JP7228856B2 - 高パワーレーザシステムにおける熱インタフェース材料のポンピングの対処のためのシステム及び方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2018年10月15日に出願された、米国仮特許出願第62/745,622号に基づく利益及び優先権を主張し、その開示の全体は、参照によって本明細書に組み込まれる。
様々な実施の形態において、光ファイバは、単一のコアを囲む複数のクラッド層、1つのクラッド層内に複数の離散的なコア領域(または「コア」)、または複数のクラッド層に囲まれた複数のコアを有する。
Claims (26)
- レーザ装置であって、
ビーム発振器と、
(i)前記ビーム発振器の上に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している上側レーザクーラーと、(ii)前記ビーム発振器の下に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している下側レーザクーラーとを含むレーザパッケージと、
前記レーザパッケージの下に配置され、前記レーザパッケージから熱伝導により熱を逃がす冷却プレートと、
前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間に配置され、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間で電気伝導を抑制する第1バリア層と、
前記レーザパッケージと前記第1バリア層との間に配置される、第1熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記冷却プレートとの間に配置される、第2熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とを間に挟んで、前記レーザパッケージを前記冷却プレートに取り付け、前記ビーム発振器の動作から生じる熱サイクルに応じて前記レーザパッケージの運動を可能にする手段と、
を備え、
前記手段によって、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間のインタフェースから離れる前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料との運動が、減少され、
前記手段は、弾性部材を有し、
前記弾性部材は、少なくとも1つのバネを有し、
前記レーザパッケージと前記バネとの間に、前記レーザパッケージと前記バネとの間の電気伝導を防止する第2バリア層が配置され、
前記第1バリア層は、間に空いた隙間を有する複数の離散的部分を有し、
前記第1熱インタフェース材料及び前記第2熱インタフェース材料は、電気絶縁性固体フィルムまたはホイルから構成される、装置。 - 前記手段は、ファスナーをさらに有し、
前記ファスナーは、前記レーザパッケージを前記冷却プレートに取り付け、前記弾性部材を圧縮し、
前記弾性部材は、前記レーザパッケージの熱誘発膨張に応じて追加的に圧縮されるように構成される、請求項1に記載の装置。 - 前記ファスナーは、ネジを有する、請求項2に記載の装置。
- 前記ビーム発振器は、複数の離散的ビームを発振するように構成されるダイオードバーを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記上側レーザクーラーまたは前記下側レーザクーラーの少なくとも1つは、銅を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記冷却プレートは、アルミニウムを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1バリア層は、窒化アルミニウムを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記冷却プレート上に配置される第2レーザパッケージと、
前記第2レーザパッケージに前記レーザパッケージを電気的に接続するバスバーと、をさらに有する、請求項1に記載の装置。 - 前記ビーム発振器の直下における前記レーザパッケージの領域に近位に配置される前記離散的部分は、他の前記離散的部分より小さい、請求項1に記載の装置。
- 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは同一の材料を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは異なる材料を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記熱サイクルにおいて前記バネによって負荷される力は、常温において前記バネによって負荷される力の2倍以下である、請求項1に記載の装置。
- レーザ装置であって、
ビーム発振器と、
(i)前記ビーム発振器の上に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している上側レーザクーラーと、(ii)前記ビーム発振器の下に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している下側レーザクーラーとを含むレーザパッケージと、
前記レーザパッケージの下に配置され、前記レーザパッケージから熱伝導により熱を逃がす冷却プレートと、
前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間に配置され、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間で電気伝導を抑制する第1バリア層と、
(i)前記レーザパッケージと前記第1バリア層との間に配置され、または(ii)前記第1バリア層と前記冷却プレートとの間に配置される、熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記熱インタフェース材料とを間に挟んで、前記レーザパッケージを前記冷却プレートに取り付け、前記ビーム発振器の動作から生じる熱サイクルに応じて前記レーザパッケージの運動を可能にする手段と、
を備え、
前記手段によって、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間のインタフェースから離れる前記熱インタフェース材料との運動が、減少され、
前記手段は、少なくとも1つのバネを有し、
前記レーザパッケージと前記バネとの間に、前記レーザパッケージと前記バネとの間の電気伝導を防止する第2バリア層が配置され、
前記第1バリア層は、間に空いた隙間を有する複数の離散的部分を有し、
前記熱インタフェース材料は、電気絶縁性固体フィルムまたはホイルから構成される、装置。 - 前記熱サイクルにおいて前記バネによって負荷される力は、常温において前記バネによって負荷される力の2倍以下である、請求項13に記載の装置。
- レーザ装置であって、
ビーム発振器と、
(i)前記ビーム発振器の上に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している上側レーザクーラーと、(ii)前記ビーム発振器の下に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している下側レーザクーラーとを含むレーザパッケージと、
前記レーザパッケージの下に配置され、前記レーザパッケージから熱伝導により熱を逃がす冷却プレートと、
前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間に配置され、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間で電気伝導を抑制する第1バリア層と、
前記レーザパッケージと前記第1バリア層との間に配置される、第1熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記冷却プレートとの間に配置される、第2熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とを間に挟んで、前記レーザパッケージを前記冷却プレートに取り付け、前記ビーム発振器の動作から生じる熱サイクルに応じて前記レーザパッケージの運動を可能にするファスナーと、
を備え、
前記ファスナーによって、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間のインタフェースから離れる前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料との運動が、減少され、
前記ファスナーには、電気伝導を防止する第2バリア層が配置され、
前記第1バリア層は、間に空いた隙間を有する複数の離散的部分を有し、
前記第1熱インタフェース材料及び前記第2熱インタフェース材料は、電気絶縁性固体フィルムまたはホイルから構成される、装置。 - 前記ファスナーは、弾性部材を含み、または弾性部材と機械的に係合し、
前記ファスナーは、前記弾性部材を圧縮し、
前記弾性部材は、前記レーザパッケージの熱誘発膨張に応じて追加的に圧縮されるように構成される、請求項15に記載の装置。 - 前記弾性部材は、少なくとも1つのバネを有する、請求項16に記載の装置。
- 前記熱サイクルにおいて前記バネによって負荷される力は、常温において前記バネによって負荷される力の2倍以下である、請求項17に記載の装置。
- 前記ファスナーは、ネジを有する、請求項15に記載の装置。
- 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは同一の材料を有する、請求項15に記載の装置。
- 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは異なる材料を有する、請求項15に記載の装置。
- レーザ装置であって、
ビーム発振器と、
(i)前記ビーム発振器の上に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している上側レーザクーラーと、(ii)前記ビーム発振器の下に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している下側レーザクーラーとを含むレーザパッケージと、
前記レーザパッケージの下に配置され、前記レーザパッケージから熱伝導により熱を逃がす冷却プレートと、
前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間に配置され、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間で電気伝導を抑制する第1バリア層と、
(i)前記レーザパッケージと前記第1バリア層との間に配置され、または(ii)前記第1バリア層と前記冷却プレートとの間に配置される、熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記熱インタフェース材料とを間に挟んで、前記レーザパッケージを前記冷却プレートに取り付け、前記ビーム発振器の動作から生じる熱サイクルに応じて前記レーザパッケージの運動を可能にするファスナーと、
を備え、
前記ファスナーによって、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間のインタフェースから離れる前記熱インタフェース材料との運動が、減少され、
前記ファスナーには、電気伝導を防止する第2バリア層が配置され、
前記第1バリア層は、間に空いた隙間を有する複数の離散的部分を有し、
前記熱インタフェース材料は、電気絶縁性固体フィルムまたはホイルから構成される、装置。 - レーザ装置であって、
ビーム発振器と、
(i)前記ビーム発振器の上に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している上側レーザクーラーと、(ii)前記ビーム発振器の下に配置され、前記ビーム発振器に熱的に接触している下側レーザクーラーとを含むレーザパッケージと、
前記レーザパッケージの下に配置され、前記レーザパッケージから熱伝導により熱を逃がす冷却プレートと、
前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間に配置され、前記レーザパッケージと前記冷却プレートとの間で電気伝導を抑制する第1バリア層と、
前記レーザパッケージと前記第1バリア層との間に配置される、第1熱インタフェース材料と、
前記第1バリア層と前記冷却プレートとの間に配置される、第2熱インタフェース材料と、
を備え、
前記第1バリア層は、間に空いた隙間を有する複数の離散的部分を有し、
前記第1熱インタフェース材料及び前記第2熱インタフェース材料は、電気絶縁性固体フィルムまたはホイルから構成される、装置。 - 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは同一の材料を有する、請求項23に記載の装置。
- 前記第1熱インタフェース材料と前記第2熱インタフェース材料とは異なる材料を有する、請求項23に記載の装置。
- 前記ビーム発振器の直下における前記レーザパッケージの領域に近位に配置される前記離散的部分は、他の前記離散的部分より小さい、請求項23に記載の装置。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118825765A (zh) * | 2018-10-15 | 2024-10-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 用于解决高功率激光系统中热界面材料泵送的系统和方法 |
US11095084B1 (en) * | 2019-02-07 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Laser system with isolated optical cavity |
USD941894S1 (en) * | 2020-06-11 | 2022-01-25 | Panasonic intellectual property Management co., Ltd | Laser beam-combining engine with beam-shaping module |
USD941895S1 (en) * | 2020-06-11 | 2022-01-25 | Panasonic intellectual property Management co., Ltd | Laser beam-combining engine with fiber optic module |
CN115728936B (zh) * | 2022-11-30 | 2024-05-17 | 西安交通大学 | 基于电磁正应力驱动的二自由度偏摆调节机构及控制方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004186212A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sony Corp | 半導体レーザーアレイ装置 |
JP2006066664A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Toyota Motor Corp | 両面冷却面発光レーザ装置 |
JP2006324334A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Noritsu Koki Co Ltd | レーザ発光装置 |
WO2010134180A1 (ja) | 2009-05-21 | 2010-11-25 | トヨタ自動車株式会社 | 高熱伝導絶縁樹脂の接着方法 |
CN203774606U (zh) | 2014-04-08 | 2014-08-13 | 西安科技大学 | 具有圆棒状激光晶体装配压力调节功能的热沉装置 |
JP2014183213A (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 |
JP2014531750A (ja) | 2011-08-29 | 2014-11-27 | インテレクチュアル ライト インコーポレーテッドIntellectual Light, Inc. | 追従性の導電層を用いた半導体装置のための実装及び方法 |
WO2016103536A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
US20160218482A1 (en) | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Parviz Tayebati | Solder-creep management in high-power laser devices |
JP2016136604A (ja) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107863685A (zh) | 2017-11-29 | 2018-03-30 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种温度控制结构及激光器模块 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60219788A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レ−ザの取付装置 |
JPS61176992U (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-05 | ||
JPS61265887A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | 固体レ−ザ装置 |
JPH0421103U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-21 | ||
JPH04289715A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Toshiba Corp | 原子炉のmiケーブル取付け構造 |
JPH0613378U (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-18 | 神鋼電機株式会社 | 直流回転電機のブラシ取付位置調整機構 |
JPH0982859A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | ヒートシンク組立体 |
US5669432A (en) * | 1996-03-28 | 1997-09-23 | Nisenson; Jules | Automatic-locking mechanical drive construction |
JPH09293917A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH10163548A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Miyachi Technos Corp | 固体レーザ装置 |
US6208679B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-03-27 | Massachusetts Institute Of Technology | High-power multi-wavelength external cavity laser |
US6192062B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
JP3681581B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2005-08-10 | ファナック株式会社 | 冷却装置とそれを備えた面発光装置 |
DE60320613T2 (de) * | 2002-03-29 | 2009-06-10 | Panasonic Corp., Kadoma | Optische Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren, optisches Modul, und optisches Transmissionssystem |
US9166130B2 (en) * | 2012-10-24 | 2015-10-20 | Spectrasensors, Inc. | Solderless mounting for semiconductor lasers |
US7864825B2 (en) | 2006-08-10 | 2011-01-04 | Lasertel, Inc. | Method and system for a laser diode bar array assembly |
DE112011100812T5 (de) | 2010-03-05 | 2013-03-07 | TeraDiode, Inc. | System und Verfahren zur Wellenlängenstrahlkombination |
JP5832455B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-12-16 | テラダイオード, インコーポレーテッド | 選択的再配置および回転波長ビーム結合システムならびに方法 |
US8670180B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-03-11 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining laser with multiple outputs |
US20120328392A1 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Agostino Difante | Toggle bolt fastener and method of operation |
GB2495774A (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | Barco Nv | Laser diode grid element comprised of standard laser diodes on a heat exchange plate and PCB |
US9746679B2 (en) | 2012-02-22 | 2017-08-29 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining laser systems utilizing lens roll for chief ray focusing |
DE102014000510B4 (de) | 2014-01-20 | 2018-10-25 | Jenoptik Laser Gmbh | Halbleiterlaser mit anisotroper Wärmeableitung |
US9843164B2 (en) | 2015-01-27 | 2017-12-12 | TeraDiode, Inc. | Solder sealing in high-power laser devices |
US10043730B2 (en) | 2015-09-28 | 2018-08-07 | Xilinx, Inc. | Stacked silicon package assembly having an enhanced lid |
CN108604768B (zh) * | 2016-04-19 | 2020-03-24 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体激光器装置及其制造方法 |
CN107853685A (zh) | 2017-11-29 | 2018-03-30 | 湖北龙之泉农业发展股份有限公司 | 粉条加工的漏粉装置及方法 |
CN118825765A (zh) * | 2018-10-15 | 2024-10-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 用于解决高功率激光系统中热界面材料泵送的系统和方法 |
-
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-
2023
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004186212A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sony Corp | 半導体レーザーアレイ装置 |
JP2006066664A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Toyota Motor Corp | 両面冷却面発光レーザ装置 |
JP2006324334A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Noritsu Koki Co Ltd | レーザ発光装置 |
WO2010134180A1 (ja) | 2009-05-21 | 2010-11-25 | トヨタ自動車株式会社 | 高熱伝導絶縁樹脂の接着方法 |
JP2014531750A (ja) | 2011-08-29 | 2014-11-27 | インテレクチュアル ライト インコーポレーテッドIntellectual Light, Inc. | 追従性の導電層を用いた半導体装置のための実装及び方法 |
JP2014183213A (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Toshiba Corp | 半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 |
CN203774606U (zh) | 2014-04-08 | 2014-08-13 | 西安科技大学 | 具有圆棒状激光晶体装配压力调节功能的热沉装置 |
WO2016103536A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP2016136604A (ja) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US20160218482A1 (en) | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Parviz Tayebati | Solder-creep management in high-power laser devices |
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