JP7275951B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、さらに詳しくは、セラミック積層体の端面を覆うように導体層が形成されるとともに、導体層を覆うように絶縁層が形成された積層セラミックコンデンサに関する。

特許文献１（特開２０１７-１７５０３７号公報）に、セラミック積層体の端面を覆うように導体層が形成されるとともに、導体層を覆うように絶縁層が形成された積層セラミックコンデンサが開示されている。特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサは、内部電極が引出されたセラミック積層体の端面を導体層と絶縁層との２層で覆うことにより、耐湿性の向上をはかっている。図１１に、特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサ１０００を示す。ただし、図１１は、積層セラミックコンデンサ１０００の断面図である。

積層セラミックコンデンサ１０００は、複数のセラミック層１０１と複数の内部電極１０２とが積層されたセラミック積層体１０３を備えている。セラミック積層体１０３の一方の端面に一部の内部電極１０２が引出され、セラミック積層体１０３の他方の端面に残りの内部電極１０２が引出されている。

セラミック積層体１０３の両方の端面に、それぞれ、端面を覆うように導体層１０４が形成されている。導体層１０４は、内部電極１０２と電気的に接続されている。

導体層１０４を覆うように、絶縁層１０５が形成されている。

セラミック積層体１０３の少なくとも一方の主面上に、１対の外部電極１０６が形成されている。外部電極１０６は、導体層１０４と電気的に接続されている。

特開２０１７-１７５０３７号公報

積層セラミックコンデンサ１０００には、セラミック積層体１０３と導体層１０４との接合強度が十分でなく、導体層１０４がセラミック積層体１０３から剥離する場合があるという問題があった。

この課題を解決する方法として、導体層１０４にセラミックの共材を入れる方法がある。たとえば、セラミック積層体１０３を作製するのに使用したセラミック材料を、導体層１０４を形成するための導電性ペーストに含ませることによって、セラミック積層体１０３と導体層１０４との接合強度を向上させることができ、セラミック積層体１０３から導体層１０４が剥離するのを抑制することができる。しかしながら、導体層１０４にセラミックの共材を多く入れると、セラミックの共材が内部電極１０２と導体層１０４との電気的な接続を妨害し、内部電極１０２と導体層１０４との接続の信頼性が低下するという別の問題が発生する虞があった。

また、積層セラミックコンデンサ１０００には、導体層１０４と外部電極１０６との電気的な接続の信頼性が十分でないという問題があった。すなわち、導体層１０４と外部電極１０６とは、導体層１０４の端面と外部電極１０６とが線状に接続されているだけであり、電気的な接続の信頼性が十分でないという問題があった。

本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層され、高さ方向において相対する１対の主面と、高さ方向に直行する幅方向において相対する１対の側面と、高さ方向および幅方向の両方に直行する長さ方向において相対する１対の端面とを有するセラミック積層体と、セラミック積層体の端面を覆うように形成され、内部電極と電気的に接続された導体層と、導体層を覆うように形成された絶縁層と、導体層と電気的に接続された外部電極と、を備え、導体層が、セラミック積層体の主面の一部にまで延びて形成され、導体層が、セラミック積層体の側面には延びて形成されず、外部電極が、絶縁層と、両方の主面の一部と、両方の側面の一部とを覆うように形成されたものとする。

本発明の積層セラミックコンデンサは、導体層がセラミック積層体の主面の一部にまで延びて形成されているため、セラミック積層体と導体層との接合強度が高い。

また、本発明の積層セラミックコンデンサは、導体層のセラミック積層体の主面にまで延びた部分と、外部電極とを、面によって電気的に接続することが可能であるため、導体層と外部電極との電気的な接続の信頼性が高い。

図１（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。 積層セラミックコンデンサ１００の断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施する工程を示す要部断面図である。 図６（Ｃ）、（Ｄ）は、図５（Ｂ）の続きであり、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施する工程を示す要部断面図である。 図７（Ｅ）、（Ｆ）は、図６（Ｄ）の続きであり、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施する工程を示す要部断面図である。 図８（Ｇ）は、図７（Ｆ）の続きであり、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施する工程を示す要部断面図である。 第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。 積層セラミックコンデンサ２００の断面図である。 特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサ１０００の断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）、図２、図３、図４に、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、上側（天面側）から見た積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、下側（実装面側）から見た積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の断面図であり、図１（Ａ）の一点鎖線矢印で示すＸ-Ｘ部分を示している。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。図４は、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。

なお、図面には、積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔ、幅方向Ｗ、長さ方向Ｌを示している場合があり、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。

積層セラミックコンデンサ１００は、複数のセラミック層１と、複数の第１内部電極２と、複数の第２内部電極３とが積層された、セラミック積層体４を備えている。セラミック積層体４は、直方体形状からなり、高さ方向Ｔにおいて相対する第１主面４Ａおよび第２主面４Ｂと、高さ方向Ｔに直行する幅方向Ｗにおいて相対する第１側面４Ｃおよび第２側面４Ｄと、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの両方に直行する長さ方向Ｌにおいて相対する第１端面４Ｅおよび第２端面４Ｆとを有している。

セラミック積層体４（セラミック層１）の材質は任意であり、たとえば、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体セラミックを使用することができる。ただし、ＢａＴｉＯ_３に代えて、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３など、他の材質を主成分とする誘電体セラミックを使用してもよい。セラミック層１の厚みは任意であるが、たとえば、０．３以上、２．０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１内部電極２が、セラミック積層体４の第１端面４Ｅに引出されている。第２内部電極３が、セラミック積層体４の第２端面４Ｆに引出されている。なお、本実施形態においては、第１内部電極２、第２内部電極３は、それぞれ、側部がセラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄから露出している。これは、本実施形態においては、セラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄに、それぞれ、後述する側面絶縁層７を形成するため、絶縁を考慮する必要がないからである。ただし、第１内部電極２、第２内部電極３は、側部がセラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄから露出しないものであってもよい。

本実施形態においては、第１内部電極２、第２内部電極３の主成分にＮｉを使用した。ただし、第１内部電極２、第２内部電極３の主成分は任意であり、Ｎｉに代えて、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＰｄ、Ａｇ、Ｃｕなどは、他の金属との合金であってもよい。第１内部電極２、第２内部電極３の厚みは任意であるが、たとえば、１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。

セラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆに、それぞれ、導体層５が形成されている。導体層５は、第１内部電極２または第２内部電極３と、電気的に接続されている。

導体層５は、セラミック積層体４の第１主面４Ａに延びた部分５ａと、第２主面４Ｂに延びた部分５ｂとを有している。延びた部分５ａおよび５ｂを有することにより、セラミック積層体４に対する導体層５の接合強度が良好に向上するからである。延びた部分５ａ、５ｂの長さは、長さ方向Ｌにおいて、２μｍ以上であることが好ましい。延びた部分５ａ、５ｂの長さが２μｍ以上であれば、セラミック積層体４に対する導体層５の接合強度がより向上するからである。

また、導体層５は、セラミック積層体４の第１主面４Ａに延びた部分５ａと、第２主面４Ｂに延びた部分５ｂとを有していることにより、導体層５と、後述する外部電極８との電気的な接続の信頼性が良好に向上する。

本実施形態においては、導体層５の主成分にＮｉを使用した。本実施形態においては、上述したように、第１内部電極２、第２内部電極３の主成分にもＮｉを使用しているため、導体層５と、第１内部電極２、第２内部電極３との電気的な接続が良好である。ただし、導体層５の主成分は任意であり、Ｎｉに代えて、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＰｄ、Ａｇ、Ｃｕなどは、他の金属との合金であってもよい。第１内部電極２、第２内部電極３の主成分がＮｉ以外の場合であれば、導体層５の主成分も、第１内部電極２、第２内部電極３の主成分と同じであることが好ましい。

導体層５の厚みは任意であるが、セラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆの中央部分において、たとえば、３μｍ以上、１０μｍ以下程度であることが好ましい。３μｍ以上であると、導体層５と、第１内部電極２、第２内部電極３との電気的な接続の信頼性を、十分に得ることができる。１０μｍ以下であると、積層セラミックコンデンサ１００の寸法を小さくすることができるからである。また、積層セラミックコンデンサ１００の寸法が同じであるならば、第１内部電極２、第２内部電極３の平面方向の寸法を大きくすることができ、静電容量を大きくすることができるからである。

導体層５が、セラミックを含有することも好ましい。この場合には、導体層５とセラミック積層体４との接合強度が向上するからである。また、含有されるセラミックは、セラミック積層体４（セラミック層１）の主成分と同じであることが好ましい。導体層５とセラミック積層体４との接合強度がより向上するからである。

導体層５がセラミックを含有する場合、含有量は２０ｗｔ％以下であることが好ましい。セラミックの含有量が２０ｗｔ％以下であると、導体層５と、第１内部電極２または第２内部電極３との電気的な接続を良好に維持することができるからである。また、セラミックの含有量が２０ｗｔ％以下であると、導体層５のセラミック積層体４の第１主面４Ａ延びた部分５ａと、第２主面４Ｂに延びた部分５ｂとを、良好に形成することができるからである。なお、導体層５のセラミックの含有量を２０ｗｔ％以下にしたうえで、第１内部電極２、第２内部電極３の厚みを１μｍ以下とすることも好ましい。導体層５のセラミックの含有量が２０ｗｔ％以下であれば、第１内部電極２、第２内部電極３の厚みを１μｍ以下にしても、第１内部電極２または第２内部電極３と、導体層５との電気的な接続を良好に維持することができるからである。

導体層５を覆うように、絶縁層６が形成されている。本実施形態においては、絶縁層６の材質に、セラミック積層体４（セラミック層１）と同じものを使用した。ただし、絶縁層６の材質は任意であり、セラミック積層体４と異なるものを使用してもよい。

絶縁層６の厚みは任意であるが、たとえば、５μｍ以上、３０μｍ以下程度であることが好ましい。５μｍ以上であれば、導体層５を絶縁し、保護する機能を十分に果たすことができるからである。３０μｍ以下であると、積層セラミックコンデンサ１００の寸法を小さくすることができるからである。また、積層セラミックコンデンサ１００の寸法が同じであるならば、第１内部電極２、第２内部電極３の平面方向の寸法を大きくすることができ、静電容量を大きくすることができるからである。

セラミック積層体４の第１側面４Ｃおよび第２側面４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７が形成されている。側面絶縁層７は、セラミック積層体４の第１側面４Ｃおよび第２側面４Ｄから露出した第１内部電極２および第２内部電極３の側部を、絶縁する役割を果たしている。積層セラミックコンデンサ１００は、側面絶縁層７を備えているため、第１内部電極２および第２内部電極３の幅方向Ｗの寸法を大きくすることができ、大容量化することができる。

本実施形態においては、側面絶縁層７の材質に、セラミック積層体４（セラミック層１）と同じものを使用した。そのため、側面絶縁層７は、セラミック積層体４に、高い接合強度で接合されている。ただし、側面絶縁層７の材質は任意であり、セラミック積層体４と異なるものを使用してもよい。

本実施形態においては、セラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆに、それぞれ、導体層５および絶縁層６を形成してから、セラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７を形成している。しかしながら、この順番を入れ替えて、セラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７を形成してから、セラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆに、それぞれ、導体層５および絶縁層６を形成するようにしてもよい。

セラミック積層体４の第１主面４Ａに、１対の外部電極８が形成されている。本実施形態においては、外部電極８は、高さ方向Ｔからみて略矩形状である。１対の外部電極８は、相互に間隔を空けて、セラミック積層体４の第１主面４Ａの両端部に形成されている。

本実施形態においては、外部電極８は、Ｃｕを主成分とする下地外部電極層９と、Ｎｉを主成分とする第１めっき層１０と、Ｓｎを主成分とする第２めっき層１１との３層構造に形成されている。下地外部電極層９は、ガラスを含有している。

しかしながら、外部電極８の構造や材質は任意であり、上記の内容には限られない。すなわち、外部電極８の層数は３層には限られず、各層の材質は自由に変更することができる。たとえば、下地外部電極層９は、Ｃｕに代えて、Ａｇ、Ｎｉなど、他の金属を使用してもよい。また、ＣｕやＡｇ、Ｎｉなどは、他の金属との合金であってもよい。また、下地外部電極層９は、ガラスを含有していなくてもよい。

外部電極８は、セラミック積層体４の第１端面４Ｅまたは第２端面４Ｆに形成された導体層５と電気的に接続されている。外部電極８は、セラミック積層体４の第１主面４Ａにおいて、導体層５の第１主面４Ａに延びた部分５ａと、面によって接続されている。したがって、外部電極８とセラミック積層体４との電気的な接続の信頼性は高い。

なお、本実施形態においては、１対の外部電極８をセラミック積層体４の第１主面４Ａに形成したが、さらに１対の外部電極を、セラミック積層体４の第２主面４Ｂに追加して形成してもよい。そして、追加した１対の外部電極を、それぞれ、導体層５の第２主面１Ｂに延びた部分５ａに接続してもよい。この場合には、セラミック積層体４の第１主面４Ａだけではなく、第２主面１Ｂも、積層セラミックコンデンサ１００の実装面として使用することができる。なお、セラミック積層体４の第２主面４Ｂに外部電極を追加で形成しない場合には、セラミック積層体４の第２主面４Ｂに延びた部分５ａを絶縁物で覆うなどして、絶縁処理を施してもよい。

以上のように、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、導体層５が、セラミック積層体４の第１主面４Ａ延びた部分５ａと、第２主面４Ｂに延びた部分５ｂとを有しているため、セラミック積層体４と導体層５との接合強度が高い。すなわち、特許文献１に開示された従来の積層セラミックコンデンサ１０００のように、セラミック積層体１０３の端面のみに導体層１０４が形成された構造では、導体層１０４にセラミック積層体１０３の端面から離れる方向に応力が加わると、たとえ小さな応力であっても、導体層１０４がセラミック積層体１０３の端面から容易に剥離してしまう虞があった。これに対し、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、導体層５にセラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆから離れる方向（長さ方向Ｌ）に応力が加わっても、導体層５のセラミック積層体４の第１主面４Ａに延びた部分５ａおよび第２主面４Ｂに延びた部分５ｂが剥離を抑止するため、導体層５がセラミック積層体４の第１端面４Ｅ、第２端面４Ｆから容易に剥離することはない。このように、積層セラミックコンデンサ１００は、導体層５の第１主面４Ａ延びた部分５ａおよび第２主面４Ｂに延びた部分５ｂの接合力によって、導体層５がセラミック積層体４から剥離することが抑制されている。

また、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、導体層５の第１主面４Ａ延びた部分５ａと、外部電極８とが、面によって接続されているため、導体層５と外部電極８との電気的な接続の信頼性が高い。

また、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、第１内部電極２が引出されたセラミック積層体４の第１端面４Ｅ、および、第２内部電極３が引出されたセラミック積層体４の第２端面４Ｆが、それぞれ、導体層５が絶縁層６によって覆われているため、耐湿性が高い。

また、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、セラミック積層体４の第１端面４Ｅと第２端面４Ｆにそれぞれ絶縁層６が形成され、セラミック積層体４の第１側面４Ｃと第２側面４Ｄにそれぞれ側面絶縁層７が形成されており、セラミック積層体４の第１主面に形成された外部電極８のみによって回路基板などの電極に接合されるため、他の電子部品と近接させて実装することが可能である。

（積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例）
第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、たとえば、次の方法で製造することができる。図５（Ａ）～図８（Ｇ）を参照して説明する。ただし、図５（Ａ）～図８（Ｇ）は、それぞれ、本実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す要部断面図である。なお、図５（Ａ）～図８（Ｇ）においては、図１（Ｂ）と同じように、積層セラミックコンデンサ１００の第１主面４Ａを上側、第２主面４Ｂを下側にして示している。

まず、図示しないが、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートは、セラミック積層体４のセラミック層１や、絶縁層６、側面絶縁層７を作製するために使用する。

具体的には、まず、誘電体セラミックスの粉末、バインダ樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。

次に、キャリアフィルム上に、セラミックスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。

次に、セラミック層１を作製するためのセラミックグリーンシートの所定のものの主面に、第１内部電極２、第２内部電極３を形成するために、予め用意した導電性ペーストを所望のパターン形状に印刷する。ただし、保護層となるセラミックグリーンシートには、導電性ペーストは印刷しない。なお、本実施形態においては、上述したように、第１内部電極２、第２内部電極３がＮｉを主成分としているため、ここで使用する導電性ペーストにはＮｉを含有したものを使用する。

次に、図５（Ａ）に示すように、未焼成のセラミック積層体５４を作製する。未焼成のセラミック積層体５４は、セラミック層１を形成するためのセラミックグリーンシート５１と、第１内部電極２を形成するための導電性ペースト５２と、第２内部電極３を形成するための導電性ペースト５３とが積層され、加熱圧着されて、一体化されたものからなる。未焼成のセラミック積層体５４は、第１主面５４Ａと、第２主面５４Ｂと、第１側面５４Ｃと、第２側面５４Ｄと、第１端面５４Ｅと、第２端面５４Ｆとを備えた直方体形状からなる。ただし、図５（Ａ）～図６（Ｃ）においては、これらの面のうち、第１主面５４Ａおよび第１端面５４Ｅのみが現れている。

次に、図示しないが、絶縁層６を形成するためのセラミックグリーンシートの一方の主面に、導体層５を形成するための導電性ペーストを塗布する。なお、本実施形態においては、上述したように、導体層５がＮｉを主成分としているため、ここで使用する導電性ペーストにはＮｉを含有したものを使用する。なお、導電性ペーストの塗布の方法は任意であるが、たとえば、スクリーン印刷や、ローラー塗布などの方法によることができる。

次に、図５（Ｂ）に示すように、未焼成のセラミック積層体５４の第１端面５４Ｅに、導電性ペースト５５が塗布されたセラミックグリーンシート５６を貼付する。具体的には、セラミックグリーンシート５６に塗布された導電性ペースト５５の上に、未焼成のセラミック積層体５４の第１端面５４Ｅを当接させたうえで、セラミックグリーンシート５６を打ち抜くことによって、未焼成のセラミック積層体５４の第１端面５４Ｅに、導電性ペースト５５が塗布されたセラミックグリーンシート５６を貼付する。また、図示しないが、未焼成のセラミック積層体５４の第２端面５４Ｆにも、同様の方法で、導電性ペースト５５が塗布されたセラミックグリーンシート５６を貼付する。

次に、図示しないが、未焼成のセラミック積層体５４の第１側面５４Ｃおよび第２側面５４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７を形成するためのセラミックグリーンシート５７を貼付する。具体的には、側面絶縁層７を形成するためのセラミックグリーンシート５７の一方の主面上に、未焼成のセラミック積層体５４の第１側面５４Ｃまたは第２側面５４Ｄを当接させたうえで、セラミックグリーンシート５７を打ち抜くことによって、未焼成のセラミック積層体５４の第１側面５４Ｃおよび第２側面５４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７を形成するためのセラミックグリーンシート５７を貼付する。

次に、未焼成のセラミック積層体５４にバレル処理を施し、図６（Ｃ）に示すように、導体層５を形成するための導電性ペースト５５を延ばし、未焼成のセラミック積層体５４の第１主面５４Ａ上に、導電性ペースト５５の延びた部分５５ａを形成する。図示しないが、未焼成のセラミック積層体５４の第２主面５４Ｂ上にも、導電性ペースト５５の延びた部分５５ｂが形成される。

次に、未焼成のセラミック積層体５４を所定のプロファイルで焼成して、図６（Ｄ）に示すセラミック積層体４を作製する。焼成に先立ち、脱バインダ処理を施し、未焼成のセラミック積層体５４に含まれるバインダ樹脂を消失あるいは減少させることも好ましい。未焼成のセラミック積層体５４を焼成してセラミック積層体４を作製することにより、セラミックグリーンシート５１が焼成されてセラミック層１になり、導電性ペースト５２が焼成されて第１内部電極２になり、導電性ペースト５３が焼成されて第２内部電極３になり、導電性ペースト５５が焼成されて導体層５になり、セラミックグリーンシート５６が焼成されて絶縁層６になり、セラミックグリーンシート５７が焼成されて側面絶縁層７になる。また、導電性ペースト５５の第１主面５４Ａ上に延びていた部分５５ａが部分５ａになり、導電性ペースト５５の第２主面５４Ｂ上に延びていた部分５５ｂが部分５ｂになる。

次に、図７（Ｅ）に示すように、セラミック積層体４の第１主面４Ａに、外部電極８の一部である下地外部電極層９を形成する。具体的には、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、セラミック積層体４の第１主面４Ａに下地外部電極層９を形成する。導電性ペーストの塗布の方法は任意であるが、たとえば、スクリーン印刷や、ローラー塗布などの方法によることができる。

下地外部電極層９は、導体層５のセラミック積層体４の第１主面４Ａに延びた部分５ａと、面によって電気的に接続される。したがって、導体層５と下地外部電極層９との電気的な接続の信頼性は高い。

なお、本実施形態においては、上述したように、下地外部電極層９がＣｕを主成分としているため、ここで使用する導電性ペーストにはＣｕを含有したものを使用する。また、下地外部電極層９とセラミック積層体４との接合強度を向上させるために、導電性ペーストにガラスが含有されていてもよい。

次に、図７（Ｆ）に示すように、電解めっきにより、下地外部電極層９の表面に、Ｎｉを主成分とする第１めっき層１０を形成する。

次に、図８（Ｇ）に示すように、電解めっきにより、第１めっき層１０の表面に、Ｓｎを主成分とする第２めっき層１１を形成する。以上により、下地外部電極層９、第１めっき層１０、第２めっき層１１の３層からなる外部電極８が形成され、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００が完成する。

第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、下記のように、構成の一部に変更を加えた変形例として作製することも可能である。

（第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の変形例１）
積層セラミックコンデンサ１００は、外部電極８の下地外部電極層９が、セラミック積層体４の第１主面４Ａに導電性ペーストを塗布し、焼付けて形成したものであった。変形例１では、これを変更し、外部電極の下地電極層を、セラミック積層体４の第１主面４Ａに、Ｃｕをスパッタリングすることによって形成する。

なお、変形例１においても、Ｃｕをスパッタリングすることによって形成した下地電極層の上に、Ｎｉを主成分とする第１めっき層１０を形成し、第１めっき層１０の上に、Ｓｎを主成分とする第２めっき層１１を形成し、３層構造からなる外部電極とする。

（第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の変形例２）
変形例２は、変形例１をさらに変更する。具体的には、変形例１では、外部電極を、Ｃｕをスパッタリングすることによって形成した下地電極層と、Ｎｉを主成分とする第１めっき層１０と、Ｓｎを主成分とする第２めっき層１１との３層構造に構成した。変形例２は、これを更に変更し、第１めっき層１０を、Ｎｉをスパッタリングすることによって形成した第２層に置き換え、第２めっき層１１を、Ｓｎをスパッタリングすることによって形成した第３層に置き換える。

すなわち、変形例２は、外部電極を、Ｃｕをスパッタリングすることによって形成した第１層（下地電極層）と、Ｎｉをスパッタリングすることによって形成した第２層と、Ｓｎをスパッタリングすることによって形成した第３層との３層構造に構成する。

［第２実施形態］
図９、図１０に、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す。ただし、図９は、上側（天面側）から見た積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。図１０は、積層セラミックコンデンサ２００の断面図であり、図９の一点鎖線矢印で示すＹ-Ｙ部分を示している。

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００は、外部電極８が、高さ方向Ｔからみて矩形状であり、セラミック積層体４の第１主面４Ａに形成されていた。積層セラミックコンデンサ２００は、これを変更し、外部電極２８を、セラミック積層体４の第１端面４Ｅおよび第２端面４Ｆに、それぞれ、キャップ状に形成する。

より具体的には、一方の外部電極２８は、セラミック積層体４の第１端面４Ｅに形成された絶縁層６の上に形成され、一方の外部電極２８の縁部が、セラミック積層体４の第１主面４Ａ、第２主面４Ｂ、第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄの一部に延びることにより、キャップ状に形成されている。他方の外部電極２８は、セラミック積層体４の第２端面４Ｆに形成された絶縁層６の上に形成され、他方の外部電極２８の縁部が、セラミック積層体４の第１主面４Ａ、第２主面４Ｂ、第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄの一部に延びることにより、キャップ状に形成されている。

なお、外部電極２８も、積層セラミックコンデンサ１００の外部電極８と同様に、Ｃｕを主成分とする下地外部電極層２９と、Ｎｉを主成分とする第１めっき層３０と、Ｓｎを主成分とする第２めっき層３１との３層構造に形成されている。そして、下地外部電極層２９が、導体層５の第１主面４Ａに延びた部分５ａ、および、導体層５の第２主面４Ｂに延びた部分５ｂと、それぞれ、面によって電気的に接続されている。

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、導体層５が、セラミック積層体４の第１主面４Ａ延びた部分５ａと、第２主面４Ｂに延びた部分５ｂとを有しているため、セラミック積層体４と導体層５との接合強度が高い。

また、積層セラミックコンデンサ２００は、外部電極２８が導体層５と、導体層５の第１主面４Ａに延びた部分５ａ、および、導体層５の第２主面４Ｂに延びた部分５ｂの２カ所において、それそれ、面によって電気的に接続されているため、外部電極２８と導体層５との電気的な接続の信頼性が高い。

また、積層セラミックコンデンサ２００は、第１内部電極２が引出されたセラミック積層体４の第１端面４Ｅ、および、第２内部電極３が引出されたセラミック積層体４の第２端面４Ｆを覆う導体層５が、絶縁層６によって覆われているため、耐湿性が高い。

以上、第１実施形態、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００、２００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

たとえば、積層セラミックコンデンサ１００では、外部電極８をセラミック積層体４の第１主面４Ａに形成していたが、これに加えて、セラミック積層体４の第２主面４Ｂにも外部電極８を形成するようにしてもよい。この場合には、セラミック積層体４の第１主面４Ａだけではなく、第２主面１Ｂも、積層セラミックコンデンサ１００の実装面として使用することができる。

また、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例では、セラミック積層体４の第１端面４Ｅおよび第２端面４Ｆに、それぞれ、導体層５および絶縁層６を形成するために、一方の主面に導電性ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを貼付した。しかしながら、導体層５および絶縁層６の形成方法は任意であり、上記の方法に代えて、未焼成のセラミック積層体５４の第１端面５４Ｅおよび第２端面５４Ｆに、それぞれ、導電性シートを貼付し、さらにその導電性シートの上に、セラミックグリーンシートを貼付するようにしてもよい。なお、導電性シートとは、たとえば、金属粉末（Ｎｉ粉末など）、バインダ樹脂、溶剤などを湿式混合して作製したスラリーを、基体（キャリアフィルムなど）の上に塗布し、乾燥させたものである。

また、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例では、導体層５を形成するための導電性ペースト５５を延ばして、未焼成のセラミック積層体５４の第１主面５４Ａ上に導電性ペースト５５の延びた部分５５ａを形成し、第２主面５４Ｂ上に導電性ペースト５５の延びた部分５５ｂを形成するために、未焼成のセラミック積層体５４にバレル処理を施した。しかしながら、部分５５ａ、５５ｂを形成する方法はバレル処理には限られず、セラミック積層体５４の第１端面４Ｅおよび第２端面４Ｆにそれぞれ貼付されたセラミックグリーンシート５６の表面を、それぞれ、ローラーで加圧するなどの方法によってもよい。

また、積層セラミックコンデンサ１００、２００では、セラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄに、それぞれ、側面絶縁層７を形成したが、第１内部電極２、第２内部電極３の側部がセラミック積層体４の第１側面４Ｃ、第２側面４Ｄから露出していない場合には、側面絶縁層７を省略してもよい。

本願発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

この積層セラミックコンデンサにおいて、導体層の主面に延びた部分の長さ方向における寸法が２μｍ以上であることも好ましい。延びた部分の長さが２μｍ以上であれば、セラミック積層体に対する導体層の接合強度を、良好に向上させることができるからである。また、延びた部分の長さが２μｍ以上であれば、導体層と、外部電極との電気的な接続の信頼性を、良好に向上させることができるからである。

また、導体層や絶縁層が、セラミックを含有することも好ましい。この場合には、セラミック積層体と導体層の接合強度や、導体層と絶縁層との接合強度を、向上させることができる。

また、導体層におけるセラミックの含有量が２０ｗｔ％以下であることも好ましい。この場合には、内部電極と導体層との電気的な接続を良好に維持することができる。また、導体層のセラミック積層体の主面に延びた部分を、良好に形成することができる。すなわち、導体層のセラミック積層体の主面に延びた部分は、導体層におけるセラミックの含有量が２０ｗｔ％以下である場合において良好に形成されるが、導体層におけるセラミックの含有量が２０ｗｔ％を超えると、含有量が増えるに従って形成されにくくなる。

また、内部電極の厚みを１μｍ以下とすることも好ましい。この場合には、積層セラミックコンデンサの寸法を小さくすることができる。また、積層セラミックコンデンサの寸法が同じであるならば、内部電極の層数を増やすことができるため、静電容量を大きくすることができる。

また、外部電極が、高さ方向から見て略矩形状であり、少なくとも一方の主面の一部を覆うように形成されたものであることも好ましい。この場合には、積層セラミックコンデンサの端面および側面に外部電極が形成されないため、積層セラミックコンデンサを他の電子部品と近接させて実装することができる。

あるいは、外部電極が、絶縁層と、両方の主面の一部と、両方の側面の一部とを覆うように形成されることも好ましい。すなわち、外部電極が、キャップ状に形成されることも好ましい。

また、内部電極と導体層とが同じ種類の金属成分を含むことも好ましい。この場合には、焼成時に、導体層と内部電極に含まれる金属の焼結温度の差が小さくなるため、良好に電気的に接続することができる。たとえば、内部電極と導体層との両方に、ＮｉまたはＮｉ合金が含まれることが好ましい。

セラミック積層体の側面に、側面絶縁層が形成されることも好ましい。この場合には、内部電極の幅方向の寸法を大きくすることにより、積層セラミックコンデンサの容量を大きくすることができる。

１・・・セラミック層
２・・・第１内部電極
３・・・第２内部電極
４・・・セラミック積層体
４Ａ・・・第１主面
４Ｂ・・・第２主面
４Ｃ・・・第１側面
４Ｄ・・・第２側面
４Ｅ・・・第１端面
４Ｆ・・・第２端面
５・・・導体層
５ａ・・・導体層５の第１主面４Ａに延びた部分
５ｂ・・・導体層５の第２主面４Ｂに延びた部分
６・・・絶縁層
７・・・側面絶縁層
８、２８・・・外部電極
９、２９・・・下地外部電極層
１０、３０・・・第１めっき層
１１、３１・・・第２めっき層

Claims (1)

1. 複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層され、高さ方向において相対する１対の主面と、前記高さ方向に直行する幅方向において相対する１対の側面と、前記高さ方向および前記幅方向の両方に直行する長さ方向において相対する１対の端面とを有するセラミック積層体と、
   前記セラミック積層体の前記端面を覆うように形成され、前記内部電極と電気的に接続された導体層と、
   前記導体層を覆うように形成された絶縁層と、
   前記導体層と電気的に接続された外部電極と、を備え、
   前記導体層が、前記セラミック積層体の前記主面の一部にまで延びて形成され、
   前記導体層が、前記セラミック積層体の前記側面には延びて形成されず、
   前記外部電極が、前記絶縁層と、両方の前記主面の一部と、両方の前記側面の一部とを覆うように形成された積層セラミックコンデンサ。

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