JP7171894B2 - 配線基板、電子装置及び電子モジュール - Google Patents

Description

本開示は、配線基板、電子装置及び電子モジュールに関する。

従来、Ｓｉ基板上に絶縁膜及びチタン系の金属膜を介してＡｌ系の配線導体が設けられた配線基板が知られている（例えば、特開平５－１８２９２６号公報を参照）。

本開示に係る配線基板は、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ＡｌＮを含む絶縁基板と、
前記第１面上に位置し、Ｃｕを含む導体と、
前記導体の上面、側面及び前記第１面に渡って位置するＮｉ膜と、
を備え、
さらに、前記第１面上に複数点在するＴｉ酸化物を有し、
前記Ｎｉ膜は、前記Ｔｉ酸化物と接触している部分を有する。

本開示に係る電子装置は、
上述の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備える。

本開示に係る電子モジュールは、
上述の電子装置と、
前記電子装置を搭載したモジュール用基板と、
を備える。

実施形態の配線基板の一部を示す縦断面図である。 実施形態の配線基板の一部を示す平面図である。 実施形態の配線基板からＮｉ膜を除いた平面図である。 実施形態の配線基板の全体を示す平面図である。 配線導体と絶縁基板との間の中間層における構成元素の濃度分布を示す図である。 Ｎｉ膜下の中間層における構成元素の濃度分布を示す図である。 実施形態の配線基板における配線導体の一下端部の電子顕微鏡画像を示す図である。 実施形態の配線基板における配線導体の一下端部の電子顕微鏡画像を示す図である。 実施形態の配線基板における配線導体の一下端部の電子顕微鏡画像を示す図である。 実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す説明図である。 本開示の実施形態に係る電子装置及び電子モジュールを示す断面図である。

以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１Ａから図１Ｃは、実施形態の配線基板の一部を示す図で、図１Ａは縦断面図、図１Ｂは平面図、図１ＣはＮｉ（ニッケル）膜を除いた平面図である。図２は、実施形態の配線基板の全体を示す平面図である。本明細書では、絶縁基板１０において第２面１２から第１面１１へ向かう方向を上方として説明する。しかし、本明細書で説明する各方向は、配線基板１が実装又は使用される際の方向と異なってもよい。

本実施形態の配線基板１は、例えば、電子部品をモジュール基板又はパッケージに実装するために、電子部品と実装先との間に介在されるサブマウントである。配線基板１は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）を含むセラミック材料の絶縁基板１０と、絶縁基板１０上に形成された配線導体２０と、配線導体２０の上面及び側面を覆うＮｉ膜３０とを備える。配線導体２０は、本開示に係る導体の一例に相当する。

絶縁基板１０は、構成元素としてＡｌＮを含むセラミック材料である。絶縁基板１０は、第１面（第１主面）１１とその反対側の第２面（第２主面）１２とを有し、第１面１１側に配線導体２０が形成される。なお、絶縁基板１０には、第１面１１側と第２面１２側との両方に配線導体２０が形成されてもよい。第２面１２の配線導体２０を本開示に係る導体とみなす場合、第２面１２が本開示に係る第１面に相当し、第１面１１が本開示に係る第２面に相当する。

絶縁基板１０の第１面１１上には、図１Ａ～図１Ｃに示すように、複数のＴｉ酸化物１３が点在している。すなわち、Ｔｉ酸化物１３が、第１面１１の面方向においてあちこちに散らばって存在する。Ｔｉ酸化物１３は、例えばＴｉＯ₂（酸化チタン）であってもよい。Ｔｉ酸化物１３は、後述の第１面１１の凹部１１Ｄに位置していてもよい。

絶縁基板１０は、第１面１１に微細な複数の凹部１１Ｄを有する。凹部１１Ｄは、例えば開口部の最大幅が１μｍ～２０μｍであってもよい。第１面１１には、面積比１０％～６０％の割合で複数の凹部１１Ｄを有していてもよい。凹部１１Ｄは、第１面１１の全体に形成されているが、Ｎｉ膜３０が接触する部位にのみ形成されていてもよい。以下、凹部１１Ｄが第１面１１上においてＴｉ酸化物１３が点在する箇所として説明する。

複数の凹部１１Ｄには、個々の凹部１１Ｄの平面形状を粒状と見なしたときに、２つ以上の凹部が重なった形状を有する複合凹部１１ＤＷ（図１Ｃを参照）が含まれる。

配線導体２０は、Ｃｕを（銅）主成分とする導体で、絶縁基板１０上に、Ｔｉ酸化物１３の層を介して形成されている。後述するシンター工程によって、Ｔｉ酸化物１３は凹部１１Ｄ内に集まり、絶縁基板１０と配線導体２０と界面は、Ｔｉ酸化物１３の層が残っている部分と、Ｔｉ酸化物１３の層が消失した部分とを含んでいてもよい。配線導体２０下の凹部１１ＤにＴｉ酸化物１３が集まった部分には、Ｔｉ酸化物１３以外の原子が相互拡散された中間層１６ａ（図１Ａ）が形成されている。さらに、Ｎｉ膜３０が接する凹部１１Ｄ内において同様の中間層１６ｂ（図１Ａ）が残存していてもよい。

Ｎｉ膜３０は、Ｎｉを主成分とする膜であり、配線導体２０の上面２１から側面２２を介して絶縁基板１０の第１面１１の一部まで覆う。Ｎｉ膜３０は、絶縁基板１０の第１面１１に近い裾部において、配線導体２０とは反対側へ突出した突出部３１を有する。さらに、突出部３１の外縁は、絶縁基板１０の第１面１１に垂直な方向から見て、複数の山ｈ１～ｈ４と複数の谷ｃ１～ｃ３とを有する（図１Ｂ）。

Ｎｉ膜３０は、絶縁基板１０の第１面１１において複数の凹部１１ＤのいずれかとＴｉ酸化物１３を介して接触している。以下、Ｔｉ酸化物１３を介したＮｉ膜３０と凹部１１Ｄとの接触を、単に、Ｎｉ膜３０と凹部１１Ｄとの接触とも呼ぶ。以下では、複数の凹部１１ＤのうちＮｉ膜３０が接触しているものについて、接触凹部１１Ｄａとも記す。複数の接触凹部１１Ｄａには、複合凹部１１ＤＷが含まれていてもよい。

複数の接触凹部１１Ｄａは、図１Ｃに示すように、配線導体２０の側面２２（具体的には側面２２の下辺２２ｅ）に沿って並んでいる。さらに、図２に示すように、絶縁基板１０に接触しているＮｉ膜３０の突出部３１は、配線導体２０の全周に渡って存在し、接触凹部１１Ｄａは全周に渡って図１Ｃのように突出部３１の下方に存在する。したがって、複数の接触凹部１１Ｄａは、配線導体２０の周囲を囲み、配線導体２０の周囲の少なくとも四方に存在する。複数の接触凹部１１Ｄａには、一部がＮｉ膜３０に覆われずに露出しているものと、露出なく全部がＮｉ膜３０に覆われているものとが存在する。接触凹部１１Ｄａの全部がＮｉ膜３０に覆われているということは、突出部３１がこの接触凹部１１Ｄａを超える位置まで突出していることを意味する。

配線基板１は、第１面１１と配線導体２０の側面２２とに垂直な、いずれか１つの断面において、Ｎｉ膜３０下に２つ以上の接触凹部１１Ｄａが存在する箇所を含んでいてもよい。Ｎｉ膜３０の突出部３１があることで、Ｎｉ膜３０と絶縁基板１０との接触面積が増加し、より多くの凹部１１Ｄと接触することが可能となる。

図３Ａは、配線導体と絶縁基板との間の中間層における構成元素の濃度分布を示す図である。図３Ｂは、Ｎｉ膜下の中間層における構成元素の濃度分布を示す図である。以下に示す中間層１６ａ、１６ｂの構成元素及び濃度分布は、電子エネルギー損失分光法（ＴＥＭ－ＥＥＬＳ：Electron Energy-Loss Spectroscopy）の測定結果を示す。濃度はａｔ％（アトミックパーセント）により表される。

配線導体２０と凹部１１Ｄとの界面に存在する中間層１６ａは、２０ｎｍ～８０ｎｍ等の厚みを有し、図３Ａに示すように、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎ（窒素）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｏ（酸素）を含む。さらに、中間層１６ａは、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度が徐々に変化する濃度勾配を有する。Ａｌ、Ｎの濃度勾配は、配線導体２０に近いほど濃度が低い勾配であり、Ｃｕの濃度勾配は、配線導体２０に近いほど濃度が高い勾配である。これらの濃度勾配は、中間層１６ａの配線導体２０側から絶縁基板１０側にかけて存在してもよい。

Ｎｉ膜３０と接触凹部１１Ｄａとの界面に存在する中間層１６ｂは、２０ｎｍ～８０ｎｍ等の厚みを有し、図３Ｂに示すように、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｏを含み、加えて、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度が徐々に変化する濃度勾配を有する。Ａｌ、Ｎの濃度勾配は、Ｎｉ膜３０に近いほど濃度が低い勾配であり、Ｃｕの濃度勾配は、Ｎｉ膜３０に近いほど濃度が高い勾配である。これらの濃度勾配は、中間層１６ｂのＮｉ膜３０側から絶縁基板１０側にかけて存在してもよい。

中間層１６ａ、１６ｂは、１０ａｔ％以下のＣ（炭素）を含んでもよい。中間層１６ａ、１６ｂのＣの濃度（１０ａｔ％以下）は、配線導体２０におけるＣの濃度とほぼ同じであってもよい。

図４Ａ～図４Ｃは、実施形態の配線基板における配線導体の下端部の電子顕微鏡画像をそれぞれ示す。図４Ａ～図４Ｃに示すように、実際には、配線導体２０の下端角部Ｅ１～Ｅ３には、内方に引っ込んだ形状（アンダーカット）が生じるが、Ｎｉ膜３０は、配線導体２０の下端角部Ｅ１～Ｅ３まで、配線導体２０の側面に沿って延在する。さらに、Ｎｉ膜３０の一部が、配線導体２０の下端角部Ｅ１～Ｅ３から絶縁基板１０の第１面１１に沿って配線導体２０とは逆方に突出するように形成され、この部分が突出部３１を構成している。突出部３１を含めてＮｉ膜３０と絶縁基板１０との境界には、接触凹部１１Ｄａが含まれる。接触凹部１１Ｄａ内の界面をエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ：Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）又は電子エネルギー損失分光法により測定すると、Ｔｉ及びＯが観測される。

＜製造方法＞
図５は、実施形態の配線基板の製造方法を示す説明図である。

本実施形態の配線基板１の製造方法は、時系列順に、前処理工程Ｊ１、Ｔｉ成膜工程Ｊ２、無電解めっき及びシンター工程Ｊ３、レジスト加工工程Ｊ４、電解めっき工程Ｊ５、レジスト除去及びエッチング工程Ｊ６及びめっき工程Ｊ７を含む。

前処理工程Ｊ１では、焼結前のセラミックスであるセラミックグリーンシート７０が、打ち抜き加工又は金型加工などにより基板形状に成形される。セラミックグリーンシート７０には、基板内部に導体を通すためのビアｖが設けられてもよい。セラミックグリーンシート７０が焼結されることで絶縁基板１０が構成される。前処理工程Ｊ１では、焼結前又は焼結後のセラミックグリーンシート７０に、薬剤又は反応性イオンを用いた異方性エッチングを行ってもよく、上記の異方性エッチングにより、絶縁基板１０の第１面１１上及び第２面１２上の凹部１１Ｄのサイズ及び密度を制御できる。

Ｔｉ成膜工程Ｊ２は、焼結前又は焼結後のセラミックグリーンシート７０に有機Ｔｉ液を塗布し、焼結する工程である。焼結は、例えば４００℃以上、３０分以上の条件で実行されてもよい。焼結により、有機Ｔｉ液７１は、固化された酸化チタン層７１Ａへと変化する。酸化チタン層７１Ａの焼結と、セラミックグリーンシート７０との焼結とを、同時並行して行ってもよい。

無電解めっき及びシンター工程Ｊ３では、酸化チタン層７１Ａを有する絶縁基板１０に無電解Ｃｕめっきを施した後、界面の元素を拡散させるシンター処理が行われる。シンター処理の条件は、不活性ガスの雰囲気中、３００℃以上、３０分以上としてもよい。無電解ＣｕめっきによりＣｕめっき層７４が形成される。シンター処理により、上述した中間層１６ａ、１６ｂが形成される。シンター処理を経た酸化チタン層７１Ａ及びＣｕめっき層７４がシード層として機能する。このようにシード層がウエットプロセスにより形成されるため、製造コストの低減が図られる。

レジスト加工工程Ｊ４では、例えばＤＦＲ（Dry Film Resist）８１によりＣｕめっき層７４上に配線導体２０（図２を参照）用のパターンが形成される。電解Ｃｕめっき工程Ｊ５では、ＤＦＲ８１のパターンに従って、Ｃｕめっき層７４上に電解Ｃｕめっきが施され、所定の厚みのＣｕ導体７５が形成される。絶縁基板１０にビアｖが形成されている場合には、電解Ｃｕめっき工程Ｊ５で、ビアｖ内にＣｕ導体７５が充填される。

レジスト除去及びエッチング工程Ｊ６では、先ず、ＤＦＲ８１が除去される。ＤＦＲが除去されると、シード層（Ｃｕめっき層７４及び酸化チタン層７１Ａ）が露出する。その後、薬剤を用いたエッチングにより、露出したシード層をエッチングする。このとき、酸化チタン層７１Ａの成分が、絶縁基板１０の凹部１１Ｄに残る程度に、エッチング量が制御される。工程Ｊ６、Ｊ７において、図５では単純化して描かれているが、酸化チタン層７１Ａは層状でなく、凹部１１Ｄ内に点在する形態となる。

めっき工程Ｊ７では、Ｃｕ導体７５が形成された面に、Ｎｉの無電解めっきが行われる。このとき、Ｎｉ膜３０は、Ｃｕ導体７５、並びに、Ｃｕ導体７５の下方のＣｕめっき層７４の残留体７４ａの周囲を覆う。さらに、絶縁基板１０上の複数の凹部１１Ｄ内に酸化チタン層７１Ａの成分が残っていることで、Ｎｉ膜３０は、Ｃｕ導体７５及び残留体７４ａの近傍の凹部１１Ｄに接触するように、絶縁基板１０上で僅かに延伸して形成される。めっき工程Ｊ７においては、Ｎｉ膜３０の形成に加えて、Ｎｉ膜３０上に重ねて他の金属（例えばＰｄ（パラジウム）及びＡｕ（金））のめっきが行われてもよい。

以上のような製造方法により、本実施形態に係る配線基板１を製造することができる。

＜電子装置及び電子モジュール＞
図６は、本開示の実施形態に係る電子装置及び電子モジュールを示す断面図である。

本実施形態に係る電子装置６０は、配線基板１に電子部品５０が実装されて構成される。電子部品５０は、配線導体２０及びＮｉ膜３０上に接合材を介して接合されてもよい。電子部品５０の電極と、配線導体２０及びＮｉ膜３０とが、ボンディングワイヤーを介して接続されてもよい。Ｎｉ膜３０上には、Ｐｄ膜及びＡｕ膜などの他の金属膜が形成されてもよい。電子装置６０は、さらに、配線基板１と電子部品５０とを収容するパッケージを有する構成であってもよい。

電子部品５０としては、ＬＤ（Laser Diode）、ＰＤ（Photo Diode）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光素子、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型等の撮像素子、水晶振動子等の圧電振動子、弾性表面波素子、半導体集積回路素子（ＩＣ：Integrated Circuit）等の半導体素子、電気容量素子、インダクタ素子又は抵抗器等の種々の電子部品を適用できる。

本実施形態に係る電子モジュール１００は、モジュール用基板１１０に電子装置６０を実装して構成される。モジュール用基板１１０には、電子装置６０に加えて、他の電子装置、電子素子及び電気素子などが実装されていてもよい。モジュール用基板１１０には電極パッド１１１が設けられ、電子装置６０は、電極パッド１１１に半田等の接合材１１３を介して接合されてもよい。なお、電子装置６０の接合材１１３が接合される部分には、配線導体２０及びＮｉ膜３０が設けられていてもよい。また、電子装置６０がパッケージを有する場合、モジュール用基板１１０の電極パッド１１１にはパッケージの配線導体が接合されてもよい。

以上のように、本実施形態の配線基板１によれば、Ｃｕを構成元素とする配線導体２０の上面及び側面をＮｉ膜３０が覆う。さらに、Ｎｉ膜３０の裾部分が、絶縁基板１０上に達し、Ｔｉ酸化物１３と接触している。したがって、Ｎｉ膜３０の裾部分が、Ｔｉ酸化物１３を介して絶縁基板１０と高い強度で密着され、Ｎｉ膜３０が裾部分から剥離してしまうことを抑制できる。よって、Ｎｉ膜３０の剥離により配線導体２０の一部が露出し、露出した部分に腐食が生じたり、あるいは、露出した部分から絶縁基板１０上へのイオンマイグレーションが生じたりするといった不都合を抑制できる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、Ｎｉ膜３０は、絶縁基板１０の第１面１１に沿って配線導体２０とは反対側へ突出した突出部３１を有する。したがって、突出部３１により、Ｎｉ膜３０と絶縁基板１０との接触面積が増加し、Ｎｉ膜３０が接触する接触凹部１１Ｄａの数が増す。よって、Ｎｉ膜３０の裾部分と絶縁基板１０との密着強度をより高めることができ、Ｎｉ膜３０の剥離をより抑制することができる。

さらに、突出部３１は、少なくともいずれかの接触凹部１１Ｄａに対して、接触凹部１１Ｄａを超える範囲まで突出している。したがって、少なくともこの部分において、Ｎｉ膜３０と接触凹部１１ＤａとのＴｉ酸化物１３を介した接触が得られ、Ｎｉ膜３０と絶縁基板１０との高い密接強度が得られる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、突出部３１の突出側の縁が、絶縁基板１０の第１面１１に垂直な方向から見て、複数の山ｈ１～ｈ４と谷ｃ１～ｃ３とを含んだ形状を有する（図１Ｂ）。したがって、複数の凹部１１Ｄが無作為に配置される絶縁基板１０上において、突出部３１の山ｈ１～ｈ４の部分で多くの凹部１１Ｄとの接触を行って密着強度を高めることができる。一方、凹部１１Ｄの数が少ない箇所では、谷ｃ１～ｃ３が配置されることで、密着強度の低い部分を短くできる。凹部１１Ｄの配置が無作為である場合、多くの範囲でこのような突出部３１の山谷の配置が実現される。これらの作用によって、突出部３１の絶縁基板１０への密着強度をより高め、かつ、より剥離しにくい特性を得ることができる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、Ｎｉ膜３０と接触する接触凹部１１Ｄａは、配線導体２０の縁に沿って並んで存在する。加えて、Ｎｉ膜３０と接触する接触凹部１１Ｄａは、配線導体２０の周囲を囲んで存在する。このような構成により、配線導体２０の周囲の多くの箇所においてＮｉ膜３０の裾部の剥離を抑制できる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、絶縁基板１０の第１面１１と配線導体２０の側面２２とに垂直ないずれかの縦断面において、Ｎｉ膜３０と２つ以上の凹部１１Ｄとが接触している。２つ以上の凹部１１Ｄが接触することで、Ｎｉ膜３０と絶縁基板１０との高い密着強度が得られ、Ｎｉ膜３０が裾部分から剥離することをより抑制できる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、Ｎｉ膜３０と接触している複数の凹部１１Ｄには、個々の凹部１１Ｄを粒状と見なしたときに、複数の凹部１１Ｄが重なった形状の複合凹部１１ＤＷが含まれる。複合凹部１１ＤＷにより、Ｎｉ膜３０とＴｉ酸化物１３を介した接触面積が増大し、したがって、Ｎｉ膜３０と絶縁基板１０との高い密着強度が得られ、Ｎｉ膜３０が裾部分から剥離することをより抑制できる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、絶縁基板１０と配線導体２０との間の界面に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎの濃度勾配を有する中間層１６ａが含まれる。中間層１６ａがあることで、熱膨張に起因する界面の応力を緩やかになり、熱膨張に起因する絶縁基板１０と配線導体２０との界面破壊を抑制することができる。

さらに、本実施形態の配線基板１によれば、Ｎｉ膜３０と凹部１１Ｄと界面に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎの濃度勾配を有する中間層１６ｂが含まれる。ＣｕとＮｉとの線膨張係数は近いため、中間層１６ｂがあることで、界面における熱膨張に起因する応力が緩やかになる。したがって、熱膨張に起因する絶縁基板１０とＮｉ膜３０との界面破壊を抑制することができる。したがって、Ｎｉ膜３０の裾部分の剥離をより抑制することができる。

本実施形態の電子装置６０及び電子モジュール１００によれば、Ｎｉ膜３０の剥離が抑制された配線基板１が搭載されることで、信頼性の向上を図ることができる。

以上、本開示の実施形態について説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限られるものでない。例えば、上記実施形態では、絶縁基板１０上の凹部１１Ｄのサイズ及び密度について一例を示したが、これらのサイズ及び密度に制限されるものではない。また、上記実施形態では、Ｎｉ膜３０が配線導体２０の上面と側面との全域を覆う構成を示したが、一部が覆われていなくてもよい。また、上記実施形態では、Ｎｉ膜３０が突出部３１を有する構成を示したが、突出部３１に相当する形状が無くてもよい。また、上記実施形態において、配線基板１の製造方法について一例を示したが、別の製造方法によって配線基板１が製造されてもよい。その他、実施形態で示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

本開示は、配線基板、電子装置及び電子モジュールに利用可能である。

Claims (12)

1. 第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ＡｌＮを含む絶縁基板と、
   前記第１面上に位置し、Ｃｕを含む導体と、
   前記導体の上面、側面及び前記第１面に渡って位置するＮｉ膜と、
   を備え、
   さらに、前記第１面上に複数点在するＴｉ酸化物を有し、
   前記Ｎｉ膜は、前記Ｔｉ酸化物と接触している部分を有する、
   配線基板。
2. 前記Ｎｉ膜は、前記第１面に沿って前記導体とは反対側へ突出した突出部を有し、
   前記突出部が前記第１面と接触している、
   請求項１記載の配線基板。
3. 前記突出部は、前記Ｎｉ膜と接触している少なくとも１つの前記Ｔｉ酸化物を超えて突出している、
   請求項２記載の配線基板。
4. 前記突出部の突出側の外縁が、前記第１面に垂直な方向から見て、複数の山と複数の谷とを有する、
   請求項２又は請求項３に記載の配線基板。
5. 前記Ｎｉ膜と接触している複数の前記Ｔｉ酸化物が、前記導体の側面に沿って並んでいる、
   請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 前記Ｎｉ膜と接触している複数の前記Ｔｉ酸化物が、前記導体の周囲を囲んでいる、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の配線基板。
7. 前記第１面と前記側面とに垂直な少なくとも１つの断面において、前記Ｎｉ膜が２つ以上の前記Ｔｉ酸化物に接触している、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の配線基板。
8. 前記第１面は、複数の凹部を有し、
   該複数の前記凹部は、２つ以上の粒が重なった形状の凹部を含む、
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の配線基板。
9. 前記絶縁基板と前記導体との間に、前記導体に近いほどＣｕの濃度が高く、前記導体に近いほどＡｌ及びＮの濃度が低い濃度勾配を有する中間層が含まれる、
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の配線基板。
10. 前記Ｎｉ膜と前記第１面との間に、前記Ｎｉ膜に近いほどＣｕの濃度が高く、前記Ｎｉ膜に近いほどＡｌ及びＮの濃度が低い濃度勾配を有する中間層が含まれる、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の配線基板。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載された電子部品と、
    を備える電子装置。
12. 請求項１１記載の電子装置と、
    前記電子装置を搭載したモジュール用基板と、
    を備える電子モジュール。

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