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JP7229725B2 - Metal-clad laminate, circuit board, multi-layer circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

Metal-clad laminate, circuit board, multi-layer circuit board and manufacturing method thereof Download PDF

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JP7229725B2 JP2018205805A JP2018205805A JP7229725B2 JP 7229725 B2 JP7229725 B2 JP 7229725B2 JP 2018205805 A JP2018205805 A JP 2018205805A JP 2018205805 A JP2018205805 A JP 2018205805A JP 7229725 B2 JP7229725 B2 JP 7229725B2
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Description

本発明は、金属張積層板及び回路基板並びに複数層に積層された導体回路層を有する多層回路基板及びその製造方法に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a metal-clad laminate, a circuit board, a multilayer circuit board having a plurality of laminated conductor circuit layers, and a method for producing the same.

近年,電子機器の高密度化、高機能化の進展に伴い、更なる寸法安定性や優れた高周波特性を有する回路基板材料が求められている。特に、高速信号処理に必要な有機層間絶縁材料の特性には、低誘電率化、低誘電損失化が重要である。高周波化に対応するために、低誘電率、低誘電正接を特徴とした液晶ポリマー(LCP)を誘電体層とした多層配線板が提案されている(例えば、特許文献1)。液晶ポリマーを絶縁層とした多層配線板は、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー基材の融点付近まで加熱した状態で加熱圧着することにより製造されるため、液晶ポリマー基材の熱変形により、回路導体の位置ズレがおきやすく、インピーダンスの不整合など電気特性に悪影響が出ることが懸念されている。また、液晶ポリマーを基材層とする多層配線板は、多層接着界面が平滑であるとアンカー効果が発現せず層間接着力が不十分となるため、回路導体と液晶ポリマー基材のそれぞれの表面に粗化処理を必要とし、製造工程が煩雑であるという問題点もあった。 In recent years, with the development of high-density and high-performance electronic devices, circuit board materials with further dimensional stability and excellent high-frequency characteristics are in demand. In particular, low dielectric constant and low dielectric loss are important characteristics of organic interlayer insulating materials required for high-speed signal processing. In order to cope with higher frequencies, a multilayer wiring board has been proposed in which a liquid crystal polymer (LCP) having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent is used as a dielectric layer (for example, Patent Document 1). A multilayer wiring board with a liquid crystal polymer as an insulating layer is manufactured by thermocompression bonding in a state where the liquid crystal polymer base material, which is a thermoplastic resin, is heated to near the melting point. positional deviation is likely to occur, and there is concern that electrical characteristics such as impedance mismatch may be adversely affected. In addition, in a multi-layer wiring board using a liquid crystal polymer as a base layer, if the multi-layer adhesion interface is smooth, the anchor effect will not be exhibited and the interlayer adhesion will be insufficient. There is also the problem that roughening treatment is required in the first step, and the manufacturing process is complicated.

ところで、ポリイミドを主成分とする接着層に関する技術として、ダイマー酸などの脂肪族ジアミンから誘導されるジアミン化合物を原料とするポリイミドと、少なくとも2つの第1級アミノ基を官能基として有するアミノ化合物と、を反応させて得られる架橋ポリイミド樹脂を、カバーレイフィルムの接着剤層に適用することが提案されている(例えば、特許文献2)。特許文献2の架橋ポリイミド樹脂は、環状シロキサン化合物からなる揮発成分を発生させず、優れた半田耐熱性を有し、繰り返し高温にさらされる使用環境でも、配線層とカバーレイフィルムとの接着力を低下させない、という利点を有するものである。しかしながら、特許文献2では、高周波信号伝送への適用可能性については検討されていない。 By the way, as a technology related to an adhesive layer having polyimide as a main component, there are polyimides made from diamine compounds derived from aliphatic diamines such as dimer acid, and amino compounds having at least two primary amino groups as functional groups. is applied to the adhesive layer of the coverlay film (for example, Patent Document 2). The crosslinked polyimide resin of Patent Document 2 does not generate a volatile component composed of a cyclic siloxane compound, has excellent soldering heat resistance, and maintains the adhesive strength between the wiring layer and the coverlay film even in an environment where it is repeatedly exposed to high temperatures. It has the advantage of not deteriorating. However, Patent Document 2 does not consider applicability to high-frequency signal transmission.

特開2005-317953号公報JP-A-2005-317953 特開2013-1730号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2013-1730

今後、多層回路基板において高周波信号伝送への対応を図るための一つの方向性として、導体回路の寸法安定性を維持しながら、絶縁樹脂層や接着層の合計厚みを増大させることによって誘電特性の改善を図ることが考えられる。そのためには、多層回路基板の材料となる金属張積層板や回路基板において、それらの材質だけでなく、構造においても、従来の多層回路基板とは異なる設計思想が求められてきている。 In the future, as one direction for multi-layer circuit boards to support high-frequency signal transmission, dielectric properties can be improved by increasing the total thickness of insulating resin layers and adhesive layers while maintaining the dimensional stability of conductor circuits. Improvements can be considered. For this reason, in metal-clad laminates and circuit boards, which are materials for multilayer circuit boards, design concepts different from conventional multilayer circuit boards have been required not only in terms of materials but also in structure.

従って、本発明の目的は、導体回路の寸法安定性に優れ、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能な新規な構造を有する多層回路基板を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a multi-layer circuit board having a novel structure in which the dimensional stability of the conductor circuit is excellent and the transmission loss can be reduced even in the transmission of high-frequency signals.

本発明者らは、鋭意研究の結果、多層回路基板の材料として、特定構造の金属張積層板を用いることによって、優れた接着性を維持しつつ、導体回路の寸法安定性を維持しながら、高周波信号の伝送への対応が可能となることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive research, the present inventors have found that by using a metal-clad laminate with a specific structure as a material for a multilayer circuit board, while maintaining excellent adhesiveness and dimensional stability of the conductor circuit, The inventors have found that it is possible to cope with the transmission of high-frequency signals, and completed the present invention.

すなわち、本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に積層された金属層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えている。
また、本発明の回路基板は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えている。
そして、本発明の金属張積層板又は回路基板は、前記接着層を構成する樹脂が、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂であり、下記の条件(i)~(iii);
(i)50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下であること;
(ii)180℃から260℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が800MPa以下であること;
(iii)ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であること;
を満たすものである。
That is, the metal-clad laminate of the present invention comprises an insulating resin layer, a metal layer laminated on one side of the insulating resin layer, and an adhesive layer laminated on the other side of the insulating resin layer. I have.
Further, the circuit board of the present invention includes an insulating resin layer, a conductor circuit layer formed on one surface of the insulating resin layer, and an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer. ing.
In the metal-clad laminate or circuit board of the present invention, the resin constituting the adhesive layer is a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and the following conditions (i) to (iii);
(i) a storage modulus at 50°C of 1800 MPa or less;
(ii) the maximum value of storage modulus in the temperature range from 180°C to 260°C is 800 MPa or less;
(iii) having a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less;
It satisfies

本発明の金属張積層板又は回路基板は、前記熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドであってもよい。この場合、前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上含有するものであってもよい。 In the metal-clad laminate or circuit board of the present invention, the thermoplastic resin may be an adhesive polyimide containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue. In this case, the adhesive polyimide is a dimer acid-type diamine obtained by substituting two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid with a primary aminomethyl group or an amino group with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residue. It may contain 50 mol parts or more of diamine residues derived from.

本発明の金属張積層板は、前記金属層を配線に加工してなる回路基板の材料であってもよい。 The metal-clad laminate of the present invention may be a material for a circuit board formed by processing the metal layer into wiring.

本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の全量100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有するものであってもよい。 In the metal-clad laminate or circuit board of the present invention, the adhesive polyimide is represented by the following general formulas (1) and/or (2) with respect to 100 mol parts of the total amount of the tetracarboxylic acid residue. It may contain a total of 90 mol parts or more of tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic anhydride.

Figure 0007229725000001
Figure 0007229725000001

一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。 In general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring , represents that a saturated cyclic hydrocarbon group selected from a 6-, 7-, or 8-membered ring is formed.

Figure 0007229725000002
Figure 0007229725000002

上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。 In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, where n is 1 Indicates an integer from ~20.

本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有するものであってもよく、また、下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有するものであってもよい。 In the metal-clad laminate or circuit board of the present invention, the adhesive polyimide contains 50 mol parts or more and 99 mol parts of diamine residues derived from the dimer acid-type diamine with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residues. diamine residue derived from at least one diamine compound selected from diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7). may be contained within the range of 1 mol part or more and 50 mol parts or less.

Figure 0007229725000003
Figure 0007229725000003

式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。 In formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO- , —SO—, —SO 2 —, —COO—, —CH 2 —, —C(CH 3 ) 2 —, —NH— or —CONH—, wherein n 1 is independently Indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded.

本発明の多層回路基板は、複数の回路基板を積層したものであって、
前記回路基板として、上記いずれかの回路基板を、少なくとも1つ以上含むことを特徴とする。
The multilayer circuit board of the present invention is a laminate of a plurality of circuit boards,
At least one or more of any one of the circuit boards described above is included as the circuit board.

本発明の第1の観点における多層回路基板の製造方法は、
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えた回路基板を複数準備する工程、及び、
一つの前記回路基板の前記導体回路層と、他の一つの前記回路基板の前記接着層とが対向するように重ねて圧着する工程、
を含むものであってもよい。
A method for manufacturing a multilayer circuit board according to the first aspect of the present invention comprises:
preparing a plurality of circuit boards each having an insulating resin layer, a conductive circuit layer formed on one surface of the insulating resin layer, and an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer; as well as,
stacking and press-bonding the conductive circuit layer of one of the circuit boards and the adhesive layer of the other circuit board so as to face each other;
may include.

本発明の第2の観点における多層回路基板の製造方法は、
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えた回路基板を複数準備する工程、及び、
一つの前記回路基板の前記接着層と、他の一つの前記回路基板の前記接着層とが対向するように重ねて圧着する工程、
を含むものであってもよい。
A method for manufacturing a multilayer circuit board according to the second aspect of the present invention comprises:
preparing a plurality of circuit boards each having an insulating resin layer, a conductive circuit layer formed on one surface of the insulating resin layer, and an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer; as well as,
a step of stacking and press-bonding the adhesive layer of one circuit board and the adhesive layer of another circuit board so as to face each other;
may include.

本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層の片側に金属層、他の片面に接着層を有する構造であるため、積層することによって多層回路基板を容易に製造することが可能であり、多層回路基板の材料として有用である。また、金属張積層板を使用して多層回路基板を製造した場合に、導体回路の寸法安定性を維持しながら、導体回路層への被覆性と密着性の確保、さらに樹脂層全体の厚みの確保が可能である。そのため、本発明の金属張積層板を用いることによって、良好な層間接続を有し、且つ信頼性の高い多層回路基板が得られる。
また、本発明の多層回路基板により、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能であり、電子部品の高密度集積化や、高密度実装化を可能とすることができる。また、本発明の多層回路基板は、耐熱性にも優れているため、発熱量の大きな半導体チップを搭載することも可能である。
The metal-clad laminate of the present invention has a structure in which a metal layer is provided on one side of an insulating resin layer and an adhesive layer is provided on the other side. It is useful as a material for circuit boards. In addition, when a multilayer circuit board is manufactured using a metal-clad laminate, while maintaining the dimensional stability of the conductor circuit, it ensures coverage and adhesion to the conductor circuit layer, and further reduces the thickness of the entire resin layer. can be secured. Therefore, by using the metal-clad laminate of the present invention, a multilayer circuit board having good interlayer connection and high reliability can be obtained.
In addition, the multilayer circuit board of the present invention can reduce transmission loss even in transmission of high-frequency signals, enabling high-density integration and high-density mounting of electronic components. Moreover, since the multilayer circuit board of the present invention is excellent in heat resistance, it is possible to mount a semiconductor chip that generates a large amount of heat.

本発明の一実施の形態にかかる金属張積層板の構造を示す断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the structure of the metal-clad laminated board concerning one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態にかかる回路基板の構造を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing the structure of a circuit board according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第1の実施の形態にかかる多層回路基板の構造を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer circuit board according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第1の実施の形態にかかる多層回路基板の製造工程を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing manufacturing steps of the multilayer circuit board according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第2の実施の形態にかかる多層回路基板の構造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer circuit board according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第2の実施の形態にかかる多層回路基板の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the multilayer circuit board concerning the 2nd Embodiment of this invention.

本発明の実施の形態について詳細に説明する。 An embodiment of the present invention will be described in detail.

[金属張積層板]
図1は、本発明の一実施の形態の金属張積層板の構造を示す断面図である。本実施の形態の金属張積層板100は、絶縁樹脂層10と、絶縁樹脂層10の一方の面に積層された金属層20と、絶縁樹脂層10のもう一方の面に積層された接着層30と、を備えている。つまり、金属張積層板100は、金属層20/絶縁樹脂層10/接着層30が、この順に積層された構造である。別の表現を用いると、金属張積層板100は、絶縁樹脂層10と金属層20とが積層されてなる片面金属張積層板40の裏面側(絶縁樹脂層10側)に、さらに接着層30が付加された構造を有している。なお、接着層30は、絶縁樹脂層10の片側の全面に形成されていてもよく、一部分のみに形成されていてもよい。
[Metal clad laminate]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a metal-clad laminate according to one embodiment of the present invention. The metal-clad laminate 100 of the present embodiment includes an insulating resin layer 10, a metal layer 20 laminated on one surface of the insulating resin layer 10, and an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer 10. 30 and . That is, the metal-clad laminate 100 has a structure in which the metal layer 20/insulating resin layer 10/adhesive layer 30 are laminated in this order. In other words, the metal-clad laminate 100 includes an adhesive layer 30 on the back side (insulating resin layer 10 side) of a single-sided metal-clad laminate 40 formed by laminating an insulating resin layer 10 and a metal layer 20 . has a structure to which is added. The adhesive layer 30 may be formed on the entire surface of one side of the insulating resin layer 10, or may be formed only on a portion thereof.

<片面金属張積層板>
片面金属張積層板40の構成は、特に限定されず、FPC材料として一般的なものを使用可能であり、例えば、市販の銅張積層板などであってもよい。例えば、市販の銅張積層板としては、パナソニック社製のR-F705T(商品名)、日鉄ケミカル&マテリアル社製のエスパネックス(商品名)などを用いることができる。
<Single-sided metal clad laminate>
The structure of the single-sided metal-clad laminate 40 is not particularly limited, and a common FPC material can be used, such as a commercially available copper-clad laminate. For example, commercially available copper-clad laminates include RF705T (trade name) manufactured by Panasonic Corporation and Espanex (trade name) manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials.

(金属層)
金属層20の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。これらの中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も金属層20と同様である。
(metal layer)
The material of the metal layer 20 is not particularly limited, but examples include copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese and These alloys etc. are mentioned. Among these, copper or a copper alloy is particularly preferable. The material of the wiring layer in the circuit board of this embodiment, which will be described later, is also the same as that of the metal layer 20 .

金属層20の厚みは特に限定されるものではないが、例えば銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは35μm以下であり、より好ましくは5~25μmの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は5μmとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。 The thickness of the metal layer 20 is not particularly limited, but when using a metal foil such as a copper foil, the thickness is preferably 35 μm or less, more preferably in the range of 5 to 25 μm. The lower limit of the thickness of the metal foil is preferably 5 μm from the viewpoint of production stability and handling. When copper foil is used, it may be rolled copper foil or electrolytic copper foil. Moreover, as a copper foil, the copper foil marketed can be used.

また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。 In addition, the metal foil may be subjected to surface treatment with, for example, siding, aluminum alcoholate, aluminum chelate, silane coupling agent, etc., for the purpose of rust prevention treatment and adhesion strength improvement.

(絶縁樹脂層)
絶縁樹脂層10としては、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ETFE、BTレジンなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーを意味する。
(insulating resin layer)
The insulating resin layer 10 is not particularly limited as long as it is made of an electrically insulating resin, and examples include polyimide, liquid crystal polymer, epoxy resin, phenol resin, polyethylene, polypropylene, polytetrafluoroethylene, silicone, ETFE, BT resin, etc. can be mentioned, but polyimide is preferable. In the present invention, polyimide means a polymer having an imide group in its molecular structure, such as polyamideimide, polyetherimide, polyesterimide, polysiloxaneimide, and polybenzimidazoleimide, in addition to polyimide.

また、絶縁樹脂層10は、単層に限らず、複数の樹脂層が積層されたものであってもよい。また、絶縁樹脂層10は、非熱可塑性ポリイミドによる非熱可塑性ポリイミド層を含むことが好ましい。なお、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、300℃における貯蔵弾性率が3.0×10Pa以上であるポリイミドをいう。 Moreover, the insulating resin layer 10 is not limited to a single layer, and may be a laminate of a plurality of resin layers. Insulating resin layer 10 preferably includes a non-thermoplastic polyimide layer. The term "non-thermoplastic polyimide" generally refers to polyimide that does not soften or exhibit adhesiveness when heated. A polyimide having a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at °C and a storage modulus of 3.0×10 8 Pa or more at 300°C.

絶縁樹脂層10は、例えば、市販のポリイミドフィルム、市販の液晶ポリマーフィルム又は市販の金属張積層板に絶縁性基材として用いられる樹脂の中から選択して用いることができる。ポリイミドフィルムとしては、宇部興産社製のユーピレックス(商品名)、東レ・デュポン社製のカプトン(商品名)、カネカ社製のアピカル(商品名)、同ピクシオ(商品名)、液晶ポリマーフィルムとしてはクラレ社製のベクスター(商品名)、プライマテック社製のBIAC Film(商品名)などを用いることができる。 The insulating resin layer 10 can be selected from, for example, a commercially available polyimide film, a commercially available liquid crystal polymer film, or a resin used as an insulating base material for a commercially available metal-clad laminate. Polyimide films include Upilex (trade name) manufactured by Ube Industries, Kapton (trade name) manufactured by DuPont Toray, Apical (trade name) and Pixio (trade name) manufactured by Kaneka, and liquid crystal polymer films. Vecstar (trade name) manufactured by Kuraray Co., Ltd., BIAC Film (trade name) manufactured by Primatec, and the like can be used.

絶縁樹脂層10の熱膨張係数(CTE)は、特に限定されるものではないが、10ppm/K以上がよく、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内である。CTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEに制御できる。 The coefficient of thermal expansion (CTE) of the insulating resin layer 10 is not particularly limited, but is preferably 10 ppm/K or more, preferably 10 ppm/K or more and 30 ppm/K or less, more preferably 15 ppm/K or more. It is within the range of 25 ppm/K or less. If the CTE is less than 10 ppm/K or more than 30 ppm/K, warping will occur and dimensional stability will decrease. A desired CTE can be obtained by appropriately changing the combination of raw materials used, the thickness, and the drying/curing conditions.

なお、絶縁樹脂層10及び接着層30を含む樹脂層の全体の熱膨張係数(CTE)は、特に限定されるものではないが、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内である。これらの樹脂層全体のCTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。 The coefficient of thermal expansion (CTE) of the entire resin layer including the insulating resin layer 10 and the adhesive layer 30 is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 ppm/K or more and 30 ppm/K or less, more preferably is in the range of 15 ppm/K or more and 25 ppm/K or less. If the total CTE of these resin layers is less than 10 ppm/K or more than 30 ppm/K, warpage occurs and dimensional stability decreases.

絶縁樹脂層10は、例えば多層回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)は、好ましくは0.02以下、より好ましくは0.0005以上0.01以下の範囲内、更に好ましくは0.001以上0.008以下の範囲内がよい。絶縁樹脂層10の10GHzにおける誘電正接が0.02を超えると、多層回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、絶縁樹脂層10の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、多層回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。 For example, when the insulating resin layer 10 is applied to a multilayer circuit board, the dielectric loss tangent (Tan δ) at 10 GHz is preferably 0.02 or less, more preferably 0.0005 or more, in order to suppress deterioration of dielectric loss. It is preferably in the range of 0.01 or less, more preferably in the range of 0.001 to 0.008. If the dielectric loss tangent of the insulating resin layer 10 at 10 GHz exceeds 0.02, problems such as loss of electrical signals tend to occur on the transmission path of high-frequency signals when applied to a multilayer circuit board. On the other hand, the lower limit value of the dielectric loss tangent of the insulating resin layer 10 at 10 GHz is not particularly limited, but the control of the physical properties as the insulating resin layer of the multilayer circuit board is taken into consideration.

絶縁樹脂層10は、例えば多層回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、10GHzにおける誘電率(ε)が4.0以下であることが好ましい。絶縁樹脂層10の10GHzにおける誘電率が4.0を超えると、多層回路基板に適用した際に、絶縁樹脂層10の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。 Insulating resin layer 10 preferably has a dielectric constant (ε) of 4.0 or less at 10 GHz in order to ensure impedance matching when applied as an insulating resin layer of a multilayer circuit board, for example. If the dielectric constant of the insulating resin layer 10 at 10 GHz exceeds 4.0, the dielectric loss of the insulating resin layer 10 is deteriorated when applied to a multilayer circuit board, resulting in loss of electrical signals on the transmission path of high frequency signals. inconvenience is more likely to occur.

<接着層>
接着層30は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂で構成され、以下の条件;
(i)50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下であること、
(ii)180℃から260℃の貯蔵弾性率の最大値が800MPa以下であること、
及び
(iii)ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であること、
を満たすものである。このような樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン-マレイミド共重合体、マレイミド-ビニル化合物共重合体、又は(メタ)アクリル共重合体、エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂及びシアネートエステル樹脂等の樹脂が挙げられ、これらの中から、条件(i)~(iii)を満たすものを選択したり、あるいは、条件(i)~(iii)を満たすように設計したりして、接着層30に使用することができる。
<Adhesive layer>
The adhesive layer 30 is composed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, under the following conditions;
(i) a storage modulus at 50°C of 1800 MPa or less;
(ii) the maximum value of the storage modulus from 180°C to 260°C is 800 MPa or less;
and (iii) a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or lower;
It satisfies Examples of such resins include polyimide resins, polyamide resins, epoxy resins, phenoxy resins, acrylic resins, polyurethane resins, styrene resins, polyester resins, phenol resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene sulfide resins, polyethylene resins, Polypropylene resin, silicone resin, polyether ketone resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral resin, styrene-maleimide copolymer, maleimide-vinyl compound copolymer, or (meth) acrylic copolymer, epoxy resin, benzoxazine resin, Examples include resins such as bismaleimide resins and cyanate ester resins, and from among these, those that satisfy conditions (i) to (iii) are selected, or designed to satisfy conditions (i) to (iii). or can be used for the adhesive layer 30 .

接着層30が熱硬化性樹脂である場合、有機過酸化物、硬化剤、硬化促進剤等を含有してもよく、必要に応じて、硬化剤と硬化促進剤、又は触媒と助触媒を併用してもよい。上記条件(i)~(iii)の確保できる範囲で、硬化剤、硬化促進剤、触媒、助触媒、及び有機過酸化物の添加量、及び添加の有無を判断すればよい。 When the adhesive layer 30 is a thermosetting resin, it may contain an organic peroxide, a curing agent, a curing accelerator, etc., and if necessary, a curing agent and a curing accelerator, or a catalyst and a co-catalyst are used in combination. You may The amount of the curing agent, curing accelerator, catalyst, co-catalyst, and organic peroxide to be added and whether or not to add them can be determined within the range where the above conditions (i) to (iii) can be ensured.

接着層30は、条件(i)、(ii)に示すとおり、50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下であり、180℃から260℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が800MPa以下である。このような接着層30の特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。また、接着層30は、前記温度領域の上限温度(260℃)での貯蔵弾性率が、800MPa以下であることが好ましく、500MPa以下の範囲内であることがより好ましい。このような貯蔵弾性率とすることによって、回路加工後の半田リフロー工程を経由した後においても、反りが生じにくい。 The adhesive layer 30 has a storage modulus of 1800 MPa or less at 50° C. and a maximum storage modulus of 800 MPa or less in the temperature range from 180° C. to 260° C., as shown in conditions (i) and (ii). be. Such properties of the adhesive layer 30 are considered to be the factors for relieving internal stress during thermocompression bonding and maintaining dimensional stability after circuit processing. The storage modulus of the adhesive layer 30 at the upper limit temperature (260° C.) of the temperature range is preferably 800 MPa or less, more preferably 500 MPa or less. With such a storage elastic modulus, warping is less likely to occur even after a solder reflow process after circuit processing.

接着層30は、条件(iii)に示すとおり、ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であり、好ましくは160℃以下の範囲内であることがよい。接着層30のガラス転移温度を180℃以下とすることによって、低温での熱圧着が可能になるため、積層時に発生する内部応力を緩和し、寸法変化を抑制できる。接着層30のTgが180℃を超えると、絶縁樹脂層10と任意の回路基板との間に介在させて接着する際の温度が高くなり、寸法安定性を損なう恐れがある。 As shown in condition (iii), the adhesive layer 30 has a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or lower, preferably 160° C. or lower. By setting the glass transition temperature of the adhesive layer 30 to 180° C. or lower, thermocompression bonding can be performed at a low temperature, so that the internal stress generated during lamination can be alleviated and dimensional change can be suppressed. If the Tg of the adhesive layer 30 exceeds 180° C., the temperature at which it is interposed between the insulating resin layer 10 and an arbitrary circuit board for adhesion becomes high, which may impair the dimensional stability.

(接着層のCTE)
接着層30を構成する熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂は、高熱膨張性であるが低弾性であり、ガラス転移温度が低いため、CTEが30ppm/Kを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。従って、接着層30のCTEは、好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上200ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上150ppm/K以下の範囲内である。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有する接着層30とすることができる。
(CTE of adhesion layer)
The thermoplastic resin or thermosetting resin that constitutes the adhesive layer 30 has high thermal expansion but low elasticity and a low glass transition temperature, so even if the CTE exceeds 30 ppm/K, the internal stress generated during lamination can be mitigated. Therefore, the CTE of the adhesive layer 30 is preferably 35 ppm/K or higher, more preferably in the range of 35 ppm/K to 200 ppm/K, and even more preferably in the range of 35 ppm/K to 150 ppm/K. The adhesive layer 30 having a desired CTE can be obtained by appropriately changing the combination of raw materials to be used, the thickness, and the drying/curing conditions.

(接着層の誘電正接)
接着層30は、例えば多層回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、好ましくは0.004以下、より好ましくは0.003以下、更に好ましくは0.002以下がよい。接着層30の10GHzにおける誘電正接が0.004を超えると、多層回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、接着層30の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。
(Dielectric loss tangent of adhesive layer)
For example, when applied to a multilayer circuit board, the dielectric loss tangent (Tan δ) at 10 GHz is preferably 0.004 or less, more preferably 0.003 or less, and furthermore, in order to suppress deterioration of dielectric loss. Preferably, it is 0.002 or less. If the dielectric loss tangent of the adhesive layer 30 at 10 GHz exceeds 0.004, problems such as loss of electrical signals tend to occur on the transmission path of high-frequency signals when applied to a multilayer circuit board. On the other hand, the lower limit value of the dielectric loss tangent of the adhesive layer 30 at 10 GHz is not particularly limited.

(接着層の誘電率)
接着層30は、例えば多層回路基板に適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、10GHzにおける誘電率が4.0以下であることが好ましい。接着層30の10GHzにおける誘電率が4.0を超えると、多層回路基板に適用した際に、接着層30の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
(Dielectric constant of adhesive layer)
The adhesive layer 30 preferably has a dielectric constant of 4.0 or less at 10 GHz in order to ensure impedance matching when applied to a multilayer circuit board, for example. If the dielectric constant of the adhesive layer 30 at 10 GHz exceeds 4.0, the dielectric loss of the adhesive layer 30 will be worsened when applied to a multilayer circuit board, and there will be problems such as loss of electrical signals on the transmission path of high-frequency signals. becomes more likely to occur.

(フィラー)
接着層30は、必要に応じて、フィラーを含有してもよい。フィラーとしては、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、有機ホスフィン酸の金属塩等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
(filler)
The adhesion layer 30 may contain a filler as needed. Examples of fillers include silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, calcium fluoride, metal salts of organic phosphinic acids, and the like. These can be used singly or in combination of two or more.

(接着性ポリイミド)
次に、接着層30を構成する樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性の熱可塑性ポリイミド(以下、「接着性ポリイミド」と記すことがある)である場合を例に挙げ、接着層30の具体的構成例を説明する。接着性ポリイミドは、特定の酸無水物とジアミン化合物とを反応させて得られる前駆体のポリアミド酸をイミド化して製造されるので、酸無水物とジアミン化合物を説明することにより、接着性ポリイミドの具体例が理解される。なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを意味し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを意味する。また、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、300℃における貯蔵弾性率が3.0×10Pa未満であるポリイミドをいう。
(adhesive polyimide)
Next, the case where the resin constituting the adhesive layer 30 is an adhesive thermoplastic polyimide containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue (hereinafter sometimes referred to as "adhesive polyimide") is taken as an example. A specific configuration example of the adhesive layer 30 will be described. Adhesive polyimide is produced by imidizing a precursor polyamic acid obtained by reacting a specific acid anhydride and a diamine compound. A specific example is understood. In the present invention, the tetracarboxylic acid residue means a tetravalent group derived from a tetracarboxylic dianhydride, and the diamine residue is a divalent group derived from a diamine compound. means that In addition, the term "thermoplastic polyimide" generally refers to a polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly identified. ×10 8 Pa or more and a storage modulus at 300°C of less than 3.0 × 10 7 Pa.

(テトラカルボン酸残基)
接着性ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「テトラカルボン酸残基(1)」、「テトラカルボン酸残基(2)」と記すことがある)を、合計で90モル部以上含有することが好ましい。本発明では、テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)を、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して合計で90モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドに溶剤可溶性を付与するとともに、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすくより好ましい。テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)の合計が90モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
(tetracarboxylic acid residue)
The adhesive polyimide contains tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic anhydrides represented by the following general formulas (1) and/or (2) with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. (Hereinafter, sometimes referred to as "tetracarboxylic acid residue (1)" and "tetracarboxylic acid residue (2)"), it is preferable to contain a total of 90 mol parts or more. In the present invention, the tetracarboxylic acid residues (1) and/or (2) are contained in a total of 90 mol parts or more with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues, so that the adhesive polyimide is solvent-soluble. is imparted, and compatibility between the flexibility and heat resistance of the adhesive polyimide can easily be achieved, which is more preferable. If the total amount of tetracarboxylic acid residues (1) and/or (2) is less than 90 mol parts, the solvent solubility of the adhesive polyimide tends to decrease.

Figure 0007229725000004
Figure 0007229725000004

一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを示す。 In general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring , a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a 6-, 7-, or 8-membered ring.

Figure 0007229725000005
Figure 0007229725000005

上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。 In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, where n is 1 Indicates an integer from ~20.

テトラカルボン酸残基(1)を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4’-オキシジフタル酸無水物(ODPA)、4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、2,2-ビス〔4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物(BPADA)、p-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)(TAHQ)、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート(TMEG)などを挙げることができる。 Tetracarboxylic dianhydrides for deriving the tetracarboxylic acid residue (1) include, for example, 3,3′,4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3′, 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (DSDA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) , 4,4′-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (6FDA), 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride (BPADA), p-phenylene Bis(trimellitic acid monoester acid anhydride) (TAHQ), ethylene glycol bisanhydrotrimellitate (TMEG), and the like can be mentioned.

また、テトラカルボン酸残基(2)を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-シクロオクタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。 Further, the tetracarboxylic dianhydride for deriving the tetracarboxylic acid residue (2) includes, for example, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4- Cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cycloheptanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6- Cyclooctanetetracarboxylic dianhydride and the like can be mentioned.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式(1)又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。 The adhesive polyimide contains a tetracarboxylic acid residue derived from an acid anhydride other than the tetracarboxylic acid anhydride represented by the general formula (1) or (2) within the range that does not impair the effects of the invention. be able to.

(ジアミン残基)
接着性ポリイミドは、全ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を50モル部以上、例えば50モル部以上99モル部以下の範囲内、好ましくは80モル部以上、例えば80モル部以上99モル部以下の範囲内で含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層30の誘電特性を改善させるとともに、接着層30のガラス転移温度の低温化による熱圧着特性の改善及び低弾性率化による内部応力を緩和することができる。また、ダイマー酸型ジアミン残基を50モル部以上とすることで、溶剤可溶性と熱可塑性を付与し、接着層30の吸水性を低下させ、例えばエッチングによる寸法変化を小さくすることができる。全ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が50モル部未満であると、接着性ポリイミドとしての溶剤可溶性が低下する。
(diamine residue)
The adhesive polyimide contains 50 mol parts or more of the dimer acid-type diamine residue derived from the dimer acid-type diamine with respect to 100 mol parts of the total diamine residues, for example, within the range of 50 mol parts or more and 99 mol parts or less, It is preferably contained in the range of 80 mol parts or more, for example 80 mol parts or more and 99 mol parts or less. By containing the dimer acid-type diamine residue in the above amount, the dielectric properties of the adhesive layer 30 are improved, and the thermocompression bonding properties are improved by lowering the glass transition temperature of the adhesive layer 30. Stress can be relieved. In addition, when the dimer acid-type diamine residue is 50 mol parts or more, solvent solubility and thermoplasticity can be imparted, the water absorption of the adhesive layer 30 can be reduced, and dimensional change due to etching, for example, can be reduced. If the dimer acid-type diamine residue is less than 50 mol parts per 100 mol parts of all diamine residues, the solvent solubility of the adhesive polyimide is reduced.

ここで、ダイマー酸型ジアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基(-COOH)が、1級のアミノメチル基(-CH-NH)又はアミノ基(-NH)に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が11~22の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸(炭素数18)、トリマー酸(炭素数54)、炭素数20~54の他の重合脂肪酸を含有する。本発明では、ダイマー酸は分子蒸留によってダイマー酸含有量を90重量%以上にまで高めたものを使用することが好ましい。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。 Here, the dimer acid-type diamine means that the two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of the dimer acid are substituted with primary aminomethyl groups (-CH 2 -NH 2 ) or amino groups (-NH 2 ). means a diamine consisting of Dimer acid is a known dibasic acid obtained by an intermolecular polymerization reaction of unsaturated fatty acids, and its industrial production process is almost standardized in the industry. It is obtained by dimerization with Etc. Industrially obtained dimer acid is mainly composed of dibasic acid with 36 carbon atoms obtained by dimerizing unsaturated fatty acids with 18 carbon atoms such as oleic acid and linoleic acid. , any amount of monomeric acids (18 carbon atoms), trimer acids (54 carbon atoms), and other polymerized fatty acids of 20 to 54 carbon atoms. In the present invention, it is preferable to use dimer acid whose content is increased to 90% by weight or more by molecular distillation. Moreover, although a double bond remains after the dimerization reaction, in the present invention, the dimer acid includes the one which is further hydrogenated to reduce the degree of unsaturation.

ダイマー酸型ジアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性をポリイミドに付与することができる。すなわち、ダイマー酸型ジアミンは、分子量約560~620の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、2つの自由に動く炭素数7~9の疎水鎖と、炭素数18に近い長さを持つ2つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化及び低誘電正接化を図ることができると考えられる。 As a feature of the dimer acid-type diamine, it is possible to impart properties derived from the skeleton of the dimer acid to the polyimide. That is, the dimer acid-type diamine is a macromolecular aliphatic with a molecular weight of about 560 to 620, so that the molar volume of the molecule can be increased and the polar groups of the polyimide can be relatively reduced. Such features of the dimer acid-type diamine are considered to contribute to improving the dielectric properties by reducing the dielectric constant and the dielectric loss tangent while suppressing the deterioration of the heat resistance of the polyimide. In addition, since it has two freely moving hydrophobic chains having 7 to 9 carbon atoms and two chain aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, it not only gives the polyimide flexibility, Since polyimide can have an asymmetrical chemical structure or a non-planar chemical structure, it is thought that a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent of polyimide can be achieved.

ダイマー酸型ジアミンは、市販品が入手可能であり、例えばクローダジャパン社製のPRIAMINE1073(商品名)、同PRIAMINE1074(商品名)、同PRIAMINE1075(商品名)、BASFジャパン社製のバーサミン551(商品名)、同バーサミン552(商品名)等が挙げられる。 Dimer acid-type diamines are commercially available, for example, PRIAMINE 1073 (trade name), PRIAMINE 1074 (trade name), and PRIAMINE 1075 (trade name) manufactured by Croda Japan, Versamin 551 (trade name) manufactured by BASF Japan. ), Versamin 552 (trade name), and the like.

また、接着性ポリイミドは、下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン残基100モル部に対して、合計で1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有することが好ましく、1モル部以上20モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、溶剤可溶性と熱可塑性を付与することができる。また、一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物を用いることによって、例えば接着層30にレーザー加工によりビアホール(貫通孔)を形成する場合でも、ポリイミド分子構造中の芳香環の割合が高くなることで、例えば紫外線領域の吸収性を高めることができる他、接着層30のガラス転移温度を高めることができ、これによってレーザー光の入熱によるボトム金属の温度上昇に対する耐熱性を向上させることができるため、レーザー加工性をより向上させることができる。下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の合計量が、全ジアミン残基の100モル部に対して50モル部を超えると、接着性ポリイミドの柔軟性が不足し、またガラス転移温度が上昇するため、熱圧着による残留応力が増加しエッチング後寸法変化率が悪化する傾向になる。 In addition, the adhesive polyimide contains a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from the diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7), to 100 mol parts of all diamine residues. On the other hand, the total content is preferably in the range of 1 mol part or more and 50 mol parts or less, and more preferably in the range of 1 mol part or more and 20 mol parts or less. Since the diamine compounds represented by the general formulas (B1) to (B7) have a flexible molecular structure, by using at least one diamine compound selected from these in an amount within the above range, the polyimide molecule It can improve chain flexibility and impart solvent solubility and thermoplasticity. Further, by using the diamine compounds represented by the general formulas (B1) to (B7), even when a via hole (through hole) is formed in the adhesive layer 30 by laser processing, for example, the ratio of the aromatic rings in the polyimide molecular structure By increasing the temperature, it is possible to increase the absorption in the ultraviolet region, for example, and also to increase the glass transition temperature of the adhesive layer 30, thereby improving the heat resistance against the temperature rise of the bottom metal due to the heat input of the laser light. Therefore, the laser workability can be further improved. The total amount of diamine residues derived from at least one diamine compound selected from diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7) is 50 per 100 mole parts of all diamine residues. If it exceeds the molar part, the flexibility of the adhesive polyimide becomes insufficient and the glass transition temperature rises, so that the residual stress due to thermocompression bonding increases and the post-etching dimensional change rate tends to deteriorate.

Figure 0007229725000006
Figure 0007229725000006

式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。
なお、「独立に」とは、上記式(B1)~(B7)の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基A、複数のR若しくは複数のnが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、式(B1)~(B7)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば-NR(ここで、R,Rは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。
In formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO- , —SO—, —SO 2 —, —COO—, —CH 2 —, —C(CH 3 ) 2 —, —NH— or —CONH—, wherein n 1 is independently Indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded.
The term “independently” means that in one or more of the above formulas (B1) to (B7), multiple linking groups A, multiple R 1 or multiple n 1 may be the same. It means good and can be different. Further, in formulas (B1) to (B7), the hydrogen atoms in the two terminal amino groups may be substituted, for example —NR 2 R 3 (wherein R 2 and R 3 are independently alkyl (meaning any substituent such as a group).

式(B1)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B1)」と記すことがある)は、2つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B1)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B1)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-、-CH-、-C(CH-、-CO-、-SO-、-S-、-COO-が好ましい。 The diamine represented by formula (B1) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B1)") is an aromatic diamine having two benzene rings. In this diamine (B1), the amino group directly attached to at least one benzene ring and the divalent linking group A are at the meta position, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and has high flexibility. It is thought that it contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B1) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, -S-, or -COO-.

ジアミン(B1)としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。 Diamine (B1) includes, for example, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3-diaminodiphenyl ether , 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino ) diphenylamine and the like.

式(B2)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B2)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B2)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B2)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B2) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B2)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B2) has an amino group directly attached to at least one benzene ring and a divalent linking group A at the meta position, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and has high flexibility. It is thought that it contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B2) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the connecting group A is preferably -O-.

ジアミン(B2)としては、例えば1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B2) include 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 3-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy] Benzenamine and the like can be mentioned.

式(B3)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B3)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B3)は、1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B3)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B3) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B3)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B3) has two divalent linking groups A directly connected to one benzene ring at the meta-position to each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and has high flexibility. It is thought that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B3) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the connecting group A is preferably -O-.

ジアミン(B3)としては、例えば1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B3) include 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (APB), 4,4'-[2- Methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[4-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[5-methyl-(1,3-phenylene) ) bisoxy] bisaniline and the like.

式(B4)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B4)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B4)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B4)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-、-CH-、-C(CH-、-SO-、-CO-、-CONH-が好ましい。 The diamine represented by formula (B4) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B4)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B4) has high flexibility due to the fact that the amino group directly connected to at least one benzene ring and the divalent linking group A are in the meta position, and improve the flexibility of the polyimide molecular chain. considered to contribute. Therefore, the use of the diamine (B4) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -SO 2 -, -CO-, or -CONH-.

ジアミン(B4)としては、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド等を挙げることができる。 Diamines (B4) include bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis Examples include [4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)]benzophenone, bis[4,4'-(3-aminophenoxy)]benzanilide and the like.

式(B5)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B5)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B5)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B5)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B5) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B5)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B5) has two divalent linking groups A directly connected to at least one benzene ring at the meta position to each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and has high flexibility. It is thought that it contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B5) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the connecting group A is preferably -O-.

ジアミン(B5)としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B5) include 4-[3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline, 4,4'-[oxybis(3,1-phenyleneoxy)]bisaniline, and the like. .

式(B6)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B6)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B6)は、少なくとも2つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B6)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-C(CH-、-O-、-SO-、-CO-が好ましい。 The diamine represented by formula (B6) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B6)") is an aromatic diamine having four benzene rings. Since this diamine (B6) has at least two ether bonds, it has high flexibility, and is considered to contribute to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B6) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the linking group A is preferably -C(CH 3 ) 2 -, -O-, -SO 2 -, or -CO-.

ジアミン(B6)としては、例えば、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B6) include 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane (BAPP), bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether (BAPE), bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone (BAPS), bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK) and the like.

式(B7)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B7)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B7)は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い2価の連結基Aを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B7)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B7) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B7)") is an aromatic diamine having four benzene rings. Since this diamine (B7) has highly flexible divalent linking groups A on both sides of the diphenyl skeleton, it is believed that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of the diamine (B7) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, the connecting group A is preferably -O-.

ジアミン(B7)としては、例えば、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B7) include bis[4-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)]biphenyl and the like.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン(B1)~(B7)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。 The adhesive polyimide may contain a diamine residue derived from a diamine compound other than the dimer acid-type diamine and diamines (B1) to (B7) as long as the effects of the invention are not impaired.

また、接着性ポリイミドは、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を含有する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In addition, the adhesive polyimide is prepared by selecting the types of the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue, and the respective molar ratios when two or more tetracarboxylic acid residues or diamine residues are contained. The expansion coefficient, tensile modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. When a plurality of polyimide structural units are present, they may be present as blocks or randomly, but are preferably present randomly.

接着性ポリイミドのイミド基濃度は、20重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(-(CO)-N-)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が20重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化し、弾性率が上昇する。 The imide group concentration of the adhesive polyimide is preferably 20% by weight or less. Here, "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide group (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 20% by weight, the molecular weight of the resin itself becomes small, and the low hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups, resulting in an increase in elastic modulus.

接着性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000~400,000の範囲内が好ましく、20,000~350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、接着層30の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に接着層30の厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the adhesive polyimide is, for example, preferably within the range of 10,000 to 400,000, more preferably within the range of 20,000 to 350,000. If the weight-average molecular weight is less than 10,000, the strength of the adhesive layer 30 is lowered and the adhesive layer 30 tends to become brittle. On the other hand, if the weight-average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity increases excessively, and defects such as unevenness in the thickness of the adhesive layer 30 and streaks tend to occur during the coating operation.

接着性ポリイミドは、多層回路基板を形成する場合に、任意の回路基板の導体回路層を被覆するものであることから、銅の拡散を抑制するために完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、1回反射ATR法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1015cm-1付近のベンゼン環吸収体を基準とし、1780cm-1のイミド基に由来するC=O伸縮の吸光度から算出することができる。 Since the adhesive polyimide covers the conductive circuit layers of any circuit board when forming a multi-layer circuit board, a completely imidized structure is most preferable to suppress copper diffusion. However, part of the polyimide may be amic acid. The imidization rate is around 1015 cm −1 by measuring the infrared absorption spectrum of the polyimide thin film by the single reflection ATR method using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercial product: FT/IR620 manufactured by JASCO Corporation). can be calculated from the absorbance of C═O stretching derived from the imide group at 1780 cm −1 based on the benzene ring absorber of .

(架橋形成)
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてC=N結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有するポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を、ジアミン化合物としては、例えば、4,4’―ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BABP)、1,3-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン(BABB)等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
(crosslink formation)
When the adhesive polyimide has a ketone group, the ketone group is reacted with the amino group of an amino compound having at least two primary amino groups as functional groups to form a C=N bond, thereby cross-linking. Structures can be formed. By forming a crosslinked structure, the heat resistance of the adhesive polyimide can be improved. A preferred tetracarboxylic anhydride for forming a polyimide having a ketone group is, for example, 3,3′,4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), and a diamine compound is, for example, 4 Aromatic diamines such as ,4'-bis(3-aminophenoxy)benzophenone (BABP) and 1,3-bis[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene (BABB) can be mentioned.

接着性ポリイミドの架橋形成に使用可能なアミノ化合物としては、ジヒドラジド化合物、芳香族ジアミン、脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすく、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6-ナフトエ二酸ジヒドラジド、4,4-ビスベンゼンジヒドラジド、1,4-ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6-ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、2種類以上混合して用いることもできる。 Examples of amino compounds that can be used for crosslinking the adhesive polyimide include dihydrazide compounds, aromatic diamines, and aliphatic amines. Among these, dihydrazide compounds are preferred. Aliphatic amines other than dihydrazide compounds tend to form a crosslinked structure even at room temperature, and there is concern about the storage stability of varnishes. On the other hand, aromatic diamines require a high temperature to form a crosslinked structure. When a dihydrazide compound is used, both the storage stability of the varnish and the shortening of the curing time can be achieved. Examples of dihydrazide compounds include oxalic acid dihydrazide, malonic acid dihydrazide, succinic acid dihydrazide, glutaric acid dihydrazide, adipic acid dihydrazide, pimelic acid dihydrazide, suberic acid dihydrazide, azelaic acid dihydrazide, sebacic acid dihydrazide, dodecanedioic acid dihydrazide, and maleic acid. dihydrazide, fumaric acid dihydrazide, diglycolic acid dihydrazide, tartaric acid dihydrazide, malic acid dihydrazide, phthalic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthoedioic acid dihydrazide, 4,4-bisbenzene dihydrazide, 1,4 Dihydrazide compounds such as -naphthoic acid dihydrazide, 2,6-pyridinedioic acid dihydrazide, and itaconic acid dihydrazide are preferred. The above dihydrazide compounds may be used alone or in combination of two or more.

接着性ポリイミドは、上記のテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0~100℃の範囲内の温度で30分~24時間撹拌し重合反応させることで接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5~50重量%の範囲内、好ましくは10~40重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、2-ブタノン、ジメチルスホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N-メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5~50重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。 The adhesive polyimide can be produced by reacting the tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound in a solvent to form a polyamic acid, followed by heat ring closure. For example, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound are dissolved in an organic solvent in approximately equimolar amounts and stirred at a temperature within the range of 0 to 100° C. for 30 minutes to 24 hours for a polymerization reaction to form an adhesive polyimide. A polyamic acid precursor is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the resulting precursor is within the range of 5 to 50% by weight, preferably within the range of 10 to 40% by weight. Examples of organic solvents used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -butanone, dimethylsulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can also be used in combination. The amount of such an organic solvent to be used is not particularly limited, but the amount used is adjusted so that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 50% by weight. is preferred.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500cps~100,000cpsの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。 It is usually advantageous to use the synthesized polyamic acid as a reaction solvent solution, but if necessary, it can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent. Polyamic acid is also advantageously used because it is generally excellent in solvent solubility. The viscosity of the polyamic acid solution is preferably in the range of 500 cps to 100,000 cps. If the thickness is out of this range, defects such as thickness unevenness and streaks are likely to occur in the film during the coating operation using a coater or the like.

ポリアミド酸をイミド化させてポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80~400℃の範囲内の温度条件で1~24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。 The method of imidizing the polyamic acid to form a polyimide is not particularly limited, for example, a heat treatment such as heating for 1 to 24 hours under a temperature condition within the range of 80 to 400 ° C. in the solvent is preferably employed. be done.

以上のようにして得られた接着性ポリイミドを架橋形成させる場合は、ケトン基を有するポリイミドを含む樹脂溶液に、上記アミノ化合物を加えて、接着性ポリイミド中のケトン基とアミノ化合物の第1級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、アミノ化合物の添加量は、ケトン基1モルに対し、第1級アミノ基が合計で0.004モル~1.5モルがよく、好ましくは0.005モル~1.2モル、より好ましくは0.03モル~0.9モル、最も好ましくは0.04モル~0.5モルとなるようにアミノ化合物を添加することができる。ケトン基1モルに対して第1級アミノ基が合計で0.004モル未満となるようなアミノ化合物の添加量では、アミノ化合物によるポリイミド鎖の架橋が十分ではないため、硬化させた後の接着層30において耐熱性が発現しにくい傾向となり、アミノ化合物の添加量が1.5モルを超えると未反応のアミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着層30の耐熱性を低下させる傾向がある。 When cross-linking the adhesive polyimide obtained as described above, the amino compound is added to a resin solution containing a polyimide having a ketone group, and the ketone group in the adhesive polyimide and the primary amino compound are Condensation reaction with an amino group. Due to this condensation reaction, the resin solution is cured into a cured product. In this case, the amount of the amino compound to be added is preferably 0.004 mol to 1.5 mol, preferably 0.005 mol to 1.2 mol, and more, per 1 mol of the ketone group. The amino compound can be added in an amount of preferably 0.03 to 0.9 mol, most preferably 0.04 to 0.5 mol. If the amount of amino compound added is such that the total amount of primary amino groups is less than 0.004 mol per 1 mol of ketone group, the polyimide chain is not sufficiently crosslinked by the amino compound. The heat resistance tends to be difficult to develop in the layer 30, and when the amount of the amino compound added exceeds 1.5 mol, the unreacted amino compound acts as a thermoplastic and tends to lower the heat resistance of the adhesive layer 30. .

架橋形成のための縮合反応の条件は、接着性ポリイミドにおけるケトン基とアミノ化合物の第1級アミノ基が反応してイミン結合(C=N結合)を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又は接着性ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば120~220℃の範囲内が好ましく、140~200℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、30分~24時間程度が好ましく、反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1670cm-1付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び1635cm-1付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。 The condensation reaction conditions for cross-linking are not particularly limited as long as the ketone groups in the adhesive polyimide react with the primary amino groups of the amino compound to form imine bonds (C=N bonds). The temperature of the heat condensation is, for example, 120° C. for reasons such as releasing water generated by the condensation to the outside of the system, or simplifying the condensation step when the heat condensation reaction is subsequently performed after the synthesis of the adhesive polyimide. It is preferably within the range of -220°C, more preferably within the range of 140-200°C. The reaction time is preferably about 30 minutes to 24 hours, and the end point of the reaction is, for example, 1670 cm by measuring the infrared absorption spectrum using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercial product: FT/IR620 manufactured by JASCO Corporation). It can be confirmed by the reduction or disappearance of the absorption peak derived from the ketone group in the polyimide resin around −1 and the appearance of the absorption peak derived from the imine group around 1635 cm −1 .

接着性ポリイミドのケトン基とアミノ化合物の第1級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、(a)接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、アミノ化合物を添加して加熱する方法、(b)ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物とともに接着性ポリイミドを加熱する方法、又は、(c)アミノ化合物を添加した接着性ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後(例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後)に加熱する方法、等によって行うことができる。 The thermal condensation of the ketone group of the adhesive polyimide and the primary amino group of the amino compound can be performed, for example, by (a) a method of adding an amino compound and heating following synthesis (imidation) of the adhesive polyimide, ( b) A method in which an excessive amount of an amino compound is charged in advance as a diamine component, and following the synthesis (imidization) of the adhesive polyimide, the adhesive polyimide is heated together with the remaining amino compound that does not participate in imidization or amidation, or , (c) a method of heating an adhesive polyimide composition to which an amino compound is added after processing it into a predetermined shape (for example, after applying it to an arbitrary substrate or after forming it into a film), and the like. can be done.

接着層30の耐熱性付与のため、接着性ポリイミドにおける架橋構造の形成でイミン結合の形成を説明したが、これに限定されるものではなく、接着層30の硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤等を配合し硬化することも可能である。 In order to impart heat resistance to the adhesive layer 30, the formation of an imine bond has been described as the formation of a crosslinked structure in the adhesive polyimide. It is also possible to add a resin curing agent or the like for curing.

<樹脂層の厚み>
金属張積層板100は、絶縁樹脂層10の厚みT3と接着層30の厚みT2との合計厚みをT1としたとき、該合計厚みT1が50~250μmの範囲内であり、70~150μmの範囲内であることが好ましい。合計厚みT1が50μm未満では、金属張積層板100を用いて多層回路基板を製造した際の伝送損失を低下させる効果が不十分となり、250μmを超えると、生産性低下の恐れがある。
<Thickness of resin layer>
In the metal-clad laminate 100, when the total thickness T1 of the thickness T3 of the insulating resin layer 10 and the thickness T2 of the adhesive layer 30 is T1, the total thickness T1 is in the range of 50 to 250 μm, and is in the range of 70 to 150 μm. preferably within If the total thickness T1 is less than 50 μm, the effect of reducing transmission loss when manufacturing a multilayer circuit board using the metal-clad laminate 100 is insufficient, and if it exceeds 250 μm, there is a risk of reduced productivity.

また、接着層30の厚みT2は、例えば20~200μmの範囲内にあることが好ましく、20~100μmの範囲内がより好ましい。接着層30の厚みT2が上記下限値に満たないと、高周波基板として伝送損失が大きくなることがある。一方、接着層30の厚みT2が上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じることがある。 Also, the thickness T2 of the adhesive layer 30 is preferably in the range of, for example, 20 to 200 μm, more preferably in the range of 20 to 100 μm. If the thickness T2 of the adhesive layer 30 is less than the above lower limit, the transmission loss of the high frequency substrate may increase. On the other hand, if the thickness T2 of the adhesive layer 30 exceeds the above upper limit, problems such as deterioration in dimensional stability may occur.

また、合計厚みT1に対する接着層30の厚みT2の比率(T2/T1)は、0.5~0.8の範囲内であり、0.5~0.7の範囲内であることが好ましい。比率(T2/T1)が0.5未満では、合計厚みT1を50μm以上にすることが困難となり、0.8を超えると寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。 Also, the ratio (T2/T1) of the thickness T2 of the adhesive layer 30 to the total thickness T1 is within the range of 0.5 to 0.8, preferably within the range of 0.5 to 0.7. If the ratio (T2/T1) is less than 0.5, it will be difficult to make the total thickness T1 50 μm or more, and if it exceeds 0.8, problems such as reduced dimensional stability will occur.

絶縁樹脂層10の厚みT3は、例えば、12~100μmの範囲内にあることが好ましく、12~50μmの範囲内がより好ましい。絶縁樹脂層10の厚みT3が上記の下限値に満たないと、金属張積層板100の反りなどの問題が生じることがある。絶縁樹脂層10の厚みT3が上記の上限値を超えると、生産性が低下するなどの不具合が生じる。 The thickness T3 of the insulating resin layer 10 is, for example, preferably in the range of 12-100 μm, more preferably in the range of 12-50 μm. If the thickness T3 of the insulating resin layer 10 is less than the above lower limit, problems such as warping of the metal-clad laminate 100 may occur. If the thickness T3 of the insulating resin layer 10 exceeds the above upper limit, problems such as reduced productivity occur.

本実施の形態の金属張積層板100では、樹脂層全体の低誘電正接化を図り、高周波伝送への対応を可能にするため、接着層30の厚みT2自体を大きくしている。しかし、一般に弾性率が低い材料は高い熱膨張係数を示すため、層厚を大きくすることは、寸法安定性の低下を招く恐れがある。ここで、金属張積層板100を回路加工して多層回路化する場合に発生する寸法変化は、主に、下記のa)~c)のメカニズムによって発生し、b)とc)の合計量がエッチング後の寸法法変化となって発現する、と考えられる。
a)金属張積層板100の製造時に、樹脂層に内部応力が蓄積される。
b)回路加工時に、金属層20をエッチングすることによって、a)で蓄積した内部応力が開放され、樹脂層が膨張もしくは収縮する。
c)回路加工時に、金属層20をエッチングすることによって、露出した樹脂が吸湿し、膨張する。
In the metal-clad laminate 100 of the present embodiment, the thickness T2 of the adhesive layer 30 itself is increased in order to reduce the dielectric loss tangent of the entire resin layer and to enable high-frequency transmission. However, since a material with a low elastic modulus generally exhibits a high coefficient of thermal expansion, increasing the layer thickness may lead to a decrease in dimensional stability. Here, the dimensional change that occurs when the metal-clad laminate 100 is circuit-processed to form a multi-layer circuit is mainly caused by the following mechanisms a) to c), and the total amount of b) and c) is It is thought that this appears as a dimensional change after etching.
a) During the production of the metal-clad laminate 100, internal stress is accumulated in the resin layer.
b) By etching the metal layer 20 during circuit processing, the internal stress accumulated in a) is released and the resin layer expands or contracts.
c) When the metal layer 20 is etched during circuit processing, exposed resin absorbs moisture and expands.

上記a)の内部応力の要因は、ア)金属層20と樹脂層との熱膨張係数の差、イ)フィルム化によって生じる樹脂内部歪み、である。ここで、ア)に起因する内部応力の大きさは、熱膨張係数の差だけでなく、多層回路化の際の接着時の温度(加熱温度)から冷却固化の温度までの温度差ΔTも影響する。つまり、内部応力は、温度差ΔTに比例して大きくなるため、金属層20と樹脂層との熱膨張係数の差が小さくても、接着に高温が必要な樹脂であるほど、内部応力は大きくなる。本実施の形態の金属張積層板100では、接着層30として、上記条件(i)~(iii)を満たすものを採用することによって、内部応力を小さくして寸法安定性を確保している。また、接着層30は、絶縁樹脂層10に積層されているので、多層回路基板を形成した場合に中間層としての機能を果たし、反りと寸法変化を抑制する。 Factors of the internal stress in a) above are a) difference in thermal expansion coefficient between the metal layer 20 and the resin layer, and b) resin internal strain caused by film formation. Here, the magnitude of the internal stress caused by a) is affected not only by the difference in the coefficient of thermal expansion, but also by the temperature difference ΔT between the bonding temperature (heating temperature) and the cooling solidification temperature when forming a multi-layer circuit. do. That is, since the internal stress increases in proportion to the temperature difference ΔT, even if the difference in thermal expansion coefficient between the metal layer 20 and the resin layer is small, the internal stress increases as the resin requires a higher temperature for adhesion. Become. In the metal-clad laminate 100 of the present embodiment, the adhesive layer 30 that satisfies the above conditions (i) to (iii) reduces the internal stress and ensures dimensional stability. Further, since the adhesive layer 30 is laminated on the insulating resin layer 10, it functions as an intermediate layer when a multilayer circuit board is formed, and suppresses warpage and dimensional change.

[金属張積層板の製造方法]
金属張積層板100は、例えば以下の方法1、又は、方法2で製造できる。
[方法1]
接着層30となる樹脂組成物をフィルム状に成形して接着フィルムとし、該接着フィルムを、片面金属張積層板40の絶縁樹脂層10に対向するように配置して貼り合わせ、熱圧着させる方法。
[方法2]
接着層30となる樹脂組成物の溶液を、片面金属張積層板40の絶縁樹脂層10上に、所定の厚みで塗布・乾燥する方法。この場合、必要に応じて硬化反応や架橋反応のための加熱等の処理を行ってもよい。
[Method for producing metal-clad laminate]
The metal-clad laminate 100 can be manufactured, for example, by method 1 or method 2 below.
[Method 1]
A method in which the resin composition that forms the adhesive layer 30 is formed into a film to form an adhesive film, and the adhesive film is arranged so as to face the insulating resin layer 10 of the single-sided metal-clad laminate 40 and bonded together, followed by thermocompression bonding. .
[Method 2]
A method in which a solution of a resin composition that forms the adhesive layer 30 is applied to a predetermined thickness on the insulating resin layer 10 of the single-sided metal-clad laminate 40 and then dried. In this case, if necessary, a treatment such as heating may be performed for curing reaction or cross-linking reaction.

方法1で用いる接着フィルムは、例えば、任意の支持基材に、接着層30となる樹脂組成物の溶液を塗布・乾燥した後、支持基材から剥離することによって製造できる。接着フィルムとして、上述の接着性ポリイミドをフィルム状に形成してなる接着性ポリイミドフィルムを使用してもよい。接着性ポリイミドフィルムの製造方法の態様として、例えば、[1]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥し、熱処理してイミド化した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、[2]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、熱処理してイミド化して接着フィルムを製造する方法、[3]支持基材に、接着性ポリイミドの溶液を塗布・乾燥した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、を挙げることができる。上記[1]~[3]の中でも、ポリアミド酸溶液中でイミド化を完結させた接着性ポリイミドの溶液を支持基材上に塗布・乾燥する[3]の方法によって形成することが好ましい。接着性ポリイミドは溶剤可溶性であるので、ポリアミド酸を溶液の状態でイミド化し、接着性ポリイミドの塗布液としてそのまま使用できるので有利である。なお、接着フィルムを構成する接着性ポリイミドについて、上記方法で架橋形成をさせてもよい。 The adhesive film used in Method 1 can be produced, for example, by applying a solution of the resin composition that will form the adhesive layer 30 to an arbitrary supporting substrate, drying the solution, and then peeling off from the supporting substrate. As the adhesive film, an adhesive polyimide film obtained by forming the above adhesive polyimide into a film may be used. As an embodiment of the method for producing an adhesive polyimide film, for example, [1] a support substrate is coated with a polyamic acid solution, dried, imidized by heat treatment, and then peeled off from the support substrate to produce an adhesive film. [2] A method of applying a polyamic acid solution to a supporting substrate and drying it, then peeling off the polyamic acid gel film from the supporting substrate and imidizing it by heat treatment to produce an adhesive film, [3] Supporting A method in which an adhesive polyimide solution is applied to a base material, dried, and then peeled off from the supporting base material to produce an adhesive film can be mentioned. Among the above [1] to [3], it is preferable to form by the method [3] in which a solution of an adhesive polyimide whose imidization is completed in a polyamic acid solution is applied onto a supporting substrate and dried. Since the adhesive polyimide is solvent-soluble, it is advantageous that the polyamic acid can be imidized in a solution state and used as it is as a coating liquid for the adhesive polyimide. The adhesive polyimide constituting the adhesive film may be crosslinked by the above method.

上記方法1、方法2において、接着層30となる樹脂組成物の溶液を支持基材や絶縁樹脂層10上に塗布する方法としては、特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。接着層30の形成工程では、形成される接着層30の表面を平坦状に形成することが好ましい。また、接着層30の厚みも均一に形成することが好ましい。接着層30の表面を平坦状に形成し、厚みを均一にすることにより、多層回路基板の製造工程における接着性が向上する。 In methods 1 and 2, the method of applying the solution of the resin composition that will form the adhesive layer 30 onto the supporting substrate or the insulating resin layer 10 is not particularly limited, and examples include commas, dies, knives, lips, and the like. It can be applied with a coater. In the step of forming the adhesive layer 30, the surface of the adhesive layer 30 to be formed is preferably flat. Also, it is preferable to form the adhesive layer 30 with a uniform thickness. By flattening the surface of the adhesive layer 30 and making the thickness uniform, the adhesiveness in the manufacturing process of the multilayer circuit board is improved.

以上のようにして得られる本実施の形態の金属張積層板100は、金属層20を配線回路加工することによって、片面FPCや両面FPCを製造できるほか、さらに、接着層30の接着性を利用したり、任意のボンディングシートを利用するなどして、片面FPCや両面FPCを複数積層することによって、多層回路基板を製造することができる。 The metal-clad laminate 100 of the present embodiment obtained as described above can be used to manufacture a single-sided FPC or a double-sided FPC by wiring and circuit processing the metal layer 20. In addition, the adhesiveness of the adhesive layer 30 can be used. Alternatively, a multilayer circuit board can be manufactured by laminating a plurality of single-sided FPCs or double-sided FPCs by using an arbitrary bonding sheet.

[回路基板]
図2は、本発明の一実施の形態の回路基板の構造を示す断面図である。この回路基板101は、絶縁樹脂層10と、絶縁樹脂層10の一方の面に積層された導体回路層50と、絶縁樹脂層10のもう一方の面に積層された接着層30と、を備えている。つまり、回路基板101は、導体回路層50/絶縁樹脂層10/接着層30が、この順に積層された構造である。本実施の形態の回路基板101は、金属張積層板100の金属層20を配線回路加工することによって得られる。
[Circuit board]
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of a circuit board according to one embodiment of the present invention. The circuit board 101 includes an insulating resin layer 10, a conductor circuit layer 50 laminated on one side of the insulating resin layer 10, and an adhesive layer 30 laminated on the other side of the insulating resin layer 10. ing. That is, the circuit board 101 has a structure in which the conductor circuit layer 50/insulating resin layer 10/adhesive layer 30 are laminated in this order. The circuit board 101 of the present embodiment is obtained by processing the metal layer 20 of the metal-clad laminate 100 for wiring circuits.

(導体回路層)
導体回路層50は、絶縁樹脂層10の片面に所定のパターンで導体回路が形成された層である。例えば、金属張積層板100の金属層20上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行い、所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して金属層20のエッチングを行った後、マスクパターンを除去することによって、所定パターンの導体回路層50を形成することができる。なお「導体回路層」とは、絶縁樹脂層10の面方向に形成された面内接続電極(ランド電極)を意味し、層間接続電極(ビア電極)と区別している。
(Conductor circuit layer)
The conductor circuit layer 50 is a layer in which a conductor circuit is formed in a predetermined pattern on one side of the insulating resin layer 10 . For example, a photosensitive resist is applied on the metal layer 20 of the metal-clad laminate 100, exposed and developed to form a predetermined mask pattern, the metal layer 20 is etched through the mask pattern, and then the mask is applied. By removing the pattern, a conductor circuit layer 50 having a predetermined pattern can be formed. The “conductor circuit layer” means an in-plane connection electrode (land electrode) formed in the surface direction of the insulating resin layer 10, and is distinguished from an interlayer connection electrode (via electrode).

導体回路層50は、高周波伝送における伝送損失を低減する観点から、絶縁樹脂層10と接する面の最大高さ粗さ(Rz)が1.0μm以下であることが好ましい。伝送損失は、導体損失と誘電損失の和からなるが、導体回路層50のRzが大きいと導体損失が大きくなって、伝送損失に悪影響を及ぼすため、Rzを制御することが好ましい。 From the viewpoint of reducing transmission loss in high-frequency transmission, the conductor circuit layer 50 preferably has a maximum height roughness (Rz) of 1.0 μm or less on the surface in contact with the insulating resin layer 10 . Transmission loss is the sum of conductor loss and dielectric loss. If the conductor circuit layer 50 has a large Rz, the conductor loss increases and adversely affects the transmission loss. Therefore, it is preferable to control Rz.

本実施の形態の回路基板101における絶縁樹脂層10及び接着層30の構成は、金属張積層板100において説明したとおりである。 The configurations of the insulating resin layer 10 and the adhesive layer 30 in the circuit board 101 of the present embodiment are as described for the metal-clad laminate 100 .

[多層回路基板]
次に、図3~図6を参照しながら、本発明の実施の形態にかかる多層回路基板について説明する。一般に、多層回路基板は、複数の絶縁樹脂層を含む積層体と、該積層体の内部に埋め込まれた2層以上の導体回路層とを有するものであり、好ましくは、少なくとも2層以上の絶縁樹脂層及び少なくも2層以上の導体回路層を有するものである。ここでは、多層回路基板について、2つの好ましい実施の形態を挙げて説明する。本実施の形態の多層回路基板200,201は、上記回路基板101を少なくとも1つ以上を含んでいる。また、本実施の形態の多層回路基板200,201は、上記回路基板101に積層される、回路基板101以外の任意の回路基板を1つ以上含むことができる。
[Multilayer circuit board]
Next, a multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6. FIG. In general, a multilayer circuit board has a laminate containing a plurality of insulating resin layers and two or more conductor circuit layers embedded in the laminate. It has a resin layer and at least two conductor circuit layers. Two preferred embodiments of multilayer circuit boards are described herein. The multilayer circuit boards 200 and 201 of this embodiment include at least one or more of the circuit boards 101 described above. Moreover, the multilayer circuit boards 200 and 201 of the present embodiment can include one or more arbitrary circuit boards other than the circuit board 101 laminated on the circuit board 101 .

<第1の実施形態>
図3は、本発明の第1の実施の形態の多層回路基板200の構造を示す積層方向における断面図である。第1の実施の形態の多層回路基板200は、複数の回路基板101と、任意の回路基板110を同じ向きに重ねて積層した構造である。
すなわち、図3中の上から下へ、一つ目の回路基板101の接着層30が、二つ目の回路基板101の導体回路層50を覆うように接して積層され、さらに、二つ目の回路基板101の接着層30が、接着層30を有しない任意の回路基板110の導体回路層50を覆うように接して積層されている。ここで、任意の回路基板110の構造や材質は限定されるものではなく、例えばパターン化された金属層20によって導体回路層50が形成されているものでもよいし、ダマシン構造の導体回路層50を有するものでもよい。また、任意の回路基板110における導体回路層50は、絶縁樹脂層10にインクジェット、スパッタ、メッキ等によって形成されたものであってもよい。さらに、任意の回路基板110における導体回路層50や絶縁樹脂層10の厚み、材質、物性なども特に限定されるものではない。
<First Embodiment>
FIG. 3 is a cross-sectional view in the lamination direction showing the structure of the multilayer circuit board 200 according to the first embodiment of the present invention. A multilayer circuit board 200 according to the first embodiment has a structure in which a plurality of circuit boards 101 and an arbitrary circuit board 110 are laminated in the same direction.
That is, from top to bottom in FIG. The adhesive layer 30 of the circuit board 101 is laminated so as to cover the conductor circuit layer 50 of any circuit board 110 that does not have the adhesive layer 30 . Here, the structure and material of the arbitrary circuit board 110 are not limited. may have Moreover, the conductor circuit layer 50 in the arbitrary circuit board 110 may be formed on the insulating resin layer 10 by inkjet, sputtering, plating, or the like. Furthermore, the thickness, material, physical properties, etc. of the conductor circuit layer 50 and the insulating resin layer 10 in the arbitrary circuit board 110 are not particularly limited.

図3では、2つの回路基板101と1つの任意の回路基板110との積層構造を図示しているが、3つ以上の回路基板101が積層されていてもよい。また、接着層30は、隣接する回路基板101もしくは任意の回路基板110の導体回路層50の全部を被覆してもよいし、一部分を被覆していてもよい。さらに、多層回路基板200は、最上部の回路基板101の表面に導体回路層50が露出しているが、最上部の導体回路層50を覆う任意の保護膜を設けてもよい。また、図3では、任意の回路基板110として、絶縁樹脂層10の片面に導体回路層50が形成されている場合を例示しているが、絶縁樹脂層10の両面にそれぞれ導体回路層50が形成されているものでもよい。 Although FIG. 3 illustrates a laminated structure of two circuit boards 101 and one arbitrary circuit board 110, three or more circuit boards 101 may be laminated. Moreover, the adhesive layer 30 may cover all or part of the conductor circuit layer 50 of the adjacent circuit board 101 or arbitrary circuit board 110 . Furthermore, although the multilayer circuit board 200 has the conductor circuit layer 50 exposed on the surface of the uppermost circuit board 101 , any protective film may be provided to cover the uppermost conductor circuit layer 50 . 3 exemplifies the case where the conductor circuit layer 50 is formed on one side of the insulating resin layer 10 as the arbitrary circuit board 110, but the conductor circuit layer 50 is formed on both sides of the insulating resin layer 10, respectively. It may be formed.

図4は、第1の実施の形態に係る多層回路基板200の製造工程図である。まず、複数の回路基板101と、任意の回路基板110を準備する。そして、一つ目の回路基板101の接着層30が、二つ目の回路基板101の導体回路層50に対向し、二つ目の回路基板101の接着層30が、接着層30を有しない任意の回路基板110の導体回路層50に対向するように重ねて配置し、これらを一括して圧着することによって製造することができる(圧着工程)。なお、図4では、2つの回路基板101を積層する例を示したが、3つ以上の回路基板101を一度に積層することもできる。また、任意の回路基板110も、1つに限らず、複数を積層することが可能である。 FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the multilayer circuit board 200 according to the first embodiment. First, a plurality of circuit boards 101 and an arbitrary circuit board 110 are prepared. The adhesive layer 30 of the first circuit board 101 faces the conductor circuit layer 50 of the second circuit board 101, and the adhesive layer 30 of the second circuit board 101 does not have the adhesive layer 30. It can be manufactured by overlappingly arranging the conductor circuit layer 50 of an arbitrary circuit board 110 so as to face it, and then collectively crimping them (crimping step). Although FIG. 4 shows an example in which two circuit boards 101 are laminated, three or more circuit boards 101 can be laminated at once. Also, the number of arbitrary circuit boards 110 is not limited to one, and a plurality of boards can be laminated.

回路基板101の接着層30は、その表面が平坦化されているため、圧着工程で接着層30に空隙等が生じることなく、接着性樹脂が導体回路層50における導体回路間に充填された状態で積層することが可能となる。また、必要に応じて、積層して得られた多層回路基板200を、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、上記接着層30の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、接着層30及び多層回路基板200全体の厚みの精度を向上させることができる。さらに、圧着時には、例えば60~220℃の温度で加熱する加熱処理を行うこともできる。これにより、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板200が製造される。この加熱処理の際、接着層30において、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。 Since the surface of the adhesive layer 30 of the circuit board 101 is flattened, the adhesive resin is filled between the conductor circuits in the conductor circuit layer 50 without forming any voids or the like in the adhesive layer 30 during the pressure bonding process. It becomes possible to laminate with Further, if necessary, a thickness adjustment step of adjusting the thickness of the adhesive layer 30 may be performed by pressing the multilayer circuit board 200 obtained by lamination from both sides with pressure rollers, a press device, or the like. can. The thickness adjustment process can improve the accuracy of the thickness of the adhesive layer 30 and the multilayer circuit board 200 as a whole. Further, heat treatment may be performed at a temperature of 60 to 220° C., for example, during pressure bonding. As a result, a multilayer circuit board 200 in which a plurality of circuit boards are integrally laminated is manufactured. During this heat treatment, a crosslinked structure of imine bonds can be formed in the adhesive layer 30 by thermal condensation of the adhesive polyimide, for example.

本実施の形態において、各回路基板101の接着層30は、回路基板どうしを接着させるボンディングシートとしての機能と、導体回路を保護する保護膜としての機能を有する。そのため、別途、ボンディングシートや導体回路用保護層を準備して回路基板間に介在させる必要がなく、多層回路形成のためのプロセス及び設備の簡略化と、材料の簡素化及びコスト削減を図ることが可能になる。 In this embodiment, the adhesive layer 30 of each circuit board 101 has a function as a bonding sheet for bonding the circuit boards together and a function as a protective film for protecting the conductor circuit. Therefore, there is no need to separately prepare a bonding sheet or protective layer for the conductor circuit and interpose it between the circuit boards, and it is possible to simplify the process and equipment for forming the multilayer circuit, simplify the materials, and reduce the cost. becomes possible.

以上のようにして得られる多層回路基板200は、導体回路層50及び絶縁樹脂層10の間に、絶縁性、柔軟性及び低誘電特性を確保するために十分な厚みを有する接着層30を設けた構成を備えている。なお、本実施の形態の多層回路基板200には、必要に応じて、保護層としてカバーレイフィルム若しくはソルダーレジストなどの層を設けてもよい。また、図示は省略するが、本実施の形態の多層回路基板200の内部には、例えばICチップやチップコンデンサ、チップコイル、チップ抵抗等のチップ型の電子部品を内蔵することもできる。また、本実施の形態の多層回路基板200には、図示しない層間接続電極(ビア電極)が形成されていてもよい。層間接続電極は、絶縁樹脂層10にレーザー加工やドリル加工によりビアホールを形成した後、印刷等により導電性ペーストを充填することにより形成することができる。導電性ペーストは、例えば錫を主成分とする導電性粉末に、有機溶剤やエポキシ樹脂等が混合されたものを用いることができる。また、層間接続電極は、ビアホールを形成した後、ビアホールの内面、及び導体回路層50の表面の一部にメッキ部を形成してもよい。 In the multilayer circuit board 200 obtained as described above, the adhesive layer 30 having sufficient thickness to ensure insulation, flexibility and low dielectric properties is provided between the conductor circuit layer 50 and the insulating resin layer 10. configuration. In addition, the multilayer circuit board 200 of the present embodiment may be provided with a layer such as a coverlay film or a solder resist as a protective layer, if necessary. Although not shown, chip-type electronic components such as IC chips, chip capacitors, chip coils, and chip resistors can be incorporated inside the multilayer circuit board 200 of the present embodiment. In addition, interlayer connection electrodes (via electrodes) (not shown) may be formed in the multilayer circuit board 200 of the present embodiment. The interlayer connection electrodes can be formed by forming via holes in the insulating resin layer 10 by laser processing or drilling and then filling them with a conductive paste by printing or the like. As the conductive paste, for example, a conductive powder containing tin as a main component, mixed with an organic solvent, an epoxy resin, or the like can be used. Further, the interlayer connection electrode may form a plated portion on the inner surface of the via hole and part of the surface of the conductive circuit layer 50 after forming the via hole.

<第2の実施形態>
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る多層回路基板201の構造を示す積層方向における断面図である。第2の実施の形態の多層回路基板201では、一対の回路基板101を、それらの接着層30どうしが対向するようにして貼り合わせた構造を一つの回路基板ユニット102とし、該回路基板ユニット102を少なくとも1つ以上含んでいる。
すなわち、図5における上から下へ、一つ目の金属張積層板100、回路基板ユニット102、二つ目の金属張積層板100(ただし、一つ目の金属張積層板100とは逆向き)の順に配置されており、二つの金属張積層板100の接着層30の間に上記回路基板ユニット102が挟み込まれる形で積層されている。一つ目の金属張積層板100の接着層30は、回路基板ユニット102の片面側(図中、上側)の導体回路層50に接するように積層され、さらに、回路基板ユニット102のもう片面側(図中、下側)の導体回路層50に、二つ目の金属張積層板100の接着層30が接するように積層されている。なお、図5では、回路基板ユニット102を1つだけ含む積層構造を図示しているが、さらにボンディングシートや回路基板101もしくは任意の回路基板110を介在させることによって、複数の回路基板ユニット102を含む積層構造としてもよい。また、上下二つの金属張積層板100の片方又は両方として、上記回路基板101を用いてもよい。
<Second embodiment>
FIG. 5 is a cross-sectional view in the lamination direction showing the structure of a multilayer circuit board 201 according to the second embodiment of the present invention. In the multilayer circuit board 201 of the second embodiment, one circuit board unit 102 is formed by bonding a pair of circuit boards 101 such that their adhesive layers 30 face each other. contains at least one
That is, from top to bottom in FIG. ), and are laminated such that the circuit board unit 102 is sandwiched between the adhesive layers 30 of the two metal-clad laminates 100 . The adhesive layer 30 of the first metal-clad laminate 100 is laminated so as to be in contact with the conductor circuit layer 50 on one side (the upper side in the drawing) of the circuit board unit 102, and further on the other side of the circuit board unit 102. The adhesive layer 30 of the second metal-clad laminate 100 is laminated so as to be in contact with the conductive circuit layer 50 (lower side in the drawing). Although FIG. 5 shows a laminated structure including only one circuit board unit 102, a plurality of circuit board units 102 can be formed by further interposing a bonding sheet, circuit board 101, or optional circuit board 110. It is good also as a lamination structure containing. Also, the circuit board 101 may be used as one or both of the upper and lower metal-clad laminates 100 .

図6は、第2の実施の形態に係る多層回路基板201の製造工程図である。まず、一つの回路基板ユニット102と、二つの金属張積層板100を準備する。ここで、回路基板ユニット102は、一対の回路基板101を準備し、一方の回路基板101の接着層30と、他方の回路基板101の接着層30とを貼り合わせることによって作製できる。そして、多層回路基板201は、一つ目の金属張積層板100の接着層30が、回路基板ユニット102の上面側の導体回路層50に対向するように配置し、さらに、回路基板ユニット102の下面側の導体回路層50に、二つ目の金属張積層板100の接着層30が対向するように配置して、これらを一括して圧着することによって製造することができる(圧着工程)。 FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the multilayer circuit board 201 according to the second embodiment. First, one circuit board unit 102 and two metal-clad laminates 100 are prepared. Here, the circuit board unit 102 can be manufactured by preparing a pair of circuit boards 101 and bonding the adhesive layer 30 of one circuit board 101 and the adhesive layer 30 of the other circuit board 101 together. Then, the multilayer circuit board 201 is arranged so that the adhesive layer 30 of the first metal-clad laminate 100 faces the conductive circuit layer 50 on the upper surface side of the circuit board unit 102, and furthermore, the circuit board unit 102 is The adhesive layer 30 of the second metal-clad laminate 100 is arranged so as to face the conductor circuit layer 50 on the lower surface side, and these are collectively crimped (crimping step).

なお、回路基板ユニット102を作製せずに、一つ目の金属張積層板100の接着層30が、上側の回路基板101の導体回路層50に対向するように配置し、上側の回路基板101の接着層30と下側の回路基板101の接着層30が対向するように配置し、さらに、下側の回路基板101の導体回路層50に、二つ目の金属張積層板100の接着層30が対向するように配置して、これらを一括して圧着することもできる。 In addition, without fabricating the circuit board unit 102, the adhesive layer 30 of the first metal-clad laminate 100 is arranged so as to face the conductor circuit layer 50 of the upper circuit board 101, and the upper circuit board 101 The adhesive layer 30 and the adhesive layer 30 of the lower circuit board 101 are arranged so as to face each other, and further, the adhesive layer of the second metal-clad laminate 100 is placed on the conductor circuit layer 50 of the lower circuit board 101. 30 may be arranged to face each other, and these may be crimped collectively.

必要に応じて、積層して得られた多層回路基板201を、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、接着層30の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、接着層30及び多層回路基板201全体の厚みの精度を向上させることができる。さらに、圧着時には、例えば60~220℃の温度で加熱する加熱処理を行うこともできる。これにより、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板201が製造される。この加熱処理の際、接着層30において、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。 If necessary, a thickness adjustment step of adjusting the thickness of the adhesive layer 30 can be performed by pressing the multilayer circuit board 201 obtained by lamination from both sides with pressure rollers, a press device, or the like. The thickness adjustment process can improve the precision of the thickness of the adhesive layer 30 and the multilayer circuit board 201 as a whole. Further, heat treatment may be performed at a temperature of 60 to 220° C., for example, during pressure bonding. As a result, a multilayer circuit board 201 in which a plurality of circuit boards are integrally laminated is manufactured. During this heat treatment, a crosslinked structure of imine bonds can be formed in the adhesive layer 30 by thermal condensation of the adhesive polyimide, for example.

本実施の形態においても、各回路基板101の接着層30は、回路基板どうしを接着させるボンディングシートとしての機能を有する。そのため、別途、ボンディングシートを準備して回路基板間に介在させる必要がなく、多層回路形成のためのプロセス及び設備の簡略化と、材料の簡素化及びコスト削減を図ることが可能になる。 Also in the present embodiment, the adhesive layer 30 of each circuit board 101 functions as a bonding sheet for bonding the circuit boards together. Therefore, there is no need to separately prepare a bonding sheet and interpose it between the circuit boards, and it is possible to simplify the process and equipment for forming the multilayer circuit, simplify the materials, and reduce the cost.

本実施の形態の多層回路基板201の他の構成及び効果は、第1の実施の形態の多層回路基板200と同様である。 Other configurations and effects of the multilayer circuit board 201 of the present embodiment are the same as those of the multilayer circuit board 200 of the first embodiment.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 EXAMPLES Examples are given below to more specifically describe the features of the present invention. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, unless otherwise specified, various measurements and evaluations are as follows.

[寸法変化率の測定]
寸法変化率の測定は、以下の手順で行った。まず、150mm角の試験片を用い、100mm間隔にてドライフィルムレジストを露光、現像することによって、位置測定用ターゲットを形成する。温度23±2℃、相対湿度50±5%の雰囲気中にてエッチング前(常態)の寸法を測定した後に、試験片のターゲット以外の銅をエッチング(液温40℃以下、時間10分以内)により除去する。温度23±2℃、相対湿度50±5%の雰囲気中に24±4時間静置後、エッチング後の寸法を測定する。MD方向(長手方向)及びTD方向(幅方向)の各3箇所の常態に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもってエッチング後の寸法変化率とする。エッチング後寸法変化率は下記数式により算出した。
[Measurement of dimensional change rate]
The dimensional change rate was measured by the following procedure. First, using a test piece of 150 mm square, a target for position measurement is formed by exposing and developing a dry film resist at intervals of 100 mm. After measuring the dimensions before etching (normal state) in an atmosphere with a temperature of 23 ± 2 ° C and a relative humidity of 50 ± 5%, the copper other than the target of the test piece is etched (liquid temperature 40 ° C or less, time within 10 minutes) Remove by After standing for 24±4 hours in an atmosphere with a temperature of 23±2° C. and a relative humidity of 50±5%, the dimensions after etching are measured. The dimensional change rate with respect to the normal state at each of three points in the MD direction (longitudinal direction) and the TD direction (width direction) is calculated, and the average value of each is taken as the dimensional change rate after etching. The post-etching dimensional change rate was calculated by the following formula.

エッチング後寸法変化率(%)=(B-A)/A×100
A;エッチング前のターゲット間距離
B;エッチング後のターゲット間距離
Post-etching dimensional change rate (%) = (B - A) / A x 100
A; Distance between targets before etching B; Distance between targets after etching

次に、本試験片を250℃のオーブンで1時間加熱処理し、その後の位置ターゲット間の距離を測定する。MD方向(長手方向)及びTD方向(幅方向)の各3箇所のエッチング後に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもって加熱処理後の寸法変化率とする。加熱寸法変化率は下記数式により算出した。 Next, this test piece is heat-treated in an oven at 250° C. for 1 hour, and the distance between the position targets after that is measured. The dimensional change rate after etching at each of three points in the MD direction (longitudinal direction) and the TD direction (width direction) is calculated, and the average value of each is taken as the dimensional change rate after heat treatment. The heating dimensional change rate was calculated by the following formula.

加熱後寸法変化率(%)=(C―B)/B×100
B;エッチング後のターゲット間距離
C;加熱後のターゲット間距
Dimensional change rate after heating (%) = (C - B) / B x 100
B; Distance between targets after etching C; Distance between targets after heating

[粘度の測定]
E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV-II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%~90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity at 25° C. was measured using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name: DV-II+Pro). The number of revolutions was set so that the torque was 10% to 90%, and after 2 minutes from the start of the measurement, the value was read when the viscosity stabilized.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から300℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
A polyimide film with a size of 3 mm × 20 mm is heated from 30 ° C. to 300 ° C. at a constant heating rate while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name; 4000SA). Further, after holding at that temperature for 10 minutes, it was cooled at a rate of 5°C/min, and the average thermal expansion coefficient (thermal expansion coefficient) from 250°C to 100°C was obtained.

[貯蔵弾性率及びガラス転移温度(Tg)の測定]
5mm×20mmのサイズの樹脂シートを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行った。また、弾性率変化(tanδ)が最大となる温度をガラス転移温度とした。
[Measurement of storage modulus and glass transition temperature (Tg)]
A resin sheet with a size of 5 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 400 ° C. at a rate of 4 ° C./min using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA: manufactured by UBM, trade name: E4000F). Measurements were made at a frequency of 11 Hz. The glass transition temperature was defined as the temperature at which the change in elastic modulus (tan δ) was maximum.

[誘電率および誘電正接の測定]
ベクトルネットワークアナライザ(Agilent社製、商品名E8363C)ならびにSPDR共振器を用いて、10GHzにおける樹脂シートの誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した材料は、温度;24~26℃、湿度45℃~55%RHの条件下で、24時間放置したものである。
[Measurement of permittivity and dissipation factor]
A vector network analyzer (manufactured by Agilent, trade name E8363C) and an SPDR resonator were used to measure the permittivity and dielectric loss tangent of the resin sheet at 10 GHz. The materials used for the measurement were left for 24 hours under the conditions of temperature: 24-26°C and humidity: 45°C-55% RH.

[銅箔の表面粗度の測定]
AFM(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:Dimension Icon型SPM)、プローブ(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:TESPA(NCHV)、先端曲率半径10nm、ばね定数42N/m)を用いて、タッピングモードで、銅箔表面の80μm×80μmの範囲について測定し、十点平均粗さ(Rzjis)を求めた。
[Measurement of surface roughness of copper foil]
AFM (manufactured by Bruker AXS, trade name: Dimension Icon type SPM), probe (manufactured by Bruker AXS, trade name: TESPA (NCHV), tip curvature radius 10 nm, spring constant 42 N / m) Then, in the tapping mode, the area of 80 μm×80 μm on the surface of the copper foil was measured to obtain the ten-point average roughness (Rzjis).

合成例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
〇BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
〇BPADA:2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物
〇PMDA:ピロメリット酸二無水物
〇BTDA:3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
〇m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
〇TPE-R:1,3-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
〇ビスアニリン-M:1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン
〇BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
〇DDA:炭素数36の脂肪族ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、アミン価;205mgKOH/g、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
〇DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
〇NMP:N-メチル-2-ピロリドン
〇N-12:ドデカン二酸ジヒドラジド
〇OP935:有機ホスフィン酸アルミニウム塩(クラリアントジャパン社製、商品名;Exolit OP935)
〇R710:(商品名、(株)プリンテック製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量170、常温で液状、重量平均分子量:約340)
〇VG3101L:(商品名、(株)プリンテック製、多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量:210、軟化点39~46℃)
〇SR35K:(商品名、株式会社プリンテック製、エポキシ樹脂、エポキシ当量:930~940、軟化点:86~98℃)
〇YDCN-700-10:(商品名、日鉄ケミカル&マテリアル株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、軟化点75~85℃)
〇ミレックスXLC-LL:(商品名、三井化学(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量:175、軟化点:77℃、吸水率:1質量%、加熱質量減少率:4質量%)
〇HE200C-10:(商品名、エア・ウォーター(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量:200、軟化点:65~76℃、吸水率:1質量%、加熱質量減少率:4質量%)
〇HE910-10:(商品名、エア・ウォーター(株)製、フェノール樹脂、水酸基当量:101、軟化点:83℃、吸水率:1質量%、加熱質量減少率:3質量%)
〇SC1030-HJA:(商品名、アドマテックス(株)製、シリカフィラー分散液、平均粒径:0.25μm)
〇アエロジルR972:(商品名、日本アエロジル(株)製、シリカ、平均粒子径:0.016μm)
〇アクリルゴムHTR-860P-30B-CHN:(サンプル名、帝国化学産業(株)製、重量平均分子量:23万、グリシジル官能基モノマー比率:8%、Tg:-7℃)
〇アクリルゴムHTR-860P-3CSP:(サンプル名、帝国化学産業(株)製、重量平均分子量:80万、グリシジル官能基モノマー比率:3%、Tg:-7℃)
〇A-1160:(商品名、GE東芝(株)製、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン)
〇A-189:(商品名、GE東芝(株)製、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)
〇キュアゾール2PZ-CN:(商品名、四国化成工業(株)製、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール)
〇RE-810NM:(商品名、日本化薬株式会社製、ジアリルビスフェノールAジグリシジルエーテル(性状:液状))
〇フォレットSCS:(商品名、綜研化学株式会社製、スチリル基含有アクリルポリマー(Tg:70℃,重量平均分子量:15000))
〇BMI-1:(商品名、東京化成株式会社製、4,4’-ビスマレイミドジフェニルメタン)
〇TPPK:(商品名、東京化成株式会社製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート)
〇HP-P1:(商品名、水島合金鉄株式会社製、窒化ホウ素フィラー)
The abbreviations used in Synthesis Examples represent the following compounds.
o BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride o BPADA: 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride o PMDA: pyro Melitic dianhydride ○ BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride ○ m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl ○ TPE-R: 1 ,3-bis(4-aminophenoxy)benzene ○ Bisaniline-M: 1,3-bis[2-(4-aminophenyl)-2-propyl]benzene ○ BAPP: 2,2-bis[4-(4- Aminophenoxy)phenyl]propane DDA: Aliphatic diamine having 36 carbon atoms (manufactured by Croda Japan Co., Ltd., trade name; PRIAMINE 1074, amine value: 205 mgKOH/g, mixture of dimer diamine with cyclic structure and chain structure, dimer component content; 95% by weight or more)
〇DMAc: N,N-dimethylacetamide 〇NMP: N-methyl-2-pyrrolidone 〇N-12: Dodecanedioic acid dihydrazide 〇OP935: Organic phosphinate aluminum salt (manufactured by Clariant Japan, trade name; Exolit OP935)
○ R710: (trade name, manufactured by Printec Co., Ltd., bisphenol type epoxy resin, epoxy equivalent 170, liquid at room temperature, weight average molecular weight: about 340)
○ VG3101L: (trade name, manufactured by Printec Co., Ltd., polyfunctional epoxy resin, epoxy equivalent: 210, softening point: 39 to 46 ° C.)
○ SR35K: (trade name, manufactured by Printec Co., Ltd., epoxy resin, epoxy equivalent: 930 to 940, softening point: 86 to 98 ° C.)
〇 YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd., cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent 210, softening point 75 to 85 ° C.)
○ Milex XLC-LL: (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenolic resin, hydroxyl equivalent: 175, softening point: 77 ° C., water absorption: 1% by mass, mass reduction rate on heating: 4% by mass)
〇HE200C-10: (trade name, manufactured by Air Water Inc., phenolic resin, hydroxyl equivalent: 200, softening point: 65 to 76°C, water absorption: 1% by mass, mass reduction rate upon heating: 4% by mass)
〇HE910-10: (trade name, manufactured by Air Water Inc., phenolic resin, hydroxyl equivalent: 101, softening point: 83°C, water absorption: 1% by mass, mass reduction rate upon heating: 3% by mass)
○ SC1030-HJA: (trade name, manufactured by Admatechs Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size: 0.25 μm)
○ Aerosil R972: (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica, average particle size: 0.016 μm)
○Acrylic rubber HTR-860P-30B-CHN: (Sample name, manufactured by Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd., weight average molecular weight: 230,000, glycidyl functional group monomer ratio: 8%, Tg: -7°C)
○Acrylic rubber HTR-860P-3CSP: (Sample name, manufactured by Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd., weight average molecular weight: 800,000, glycidyl functional group monomer ratio: 3%, Tg: -7°C)
○A-1160: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-ureidopropyltriethoxysilane)
○A-189: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)
○ Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole)
○ RE-810NM: (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., diallyl bisphenol A diglycidyl ether (property: liquid))
○ Follett SCS: (trade name, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., styryl group-containing acrylic polymer (Tg: 70 ° C., weight average molecular weight: 15000))
○ BMI-1: (trade name, manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd., 4,4'-bismaleimide diphenylmethane)
○ TPPK: (trade name, manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd., tetraphenylphosphonium tetraphenylborate)
〇 HP-P1: (Product name, manufactured by Mizushima Ferroalloy Co., Ltd., boron nitride filler)

(合成例1)
<接着層用の樹脂溶液Aの調製>
表1に品名及び組成比(単位:質量部)の(a)熱硬化性樹脂としての
エポキシ樹脂及びフェノール樹脂、(c)無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表1に示す、(b)高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表1に示す(e)カップリング剤及び(d)硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌して接着層用の樹脂溶液Aを得た。
(Synthesis example 1)
<Preparation of resin solution A for adhesive layer>
Cyclohexanone was added to a composition consisting of (a) an epoxy resin and a phenolic resin as thermosetting resins and (c) an inorganic filler having the product names and composition ratios (unit: parts by mass) shown in Table 1, followed by stirring and mixing. To this, (b) acrylic rubber as a high-molecular-weight component shown in Table 1 is added and stirred, and (e) a coupling agent and (d) a curing accelerator shown in Table 1 are added to homogenize each component. The resin solution A for the adhesive layer was obtained by stirring until the

Figure 0007229725000007
Figure 0007229725000007

(合成例2)
<ポリイミド樹脂(PI-1)の合成および接着層用の樹脂溶液Bの調製>
温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(信越化学工業株式会社製、商品名:LP-7100)15.53g、ポリオキシプロピレンジアミン(BASF株式会社製、商品名:D400、分子量:450)28.13g、及び、NMP100.0gを仕込んで攪拌して、反応液を調製した。ジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した4,4’-オキシジフタル酸二無水物32.30gを反応液に少量ずつ添加した。常温(25℃)で8時間反応させた後、キ
シレン67.0gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱した樹脂を濾過により採取し、乾燥してポリイミド樹脂(PI-1)を得た。得られたポリイミド樹脂(PI-1)の分子量をGPCにて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量Mn=22400、重量平均分子量Mw=70200であった。
上記で得たポリイミド樹脂(PI-1)を用いて、表2に示す組成比(単位:質量部)で各成分を配合して、接着層用の樹脂溶液Bを得た。
(Synthesis example 2)
<Synthesis of Polyimide Resin (PI-1) and Preparation of Resin Solution B for Adhesive Layer>
1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: LP-7100) is placed in a 300 mL flask equipped with a thermometer, stirrer, condenser, and nitrogen inlet tube. 15.53 g, 28.13 g of polyoxypropylene diamine (manufactured by BASF Corporation, trade name: D400, molecular weight: 450), and 100.0 g of NMP were charged and stirred to prepare a reaction solution. After the diamine was dissolved, 32.30 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride previously purified by recrystallization from acetic anhydride was added little by little to the reaction solution while cooling the flask in an ice bath. After reacting at room temperature (25° C.) for 8 hours, 67.0 g of xylene was added, and the mixture was heated at 180° C. while blowing nitrogen gas, thereby removing xylene and water azeotropically. The reaction solution was poured into a large amount of water, and the precipitated resin was collected by filtration and dried to obtain a polyimide resin (PI-1). When the molecular weight of the obtained polyimide resin (PI-1) was measured by GPC, it was found to have a number average molecular weight Mn of 22,400 and a weight average molecular weight Mw of 70,200 in terms of polystyrene.
Using the polyimide resin (PI-1) obtained above, each component was blended in the composition ratio (unit: parts by mass) shown in Table 2 to obtain a resin solution B for an adhesive layer.

Figure 0007229725000008
Figure 0007229725000008

(合成例3)
<接着層用の樹脂溶液Cの調製>
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した500mLの4ッ口フラスコに、44.92gのBTDA(0.139モル)、75.08gのDDA(0.141モル)、168gのNMP及び112gのキシレンを装入し、40℃で30分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を190℃に昇温し、4時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、100℃まで冷却し、112gのキシレンを加え撹拌し、更に30℃まで冷却することでイミド化を完結し、接着層用の樹脂溶液C(固形分;29.5重量%、重量平均分子量;75,700)を得た。
(Synthesis Example 3)
<Preparation of resin solution C for adhesive layer>
In a 500 mL 4-necked flask equipped with a nitrogen inlet tube, stirrer, thermocouple, Dean-Stark trap, and condenser, 44.92 g BTDA (0.139 mol), 75.08 g DDA (0.141 mol), 168 g of NMP and 112 g of xylene were charged and mixed at 40° C. for 30 minutes to prepare a polyamic acid solution. This polyamic acid solution was heated to 190° C., heated and stirred for 4 hours, and distilled water and xylene were removed from the system. Then, it is cooled to 100° C., 112 g of xylene is added and stirred, and further cooled to 30° C. to complete imidation, and the resin solution C for adhesive layer (solid content: 29.5% by weight, weight average molecular weight 75,700).

(合成例4)
<接着層用の樹脂溶液Dの調製>
42.51gのBPADA(0.082モル)、34.30gのDDA(0.066モル)、6.56gのBAPP(0.016モル)、208gのNMP及び112gのキシレンを原料組成とした以外は、合成例3と同様にしてポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を合成例3と同様にして処理し、接着層用の樹脂溶液D(固形分;30.0重量%、重量平均分子量;65,000)を得た。
(Synthesis Example 4)
<Preparation of resin solution D for adhesive layer>
42.51 g of BPADA (0.082 mol), 34.30 g of DDA (0.066 mol), 6.56 g of BAPP (0.016 mol), 208 g of NMP and 112 g of xylene except that the raw material composition was A polyamic acid solution was prepared in the same manner as in Synthesis Example 3. This polyamic acid solution was treated in the same manner as in Synthesis Example 3 to obtain an adhesive layer resin solution D (solid content: 30.0% by weight, weight average molecular weight: 65,000).

(合成例5)
<絶縁樹脂層用のポリアミド酸溶液1の調製>
窒素気流下で、反応槽に、64.20gのm-TB(0.302モル)及び5.48gのビスアニリン-M(0.016モル)並びに重合後の固形分濃度が15重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、34.20gのPMDA(0.157モル)及び46.13gのBPDA(0.157モル)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液1(粘度;26,500cps)を調製した。
(Synthesis Example 5)
<Preparation of polyamic acid solution 1 for insulating resin layer>
Under a nitrogen stream, 64.20 g of m-TB (0.302 mol) and 5.48 g of bisaniline-M (0.016 mol) were added to the reactor, and an amount that would give a solid content concentration of 15% by weight after polymerization. of DMAc was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, after adding 34.20 g of PMDA (0.157 mol) and 46.13 g of BPDA (0.157 mol), the polymerization reaction was carried out at room temperature for 3 hours with continuous stirring, polyamic acid solution 1 (viscosity: 26,500 cps) were prepared.

(合成例6)
<絶縁樹脂層用のポリアミド酸溶液2の調製>
69.56gのm-TB(0.328モル)、542.75gのTPE-R(1.857モル)、重合後の固形分濃度が12重量%となる量のDMAc、194.39gのPMDA(0.891モル)及び393.31gのBPDA(1.337モル)を原料組成とした以外は、合成例3と同様にしてポリアミド酸溶液2(粘度;2,650cps)を調製した。
(Synthesis Example 6)
<Preparation of polyamic acid solution 2 for insulating resin layer>
69.56 g of m-TB (0.328 mol), 542.75 g of TPE-R (1.857 mol), DMAc in an amount to give a solids concentration of 12% by weight after polymerization, 194.39 g of PMDA ( A polyamic acid solution 2 (viscosity: 2,650 cps) was prepared in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 0.891 mol) and 393.31 g of BPDA (1.337 mol) were used as the raw material composition.

(作製例1)
<接着層用の樹脂シートAの調製>
接着層用の樹脂溶液Aを乾燥後の厚みが50μmとなるように離型基材(縦×横×厚さ=320mm×240mm×25μm)のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、さらに120℃で15分乾燥を行った後、離型基材上から剥離することで樹脂シートAを調製した。また、樹脂シートAについて、硬化後の物性を評価するため120℃のオーブンで2時間、170℃で3時間加熱した。その際、硬化後樹脂シートAは、Tg95℃であり、50℃での貯蔵弾性率が960MPa、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が7MPaであった。
(Production example 1)
<Preparation of resin sheet A for adhesive layer>
After coating the silicone-treated surface of the release substrate (length × width × thickness = 320 mm × 240 mm × 25 μm) so that the thickness after drying the resin solution A for the adhesive layer is 50 μm, it is heated at 80 ° C. for 15 minutes. After drying by heating for 1 minute, drying at 120° C. for 15 minutes, the resin sheet A was prepared by peeling from the release substrate. Further, the resin sheet A was heated in an oven at 120° C. for 2 hours and at 170° C. for 3 hours in order to evaluate physical properties after curing. At that time, the cured resin sheet A had a Tg of 95°C, a storage modulus of 960 MPa at 50°C, and a maximum storage modulus of 7 MPa from 180°C to 260°C.

(作製例2)
<接着層用の樹脂シートBの調製>
接着層用の樹脂溶液Bを乾燥後の厚みが50μmとなるように離型基材(縦×横×厚さ=320mm×240mm×25μm)のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、さらに120℃で15分乾燥を行った後、離型基材上から剥離することで樹脂シートBを調製した。また、樹脂シートBについて、硬化後の物性を評価するため120℃のオーブンで2時間、170℃で3時間加熱した。その際、硬化後樹脂シートBは、Tg100℃以下であり、50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が70MPaであった。
(Production example 2)
<Preparation of resin sheet B for adhesive layer>
After coating the silicone-treated surface of the release substrate (length × width × thickness = 320 mm × 240 mm × 25 μm) so that the thickness after drying the resin solution B for the adhesive layer is 50 μm, it is heated at 80 ° C. for 15 minutes. The resin sheet B was prepared by heat-drying for 1 minute, further drying at 120° C. for 15 minutes, and peeling off from the release substrate. Further, resin sheet B was heated in an oven at 120° C. for 2 hours and at 170° C. for 3 hours in order to evaluate physical properties after curing. At that time, the cured resin sheet B had a Tg of 100°C or less, a storage modulus of 1800 MPa or less at 50°C, and a maximum storage modulus of 70 MPa from 180°C to 260°C.

(作製例3)
<接着層用の樹脂シートCの調製>
接着層用の樹脂溶液Cの169.49g(固形分として50g)に1.8gのN-12(0.0036モル)及び12.5gのOP935を配合し、6.485gのNMPと19.345gのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス1を調製した。
(Production example 3)
<Preparation of resin sheet C for adhesive layer>
169.49 g (50 g as solid content) of resin solution C for the adhesive layer was blended with 1.8 g of N-12 (0.0036 mol) and 12.5 g of OP935, 6.485 g of NMP and 19.345 g of xylene was added to dilute the polyimide varnish 1.

ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが50μmとなるように離型基材(縦×横×厚さ=320mm×240mm×25μm)のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シートCを調製した。樹脂シートCのTgは78℃であり、50℃での貯蔵弾性率が800MPa、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が10MPaであった。また、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.68、0.0028であった。 Polyimide varnish 1 was applied to the silicone-treated surface of the release substrate (length x width x thickness = 320 mm x 240 mm x 25 µm) so that the thickness after drying was 50 µm, and then dried by heating at 80 ° C. for 15 minutes. , to prepare a resin sheet C by peeling from the release substrate. The resin sheet C had a Tg of 78°C, a storage modulus of 800 MPa at 50°C, and a maximum storage modulus of 10 MPa from 180°C to 260°C. Also, the dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) were 2.68 and 0.0028, respectively.

(作製例4)
<接着層用の樹脂シートDの調製>
接着層用の樹脂溶液Dを乾燥後の厚みが50μmとなるように離型基材(縦×横×厚さ=320mm×240mm×25μm)のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シートDを調製した。樹脂シートDのTgは82℃であり、50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下、180℃から260℃での貯蔵弾性率の最大値が2MPa以下であった。また、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.80、0.0026であった。
(Production example 4)
<Preparation of resin sheet D for adhesive layer>
After coating the silicone-treated surface of the release substrate (length × width × thickness = 320 mm × 240 mm × 25 μm) so that the thickness after drying the resin solution D for the adhesive layer is 50 μm, it is heated at 80 ° C. for 15 minutes. A resin sheet D was prepared by heat-drying for 1 minute and peeling off from the release substrate. Resin sheet D had a Tg of 82° C., a storage modulus of 1800 MPa or less at 50° C., and a maximum value of 2 MPa or less between 180° C. and 260° C. Also, the dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) were 2.80 and 0.0026, respectively.

(作製例5)
<片面金属張積層板の調製>
銅箔1(電解銅箔、厚さ;12μm、樹脂層側の表面粗度Rz;0.6μm)の上に、ポリアミド酸溶液2を硬化後の厚みが約2~3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次にその上にポリアミド酸溶液1を硬化後の厚みが、約21μmとなるように均一に塗布し、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液2を硬化後の厚みが約2~3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、120℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板1を調製した。片面金属張積層板1の寸法変化率は、次のとおりである。
MD方向(長手方向)のエッチング後寸法変化率;0.01%
TD方向(幅方向)のエッチング後寸法変化率;-0.04%
MD方向(長手方向)の加熱後寸法変化率;-0.03%
TD方向(幅方向)の加熱後寸法変化率;-0.01%
また、塩化第二鉄水溶液を用いて片面金属張積層板1の銅箔1をエッチング除去して調製したポリイミドフィルム1(厚み;25μm)におけるCTEは20.0ppm/Kであり、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.40、0.0029であった。
(Production example 5)
<Preparation of single-sided metal-clad laminate>
On a copper foil 1 (electrolytic copper foil, thickness: 12 μm, surface roughness Rz on the resin layer side: 0.6 μm), polyamic acid solution 2 is evenly applied so that the thickness after curing is about 2 to 3 μm. After coating, the solvent was removed by heating and drying at 120°C. Next, polyamic acid solution 1 was uniformly applied thereon so that the thickness after curing was about 21 μm, and dried by heating at 120° C. to remove the solvent. Further, the polyamic acid solution 2 was applied evenly thereon so that the thickness after curing was about 2 to 3 μm, and then dried by heating at 120° C. to remove the solvent. Further, stepwise heat treatment was performed from 120° C. to 360° C. to complete imidization, and a single-sided metal-clad laminate 1 was prepared. The dimensional change rate of the single-sided metal-clad laminate 1 is as follows.
Dimensional change rate after etching in MD direction (longitudinal direction); 0.01%
Dimensional change rate after etching in the TD direction (width direction); -0.04%
Dimensional change after heating in MD direction (longitudinal direction); -0.03%
Dimensional change rate after heating in the TD direction (width direction); -0.01%
In addition, the polyimide film 1 (thickness: 25 μm) prepared by etching away the copper foil 1 of the single-sided metal clad laminate 1 using an aqueous ferric chloride solution has a CTE of 20.0 ppm/K and a dielectric constant (Dk ) and dielectric loss tangent (Df) were 3.40 and 0.0029, respectively.

[実施例1]
接着層用の樹脂溶液Aを乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板1の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、さらに120℃で15分乾燥を行うことで、接着層付片面金属張積層板1を調製した。また、接着層付片面金属張積層板1について、接着層硬化後の物性を評価するため120℃のオーブンで2時間、170℃で3時間加熱した。加熱後の接着層付片面金属張積層板1の評価結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;-0.05%
TD方向のエッチング後寸法変化率;-0.02%
MD方向の加熱後寸法変化率;-0.01%
TD方向の加熱後寸法変化率;-0.03%
加熱後の接着層付片面金属張積層板1の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板1における銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体1(厚み;75μm)におけるCTEは26.2ppm/Kであった。
[Example 1]
After coating the resin solution A for the adhesive layer on the resin surface of the single-sided metal-clad laminate 1 so that the thickness after drying is 50 μm, it is dried by heating at 80° C. for 15 minutes, and further dried at 120° C. for 15 minutes. By doing so, a single-sided metal-clad laminate 1 with an adhesive layer was prepared. Further, the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 1 was heated in an oven at 120° C. for 2 hours and at 170° C. for 3 hours in order to evaluate physical properties after the adhesive layer was cured. The evaluation results of the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 1 after heating are as follows.
Dimensional change rate after etching in MD direction; -0.05%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.02%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.01%
Dimensional change rate after heating in TD direction; -0.03%
There was no problem with the dimensional change of the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 1 after heating. The CTE of the resin laminate 1 (thickness: 75 μm) prepared by etching away the copper foil 1 in the single-sided metal-clad laminate 1 with an adhesive layer after heating was 26.2 ppm/K.

[実施例2]
接着層用の樹脂溶液Bを乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板1の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥し、さらに120℃で15分乾燥を行うことで、接着層付片面金属張積層板2を調製した。また、接着層付片面金属張積層板2について、接着層硬化後の物性を評価するため120℃のオーブンで2時間、170℃で3時間加熱した。加熱後の接着層付片面金属張積層板2の評価結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;-0.08%
TD方向のエッチング後寸法変化率;-0.06%
MD方向の加熱後寸法変化率;-0.03%
TD方向の加熱後寸法変化率;-0.06%
加熱後の接着層付片面金属張積層板2の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板2における銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体2(厚み;75μm)におけるCTEは25.0ppm/Kであった。
[Example 2]
After coating the resin solution B for the adhesive layer on the resin surface of the single-sided metal-clad laminate 1 so that the thickness after drying is 50 μm, it is dried by heating at 80° C. for 15 minutes, and further dried at 120° C. for 15 minutes. By doing so, a single-sided metal-clad laminate 2 with an adhesive layer was prepared. Further, the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 2 was heated in an oven at 120° C. for 2 hours and at 170° C. for 3 hours in order to evaluate physical properties after the adhesive layer was cured. The evaluation results of the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 2 after heating are as follows.
Dimensional change rate after etching in MD direction; -0.08%
Dimensional change rate after etching in TD direction; -0.06%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in TD direction; -0.06%
There was no problem with the dimensional change of the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 2 after heating. The CTE of the resin laminate 2 (thickness: 75 μm) prepared by etching away the copper foil 1 in the single-sided metal-clad laminate 2 with an adhesive layer after heating was 25.0 ppm/K.

[実施例3]
ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板1の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板3を調製した。また、接着層付片面金属張積層板3について、180℃のオーブンで1分間、150℃で30分間加熱した後、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;-0.05%
TD方向のエッチング後寸法変化率;-0.04%
MD方向の加熱後寸法変化率;0.05%
TD方向の加熱後寸法変化率;0.01%
加熱後の接着層付片面金属張積層板3の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板3における銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体3(厚み;75μm)におけるCTEは25.6ppm/Kであり、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.92、0.0028であった。
[Example 3]
Polyimide varnish 1 is applied to the resin surface of single-sided metal-clad laminate 1 so that the thickness after drying is 50 μm, and then dried by heating at 80° C. for 15 minutes to obtain single-sided metal-clad laminate 3 with an adhesive layer. prepared. The single-sided metal-clad laminate 3 with an adhesive layer was heated in an oven at 180° C. for 1 minute and then at 150° C. for 30 minutes, and the evaluation results are as follows.
Dimensional change rate after etching in MD direction; -0.05%
Dimensional change rate after etching in TD direction; -0.04%
Dimensional change rate after heating in MD direction; 0.05%
Dimensional change rate after heating in TD direction; 0.01%
There was no problem with the dimensional change of the adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminate 3 after heating. In addition, the CTE in the resin laminate 3 (thickness: 75 μm) prepared by etching away the copper foil 1 in the single-sided metal-clad laminate 3 with an adhesive layer after heating was 25.6 ppm/K, and the dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) were 2.92 and 0.0028, respectively.

[実施例4]
接着層用の樹脂溶液Dを乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板1の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板4を調製した。また、接着層付片面金属張積層板4について、180℃のオーブンで1分間、150℃で30分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.00、0.0027であった。
[Example 4]
After coating the resin solution D for the adhesive layer on the resin surface of the single-sided metal-clad laminate 1 so that the thickness after drying becomes 50 μm, it is dried by heating at 80° C. for 15 minutes to obtain a single-sided metal-clad with adhesive layer. Laminate 4 was prepared. In addition, the single-sided metal-clad laminate 4 with an adhesive layer was evaluated after being heated in an oven at 180°C for 1 minute and at 150°C for 30 minutes. ) were 3.00 and 0.0027, respectively.

[実施例5]
液晶ポリマーフィルム(クラレ社製、商品名;CT-Z、厚さ;25μm、CTE;18ppm/K、熱変形温度;300℃、Dk;3.40、Df;0.0022)を絶縁基材とし、その両面に銅箔1が設けられた両面金属張積層板1を準備した。両面金属張積層板1の片面の銅箔1をエッチング除去し、片面金属張積層板2を調製した。
[Example 5]
Liquid crystal polymer film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name: CT-Z, thickness: 25 μm, CTE: 18 ppm/K, heat distortion temperature: 300 ° C., Dk: 3.40, Df: 0.0022) as an insulating substrate , a double-sided metal-clad laminate 1 provided with copper foils 1 on both sides was prepared. A single-sided metal-clad laminate 2 was prepared by removing the copper foil 1 on one side of the double-sided metal-clad laminate 1 by etching.

ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板2の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板5を調製した。また、接着層付片面金属張積層板5について、180℃のオーブンで1分間、150℃で30分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.92、0.0026であった。 Polyimide varnish 1 is applied to the resin surface of single-sided metal-clad laminate 2 so that the thickness after drying is 50 μm, and then dried by heating at 80° C. for 15 minutes to obtain single-sided metal-clad laminate 5 with an adhesive layer. prepared. In addition, the single-sided metal-clad laminate 5 with an adhesive layer was evaluated after being heated in an oven at 180°C for 1 minute and at 150°C for 30 minutes. ) were 2.92 and 0.0026, respectively.

[実施例6]
接着層用の樹脂溶液Dを乾燥後の厚みが50μmとなるように片面金属張積層板2の樹脂面に塗工した後、80℃で15分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板6を調製した。また、接着層付片面金属張積層板6について、180℃のオーブンで1分間、150℃で30分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.00、0.0025であった。
[Example 6]
The resin solution D for the adhesive layer is applied to the resin surface of the single-sided metal-clad laminate 2 so that the thickness after drying is 50 μm, and then dried by heating at 80° C. for 15 minutes to obtain a single-sided metal-clad adhesive layer. Laminate 6 was prepared. In addition, the single-sided metal-clad laminate 6 with an adhesive layer was evaluated after being heated in an oven at 180° C. for 1 minute and at 150° C. for 30 minutes. ) were 3.00 and 0.0025, respectively.

[実施例7]
片面金属張積層板1の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された片面配線基板1を調製した。併せて、2枚の接着層付片面金属張積層板3の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された2枚の接着層付片面配線基板1を調製した。
[Example 7]
Copper foil 1 of single-sided metal-clad laminate 1 was subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare single-sided wiring board 1 having a conductor circuit layer formed thereon. At the same time, the copper foils 1 of the two adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminates 3 were subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare two adhesive layer-attached single-sided wiring boards 1 each having a conductive circuit layer formed thereon. .

片面配線基板1の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板1の接着層、一つの接着層付片面配線基板1の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板1の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、多層回路基板1を調製した。多層回路基板1の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。 The conductor circuit layer of the single-sided wiring board 1 and the adhesive layer of the single-sided wiring board 1 with an adhesive layer, the conductor circuit layer of the single-sided wiring board 1 with an adhesive layer and the adhesive layer of the single-sided wiring board 1 with another adhesive layer After superimposing them so as to face each other, the multilayer circuit board 1 was prepared by thermocompression bonding for 60 minutes under conditions of 160° C. and 4 MPa. On the crimping surface of the multilayer circuit board 1, the conductive circuit layer was sufficiently filled with the adhesive, and no disturbance of the conductor circuit due to the thermocompression bonding process occurred.

[実施例8]
2枚の接着層付片面配線基板1を準備し、一つの接着層付片面配線基板1の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板1の接着層が対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、両面回路基板1を調製した。両面回路基板1の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。
[Example 8]
After preparing two single-sided wiring boards 1 with an adhesive layer and superimposing them so that the adhesive layer of one single-sided wiring board 1 with an adhesive layer faces the adhesive layer of another single-sided wiring board 1 with an adhesive layer, A double-sided circuit board 1 was prepared by thermocompression bonding at 160° C. and 4 MPa for 60 minutes. On the pressure-bonding surface of the double-sided circuit board 1, the adhesive layers were sufficiently bonded to each other, and no disturbance of the conductor circuit caused by the thermocompression bonding process occurred.

[実施例9]
2枚の接着層付片面金属張積層板4の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された2枚の接着層付片面配線基板2を調製した。
[Example 9]
Copper foils 1 of two adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminates 4 were subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare two adhesive layer-attached single-sided wiring boards 2 on which conductor circuit layers were formed.

片面配線基板1の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板2の接着層、一つの接着層付片面配線基板2の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板2の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、多層回路基板2を調製した。多層回路基板2の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。 The conductor circuit layer of the single-sided wiring board 1 and the adhesive layer of the single-sided wiring board 2 with an adhesive layer, the conductor circuit layer of the single-sided wiring board 2 with an adhesive layer and the adhesive layer of the single-sided wiring board 2 with another adhesive layer After superimposing them so as to face each other, the multilayer circuit board 2 was prepared by thermocompression bonding for 60 minutes under conditions of 160° C. and 4 MPa. On the crimping surface of the multilayer circuit board 2, the conductor circuit layer was sufficiently filled with the adhesive, and no disturbance of the conductor circuit caused by the thermocompression bonding process occurred.

[実施例10]
2枚の接着層付片面配線基板2を準備し、一つの接着層付片面配線基板2の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板2の接着層が対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、両面回路基板2を調製した。両面回路基板2の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。
[Example 10]
After preparing two single-sided wiring boards 2 with an adhesive layer and superimposing them so that the adhesive layer of one single-sided wiring board 2 with an adhesive layer faces the adhesive layer of another single-sided wiring board 2 with an adhesive layer, A double-sided circuit board 2 was prepared by thermocompression bonding at 160° C. and 4 MPa for 60 minutes. On the pressure-bonding surface of the double-sided circuit board 2, the adhesive layers were sufficiently bonded to each other, and no disturbance of the conductor circuit caused by the thermocompression bonding process occurred.

[実施例11]
片面金属張積層板2の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された片面配線基板2を調製した。併せて、2枚の接着層付片面金属張積層板5の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された2枚の接着層付片面配線基板3を調製した。
[Example 11]
The copper foil 1 of the single-sided metal-clad laminate 2 was subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare a single-sided wiring board 2 having a conductor circuit layer formed thereon. At the same time, the copper foils 1 of the two adhesive layer-attached single-sided metal-clad laminates 5 were subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare two adhesive layer-attached single-sided wiring boards 3 on which conductor circuit layers were formed. .

片面配線基板2の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板3の接着層、一つの接着層付片面配線基板3の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板3の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、多層回路基板3を調製した。多層回路基板3の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。 The conductor circuit layer of the single-sided wiring board 2 and the adhesive layer of the single-sided wiring board 3 with the adhesive layer, the conductor circuit layer of the single-sided wiring board 3 with the adhesive layer and the adhesive layer of the single-sided wiring board 3 with the adhesive layer After superimposing them so as to face each other, the multilayer circuit board 3 was prepared by thermocompression bonding for 60 minutes under conditions of 160° C. and 4 MPa. On the crimping surface of the multilayer circuit board 3, the conductive circuit layer was sufficiently filled with the adhesive, and the conductor circuit was not disturbed due to the thermocompression bonding process.

[実施例12]
2枚の接着層付片面配線基板3を準備し、一つの接着層付片面配線基板3の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板3の接着層が対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、両面回路基板3を調製した。両面回路基板3の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。
[Example 12]
After preparing two single-sided wiring boards 3 with an adhesive layer and superimposing them so that the adhesive layer of one single-sided wiring board 3 with an adhesive layer faces the adhesive layer of another single-sided wiring board 3 with an adhesive layer, A double-sided circuit board 3 was prepared by thermocompression bonding for 60 minutes at 160° C. and 4 MPa. On the crimped surface of the double-sided circuit board 3, the adhesive layers were sufficiently bonded to each other, and no disorder of the conductor circuit due to the thermocompression bonding process occurred.

[実施例13]
2枚の接着層付片面金属張積層板6の銅箔1に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された2枚の接着層付片面配線基板4を調製した。
[Example 13]
Copper foils 1 of two single-sided metal-clad laminates 6 with an adhesive layer were subjected to circuit processing by a subtractive method to prepare two single-sided wiring boards 4 with an adhesive layer on which a conductor circuit layer was formed.

片面配線基板2の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板4の接着層、一つの接着層付片面配線基板4の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板4の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、多層回路基板4を調製した。多層回路基板4の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。 The conductor circuit layer of the single-sided wiring board 2 and the adhesive layer of the single-sided wiring board 4 with an adhesive layer, the conductor circuit layer of the single-sided wiring board 4 with an adhesive layer and the adhesive layer of the single-sided wiring board 4 with another adhesive layer A multilayer circuit board 4 was prepared by stacking them so as to face each other and thermally compressing them for 60 minutes under the conditions of 160° C. and 4 MPa. On the pressure-bonding surface of the multilayer circuit board 4, the conductive circuit layer was sufficiently filled with the adhesive, and no disturbance of the conductive circuit due to the thermocompression process occurred.

[実施例14]
2枚の接着層付片面配線基板4を準備し、一つの接着層付片面配線基板4の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板4の接着層が対向するように重ね合わせた後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着する事で、両面回路基板4を調製した。両面回路基板4の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。
[Example 14]
After preparing two single-sided wiring boards 4 with an adhesive layer and superimposing them so that the adhesive layer of one single-sided wiring board 4 with an adhesive layer faces the adhesive layer of another single-sided wiring board 4 with an adhesive layer, A double-sided circuit board 4 was prepared by thermocompression bonding at 160° C. and 4 MPa for 60 minutes. On the pressure-bonding surface of the double-sided circuit board 4, the adhesive layers were sufficiently bonded to each other, and no disturbance of the conductor circuit caused by the thermocompression bonding process occurred.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above embodiments and various modifications are possible.

10…絶縁樹脂層、20…金属層、30…接着層、40…片面金属張積層板、50…導体回路層、100…金属張積層板、101…回路基板、102…回路基板ユニット、110…任意の回路基板、200,201…多層回路基板

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Insulating resin layer 20... Metal layer 30... Adhesive layer 40... Single-sided metal clad laminate 50... Conductor circuit layer 100... Metal clad laminate 101... Circuit board 102... Circuit board unit 110... Arbitrary circuit boards, 200, 201... multilayer circuit boards

Claims (10)

絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の面に積層された金属層と、
前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、
を備え、
前記接着層を構成する樹脂が、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂であり、下記の条件(i)~(iii);
(i)50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下であること;
(ii)180℃から260℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が800MPa以下であること;
(iii)ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であること;
を満たすものであり、
前記接着層の厚みT2が20~200μmの範囲内、前記絶縁樹脂層の厚みT3が12~100μmの範囲内であるとともに、前記接着層の厚みT2と前記絶縁樹脂層の厚みT3との合計厚みT1が50~250μmの範囲内であり、該合計厚みT1に対する前記接着層の厚みT2の比率(T2/T1)が0.5~0.8の範囲内である金属張積層板。
an insulating resin layer;
a metal layer laminated on one surface of the insulating resin layer;
an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer;
with
The resin constituting the adhesive layer is a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and the following conditions (i) to (iii);
(i) a storage modulus at 50°C of 1800 MPa or less;
(ii) the maximum storage modulus in the temperature range from 180°C to 260°C is 800 MPa or less;
(iii) having a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less;
and
The thickness T2 of the adhesive layer is in the range of 20 to 200 μm, the thickness T3 of the insulating resin layer is in the range of 12 to 100 μm, and the total thickness of the thickness T2 of the adhesive layer and the thickness T3 of the insulating resin layer. A metal clad laminate, wherein T1 is in the range of 50 to 250 μm, and the ratio of the thickness T2 of the adhesive layer to the total thickness T1 (T2/T1) is in the range of 0.5 to 0.8.
前記熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドであり、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上含有する請求項1に記載の金属張積層板。
The thermoplastic resin is an adhesive polyimide containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue,
The adhesive polyimide is derived from a dimer acid-type diamine obtained by substituting two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid with a primary aminomethyl group or an amino group with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residue. 2. The metal-clad laminate according to claim 1, which contains 50 mol parts or more of the diamine residue.
前記金属張積層板は、前記金属層を配線に加工してなる回路基板の材料である請求項1に記載の金属張積層板。 2. The metal-clad laminate according to claim 1, wherein the metal-clad laminate is a material for a circuit board formed by processing the metal layer into wiring. 前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の全量100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有する請求項2に記載の金属張積層板。
Figure 0007229725000009
[一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。]
Figure 0007229725000010
[上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。]
The adhesive polyimide is a tetracarboxylic acid derived from a tetracarboxylic anhydride represented by the following general formula (1) and / or (2) with respect to 100 mol parts of the total amount of the tetracarboxylic acid residue 3. The metal-clad laminate according to claim 2, containing a total of 90 mol parts or more of residues.
Figure 0007229725000009
[In the general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in the general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring, It represents forming a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring and an 8-membered ring. ]
Figure 0007229725000010
[In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, where n is Indicates an integer from 1 to 20. ]
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有し、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有する請求項2に記載の金属張積層板。
Figure 0007229725000011
[式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。]
The adhesive polyimide contains 50 mol parts or more and 99 mol parts or less of diamine residues derived from the dimer acid-type diamine with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residues,
1 to 50 mol parts of a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7): 2. The metal-clad laminate according to 2.
Figure 0007229725000011
[In the formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO a divalent group selected from -, -SO-, -SO 2 -, -COO-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -NH- or -CONH-, n 1 is independent indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded. ]
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、
前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、
を備えた回路基板であって、
前記接着層を構成する樹脂が、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂であり、下記の条件(i)~(iii);
(i)50℃での貯蔵弾性率が1800MPa以下であること;
(ii)180℃から260℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が800MPa以下であること;
(iii)ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であること;
を満たすものであり、
前記接着層の厚みT2が20~200μmの範囲内、前記絶縁樹脂層の厚みT3が12~100μmの範囲内であるとともに、前記接着層の厚みT2と前記絶縁樹脂層の厚みT3との合計厚みT1が50~250μmの範囲内であり、該合計厚みT1に対する前記接着層の厚みT2の比率(T2/T1)が0.5~0.8の範囲内である回路基板。
an insulating resin layer;
a conductor circuit layer formed on one surface of the insulating resin layer;
an adhesive layer laminated on the other surface of the insulating resin layer;
A circuit board comprising
The resin constituting the adhesive layer is a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and the following conditions (i) to (iii);
(i) a storage modulus at 50°C of 1800 MPa or less;
(ii) the maximum value of storage modulus in the temperature range from 180°C to 260°C is 800 MPa or less;
(iii) having a glass transition temperature (Tg) of 180° C. or less;
and
The thickness T2 of the adhesive layer is in the range of 20 to 200 μm, the thickness T3 of the insulating resin layer is in the range of 12 to 100 μm, and the total thickness of the thickness T2 of the adhesive layer and the thickness T3 of the insulating resin layer. A circuit board, wherein T1 is in the range of 50 to 250 μm, and the ratio of the thickness T2 of the adhesive layer to the total thickness T1 (T2/T1) is in the range of 0.5 to 0.8.
前記熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドであり、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上含有する請求項6に記載の回路基板。
The thermoplastic resin is an adhesive polyimide containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue,
The adhesive polyimide is derived from a dimer acid-type diamine obtained by substituting two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid with a primary aminomethyl group or an amino group with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residue. 7. The circuit board according to claim 6, which contains 50 mole parts or more of the diamine residue.
前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の全量100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有することを特徴とする請求項7に記載の回路基板。
Figure 0007229725000012
[一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。]
Figure 0007229725000013
[上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。]
The adhesive polyimide is a tetracarboxylic acid derived from a tetracarboxylic anhydride represented by the following general formula (1) and / or (2) with respect to 100 mol parts of the total amount of the tetracarboxylic acid residue 8. The circuit board according to claim 7, containing a total of 90 molar parts or more of residues.
Figure 0007229725000012
[In the general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in the general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring, It represents forming a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring and an 8-membered ring. ]
Figure 0007229725000013
[In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, where n is Indicates an integer from 1 to 20. ]
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量100モル部に対して、前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有し、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有する請求項7に記載の回路基板。
Figure 0007229725000014
[式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。]
The adhesive polyimide contains 50 mol parts or more and 99 mol parts or less of diamine residues derived from the dimer acid-type diamine with respect to the total amount of 100 mol parts of the diamine residues,
1 to 50 mol parts of a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7): 8. The circuit board according to 7.
Figure 0007229725000014
[In the formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO a divalent group selected from -, -SO-, -SO 2 -, -COO-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -NH- or -CONH-, n 1 is independent indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded. ]
複数の回路基板を積層した多層回路基板であって、
前記回路基板として、請求項6~9のいずれか1項に記載の回路基板を、少なくとも1つ以上含むことを特徴とする多層回路基板。
A multilayer circuit board in which a plurality of circuit boards are laminated,
A multilayer circuit board comprising at least one circuit board according to any one of claims 6 to 9 as the circuit board.
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