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JP7149739B2 - 載置台及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、載置台及び基板処理装置に関する。
従来から、プラズマを用いてウエハなどの被処理体にエッチング処理等を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。かかる基板処理装置は、例えば、真空空間を構成可能な処理容器内に、電極を兼ねた被処理体を保持する載置台を有する。載置台には、載置台に置かれた被処理体の裏面と載置台の載置面との間に伝熱ガスを供給するための通孔（貫通孔）が形成されている。
特開２０００－１９５９３５号公報
本開示は、載置台において異常放電を抑制することができる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する通孔が形成された板状部材と、前記通孔の内部に配置された埋込部材と、を有し、前記埋込部材の表面に凹部又は凸部の少なくともいずれかを設け、前記埋込部材の表面の凹部又は凸部の少なくともいずれかは、複数の突起であり、前記複数の突起は、互い違いに２層以上に形成される、載置台が提供される。
一の側面によれば、載置台において異常放電を抑制することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す概略断面図。 一実施形態に係る載置台の一例を示す概略断面図。 パッシェンの法則による放電開始電圧の曲線を示す図。 一実施形態に係る埋込部材の一例を示す図。 一実施形態に係る埋込部材を平面視した図及び埋込部材の断面の一例を示す図。 一実施形態に係る埋込部材の一例を示す図。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［基板処理装置の構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。この処理容器１は、円筒状であり、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器１内には、被処理体（work-piece）の一例であるウエハＷを支持する載置台２が設けられている。載置台２は、基台２ａ及び静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic chuck）６を有する。基台２ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック６は、セラミックス、例えばアルミナ等で構成されており、ウエハＷを静電吸着するための機能を有する。載置台２は、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等からなる支持部材３に支持されている。載置台２の上方の外周には、例えばシリコンで形成されたエッジリング５が設けられている。処理容器１内には、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
基台２ａには、整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、所定の周波数のプラズマ発生用の高周波電力を基台２ａに供給する。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、第１のＲＦ電源１０ａの周波数よりも低い所定の周波数のイオン引き込み用（バイアス用）の高周波電力を基台２ａに供給する。
載置台２の上方には、載置台２と平行に対向し、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。かかる構成により、シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極として機能する。
静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷが吸着される。なお、載置台２は、静電チャック６を有していなくてもよい。
載置台２の内部には、冷媒流路２ｄが形成されており、冷媒流路２ｄには、冷媒入口配管２ｂ、冷媒出口配管２ｃが接続されている。そして、冷媒流路２ｄの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御する。
また、載置台２等を貫通するように、ウエハＷの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（以下、「伝熱ガス」ともいう。）を供給するためのガス供給管２１０が設けられており、ガス供給管２１０は、伝熱ガス供給部３１に接続されている。ガス供給管２１０は載置台２を貫通し、これにより、載置台２の内部に通孔２１０ａが形成される。これらの構成によって、載置台２上のウエハＷが、所定の温度に制御される。
通孔２１０ａの内部には埋込部材２２０が配置され、載置台２において異常放電を抑制する。なお、ガス供給管２１０の内部構造の詳細については後述される。
載置台２には、複数、例えば３つのピン用貫通孔２００が設けられており（図１には１つのみ示す。）、これらのピン用貫通孔２００の内部には、夫々リフターピン６１が配設されている。リフターピン６１は、駆動機構６２に接続されており、駆動機構６２により上下動される。
シャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部の上部天板１６ｂを着脱自在に支持する。
本体部１６ａには、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、底部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。上部天板１６ｂには、厚さ方向にガス導入孔１６ｅが貫通し、ガス導入孔１６ｅは、上記したガス通流孔１６ｄと連通するように設けられている。
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。ガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給するガス供給部１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、ガス供給部１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。かかる構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
シャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能になっている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、制御部９０によって制御される。なお、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波（ＲＦ）が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、シャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧する。処理容器１内の側壁には、ウエハＷの搬入出口８４が設けられており、搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６のウエハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、内壁部材３ａに沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。
上記構成の基板処理装置１００は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、基板処理装置１００の各部を制御するＣＰＵ９１と、インターフェース９２と、メモリ９３とを有する。
インターフェース９２は、工程管理者が基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
メモリ９３には、基板処理装置１００で実行される各種処理をＣＰＵ９１の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、インターフェース９２からの入力操作に応じた指示等にて任意のレシピをメモリ９３から呼び出してＣＰＵ９１に実行させることで、基板処理装置１００において所定の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用することができる。制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用することも可能である。
［載置台の構成］
次に、図２を参照して、載置台２の構成の一例について説明する。図２は、本実施形態に係る載置台２を示す概略断面図である。上述のとおり、載置台２は、基台２ａと、静電チャック６とを有する。静電チャック６は、円板状であり、同じく円板状のウエハＷを載置するための載置面２１と、当該載置面２１に対向する裏面２２とを有している。基台２ａは、静電チャック６の裏面２２に接合されている。載置台２が静電チャック６を有しない場合、基台２ａの上面が載置台２の載置面２１になり、基台２ａの下面が載置台２の裏面２２になる。
載置面２１には、ガス供給管２１０の端部が形成され、通孔２１０ａとなっている。通孔２１０ａからは、ヘリウムガス等の伝熱ガスがウエハＷの裏面に供給される。通孔２１０ａは、載置台２を貫通するように設けられている。
なお、静電チャック６は、ウエハＷが載置される載置面２１及び載置面２１に対する裏面２２を有し、載置面２１と裏面２２を貫通する通孔２１０ａが形成された板状部材の一例である。載置台２が静電チャック６を有しない場合には、基台２ａ又は基台２ａ上の静電チャックに替わる部材が、載置面２１及び載置面２１に対する裏面２２を有し、載置面２１と裏面２２を貫通する通孔２１０ａが形成された板状部材の一例となる。
通孔２１０ａは段差部を有し、段差部よりも上側の通孔２１０ａの孔径は、段差部よりも下側の通孔２１０ａの孔径よりも小さくなっている。ガス供給管２１０には、アルミナで形成されたガス用スリーブ２０３が配置されている。ガス供給管２１０の内壁には、スペーサが設けられてもよい。
［埋込部材］
通孔２１０ａの内部には、埋込部材２２０が配置されている。埋込部材２２０には段差部２２０ａが形成されている。埋込部材２２０の段差部２２０ａよりも上側の径は段差部２２０ａよりも下側の径よりも小さく、埋込部材２２０の縦断面は凸状になっている。なお、埋込部材２２０の段差部２２０ａよりも上側を「先端部」ともいい、埋込部材２２０の段差部２２０ａよりも下側を「基端部」ともいう。
埋込部材２２０は、プラズマ耐性のあるセラミックス等の材質により形成されている。例えば、埋込部材２２０は、石英、シリコンカーバイト、シリコンナイトライド、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、イットリア、酸化チタン、タングステンカーバイトのいずれかにより形成されてもよい。また、埋込部材２２０は、プラズマ耐性の低い材質により形成されてもよい。例えば、プラズマ耐性の低い材質は、シリコン、タングステン、チタン、シリコーン、テフロン（登録商標）、エラストマー、フッ素樹脂のいずれかにより形成されてもよい。
埋込部材２２０の径は、通孔２１０ａの孔径よりも小さい。これにより、埋込部材２２０は、ガス供給管２１０の内壁と所定の間隔を設けて配置され、通孔２１０ａの内部に伝熱ガス経路が形成される。
段差部２２０ａには、十分に伝熱ガスが流れる伝熱ガス経路を確保するために凹みがあってもよい。ただし、段差部２２０ａにおける伝熱ガス経路の幅を不必要に大きくすると異常放電が発生するおそれがあるため、段差部２２０ａに設ける凹みの幅は、埋込部材２２０が横方向にずれた場合にも伝熱ガス経路が確保できる程度の幅であればよい。
基板処理装置１００は、載置台２に印加される高周波（ＲＦ）電力が高電圧化されている。載置台２に印加される高周波電力が高電圧化された場合、通孔２１０ａ付近で異常放電が発生する場合がある。
つまり、基板処理装置１００では、載置台２に高周波電力が印加されると、静電チャック６の静電容量に起因して、ウエハＷと静電チャック６の裏面２２の間で電位差が発生する。これにより、通孔２１０ａ内に発生するＲＦ電位の電位差が、放電が発生する限界値を超えると、異常放電が発生する。
図３のパッシェンの法則による放電開始電圧の曲線によれば、極小値Ｐ１が最も放電し易い圧力（Ｐ）×電極間距離（Ｔ）である。よって、極小値Ｐ１を避けることで放電開始電圧が上がり放電し難くすることができる。
例えば、極小値Ｐ１よりも左側の曲線では、圧力を一定としたとき、電極間距離（Ｔ）が短いほど放電開始電圧が上がり放電し難くなる。そこで、本実施形態では、通孔２１０ａの内部に埋込部材２２０を配置することで、図３に示す電極間距離を短くし、圧力×電極間距離の値を極小値Ｐ１から遠くすることで、異常放電を防止する。ただし、通孔２１０ａと埋込部材２２０の間には、伝熱ガスを流すための流路（隙間）を形成する必要があるため、その隙間により電極間距離が長くなり、図３の横軸に示す圧力×電極間距離の値が、極小値Ｐ１×電極間距離の値に近くなると放電し易くなる。
そこで、本実施形態では、通孔２１０ａに埋込部材２２０を設けることに加えて、埋込部材２２０の先端部２２０ｂに複数の突起３００、３０２、３１０等を有するラビリンス構造を有する。これにより、通孔２１０ａ内において電子の直線距離を短くし、異常放電の発生を確実に防止する。
［複数の突起］
例えば、図４（ａ）の比較例と図４（ｂ）の本実施形態の埋込部材２２０を比較して説明する。比較例では、埋込部材２２０の先端部２２０ｂと通孔２１０ａの内壁の間は、径方向に約０．１５ｍｍの環状の隙間を有する。また、先端部２２０ｂと通孔２１０ａの内壁の間の縦方向の隙間は、静電チャック６の厚さに等しく、約１．２ｍｍである。よって、比較例では、先端部２２０ｂにおける電子の直線距離の最長は、約１．２ｍｍとなる。
これに対して、図４（ｂ）の本実施形態では、埋込部材２２０の先端部２２０ｂと通孔２１０ａの内壁の間は、径方向に約０．０５ｍｍの隙間を有する。異常放電の防止の観点から埋込部材２２０と通孔２１０ａの間の径方向の隙間は、約０．０５ｍｍ以下であればよい。
本実施形態では、複数の突起３００、３０２、３１０等が上層と下層の２層に配置されている。図４（ｂ）は、複数の突起が２層以上に互い違いに形成されている埋込部材２２０の一例である。本実施形態では、複数の突起が２層に設けられているが、これに限られず、複数の突起は３層又はそれ以上の複数層に互い違いに配置されてもよい。
このように、本実施形態では、埋込部材２２０の先端部２２０ｂに互い違いに２層の複数の突起３００、３０２、３１０等が径方向に突出している。かかる構成では、本実施形態では、平面視で通孔２１０ａと埋込部材２２０の間に約０．０５ｍｍよりも大きい開口を有しない。なお、複数の突起は、互い違いに２層以上に形成されてもよい。
図５（ａ）は、図４（ｂ）に示すＡ－Ａ面側から通孔２１０ａ及び載置面２１を平面視した図の一例である。図５（ｂ）は、図４（ｂ）に示すＢ－Ｂ断面、すなわち、先端部２２０ｂに形成された上層の突起を切断した面の一例を示す図である。図５（ｃ）は、図４（ｂ）に示すＣ－Ｃ断面、すなわち、先端部２２０ｂに形成された下層の突起を切断した面の一例を示す図である。
図５（ｂ）のＢ－Ｂ断面では、先端部２２０ｂから等間隔に径方向に吐出する３つの突起３００、３０１、３０２が形成され、その間に径方向に約０．０５ｍｍの幅を有する隙間４００、４０１、４０２が形成されている。隙間４００、４０１、４０２の周方向の間隔は、約１．２ｍｍ以下である。
図５（ｃ）のＣ－Ｃ断面では、先端部２２０ｂから等間隔に径方向に吐出する３つの突起３１０、３１１、３１２が形成され、その間に径方向に約０．０５ｍｍの幅を有する隙間４１０、４１１、４１２が形成されている。隙間４１０、４１１、４１２の周方向の間隔は、約１．２ｍｍ以下である。
複数の突起３００、３０１、３０２及び複数の突起３１０、３１１、３１２は、異なる層において互い違いに配置されている。３つの突起３００、３０１、３０２は、３つの隙間４１０、４１１、４１２の上方に位置付けられ、３つの突起３１０、３１１、３１２は、３つの隙間４００、４０１、４０２の下方に位置付けられている。
突起３００、３０１、３０２のそれぞれを時計回りに６０°回転させた位置に突起３１０、３１１、３１２が配置される。これにより、図５（ａ）の通孔２１０ａを平面視した図に示すように、通孔２１０ａと埋込部材２２０の間の隙間がすべて埋まるように複数の突起が配置され、複数の突起の下側が見えないようになっている。つまり、本実施形態にかかる載置台２では、通孔２１０ａを上面から平面視したときに、通孔２１０ａと埋込部材２２０の間に開口を有しない。
これにより、本実施形態では、図４(ｂ)に示すように、通孔２１０ａと埋込部材２２０の間にて加速する電子の直線距離の最長は、下層の突起３１０の上面から載置面２１までの長さ、すなわち、約０．６ｍｍに短縮できる。ただし、電子の直線距離の最長は、約０．６ｍｍに限られず、突起の形状、大きさ、配置により更に短くすることができる。
以上から、本実施形態にかかる載置台２に形成された通孔２１０ａでは、複数の突起を設けたことにより電子の加速距離を短くできる。これにより、通孔２１０ａ内の電子の加速を抑制することができ、ウエハＷの裏面における異常放電を防止できる。
なお、複数の突起３００、３０１、３０２、３１０、３１１、３１２の間隔は、平面視で周方向に約１．２ｍｍ未満で配置されていればよく、等間隔で配置されていなくてもよい。例えば、通孔２１０ａと埋込部材２２０の間には、約０．０５ｍｍよりも大きい開口を有しない範囲で複数の突起を互い違いに自由に配置することができる。複数の突起の個数、複数の突起が配置される層数についても、本実施形態の個数及び層数に限定されない。
［スパイラル状の突起］
次に、図６を参照しながら、一実施形態に係る埋込部材２２０の他の例について説明する。図６（ａ）に示す例では、埋込部材２２０の先端部２２０ｂは複数の突起を有さず、段差部２２０ａよりも手前、すなわち、段差部２２０ａに対して先端部２２０ｂの反対側に位置する基端部２２０ｃにスパイラル状の突起３１３を有する。基端部２２０ｃと通孔２１０ａの間は、約０．０５ｍｍ以下の隙間を有する。
スパイラル状の突起３１３の間は、スパイラル状の隙間４１３になっている。スパイラル状の突起３１３は径方向に約０．０５ｍｍ以下で突出する。また、スパイラル状の突起３１３の間隔は、約０．６ｍｍ以下であってもよい。
かかる構成によっても、本実施形態にかかる載置台２に形成された通孔２１０ａは、スパイラル状の突起３１３を設けたことにより電子の加速距離を短くできる。これにより、通孔２１０ａ内の電子の加速を抑制することで、ウエハＷの裏面における異常放電を防止できる。
更に、埋込部材２２０の先端部２２０ｂに複数の突起３００、３０２、３１０等及びスパイラル状の突起３１３の一方を有し、埋込部材２２０の基端部２２０ｃに複数の突起３００、３０２、３１０等及びスパイラル状の突起３１３の他方を有してもよい。例えば、図６（ｂ）では、先端部２２０ｂに複数の突起３００、３０２、３１０等を有し、基端部２２０ｃにスパイラル状の突起３１３を有する例を示す。ただし、突起の構成は、これに限らず、先端部２２０ｂにスパイラル状の突起３１３を有し、基端部２２０ｃに複数の突起３００、３０２、３１０等を有してもよい。かかる構成によれば、通孔２１０ａにおいてより確実に異常放電を防止できる。
以上に説明したように、図４の複数の突起及び図６のスパイラル状の突起のいずれを埋込部材２２０に設けた場合においても、埋込部材２２０を水平方向に切断したときの任意の一断面で突起の間に存在する開口が、別の一断面では異なる位置に存在する。また、複数の突起３００、３０２、３１０等及びスパイラル状の突起３１３は径方向に約０．０５ｍｍ以下で突出する。これにより、平面視で通孔２１０ａと埋込部材２２０との間は所定の距離以下で離隔する。例えば、平面視で通孔２１０ａと埋込部材２２０との間は約０．０５ｍｍ以下で離隔することが好ましい。これにより、通孔２１０ａ内において電子の加速距離を短くでき、載置台２の載置面２１等における異常放電を防止できる。
以上から、本実施形態に係る載置台２によれば、載置台２に置かれたウエハＷの裏面と載置台２の載置面２１との間に伝熱ガスを供給するための通孔２１０ａにおける異常放電を抑制することができる。
[変形例]
載置台２に設けられた埋込部材２２０は、以上に説明したウエハＷの裏面２２に供給する伝熱ガス用の流路である通孔２１０ａに適用する場合に限られない。例えば、図１に示すリフターピン６１を挿通させるピン用貫通孔２００にも適用できる。この場合、リフターピン６１の表面に互い違いに複数の突起を設けたり、スパイラル状の突起を設けてもよい。
埋込部材２２０の表面には、凹部又は凸部の少なくともいずれかが形成されていればよい。埋込部材２２０の表面は、複数の突起を設けることに限られず、複数の凹みを設けてもよい。また、埋込部材２２０の表面は、スパイラル状の突起を設けることに限られず、スパイラル状の凹みを設けてもよい。
例えば、複数の突起３００、３０１、３０２、３１０、３１１、３１２は、埋込部材２２０の表面に形成された凸部の一例である。隙間４００、４０１、４０２、４１０、４１１、４１２は、埋込部材２２０の表面に形成された凹部の一例である。
また、例えば、スパイラル状の突起３１３は、埋込部材２２０の表面に形成された凸部の一例である。隙間４００、４０１、４０２、４１０、４１１、４１２は、埋込部材２２０の表面に形成された凹部の一例である。
更に、埋込部材２２０の表面に設けられる凸部又は凹部は、スパイラル状の突起や略矩形状の突起に限定せず、様々な形状であってもよい。ただし、この場合においても、平面視で通孔２１０ａと埋込部材２２０との間は所定の距離以下、例えば約０．０５ｍｍ以下で離隔するように、突起の形状及び配置が決定される。
以上に説明したように、本実施形態の載置台２及び該載置台２を備える基板処理装置１００によれば、載置台２において異常放電が発生することを防止できる。
今回開示された一実施形態に係る載置台及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
本明細書では、被処理体の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。
２ 載置台
２ａ 基台
５ エッジリング
６ 静電チャック
１５ ガス供給部
１６ シャワーヘッド
２１ 載置面
２２ 裏面
３１ 伝熱ガス供給部
６１ リフターピン
１００ 基板処理装置
２００ ピン用貫通孔
２０３ ガス用スリーブ
２１０ ガス供給管
２２０ 埋込部材
２１０ａ 通孔
２２０ａ 段差部
２２０ｂ 先端部
２２０ｃ 基端部
３００、３０１、３０２、３１０、３１１、３１２ 突起
３１３ スパイラル状の突起
４００、４０１、４０２、４１０、４１１、４１２ 隙間
４１３ スパイラル状の隙間

Claims (8)

  1. 被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏
    面を貫通する通孔が形成された板状部材と、
    前記通孔の内部に配置された埋込部材と、を有し、
    前記埋込部材の表面に凹部又は凸部の少なくともいずれかを設け、
    前記埋込部材の表面の凹部又は凸部の少なくともいずれかは、複数の突起であり、
    前記複数の突起は、互い違いに２層以上に形成される、載置台。
  2. 平面視で前記通孔と前記埋込部材とは、所定の距離以下で離隔する、
    請求項１に記載の載置台。
  3. 前記複数の突起は、周方向に１．２ｍｍ以下の間隔で配置されている、
    請求項１又は２に記載の載置台。
  4. 被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏
    面を貫通する通孔が形成された板状部材と、
    前記通孔の内部に配置された埋込部材と、を有し、
    前記埋込部材の表面に凹部又は凸部の少なくともいずれかを設け、
    前記埋込部材の表面の凹部又は凸部の少なくともいずれかは、複数の突起及びスパイラ
    ル状の突起であり、
    前記埋込部材の先端部に前記複数の突起及び前記スパイラル状の突起の一方を有し、前
    記埋込部材の基端部に前記複数の突起及び前記スパイラル状の突起の他方を有する、載置
    台。
  5. 前記埋込部材の表面の凹部又は凸部の少なくともいずれかは、径方向に０．０５ｍｍ以
    下の凹み又は突出である、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の載置台。
  6. 前記所定の距離は、０．０５ｍｍ以下である、
    請求項２に記載の載置台。
  7. 前記通孔は、伝熱ガス用の流路又は被処理体を保持するリフターピンを挿通させる孔で
    ある、
    請求項１～６のいずれか一項に記載の載置台。
  8. 内部にて被処理体を処理する処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、を有し、
    前記載置台は、被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記
    載置面と前記裏面を貫通する通孔が形成された板状部材と、前記通孔の内部に配置された
    埋込部材と、を有し、
    前記埋込部材の表面に凹部又は凸部の少なくともいずれかを設け、
    前記埋込部材の表面の凹部又は凸部の少なくともいずれかは、複数の突起であり、
    前記複数の突起は、互い違いに２層以上に形成される、基板処理装置。
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