JP7278526B2 - 単結晶x線構造解析システム - Google Patents
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Description
照射されるX線に対する対象材料によるX線の回折や散乱によって得られる観測空間上のXRDSパターン又はイメージは、対象材料の実空間における電子密度分布の情報を反映している。しかしながら、XRDSパターンは、rとθの2次元空間であり、3次元空間である対象材料の実空間における対称性を直接的に表現するものではない。そのため、一般的に、現存のXRDSイメージだけでは、材料を構成する原子や分子の(空間)配列を特定することは困難であり、X線構造解析の専門知識を必要とする。そのため、本実施例では、上述した測定用アプリケーションソフトを採用して自動化を図っている。このようにして、単結晶X線構造解析装置1は、X線検出測定部により、測定装置102を用いた測定処理の動作を制御するとともに、試料により回折又は散乱されたX線を検出することで得られた測定データを含めた各種の測定結果を受け取り、管理する。また、構造解析部により、試料により回折又は散乱されたX線を検出することで得られた測定データを含めた各種の測定結果に基づいて試料の構造解析を行なう。
上述したように、内部に直径0.5nmから1nmの細孔が無数に開いた、寸法が数10μm~数100μm程度の極微小で脆弱(fragile)な細孔性錯体結晶である「結晶スポンジ」と呼ばれる材料の開発によって、単結晶X線構造解析は、結晶化しない液体状化合物や、或いは、結晶化を行うに足る量が確保できない数ng~数μgの極微量の試料なども含め、広く適用することが可能となっている。
図8は、上述した試料ホルダ250の断面を示している。試料ホルダ250は、ゴニオメータ12の先端部のゴニオヘッド121(図7(A)参照)に取り付けられる金属等からなる円盤状又は円錐状のホルダの基台部251には、ピン(円柱)状の試料保持部(以下、単に保持部ともいう)252(所謂、ゴニオヘッドピンに対応する)が、その一方の面(図では下面)の中央部に植立されており、かつ、このピン状の保持部252の先端の所定の位置には、上述した解析すべき試料を吸蔵するための結晶スポンジ200が、予め試料ホルダ250と一体に取り付けて固定されている。また、円盤状の基台部251の他の面(図では上面)には、図示しないマグネット等の位置決め機構等が設けられている。この位置決め機構により試料ホルダ250は、ゴニオメータ12の先端部に着脱自在に取り付けられる。
上述した結晶スポンジに吸蔵される試料の分離/抽出は、前処理装置400により行われる。この前処理装置400は、より具体的には、図11にも示すように、例えば、LC(液体クロマトグラフィ)401、GC(気体クロマトグラフィ)402、更には、SCF(超臨界流体クロマトグラフィ)403やCE(電気泳動装置)404等を含んで構成されており、これらの装置は、解析すべき試料の種類によって、適宜、選択されて使用される。例えば、タンパク質などはLC401によって抽出され、それによって得られた極微量な液状の試料は選択弁405を介して、外部の装置へ供給される。なお、ここでの電気泳動装置は、キャピラリー電気泳動や等電点電気泳動等、種々の電気泳動装置を含む。
この吸蔵装置(ソーキングマシン)500は、上述した単結晶X線構造解析装置1と共に本発明の単結晶X線構造解析システムを構成しており、当該装置の外部において上記の前処理で得られた極微量な試料を、当該得られた試料の種類や状態に適合した状態(圧力や流量)で、試料ホルダ250やアプリケータ300の一部(例えば、図8の一対の貫通した細孔253、図9の一対の貫通した細孔303を参照)を介して流入させ、試料の結晶スポンジへの吸蔵を行なうための装置である。即ち、吸蔵装置500は、単結晶X線構造解析装置1を構成するものではないが、それを利用することにより、確実に、極微量な試料を、必要な量だけ結晶スポンジ200に導入して、必要な試料の吸蔵を行うことを可能とするものである。
続いて、本発明の単結晶X線構造解析システムを構成する上述した単結晶X線構造解析装置1において、試料ホルダ250と共に、やはり当該システムを構成する吸蔵装置(ソーキングマシン)500を用いることによって実行される単結晶X線構造解析方法について、以下に説明する。
Claims (3)
- 物質の構造解析を行う単結晶X線構造解析システムであって、
吸蔵装置と、単結晶X線構造解析装置と、を備え、
前記単結晶X線構造解析装置は、
X線を発生するX線源と、
試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを取り付けて回動するゴニオメータと、
前記ゴニオメータに取り付けられた前記試料ホルダに保持された前記試料に対して前記X線源からのX線を照射するX線照射部と、
前記試料により回折又は散乱されたX線を検出して測定するX線検出測定部と、
前記X線検出測定部に検出された回折又は散乱X線に基づいて前記試料の構造解析を行なう構造解析部と、を備え、
前記試料ホルダは、内部に形成された複数の微細孔に前記試料を吸蔵可能な細孔性錯体結晶を含み、
前記吸蔵装置は、前記試料を、前記試料ホルダの細孔性錯体結晶に吸蔵させる制御部を備え、
前記制御部は、前記試料を、流路の圧力の調整によって、前記試料ホルダの細孔性錯体結晶に吸蔵させることを特徴とする単結晶X線構造解析システム。 - 物質の構造解析を行う単結晶X線構造解析システムであって、
吸蔵装置と、単結晶X線構造解析装置と、を備え、
前記単結晶X線構造解析装置は、
X線を発生するX線源と、
試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを取り付けて回動するゴニオメータと、
前記ゴニオメータに取り付けられた前記試料ホルダに保持された前記試料に対して前記X線源からのX線を照射するX線照射部と、
前記試料により回折又は散乱されたX線を検出して測定するX線検出測定部と、
前記X線検出測定部に検出された回折又は散乱X線に基づいて前記試料の構造解析を行なう構造解析部と、を備え、
前記試料ホルダは、内部に形成された複数の微細孔に前記試料を吸蔵可能な細孔性錯体結晶を含み、
前記吸蔵装置は、前記試料を、前記試料ホルダの細孔性錯体結晶に吸蔵させる制御部を備え、
前記制御部は、前記試料を、流路の流量の調整によって、前記試料ホルダの細孔性錯体結晶に吸蔵させることを特徴とする単結晶X線構造解析システム。 - 請求項1または請求項2に記載の単結晶X線構造解析システムにおいて、
前記単結晶X線構造解析システムは、更に、前処理装置を備え、
前記前処理装置は、液体クロマトグラフィ、気体クロマトグラフィ、超臨界流体クロマトグラフィ、電気泳動装置の少なくとも1つを含み、
前記制御部は、前記前処理装置により供給される前記試料を、前記試料ホルダの細孔性錯体結晶に選択的に導入して吸蔵させることを特徴とする単結晶X線構造解析システム。
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