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JP7365800B2 - stage equipment - Google Patents

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JP7365800B2
JP7365800B2 JP2019127823A JP2019127823A JP7365800B2 JP 7365800 B2 JP7365800 B2 JP 7365800B2 JP 2019127823 A JP2019127823 A JP 2019127823A JP 2019127823 A JP2019127823 A JP 2019127823A JP 7365800 B2 JP7365800 B2 JP 7365800B2
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wafer
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Description

本発明は、半導体ウエハを載置するステージ装置に関する。 The present invention relates to a stage device on which a semiconductor wafer is placed.

半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の電気的特性を検査する場合、例えば図１２に示すように、複数の吸引口４２を開口したステージ装置４１の上面に半導体ウエハ４３を載置して吸引することで、ステージ装置４１に半導体ウエハ４３を固定して検査を行っている。このようなステージ装置は、例えば特許文献１に記載されている。 When inspecting the electrical characteristics of a plurality of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer, for example, as shown in FIG. By doing so, the semiconductor wafer 43 is fixed to the stage device 41 and inspected. Such a stage device is described in, for example, Patent Document 1.

特開平０２－０３０１５７号公報Japanese Patent Application Publication No. 02-030157

ところで、半導体ウエハは半導体素子を形成する際に用いる材料の格子定数や熱膨張係数の違い等により、図１３に示すように半導体ウエハ４４に反りが発生する。このような反りを有する半導体ウエハ４４を図１４に示すように吸着面が平坦なステージ装置４１に載置して吸引することで、半導体ウエハ４４の反りを矯正した状態で固定すると、半導体ウエハの結晶層に歪みが生じて半導体ウエハ４４が破損してしまうということがあった。また、半導体素子がＭＥＭＳ素子である場合、半導体ウエハ４４が反った状態でＭＥＭＳ素子が完成するため、半導体ウエハ４４の反りを矯正した状態で吸引固定すると、ＭＥＭＳ素子の特性に変動がおきてしまい、ウエハテスターによる測定結果が、正しい測定結果とならないという問題があった。 By the way, warpage occurs in the semiconductor wafer 44 as shown in FIG. 13 due to differences in lattice constants and coefficients of thermal expansion of materials used to form semiconductor elements. When a semiconductor wafer 44 having such a warp is placed on a stage device 41 with a flat suction surface and fixed by suction as shown in FIG. 14, the semiconductor wafer 44 is fixed with the warp corrected. In some cases, the semiconductor wafer 44 may be damaged due to distortion in the crystal layer. Furthermore, when the semiconductor element is a MEMS element, the MEMS element is completed with the semiconductor wafer 44 in a warped state, so if the semiconductor wafer 44 is suction-fixed with the warp corrected, the characteristics of the MEMS element may change. However, there was a problem in that the measurement results obtained by the wafer tester were not accurate.

本発明は、このような問題点を解消し、反りを有する半導体ウエハの破損を防止し、半導体ウエハが反った状態で完成する半導体素子であっても正しい測定結果を得ることができるステージ装置を提供することを目的とする。 The present invention solves these problems and provides a stage device that can prevent damage to warped semiconductor wafers and obtain accurate measurement results even for semiconductor devices that are completed with warped semiconductor wafers. The purpose is to provide.

上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを載置するステージ装置において、前記ステージ装置の上面に複数の弾性部材を備え、該弾性部材が前記半導体ウエハに接するように配置されているステージ装置であって、前記複数の弾性部材が、前記半導体ウエハが載置された場合に、前記半導体ウエハの自重により下方へ押さえられて、前記半導体ウエハを矯正することなく前記複数の弾性部材の全てで保持するように構成され、かつ載置された前記半導体ウエハの端部が下方へ押さえられる場合には、傾いた状態の前記半導体ウエハを矯正することなく前記複数の弾性部材の全てで保持するように構成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 of the present application provides a stage device on which a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed is provided with a plurality of elastic members on the upper surface of the stage device, the elastic member is arranged so as to be in contact with the semiconductor wafer, the plurality of elastic members being pressed downward by the weight of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is placed on the stage device, When the semiconductor wafer is configured to be held by all of the plurality of elastic members without straightening the wafer, and the edge of the mounted semiconductor wafer is pressed downward, the tilted semiconductor wafer is straightened. The device is characterized in that it is configured to be held by all of the plurality of elastic members without causing any damage .

本願請求項２に係る発明は、請求項１記載のステージ装置において、前記弾性部材を前記ステージ装置の中心と反対方向に自由端を備えたカンチレバーとし、前記自由端が上方に反り上がっていることを特徴とする。 The invention according to claim 2 of the present application is the stage device according to claim 1, wherein the elastic member is a cantilever having a free end in a direction opposite to the center of the stage device, and the free end is curved upward. It is characterized by

本願請求項３に係る発明は、請求項１または２記載のステージ装置において、前記ステージ装置の上面の中央部に吸引口を配置したことを特徴とする。 The invention according to claim 3 of the present application is the stage device according to claim 1 or 2 , characterized in that a suction port is disposed at the center of the upper surface of the stage device .

本発明のステージ装置は、上面に配置した複数の弾性部材あるいは突上げ部により半導体ウエハを保持するため、反りを有する半導体ウエハをそのままの状態で保持することができ、反りを矯正することによる破損を防止することができる。 Since the stage device of the present invention holds the semiconductor wafer with a plurality of elastic members or raised parts arranged on the upper surface, it is possible to hold a semiconductor wafer with a warp in that state, and damage caused by correcting the warp can be achieved. can be prevented.

また、ステージ装置の上面に配置した複数の弾性部材あるいは突上げ部により半導体ウエハを保持した状態で電気的特性を測定することができ、半導体ウエハを矯正することによる測定結果の変動をなくすことができる。 Additionally, the electrical characteristics can be measured while the semiconductor wafer is held by a plurality of elastic members or raised parts placed on the top surface of the stage device, and fluctuations in measurement results caused by straightening the semiconductor wafer can be eliminated. can.

特に、半導体ウエハが反った状態のまま、半導体素子の電気的特性の測定を行うことができるため、半導体ウエハが反った状態で完成するＭＥＭＳ素子の場合、その特性を変動することなく正しい測定結果を得ることができる。 In particular, since it is possible to measure the electrical characteristics of semiconductor elements while the semiconductor wafer is in a warped state, accurate measurement results can be obtained without changing the characteristics of MEMS devices that are completed with the semiconductor wafer in a warped state. can be obtained.

本発明の第１の実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention. 本発明の参考例を説明する図である。It is a figure explaining the reference example of this invention. 本発明の参考例を説明する図である。It is a figure explaining the reference example of this invention. 本発明の参考例を説明する図である。It is a figure explaining the reference example of this invention. 本発明の参考例を説明する図である。It is a figure explaining the reference example of this invention. 本発明の参考例を説明する図である。It is a figure explaining the reference example of this invention. 本発明の第２の実施例を説明する図である。It is a figure explaining the 2nd example of the present invention. 従来の実施例を説明する図である。It is a figure explaining a conventional example. 従来の実施例を説明する図である。It is a figure explaining a conventional example. 従来の実施例を説明する図である。It is a figure explaining a conventional example.

本発明に係るステージ装置は、上面に配置した複数の弾性部材あるいは突上げ部により半導体ウエハをそのままの状態で保持するため、反りの矯正による半導体ウエハの破損を防止することが可能となる。また複数の弾性部材あるいは突上げ部により半導体ウエハを保持した状態で電気的特性を測定するため、半導体ウエハに形成された全ての半導体素子の測定を安定した状態で行うことが可能となる。以下、実施例について詳細に説明する。 Since the stage device according to the present invention holds the semiconductor wafer as it is by the plurality of elastic members or the raised portions arranged on the upper surface, it is possible to prevent damage to the semiconductor wafer due to correction of warpage. Furthermore, since the electrical characteristics are measured while the semiconductor wafer is held by a plurality of elastic members or raised portions, it is possible to stably measure all the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer. Examples will be described in detail below.

本発明の第１の実施例について説明する。図１は本発明の第１の実施例の説明図である。図１に示すように本実施例のステージ装置１は、上面に半導体ウエハを保持するために、ステージ装置の中心と反対側に自由端を備え、この自由端が上方に反り上がっている複数のカンチレバー２からなる弾性部材を配置している。 A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory diagram of a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the stage device 1 of this embodiment has a free end on the side opposite to the center of the stage device in order to hold a semiconductor wafer on the upper surface, and this free end has a plurality of curved upwardly curved ends. An elastic member consisting of a cantilever 2 is arranged.

このようなカンチレバー２は、例えば図２に示すように形成する。まず、シリコン基板３上に酸化膜４を形成し、カンチレバー支持部形成予定部の酸化膜４を除去した後、この酸化膜４を除去した部分を窒化膜５で覆う（図２ａ）。次にポリシリコン６を全面に積層し、パターニングを行い、カンチレバー２を形成する（図２ｂ）。その後、シリコン基板３および酸化膜４の一部を除去することで、自由端が上方に反り上がったカンチレバー２が完成する（図２ｃ）。なお、カンチレバー２は、自由端が上方に反り上がっていればよく、自身が縮む方向に応力が働く引張応力を有する２つの層から形成してもよい。この場合、下層よりも上層が引張応力の大きい層で形成することで、カンチレバーは上方に反り上がる。 Such a cantilever 2 is formed, for example, as shown in FIG. First, an oxide film 4 is formed on a silicon substrate 3, and after removing the oxide film 4 in a portion where the cantilever support portion is to be formed, the portion from which the oxide film 4 has been removed is covered with a nitride film 5 (FIG. 2a). Next, polysilicon 6 is laminated on the entire surface and patterned to form cantilever 2 (FIG. 2b). Thereafter, by removing a portion of the silicon substrate 3 and the oxide film 4, the cantilever 2 whose free end is curved upward is completed (FIG. 2c). Note that the cantilever 2 only needs to have its free end curved upward, and may be formed from two layers having a tensile stress that acts in the direction in which the cantilever contracts. In this case, the cantilever is warped upward by forming the upper layer with a layer having a higher tensile stress than the lower layer.

本実施例のステージ装置は、図３に示すように反りを有する半導体ウエハ７を載せると、半導体ウエハ７の自重により上方に反り上がったカンチレバー２が下方へ押さえられ、半導体ウエハ７を矯正することなく反った状態のまま保持する。このため、反りの矯正による半導体ウエハの破損を防止することができる。このとき、全てのカンチレバー２は半導体ウエハ７に接するように調整されている。 In the stage device of this embodiment, when a semiconductor wafer 7 having a warp is placed on it as shown in FIG. 3, the cantilever 2 which has warped upward is pressed down by the weight of the semiconductor wafer 7, thereby straightening the semiconductor wafer 7. Keep it in the warped state. Therefore, damage to the semiconductor wafer due to correction of warpage can be prevented. At this time, all the cantilevers 2 are adjusted so as to be in contact with the semiconductor wafer 7.

このようなステージ装置を用いて、半導体ウエハの特性測定を行うと次のようになる。測定に使用するウエハテスターは、通常、ステージ装置に保持した半導体ウエハに形成された半導体素子にプローブを押し当てた状態で電気的特性を測定する。このようなウエハテスターにおいて本実施例のステージ装置を用いて反りを有する半導体ウエハ７に形成された半導体素子の測定を行うと、図４に示すように半導体ウエハ７の中央部付近に形成された半導体素子の測定の場合、プローブ８の押圧でステージ装置の中央部付近のカンチレバー２Ａが下方へさらに押さえられ、半導体ウエハ７全体が沈みこむ状態となる。このとき、この沈み込んだ状態を全てのカンチレバー２で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの沈み込んだ状態で安定する。また、図５に示すように半導体ウエハ７の端部に形成された半導体素子の測定の場合、プローブ８の押圧でステージ装置の端部のカンチレバー２Ｂが下方へ押さえられ、半導体ウエハ７が傾く状態となる。このとき、この傾いた状態を全てのカンチレバー２で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの傾いた状態で安定する。このように本実施例のステージ装置上に載せられた半導体ウエハは、ウエハテスターによる測定の際、半導体ウエハの反りを矯正されることなく半導体ウエハに形成された全ての半導体素子の電気的特性を測定することが可能となる。 When the characteristics of a semiconductor wafer are measured using such a stage device, the following results are obtained. A wafer tester used for measurement usually measures electrical characteristics with a probe pressed against a semiconductor element formed on a semiconductor wafer held on a stage device. When a semiconductor element formed on a warped semiconductor wafer 7 is measured using the stage device of this embodiment in such a wafer tester, as shown in FIG. In the case of semiconductor device measurement, the cantilever 2A near the center of the stage device is further pressed downward by the pressure of the probe 8, causing the entire semiconductor wafer 7 to sink. At this time, since all the cantilevers 2 are adjusted to maintain this depressed state, the semiconductor wafer 7 is stabilized in this depressed state. Further, as shown in FIG. 5, in the case of measuring a semiconductor element formed on the edge of the semiconductor wafer 7, the cantilever 2B at the edge of the stage device is pressed downward by the pressure of the probe 8, and the semiconductor wafer 7 is tilted. becomes. At this time, since all the cantilevers 2 are adjusted to maintain this tilted state, the semiconductor wafer 7 is stabilized in this tilted state. In this way, the semiconductor wafer placed on the stage device of this embodiment is able to measure the electrical characteristics of all the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer without correcting the warpage of the semiconductor wafer when measured by the wafer tester. It becomes possible to measure.

したがって、半導体ウエハが反った状態で完成するＭＥＭＳ素子の場合、その状態の電気的特性を測定することが可能となる。なお、本実施例では弾性部材としてカンチレバーを用いた例を説明したが、半導体ウエハの自重で縮む、例えばバネ等であってもよい。 Therefore, in the case of a MEMS device completed with a semiconductor wafer in a warped state, it is possible to measure the electrical characteristics in that state. In this embodiment, a cantilever is used as the elastic member, but it may be a spring or the like that contracts under the weight of the semiconductor wafer.

［参考例１］
次に本発明の第１の参考例について説明する。図６に示すように本参考例のステージ装置１１は中空構造となっており、上面に中空構造へ連通する複数の貫通孔１２と、例えばバネ１３からなる弾性部材を介して中空部の底部から貫通孔１２を通りステージ装置上面から突出する複数の突き上げ部１４とを備え、この突き上げ部１４が貫通孔１２内をスライドするように配置している。 [Reference example 1]
Next, a first reference example of the present invention will be explained. As shown in FIG. 6, the stage device 11 of this reference example has a hollow structure, and has a plurality of through holes 12 communicating with the hollow structure on the upper surface, and is connected to the bottom of the hollow portion through an elastic member such as a spring 13. It includes a plurality of push-up portions 14 that pass through the through-hole 12 and protrude from the upper surface of the stage device, and are arranged so that the push-up portions 14 slide within the through-hole 12.

このような構造のステージ装置は、図７に示すように反りを有する半導体ウエハ７を載せると、半導体ウエハ７の自重によりバネ１３が縮み、突き上げ部１４が下方へスライドし、半導体ウエハ７を反った状態のまま保持する。このため、反りの矯正による半導体ウエハの破損を防止することができる。このとき、全ての突き上げ部１４は半導体ウエハ７に接するように調整されている。 In a stage device having such a structure, when a semiconductor wafer 7 having a warp is placed on it as shown in FIG. Keep it in the same state. Therefore, damage to the semiconductor wafer due to correction of warpage can be prevented. At this time, all the raised portions 14 are adjusted so as to be in contact with the semiconductor wafer 7.

ウエハテスターにより本参考例のステージ装置を用いて反りを有する半導体ウエハ７に形成された半導体素子の電気的特性の測定を行うと、図８に示すように半導体ウエハ７の中央部付近に形成された半導体素子の測定の場合、プローブ８の押圧で、ステージ装置中央部付近のバネ１３Ａが縮み、これに伴って突き上げ部１４Ａが下方へスライドし、半導体ウエハ７全体が沈みこむ状態となる。このとき、この沈み込んだ状態を全ての突き上げ部１４で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの沈み込んだ状態で安定する。また、図９に示すように半導体ウエハ７の端部に形成された半導体素子の測定の場合、プローブ７の押圧で、ステージ装置端部のバネ１３Ｂが縮み、突き上げ部１４Ｂが下方へスライドし、半導体ウエハ７が傾く状態となる。このとき、この傾いた状態を全ての突き上げ部１４で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの傾いた状態で安定する。このように本参考例のステージ装置上に載せられた半導体ウエハは、ウエハテスターによる測定の際、半導体ウエハの反りを矯正されることなく半導体ウエハに形成された全ての半導体素子の電気的特性を測定することが可能となる。 When the electrical characteristics of semiconductor elements formed on a warped semiconductor wafer 7 are measured using a wafer tester using the stage device of this reference example, as shown in FIG. In the case of measuring a semiconductor device, the spring 13A near the center of the stage apparatus contracts due to the pressure of the probe 8, and the raised portion 14A slides downward, causing the entire semiconductor wafer 7 to sink. At this time, the semiconductor wafer 7 is stabilized in this sunken state because it is adjusted to maintain this sunken state with all the push-up portions 14. Further, as shown in FIG. 9, in the case of measuring a semiconductor element formed on the edge of a semiconductor wafer 7, the spring 13B at the edge of the stage device contracts due to the pressure of the probe 7, and the thrusting part 14B slides downward. The semiconductor wafer 7 is now in a tilted state. At this time, the semiconductor wafer 7 is stabilized in this tilted state because it is adjusted so that this tilted state is maintained by all the push-up portions 14. In this way, the semiconductor wafer placed on the stage device of this reference example can measure the electrical characteristics of all the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer without correcting the warpage of the semiconductor wafer when measured by a wafer tester. It becomes possible to measure.

したがって、半導体ウエハが反った状態で完成するＭＥＭＳ素子の場合、その状態の電気的特性を測定することが可能となる。なお、本参考例のステージ装置は、弾性部材としてバネを例にとり説明したが、バネ以外の弾性部材であってもよい。 Therefore, in the case of a MEMS device completed with a semiconductor wafer in a warped state, it is possible to measure the electrical characteristics in that state. Note that although the stage device of this reference example has been described using a spring as an example of the elastic member, an elastic member other than the spring may be used.

［参考例２］
次に本発明の第２の参考例について説明する。図１０に示すように本参考例のステージ装置２１は、内部に設けた圧力室２２により動きが制御される突き上げ部２３と、上面に貫通孔１２を備え、圧力室２２にポート２４から圧力を加え、この圧力により突き上げ部２３を上昇させ、この突き上げ部２３が貫通孔１２内をスライドするように配置している。 [Reference example 2]
Next, a second reference example of the present invention will be explained. As shown in FIG. 10, the stage device 21 of this reference example includes a push-up portion 23 whose movement is controlled by a pressure chamber 22 provided inside, and a through hole 12 on the top surface, and pressure is supplied to the pressure chamber 22 from a port 24. In addition, this pressure causes the push-up portion 23 to rise, and the push-up portion 23 is arranged so as to slide within the through hole 12.

このような構造のステージ装置は、反りを有する半導体ウエハ７を載せ、圧力室２２の圧力を下げていくと、半導体ウエハ７の自重により上記第１の参考例と同様に、突き上げ部２３が下方へスライドし、半導体ウエハ７を反った状態のまま保持する。このため、反りの矯正による半導体ウエハの破損を防止することができる。このとき、全ての突き上げ部１４は半導体ウエハ７に接するように調整されている。 In a stage device having such a structure, when a warped semiconductor wafer 7 is mounted and the pressure in the pressure chamber 22 is lowered, the push-up portion 23 is pushed downward due to the weight of the semiconductor wafer 7, as in the first reference example. and holds the semiconductor wafer 7 in a warped state. Therefore, damage to the semiconductor wafer due to correction of warpage can be prevented. At this time, all the raised portions 14 are adjusted so as to be in contact with the semiconductor wafer 7.

ウエハテスターにより本参考例のステージ装置を用いて反りを有する半導体ウエハ７に形成された半導体素子の電気的特性の測定を行うと、半導体ウエハ７の中央部付近に形成された半導体素子の測定の場合、圧力室２２の圧力を若干下げればプローブ８の押圧でステージ装置中央部付近の突き上げ部２３が下方へスライドし、半導体ウエハ７全体が沈みこむ状態となる。このとき、この沈み込んだ状態を全ての突き上げ部２３で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの沈み込んだ状態で安定する。また、半導体ウエハ７の端部に形成された半導体素子の測定の場合、プローブ８の押圧でステージ装置端部の突き上げ部２３が下方へスライドし、半導体ウエハ７が傾く状態となるが、この突き上げ部２３の動きに伴う圧力室２２内の圧力の変化により別の突き上げ部が上方へスライドし、この傾いた状態を全ての突き上げ部２３で保持するように調整されているため、半導体ウエハ７はこの傾いた状態で安定する。このように本参考例のステージ装置上に載せられた半導体ウエハは、ウエハテスターによる測定の際、半導体ウエハの反りを矯正されることなく半導体ウエハに形成された全ての半導体素子の電気的特性を測定することが可能となる。 When the electrical characteristics of semiconductor elements formed on a warped semiconductor wafer 7 are measured using a wafer tester using the stage apparatus of this reference example, the measurement of the semiconductor elements formed near the center of the semiconductor wafer 7 is difficult. In this case, if the pressure in the pressure chamber 22 is slightly lowered, the push-up portion 23 near the center of the stage device will slide downward due to the pressure of the probe 8, causing the entire semiconductor wafer 7 to sink. At this time, the semiconductor wafer 7 is stabilized in this sunken state because it is adjusted to maintain this sunken state with all the push-up portions 23. In addition, in the case of measuring a semiconductor element formed on the edge of the semiconductor wafer 7, the push-up portion 23 at the end of the stage device slides downward due to the pressure of the probe 8, and the semiconductor wafer 7 is tilted. Due to the change in the pressure in the pressure chamber 22 due to the movement of the part 23, another thrusting part slides upward, and all the thrusting parts 23 are adjusted to maintain this tilted state, so that the semiconductor wafer 7 is It is stable in this tilted state. In this way, the semiconductor wafer placed on the stage device of this reference example can measure the electrical characteristics of all the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer without correcting the warpage of the semiconductor wafer when measured by a wafer tester. It becomes possible to measure.

したがって、半導体ウエハが反った状態で完成するＭＥＭＳ素子の場合、その状態の電気的特性を測定することが可能となる。 Therefore, in the case of a MEMS device completed with a semiconductor wafer in a warped state, it is possible to measure the electrical characteristics in that state.

次に本発明の第２の実施例について説明する。図１１に示すように本実施例のステージ装置３１は、上記第１の実施例のステージ装置の上面の中央部のみに吸引口３２を配置している。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 11, the stage device 31 of this embodiment has a suction port 32 arranged only in the center of the upper surface of the stage device of the first embodiment.

このような構造のステージ装置は、中央部のみを吸引することで、反りを有する半導体ウエハ７を矯正することなく、反った状態のままで保持し、その保持力を第１の実施例に比べて高くすることができる。このため、ウエハテスターによる電気的特性を第１の実施例に比べて安定した状態で測定することができる。本実施例では、上記第１の実施例のステージ装置の上面の中央部のみに吸引口３２を配置した例を記載したが、上記第１および第２の参考例のステージ装置の上面の中央部のみに吸引口１４を配置してもよい。なお、半導体ウエハ７の端部に形成された半導体素子の測定の際、中央部が吸引されることで半導体ウエハ７の動きが制限される場合もあるので、半導体ウエハ７の反りを矯正しないようにプローブ８の押圧を調整することが好ましい。 The stage device having such a structure holds the warped semiconductor wafer 7 in its warped state without correcting it by suctioning only the central part, and its holding power is improved compared to the first embodiment. can be made higher. Therefore, the electrical characteristics can be measured by the wafer tester in a more stable state than in the first embodiment. In this embodiment, an example is described in which the suction port 32 is arranged only in the center of the top surface of the stage device of the first embodiment, but in the center of the top surface of the stage device of the first and second reference examples. The suction port 14 may be arranged only in the section. Note that when measuring semiconductor elements formed on the edge of the semiconductor wafer 7, the movement of the semiconductor wafer 7 may be restricted due to suction at the center, so be careful not to correct the warpage of the semiconductor wafer 7. It is preferable to adjust the pressure of the probe 8 to .

以上本発明の実施例について説明したが、本発明の上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもなく、具体的には、半導体ウエハがステージ装置に向かって凸状に反ったものを保持した例を記載したが、半導体ウエハの反りがステージ装置と反対方向に向かって凸状である状態で保持してもよい。また、反りを有する半導体ウエハが矯正されることなく反った状態のままステージ装置に保持されればよく、上記実施例に加えてステージ装置上面に半導体ウエハの周縁部に対向する位置にストッパーを設けてもよい。さらにまた、弾性部材あるいは突き上げ部の大きさ、数、配置等は適宜変更可能である。また上記実施例ではウエハテスターによる測定に適用した例を記載したが、半導体ウエハの搬送装置に適用することもできる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments. Although an example has been described, the semiconductor wafer may be held in a state in which the warp is convex in the direction opposite to the stage device. Further, it is sufficient that a warped semiconductor wafer is held in a warped state on the stage device without being corrected, and in addition to the above embodiment, a stopper is provided on the top surface of the stage device at a position facing the peripheral edge of the semiconductor wafer. It's okay. Furthermore, the size, number, arrangement, etc. of the elastic member or the raised portions can be changed as appropriate. Further, in the above embodiments, an example was described in which the present invention was applied to measurement using a wafer tester, but the present invention can also be applied to a semiconductor wafer transfer device.

１，１１，２１，３１，４１：ステージ装置、２，２Ａ，２Ｂ：カンチレバー、３：シリコン基板、４：酸化膜、５：窒化膜、６：ポリシリコン、７：半導体ウエハ、８：プローブ、１２：貫通孔、１３，１３Ａ，１３Ｂ：バネ、１４，１４Ａ，１４Ｂ：突き上げ部、２２:圧力室、２３：突き上げ部、２４：ポート、３２，４２：吸引口、４３，４４：半導体ウエハ 1, 11, 21, 31, 41: stage device, 2, 2A, 2B: cantilever, 3: silicon substrate, 4: oxide film, 5: nitride film, 6: polysilicon, 7: semiconductor wafer, 8: probe, 12: Through hole, 13, 13A, 13B: Spring, 14, 14A, 14B: Push-up portion, 22: Pressure chamber, 23: Push-up portion, 24: Port, 32, 42: Suction port, 43, 44: Semiconductor wafer

Claims (3)

複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを載置するステージ装置において、
前記ステージ装置の上面に複数の弾性部材を備え、該弾性部材が前記半導体ウエハに接するように配置されているステージ装置であって、
前記複数の弾性部材が、
前記半導体ウエハが載置された場合に、前記半導体ウエハの自重により下方へ押さえられて、前記半導体ウエハを矯正することなく前記複数の弾性部材の全てで保持するように構成され、かつ
載置された前記半導体ウエハの端部が下方へ押さえられる場合には、傾いた状態の前記半導体ウエハを矯正することなく前記複数の弾性部材の全てで保持するように構成されていることを特徴とするステージ装置。 In a stage device that places a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed,
The stage device includes a plurality of elastic members on the upper surface of the stage device, and the elastic members are arranged so as to be in contact with the semiconductor wafer,
The plurality of elastic members are
When the semiconductor wafer is placed, it is pressed downward by the weight of the semiconductor wafer and is held by all of the plurality of elastic members without straightening the semiconductor wafer, and
When the end of the placed semiconductor wafer is pressed downward, the semiconductor wafer is configured to be held in an inclined state by all of the plurality of elastic members without being corrected. stage equipment. 請求項１記載のステージ装置において、
前記弾性部材を前記ステージ装置の中心と反対方向に自由端を備えたカンチレバーとし、前記自由端が上方に反り上がっていることを特徴とするステージ装置。 The stage device according to claim 1,
A stage device characterized in that the elastic member is a cantilever having a free end in a direction opposite to the center of the stage device, and the free end is curved upward. 請求項１または２記載のステージ装置において、
前記ステージ装置の上面の中央部に吸引口を配置したことを特徴とするステージ装置。 The stage device according to claim 1 or 2 ,
A stage device characterized in that a suction port is arranged in the center of the upper surface of the stage device .
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