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JP7169865B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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JP7169865B2 JP2018230872A JP2018230872A JP7169865B2 JP 7169865 B2 JP7169865 B2 JP 7169865B2 JP 2018230872 A JP2018230872 A JP 2018230872A JP 2018230872 A JP2018230872 A JP 2018230872A JP 7169865 B2 JP7169865 B2 JP 7169865B2
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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体ウェハ等の基板を回転させつつ、回転する基板の中心部にエッチング液などの処理液を供給することにより、基板を処理する基板処理方法が知られている（特許文献１参照）。
特開２０１４－１８７２５３号公報
本開示は、基板処理の面内均一性を向上させることができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、載置部と、供給部と、堰部と、移動機構とを備える。載置部は、基板が載置される。供給部は、載置部に載置された基板に対して処理液を供給する。堰部は、載置部に載置された基板を囲み、基板に供給された処理液の基板からの流出を堰き止める。移動機構は、堰部の高さを変更する。
本開示によれば、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る処理ユニットの構成を示す図である。 図３は、第１実施形態に係る堰機構の構成を示す図である。 図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視断面図の一例である。 図５は、第１実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。 図６は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図７は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図８は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図９は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図１０は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図１１は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。 図１２は、第２実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。 図１３は、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚いウェハに対する部分エッチング処理の動作説明図である。 図１４は、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚いウェハに対する部分エッチング処理およびエッチング処理による膜厚の変化を示す図である。 図１５は、中心部における膜厚が外周部における膜厚よりも厚いウェハに対する部分エッチング処理の動作説明図である。 図１６は、中心部における膜厚が外周部における膜厚よりも厚いウェハに対する部分エッチング処理およびエッチング処理による膜厚の変化を示す図である。 図１７は、第３実施形態に係る高さ調整処理の手順を示すフローチャートである。 図１８は、第４実施形態における第１変形例に係る堰機構の構成を示す図である。 図１９は、第４実施形態における第２変形例に係る堰機構の構成を示す図である。 図２０は、第４実施形態における第３変形例に係る堰機構の構成を示す図である。
以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。
近年、半導体の製造工程において、ウェットエッチングのニーズが高まりつつある。ウェットエッチングのうち、基板を１枚ずつ処理する枚葉式のウェットエッチングは、基板を回転させつつ、回転する基板の中心部にエッチング液を供給することによって行われる。
枚葉式のウェットエッチングでは、たとえば処理の効率化等のために、所定の温度に加熱されたエッチング液が用いられる場合がある。しかしながら、加熱されたエッチング液は、基板の中心部に供給された後、基板の外周部に到達するまでの間に、基板等への吸熱や気化熱等による放熱によって温度が低下する。具体的には、エッチング液の温度は、基板の中央部よりも外周部の方が低くなる。このように、基板の面内においてエッチング液の温度が不均一となることで、エッチング処理の面内均一性が低下するおそれがある。
そこで、本開示による基板処理装置では、基板の面内におけるエッチング液の温度均一性を向上させることで、エッチング処理の面内均一性を向上させることとした。
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係る基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
次に、処理ユニット１６の構成について図２～図４を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す図である。図３は、第１実施形態に係る堰機構６０の構成を示す図である。図４は、図３に示すＩＶ－ＩＶ線矢視断面図の一例である。
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、供給部４０と、回収カップ５０と、堰機構６０と、温度検出部７０とを備える。
チャンバ２０は、基板保持機構３０、供給部４０、回収カップ５０、堰機構６０および温度検出部７０を収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板保持機構３０は、回転プレート３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。回転プレート３１は、チャンバ２０の略中央に設けられる。回転プレート３１の上面には、ウェハＷの外周部を下方から支持する複数の支持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、複数の支持部材３１１に支持されることにより、回転プレート３１に対してわずかに離間した状態で水平に載置される。なお、これに限らず、複数の支持部材３１１は、ウェハＷを側方から把持する構成であってもよい。
支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において回転プレート３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された回転プレート３１を回転させ、これにより、回転プレート３１に載置されたウェハＷを回転させる。ウェハＷは、回転によって生じる負圧により回転プレート３１に保持される。
供給部４０は、基板保持機構３０に保持されたウェハＷに対して各種の処理液を供給する。かかる供給部４０は、ノズル４１と、ノズル４１を水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。
ノズル４１は、流量調整器４４ａ、加熱部４５およびバルブ４６ａを介してエッチング液供給源４７ａに接続される。エッチング液供給源４７ａから供給されるエッチング液は、加熱部４５によって所定の温度に加熱されて、ノズル４１からウェハＷの上面に吐出される。エッチング液としては、たとえば、ＨＦ（フッ酸）やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等が用いられる。
また、ノズル４１は、流量調整器４４ｂおよびバルブ４６ｂを介してリンス液供給源４７ｂに接続される。リンス液供給源４７ｂからは、リンス液として、たとえばＤＩＷ（脱イオン水）が供給される。
回収カップ５０は、回転プレート３１を取り囲むように配置され、回転プレート３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
堰機構６０は、堰部６１と、支持部６２と、支柱部６３と、移動機構６４とを備える。図２および図３に示すように、堰部６１は、円筒状の部材であり、回収カップ５０の内部において回転プレート３１に載置されたウェハＷを囲むように回転プレート３１の外周に配置され、ウェハＷに供給されたエッチング液のウェハＷからの流出を堰き止める。なお、堰部６１と回転プレート３１との干渉を防ぐため、両者の間には隙間が設けられる。
図４に示すように、堰部６１は、第１部材６１１および第２部材６１２による二層構造を有する。第１部材６１１は、堰部６１の内周側に配置され、ウェハＷに対してエッチング液が供給された際に、ウェハＷに供給されたエッチング液に接する部材である。第２部材６１２は、堰部６１の外周側に配置され、大気に接する部材である。
第１部材６１１としては、第２部材６１２と比較して熱伝導率が高い材質のものが用いられることが好ましい。第１部材６１１として熱伝導率が高いものを使用することで、エッチング液に接する第１部材６１１の温度をエッチング液の温度に早期に馴染ませることができる。したがって、たとえば、第１部材６１１の温度がエッチング液の温度よりも低い状態が長く続くことによって、ウェハＷの外周部と中央部とでエッチング液の温度に差が生じることを、抑制することができる。
また、第２部材６１２としては、断熱材等の断熱性能が高い材質のものを用いることが好ましい。第２部材６１２として断熱性能が高いものを使用することで、エッチング液によって温められた堰部６１の熱が大気に放出されにくくなるため、堰部６１の温度をエッチング液の温度に維持し易くなる。したがって、たとえば、堰部６１の温度低下によって、ウェハＷの外周部と中央部とでエッチング液の温度に差が生じることを抑制することができる。
なお、堰部６１は、少なくとも第１部材６１１と第２部材６１２とを含んで構成されればよく、必ずしも２層構造であることを要しない。すなわち、堰部６１は、第１部材６１１および第２部材６１２を含む多層構造であればよい。
支持部６２は、堰部６１を支持する。具体的には、支持部６２は、たとえば、水平方向に延在する第１支持部材６２ａと、鉛直方向に延在し、堰部６１と第１支持部材６２ａとを接続する第２支持部材６２ｂとを備える。ここでは、第１支持部材６２ａが回転プレート３１よりも下方に設けられる場合の例を示したが、第１支持部材６２ａは回転プレート３１よりも上方に設けられてもよい。すなわち、支持部６２は、回転プレート３１を上方から支持する構成であってもよい。
支柱部６３は、鉛直方向に延在する部材であり、先端部において支持部６２の第１支持部材６２ａを水平に支持する。移動機構６４は、支柱部６３を鉛直方向に沿って移動させる。ここでは、支柱部６３が中空状の部材であり、内部に支柱部３２が挿通されるものとするが、支柱部６３は、必ずしも支柱部３２を挿通させる構成であることを要しない。支柱部６３は、たとえば、第１支持部材６２ａの中央部以外の場所を支持する構成であってもよい。
かかる堰機構６０は、移動機構６４を用いて支柱部６３を鉛直方向に沿って移動させることにより、支柱部６３に支持された支持部６２を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、堰機構６０は、堰部６１の高さを変更することができる。たとえば、堰機構６０は、ウェハＷを囲む位置とウェハＷを囲まない位置との間で堰部６１を移動させることができる。「ウェハＷを囲む位置」とは、たとえば、堰部６１の上端面がウェハＷの上面よりも高い位置に配置される堰部６１の位置のことである。また、「ウェハＷを囲まない位置」とは、堰部６１の上端面がウェハＷの上面よりも低い位置に配置される堰部６１の位置のことである。
温度検出部７０は、チャンバ２０内において、回転プレート３１に載置されたウェハＷよりも上方に配置され、ウェハＷの上面の温度を検出し、検出結果を制御部１８に出力する。
温度検出部７０は、たとえば、赤外線センサである。具体的には、温度検出部７０は、赤外線を受光する受光素子を備えており、対象領域内の物体から放射される赤外線を受光素子にて受光することによって対象領域内の物体の温度を非接触で検出する。ここでは、回転プレート３１に載置されたウェハＷの上面全体を対象領域とするが、対象領域は、少なくともウェハＷの中心部および外周部を含んでいればよい。
次に、基板処理システム１の具体的動作について図５～図１１を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。基板処理システム１が備える各装置は、制御部１８の制御に従って図５に示す各処理手順を実行する。また、図６～図１１は、第１実施形態に係る基板処理の動作説明図である。
図５に示すように、基板処理システム１では、まず、ウェハＷを処理ユニット１６に搬入する搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。その後、処理ステーション３の基板搬送装置１７が、受渡部１４に載置されたウェハＷを受渡部１４から取り出して、処理ユニット１６の回転プレート３１に載置する。
図６に示すように、搬入処理時において、堰部６１の上端面は、支持部材３１１に支持されるウェハＷの上面よりも低い位置に配置される。これにより、ウェハＷの搬入出が堰部６１によって阻害されることを防止することができる。
つづいて、基板処理システム１では、制御部１８が、移動機構６４を制御して堰部６１を上昇させる（ステップＳ１０２）。これにより、図７に示すように、ウェハＷは、堰部６１に囲まれた状態となる。また、図７に示すように、制御部１８は、旋回昇降機構４３を制御してノズル４１をウェハＷの中央上方に位置させる。
つづいて、基板処理システム１では、エッチング処理が行われる（ステップＳ１０３）。具体的には、制御部１８は、駆動部３３を制御して回転プレート３１を回転させることにより、回転プレート３１に載置されたウェハＷを回転させる。また、制御部１８は、バルブ４６ａを所定時間開放することにより、エッチング液供給源４７ａから供給されるエッチング液をノズル４１から回転するウェハＷの上面に向けて吐出する。エッチング液は、加熱部４５によって加熱された状態でノズル４１から吐出される。
ウェハＷに供給されたエッチング液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの全面に広がる。その後、エッチング液は、ウェハＷの上面から流出しようとするが、堰部６１によって堰き止められることにより、ウェハＷ上に貯留される。これにより、図８に示すように、堰部６１が設けられない場合と比較して、ウェハＷ上に形成されるエッチング液の液膜を厚くすることができる。なお、エッチング液は、堰部６１の上端または堰部６１と回転プレート３１との隙間から少しずつ流出し、排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。
上述したように、エッチング液の温度は、ウェハＷ等への吸熱、または、蒸発による気化熱によって低下する。このうち、吸熱による温度低下は、ウェハＷの中心部と比較してウェハＷの外周部の方が大きくなる。これは、たとえば、ウェハＷの回転や表面張力等の影響によってウェハＷの外周部におけるエッチング液の液膜が中心部における液膜と比較して薄くなることで、外周部における液膜の蓄熱量が、中心部における液膜の蓄熱量と比較して少なくなるためである。
そこで、第１実施形態に係る処理ユニット１６では、ウェハＷからのエッチング液の流出を堰部６１により堰き止めることで、ウェハＷ上に形成されるエッチング液の液膜を厚くすることとした。
エッチング液の液膜を厚くすることで、液膜の持つ蓄熱量が多くなるため、仮に、ウェハＷの中心部と外周部とで液膜の厚さに差がある場合であっても、この差がエッチング液の温度に与える影響は少なくなる。つまり、ウェハＷの中心部と外周部とでエッチング液の温度に差が生じ難くなる。
このように、第１実施形態に係る処理ユニット１６によれば、ウェハＷの面内におけるエッチング液の温度均一性を向上させることができることから、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
つづいて、エッチング処理が終了すると、基板処理システム１では、制御部１８が、移動機構６４を制御して堰部６１を下降させる（ステップＳ１０４）。これにより、図９に示すように、堰部６１は、ウェハＷを囲まない位置、具体的には、上端面がウェハＷの上面よりも低くなる位置に配置された状態となる。
このように、エッチング処理の終了後に堰部６１を下降させることで、堰部６１によってウェハＷからの流出が堰き止められていた多量のエッチング液を短時間でウェハＷから流出させることができる。したがって、リンス処理に早期に移行することができる。
つづいて、基板処理システム１では、リンス処理が行われる（ステップＳ１０５）。具体的には、制御部１８は、バルブ４６ｂを所定時間開放することにより、リンス液供給源４７ｂから供給されるリンス液をノズル４１から回転するウェハＷの中心部に向けて吐出する。ウェハＷの上面に吐出されたリンス液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの中心部から外周部に広がる。これにより、図１０に示すように、ウェハＷの上面に残存するエッチング液がリンス液によって洗い流される。
つづいて、基板処理システム１では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０６）。具体的には、制御部１８は、駆動部３３を制御することによってウェハＷの回転数を増加させる。これにより、図１１に示すように、ウェハＷ上に残存するリンス液が除去されてウェハＷが乾燥する。その後、制御部１８は、駆動部３３を制御することによりウェハＷの回転を停止させる。
つづいて、基板処理システム１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０７）。搬出処理では、乾燥処理後のウェハＷが基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。その後、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。これにより、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が修了する。
ところで、堰部６１の高さは、ウェハＷ上に形成されるエッチング液の液膜の厚さが、吸熱や気化熱による影響を受けない厚さとなる高さに設定されることが好ましい。しかしながら、気化熱によるエッチング液の温度への影響の度合は、エッチング液の性質によって異なる。たとえば、気化熱によるエッチング液の温度への影響の度合は、沸点が低いエッチング液ほど高くなる。
そこで、制御部１８は、ステップＳ１０２において、堰部６１の高さをエッチング液の種類に応じた高さに調整してもよい。この場合、制御装置４は、たとえば、エッチング液の種類と堰部６１の高さとを関連付けた高さ設定情報を記憶部１９に予め記憶しておく。そして、制御部１８は、基板処理の内容を示すレシピ情報からエッチング液の種類を特定し、特定したエッチング液の種類に関連付けられた堰部６１の高さを記憶部１９に記憶された高さ設定情報から特定する。そして、制御部１８は、特定した堰部６１の高さとなるように移動機構６４を制御して堰部６１を上昇させる。
このように、エッチング液の種類に応じて堰部６１の高さを調整してもよい。具体的には、たとえば、沸点が高いエッチング液ほど堰部６１の高さを高くしてもよい。このようにすることで、気化熱によるエッチング液の温度低下を好適に抑制することができる。
また、気化熱によるエッチング液の温度への影響の度合は、エッチング液の加熱温度によっても異なる。たとえば、気化熱によるエッチング液の温度への影響の度合は、エッチング液の加熱温度が高くなるほど高くなる。
そこで、制御部１８は、ステップＳ１０２において、堰部６１の高さをエッチング液の加熱温度に応じた高さに調整してもよい。この場合、制御装置４は、たとえば、エッチング液の加熱温度と堰部６１の高さとを関連付けた高さ設定情報を記憶部１９に予め記憶しておく。そして、制御部１８は、基板処理の内容を示すレシピ情報からエッチング液の加熱温度を特定し、特定したエッチング液の加熱温度に関連付けられた堰部６１の高さを記憶部１９に記憶された高さ設定情報から特定する。そして、制御部１８は、特定した堰部６１の高さとなるように移動機構６４を制御して堰部６１を上昇させる。
このように、エッチング液の加熱温度に応じて堰部６１の高さを調整してもよい。具体的には、エッチング液の加熱温度が高い場合に、エッチング液の加熱温度が低い場合に比べて堰部６１の高さを高くしてもよい。このようにすることで、気化熱によるエッチング液の温度低下を好適に抑制することができる。
また、制御部１８は、ステップＳ１０４において堰部６１を下降させてウェハＷの上面からエッチング液を流出させた後、ステップＳ１０５においてリンス処理を開始する前に、堰部６１を上昇させてもよい。すなわち、制御部１８は、堰部６１によってウェハＷを囲んだ状態でリンス処理を行ってもよい。これにより、堰部６１に付着したエッチング液をリンス液により洗い流すことができる。
また、ここでは、エッチング液を堰部６１の上端からオーバーフローさせる場合の例について説明した。これに限らず、制御部１８は、たとえばエッチング液が貯留された後、堰部６１と回転プレート３１との間から流出するエッチング液の流量と同じ流量となるように、流量調整器４４ａを制御してノズル４１から吐出されるエッチング液の流量を少なくしてもよい。これにより、エッチング液の消費量を抑えることができる。
また、制御部１８は、エッチング処理が終了するよりも前に、バルブ４６ａを閉じることによってノズル４１からのエッチング液の供給を停止してもよい。エッチング処理の終了前にエッチング液の供給を停止したとしても、ウェハＷ上に貯留されたエッチング液によりウェハＷをエッチングすることができる。これにより、エッチング液の消費量を抑えることができる。
（第２実施形態）
ところで、ウェハＷによっては、エッチング処理により除去する膜の膜厚が均一でない場合がある。たとえば、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚いウェハＷや、中心部における膜厚が外周部における膜厚よりも厚いウェハＷが存在することがある。
そこで、基板処理システム１では、エッチング処理を行う前に、ウェハＷの上面に形成されている膜の膜厚を均一化させる部分エッチング処理を行ってもよい。
かかる点について図１２～図１６を参照して説明する。図１２は、第２実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。また、図１３は、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚いウェハＷに対する部分エッチング処理の動作説明図であり、図１４は、同ウェハＷに対する部分エッチング処理およびエッチング処理による膜厚の変化を示す図である。また、図１５は、中心部における膜厚が外周部における膜厚よりも厚いウェハＷに対する部分エッチング処理の動作説明図であり、図１６は、同ウェハＷに対する部分エッチング処理およびエッチング処理による膜厚の変化を示す図である。
図１２に示すステップＳ２０１，Ｓ２０３～Ｓ２０８の処理は、上述した図５に示すＳ１０１～Ｓ１０７の処理と同様である。第２実施形態に係る基板処理システム１では、ステップＳ２０１においてウェハＷを処理ユニット１６に搬入した後、ステップＳ２０３において堰部６１を上昇させる前に、部分エッチング処理が行われる（ステップＳ２０２）。
部分エッチング処理では、堰部６１を下降させた状態、すなわち、エッチング液のウェハＷからの流出を堰き止めない状態で、ウェハＷの一部、具体的には、膜厚が相対的に厚い部分にエッチング液を供給する。
たとえば、図１４の上図に示すように、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚い膜がウェハＷに形成されている場合、図１３に示すように、制御部１８は、旋回昇降機構４３を制御してノズル４１をウェハＷの外周部の上方に位置させる。その後、制御部１８は、バルブ４６ａを開くことによってノズル４１からウェハＷの外周部に対してエッチング液を供給する。ウェハＷの外周部に供給されたエッチング液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの外方へ向かう。このため、ウェハＷの中心部にはエッチング液は供給されない。このように、ウェハＷの外周部にのみエッチング液が供給されることで、ウェハＷの外周部に形成された膜のみが除去される。これにより、図１４の中図に示すように、部分エッチング処理の開始前と比較して、ウェハＷの上面に形成された膜の膜厚を均一化させることができる。その後、基板処理システム１では、堰部６１を上昇させた状態でエッチング処理が行われる（ステップＳ２０４）。これにより、図１４の下図に示すように、ウェハＷの上面に形成された膜は、均一に除去される。
また、たとえば、図１６の上図に示すように、中心部における膜厚が外周部における膜厚よりも厚い膜がウェハＷに形成されている場合、図１５に示すように、制御部１８は、旋回昇降機構４３を制御してノズル４１をウェハＷの中心部の上方に位置させる。その後、制御部１８は、バルブ４６ａを開くことによってノズル４１からウェハＷの中心部に対してエッチング液を供給する。ウェハＷの中心部に供給されたエッチング液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの全面に広がる。ここで、上述したように、堰部６１を上昇させていない状態では、ウェハＷの中心部と比較して外周部のエッチング量は低下する。このため、ウェハＷの中心部に形成された膜が外周部に形成された膜よりも多く除去されることとなる。これにより、図１６の中図に示すように、部分エッチング処理の開始前と比較して、ウェハＷの上面に形成された膜の膜厚を均一化させることができる。その後、基板処理システム１では、堰部６１を上昇させた状態でエッチング処理が行われる（ステップＳ２０４）。これにより、図１６の下図に示すように、ウェハＷの上面に形成された膜は、均一に除去される。
このように、搬入処理後、堰部６１を上昇させる前に、ウェハＷの一部にエッチング液を供給する部分エッチング処理が行われてもよい。これにより、基板処理の面内均一性を向上させつつ、基板処理後の膜厚均一性も向上させることができる。
なお、制御部１８は、たとえばウェハＷに形成された膜の膜厚情報を予め取得しておき、膜厚情報に応じて旋回昇降機構４３を制御することにより、ウェハＷの上面のうち、他の部分と比較して厚い膜が形成されている部分の上方にノズル４１を移動させてもよい。ウェハＷに形成された膜の膜厚を測定する膜厚測定部は、基板処理システム１に配置されてもよいし、基板処理システム１の外部に配置されてもよい。
（第３実施形態）
たとえば、堰部６１の高さが不十分な場合、ウェハＷ面内におけるエッチング液の温度にバラツキが生じるおそれがある。そこで、制御部１８は、エッチング処理中におけるウェハＷ面内の温度分布に基づいて堰部６１の高さを調整してもよい。この点について図１７を参照して説明する。図１７は、第３実施形態に係る高さ調整処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１７に示す高さ調整処理は、たとえばエッチング処理が開始された場合に開始されるものとする。
図１７に示すように、制御部１８は、まず、温度検出部７０（図２参照）の検出結果を取得する（ステップＳ３０１）。上述したように、温度検出部７０は、ウェハＷの上面全体の温度を検出する。したがって、温度検出部７０の検出結果は、ウェハＷ面内の温度分布を示す。つづいて、制御部１８は、温度検出部７０の検出結果に基づき、ウェハＷ面内における温度差が閾値未満であるか否かを判定する（ステップＳ３０２）。
ステップＳ３０２において、ウェハＷ面内の温度差が閾値を超えていると判定した場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、制御部１８は、移動機構６４を制御して堰部６１を上昇させる（ステップＳ３０３）。このときの堰部６１の上昇量は、予め決められた量であってもよい。また、ウェハＷ面内の温度差と堰部６１の上昇量とを関連付けた高さ調整情報が記憶部１９に予め記憶されていてもよく、制御部１８は、かかる高さ調整情報を用いて堰部６１の上昇量を決定してもよい。
ステップＳ３０３の処理を終えた場合、または、ステップＳ３０２において、ウェハＷ面内の温度差が閾値未満であると判定した場合（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、制御部１８は、エッチング処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ３０４）。この処理において、エッチング処理が終了していない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、制御部１８は、処理をステップＳ３０１へ戻す。一方、エッチング処理が終了した場合（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、制御部１８は、高さ調整処理を終了する。
このように、制御部１８は、温度検出部７０によって検出されたウェハＷ板の面内温度の分布に応じて移動機構６４を制御して堰部６１の高さを調整してもよい。これにより、たとえば、ウェハＷの面内温度の分布にバラツキがある場合には、堰部６１の高さを高くすることで、かかるバラツキを低減することができる。すなわち、エッチング液の温度の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
（第４実施形態）
第４実施形態では、堰機構の変形例について説明する。図１８は、第４実施形態における第１変形例に係る堰機構の構成を示す図である。
図１８に示すように、第１変形例に係る堰機構６０Ａは、堰部６１Ａの内部に加熱部６１３を備える。加熱部６１３は、堰部６１Ａの全周に亘って設けられており、堰部６１Ａを全周に亘って加熱する。制御部１８は、エッチング処理において、たとえば、堰部６１Ａの温度がウェハＷに供給されるエッチング液の温度と同一となるように加熱部６１３を制御して堰部６１Ａを加熱する。これにより、エッチング液の温度が堰部６１Ａへの吸熱によって低下することが抑制されるため、エッチング液の温度の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
なお、加熱部６１３は、必ずしも堰部６１Ａの全周に亘って設けられることを要しない。たとえば、堰部６１Ａは、堰部６１Ａの周方向に沿って間隔をあけて配置された複数の加熱部を内蔵する構成であってもよい。また、制御部１８は、必ずしも堰部６１Ａの温度をエッチング液の温度に合わせることを要しない。たとえば、制御部１８は、堰部６１Ａの温度がエッチング液の温度よりも高くなるように加熱部６１３を制御してもよい。この場合、ウェハＷの外周部におけるエッチング液の温度を中心部におけるエッチング液の温度よりも高くすることができる。これにより、第２実施形態に係る部分エッチング処理を行うことなく、外周部における膜厚が中心部における膜厚よりも厚いウェハＷの膜厚を均一化させることができる。
図１９は、第４実施形態における第２変形例に係る堰機構の構成を示す図である。図１９に示すように、第２変形例に係る堰機構６０Ｂの堰部６１Ｂは、エッチング液を吐出する複数の吐出口６１５を内周面に備える。複数の吐出口６１５は、堰部６１Ｂの周方向に沿って間隔をあけて並べて配置される。また、堰部６１Ｂは、複数の吐出口６１５にエッチング液を供給する供給路６１６を内部に備える。供給路６１６は、たとえば、堰部６１Ｂの全周に亘って設けられる。供給路６１６には、流量調整器６５、加熱部６６およびバルブ６７を介してエッチング液供給源４７ａが接続される。
エッチング液供給源４７ａから供給されるエッチング液は、加熱部６６によって、たとえば、ノズル４１から供給されるエッチング液と同一の温度に加熱されて、複数の吐出口６１５からウェハＷの外周部に供給される。
制御部１８は、エッチング処理において、バルブ４６ａおよびバルブ６７を開くことにより、ノズル４１からウェハＷの中心部へのエッチング液の供給と、複数の吐出口６１５からウェハＷの外周部へのエッチング液の供給とを行う。
エッチング処理において、ノズル４１からウェハＷの中心部に供給されたエッチング液がウェハＷの外周部に到達するまでにはタイムラグが生じる。このため、このタイムラグによって、ウェハＷの中心部と外周部とでエッチング量に差が生じるおそれがある。
これに対し、第２変形例のように、ノズル４１と併せて堰部６１Ｂからもエッチング液を供給するようにすることで、ノズル４１からの供給のみを行う場合と比較して、エッチング液をウェハＷ上により短時間で溜めることができる。したがって、ウェハＷ上にエッチング液が溜まるまでの間に生じる基板処理の面内均一性の低下を抑制することができる。また、ウェハＷの中心部へのエッチング液の供給と、ウェハＷの外周部へのエッチング液の供給とを行うことで、ウェハＷの中心部と外周部とでエッチング量に差が生じにくくすることができる。
また、加熱されたエッチング液が供給路６１６を流れることで、堰部６１Ｂを加熱することができる。これにより、第１変形例に係る堰部６１Ａと同様に、堰部６１Ｂへの吸熱によってエッチング液の温度が低下することを抑制することができる。
なお、制御部１８は、エッチング処理の開始後、所定時間が経過した場合に、バルブ６７を閉じることにより堰部６１Ｂからのエッチング液の供給のみを停止させてもよい。たとえば、制御部１８は、エッチング処理の開始後、エッチング液が堰部６１Ｂの上端からオーバーフローするよりも前に、堰部６１Ｂからのエッチング液の供給を停止させてもよい。
ウェハＷ上にエッチング液を短時間で溜める手法は、上記の例に限定されない。たとえば、制御部１８は、エッチング処理の開始後、エッチング液がオーバーフローするよりも前の間、ノズル４１からエッチング液を第１の流量で吐出させ、その後、第１の流量よりも少ない第２の流量でノズル４１からエッチング液を吐出させてもよい。ウェハＷ上にエッチング液が溜まるまでの間、ノズル４１からエッチング液を大流量で吐出することで、ウェハＷ上にエッチング液を短時間で溜めることができる。
また、制御部１８は、エッチング処理の開始後、エッチング液がオーバーフローするよりも前の間、旋回昇降機構４３を制御してノズル４１をウェハＷの中心部と外周部との間で移動させ続けてもよい。これにより、ウェハＷの中心部と外周部とのエッチング量のバラツキを抑制することができる。
また、ウェハＷの径方向に沿って複数の吐出口が設けられたノズル（バーノズル）をアーム４２に設け、ウェハＷの中心部および外周部を含む複数箇所に同時にエッチング液を吐出してもよい。これにより、ウェハＷ上にエッチング液を早期に溜めることができ、且つ、ウェハＷの中心部と外周部とのエッチング量のバラツキを抑制することができる。複数の供給部４０を設け、各供給部４０のノズル４１からウェハＷの中心部および外周部を含む複数箇所に同時にエッチング液を吐出した場合も同様である。
また、制御部１８は、エッチング処理の開始後、たとえばエッチング液がウェハＷの全面に広がるまでの間、駆動部３３を制御してウェハＷを第１回転数で回転させ、その後、駆動部３３を制御してウェハＷを第１回転数よりも遅い第２回転数で回転させてもよい。このように、ウェハＷを高速で回転させることにより、エッチング液をウェハＷの全面に早期に広げることができる。これにより、ウェハＷの中心部と外周部とのエッチング量のバラツキを抑制することができる。
図２０は、第４実施形態における第３変形例に係る堰機構の構成を示す図である。図２０に示すように、第３変形例に係る堰機構６０Ｃの堰部６１Ｃは、複数（ここでは、２つ）の分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２を備える。各分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２は、平面視半円形状を有する。また、堰機構６０Ｃは、分割体６１Ｃ１を移動させる分割体移動機構６６１と、分割体６１Ｃ２を移動させる分割体移動機構６６２とを備える。分割体移動機構６６１，６６２は、分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２同士が合体して円筒状の堰部６１Ｃが形成された状態と、堰部６１Ｃが複数の分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２に分割された状態との間で分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２を移動させる。堰部６１Ｃが複数の分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２に分割された状態において、複数の分割体６１Ｃ１，６１Ｃ２は、たとえば搬入処理時や搬出処理時においてウェハＷと干渉しない位置に配置される。これにより、ウェハＷの搬入出が堰部６１によって阻害されることを防止することができる。
（その他の実施形態）
堰機構６０，６０Ａ～６０Ｃは、支柱部６３（図２参照）を回転させる回転機構を備えていてもよい。この場合、堰機構６０，６０Ａ～６０Ｃは、回転機構を用いて支柱部６３を回転させることにより、ウェハＷの回転軸と同一の回転軸まわりに堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを回転させることができる。
また、この場合、制御部１８は、エッチング処理において、たとえば、ウェハＷの回転方向と同一の方向に堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを回転させてもよい。これにより、たとえば、エッチング液の飛散を抑制することができる。また、エッチング処理において、制御部１８は、たとえば、ウェハＷの回転方向と逆方向に堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを回転させてもよい。これにより、ウェハＷの外周部付近におけるエッチング液の流れが乱れることで、ウェハＷの中心部におけるエッチング量と比較して外周部におけるエッチング量を高めることができる。
上述した各実施形態では、処理液の一例としてエッチング液を挙げて説明したが、処理液は、エッチング液に限定されない。たとえば、処理液は、パーティクル除去に用いられるＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）やＳＣ２（塩酸／過酸化水素／水の混合液）等の薬液であってもよい。また、処理液は、乾燥処理に用いられるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤であってもよい。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、処理ユニット１６）は、載置部（一例として、回転プレート３１）と、供給部４０と、堰部６１，６１Ａ～６１Ｃと、移動機構６４とを備える。載置部は、基板（一例として、ウェハＷ）が載置される。供給部４０は、載置部に載置された基板に対して処理液（一例として、エッチング液）を供給する。堰部６１，６１Ａ～６１Ｃは、載置部に載置された基板を囲み、基板に供給された処理液の基板からの流出を堰き止める。移動機構６４は、堰部の高さを変更する。
基板に供給された処理液の基板からの流出を堰部６１，６１Ａ～６１Ｃにより堰き止めることで、基板上に形成される処理液の液膜を厚くすることができる。これにより、基板の中心部と外周部とで処理液の温度に差が生じ難くなるため、基板の面内における処理液の温度均一性を向上させることができる。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
また、堰部は、基板に供給された処理液に接する第１部材６１１と、第１部材６１１よりも外周側に設けられる第２部材６１２とを備えていてもよい。この場合、第１部材６１１は、第２部材６１２と比較して熱伝導率が高いものであってもよい。
第１部材６１１として熱伝導率が高いものを使用することで、処理液に接する第１部材６１１の温度を処理液の温度に早期に馴染ませることができる。したがって、たとえば、第１部材６１１の温度が処理液の温度よりも低い状態が長く続くことによって、基板の外周部と中央部とで処理液の温度に差が生じることを、抑制することができる。また、第２部材６１２として熱伝導率が低いものを使用することで、処理液によって温められた堰部６１の熱が大気に放出されることを抑制することができる。したがって、たとえば、堰部６１の温度低下によって、基板の外周部と中央部とで処理液の温度に差が生じることを抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置は、堰部６１Ａを加熱する加熱部６１３を備えていてもよい。これにより、堰部６１Ａへの吸熱によって処理液の温度が低下することが抑制されるため、処理液の温度の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板処理の面内均一性の更なる向上を図ることができる。
また、堰部６１Ｂは、処理液を吐出する複数の吐出口６１５を内周面に備える構成であってもよい。供給部４０と併せて堰部６１Ｂからも処理液を供給するようにすることで、供給部４０からの供給のみを行う場合と比較して、処理液を基板上により短時間で溜めることができる。したがって、基板上に処理液が溜まるまでの間に生じる基板処理の面内均一性の低下を抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置は、移動機構６４を制御する制御部１８をさらに備えていてもよい。この場合、制御部１８は、移動機構６４を制御することにより、堰部６１，６１Ａ～６１Ｃの高さを処理液の種類に応じた高さに調整してもよい。これにより、気化熱による処理液の温度低下を好適に抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置は、移動機構６４を制御する制御部１８をさらに備えていてもよい。この場合、制御部１８は、移動機構６４を制御することにより、堰部６１，６１Ａ～６１Ｃの高さを処理液の温度に応じた高さに調整してもよい。具体的には、制御部１８は、処理液の温度が高い場合に、処理液の温度が低い場合と比較して堰部６１，６１Ａ～６１Ｃの高さを高くしてもよい。これにより、気化熱による処理液の温度低下を好適に抑制することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置は、移動機構６４を制御する制御部１８と、基板の面内温度を検出する温度検出部７０とをさらに備えていてもよい。この場合、制御部１８は、載置部に載置された基板に対して供給部４０から処理液が供給される間、温度検出部７０によって検出された基板の面内温度の分布に応じて移動機構６４を制御して堰部６１，６１Ａ～６１Ｃの高さを調整してもよい。
これにより、たとえば、基板の面内温度の分布にバラツキがある場合には、堰部６１，６１Ａ～６１Ｃの高さを高くすることで、かかるバラツキを低減することができる。すなわち、処理液の温度の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置では、部分供給工程（一例として、ステップＳ２０２の部分エッチング処理）が行われてもよい。部分供給工程は、載置工程（一例として、ステップＳ１０１，Ｓ２０１の搬入処理）後、囲み工程（一例として、ステップＳ１０２，Ｓ２０３における堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを上昇させる処理）前に、基板の一部に処理液を供給する。れにより、基板処理の面内均一性を向上させつつ、基板処理後の膜厚均一性も向上させることができる。
また、実施形態に係る基板処理装置では、流出工程（一例として、ステップＳ１０４，Ｓ２０５において堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを下降させる処理）と、リンス工程（一例として、ステップＳ１０５，Ｓ２０６のリンス処理）が行われてもよい。流出工程は、供給工程（一例として、ステップＳ１０３，Ｓ２０４のエッチング処理）後、処理液の基板からの流出を堰き止めない位置に堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを移動させることにより、処理液を基板から流出させる。リンス液は、流出工程後、載置部に載置された基板に対してリンス液を供給する。
このように、供給工程の終了後に堰部６１を下降させることで、堰部６１によって基板からの流出が堰き止められていた多量の処理液を短時間で基板から流出させることができる。したがって、リンス工程に早期に移行することができる。
また、実施形態に係る基板処理装置では、流出工程後、リンス工程前に、堰部６１，６１Ａ～６１Ｃを移動させて、載置部に載置された基板を堰部６１，６１Ａ～６１Ｃで囲む再囲み工程が行われてもよい。これにより、堰部６１に付着した処理液をリンス液により洗い流すことができる。
また、上述した各実施形態では、処理液の一例として、加熱されたエッチング液を挙げて説明したが、処理液は、必ずしも加熱されることを要しない。すなわち、常温の処理液であってもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 処理ユニット
３０ 基板保持機構
３１ 回転プレート
４０ 供給部
４１ ノズル
６０ 堰機構
６１ 堰部
６４ 移動機構

Claims (10)

  1. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給する供給部と、
    前記載置部に載置された前記基板を囲み、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を堰き止める堰部と、
    前記堰部の高さを変更する移動機構と
    を備え、
    前記堰部は、
    前記基板に供給された前記処理液に接する第１部材と、
    前記第１部材よりも外周側に設けられる第２部材と
    を備え、
    前記第１部材は、
    前記第２部材と比較して熱伝導率が高い、基板処理装置。
  2. 前記堰部を加熱する加熱部
    を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給する供給部と、
    前記載置部に載置された前記基板を囲み、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を堰き止める堰部と、
    前記堰部の高さを変更する移動機構と
    を備え、
    前記堰部は、
    前記処理液を吐出する複数の吐出口を内周面に備える、基板処理装置。
  4. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給する供給部と、
    前記載置部に載置された前記基板を囲み、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を堰き止める堰部と、
    前記堰部の高さを変更する移動機構と、
    前記移動機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記移動機構を制御することにより、前記堰部の高さを前記処理液の種類に応じた高さに調整する、基板処理装置。
  5. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給する供給部と、
    前記載置部に載置された前記基板を囲み、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を堰き止める堰部と、
    前記堰部の高さを変更する移動機構と、
    前記移動機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記移動機構を制御することにより、前記堰部の高さを前記処理液の温度に応じた高さに調整する、基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記処理液の温度が高い場合に、前記処理液の温度が低い場合と比較して前記堰部の高さを高くする、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 基板が載置される載置部と、
    前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給する供給部と、
    前記載置部に載置された前記基板を囲み、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を堰き止める堰部と、
    前記堰部の高さを変更する移動機構と、
    前記移動機構を制御する制御部と、
    前記基板の面内温度を検出する温度検出部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記載置部に載置された前記基板に対して前記供給部から前記処理液が供給される間、前記温度検出部によって検出された前記基板の面内温度の分布に応じて前記移動機構を制御して前記堰部の高さを調整する、基板処理装置。
  8. 載置部に基板を載置する載置工程と、
    前記載置工程後、前記載置部に載置された前記基板を堰部で囲む囲み工程と、
    前記囲み工程後、前記載置部に載置された前記基板に対して処理液を供給し、前記基板に供給された前記処理液の前記基板からの流出を前記堰部により堰き止める供給工程と、
    前記載置工程後、前記囲み工程前に、前記基板の一部に前記処理液を供給する部分供給工程と
    を含む、基板処理方法。
  9. 前記供給工程後、前記処理液の前記基板からの流出を堰き止めない位置に前記堰部を移動させることにより、前記処理液を前記基板から流出させる流出工程と、
    前記流出工程後、前記載置部に載置された前記基板に対してリンス液を供給するリンス工程と
    をさらに含む、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記流出工程後、前記リンス工程前に、前記堰部を移動させて、前記載置部に載置された前記基板を前記堰部で囲む再囲み工程
    をさらに含む、請求項９に記載の基板処理方法。
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