etching amount was 13 nm.
(評価)
実施例1~2および比較例1~2にて行ったエッチング処理のエッチング量を測定した。図2にその結果を示す。
(evaluation)
The etching amounts of the etching treatments performed in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were measured. Figure 2 shows the results.
(実施例3)
エッチング処理温度を400℃としたこと以外は、実施例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、1473nmであり、エッチングの状態も良好であった。実施例1と同様に、エッチング処理後、顕微鏡にてクラックの有無を観察したところ、エッチング処理をしてもクラックは発生しなかった。
(Example 3)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 2 except that the etching treatment temperature was 400°C. The etching amount was 1473 nm, and the etching condition was also good. As in Example 1, after the etching process, the presence or absence of cracks was observed under a microscope, and no cracks were found even after the etching process.
(実施例4)
エッチング対象物として、r面α―Ga2O3膜が表面に形成されたr面サファイア基板を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、313nmであった。エッチング処理の前後における表面粗さ(Ra)をAFMで調べて、表面状態を評価した。その結果、エッチング処理前の表面粗さ(Ra)は35.9nmであったのに対し、エッチング処理後の表面粗さ(Ra)は28.4nmであった。このことから、エッチング処理によって表面平滑性が向上したことがわかる。
(Example 4)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 1, except that an r-plane sapphire substrate with an r-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the object to be etched. The etching amount was 313 nm. The surface roughness (Ra) before and after the etching treatment was examined using AFM to evaluate the surface condition. As a result, the surface roughness (Ra) before etching treatment was 35.9 nm, while the surface roughness (Ra) after etching treatment was 28.4 nm. This shows that the surface smoothness was improved by the etching treatment.
(実施例5)
エッチング処理温度を400℃としたこと以外は、実施例4と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、380nmであった。実施例1と同様に、エッチング処理後、顕微鏡にてクラックの有無を観察した。顕微鏡像を図4に示す。図4から明らかなように、エッチング処理をしてもクラックは発生しなかった。また、エッチング量が実施例3に比べて大きくなった。
(Example 5)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 4 except that the etching treatment temperature was 400°C. The etching amount was 380 nm. As in Example 1, after the etching treatment, the presence or absence of cracks was observed using a microscope. A microscopic image is shown in Figure 4. As is clear from FIG. 4, no cracks were generated even after the etching treatment. Furthermore, the amount of etching was larger than in Example 3.
(実施例6)
超純水に臭化水素酸を体積比で30%となるように混合し、これをエッチング液としたこと以外は、実施例5と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、897nmであり、エッチング状態も良好であった。
(Example 6)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 5, except that ultrapure water was mixed with hydrobromic acid at a volume ratio of 30%, and this was used as the etching solution. The etching amount was 897 nm, and the etching condition was also good.
(実施例7)
エッチング対象物として、m面α―Ga2O3膜が表面に形成されたm面サファイア基板を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、223nmであった。実施例1と同様に、エッチング処理後、顕微鏡にてクラックの有無を観察したところ、エッチング処理をしてもクラックは発生しなかった。
(Example 7)
Etching treatment was performed in the same manner as in Example 1, except that an m-plane sapphire substrate with an m-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the object to be etched. The etching amount was 223 nm. As in Example 1, after the etching process, the presence or absence of cracks was observed under a microscope, and no cracks were found even after the etching process.
(実施例8)
エッチング処理温度を400℃としたこと、およびエッチング対象物として、m面α―Ga2O3膜が表面に形成されたm面サファイア基板を用いたこと以外は、実施例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、696nmであり、エッチングの状態も良好であった。実施例1と同様に、エッチング処理後、顕微鏡にてクラックの有無を観察したところ、エッチング処理をしてもクラックは発生しなかった。
(Example 8)
Etching was carried out in the same manner as in Example 2, except that the etching temperature was 400°C and an m-plane sapphire substrate with an m-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. processed. The etching amount was 696 nm, and the etching condition was also good. As in Example 1, after the etching process, the presence or absence of cracks was observed under a microscope, and no cracks were found even after the etching process.
(実施例9)
エッチング処理温度を400℃としたこと、およびエッチング対象物として、a面α―Ga2O3膜が表面に形成されたa面サファイア基板を用いたこと以外は、実施例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、305nmであり、エッチング状態も良好であった。
(Example 9)
Etching was carried out in the same manner as in Example 2, except that the etching temperature was 400° C., and an a-plane sapphire substrate with an a-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. processed. The etching amount was 305 nm, and the etching condition was also good.
(比較例3)
エッチング対象物として、m面α―Ga2O3膜が表面に形成されたm面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例1と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった。
(Comparative example 3)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 1, except that an m-plane sapphire substrate with an m-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. The etching amount was 0 nm.
(比較例4)
エッチング対象物として、m面α―Ga2O3膜が表面に形成されたm面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった。
(Comparative example 4)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 2, except that an m-plane sapphire substrate with an m-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. The etching amount was 0 nm.
(比較例5)
エッチング対象物として、r面α―Ga2O3膜が表面に形成されたr面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例1と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった。
(Comparative example 5)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 1, except that an r-plane sapphire substrate with an r-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. The etching amount was 0 nm.
(比較例6)
エッチング対象物として、r面α―Ga2O3膜が表面に形成されたr面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった。
(Comparative example 6)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 2, except that an r-plane sapphire substrate with an r-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. The etching amount was 0 nm.
(比較例7)
エッチング対象物として、a面α―Ga2O3膜が表面に形成されたa面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例1と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった。
(Comparative Example 7)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 1, except that an a-plane sapphire substrate with an a-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching target. The etching amount was 0 nm.
(比較例8)
エッチング対象物として、a面α―Ga2O3膜が表面に形成されたa面サファイア基板を用いたこと以外は、比較例2と同様にしてエッチング処理を行った。エッチング量は、0nmであった
(Comparative example 8)
Etching treatment was performed in the same manner as in Comparative Example 2, except that an a-plane sapphire substrate with an a-plane α-Ga 2 O 3 film formed on the surface was used as the etching object. The etching amount was 0 nm.
本発明のエッチング処理方法は、工業的有利にエッチング対象物をエッチング処理することができるため、半導体装置、電子機器等の種々の製造分野に利用可能である。 The etching method of the present invention can etch an object to be etched with industrial advantage, and therefore can be used in various manufacturing fields such as semiconductor devices and electronic devices.
1 p型半導体
2 電極(バリア電極)
3 n型半導体層
4 オーミック電極
19 エッチング処理装置
20 エッチング対象物
22a キャリアガス供給手段
22b キャリアガス(希釈)供給手段
23a 流量調節弁
23b 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a エッチング液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 供給管
28 ヒーター
30 エッチング処理室
131a n-型半導体層
131b 第1のn+型半導体層
131c 第2のn+型半導体層
132 p型半導体層
134 ゲート絶縁膜
135a ゲート電極
135b ソース電極
135c ドレイン電極
1 p-type semiconductor 2 electrode (barrier electrode)
3 N-type semiconductor layer 4 Ohmic electrode 19 Etching processing device 20 Etching object 22a Carrier gas supply means 22b Carrier gas (dilution) supply means 23a Flow rate control valve 23b Flow rate control valve 24 Mist source 24a Etching liquid 25 Container 25a Water 26 Sonic transducer 27 Supply tube 28 Heater 30 Etching chamber 131a N- type semiconductor layer 131b First n+ type semiconductor layer 131c Second n+ type semiconductor layer 132 P-type semiconductor layer 134 Gate insulating film 135a Gate electrode 135b Source electrode 135c drain electrode
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