JP7131474B2 - ダイヤモンド層の製造方法 - Google Patents
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Description
第1実施形態におけるダイヤモンド層の製造方法について、図1A~図1C、図2A~図2Cを参照しつつ説明する。なお、本実施形態の製造方法で製造されるダイヤモンド層20は、例えば、磁気センサ素子等を構成するのに適用されると好適である。また、図1Aは、図2A中のIA-IA線に沿った断面に相当している。図1Bは、図2B中のIB-IB線に沿った断面に相当している。図1Cは、図2C中のIC-IC線に沿った断面に相当している。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、三次元成長と二次元成長とを異なるチャンバ30を用いて行うようにしたものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第3実施形態について説明する。第3実施形態は、第1実施形態に対し、新キンク12を形成する工程を変更したものである。その他に関しては、第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 主面
20 ダイヤモンド層
Claims (6)
- 基板(10)上にダイヤモンド層(20)を成長させるダイヤモンド層の製造方法であって、
主面(10a)を有すると共に前記主面が所定面に対して所定のオフ角を有し、前記主面に初期キンク(11)が形成されている前記基板を用意することと、
前記主面上に、窒素-空孔中心を有する前記ダイヤモンド層(20)を形成することと、を行い、
前記ダイヤモンド層を形成することでは、新たに前記主面に新キンク(12)を形成することと、窒素およびメタンを含む反応ガスを用いて化学気相成長法を行うことにより、前記窒素-空孔中心を有する前記ダイヤモンド層を前記所定面の面方向に沿って二次元成長させることと、を行うダイヤモンド層の製造方法。 - 前記新キンクを形成することでは、メタンを含む反応ガスを用いて化学気相成長法を行うことにより、前記ダイヤモンド層を前記所定面の面方向、および前記所定面の面方向と交差する方向に沿って三次元成長させることで前記新キンクを形成する請求項1に記載のダイヤモンド層の製造方法。
- 前記新キンクを形成する前記三次元成長させること、および前記二次元成長させることでは、それぞれチャンバ(30)内に前記基板を配置して行い、前記三次元成長させることの方が前記二次元成長させることより、前記反応ガスにおけるメタンの比率が高く、前記チャンバ内の真空度が高く、かつ前記基板の温度が低くなるようにする請求項2に記載のダイヤモンド層の製造方法。
- 前記新キンクを形成する前記三次元成長させること、および前記二次元成長させることでは、異なる前記チャンバにそれぞれ前記基板を配置して行う請求項3に記載のダイヤモンド層の製造方法。
- 前記新キンクを形成することでは、前記主面に対してプラズマエッチングを行うことで前記新キンクを形成する請求項1に記載のダイヤモンド層の製造方法。
- 前記新キンクを形成すること、および前記二次元成長させることを交互に繰り返し行う請求項1ないし5のいずれか1つに記載のダイヤモンド層の製造方法。
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WO2015107907A1 (ja) | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ダイヤモンド結晶、ダイヤモンド素子、磁気センサー、磁気計測装置、および、センサーアレイの製造方法 |
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