JP7355607B2 - サセプタの製造方法、サセプタおよび熱処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、光照射によって加熱される半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）を支持するサセプタ、当該サセプタの製造方法および当該サセプタを搭載した熱処理装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。

このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。

このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置として、特許文献１，２には、半導体ウェハーの表面側にフラッシュランプ等のパルス発光ランプを配置し、裏面側にハロゲンランプ等の連続点灯ランプを配置し、それらの組み合わせによって所望の熱処理を行うものが開示されている。特許文献１，２に開示の熱処理装置においては、ハロゲンランプ等によって半導体ウェハーをある程度の温度まで予備加熱し、その後フラッシュランプからのパルス加熱によって所望の処理温度にまで昇温している。

特許文献１，２に開示されるようなハロゲンランプにて予備加熱を行う場合には、比較的高い予備加熱温度にまで半導体ウェハーを短時間で昇温することができるというプロセス上のメリットが得られるものの、ウェハー周縁部の温度が中心部よりも低くなる問題が生じやすい。このような温度分布の不均一が生じる原因としては、半導体ウェハーの周縁部からの熱放射、或いは半導体ウェハーの周縁部から比較的低温の石英サセプタへの熱伝導などが考えられる。そこで、このような問題を解決するために、特許文献３には、半透明な素材にて形成された円筒形状のルーバーをハロゲンランプと半導体ウェハーとの間に設置して予備加熱時の面内温度分布を均一にすることが提案されている。

特開昭６０－２５８９２８号公報 特表２００５－５２７９７２号公報 特開２０１２－１７４８７９号公報

しかしながら、特許文献３に提案されるような技術を用いたとしても、ハロゲンランプから光照射を行ったときの半導体ウェハーの面内温度分布を十分に均一にすることは困難であった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の面内温度分布の均一性を高めることができる技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、光照射によって加熱される基板を支持するサセプタの製造方法において、前記サセプタの下方から前記サセプタに支持された前記基板に光を照射したときに前記基板に生じる温度分布を取得する温度分布取得工程と、前記温度分布において所定温度以上となる前記基板の高温領域に対向する前記サセプタの表面の一部領域を粗面とする粗面化加工工程と、を備え、前記温度分布取得工程と前記粗面化加工工程とを複数回繰り返すことを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係るサセプタの製造方法において、前記基板の前記高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向する前記サセプタの部位の表面粗さを粗くすることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係るサセプタの製造方法において、前記サセプタの下面を粗面とすることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、光照射によって加熱される基板を支持するサセプタにおいて、前記サセプタの下方から前記サセプタに支持された前記基板に光を照射したときに前記基板に生じる温度分布において所定温度以上となる前記基板の高温領域に対向する前記サセプタの表面の一部領域に粗面が形成され、前記基板の前記高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向する前記サセプタの部位の表面粗さが粗くなり、前記部位の透過率が低下することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係るサセプタにおいて、前記サセプタの下面に粗面が形成されることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に設けられて前記基板を支持する請求項４または請求項５に記載のサセプタと、前記サセプタの下方より光を照射して前記基板を加熱する連続点灯ランプと、を備えることを特徴とする。

請求項１から請求項３の発明によれば、サセプタの下方からサセプタに支持された基板に光を照射したときに基板に生じる温度分布を取得し、その温度分布において所定温度以上となる基板の高温領域に対向するサセプタの表面の一部領域を粗面とするため、基板の高温領域の照度が低下し、基板の面内温度分布の均一性を高めることができる。

特に、請求項２の発明によれば、基板の高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向するサセプタの部位の表面粗さを粗くするため、より高い精度にて基板の面内温度分布の均一性を高めることができる。

請求項４から請求項６の発明によれば、サセプタの下方からサセプタに支持された基板に光を照射したときに基板に生じる温度分布において所定温度以上となる基板の高温領域に対向するサセプタの表面の一部領域に粗面が形成されるため、基板の高温領域の照度が低下し、基板の面内温度分布の均一性を高めることができる。また、基板の高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向するサセプタの部位の表面粗さが粗くなって透過率が低下するため、より高い精度にて基板の面内温度分布の均一性を高めることができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 半導体ウェハーに生じた面内温度分布の一例を示す図である。 図１０での粗面化加工の効果を示す図である。 一部領域に粗面化加工が施されたサセプタの平面図である。 図１０に示すサセプタに支持した半導体ウェハーに生じる面内温度分布の一例を示す図である。 図１３での新たな粗面化加工の効果を示す図である。 一部領域に粗面化加工が施されたサセプタの平面図である。 図１３に示すサセプタに支持した半導体ウェハーに生じる面内温度分布の一例を示す図である。 図１６での新たな粗面化加工の効果を示す図である。 一部領域に粗面化加工が施されたサセプタの平面図である。 図１６に示すサセプタに支持した半導体ウェハーに生じる面内温度分布の一例を示す図である。 図１９での新たな粗面化加工の効果を示す図である。 一部領域に粗面化加工が施されたサセプタの平面図である。 図１９に示すサセプタに支持した半導体ウェハーに生じる面内温度分布の一例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。よって、放射温度計２０はサセプタ７４の斜め下方に設けられることとなる。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ～φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。なお、本実施形態においては、サセプタ７４の保持プレート７５の下面の一部領域に粗面化加工を施して透過率を低下させているが、これについてはさらに後述する。

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された円筒形状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。

次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。ここでは、製品となる通常の半導体ウェハー（プロダクトウェハー）Ｗに対する典型的な熱処理動作について説明する。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、半導体ウェハーＷの処理に先立って給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。

搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成のなされた表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。

半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。

ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定される。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点でフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。

フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇した後、急速に下降する。

フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットによりチャンバー６から搬出され、半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。

光照射によって加熱される半導体ウェハーＷを支持するサセプタ７４の下面（厳密にはサセプタ７４の保持プレート７５の下面）の一部領域には粗面化加工が施されている。以下、サセプタ７４に対する粗面化加工の手順について説明する。

まず、粗面化加工が全く施されていないサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持した状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布を求める。ハロゲンランプＨＬは上面に半導体ウェハーＷを支持するサセプタ７４の下方から光照射を行う。ハロゲンランプＨＬから出射された光は石英のサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの裏面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが加熱されて昇温するのであるが、このときに半導体ウェハーＷに面内温度分布が生じる。そして、その半導体ウェハーＷに生じた面内温度分布を取得するのである。面内温度分布は、実際にサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行って求めるようにしても良いし、シミュレーションによって取得するようにしても良い（以降の面内温度分布の取得も同様である）。

図８は、半導体ウェハーＷに生じた面内温度分布の一例を示す図である。同図の横軸には、直径φ３００ｍｍの半導体ウェハーＷの径方向に沿ったウェハー中心からの距離を示している。同図の縦軸には、熱処理の結果として得られる半導体ウェハーＷのシート抵抗値を示している（図１１，１４，１７，２０において同じ）。シート抵抗値が小さくなるほど、半導体ウェハーＷが高温に加熱されていたことを示している。すなわち、図８では、下側ほど半導体ウェハーＷが高温である。

図８に示すように、粗面化加工が全く施されていないサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときには、半導体ウェハーＷの中心部近傍が高温に加熱される一方で周縁部は比較的低温となる傾向が認められる。すなわち、半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布は均一であるとは言えない。

図８に示す温度分布では、半導体ウェハーＷの中心部近傍が所定温度以上の高温に加熱されているため、図１０に示すように、半導体ウェハーＷの中心部に対向するサセプタ７４の下面の中心部領域９１に粗面化加工を施す。すなわち、図８の温度分布において所定温度以上となる半導体ウェハーＷの高温領域に対向するサセプタ７４の表面の一部領域を粗面とするのである。粗面化加工は、例えばサンドブラスト処理によって行うようにすれば良い。サセプタ７４の下面の中心部領域９１が粗面とされることにより、その中心部領域９１の光の透過率が他の領域の透過率よりも低くなる。なお、図１０は、サセプタ７４を下方から見た平面図であるが、開口部７８および貫通孔７９については図示を省略している（図１３，１６，１９において同じ）。

図９は、図１０での粗面化加工の効果を示す図である。同図の横軸には、直径φ３００ｍｍの半導体ウェハーＷの径方向に沿ったウェハー中心からの距離を示している。同図の縦軸には、シート抵抗値増加量を示している（図１２，１５，１８において同じ）。サセプタ７４の下面の中心部領域９１が粗面とされることにより、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに、半導体ウェハーＷの中心部近傍に到達する光の光量が低下し、当該中心部近傍の温度が低下する（つまり、シート抵抗値は増加する）。シート抵抗値の増加量は、粗面とされる中心部領域９１の大きさおよび粗さによって調整可能である。

次に、図１０に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持した状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布を求める。ハロゲンランプＨＬから出射された光はサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの裏面に照射されるのであるが、中心部領域９１の透過率が低くなっているため、半導体ウェハーＷの中心部近傍の照度が低下して当該中心部近傍の温度が相対的に低くなる。

図１１は、図１０に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布の一例を示す図である。図１１に示すように、中心部領域９１が粗面とされたサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときには、図８に比較して半導体ウェハーＷの中心近傍の温度が低下している。すなわち、図１１の面内温度分布は、概ね図８の面内温度分布に図９が合成されたものである。

図１３に示すように、図１１の温度分布において所定温度以上となる半導体ウェハーＷの高温領域に対向するサセプタ７４の下面の領域９２に粗面化加工を施す。領域９２は中心部領域９１を取り囲むような円環状の領域である。図１３においては、サセプタ７４の下面の中心部領域９１およびそれを取り囲む領域９２が粗面とされている。

図１２は、図１３での新たな粗面化加工の効果（領域９２による効果）を示す図である。サセプタ７４の下面の領域９２が粗面とされることにより、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに、領域９２に対向する半導体ウェハーＷの部位の温度が低下する。その温度の低下量は、粗面とされる領域９２の幅および粗さによって調整可能である。

次に、図１３に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持した状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布を求める。図１４は、図１３に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布の一例を示す図である。図１４に示すように、中心部領域９１および領域９２が粗面とされたサセプタ７４に支持された半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときには、それら中心部領域９１および領域９２に対向する半導体ウェハーＷの部位の温度が相対的に低下している。図１４の面内温度分布は、概ね図１１の面内温度分布に図１２が合成されたものである。

図１６に示すように、図１４の温度分布において所定温度以上となる半導体ウェハーＷの高温領域に対向するサセプタ７４の下面の領域９３に粗面化加工を施す。領域９３は領域９２をさらに取り囲むような円環状の領域である。図１６においては、サセプタ７４の下面の中心部領域９１、領域９２および領域９３が粗面とされている。

図１５は、図１６での新たな粗面化加工の効果（領域９３による効果）を示す図である。サセプタ７４の下面の領域９３が粗面とされることにより、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに、領域９３に対向する半導体ウェハーＷの部位の温度が低下する。その温度の低下量は、粗面とされる領域９３の幅および粗さによって調整可能である。

同様に、図１６に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持した状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布を求める。図１７は、図１６に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に支持した半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布の一例を示す図である。図１７に示すように、中心部領域９１、領域９２および領域９３が粗面とされたサセプタ７４に支持された半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときには、それら中心部領域９１、領域９２および領域９３に対向する半導体ウェハーＷの部位の温度が相対的に低下している。図１７の面内温度分布は、概ね図１４の面内温度分布に図１５が合成されたものである。

図１７に示す温度分布では、半導体ウェハーＷの周縁部近傍が所定温度以上の高温に加熱されているため、図１９に示すように、半導体ウェハーＷの周縁部に対向するサセプタ７４の下面の周縁部領域９４に粗面化加工を施す。すなわち、図１７の温度分布において所定温度以上となる半導体ウェハーＷの高温領域に対向するサセプタ７４の下面の周縁部領域９４に粗面化加工を施す。周縁部領域９４は、半導体ウェハーＷの周縁部に対向する円環状の領域である。図１９においては、サセプタ７４の下面の中心部領域９１、領域９２、領域９３および周縁部領域９４が粗面とされている。

図１８は、図１９での新たな粗面化加工の効果（周縁部領域９４による効果）を示す図である。サセプタ７４の下面の周縁部領域９４が粗面とされることにより、ハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに、周縁部領域９４に対向する半導体ウェハーＷの周縁部の温度が低下する。その温度の低下量は、粗面とされる周縁部領域９４の幅および粗さによって調整可能である。

図２０は、図１９に示すような粗面化加工が施されたサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持した状態でハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布の一例を示す図である。図２０に示すように、中心部領域９１、領域９２、領域９３および周縁部領域９４が粗面とされたサセプタ７４に支持された半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光照射を行ったときには、それら中心部領域９１、領域９２、領域９３および周縁部領域９４に対向する半導体ウェハーＷの部位の温度が相対的に低下している。図２０の面内温度分布は、概ね図１７の面内温度分布に図１８が合成されたものである。

図８と図２０とを比較すれば明らかなように、図１９に示すような粗面の領域が形成されたサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持してハロゲンランプＨＬから光照射を行うと、半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布が顕著に均一となる。その結果、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時には半導体ウェハーＷの面内温度分布が均一となり、その後に良好なフラッシュ加熱処理を行うことが可能となる。

本実施形態においては、サセプタ７４に支持された半導体ウェハーＷにハロゲンランプＨＬから光を照射したときに半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布を取得する工程と、その面内温度分布において所定温度以上となる半導体ウェハーＷの高温領域に対向するサセプタ７４の表面の一部領域を粗面とする工程と、を複数回繰り返している。これにより、図１９に示すように、サセプタ７４の下面には複数の粗面領域が形成される。そして、図１９に示すようなサセプタ７４に半導体ウェハーＷを支持してハロゲンランプＨＬから光照射を行うことにより、半導体ウェハーＷの高温領域の照度が低下し、半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性を高めることができる。

半導体ウェハーＷとハロゲンランプＨＬとの間に存在する他の石英部材、例えば下側チャンバー窓６４に粗面領域を設けたとしても同様の効果が期待できるが、半導体ウェハーＷとの距離がより短いサセプタ７４に粗面領域を設けるようにした方がより高い精度にて半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一にすることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、サセプタ７４に支持された半導体ウェハーＷの温度分布を取得する工程と、その温度分布に基づいてサセプタ７４の一部領域に粗面化加工を施す工程とを４回繰り返していたが、これに限定されるものではない。両工程を繰り返す回数は、４回より多くても良いし、４回未満であっても良く、少なくとも１回以上であれば良い。両工程を繰り返す回数が多くなるほど、ハロゲンランプＨＬから光を照射したときの半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性を高めることができるものの、作業が繁雑になる。

また、半導体ウェハーＷに生じる面内温度分布における温度の高さに応じて粗面の粗さを異ならせるようにしても良い。具体的には、半導体ウェハーＷの高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向するサセプタ７４の部位の表面粗さを粗くすれば良い。このようにすれば、半導体ウェハーＷの高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向するサセプタ７４の部位の透過率が低くなり、半導体ウェハーＷの当該位置における温度がより大きく低下することとなる。その結果、より高い精度にて半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性を高めることができる。

また、上記実施形態においては、サセプタ７４の下面に粗面化加工を施していたが、これに代えてサセプタ７４の上面に粗面化加工を施すようにしても良い。サセプタ７４の上面を粗面にしたとしても、上記実施形態と同様の作用効果により、半導体ウェハーＷの面内温度分布の均一性を高めることができる。但し、サセプタ７４の上面を粗面とすると支持した半導体ウェハーＷと粗面とが擦れてパーティクルが発生するおそれがあるため、上記実施形態のようにサセプタ７４の下面を粗面とするのが好ましい。

また、サセプタ７４の下面の周縁部領域９４を粗面とするのに代えて、サセプタ７４の上面の周縁部領域９４に石英のリング状部材を設け、そのリング状部材によって半導体ウェハーＷを支持するようにしても良い。これにより、周縁部領域９４と対向する半導体ウェハーＷの部位が石英のリング状部材によって冷却され、周縁部領域９４を粗面とするのと同様の効果を得ることができる。

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。

また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。

また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。

１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
２０ 放射温度計
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７８ 開口部
７７ 基板支持ピン
９１ 中心部領域
９２，９３ 領域
９４ 周縁部領域
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (6)

1. 光照射によって加熱される基板を支持するサセプタの製造方法であって、
   前記サセプタの下方から前記サセプタに支持された前記基板に光を照射したときに前記基板に生じる温度分布を取得する温度分布取得工程と、
   前記温度分布において所定温度以上となる前記基板の高温領域に対向する前記サセプタの表面の一部領域を粗面とする粗面化加工工程と、
   を備え、
   前記温度分布取得工程と前記粗面化加工工程とを複数回繰り返すことを特徴とするサセプタの製造方法。
2. 請求項１記載のサセプタの製造方法において、
   前記基板の前記高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向する前記サセプタの部位の表面粗さを粗くすることを特徴とするサセプタの製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のサセプタの製造方法において、
   前記サセプタの下面を粗面とすることを特徴とするサセプタの製造方法。
4. 光照射によって加熱される基板を支持するサセプタであって、
   前記サセプタの下方から前記サセプタに支持された前記基板に光を照射したときに前記基板に生じる温度分布において所定温度以上となる前記基板の高温領域に対向する前記サセプタの表面の一部領域に粗面が形成され、
   前記基板の前記高温領域における温度が高くなるほど、その温度が高くなる位置に対向する前記サセプタの部位の表面粗さが粗くなり、前記部位の透過率が低下することを特徴とするサセプタ。
5. 請求項４記載のサセプタにおいて、
   前記サセプタの下面に粗面が形成されることを特徴とするサセプタ。
6. 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
   前記基板を収容するチャンバーと、
   前記チャンバー内に設けられて前記基板を支持する請求項４または請求項５に記載のサセプタと、
   前記サセプタの下方より光を照射して前記基板を加熱する連続点灯ランプと、
   を備えることを特徴とする熱処理装置。

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