JP7233174B2 - インプリント装置、物品製造方法、平坦化層形成装置、情報処理装置、及び、決定方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000010365 information processing Effects 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 299
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 111
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 18
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002371 helium Chemical class 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C41/34—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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Description
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
図13(A)は、第2実施形態で用いる型Mのパターン形状の例を示している。上述の第1実施形態では、型Mは、全面において均一なパターンを有するものとしていた。本実施形態における型Mは、図13(A)に示すように、型Mのパターンが領域毎に異なっている。図13(B)は、図13(A)をパターンの種類で分類したものである。図13(B)において、1301および1305は、横方向(X方向)のパターンが並んでいる領域、1302および1304は、パターンが存在しないプレーンな領域、1303は縦方向(Y方向)のパターンが並んでいる領域である。なお、図13に示されているパターンは一例であり、型Mが異なるパターンから構成されていれば、図13の例の限りではない。
・No.A:Line&Space(Vertical)
・No.B:Line&Space(Horizontal)
・No.C:Plane
・No.D:Border(Line&Space Vertical between Line&Space Horizontal)
・No.E:Border(Line&Space Vertical between Plane)
・No.F:Border(Line&Space Horizontal between Line&Space Vertical)
第3実施形態として、供給パターンRPを生成する処理においてユーザに提供されるグラフィカルユーザインターフェースについて説明する。図19は、本実施形態における供給パターンRPを生成する際に表示部112に表示される画面401の例を示す。画面401は、制御部CNTあるいはコンソール部CONSで演算処理された結果を反映するように、表示部112に表示される。ユーザは、画面401を見て、入力部113により操作を行うことができる。
上述の第1~第3実施形態では、基板の上のインプリント材と型とを接触させて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に関して説明した。しかし本発明は、基板の上に平坦化層を形成する平坦化層形成装置にも適用が可能である。平坦化層形成装置では、パターンが形成されていない型(平面テンプレート)を用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon), CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
Claims (14)
- 基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記基板の上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板に前記インプリント材を供給する供給部と、
前記基板に供給すべき前記インプリント材の位置を示す前記インプリント材の配置データに従って前記供給部を制御する制御部と、
前記インプリント材と前記型とを接触させている間に前記インプリント材の複数の液滴を撮像する撮像部と、
記憶部と、
を有し、
前記制御部は、複数のインプリント条件のそれぞれにおいて前記撮像部により撮像された画像に基づいて前記基板上の前記インプリント材の液滴の広がりに関する特徴量を取得し、
前記記憶部は、前記取得された特徴量と前記複数のインプリント条件との対応関係を記憶し、
前記制御部は、
前記記憶された対応関係を用いて、入力されたインプリント条件に対応する特徴量を取得し、
前記入力されたインプリント条件に対応する前記特徴量に基づいて前記インプリント材の複数の液滴の広がり形状を算出し、
前記算出された形状に基づいて前記インプリント材の複数の液滴の位置を調整することによって前記配置データを決定することを特徴とするインプリント装置。 - 前記特徴量は、前記撮像部による撮像によって得られた前記複数の液滴のうちの1つの液滴の画像に基づいて当該液滴を円で近似したときの、該円の径を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記特徴量は、前記撮像部による撮像によって得られた前記複数の液滴のうちの1つの滴の画像に基づいて当該液滴を楕円で近似したときの、該楕円の長径、短径、曲率半径、および傾きを含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント条件は、前記型の種別、前記インプリント材と前記型とを接触させて前記インプリント材を前記型のパターンに充填させるために設定された充填時間、前記接触の際の前記インプリント材と前記型との相対的な移動速度、前記撮像部により撮像する領域の前記基板における位置、前記インプリント材の材質、基板コーティング材の材質、前記接触が行われる位置の雰囲気気体の流量のうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記型に形成されているパターンに応じて前記撮像部により撮像する領域を決定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- ユーザインタフェースを介してインプリント条件を入力する入力部を更に有し、
前記制御部は、前記対応関係のデータに基づいて、前記入力部により入力されたインプリント条件に対応する特徴量を取得し、該取得した特徴量から予測される前記液滴の広がり予測形状に基づいて前記配置データを決定する
ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。 - 前記入力部により入力されたインプリント条件と合致するインプリント条件が前記対応関係のデータにない場合、前記制御部は、前記対応関係のデータにおける他のインプリント条件に対応する特徴量に基づいて、前記入力部により入力されたインプリント条件に対応する特徴量を作成することを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、互いに隣り合う複数の広がり予測形状それぞれの重心を結んで得られる多角形の面積が所定の重なり制約の下で最小となるように調整した結果に基づいて前記配置データを決定することを特徴とする請求項6または7に記載のインプリント装置。
- 基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記基板の上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板に前記インプリント材を供給する供給部と、
前記基板に供給すべき前記インプリント材の位置を示す前記インプリント材の配置データに従って前記供給部を制御する制御部と、
ユーザインタフェースを表示する表示部と、を有し、
前記制御部は、前記基板上の前記インプリント材の液滴の広がりに関する特徴量に基づいて前記配置データを決定し、
前記制御部は、前記ユーザインタフェースとして、インプリント条件の値を受け付け可能な第1ユーザインタフェース画面と、前記決定された配置データに従い配置される液滴の画像および該液滴の広がり予測形状の画像を表示する第2ユーザインタフェース画面と、を前記表示部に表示させることを特徴とするインプリント装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記形成する工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理する工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。 - 基板の上のレジスト材と平坦化プレートとを接触させて前記基板の上に前記レジスト材による平坦化層を形成する平坦化層形成装置であって、
前記基板に前記レジスト材を供給する供給部と、
前記基板に供給すべき前記レジスト材の位置を示す前記レジスト材の配置データに従って前記供給部を制御する制御部と、
前記レジスト材と前記平坦化プレートとを接触させている間に前記レジスト材の複数の液滴を撮像する撮像部と、
記憶部と、
を有し、
前記制御部は、複数のインプリント条件のそれぞれにおいて前記撮像部により撮像された画像に基づいて前記基板上の前記レジスト材の液滴の広がりに関する特徴量を取得し、
前記記憶部は、前記取得された特徴量と前記複数のインプリント条件との対応関係を記憶し、
前記制御部は、
前記記憶された対応関係を用いて、入力されたインプリント条件に対応する特徴量を取得し、
前記入力されたインプリント条件に対応する前記特徴量に基づいて前記レジスト材の複数の液滴の広がり形状を算出し、
前記算出された形状に基づいて前記レジスト材の複数の液滴の位置を調整することによって前記配置データを決定することを特徴とする平坦化層形成装置。 - 基板の上のレジスト材と型とを接触させて前記基板の上に前記レジスト材のパターンを形成する装置において前記基板に供給すべき前記レジスト材の位置を示す前記レジスト材の配置データを決定する情報処理装置であって、
前記装置が、複数のインプリント条件のそれぞれにおいて前記レジスト材と前記型とを接触させている間に撮像部によって撮像された前記レジスト材の複数の液滴の画像に基づいて、前記基板上の前記レジスト材の液滴の広がりに関する特徴量を取得し、
前記取得した特徴量と前記複数のインプリント条件との対応関係を用いて、入力されたインプリント条件に対応する特徴量を取得し、
前記入力されたインプリント条件に対応する前記特徴量に基づいて前記レジスト材の複数の滴の広がり形状を算出し、
前記算出された形状に基づいて前記レジスト材の複数の液滴の位置を調整することによって前記配置データを決定することを特徴とする情報処理装置。 - 基板の上のレジスト材と型とを接触させて前記基板の上に前記レジスト材のパターンを形成する装置において前記基板に供給すべき前記レジスト材の位置を示す前記レジスト材の配置データを決定する決定方法であって、
複数のインプリント条件のそれぞれにおいて前記レジスト材と前記型とを接触させている間に撮像された前記レジスト材の複数の液滴の画像に基づいて、前記基板上の前記レジスト材の液滴の広がりに関する特徴量を取得する第1取得工程と、
前記取得した特徴量と前記複数のインプリント条件との対応関係を用いて、入力されたインプリント条件に対応する特徴量を取得する第2取得工程と、
前記入力されたインプリント条件に対応する前記特徴量に基づいて前記レジスト材の複数の液滴の広がり形状を算出する算出工程と、
前記算出された形状に基づいて前記レジスト材の複数の液滴の位置を調整することによって前記配置データを決定する決定工程と、
を有することを特徴とする決定方法。 - 前記複数のインプリント条件において前記レジスト材と前記型とを接触させている間に、撮像部により前記レジスト材の液滴の広がりを計測する計測工程を有し、
前記第1取得工程において、前記計測工程において前記撮像部により撮像された前記レジスト材の複数の液滴の前記画像に基づいて、前記特徴量を取得することを特徴とする請求項13に記載の決定方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095633A JP7233174B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | インプリント装置、物品製造方法、平坦化層形成装置、情報処理装置、及び、決定方法 |
US16/411,648 US11577433B2 (en) | 2018-05-17 | 2019-05-14 | Imprint apparatus, method of manufacturing article, planarized layer forming apparatus, information processing apparatus, and determination method |
KR1020190057306A KR102521797B1 (ko) | 2018-05-17 | 2019-05-16 | 임프린트 장치, 물품 제조 방법, 평탄화층 형성 장치, 정보 처리 장치, 및 결정 방법 |
US18/153,508 US20230166430A1 (en) | 2018-05-17 | 2023-01-12 | Imprint apparatus, method of manufacturing article, planarized layer forming apparatus, information processing apparatus, and determination method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095633A JP7233174B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | インプリント装置、物品製造方法、平坦化層形成装置、情報処理装置、及び、決定方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019201146A JP2019201146A (ja) | 2019-11-21 |
JP2019201146A5 JP2019201146A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7233174B2 true JP7233174B2 (ja) | 2023-03-06 |
Family
ID=68532677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018095633A Active JP7233174B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | インプリント装置、物品製造方法、平坦化層形成装置、情報処理装置、及び、決定方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11577433B2 (ja) |
JP (1) | JP7233174B2 (ja) |
KR (1) | KR102521797B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7441037B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2024-02-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、情報処理装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP7433949B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2024-02-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
US11556055B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for generating drop patterns |
JP7360364B2 (ja) * | 2020-07-03 | 2023-10-12 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
JP7431694B2 (ja) | 2020-07-28 | 2024-02-15 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、膜形成装置、物品の製造方法、およびプログラム |
JP7555750B2 (ja) | 2020-07-29 | 2024-09-25 | キヤノン株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法及びプログラム |
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US11567414B2 (en) | 2021-05-26 | 2023-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Devices, systems, and methods for the hybrid generation of drop patterns |
JP7507802B2 (ja) | 2022-01-20 | 2024-06-28 | キヤノン株式会社 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法、およびプログラム |
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JP5002695B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | 微細加工方法、微細加工装置、および微細加工プログラム |
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JP5462903B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 滴状体配置方法、パターン形成方法、滴状体配置プログラム、滴状体配置装置、およびテンプレートのパターンの設計方法 |
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-
2018
- 2018-05-17 JP JP2018095633A patent/JP7233174B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-14 US US16/411,648 patent/US11577433B2/en active Active
- 2019-05-16 KR KR1020190057306A patent/KR102521797B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-01-12 US US18/153,508 patent/US20230166430A1/en active Pending
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JP2016178127A (ja) | 2015-03-18 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | インプリントシステム、および物品の製造方法 |
JP2016219679A (ja) | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 株式会社東芝 | 基板平坦化方法および滴下量算出方法 |
CN105137714A (zh) | 2015-10-10 | 2015-12-09 | 兰红波 | 一种大尺寸晶圆整片纳米压印的装置及其压印方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230166430A1 (en) | 2023-06-01 |
US20190351589A1 (en) | 2019-11-21 |
US11577433B2 (en) | 2023-02-14 |
JP2019201146A (ja) | 2019-11-21 |
KR20190132253A (ko) | 2019-11-27 |
KR102521797B1 (ko) | 2023-04-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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