JP7254758B2 - 発光表示装置 - Google Patents

Description

本明細書は、発光表示装置に関するものである。

発光表示装置は、自己発光型表示装置であって、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないので軽量薄型で製造することが可能である。また、発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の面で有利であるのみならず、色相具現、応答速度、視野角、コントラスト比も優れ、次世代表示装置として脚光を浴びている。

発光表示装置は、２つの電極の間に介在した発光素子を含む発光素子層の発光によって映像を表示する。ここで、発光素子の発光に基づいて発生する光は、電極と基板等を介して外部に放出される。

最近では、赤色、緑色、および青色サブピクセルを有する単位ピクセルに白色のサブピクセルを追加した発光表示装置が提案されている（特許文献１）。

白色のサブピクセルを含む発光表示装置は、白色のサブピクセルを通じて表示映像の輝度と色温度を向上させることができるが、赤色、緑色、および青色純色輝度と白色の輝度はトレードオフの関係を有する。例えば、白色のサブピクセルの輝度と色温度が増加する場合には、赤色と緑色サブピクセルでの効率が低下することにより、発光表示装置の全体的なパフォーマンスが低下し得る。

特開２０２０－２４９２５号公報

発光表示装置は、発光素子で発光した光のうち、一部の光が発光素子と電極の間の界面および／または基板と空気層の間の界面での全反射等により外部に放出されないことによって、光取り出し効率が減少することになる。たとえば、一般的な発光表示装置では、発光素子で発光した光のうち、約８０％程度の光が外部に放出（または抽出）されずに内部に閉じ込められ、約２０％の光のみが外部に放出され得る。このような発光表示装置の光取り出し効率を向上させるために、開口部（または発光部）内に微細構造物、例えば、マイクロレンズまたは凸凹パターン部を適用した発光表示装置が提案されている。

サブピクセルに微細構造物を適用した発光表示装置は、白色スペクトルで波長領域ごとに輝度上昇率の差が発生し、これによる赤色、緑色、および青色効率上昇率の差により表示映像の輝度と色温度が減少し得る。例えば、サブピクセルの微細構造物を適用した発光表示装置では、青色輝度上昇率により白色のサブピクセルの色温度が低くなり、これにより、白色のサブピクセルの色温度が低くなる場合、発光表示装置の効率が低下し得る。

このように、本明細書は、白色サブピクセルの輝度と色温度を向上することができる発光表示装置を提供することを課題とする。

本明細書は、表示映像の輝度と色温度を向上することができる発光表示装置を提供することを課題とする。

本明細書の例による解決しようとする課題は、前記の課題に限定されず、言及されていないもう一つの課題は、次の記載内容から、本明細書の技術思想が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得る。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、基板、基板上に第１方向に沿って離隔して第１方向を横切る第２方向に沿って配置された第１金属ラインと第２金属ライン、および第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも１つに重畳したサブピクセルを含み、サブピクセルは、第１金属ラインと第２金属ラインの間の第１発光部、及び第１金属ラインと第２金属ラインのうちの少なくとも一つと重畳した第２発光部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第１方向と第１方向を横切る第２方向に沿って配置された複数のサブピクセル領域を有する基板、第２方向に沿って長く延長され、複数のサブピクセル領域に配置された複数の金属ライン、及び複数のサブピクセル領域のそれぞれに配置された発光部を含み、複数のサブピクセル領域の一部のサブピクセル領域に配置された発光部の複数の金属ラインのうち、第１方向に沿って隣接する少なくとも一つの金属ラインと重畳することができる。

前記した課題の解決手段以外の本明細書の様々な形態に係る具体的な事項は、以下の記載内容及び図に含まれている。

本明細書に係る発光表示装置は、白色サブピクセルの輝度と色温度を改善することができ、これによって輝度と色温度が改善した表示映像を表示することができる。

前記の解決しようとする課題、課題解決手段、効果の内容は、特許請求の範囲の本質的な特徴を特定することはなく、請求範囲の権利範囲は、発明の内容に記載された事項によって制限されない。

本明細書に係る発光表示装置を概略的に示す図である。 図１に示した一例による単位ピクセルの配置構造を示す図である。 図２に示した線Ｉ－Ｉ’の断面図である。 図３に示した凸凹パターン部の平面構造を示す図である。 本明細書の一例に係る第１サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ１部分の拡大図である。 図５に示したＡ部分の拡大図である。 本明細書の一例に係る第２サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ２部分の拡大図である。 本明細書の一例に係る第３サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ３部分の拡大図である。 本明細書の一例に係る第４サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ４部分の拡大図である。 図１に示した他の例に係る単位ピクセルの発光部を示す図である。 図１０に示した線ＩＩ－ＩＩ’の断面図である。 図１に示したまた別の例に係る単位ピクセルの発光部を示す図である。 図１２に示した線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図である。 図２に示した線Ｉ－Ｉ’の他の断面図である。 図１４に示したＢ５部分の拡大図である。 図１４に示したＢ６部分の拡大図である。 図１４に示したＢ６部分の他の拡大図である。 本明細書の一例に係る白色サブピクセルの第１発光部と第２発光部の波長別の強度を示すグラフである。 本明細書の一例による白色サブピクセルと比較例に係る白色サブピクセルの波長別の強度を示すグラフである。

本明細書の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている一例を参照すると明確になるだろう。しかし、本明細書は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本明細書の例は、本明細書の開示を完全にし、本明細書の技術事項が属する技術分野で通常の知識を有する者に技術事項の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、特許請求の範囲によって定義される。

本明細書の一例を説明するため、図に示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本明細書が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本明細書を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。

本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間の関係についての説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、このような構成要素はこのような用語によって制限されない。このような用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもあり得る。

「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、および第３項目の中の少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目各々だけではなく、第１項目、第２項目、および第３項目の中から二つ以上で提示され得るすべての項目の組み合わせを含むとすることができる。

本明細書のいくつかの例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各例を互いに対して独立的に実施することができ、関連の関係で一緒に実施することもできる。

以下では、本明細書の実施例に係るディスプレイ装置の例を添付した図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加することにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。そして、添付した図に示した構成要素のスケールは、説明の便宜上、実際と異なるスケールを有するので、図に示したスケールに限定されない。

図１は、本明細書に係る発光表示装置を概略的に示す図である。

図１を参照すると、本明細書の一例に係る発光表示装置は、表示パネル１０、制御回路３０、データ駆動回路５０、およびゲート駆動回路７０を含むことができる。

表示パネル１０は、基板上に定義された表示領域（ＡＡ）（または活性領域）、および表示領域（ＡＡ）を囲む非表示領域（ＩＡ）（または非活性領域）を含むことができる。

表示領域（ＡＡ）は、ｍ個のゲートライン（ＧＬ）とｎ個のデータライン（ＤＬ）によって定義される領域に配置された複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを含むことができる。

ｎ個のゲートライン（ＧＬ）のそれぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）を横切る第２方向（Ｙ）に沿って互いに離隔してもよい。例えば、ｎ個のゲートライン（ＧＬ）のそれぞれは、第１および第２ゲートラインを含むことができる。

ｍ個のデータライン（ＤＬ）のそれぞれは、第２方向（Ｙ）に沿って長く延長され、第１方向（Ｘ）に沿って互いに離隔してもよい。

表示領域（ＡＡ）は、データライン（ＤＬ）と並んで配置された複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）と複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）をさらに含むことができる。ｎ個のゲートライン（ＧＬ）のそれぞれは、ｍ個のデータライン（ＤＬ）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）と複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれを横切る交差部を含むことができる。ｎ個のゲートライン（ＧＬ）のそれぞれの交差部は、他のラインとの重畳した面積を最小限にするための少なくとも一つのスリットまたは開口部を含むことができる。

複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれは、隣接するゲートライン（ＧＬ）から供給されるゲート信号と隣接するデータライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧に対応するカラー映像を表示する。

一例による複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれは、ゲートライン（ＧＬ）の長さ方向（Ｘ）に沿って互いに隣接して配置することができる。

一例による複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれは、サブピクセル領域の回路領域（または非発光部）に配置されたピクセル回路、およびサブピクセル領域の開口領域（または発光部）に配置され、ピクセル回路に電気的に接続した発光素子層を含むことができる。

ピクセル回路は、少なくとも２つのトランジスタと少なくとも一つのコンデンサを含むことができる。

発光素子層は、ピクセル回路から提供されるデータ信号によって、自己発光して映像を表示する自発光素子を含むことができる。

複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれは、実際の光が発光される最小単位の領域として定義することができる。ここで、互いに隣接する少なくとも４つのピクセルは、映像のカラー表示のための一つの単位ピクセル１２を構成することができる。

一例に係る一つの単位ピクセル１２は、ゲートライン（ＧＬ）の長さ方向に沿って互いに隣接して配列された第１～第４サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを含むことができる。例えば、第１サブピクセル１２ａは、赤色サブピクセルまたは第１色のサブピクセル、第２サブピクセル１２ｂは、白色サブピクセル又は第２色のサブピクセル、第３サブピクセル１２ｃは、青色サブピクセルまたは第３色のサブピクセル、及び第４サブピクセル１２ｄは、緑色サブピクセルまたは第４色のサブピクセルであることができる。

第１～第４サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれに配置された発光素子層は、異なる色の光を個別に放出し、若しくは白色光を共通に放出することができる。

一例によると、第１～第４サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの発光素子層のそれぞれが白色光を共通に放出する場合、第１、第３、及び第４サブピクセル１２ａ、１２ｃ、１２ｄそれぞれは、白色光を異なる色の光に変換するそれぞれ異なるカラーフィルタ（または波長変換部材）を含むことができる。この場合、一例に係る第２サブピクセル１２ｂは、カラーフィルタを備えていないことがある。他の例に係る第２サブピクセル１２ｂの少なくとも一部の領域は、第１、第３、及び第４サブピクセル１２ａ、１２ｃ、１２ｄのいずれかと同じカラーフィルタを含むことができる。

制御回路３０は、映像信号に基づいて、複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄそれぞれに対応するピクセル別のデータ信号を生成することができる。一例による制御回路３０は、映像信号、すなわち、各単位ピクセル１２の赤色入力データと緑色入力データおよび青色入力データに基づいて白色ピクセルデータを抽出し、抽出した白色ピクセルデータに基づいたオフセットデータを赤色入力データと緑色入力データおよび青色入力データのそれぞれに反映して赤色ピクセルデータと緑色ピクセルデータおよび青色ピクセルデータをそれぞれ算出し、算出された赤色ピクセルデータ、緑色ピクセルデータ、青色ピクセルデータ、および白色ピクセルデータをピクセル配列構造に適合するように整列してデータ駆動回路５０に供給することができる。例えば、制御回路３０は、韓国公開特許公報第１０－２０１３－００６０４７６号又は第１０－２０１３－００３０５９８号に開示されたデータ変換方法に基づいて、赤色、緑色、および青色入力データを赤色、緑色、青色、および白色の４色データに変換することができる。

制御回路３０は、ゲート駆動回路７０と、データ駆動回路５０を表示モードまたはセンシングモードで駆動させることができる。制御回路３０は、タイミング同期信号に基づいて、ゲート駆動回路７０と、データ駆動回路５０それぞれを表示モードまたはセンシングモードで駆動させるためのデータ制御信号とゲート制御信号のそれぞれを生成し、データ制御信号をデータ駆動回路５０に提供し、ゲート制御信号をゲート駆動回路７０に提供することができる。例えば、センシングモード（または外部補償駆動）は、発光表示装置の製品出荷前の検査工程時、表示パネル１０の最初の初期駆動時、発光表示装置の電源オン（ｐｏｗｅｒ ｏｎ）時、発光表示装置の電源オフ（ｐｏｗｅｒ ｏｆｆ）時、表示パネル１０の長時間駆動、電源オフ（ｐｏｗｅｒ ｏｆｆ）時、リアルタイムまたは周期的に設定されたフレームのブランク期間に行なうことができる。

制御回路３０は、センシングモードによって、データ駆動回路５０から提供されるピクセル別のセンシングデータを格納回路に格納する。そして、制御回路３０は、表示モード時、保存回路に保存されたセンシングデータに基づいて、各サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに供給されるピクセルデータを補正して、データ駆動回路５０に提供することができる。ここで、ピクセル別のセンシングデータは、駆動トランジスタと発光素子それぞれの経時的変化の情報を含むことができる。これにより、制御回路３０は、センシングモードで、各サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに配置された駆動トランジスタの特性値（例えば、しきい値電圧または移動度）をセンシングし、これを基に各サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに供給されるピクセルデータを補正することにより、複数のサブピクセル内の駆動トランジスタの特性値の偏差に応じた画質の劣化を最小限に抑えるか、または防ぐことができる。このように、発光表示装置のセンシングモードは、本明細書の出願人によって既に公知された技術なので、これに対する詳細な説明は省略する。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、韓国公開特許公報第１０－２０１６－００９３１７９号、第１０－２０１７－００５４６５４号、または第１０－２０１８－０００２０９９号に開示されたセンシングモードを介して、各サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに配置された駆動トランジスタの特性値を検出することができる。データ駆動回路５０は、表示パネル１０に配置されたｍ個のデータライン（ＤＬ）それぞれと個別に接続することができる。データ駆動回路５０は、制御回路３０から提供されるピクセルごとのデータ信号とデータ制御信号を受信し、電源回路から提供される複数の基準ガンマ電圧を受信することができる。

データ駆動回路５０は、表示モードで、データ制御信号と複数の基準ガンマ電圧を利用して、デジタル形式のピクセル別のデータ信号をアナログ形式のピクセルごとのデータ電圧に変換し、変換されたピクセル別のデータ電圧を該当するデータライン（ＤＬ）に供給し、データ電圧と同期するリファレンス電圧を生成して、複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に供給することができる。

データ駆動回路５０は、センシングモードで、データ制御信号と複数の基準ガンマ電圧に基づいて、デジタル形式のセンシング用データ信号をセンシング用データ電圧に変換して、該当するデータライン（ＤＬ）を通じて該当するサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに供給し、複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）それぞれを介して、該当するサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに配置された駆動トランジスタの特性値をセンシングし、センシングしたピクセル別のセンシングデータを制御回路３０に提供することができる。たとえば、データ駆動回路５０は、単位ピクセル１２を構成する第１～第４サブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを順次にセンシングすることができる。

ゲート駆動回路７０は、表示パネル１０に設けられたｎ個のゲートライン（ＧＬ）それぞれと個別に接続することができる。ゲート駆動回路７０は、制御回路３０から供給されるゲート制御信号に基づいて定められた順序に従ってゲート信号を生成して、該当するゲートライン（ＧＬ）に供給することができる。

一例に係るゲート駆動回路７０は、薄膜トランジスタの製造工程によって、基板の一側端および／または両側端に集積され、複数のゲートライン（ＧＬ）と一対一で接続することができる。他の例に係るゲート駆動回路７０は、集積回路に構成して基板に実装し、若しくは軟性回路フィルムに実装して、複数のゲートライン（ＧＬ）と一対一で接続することができる。

一方、データ駆動回路５０がセンシングモードなしで表示モードだけで駆動する場合、表示領域（ＡＡ）に配置された複数のリファレンス電圧ライン（ＲＬ）は省略され、データ駆動回路５０は、データ電圧だけを該当するデータライン（ＤＬ）に供給することができる。

図２は、図１に示した一例による単位ピクセルの配置構造を示す図であり、図３は、図２に示した線Ｉ－Ｉ’の断面図である。

図２及び図３を参照すると、本明細書の一例に係る単位ピクセル１２は、第１方向（Ｘ）と、第１方向（Ｘ）を横切る第２方向（Ｙ）に沿って配置された複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）、及び第２方向（Ｙ）に沿って長く延長して、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）に配置された複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）を含むことができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）または複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれは、複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のうち、第１方向（Ｘ）に沿って隣接した少なくとも一つの金属ラインの全体または一部と重畳するように配置し、若しくは隣接する金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）間に配置されるように配置することができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）または複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、各々異なる大きさを有することができる。以下の説明で、サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）または複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの大きさは、サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）または複数のサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの面積で理解することができる。また、以下の説明で、サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）はサブピクセル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとして理解することができる。

単位ピクセル１２に配置された複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のそれぞれは、ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）、複数のデータライン（ＤＬ４ｉ－３、ＤＬ４ｉ－２、ＤＬ４ｉ－１、ＤＬ４ｉ）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）と一対一で対応することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）は、複数のデータラインのうち、第４ｉ－３（ｉは自然数）のデータライン（ＤＬ４ｉ－３）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）のうち、第２ｊ－１（ｊは自然数）ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の間に配置することができる。例えば、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）は、第１色データラインまたは赤色データラインであることができる。そして、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）は、複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）の奇数番目のピクセル駆動電圧ラインであることができる。例えば、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）を基準に、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）は、第１金属ラインであることができ、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）は、第２金属ラインであることができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）は、複数のデータラインのうち、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）または第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の間に配置することができる。例えば、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）は、第２色のデータラインまたは白色データラインであることができる。第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）は、互いに隣接しながら、互いに並んで配置することができる。例えば、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）を基準に、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）は、第１金属ラインであることができ、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）は、第２金属ラインであることができる。そして、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）は、第１金属ラインの第１金属信号ラインであることができ、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）は、第１金属ラインの第２金属信号ラインであることができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）は、複数のデータラインのうち、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の間に配置することができる。例えば、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）は、第３色データライン、青色データラインであることができる。例えば、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）を基準に、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）は、第１金属ラインであることができ、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－３）は、第２金属ラインであることができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）は、複数のデータラインのうち、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と、複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）のうち、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の間に配置することができる。例えば、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）は、第４色データライン、緑色データラインであることができる。そして、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）は、複数のピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）の偶数番目のピクセル駆動電圧ラインであることができる。第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）は、互いに隣接しながら、互いに並んで配置することができる。例えば、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）を基準に、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）は、第１金属ラインであることができ、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）は、第２金属ラインであることができる。そして、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）は、第１金属ラインの第１金属信号ラインであることができ、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）は、第１金属ラインの第２金属信号ラインであることができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれは、第２方向（Ｙ）を基準に、第１領域（Ａ１）と第２領域（Ａ２）に区分することができる。

第１領域（Ａ１）（または発光領域）は、第２方向（Ｙ）を基準に、ゲートライン（ＧＬ）の上側部に配置され、ゲートライン（ＧＬ）と重畳しないことがある。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの第１領域（Ａ１）は、各々異なる大きさを有することができる。

第２領域（Ａ２）（または回路領域）は、第２方向（Ｙ）を基準に、ゲートライン（ＧＬ）の下側部に配置され、ゲートライン（ＧＬ）と重畳することができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの第２領域（Ａ２）は、実質的に同じ大きさを有することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれは、第２領域（Ａ２）に配置され、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する回路領域に配置されたピクセル回路（ＰＣ）を含むことができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれのピクセル回路（ＰＣ）は、ゲートライン（ＧＬ）の第１および第２ゲートライン（ＧＬａ、ＧＬｂ）、ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）、４つのデータライン（ＤＬ４ｉ－３、ＤＬ４ｉ－２、ＤＬ４ｉ－１、ＤＬ４ｉ）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に選択的に接続することができる。

第１ゲートライン（ＧＬａ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）の第２領域（Ａ２）のうち、第１領域（Ａ１）に最も隣接した一側領域に配置することができる。第２ゲートライン（ＧＬｂ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）の第２領域（Ａ２）のうち、第１ゲートライン（ＧＬａ）から離隔した他側領域に配置することができる。

一例に係るピクセル回路（ＰＣ）は、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）、およびストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含むことができる。ピクセル回路（ＰＣ）のトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）それぞれは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り得、このような薄膜トランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）のうちの少なくとも一つは、ａ－Ｓｉ ＴＦＴ、ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＴＦＴ、Ｏｘｉｄｅ ＴＦＴ、またはＯｒｇａｎｉｃ ＴＦＴであり得る。例えば、ピクセル回路（ＰＣ）で、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）、および駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）中の一部は、応答特性に優れたＬＴＰＳ（ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ－Ｓｉ）からなる半導体層（または活性層）を含む薄膜トランジスタであることができ、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）、および駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）の一部を除いた残りの部分は、オフ電流（ｏｆｆ ｃｕｒｒｅｎｔ）特性に優れたオキシド（ｏｘｉｄｅ）からなる半導体層（または活性層）を含む薄膜トランジスタであることができる。

第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）は、第１ゲートライン（ＧＬａ）に接続したゲート電極（ＧＥ）、隣接するデータライン（ＤＬ）に接続した第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）、及び第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート電極（ＧＥ）に接続した第２ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ２）を含むことができる。第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）のゲート電極（ＧＥ）は、第１ゲートライン（ＧＬａ）の一側から突出した突出領域であることができる。このような第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）は、第１ゲートライン（ＧＬａ）に供給される第１ゲート信号によってターンオンされ、隣接するデータライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧を駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート電極（ＧＥ）に供給することができる。

一例によると、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の一側から突出した突出領域であることができ、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）の一側から突出した突出領域であることができ、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の一側から突出した突出領域であることができ、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）に配置された第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）は、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）の一側から突出した突出領域であることができる。

第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）は、第２ゲートライン（ＧＬｂ）に接続したゲート電極（ＧＥ）、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極に接続した第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）、および隣接するリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に接続した第２ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ２）を含む。このような第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）は、表示モードで、第２ゲートライン（ＧＬｂ）から供給される第２ゲート信号によって、隣接するリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に供給されるリファレンス電圧を駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極（ＳＥ）に供給することができる。そして、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）は、センシングモードで、第２ゲートライン（ＧＬｂ）に供給される第２ゲート信号によってターンオンされて駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）から出力される電流を、隣接するリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に供給し、若しくは駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極（ＳＥ）を隣接したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）に接続することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれにおいて、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）のゲート電極（ＧＥ）は、第２ゲートライン（ＧＬｂ）の一部の領域であるか、第２ゲートライン（ＧＬｂ）の一側から突出した突出領域であることができる。第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）はリファレンス電圧ライン（ＲＬ）から分岐したリファレンス接続ライン（ＲＣＬ）と第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して電気的に接続することができる。リファレンス接続ライン（ＲＣＬ）は、第２ゲートライン（ＧＬｂ）と並びながらリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を通るように配置して第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介してリファレンス電圧ライン（ＲＬ）と電気的に接続することができる。

ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート電極（ＧＥ）とソース電極（ＳＥ）の間に形成される。一例によるストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート電極（ＧＥ）からなる第１キャパシタ電極、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極からなる第２キャパシタ電極、及び第１コンデンサ電極と第２キャパシタ電極の重畳領域に形成された誘電体層を含むことができる。このようなストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のゲート電極（ＧＥ）とソース電極（ＳＥ）の間の差電圧を充電した後、充電された電圧によって駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）をスイッチングさせることができる。

駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、第１スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ１）の第２ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ２）に接続したゲート電極（ＧＥ）、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）の第１ソース／ドレイン電極（ＳＤＥ１）に接続したソース電極（ＳＥ）、およびピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）に接続したドレイン電極（ＤＥ）を含むことができる。このような駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の電圧によってターンオンされることにより、ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）から発光素子層に流れる電流量を制御する。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）から突出した突出領域に具現することができ、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）は、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）から突出した突出領域に具現することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）は、第１内部電源供給ライン（ＩＰＬ１）を介して、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）に電気的に接続することができる。この場合、第１内部電源供給ライン（ＩＰＬ１）は、第２ゲートライン（ＧＬｂ）と同じ層に並んで配置され、少なくとも一つの第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介して第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）に電気的に接続され、第４コンタクトホール（ＣＨ４）を介して第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）に電気的に接続することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）は、第２内部電源供給ライン（ＩＰＬ２）を介して、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）に電気的に接続することができる。この場合、第２内部電源供給ライン（ＩＰＬ２）は、第２ゲートライン（ＧＬｂ）と同じ層に並んで配置され、少なくとも一つの第５コンタクトホール（ＣＨ５）を介して、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）に電気的に接続され、第６コンタクトホール（ＣＨ６）を介して第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のドレイン電極（ＤＥ）に電気的に接続することができる。

一例によると、ピクセル回路（ＰＣ）のトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）それぞれは、半導体層は、基板１００上に配置されているバッファ層１１０上に配置することができる。半導体層は、ソース領域とドレイン領域とチャネル領域を有し、半導体層のチャネル領域は、ゲート絶縁膜によって覆うことができる。ゲートライン（ＧＬ）とトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）それぞれは、ゲート絶縁膜上に配置され、層間絶縁膜１２０によって覆うことができる。データライン（ＤＬ）、ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）、およびトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）のソース／ドレイン電極は、層間絶縁膜１２０上に配置され、パッシベーション層１３０によって覆うことができる。また、パッシベーション層１３０は、オーバーコート層１４０（または平坦化層）によって覆うことができる。

オーバーコート層１４０は、ピクセル回路（ＰＣ）を覆うように基板１００の表示領域全体に配置することができる。一例によるオーバーコート層１４０は、フォトアクリル、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、およびフッ素樹脂などの有機材料からなることができる。

一例によると、ピクセル回路（ＰＣ）のトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）それぞれの半導体層は、基板１００上に配置されている遮光層上に配置することができる。

遮光層は、トランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）それぞれの半導体層と基板１００の間に配置され、基板１００を介して半導体層の方に入射する光を遮断することにより、外部光によるトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）のしきい値電圧の変化を最小化ないし防止する。このような遮光層は、バッファ層１１０によって覆われる。選択的に、遮光層は、トランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）のソース電極に電気的に接続して、該当トランジスタの下部ゲート電極の役割をすることもでき、この場合、光による特性変化だけでなく、バイアス電圧によるトランジスタ（Ｔｓｗ１、Ｔｓｗ２、Ｔｄｒ）のしきい値電圧の変化を最小化ないし防止する。

一方、ピクセル回路（ＰＣ）がセンシングモードによるセンシング駆動なしに表示モードによる表示駆動のみで動作するとき、第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）は省略され、ここで、図２に示したリファレンス電圧ライン（ＲＬ）は、ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）に変更する。そして、ピクセル回路（ＰＣ）で第２スイッチングトランジスタ（Ｔｓｗ２）が省略され、単位ピクセル１２からリファレンス電圧ライン（ＲＬ）が省略されるとき、単位ピクセル１２に配置されたピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）とデータライン（ＤＬ）の配置順序も変更可能である。たとえば、図２において、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）に変更され、互いに隣接した第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）に変更され、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）は、互いに隣接した第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）に変更され、互いに隣接した第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）は、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）に変更され、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）は、互いに隣接した第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）を変更することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれは、第１領域（Ａ１）に配置された発光部（ＥＰ）、及び第１領域（Ａ１）を囲んで第２領域（Ａ２）に配置された非発光部を含むことができる。以下の説明では、発光部（ＥＰ）は、開口部として理解することができ、非発光部は非開口部として理解することができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）は、表示映像の輝度と色温度を向上させるために、各々異なる大きさを有することができる。例えば、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）は、発光表示装置または第２サブピクセル１２ｂで具現しようとする６５００Ｋ以上の色温度に基づいて、各々異なる大きさを有するように配置ことができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の発光部（ＥＰ）は、赤色光を放出する赤色発光部（ＥＰｒ）または赤色の開口部であることができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の発光部（ＥＰ）は、白色光を放出する白色発光部（ＥＰｗ）または白色の開口部であることができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の発光部（ＥＰ）は、青色光を放出する青色発光部（ＥＰｂ）または青色の開口部であることができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の発光部（ＥＰ）は、緑色光を放出する緑色発光部（ＥＰｇ）または緑色の開口部であることができる。一例によると、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）は、白色発光部（ＥＰｗ）、赤色発光部（ＥＰｒ）、青色発光部（ＥＰｂ）、および緑色発光部（ＥＰｇ）の順で大きい大きさ（ＥＰｗ＞ＥＰｒ＞ＥＰｂ＞ＥＰｇ）を有することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

一例による第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）のうち少なくとも一つは、第１方向（Ｘ）に沿って凹んだり突出した少なくとも一つのベント領域（ｂｅｎｔ ａｒｅａ）（ＢＡ）を含むことができる。

例えば、赤色発光部（ＥＰｒ）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の方に台形の形態で突出したベント領域（ＢＡ）を含むことができる。白色発光部（ＥＰｗ）はリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の方に台形の形態で突出したベント領域（ＢＡ）を含むことができる。青色発光部（ＥＰｂ）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の方に台形の形態で突出したベント領域（ＢＡ）を含むことができる。緑色発光部（ＥＰｇ）は、隣接する青色発光部（ＥＰｂ）と赤色発光部（ＥＰｒ）それぞれのベント領域（ＢＡ）により台形の形態で凹んだベント領域（ＢＡ）を含むことができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの第１領域（Ａ１）に配置されたピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ）、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）、及び第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）それぞれは、発光部（ＥＰ）のベント領域（ＢＡ）と対応するようにベント（ｂｅｎｔ）することができる。

一例による複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光部（ＥＰｗ、ＥＰｇ）は、複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のうち、第１方向（Ｘ）に沿って隣接した少なくとも一つの金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）と重畳することができる。

一例によると、複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のうち、第１金属ラインと第２金属ラインは、第１方向（Ｘ）に沿って互いに離隔するように、一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置され、一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光部（ＥＰｗ、ＥＰｇ）は、第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳することができる。そして、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光部（ＥＰｗ、ＥＰｇ）は、第１金属ラインと第２金属ラインの間に配置された第１発光部（ＥＰ１）、及び第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。例えば、第２発光部（ＥＰ２）は、第１方向（Ｘ）を基準に、第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと半分以上重畳することができる。この場合、前記の一部のサブピクセル領域が第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）のとき、第１金属ラインは、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）であることができ、第２金属ラインは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）であることができる。そして、前記一部のサブピクセル領域が第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）のとき、第１金属ラインは、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）であることができ、第２金属ラインは、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）であることができる。

そして、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）を除いた残りのサブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３）に配置された発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ）は、複数の金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のうち、第１方向（Ｘ）に沿って隣接する２つの金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）と非重畳することができる。複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）を除いた残りのサブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３）は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接する２つの金属ライン（ＰＬ、ＤＬ 、ＲＬ）間に配置された一つの発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ）だけを含むことができる。そして、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の赤色発光部（ＥＰｒ）を含む第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）は、隣接する２つの金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）のうちの少なくとも一つと重畳する第２発光部を含むこともあるが、この場合、赤色発光部（ＥＰｒ）の第２発光部から発生する光は、白色輝度の色温度を低下させることができる。これにより、赤色発光部（ＥＰｒ）は、隣接する２つの金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）中の少なくとも一つと重畳する第２発光部を含まないように具現される。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）は、第２方向（Ｙ）と平行な第１辺と第２辺を含むことができる。

第１方向（Ｘ）を基準に、赤色発光部（ＥＰｒ）の第１辺は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の第１側面（または第２側面）から離隔して、赤色発光部（ＥＰｒ）の第２辺は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の第１側面（または第２側面）から離隔することができる。

第１方向（Ｘ）を基準に、白色発光部（ＥＰｗ）の第１辺は、赤色発光部（ＥＰｒ）に隣接した第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の第１側面（または第２側面）に工程誤差の範囲内で整列され、白色発光部（ＥＰｗ）の第２辺は、白色発光部（ＥＰｗ）に隣接したリファレンスライン（ＲＬ）の第２側面（または第１側面）に工程誤差の範囲内で整列することができる。

第１方向（Ｘ）を基準に、青色発光部（ＥＰｂ）の第１辺はリファレンスライン（ＲＬ）の第２側面（または第１側面）から離隔し、青色発光部（ＥＰｂ）の第２辺は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（または第２側面）から離隔することができる。

第１方向（Ｘ）を基準に、緑色発光部（ＥＰｇ）の第１辺は青色発光部（ＥＰｂ）に隣接した第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（または第２面）に工程誤差の範囲内で整列され、緑色発光部（ＥＰｇ）の第２辺は、赤色発光部（ＥＰｒ）に隣接する第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の第２側面（または第１側面）に工程誤差の範囲内で配置することができる。

一例に係る、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）は、凸凹パターン部１５０および発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。一例による複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光部（ＥＰｗ、ＥＰｇ）は、平坦部１４１をさらに含むことができる。つまり、一例による複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光部（ＥＰｗ、ＥＰｇ）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１と発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。そして、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）を除いた残りのサブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３）に配置された発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ）は、平坦部１４１を含まず、凸凹パターン部１５０とおよび光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。以下の説明では、平坦部１４１は、非パターン部と理解することができる。

一例によると、赤色発光部（ＥＰｒ）、青色発光部（ＥＰｂ）、白色発光部（ＥＰｗ）の第１発光部（ＥＰ１）、および緑色発光部（ＥＰｇ）の第１発光部（ＥＰ１）それぞれは、オーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０を含み、白色発光部（ＥＰｗ）の第２発光部（ＥＰ２）、および緑色発光部（ＥＰｇ）の第２発光部（ＥＰ２）それぞれは、オーバーコート層１４０に配置された平坦部１４１を含むことができる。つまり、基板１００上に配置されたオーバーコート層１４０は、赤色発光部（ＥＰｒ）、青色発光部（ＥＰｂ）、白色発光部（ＥＰｗ）の第１発光部（ＥＰ１）、および緑色発光部（ＥＰｇ）の第１発光部（ＥＰ１）それぞれに配置された凸凹パターン部１５０、および白色発光部（ＥＰｗ）の第２発光部（ＥＰ２）と緑色発光部（ＥＰｇ）の第２発光部（ＥＰ２）それぞれに配置された平坦部１４１を含むことができる。

凸凹パターン部１５０は、赤色発光部（ＥＰｒ）、青色発光部（ＥＰｂ）、白色発光部（ＥＰｗ）の第１発光部（ＥＰ１）、および緑色発光部（ＥＰｇ）の第１発光部（ＥＰ１）それぞれに重畳するオーバーコート層１４０に屈曲（または凸凹）形態を有するように配置することで発光素子層（ＥＤＬ）で発光した光の進行経路を変更して、ピクセルの光取り出し効率を増加させる。これにより、凸凹パターン部１５０は、非平坦部、微細構造物、光路制御部、マイクロレンズ部、マイクロレンズアレイ部、または光散乱部とも理解することができる。

一例による凸凹パターン部１５０は、互いに離隔した複数の凸部１５１、および複数の凸部１５１の間に配置された複数の凹部１５３を含むことができる。

複数の凸部１５１のそれぞれは、発光素子層（ＥＤＬ）の有効発光領域に基づいてピクセルで発生する光の外部抽出効率を最大化することができる形状を有するように、発光部（ＥＰ）と重畳するオーバーコート層１４０に設けることができる。このような複数の凸部１５１それぞれは、発光素子層（ＥＤＬ）で発光した光の進行経路を基板１００の方に変更して発光素子層（ＥＤＬ）で発光した光の外部抽出効率を増加させる。

複数の凸部１５１それぞれは、すべての方向で互いに接続することができる。たとえば、複数の凸部１５１のそれぞれの底部（または裏面）は、すべての方向に隣接した凸部１５１の底部と連結することができる。これにより、発光部（ＥＰ）と重畳するオーバーコート層１４０は、複数の凸部１５１間に形成される複数の凹部１５３を含むことができる。一つの凹部１５３は、隣接した複数の凸部１５１によって囲まれ得る。一つの凹部１５３を囲む複数の凸部１５１は、平面的に六角形態（またはハニカム形態）に配置することができる。

複数の凹部１５３それぞれは、複数の凸部１５１の間に対応するオーバーコート層１４０の上面（または表面）から凹に配置することができる。複数の凹部１５３それぞれは、第１方向（Ｘ）に沿って互いに離隔しながら、互いに平行に配置して第２方向（Ｙ）に沿ってジグザグ形態に配置することができる。つまり、複数の凹部１５３のそれぞれは、一定の間隔を有する格子の形態で配置され、第２方向（Ｙ）に沿って隣接する凹部１５３は、互いに行違いに配置することができる。例えば、図４に示すように、隣接する３つの凹部１５３は、平面的に三角の形態で配置することができ、隣接する３つの凹部１５３それぞれの中心部間の線分は、平面的に三角形態（ＴＳ）を成すことができる。また、複数の凹部１５３それぞれは、周辺に配置された６つの凹部１５３によって囲まれ得る。この場合、１つの凹部１５３を囲むように周辺に配置された６つの凹部１５３は、平面的に６角形態（ＨＳ）に配置することができ、一つの凹部１５３を囲むように周辺に配置された６つの凹部１５３それぞれの中心部間の線分は、平面的に６角形態（ＨＳ）を成すことができる。たとえば、複数の凸部１５１と、複数の凹部１５３は、平面的にハニカム形態で配置することができる。

複数の凸部１５１と、複数の凹部１５３を含む凸凹パターン部１５０は、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ工程を経て、発光部（ＥＰ）上のオーバーコート層１４０上にマスクパターンを形成した後、マスクパターンを用いたオーバーコート層１４０のエッチング工程を介して具現することができる。例えば、フォトレジストは、生産性の向上のためにポジティブフォトレジストを用いることができる。

再び図２及び図３を参照すると、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）の発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ）に配置された平坦部１４１は、前記一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に隣接した金属ライン上に配置することができる。その結果、オーバーコート層１４０は、複数の金属ライン上に配置された複数の平坦部１４１、および複数の平坦部１４１の間に配置された凸凹パターン部１５０を含むことができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）は、アノード電極（ＡＥ）、自発光素子（ＳＥＤ）、およびカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

アノード電極（ＡＥ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）に対応する基板１００上のオーバーコート層１４０上に個別に配置することができる。一例によると、第１領域（Ａ１）でアノード電極（ＡＥ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）と対応する大きさと形態を有することができる。一例によるアノード電極（ＡＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）から放出される光が基板の方に透過するようにＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電物質からなることができる。

一例に係るアノード電極（ＡＥ）は、オーバーコート層１４０の最上面と直接に接触することができる。例えば、アノード電極（ＡＥ）は、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０と平坦部１４１のそれぞれと直接に接触するため、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１の表面形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形状を含むことができる。

一例に係る複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれのアノード電極（ＡＥ）は、該当するピクセル回路（ＰＣ）の方に延長された延長部を含むことができる。アノード電極（ＡＥ）の延長部は、オーバーコート層１４０とパッシベーション層１３０に配置された電極コンタクトホール（ＥＣＨ）を介して該当するピクセル回路（ＰＣ）の駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）のソース電極（ＳＥ）と電気的に接続することができる。これにより、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれのアノード電極（ＡＥ）は、該当するピクセル回路（ＰＣ）の駆動トランジスタ（Ｔｄｒ）からデータ電流を個別に供給を受けることができる。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１アノード電極（ＡＥ１）は、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）において、赤色発光部（ＥＰｒ）の大きさは、第１アノード電極（ＡＥ１）の大きさと対応することができ、これにより凸凹パターン部１５０の大きさは、赤色発光部（ＥＰｒ）の大きさよりも大きいことがあり得る。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の白色発光部（ＥＰｗ）に配置された第２アノード電極（ＡＥ２）は、凸凹パターン部１５０よりも大きいか広い大きさを有することができる。例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することができる。すなわち、第２アノード電極（ＡＥ２）は、凸凹パターン部１５０上で平坦部１４１の方に延長（または拡張）された構造を有することができる。これにより、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の第１領域（Ａ１）において、白色発光部（ＥＰｗ）の大きさは、第２アノード電極（ＡＥ２）の大きさと対応することができ、これにより凸凹パターン部１５０の大きさは、白色発光部（ＥＰｗ）の大きさよりも小さいことがあり得る。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第３アノード電極（ＡＥ３）は、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第１領域（Ａ１）において、青色発光部（ＥＰｂ）の大きさは、第３アノード電極（ＡＥ３）の大きさと対応することができ、これにより凸凹パターン部１５０の大きさは、青色発光部（ＥＰｂ）の大きさよりも大きいことがあり得る。

複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の緑色発光部（ＥＰｇ）に配置された第４アノード電極（ＡＥ４）は、緑色発光部（ＥＰｇ）に配置された凸凹パターン部１５０よりも大きいか広い大きさを有することができる。例えば、第４アノード電極（ＡＥ４）は、緑色発光部（ＥＰｇ）に配置された凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することができる。すなわち、第４アノード電極（ＡＥ４）は、凸凹パターン部１５０上で平坦部１４１の方に延長（または拡張）された構造を有することができる。これにより、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の第１領域（Ａ１）において、緑色発光部（ＥＰｇ）の大きさは、第４アノード電極（ＡＥ４）の大きさと対応することができ、これにより凸凹パターン部１５０の大きさは、緑色発光部（ＥＰｇ）の大きさよりも小さいことがあり得る。

発光素子層（ＥＤＬ）の自発光素子（ＳＥＤ）は、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置されているアノード電極（ＡＥ）上に配置することができる。一例による自発光素子（ＳＥＤ）は、有機発光素子、量子ドット発光素子、無機発光素子、またはマイクロ発光ダイオード素子などであり得る。例えば、有機発光素子からなる自発光素子（ＳＥＤ）は、アノード電極上に配置された正孔の機能層、正孔層上に配置された有機発光層、有機発光層上に配置された電子機能層を含むことができる。

一例によると、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置された自発光素子（ＳＥＤ）は、各々異なる色の光を放出するように配置することができる。例えば、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の自発光素子（ＳＥＤ）は、赤色有機発光層を含むことができ、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の自発光素子（ＳＥＤ）は、青色有機発光層を含むことができ、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の自発光素子（ＳＥＤ）は、緑色有機発光層を含むことができる。そして、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の自発光素子は、白色光を放出するための複数の有機発光層を含むことができる

一例による第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の自発光素子は、第１有機発光層及び第２有機発光層が積層されたスタック構造を有することができる。一例による第１有機発光層は、第１光を放出するもので、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのいずれかを含むことができる。一例による第２有機発光層は、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのうち、第１有機発光層の有機発光セルを除いた残りのいずれかを含むことができる。さらに、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の自発光素子は、青色有機発光セル、緑色有機発光セル、赤色有機発光セル、黄色有機発光セル、および黄緑色有機発光セルのうち、第１および第２有機発光層のそれぞれの有機発光セルを除いた残りのいずれかを含む第３有機発光層をさらに含むことができる。

他の例によると、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置された自発光素子（ＳＥＤ）は、白色光を放出する共通層として具現することができる。例えば、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置された自発光素子（ＳＥＤ）は、前記第１有機発光層と前記第２有機発光層を含むか、または前記第１有機発光層と前記第２有機発光層と前記第３有機発光層を含むことができる。この場合、自発光素子（ＳＥＤ）は、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置されているアノード電極（ＡＥ）と直接に接触し、オーバーコート層１４０に配置された平坦部１４１と直接に接触することができる。すなわち、本例はオーバーコート層１４０の平坦部１４１とアノード電極（ＡＥ）の端部に配置されたバンクまたはバンクパターンを除去し、アノード電極（ＡＥ）と自発光素子（ＳＥＤ）をオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に延長または拡張することにより、オーバーコート層１４０の平坦部１４１上に第２発光部（ＥＰ２）を配置することができる。

さらに、第１～第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれに配置された自発光素子（ＳＥＤ）は、量子ドット発光素子に変更し、若しくは色再現率を向上させるために量子ドット発光層をさらに含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）のカソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）と直接に接触するよう基板１００の表示領域全体に配置することができる。一例によるカソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）から放出されて入射する光を基板１００の方に反射させるために反射率の高い金属物質を含むことができる。

本明細書の一例による表示パネルは、封止層（１６０）をさらに含むことができる。

封止層１６０は、カソード電極（ＣＥ）を覆うように基板１００の表示領域（ＡＡ）上に形成することができる。封止層１６０は、外部からの衝撃から薄膜トランジスタと自発光素子（ＳＥＤ）などを保護し、酸素および／または水分さらには異物が発光素子層（ＥＤＬ）に浸透することを防止する役割を兼ねることができる。一例による封止層１６０は、少なくとも一つの無機膜を含むことができる。そして、封止層１６０は、少なくとも一つの有機膜をさらに含むことができる。例えば、封止層１６０は、第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を含むことができる。

選択的に、封止層１６０は、ピクセル全体を囲む充填材に変更することができ、この場合、本出願に係る発光表示パネル１０は、充填材を媒介にして基板１００上に付着する封止基板１７０をさらに含む。封止基板１７０は、プラスチック材質、ガラス材質、または金属材質からなることができる。前記充填材は、酸素および／または水分などを吸収するゲッター物質を含むことができる。

さらに、本明細書に係る表示パネルは、カラーフィルタ層（ＣＦＬ）をさらに含むことができる。カラーフィルタ層（ＣＦＬ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれで白色光が放出される場合に適用することができる。

カラーフィルタ層（ＣＦＬ）は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のうち、第１、第３、及び第４サブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３、ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ、ＥＰｇ）と重畳するように配置することができる。カラーフィルタ層（ＣＦＬ）は、基板１００とオーバーコート層１４０の間に設けることができる。例えば、カラーフィルタ層（ＣＦＬ）は、パッシベーション層１３０とオーバーコート層１４０の間に介在することができる。

カラーフィルタ層（ＣＦＬ）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の赤色発光部（ＥＰｒ）と重畳する赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の青色発光部（ＥＰｂ）と重畳する青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、及び第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の緑色発光部（ＥＰｇ）と重畳する緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）を含むことができる。

赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、および緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）それぞれは、該当する発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ、ＥＰｇ）よりも大きい大きさを有し、若しくは広い大きさを有することができる。例えば、赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、および緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）それぞれは、隣接する他のサブピクセル領域から入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）する光漏れ現象を防止または最小化するために、該当する発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ、ＥＰｇ）よりも大きい大きさを有し、若しくは広い大きさを有することができる。

赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、および緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）それぞれの先端は、該当する発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ、ＥＰｇ）を挟んで互いに隣接した第１および第２金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）それぞれと重畳することができる。一例によると、赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、および緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）それぞれの先端は、隣接した金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ）上に位置することができる。

一例に係る赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）、および緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）それぞれは、発光素子層（ＥＤＬ）から基板１００の方に放出される光にしたがって再発光してサブピクセルに設定された色相の光を放出する大きさを有する量子ドットを含むことができる。この場合、赤色カラーフィルタ（ＣＦｒ）は、長波長領域の光に対する透過率（または出光率）が減少することができるように、赤色量子ドットを含有しないか、長波長光の少なくとも一部を吸収する長波長吸収物質（または染料）をさらに含むことができる。例えば、長波長吸収物質は、６２０ｎｍ～７００ｎｍの波長を吸収することにより、長波長領域の光の透過率（または出光率）を減少させて色温度を上昇させることができる。

さらに、本明細書に係る発光表示装置は、基板１００の背面（または光抽出面）１００ａに付着した偏光フィルム１８０をさらに含むことができる。偏光フィルム１８０は、表示領域に配置されたトランジスタおよび／またはラインなどにより反射した外部光を円偏光状態に変更して、発光表示装置の視認性とコントラスト比を向上させる。例えば、偏光フィルム１８０は、円偏光フィルムで具現することができる。

図５は、本明細書の一例に係る第１サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ１部分の拡大図であり、図６は、図５に示したＡ部分の拡大図である。

図２～図６を参照すると、本明細書の一例に係る第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）と第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の間に対応する光放出領域（ＬＯＡ）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（ＰＦＡ）、および凸凹パターン部１５０上に配置された赤色発光部（ＥＰｒ）を含むことができる。

光放出領域（ＬＯＡ）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）に配置された第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）と第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の間に配置することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）中の凸凹パターン部１５０が配置される領域として定義することができる。このようなパターン形成領域（ＰＦＡ）は、光放出領域（ＬＯＡ）と実質的に同じ大きさを有することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）の先端とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の間の境界部（ＢＰ）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）と第４ｉ－３のデータライン（ＤＬ４ｉ－３）それぞれの第１側面（ＳＳ１）にそれぞれ位置するか、実質的に整列することができる。これにより、凸凹パターン部１５０の大きさは、光放出領域（ＬＯＡ）の大きさと実質的に同一にすることができる。

赤色発光部（ＥＰｒ）は、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。例えば、赤色発光部（ＥＰｒ）は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）（または第１金属ライン）と第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）（又は第２金属ライン）の間に配置することができる。

一例による赤色発光部（ＥＰｒ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０上に配置することにより、凸凹パターン部１５０の表面形状に対応する凸凹形状の表面形状を有することができる。

一例に係る発光素子層（ＥＤＬ）は、第１アノード電極（ＡＥ１）、自発光素子（ＳＥＤ）、およびカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

第１アノード電極（ＡＥ１）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）に配置されている凸凹パターン部１５０上に配置することができる。このような第１アノード電極（ＡＥ１）は、パターン形成領域（ＰＦＡ）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）に配置された第１アノード電極（ＡＥ１）の大きさは、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。一例による第１アノード電極（ＡＥ１）の先端は、凸凹パターン部１５０に含まれた複数の凹部１５３のうち最外郭の凹部１５３ｏに位置することができる。例えば、第１アノード電極（ＡＥ１）の先端は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接したサブピクセルの領域に配置されたアノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）と電気的に分離するために、複数の凹部１５３中の最外郭凹部１５３ｏの底面に位置することができるが、必ずしもこれに限定されず、アノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）と電気的に分離することができる範囲内で最外郭の凹部１５３ｏの傾斜面に位置することもできる。

第１方向（Ｘ）を基準に、第１アノード電極（ＡＥ１）の先端と隣接するサブピクセルの領域に配置されたアノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）間の領域は、非発光領域（ＮＥＰ）と定義することができる。

第１アノード電極（ＡＥ１）は、凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に従う形状を含むことができる。例えば、第１アノード電極（ＡＥ１）は、相対的薄い厚さを有するようにオーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０上に形成（または蒸着）されるので、凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿った表面形状を有することができる。これにより、第１アノード電極（ＡＥ１）は、透明導電性物質の蒸着工程により凸凹パターン部１５０の表面形状をそのまま沿う等角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）形態で具現することができる。

自発光素子（ＳＥＤ）は、第１アノード電極（ＡＥ１）上に形成して、第１アノード電極（ＡＥ１）と直接に接触することができる。一例による自発光素子（ＳＥＤ）は、第１アノード電極（ＡＥ１）対比、相対的に厚い厚さを有するように形成（または蒸着）することによって、第１アノード電極（ＡＥ１）の表面形状とは異なる表面形状を有することができる。そして、自発光素子（ＳＥＤ）は、パターン形成領域（ＰＦＡ）のうち、第１アノード電極（ＡＥ１）が配置されない領域でオーバーコート層１４０と直接に接触し、これにより、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の第１領域（Ａ１）で凸凹パターン部１５０の端部は、非発光領域（ＮＥＰ）であり得る。

一例に係る自発光素子（ＳＥＤ）は、凸凹パターン部１５０の凸部１５１の頂部を含む上部領域（ＵＡ）で第１厚さ（ｔ１）を有し、凹部１５３の底部を含む下部領域（ＤＡ）で第１厚さ（ｔ１）よりも厚い第２厚さ（ｔ２）を有することができる。これにより、自発光素子（ＳＥＤ）は、厚さ（ｔ１、ｔ２）にしたがって有効発光領域と非有効発光領域を有することができる。自発光素子（ＳＥＤ）の有効発光領域は、相対的に強い発光が発生する領域であり、凸部１５１の上部領域（ＵＡ）に設定することができ、自発光素子（ＳＥＤ）の非有効発光領域は、相対的弱い発光が発生し、若しくは発光が発生しない領域であって、凸部１５１の下部領域（ＤＡ）に設定することができる。したがって、凸部１５１の直径と高さは、消費電力と発光効率などに基づいて、凸部１５１の下部領域（ＤＡ）で発光が発生せず、凸部１５１の上部領域（ＵＡ）のみで発光が発生することができるように構成することができる。

カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）上に形成して自発光素子（ＳＥＤ）と直接に接触することができる。一例によるカソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）に比べて相対的に薄い厚さを有するように自発光素子（ＳＥＤ）上に形成（または蒸着）することができる。これにより、カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）の表面形状をそのまま沿う等角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）形態で構成することができる。

このように、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）または第１サブピクセル１２ａは、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさの赤色発光部（ＥＰｒ）を含むことにより、白色光の赤色光の寄与度を減らして白色光の色温度を増加させることができる。

図７は、本明細書の一例に係る第２サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ２部分の拡大図である。

図２、図３、及び図７を参照すると、本明細書の一例に係る第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）間に対応する光放出領域（ＬＯＡ）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（ＰＦＡ）、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの上に配置された平坦部１４１、および凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置された白色発光部（ＥＰｗ）を含むことができる。

光放出領域（ＬＯＡ）は、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の第１領域（Ａ１）に配置された第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の間に配置することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）は、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の第１領域（Ａ１）中の凸凹パターン部１５０が配置される領域として定義することができる。このようなパターン形成領域（ＰＦＡ）は、光放出領域（ＬＯＡ）と実質的に同じ大きさを有することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）の先端とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の間の境界部（ＢＰ）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）のそれぞれの第１側（ＳＳ１）にそれぞれ位置するか、実質的に整列することができる。これにより、凸凹パターン部１５０の大きさは、光放出領域（ＬＯＡ）の大きさと実質的に同一であり得る。

白色発光部（ＥＰｗ）は、凸凹パターン部１５０よりも大きい大きさを有することができる。一例による白色発光部（ＥＰｗ）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）（又は第１金属ライン）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）（または第２金属ライン）の間に配置することができる。例えば、白色発光部（ＥＰｗ）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）それぞれを覆うオーバーコート層１４０に配置された平坦部１４１および凸凹パターン部１５０上に配置され、これにより、白色発光部（ＥＰｗ）は、平坦部１４１の大きさだけ凸凹パターン部１５０よりも大きい大きさを有することができる。

第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置されたオーバーコート層１４０の平坦部１４１は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）上に配置された第１平坦部１４１ａ、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に配置された第２平坦部１４１ｂを含むことができる。

一例による白色発光部（ＥＰｗ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、および平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。

第１発光部（ＥＰ１）は、凸凹パターン部１５０上に配置することにより、凸凹パターン部１５０の表面形状に対応する表面形状を有することができる。第２発光部（ＥＰ２）は、平坦部１４１上に配置することにより、平坦部１４１の表面形状に対応する表面形状を有することができる。

一例による白色発光部（ＥＰｗ）は、オーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置された発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することにより、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１の表面形状に対応する凸凹形状と平坦面形態を含む表面形状を有することができる。

一例に係る発光素子層（ＥＤＬ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）、自発光素子（ＳＥＤ）、およびカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

第２アノード電極（ＡＥ２）は、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）に対応するオーバーコート層１４０上に配置することができる。第２アノード電極（ＡＥ２）は、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の第１領域（Ａ１）に配置されている凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することができる。第２アノード電極（ＡＥ２）は、パターン形成領域（ＰＦＡ）よりも大きい大きさを有することができる。すなわち、第２アノード電極（ＡＥ２）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１全体を覆うように配置され、これにより、第２アノード電極（ＡＥ２）の大きさは、凸凹パターン部１５０よりも平坦部１４１の大きさだけ大きい大きさを有することができる。

一例による第２アノード電極（ＡＥ２）の先端は、第１方向（Ｘ）に隣接した第１および第３サブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３）それぞれの凸凹パターン部１５０に連結した平坦部１４１に位置することができる。

平坦部１４１の第１平坦部１４１ａ上に配置された第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の第１側面（ＳＳ１）に位置するか、実質的に整列することができる。つまり、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端は、第１方向（Ｘ）に隣接した第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の凸凹パターン部１５０に連結した第１平坦部１４１ａの先端に配置することができる。これにより、第２アノード電極（ＡＥ２）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された第１アノード電極（ＡＥ１）と、電気的に分離することができる。

平坦部１４１の第２平坦部１４１ｂ上に配置された第２アノード電極（ＡＥ２）の第２端は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に隣接するリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第２面（ＳＳ２）に位置するか、実質的に整列することができる。つまり、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端は、第１方向（Ｘ）に隣接した第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の凸凹パターン部１５０に連結した第２平坦部１４１ｂの先端に配置することができる。これにより、第２アノード電極（ＡＥ２）は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された第３アノード電極（ＡＥ３）と電気的に分離することができる。

図７では、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端が第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の第１側面（ＳＳ１）に位置することを示して説明したが、必ずしもこれに限定されない。例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）上に位置することもできる。

第２アノード電極（ＡＥ２）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１のそれぞれと直接に接触するため、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１のそれぞれの表面形状に沿う形状を含むことができる。このような第２アノード電極（ＡＥ２）は、白色発光部（ＥＰｗ）の凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置されることを除いては、第１アノード電極（ＡＥ１）と実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

自発光素子（ＳＥＤ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）上に形成して第２アノード電極（ＡＥ２）と直接に接触することができる。一例による自発光素子（ＳＥＤ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）対比、相対的に厚い厚さを有するように形成（または蒸着）することで、第２アノード電極（ＡＥ２）の表面形状とは異なる表面形状を有することができる。

カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）上に形成して自発光素子（ＳＥＤ）と直接に接触することができる。一例によるカソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）に対比、相対的に薄い厚さを有するように自発光素子（ＳＥＤ）上に形成（または蒸着）することができる。これにより、カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）の表面形状をそのまま沿う等角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）形態で配置することができる。

このように、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）または第２サブピクセル１２ｂは、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）とオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことにより、第２発光部（ＥＰ２）から発生する光（Ｌ２）によって白色光の色温度が増加することができ、さらに発光表示装置の青色効率を増加させることができる。

例えば、第１発光部（ＥＰ１）の発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第１光（Ｌ１）は、凸凹パターン部１５０によって反射し、基板１００の方に抽出（または出光）することができる。これと共に、第２発光部（ＥＰ２）の発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第２光（Ｌ２）は、データライン（ＤＬ４ｉ－３、ＤＬ４ｉ－２）および／またはリファレンス電圧ライン（ＲＬ）によって反射して凸凹パターン部１５０の方に進行した後、凸凹パターン部１５０によって再び反射して、基板１００の方に抽出（または出光）することができる。ここで、第２発光部（ＥＰ２）の平坦構造で配置された発光素子層（ＥＤＬ）は、青色ピーク波長が相対的に高い色温度を有する昼光色（ｃｏｏｌ ｗｈｉｔｅ）の第２光（Ｌ２）を放出することができる。したがって、白色発光部（ＥＰｗ）は、第１発光部（ＥＰ１）の発光スペクトルによる第１光（Ｌ１）と第２発光部（ＥＰ２）の発光スペクトルによる第２光（Ｌ２）が混合した白色光（Ｌ１＋Ｌ２）を基板１００の方に放出することができ、これにより白色光の光取り出し効率と色温度を増加することができる。

比較例によると、白色発光部（ＥＰｗ）に配置された第１発光部（ＥＰ１）が凸凹構造を有さず、第２発光部（ＥＰ２）と同じ平坦構造を有するとき、第２発光部（ＥＰ２）で発生した光（Ｌ２）は、発光領域（ＬＯＡ）の方に反射して進行する進行角度が大きく、繰り返し全反射して基板１００の方に出光されず、内部に閉じ込めることができる。これにより、比較例は、基板１００の方に出光されない第２光（Ｌ２）を発生する第２発光部（ＥＰ２）の発光により、電流の損失が発生し得る。一方、本例によると、第２発光部（ＥＰ２）で発生して全反射角度で進行する第２光（Ｌ２）が、第１発光部（ＥＰ１）に配置された凸凹パターン部１５０によって基板１００の方に出光され得、これにより、電流の損失を防止し、若しくは最小化することができる。

図８は、本明細書の一例に係る第３サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ３部分の拡大図である。

図２、図３、図８を参照すると、本明細書の一例に係る第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の間に対応する光放出領域（ＬＯＡ）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（ＰＦＡ）、および凸凹パターン部１５０上に配置された青色発光部（ＥＰｂ）を含むことができる。

光放出領域（ＬＯＡ）は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第１領域（Ａ１）に配置されたリファレンス電圧ライン（ＲＬ）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の間に配置することができる。このような光放出領域（ＬＯＡ）の大きさは、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）から放出される白色光の色温度の増加に基づいて設定することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第１領域（Ａ１）中の凸凹パターン部１５０が配置される領域として定義することができる。このようなパターン形成領域（ＰＦＡ）は、光放出領域（ＬＯＡ）と実質的に同じ大きさを有することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）の先端とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の間の境界部（ＢＰ）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第２側面（ＳＳ２）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）それぞれに位置するか、実質的に整列することができる。これにより、凸凹パターン部１５０の大きさは、光放出領域（ＬＯＡ）の大きさと実質的に同一にすることができる。

青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。例えば、青色発光部（ＥＰｂ）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）（または第１金属ライン）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）（または第２金属ライン）の間に配置することができる。

一例に係る青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０上に配置することにより、凸凹パターン部１５０の表面形状に対応する凸凹形状の表面形状を有することができる。

一例に係る発光素子層（ＥＤＬ）は、第３アノード電極（ＡＥ３）、自発光素子（ＳＥＤ）、およびカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第１領域（Ａ１）に配置されている凸凹パターン部１５０上に配置することができる。このような第３アノード電極（ＡＥ３）は、パターン形成領域（ＰＦＡ）よりも小さい大きさを有することができる。すなわち、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の第１領域（Ａ１）に配置された第３アノード電極（ＡＥ３）の大きさは、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさを有することができる。一例による第３アノード電極（ＡＥ３）の先端は、凸凹パターン部１５０に含まれた複数の凹部１５３のうち最外郭の凹部１５３ｏに位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の先端は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接するサブピクセルの領域に配置されたアノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）と電気的に分離するために、複数の凹部１５３中の最外郭の凹部１５３ｏの底面に位置することができるが、必ずしもこれに限定されず、隣接するアノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）と電気的に分離することができる範囲内で最外郭の凹部１５３ｏの傾斜面に位置することもできる。

第１方向（Ｘ）を基準に、第３アノード電極（ＡＥ３）の先端と隣接するサブピクセルの領域に配置されたアノード電極（ＡＥ２、ＡＥ４）の間の領域は、非発光領域（ＮＥＰ）で定義することができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）は、凸凹パターン部１５０と直接に接触するため、凸凹パターン部１５０の表面形状に沿う形状を含むことができる。このような第３アノード電極（ＡＥ３）は、赤色発光部（ＥＰｒ）の凸凹パターン部１５０上に配置されることを除いては、第１アノード電極（ＡＥ１）と実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

自発光素子（ＳＥＤ）は、第３アノード電極（ＡＥ３）上に形成され、第３アノード電極（ＡＥ３）と直接に接触することができる。カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）上に形成され、自発光素子（ＳＥＤ）と直接に接触することができる。このような赤色発光部（ＥＰｒ）に配置された自発光素子（ＳＥＤ）とカソード電極（ＣＥ）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された赤色発光部（ＥＰｒ）の自発光素子（ＳＥＤ）とカソード電極（ＣＥ）それぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このように、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）または第３サブピクセル１２ｃは、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）から放出される白色光の色温度の増加に基づいて、凸凹パターン部１５０よりも小さい大きさの青色発光部（ＥＰｂ）を含むことにより、寿命を延長することができる。

図９は、本明細書の一例に係る第４サブピクセル領域を説明するための図３に示したＢ４部分の拡大図である。

図２、図３、及び図９を参照すると、本明細書の一例に係る第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）は、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の間に対応する光放出領域（ＬＯＡ）、凸凹パターン部１５０に対応するパターン形成領域（ＰＦＡ）、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）それぞれの上に配置された平坦部１４１、および凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置された緑色発光部（ＥＰｇ）を含むことができる。

光放出領域（ＬＯＡ）は、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の第１領域（Ａ１）に配置された第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の間に配置することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）は、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の第１領域（Ａ１）中の凸凹パターン部１５０が配置される領域として定義することができる。このようなパターン形成領域（ＰＦＡ）は、光放出領域（ＬＯＡ）と実質的に同じ大きさを有することができる。

パターン形成領域（ＰＦＡ）の先端とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の間の境界部（ＢＰ）は、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）の第１側面（ＳＳ１）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の第２側面（ＳＳ２）にそれぞれ位置するか、実質的に整列することができる。これにより、凸凹パターン部１５０の大きさは、光放出領域（ＬＯＡ）の大きさと実質的に同一にすることができる。

緑色発光部（ＥＰｇ）は、凸凹パターン部１５０よりも大きい大きさを有することができる。一例による緑色発光部（ＥＰｇ）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）（または第１金属ライン）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）（または第２金属ライン）の間に配置することができる。例えば、緑色発光部（ＥＰｇ）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）及び第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）それぞれを覆うオーバーコート層１４０に配置された平坦部１４１と凸凹パターン部１５０上に配置され、これにより、緑色発光部（ＥＰｇ）は、平坦部１４１の大きさだけ凸凹パターン部１５０よりも大きい大きさを有することができる。

第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）に配置されたオーバーコート層１４０の平坦部１４１は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）上に配置された第１平坦部１４１ａ、及び第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）上に配置された第２平坦部１４１ｂを含むことができる。

一例による緑色発光部（ＥＰｇ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、および平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。

第１発光部（ＥＰ１）は、凸凹パターン部１５０上に配置することにより、凸凹パターン部１５０の表面形状に対応する表面形状を有することができる。第２発光部（ＥＰ２）は、平坦部１４１上に配置することにより、平坦部１４１の表面形状に対応する表面形状を有することができる。

一例による緑色発光部（ＥＰｇ）は、オーバーコート層１４０に配置された凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置された発光素子層（ＥＤＬ）を含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することにより、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１の表面形状に対応する凸凹形状と平坦面形態を含む表面形状を有することができる。

一例に係る発光素子層（ＥＤＬ）は、第４アノード電極（ＡＥ４）、自発光素子（ＳＥＤ）、およびカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

第４アノード電極（ＡＥ４）は、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）のオーバーコート層１４０上に配置することができる。第４アノード電極（ＡＥ４）は、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の第１領域（Ａ１）に配置されている凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置することができる。第４アノード電極（ＡＥ４）は、パターン形成領域（ＰＦＡ）よりも大きい大きさを有することができる。すなわち、第４アノード電極（ＡＥ４）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１全体を覆うように配置され、これにより、第４アノード電極（ＡＥ４）の大きさは、凸凹パターン部１５０よりも平坦部１４１の大きさだけ大きい大きさを有することができる。

一例に係る第４アノード電極（ＡＥ４）の先端は、第１方向（Ｘ）に隣接し、第３及び第１サブピクセル領域（ＳＰＡ３、ＳＰＡ１）それぞれの凸凹パターン部１５０に連結した平坦部１４１に位置することができる。

平坦部１４１の第１平坦部１４１ａ上に配置された第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）に位置するか、実質的に整列することができる。つまり、第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端は、第１方向（Ｘ）に隣接した第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の凸凹パターン部１５０に接続した第１平坦部１４１ａの先端に整列することができる。これにより、第４アノード電極（ＡＥ４）は、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された第３アノード電極（ＡＥ３）と電気的に分離することができる。

平坦部１４１の第２平坦部１４１ｂ上に配置された第４アノード電極（ＡＥ４）の第２先端は、隣接する第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の第２側面（ＳＳ２）に位置するか、または実質的に整列することができる。つまり、第４アノード電極（ＡＥ４）の第２先端は、第１方向（Ｘ）に隣接した第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の凸凹パターン部１５０に接続した第２平坦部１４１ｂの先端に整列することができる。これにより、第４アノード電極（ＡＥ４）は、以下の単位ピクセルの第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された第１アノード電極（ＡＥ１）と、電気的に分離することができる。

図９では、第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端が第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）に位置することを示して説明したが、必ずしもこれに限定されない。例えば、第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端は、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）上に位置することもできる。

第４アノード電極（ＡＥ４）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１のそれぞれと直接に接触するため、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１それぞれの表面形状に沿う形状を含むことができる。このような第４アノード電極（ＡＥ４）は、緑色発光部（ＥＰｇ）の凸凹パターン部１５０と平坦部１４１上に配置されることを除いては、第１アノード電極（ＡＥ１）と実質的に同じなので、これに重複説明は省略する。

自発光素子（ＳＥＤ）は、第４アノード電極（ＡＥ４）上に形成して第４アノード電極（ＡＥ４）と直接に接触することができる。カソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）上に形成して自発光素子（ＳＥＤ）と直接に接触することができる。このような緑色発光部（ＥＰｇ）に配置された自発光素子（ＳＥＤ）とカソード電極（ＣＥ）は、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された白色発光部（ＥＰｗ）の自発光素子（ＳＥＤ）とカソード電極（ＣＥ）のそれぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このように、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）または第４サブピクセル１２ｄは、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）とオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことにより、第２発光部（ＥＰ２）から発生する光（Ｌ４）によって緑色光の光取り出し効率が増加することができる。

例えば、第１発光部（ＥＰ１）の発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第３光（Ｌ３）は、凸凹パターン部１５０によって反射して、基板１００に方に抽出（または出光）することができる。これと共に、第２発光部（ＥＰ２）の発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第４光（Ｌ４）は、データライン（ＤＬ４ｉ－１、ＤＬ４ｉ）および／または第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）によって反射して凸凹パターン部１５０の方に進行した後、凸凹パターン部１５０によって反射し、緑色カラーフィルタ（ＣＦｇ）によってフィルタリングされて、基板１００の方に抽出（または出光）することができる。したがって、緑色発光部（ＥＰｇ）は、第１発光部（ＥＰ１）の発光スペクトルによる第３光（Ｌ３）と第２発光部（ＥＰ２）の発光スペクトルによる第４光（Ｌ４）が混合した緑色光を基板１００の方に放出することができ、これにより緑色光の光取り出し効率が増加して単位ピクセル１２の輝度が増加し得る。例えば、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の緑色発光部（ＥＰｇ）から放出される緑色光は、単位ピクセル１２に具現される白色輝度を高めるのに寄与するため、本例は、第２発光部（ＥＰ２）を介して緑色発光部（ＥＰｇ）の光取り出し効率を増加させ、これにより、単位ピクセル１２に具現される白色輝度を高めることができる。

図１０は、図１に示した他の例に係る単位ピクセルの発光部を示す図であり、図１１は、図１０に示した線ＩＩ－ＩＩ’の断面図で、これは図２～図９に示した単位ピクセルで第２および第３サブピクセル領域それぞれの発光部を変更して構成したものである。これにより、以下の説明では、第２および第３サブピクセル領域それぞれの発光部とこれに関連した構成に対してのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図２～図９と同一の符号を付与し、それに対応する重複説明は省略または簡略にする。

図１０及び図１１を参照すると、本明細書の他の例に係る単位ピクセル１２において、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）の第１側面（ＳＳ１）とリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第１側面（ＳＳ１）の間に配置された白色発光部（ＥＰｗ）を含むことができる。

白色発光部（ＥＰｗ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置されないで凸凹パターン部１５０に配置されることを除いては、図２及び図７に示した白色発光部（ＥＰｗ）と実質的に同じなので、第２アノード電極（ＡＥ２）を除いた残りの構成に対応する重複説明は省略、若しくは簡略にする。

第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、白色発光部（ＥＰｗ）に配置された凸凹パターン部１５０の最外郭凹部１５３ｏに位置することができる。例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接した第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された第３アノード電極（ＡＥ３）と電気的に分離するために、複数の凹部１５３のうち、最外郭の凹部１５３ｏの底面に位置することができるが、必ずしもこれに限定されず、第３アノード電極（ＡＥ３）と電気的に分離することができる範囲内で最外郭凹部１５３ｏの傾斜面に位置することもできる。

第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第１側面（ＳＳ１）と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）の間に配置された青色発光部（ＥＰｂ）を含むことができる。

青色発光部（ＥＰｂ）は、第３アノード電極（ＡＥ３）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に延長されたことを除いては、図２及び図８に示した青色発光部（ＥＰｂ）と実質的に同じなので、第３アノード電極（ＡＥ３）を除いた残りの構成に対応する重複説明は省略または簡略にする。

青色発光部（ＥＰｂ）の第３アノード電極（ＡＥ３）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）と重畳し、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）から離隔することができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第１側面（ＳＳ１）に位置するか、実質的に整列することができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）の第２先端（ＥＳ２）は、青色発光部（ＥＰｂ）に配置された凸凹パターン部１５０の最外郭凹部１５３ｏに位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の第２先端（ＥＳ２）は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接する第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）に配置された第４アノード電極（ＡＥ４）と電気的に分離するために、複数の凹部１５３のうち最外郭の凹部１５３ｏの底面に位置することができるが、必ずしもこれに限定されず、第４アノード電極（ＡＥ４）と電気的に分離することができる範囲内で最外郭凹部１５３ｏの傾斜面に位置することもできる。

第３アノード電極（ＡＥ３）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）と重畳して、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第１側面（ＳＳ１）から離隔するように配置することで、青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。

青色発光部（ＥＰｂ）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）それぞれは、白色発光部（ＥＰｗ）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）それぞれと実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

このような、第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の青色発光部（ＥＰｂ）は、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）およびオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことにより、第２発光部（ＥＰ２）から発生する光（Ｌ６）によって青色光の光取り出し効率を増加することができる。

例えば、青色発光部（ＥＰｂ）の第１発光部（ＥＰ１）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第５光（Ｌ５）は、凸凹パターン部１５０によって反射して基板１００の方に抽出（または出光）することができる。これと共に、青色発光部（ＥＰｂ）の第２発光部（ＥＰ２）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第６光（Ｌ６）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）によって反射し、凸凹パターン部１５０の方に進行した後、凸凹パターン部１５０によって再び反射して、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）によってフィルタリングされて、基板１００の方に抽出（または出光）することができる。したがって、青色発光部（ＥＰｂ）は、第１発光部（ＥＰ１）の発光スペクトルによる第５光（Ｌ５）と第２発光部（ＥＰ２）の発光スペクトルによる第６光（Ｌ６）が混合した青色光を基板１００の方に放出することができ、これにより青色光の光取り出し効率が増加して白色映像の色温度を増加することができる。例えば、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の青色発光部（ＥＰｇ）から放出される青色光は、単位ピクセル１２に具現される白色映像の色温度を高めることに寄与するため、本例は、第２発光部（ＥＰ２）を介して、青色発光部（ＥＰｂ）の光取り出し効率を増加させ、これにより、単位ピクセル１２に具現される白色映像の色温度を高めることができる。

このような、本明細書の他の例に係る単位ピクセル１２を含む発光表示装置は、図２～図９に示した一例による単位ピクセル１２を含む発光表示装置と比較して青色発光部（ＥＰｂ）の光取り出し効率を増加することができ、これにより白色映像の色温度を増加することができる。

図１２は、図１に示したまた別の例に係る単位ピクセルの発光部を示す図であり、図１３は、図１２に示した線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図で、これは図１０及び図１１に示した単位ピクセルで白色発光部と青色発光部および緑色発光部それぞれに配置されたアノード電極の先端の位置を変更して構成したものである。これにより、以下の説明では、白色発光部と青色発光部および緑色発光部それぞれのアノード電極とこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成に対しては、図２～図１１と同一の符号を付与して、それに対応する重複説明は省略または簡略にする。

図１２及び図１３を参照すると、本明細書のまた別の例に係る単位ピクセル１２において、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の白色発光部（ＥＰｗ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に位置するか、整列されることを除いては、図２及び図７に示した白色発光部（ＥＰｗ）と実質的に同じなので、第２アノード電極（ＡＥ２）を除いた残りの構成に対応する重複説明は省略または簡略にする。

第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置することができる。例えば、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）が第１側（ＳＳ１）と第２側（ＳＳ２）の間の中間部を有するとき、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の第１側面（ＳＳ１）と中間部の間に位置するか、整列することができる。

第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の青色発光部（ＥＰｒ）は、第３アノード電極（ＡＥ３）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の少なくとも一部と凸凹パターン部１５０及び第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）を覆うようにオーバーコート層１４０の平坦部１４１と凸凹パターン部１５０上に配置することを除いては、図２及び図７に示した青色発光部（ＥＰｂ）と実質的的に同じなので、第３アノード電極（ＡＥ３）を除いた残りの構成に対応する重複説明は省略または簡略にする。

第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の中間部と、第１側（ＳＳ１）の間に位置するか、整列することができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）の第２先端（ＥＳ２）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の第２先端（ＥＳ２）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第２側面（ＳＳ２）に位置するか、整列することができる。

第３アノード電極（ＡＥ３）がリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一部と重畳して、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と重畳することで、青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一部と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）のそれぞれを覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。

青色発光部（ＥＰｂ）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）それぞれは、白色発光部（ＥＰｗ）の第１発光部（ＥＰ１）と第２発光部（ＥＰ２）それぞれと実質的に同じなので、これに対応する重複説明は省略する。

青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一部と第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）のそれぞれを覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことにより、図１０及び図１１に示した青色発光部（ＥＰｂ）と比較して、第２発光部（ＥＰ２）で発生する光（Ｌ８）によって青色光の光取り出し効率をさらに増加することができる。

例えば、青色発光部（ＥＰｂ）の第１発光部（ＥＰ１）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第７光（Ｌ７）は、凸凹パターン部１５０によって反射して基板１００の方に抽出（または出光）することができる。これと共に、青色発光部（ＥＰｂ）の第２発光部（ＥＰ２）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）で発生する第８光（Ｌ８）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一部によって反射して凸凹パターン部１５０の方に進行した後、凸凹パターン部１５０によって反射して、青色カラーフィルタ（ＣＦｂ）によってフィルタリングされて、基板１００の方に抽出（または出光）することができる。したがって、青色発光部（ＥＰｂ）は、第１発光部（ＥＰ１）の発光スペクトルによる第７光（Ｌ７）と第２発光部（ＥＰ２）の発光スペクトルによる第８光（Ｌ８）が混合した青色光を基板１００の方に放出することができ、これにより青色光の光取り出し効率をさらに増加して白色映像の色温度をさらに増加することができる。

第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の緑色発光部（ＥＰｇ）は、第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端（ＥＳ１）が第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）上に位置するか、整列されることを除いては、図２及び図７に示した緑色発光部（ＥＰｇ）と実質的に同じなので、第４アノード電極（ＡＥ４）を除いた残りの構成に対応する重複説明は省略または簡略にする。

第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）を覆うオーバーコート層１４０の平坦部１４１上に配置することができる。例えば、第４アノード電極（ＡＥ４）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）の第２側面（ＳＳ２）に隣接する第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）の第２側面（ＳＳ）に位置するか、整列することができる。

このように、本明細書のまた他の例に係る単位ピクセル１２を含む発光表示装置は、図１０及び図１１に示した他の例に係る単位ピクセル１２を含む発光表示装置と比較して、青色発光部（ＥＰｂ）の光取り出し効率をさらに増加することができ、これにより白色映像の色温度をさらに増加することができる。

図１４は、図２に示した線Ｉ－Ｉ’の他の断面図であって、これは、図２～図１３に示したオーバーコート層の平坦部にグルーブパターンを追加で構成し、各サブピクセルのアノード電極の先端の位置を変更して構成したものである。これにより、以下の説明では、オーバーコート層のホーム部とこれに関連する構成についてのみ説明することにして、残りの構成には図２～図９と同一の符号を付与し、それに対応する重複説明は省略または簡略にする。

図２および図１４を参照すると、本例に係る発光表示装置で、オーバーコート層１４０は、凸凹パターン部１５０、平坦部１４１、およびホーム部１４５を含むことができる。

凸凹パターン部１５０は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）それぞれの発光部（ＥＰ）に配置するもので、これは、前述したのと実質的に同じなので、これに対応する重複説明は省略する。

平坦部１４１は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）に配置された金属ライン（ＰＬ、ＤＬ、ＲＬ、ＧＬ）上に配置することができる。例えば、平坦部１４１は、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）のそれぞれに配置された凸凹パターン部１５０上に平面構造で具現することができる。

ホーム部１４５は、平坦部１４１から凹な形態で具現することができる。ホーム部１４５は、凸凹パターン部１５０と一緒に構成することができる。

一例によると、ホーム部１４５は、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）を覆う平坦部１４１から第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の方に凹に形成することができる。ホーム部１４５は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）を覆う平坦部１４１から第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）間に凹に形成することができる。ホーム部１４５は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆う平坦部１４１からリファレンス電圧ライン（ＲＬ）の方に凹に形成することができる。ホーム部１４５は、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）を覆う平坦部１４１から第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）の間に凹に形成することができる。

一例に係るホーム部１４５は、数百ナノメートルから数百マイクロメートルの幅を有することができ、オーバーコート層１４０の厚さと同じ深さを有したりオーバーコート層１４０の厚さよりも浅い深さを有することができる。基板１００とホーム部１４５間の最短距離は、凸凹パターン部１５０の凹部１５３と基板１００間の距離よりも近いことができる。ホーム部１４５の底面は、パッシベーション層１３０の上面と凹部１５３の底面の間に位置することができる。例えば、ホーム部１４５がオーバーコート層１４０の厚さと同じ深さを有するとき、ホーム部１４５の底面はパッシベーション層１３０の上面であることができる。

ホーム部１４５は、隣接するサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）の発光部（ＥＰ）の間に配置された傾斜面を含むことができる。ホーム部１４５の傾斜面は、隣接する発光部（ＥＰ）から入射する光を反射させることで、隣接するサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）間の混色を防止することができる。また、ホーム部１４５は、隣接するサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）に配置されたアノード電極が電気的に分離される領域であって、電極分離部として理解することができる。

ホーム部１４５上に配置された発光素子層（ＥＤＬ）は、ホーム部１４５の形態に対応するホームを含むことができる。例えば、発光素子層（ＥＤＬ）は傾斜面と底面、および傾斜面と底面に囲まれるＵ字形態のホームを含むことができる。

第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）上に配置された平坦部１４１は、ホーム部１４５を間に置いて互いに平行な第１平坦部１４１ｃと第２平坦部１４１ｄを含むことができる。この場合、第１平坦部１４１ｃは、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の一側と重畳してホーム部１４５の一側と以前単位ピクセル１２に配置された第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の凸凹パターン部１５０の間に整列することができる。第２平坦部１４１ｄは、第２ｊ－１ピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ－１）の他側と重畳してホーム部１４５の他側と第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。

第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）上に配置された平坦部１４１は、ホーム部１４５を間に置いて互いに平行な第１平坦部１４１ｃと第２平坦部１４１ｄを含むことができる。この場合、第１平坦部１４１ｃは、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）と重畳し、ホーム部１４５の一側と第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。第２平坦部１４１ｄは、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）と重畳し、ホーム部１４５の他側と第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。

リファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に配置された平坦部１４１は、ホーム部１４５を間に置いて互いに平行な第１平坦部１４１ｃと第２平坦部１４１ｄを含むことができる。この場合、第１平坦部１４１ｃは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の一側と重畳してホーム部１４５の一側と第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。第２平坦部１４１ｄは、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）の他側と重畳してホーム部１４５の他側と第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。

第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）上に配置された平坦部１４１は、ホーム部１４５を間に置いて互いに平行な第１平坦部１４１ｃと第２平坦部１４１ｄを含むことができる。この場合、第１平坦部１４１ｃは、第４ｉ－１データライン（ＤＬ４ｉ－１）と重畳し、ホーム部１４５の一側と第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。第２平坦部１４１ｄは、第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と重畳し、ホーム部１４５の他側と第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。

第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）上に配置された平坦部１４１は、ホーム部１４５を間に置いて互いに平行な第１平坦部１４１ｃと第２平坦部１４１ｄを含むことができる。この場合、第１平坦部１４１ｃは、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の一側と重畳してホーム部１４５の一側と第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の凸凹パターン部１５０の間に配置することができる。第２平坦部１４１ｄは、第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）の他側と重畳してホーム部１４５の他側と、次の単位ピクセル１２に配置された第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の凸凹パターン部１５０と連結することができる。

一例によると、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）は、オーバーコート層１４０に具現された凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびオーバーコート層１４０に具現されたホーム部１４５の少なくとも一部と平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。そして、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）を除いた残りのサブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ３）は、オーバーコート層１４０に具現された凸凹パターン部１５０上に配置された一つの発光部（ＥＰｒ、ＥＰｂ）だけを含むことができる。

一例によると、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０と平坦部１４１およびホーム部１４５を含むオーバーコート層１４０の表面形状と対応する表面形状を有することができる。例えば、複数のサブピクセル領域（ＳＰＡ１～ＳＰＡ４）中の一部のサブピクセル領域（ＳＰＡ２、ＳＰＡ４）に配置された発光素子層（ＥＤＬ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された凸凹構造、平坦部１４１上に配置された平面構造、およびホーム部１４５の少なくとも一部に配置された曲面構造を含むことができる。

図１５は、図１４に示したＢ５部分の拡大図であり、図１６は、図１４に示したＢ６部分の拡大図であり、これは第２サブピクセル領域に配置された白色発光部を説明するための図である。

図１４～図１６を参照すると、一例に係る第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された白色発光部（ＥＰｗ）は、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびオーバーコート層１４０に具現されたホーム部１４５の少なくとも一部と平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。このような白色発光部（ＥＰｗ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）及び第２先端（ＥＳ２）それぞれが、隣接したホーム部１４５の少なくとも一部に位置することを除いては、図２及び図７に示した白色発光部（ＥＰｗ）と実質的に同じなので、第２アノード電極（ＡＥ２）を除いた残りの構成に対する重複説明は省略または簡略にする。

第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）（または第１金属ラインまたは第２金属信号ライン）上に配置されたホーム部１４５の少なくとも一部に位置することができる。第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）を覆う平坦部１４１の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に位置することができる。例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉ－２データライン（ＤＬ４ｉ－２）の第１側面（ＳＳ１）に整列されるように、第２平坦部１４１ｄに連結したホーム部１４５の傾斜面に位置するか、ホーム部１４５の底面に位置することができる。

第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）（または第２金属ライン）上に配置されたホーム部１４５の少なくとも一部に位置することができる。第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆う平坦部１４１の第１平坦部１４１ｃとホーム部１４５の底面の間に位置することができる。例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、第１平坦部１４１ｃに連結したホーム部１４５の傾斜面に位置するか、ホーム部１４５の底面に位置することができる。

第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に配置された第１アノード電極（ＡＥ１）の第２先端（ＥＳ２）と第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）に配置された第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）の間は、アノード電極（ＡＥ１、ＡＥ２）が配置されないため、非発光部（ＮＥＰ）として定義することができる。

発光素子層（ＥＤＬ）の自発光素子（ＳＥＤ）は、第２アノード電極（ＡＥ２）とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の一部およびホーム部１４５の一部と直接に接触することにより第２アノード電極（ＡＥ２）とオーバーコート層１４０の平坦部１４１の一部およびホーム部１４５の一部に対応する表面形状を有するように具現することができる。自発光素子（ＳＥＤ）は、オーバーコート層１４０のホーム部１４５に対応する凹ホーム（ＥＤＬａ）を含むことができる。

発光素子層（ＥＤＬ）のカソード電極（ＣＥ）は、自発光素子（ＳＥＤ）の表面形状をそのまま沿う形状を有するように具現することができる。ここで、カソード電極（ＣＥ）は、オーバーコート層１４０のホーム部１４５に対応する凹ホーム（ＥＤＬａ）を含むことができる。このようなカソード電極（ＣＥ）のホーム部（ＥＤＬａ）は、第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）と第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）のそれぞれから入射する光漏れ成分を反射させて、該当するサブピクセル領域（ＳＰＡ１、ＳＰＡ２）の方に再び進行させることで、隣接するサブピクセルの領域から入射する光漏れ成分が基板１００の方に抽出（または出光）する光漏れ現象を最小化または防止することができる。これにより、カソード電極（ＣＥ）のホーム部（ＥＤＬａ）は、反射電極の役割を兼ねることができる。

一方、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）と第２先端（ＥＳ２）のそれぞれは、ホーム部１４５の一部の上に位置しない。すなわち、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）は、第４ｉ－３データライン（ＤＬ４ｉ－３）を覆うオーバーコート層１４０の第１平坦部１４１ｃとホーム部１４５の底面の間に位置しない。また、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に位置しない。

例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）がホーム部１４５全体を覆うように配置されるとき、ホーム部１４５上に発光部を具現することができる。しかし、オーバーコート層１４０の第１平坦部１４１ｃとホーム部１４５の底面の間に具現された発光部で発生した光は、ホーム部１４５によって第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の方に進行できず第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）の方に反射することにより、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）から第１サブピクセル領域（ＳＰＡ１）に入射する光漏れ成分として作用し、第１サブピクセル１２ａの輝度と色再現率を低下させ得る。このような前記の光漏れ成分を防ぐために、第２アノード電極（ＡＥ２）の第１先端（ＥＳ１）は、オーバーコート層１４０の第１平坦部１４１ｃとホーム部１４５の底面の間に位置せずに、オーバーコート層１４０の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に位置する。

例えば、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）が、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に配置されたホーム部１４５全体を覆うように配置されるとき、ホーム部１４５上に発光部を具現することができる。しかし、オーバーコート層１４０の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に具現された発光部で発生した光は、ホーム部１４５によって第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）の方に進行できずに第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）の方に反射することにより、第２サブピクセル領域（ＳＰＡ２）から第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に入射する光漏れ成分として作用し、第３サブピクセル１２ｃの輝度と色再現率を低下させ得る。このような前記の光漏れ成分を防ぐために、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）は、オーバーコート層１４０の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に位置せず、オーバーコート層１４０の第１平坦部１４１ｃとホーム部１４５の底面の間に位置する。

本例に係る第４サブピクセル領域（ＳＰＡ４）に配置された緑色発光部（ＥＰｇ）は、オーバーコート層１４０の凸凹パターン部１５０に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびオーバーコート層１４０に具現されたホーム部１４５の少なくとも一部と平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。このような緑色発光部（ＥＰｇ）は、第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端が第４ｉデータライン（ＤＬ４ｉ）と第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）上に配置されたホーム部１４５の少なくとも一部に位置して、第３アノード電極（ＡＥ３）の第２先端が第２ｊピクセル駆動電圧ライン（ＰＬ２ｊ）上に配置されたホーム部１４５の少なくとも一部に位置することを除いては、前述した白色発光部（ＥＰｗ）と実質的に同じなので、これに対する説明は省略する。

図１７は、図１４に示したＢ６部分の他の拡大図であって、これは、図１４と図１６に示した第３サブピクセル領域に配置された第３アノード電極の構造を変更したものである。これにより、以下では、第３アノード電極および、これらと関連した構成に対してのみ説明することにして、残りの構成に対応する重複説明は省略または簡略にする。

図１２及び図１７を参照すると、一例による第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された青色発光部（ＥＰｂ）の第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に配置されたホーム部１４５の少なくとも一部に位置することができる。第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、リファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆う平坦部１４１の第２平坦部１４１ｄとホーム部１４５の底面の間に位置することができる。例えば、第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）は、第２平坦部１４１ｄに連結したホーム部１４５の傾斜面に位置するか、ホーム部１４５の底面に位置することができる。これにより、第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された青色発光部（ＥＰｂ）は、凸凹パターン部１５０上に配置された第１発光部（ＥＰ１）、およびリファレンス電圧ライン（ＲＬ）を覆うオーバーコート層１４０に具現されたホーム部１４５の少なくとも一部と平坦部１４１上に配置された第２発光部（ＥＰ２）を含むことができる。このような青色発光部（ＥＰｂ）は、第２発光部（ＥＰ２）の一部がホーム部１４５上に位置することを除いては、図１２及び図１３に示した青色発光部（ＥＰｂ）と実質的に同じなので、これに対する重複説明は省略する。

リファレンス電圧ライン（ＲＬ）上に配置された第２アノード電極（ＡＥ２）の第２先端（ＥＳ２）と第３サブピクセル領域（ＳＰＡ３）に配置された第３アノード電極（ＡＥ３）の第１先端（ＥＳ１）の間には、アノード電極（ＡＥ２、ＡＥ３）が配置されないため、非発光部（ＮＥＰ）として定義することができる。

図１８は、本明細書の一例に係る白色サブピクセルの第１発光部と第２発光部に対する波長別の強度を示すグラフである。図１８において、点線は、第１発光部の波長別の強度（または強さ）を示し、実線は第２発光部の波長別の強度（または強さ）を示す。

図１８で分かるように、本明細書の一例に係る白色サブピクセルの第２発光部から発生する光は、第１発光部と対比して青色波長の強度が大きく増加して黄緑色波長の強度が大きく低い発光スペクトルを有することが分かる。これにより、白色サブピクセルの第２発光部から発生する光は、黄緑色波長の強度対比青色波長の強度が上昇し、高い色温度を有する光が放出されることが分かる。たとえば、白色光を発生する自発光素子が第１青色有機発光層と黄緑色有機発光層および第２青色有機発光層に積層された構造を有するとき、第２発光部では、黄緑色共振ピークが青色ピーク波長に移動することにより、相対的に高い色温度を有する昼光色（ｃｏｏｌ ｗｈｉｔｅ）の光が放出されることが分かる。

図１９は、本明細書の一例による白色サブピクセルと比較例に係る白色サブピクセルに対する波長別の強度を示すグラフである。図１９において、点線は比較例に係る白色サブピクセルの波長別の強度（または強さ）を示す。実線は、本明細書の一例に係る白色サブピクセルの波長別の強度（または強さ）を示す。比較例に係る白色サブピクセルは、凸凹パターン部上に配置された一つの発光部のみを含み、本明細書による白色サブピクセルは、凸凹パターン部上に配置された第１発光部と平坦部上に配置された第２発光部を含む。

図１９から分かるように、本明細書による白色サブピクセルから放出される光は、比較例に係る白色サブピクセルと対比して、青色波長の強度が大幅に増加して黄緑色波長の強度が大きく低い発光スペクトルを有することが分かる。すなわち、本明細書による白色サブピクセルから放出される白色光は、図１８に示した点線のような発光スペクトルを有するように、第１発光部から放出される第１光及び図１９に示した実線のような発光スペクトルを有するように第２発光部から放出される第２光が混合することによって、比較例による白色サブピクセルと対比して、青色波長の強度が大幅に増加して黄緑色波長の強度が大きく低下し得る。これにより、本明細書による白色サブピクセルは、高い色温度、例えば昼光色（ｃｏｏｌ ｗｈｉｔｅ）の白色光を放出することができる。その結果、本明細書に係る発光表示装置は、表示映像の輝度と色温度を改善することができる。

以上のような、本明細書に係る発光表示装置では、複数のサブピクセル中の一部のサブピクセルに配置された発光部が第１方向（Ｘ）に沿って隣接した金属ラインの少なくとも一部と重畳した第２発光部を含むこととして説明したが、必ずしもこれに限定されず、複数のサブピクセル中の一部のサブピクセルに配置された発光部は、第１方向（Ｘ）に沿って隣接する金属ラインだけでなく、第２方向（Ｙ）に隣接した金属ラインの少なくとも一部と重畳した第３発光部をさらに含むことができる。例えば、複数のサブピクセル中の一部のサブピクセルに配置された発光部は、オーバーコート層の凸凹パターン部上に配置された第１発光部、第１方向（Ｘ）に沿って隣接する金属ラインを覆うオーバーコート層の平坦部またはホーム部上に配置された第２発光部、及び第２方向（Ｙ）に隣接したゲートラインを覆うオーバーコート層の平坦部またはホーム部上に配置された第３発光部をさらに含むことができる。この場合、第３発光部から放出される光が第１及び第２発光部それぞれから放出される光と混合することができ、これにより表示映像の輝度と色温度をさらに向上させることができる。

本明細書に係る発光表示装置は、以下のように説明することができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、基板、基板上に第１方向に沿って離隔して第１方向を横切る第２方向に沿って配置された第１金属ラインと第２金属ライン、および第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも１つに重畳するサブピクセルを含み、サブピクセルは、第１金属ラインと第２金属ラインの間の第１発光部、及び第１金属ラインと第２金属ラインのうちの少なくとも一つと重畳した第２発光部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、第１発光部は凸凹パターン部含み、第２発光部は平坦部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第１発光部と第２発光部に配置され、第１金属ラインと第２金属ラインを覆うオーバーコート層をさらに含み、オーバーコート層は、第１発光部に配置された凸凹パターン部、及び第２発光部に配置された非パターン部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第１発光部と第２発光部に配置され、第１金属ラインと第２金属ラインを覆うオーバーコート層をさらに含み、サブピクセルは、第１発光部と第２発光部のオーバーコート層上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置されたカソード電極を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、オーバーコート層は、第１発光部に配置された凸凹パターン部、及び第２発光部に配置された非パターン部含み、アノード電極は、凸凹パターン部と非パターン部の表面形状に沿う表面形状を含むことができる。

本明細書のいくつかの例に発光表示装置は、第１発光部と第２発光部に配置され、第１金属ラインと第２金属ラインを覆うオーバーコート層をさらに含み、オーバーコート層は、第１発光部に配置された凸凹パターン部、及び第２発光部に配置された平坦部と平坦部から凹なホーム部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、サブピクセルは、オーバーコート層の凸凹パターン部と平坦部およびホーム部上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置されたカソード電極を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、トップコート層の平坦部は、ホーム部の一側に連結した第１平坦部、およびホーム部の他側と凸凹パターン部の間の第２平坦部を含み、サブピクセルは、オーバーコート層の凸凹パターン部と第２平坦部およびホーム部の一部上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置されたカソード電極を含むことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第１発光部と第２発光部に配置され、第１金属ラインと第２金属ラインを覆うオーバーコート層をさらに含み、第１金属ラインは、第１金属信号ライン、及び第１金属信号ラインと第２金属ラインの間に配置された第２金属信号ラインを含み、第２発光部は、第１金属信号ラインと第２金属信号ラインおよび第２金属ラインのうち、少なくとも一つと重畳し、オーバーコート層は、第１発光部に配置された凸凹パターン部、第１金属信号ラインと第２金属信号ライン上の平坦部、および平坦部から第１金属信号ラインと第２金属信号ライン間に凹なホーム部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、サブピクセルは、オーバーコート層の凸凹パターン部と平坦部およびホーム部上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置されたカソード電極を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、トップコート層の平坦部の第１金属信号ライン上に配置された第１平坦部、及び第２金属信号ライン上に配置されて凸凹パターン部と連結した第２平坦部を含み、サブピクセルは、オーバーコート層の凸凹パターン部と第２平坦部およびホーム部の一部上に配置されたアノード電極、アノード電極上に配置された自発光素子、および自発光素子上に配置されたカソード電極を含むことことができる。

本明細書のいくつかの例による発光表示装置は、第１方向と第１方向を横切る第２方向に沿って配置された複数のサブピクセル領域を有する基板、第２方向に沿って長く延長されて、複数のサブピクセル領域に配置された複数の金属ライン、及び複数のサブピクセル領域のそれぞれに配置された発光部を含み、複数のサブピクセル領域中の一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、複数の金属ラインのうち、第１方向に沿って隣接した少なくとも一つの金属ラインと重畳することができる。

本明細書のいくつかの例によると、複数のサブピクセル領域中の一部のサブピクセル領域を除いた残りのサブピクセル領域に配置された発光部は、複数の金属ラインのうち、第１方向に沿って隣接する２つの金属ラインと非重畳することができる。

本明細書のいくつかの例によると、複数の金属ラインのうち、第１金属ラインと第２金属ラインは、第１方向に沿って互いに離隔するように一部のサブピクセル領域に配置され、一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳することができる。

本明細書のいくつかの例によると、複数の金属ラインのうち、第１金属ラインと第２金属ラインは、第１方向に沿って互いに離隔するように一部のサブピクセル領域に配置され、一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、第１金属ラインと第２金属ラインの間に配置された第１発光部、及び第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した第２発光部を含むことができる。

本明細書のいくつかの例によると、複数のサブピクセル領域のうち、第１サブピクセル領域の発光部は赤色光を放出して、複数のサブピクセル領域のうち、第２サブピクセル領域の発光部は白色光を放出して、複数のサブピクセル領域のうち、第３サブピクセル領域は青色光を放出し、複数のサブピクセル領域のうち、第４サブピクセル領域は、緑色光を放出し、複数のサブピクセル領域のうちの一部のサブピクセル領域は、第２サブピクセル領域と第４サブピクセル領域であるか、第２～第４サブピクセル領域であることができる。

本明細書のいくつかの例によると、第１方向を基準として、第２発光部は、第１金属ラインと第２金属ラインのうち少なくとも一つと半分以上重畳することができる。

本明細書のいくつかの例によると、第１金属ラインと第２金属ラインのそれぞれは、第１発光部に隣接する第１側面、第１側面と反対の第２側面、及び第１側面と第２側面の間の中間部を含み、第１方向を基準として、第２発光部の先端は、第１金属ラインと第２金属ラインそれぞれの中間部と第２側面の間に位置することができる。

本明細書のいくつかの例によると、第１金属ラインは、第１金属信号ライン、及び第１金属信号ラインと第２金属ラインの間に配置された第２金属信号ラインを含み、第２発光部は、第１金属信号ラインと第２金属信号ラインおよび第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳することができる。

本明細書のいくつかの例によると、第１発光部は、凸凹パターン部を含み、第２発光部は、第１金属信号ラインと第２金属信号ライン上の平坦部、および平坦部から第１金属信号ラインと第２金属信号ライン間に凹なホーム部を含むことができる。

以上のような本明細書に係る発光表示装置を含むすべての電子機器に適用することができる。例えば、本明細書に係る発光表示装置は、モバイルデバイス、映像電話、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ ｐｈｏｎｅ）、ウェアラブル機器（ｗｅａｒａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、フォルダブル機器（ｆｏｌｄａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、ローラーブル機器（ｒｏｌｌａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、ベンダブル機器（ｂｅｎｄａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、フレキシブルデバイス（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、カーブ・ド・機器（ｃｕｒｖｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）、電子手帳、電子ブック、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＭＰ３プレーヤー、モバイル医療機器、デスクトップＰＣ（ｄｅｓｋｔｏｐ ＰＣ）、ラップトップＰＣ（ｌａｐｔｏｐ ＰＣ）、ネットブックコンピュータ（ｎｅｔｂｏｏｋ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ワークステーション、（ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ）、ナビゲーション、車両用ナビゲーション、車両用表示装置、テレビ、ウオールペーパー（ｗａｌｌ ｐａｐｅｒ）表示装置、サイネージ（ｓｉｇｎａｇｅ）機器、ゲーム機器、ノートパソコン、モニター、カメラ、ビデオカメラ、および家電機器などに適用することができる。

上述した本明細書の様々な例で説明した特徴、構造、効果などは、本明細書の少なくとも一つの例に含まれており、必ずしも一つの例のみに限定されるものではない。さらに、本明細書の少なくとも一つの例で例示された特徴、構造、効果などは、本明細書の技術思想が属する分野の通常の知識を有する者によって他の例に対しても組み合わせ、または変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に係る内容は、本明細書の技術範囲または権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

以上で説明した本明細書は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本明細書の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが本明細書の属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本明細書の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、請求範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本明細書の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１０：表示パネル
１２：単位ピクセル
１２ａ：第１サブピクセル
１２ｂ：第２サブピクセル
１２ｃ：第３サブピクセル
１２ｄ：第４サブピクセル
１００：基板
１３０：パッシベーション層
１４０：トップコート層
１４１：平坦部
１４５：ホーム部
１５０：凸凹パターン部
１５１：凸部
１５３：凹部

Claims (20)

1. 第１方向および前記第１方向を横切る第２方向に沿って配置された複数のサブピクセルを有する基板と、
   前記第１方向に沿って離隔され、前記第２方向に沿って前記基板上に配置された第１金属ラインおよび第２金属ラインと、
   前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインを覆うオーバーコート層と
   を含み、
   前記サブピクセルは、
   前記オーバーコート層上に配置されたアノード電極と、
   前記アノード電極上に配置された自発光素子と、
   前記自発光素子上に配置されたカソード電極と
   を含み、
   前記複数のサブピクセルの内の一部のサブピクセルは、前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインのうち少なくとも１つに重畳し、
   前記一部のサブピクセルは、
   前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインの間の第１発光部と、
   前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した第２発光部と
   を含み、
   前記複数のサブピクセルは第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセル及び第４サブピクセルを含み、前記第１サブピクセルは赤色光を放出し、前記第２サブピクセルは白色光を放出し、前記第３サブピクセルは青色光を放出し、前記第４サブピクセルは緑色光を放出し、
   前記自発光素子は、隣接するサブピクセルの前記アノード電極の間の非発光部において、前記オーバーコート層と接触している、
   発光表示装置。
2. 前記第１発光部は凸凹パターン部を含み、
   前記第２発光部は平坦部を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記オーバーコート層は、
   前記第１発光部に配置された凸凹パターン部と、
   前記第２発光部に配置された非パターン部と
   を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
4. 前記一部のサブピクセルにおいて、前記アノード電極は、前記第１発光部と前記第２発光部の前記オーバーコート層上に配置されている、請求項１に記載の発光表示装置。
5. 前記オーバーコート層は、
   前記第１発光部に配置された凸凹パターン部と、
   前記第２発光部に配置された非パターン部と
   を含み、
   前記アノード電極は、前記凸凹パターン部および前記非パターン部の表面形状に沿う表面形状を含む、請求項４に記載の発光表示装置。
6. 前記オーバーコート層は、
   前記第１発光部に配置された凸凹パターン部と、
   前記第２発光部に配置された平坦部と、
   前記平坦部から凹なホーム部と
   を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
7. 前記アノード電極は、オーバーコート層の凸凹パターン部、平坦部、およびホーム部上に配置されている、請求項６に記載の発光表示装置。
8. 前記オーバーコート層の平坦部は、前記ホーム部の一側に連結した第１平坦部と、前記ホーム部の他側および前記凸凹パターン部の間の第２平坦部とを含み、
   前記アノード電極は、前記オーバーコート層の前記凸凹パターン部、前記第２平坦部、および前記ホーム部の一部上に配置されている、
   請求項６に記載の発光表示装置。
9. 前記第１金属ラインは、第１金属信号ラインと、前記第１金属信号ラインおよび前記第２金属ラインの間に配置された第２金属信号ラインとを含み、
   前記第２発光部は、前記第１金属信号ライン、前記第２金属信号ライン、および前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳し、
   前記オーバーコート層は、
   前記第１発光部に配置された凸凹パターン部と、
   前記第１金属信号ラインと前記第２金属信号ライン上の平坦部と、
   前記平坦部から前記第１金属信号ラインおよび前記第２金属信号ライン間において凹なホーム部と
   を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
10. 前記アノード電極は、前記オーバーコート層の凸凹パターン部、平坦部、およびホーム部上に配置されている、請求項９に記載の発光表示装置。
11. 前記オーバーコート層の平坦部は、
    前記第１金属信号ライン上に配置された第１平坦部と、
    前記第２金属信号ライン上に配置され、前記凸凹パターン部と連結した第２平坦部とを含み、
    前記アノード電極は、
    前記オーバーコート層の前記凸凹パターン部、前記第２平坦部、および前記ホーム部の一部上に配置されている、
    請求項９に記載の発光表示装置。
12. 第１方向および前記第１方向を横切る第２方向に沿って配置された複数のサブピクセル領域を有する基板と、
    前記第２方向に沿って長く延長して前記複数のサブピクセル領域に配置された複数の金属ラインと、
    前記複数のサブピクセル領域のそれぞれに配置された発光部と、
    前記発光部に配置され、前記複数の金属ラインを覆うオーバーコート層と
    を含み、
    前記複数のサブピクセル領域の各々には、
    前記オーバーコート層上に配置されたアノード電極と、
    前記アノード電極上に配置された自発光素子と、
    前記自発光素子上に配置されたカソード電極と
    が含まれ、
    前記複数のサブピクセル領域中の一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、前記複数の金属ラインのうち前記第１方向に沿って隣接した少なくとも一つの金属ラインと重畳し、
    前記複数のサブピクセル領域は第１サブピクセル領域、第２サブピクセル領域、第３サブピクセル領域及び第４サブピクセル領域を含み、前記第１サブピクセル領域の発光部は赤色光を放出し、前記第２サブピクセル領域の発光部は白色光を放出し、前記第３サブピクセル領域の発光部は青色光を放出し、前記第４サブピクセル領域の発光部は、緑色光を放出し、
    前記自発光素子は、隣接するサブピクセルの前記アノード電極の間の非発光部において、前記オーバーコート層と接触している、
    発光表示装置。
13. 前記複数のサブピクセル領域中の一部のサブピクセル領域を除いた残りのサブピクセル領域に配置された発光部は、前記複数の金属ラインのうち前記第１方向に沿って隣接した２つの金属ラインと非重畳した、請求項１２に記載の発光表示装置。
14. 前記複数の金属ラインのうち、第１金属ラインと第２金属ラインは、前記第１方向に沿って互いに離隔するように前記一部のサブピクセル領域に配置され、
    前記一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した、請求項１２に記載の発光表示装置。
15. 前記複数の金属ラインのうち、第１金属ラインと第２金属ラインは、前記第１方向に沿って互いに離隔するように前記一部のサブピクセル領域に配置され、
    前記一部のサブピクセル領域に配置された発光部は、
    前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインの間に配置された第１発光部と、
    前記第１金属ラインと前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した第２発光部とを含む、請求項１２に記載の発光表示装置。
16. 前記第１方向を基準として、前記第２発光部は、前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと半分以上重畳した、請求項１または請求項１５に記載の発光表示装置。
17. 前記第１金属ラインおよび前記第２金属ラインのそれぞれは、
    前記第１発光部に隣接した第１側面と、
    前記第１側面とは反対の第２側面と、
    前記第１側面および前記第２側面の間の中間部と
    を含み、
    前記第１方向を基準として、前記第２発光部内の前記アノード電極の一の先端は、前記第１金属ラインと前記第２金属ラインそれぞれの前記中間部と前記第２側面の間に位置した、請求項１または請求項１５に記載の発光表示装置。
18. 前記第１金属ラインは、
    第１金属信号ラインと、
    前記第１金属信号ラインおよび前記第２金属ラインの間に配置された第２金属信号ラインと
    を含み、
    前記第２発光部は、前記第１金属信号ライン、前記第２金属信号ライン、および前記第２金属ラインのうち少なくとも一つと重畳した、請求項１または請求項１５に記載の発光表示装置。
19. 前記オーバーコート層は、
    前記第１発光部内の凸凹パターンと、
    前記第１金属信号ラインおよび前記第２金属信号ライン上の平坦部と、
    前記平坦部から前記第１金属信号ラインおよび前記第２金属信号ライン間に凹なホーム部と
    を含み、
    前記第２発光部は、前記第１発光部と前記ホーム部の少なくとも一部との間の前記平坦部上に配置されている、
    請求項１８に記載の発光表示装置。
20. 前記自発光素子は、前記非発光部と隣接する前記アノード電極の一の先端と接触している、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の発光表示装置。

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