JP7242858B2 - 太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 - Google Patents
太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7242858B2 JP7242858B2 JP2021532616A JP2021532616A JP7242858B2 JP 7242858 B2 JP7242858 B2 JP 7242858B2 JP 2021532616 A JP2021532616 A JP 2021532616A JP 2021532616 A JP2021532616 A JP 2021532616A JP 7242858 B2 JP7242858 B2 JP 7242858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar
- solar panel
- panel
- flexible substrate
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/043—Mechanically stacked PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
- H01L31/0443—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
図1および図2に示すように、タンデム型太陽電池1は、バックセルを構成する太陽電池セル12を備えたボトムモジュール10(太陽電池モジュール、第1太陽電池モジュール)と、フロントセルを構成する太陽電池セル62を備えたトップモジュール60(太陽電池モジュール、第2太陽電池モジュール)と、ボトムモジュール10およびトップモジュール60を収容するパッケージ80と、を備える。
実装部50は、ボトム太陽電池パネル11と同数設けられている。実装部50は、後述するバイパスダイオード51が実装される部分である。
図6および図7に示すように、実装部50は、配線本体32に形成された分断部52と、基材46に形成されて配線本体32を露出させる窓部53と、を備える。分断部52は、配線本体32のバイパス部37に形成されている。より詳細に、分断部52は、配線本体32の第1主線部33に形成されている。分断部52は、配線本体32における分断部52を挟んだ両部を互いに絶縁している。分断部52は、例えばエッチングにより形成されている。窓部53は、配線本体32における分断部52を挟んだ両部を表側に露出させている。ただし、窓部53は、配線本体32を裏側に露出させてもよい。本実施形態では、窓部53は、配線本体32における分断部52を挟んだ両部をまとめて露出させている。
図8に示すように、第2リード部42Aの側縁には、切欠49が形成されている。切欠49は、第2リード部42Aの両側縁に形成されている。複数の切欠49は、第2リード部42Aの延在方向に互いにずれた位置に形成されている。第2リード部42Aは、複数の切欠49よりも先端側の箇所でパネル端コネクタ25に接合されている。なお、上述した構造は、第2リード部42Aにのみ適用されるものではなく、第1リード部に適用されてもよい。
Claims (11)
- (削除)
- 太陽電池セルが形成された少なくとも1つの太陽電池パネルと、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記少なくとも1つの太陽電池パネルのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルを収容するパッケージと、
を備え、
前記フレキシブル基板は、
基材と、
前記基材に支持された配線と、
を備え、
前記配線は、
前記基材から張り出して前記少なくとも1つの太陽電池パネルに接続されたフライングリードと、
前記パッケージの外側に設けられた端子と、
を備える、
太陽電池モジュール。 - (削除)
- 太陽電池セルが形成された少なくとも1つの太陽電池パネルと、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記少なくとも1つの太陽電池パネルのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
を備え、
前記フレキシブル基板は、前記少なくとも1つの太陽電池パネルに接続されたフライングリードを有し、
前記フライングリードは、伸縮可能に形成されている、
太陽電池モジュール。 - 太陽電池セルが形成され、互いに直列接続された第1太陽電池パネルおよび第2太陽電池パネルと、
前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルそれぞれのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
を備え、
前記フレキシブル基板は、前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに接続される複数のフライングリードを有する、
太陽電池モジュール。 - 前記フレキシブル基板は、基材に接合された補強部材を備え、
前記補強部材は、前記バイパスダイオードの実装部に重なる位置に配置されている、
請求項2、請求項4および請求項5のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。 - 前記少なくとも1つの太陽電池パネルは、互いに直列接続された第1太陽電池パネルおよび第2太陽電池パネルを含み、
前記第1太陽電池パネルと前記第2太陽電池パネルとに接続されたパネル間コネクタをさらに備え、
前記フレキシブル基板は、パネル間コネクタを介して前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに接続されている、
請求項2または請求項4に記載の太陽電池モジュール。 - 太陽電池セルが形成された少なくとも1つの太陽電池パネルと、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記少なくとも1つの太陽電池パネルのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルを収容するパッケージと、
を有する一対の太陽電池モジュールを備え、
前記フレキシブル基板は、
基材と、
前記基材に支持された配線と、
を備え、
前記配線は、
前記基材から張り出して前記少なくとも1つの太陽電池パネルに接続されたフライングリードと、
前記パッケージの外側に設けられた端子と、
を備え、
前記一対の太陽電池モジュールは、第1太陽電池モジュールおよび第2太陽電池モジュールを含み、
前記第1太陽電池モジュールの前記少なくとも1つの太陽電池パネルは、ボトム太陽電池パネルを含み、
前記第2太陽電池モジュールの前記少なくとも1つの太陽電池パネルは、前記ボトム太陽電池パネルの受光面に対向する位置に積層されたトップ太陽電池パネルを含み、
前記トップ太陽電池パネルは、前記ボトム太陽電池パネルよりも大きく形成されて、平面視で前記ボトム太陽電池パネルの全体に重なっている、
タンデム型太陽電池。 - 前記第1太陽電池パネルと前記第2太陽電池パネルとに接続されたパネル間コネクタをさらに備え、
前記フレキシブル基板は、パネル間コネクタを介して前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに接続されている、
請求項5に記載の太陽電池モジュール。 - 太陽電池セルが形成された少なくとも1つの太陽電池パネルと、
前記少なくとも1つの太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記少なくとも1つの太陽電池パネルのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
を有する一対の太陽電池モジュールを備え、
前記フレキシブル基板は、前記少なくとも1つの太陽電池パネルに接続されたフライングリードを有し、
前記フライングリードは、伸縮可能に形成され、
前記一対の太陽電池モジュールは、第1太陽電池モジュールおよび第2太陽電池モジュールを含み、
前記第1太陽電池モジュールの前記少なくとも1つの太陽電池パネルは、ボトム太陽電池パネルを含み、
前記第2太陽電池モジュールの前記少なくとも1つの太陽電池パネルは、前記ボトム太陽電池パネルの受光面に対向する位置に積層されたトップ太陽電池パネルを含み、
前記トップ太陽電池パネルは、前記ボトム太陽電池パネルよりも大きく形成されて、平面視で前記ボトム太陽電池パネルの全体に重なっている、
タンデム型太陽電池。 - 太陽電池セルが形成され、互いに直列接続された第1太陽電池パネルおよび第2太陽電池パネルと、
前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに直接または間接的に接続され、バイパスダイオードが実装されて前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルそれぞれのバイパスラインを形成するフレキシブル基板と、
を有する一対の太陽電池モジュールを備え、
前記フレキシブル基板は、前記第1太陽電池パネルおよび前記第2太陽電池パネルに接続される複数のフライングリードを有し、
前記一対の太陽電池モジュールは、第1太陽電池モジュールおよび第2太陽電池モジュールを含み、
前記第1太陽電池モジュールの第1太陽電池パネルおよび第2太陽電池パネルのそれぞれは、ボトム太陽電池パネルであり、
前記第2太陽電池モジュールの第1太陽電池パネルおよび第2太陽電池パネルのそれぞれは、前記ボトム太陽電池パネルの受光面に対向する位置に積層されたトップ太陽電池パネルであり、
前記トップ太陽電池パネルは、前記ボトム太陽電池パネルよりも大きく形成されて、平面視で前記ボトム太陽電池パネルの全体に重なっている、
タンデム型太陽電池。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/028079 WO2021009868A1 (ja) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021009868A1 JPWO2021009868A1 (ja) | 2021-01-21 |
JPWO2021009868A5 JPWO2021009868A5 (ja) | 2022-03-30 |
JP7242858B2 true JP7242858B2 (ja) | 2023-03-20 |
Family
ID=74210371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021532616A Active JP7242858B2 (ja) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220140165A1 (ja) |
EP (1) | EP4002490A4 (ja) |
JP (1) | JP7242858B2 (ja) |
WO (1) | WO2021009868A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000307143A (ja) | 1999-02-18 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールとそれを用いた太陽電池パネル |
US20110108084A1 (en) | 2009-10-25 | 2011-05-12 | Tisler Anthony C | In-line flexible diode assembly for use in photovoltaic modules and method of making the same |
JP2013143529A (ja) | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JP2013153076A (ja) | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集光型太陽光発電モジュール及び集光型太陽光発電パネル |
JP2019102620A (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6353175B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-03-05 | Jx Crystals Inc. | Two-terminal cell-interconnected-circuits using mechanically-stacked photovoltaic cells for line-focus concentrator arrays |
JP2002246628A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Showa Shell Sekiyu Kk | バイパスダイオード一体封止型太陽電池モジュール及び該モジュールの製造方法 |
US20060162768A1 (en) * | 2002-05-21 | 2006-07-27 | Wanlass Mark W | Low bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices |
CN101984772A (zh) * | 2008-03-17 | 2011-03-09 | 夏普株式会社 | 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 |
WO2010077952A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-07-08 | Solopower, Inc. | Thin film photovoltaic module manufacturing methods and structures |
JP5573797B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2014-08-20 | 株式会社デンソー | 太陽電池モジュール |
WO2018056091A1 (ja) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | シャープ株式会社 | 光起電力装置、移動体および光起電力装置の製造方法 |
JP3220083U (ja) | 2018-11-20 | 2019-02-14 | 有限会社ディアックス | 四端子型タンデム太陽電池セル |
-
2019
- 2019-07-17 WO PCT/JP2019/028079 patent/WO2021009868A1/ja unknown
- 2019-07-17 EP EP19937969.4A patent/EP4002490A4/en active Pending
- 2019-07-17 JP JP2021532616A patent/JP7242858B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-12 US US17/573,666 patent/US20220140165A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000307143A (ja) | 1999-02-18 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールとそれを用いた太陽電池パネル |
US20110108084A1 (en) | 2009-10-25 | 2011-05-12 | Tisler Anthony C | In-line flexible diode assembly for use in photovoltaic modules and method of making the same |
JP2013143529A (ja) | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
JP2013153076A (ja) | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集光型太陽光発電モジュール及び集光型太陽光発電パネル |
JP2019102620A (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021009868A1 (ja) | 2021-01-21 |
EP4002490A4 (en) | 2023-04-05 |
JPWO2021009868A1 (ja) | 2021-01-21 |
EP4002490A1 (en) | 2022-05-25 |
US20220140165A1 (en) | 2022-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5185042A (en) | Generic solar cell array using a printed circuit substrate | |
KR101802484B1 (ko) | 신호 수집과 파워 연결 조립체, 파워 배터리 모듈 및 차량 | |
US20150349175A1 (en) | Shingled solar cell panel employing hidden taps | |
US20060243318A1 (en) | Solar Module For Generating Electrical Energy | |
US9741885B2 (en) | Solar cell module | |
JP6301480B2 (ja) | 信号収集アセンブリおよび該信号収集アセンブリを備えるパワーバッテリモジュール | |
JP5598003B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2015094778A1 (en) | Solar module junction box bypass diode | |
JP2013048166A (ja) | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールアレイ、および太陽電池モジュールの製造方法 | |
WO2012161580A1 (en) | Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module | |
JP2013143529A (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR101134725B1 (ko) | 태양광 발전장치 | |
JP7242858B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびタンデム型太陽電池 | |
AU2020406244B2 (en) | Photovoltaic module and flexible satellite solar generator | |
US20130284232A1 (en) | Solar cell module | |
US9577131B2 (en) | Concentrator photovoltaic module, concentrator photovoltaic panel, and flexible printed circuit for concentrator photovoltaic module | |
KR101103981B1 (ko) | 태양광 발전장치 | |
EP4216285A1 (en) | Solar cell | |
JPWO2017154826A1 (ja) | 架台、太陽電池モジュール、太陽電池システム | |
JP5542101B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2024057854A1 (ja) | 太陽電池モジュールの出力線接続構造 | |
JP7441937B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP7565988B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR102728920B1 (ko) | 절연 인터커넥터를 갖춘 태양광 장치 | |
JP2014041914A (ja) | 配線基板、配線基板付き太陽電池セル、配線基板付き太陽電池セル接続体、及び太陽電池モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20220112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7242858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |