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JP7036692B2 - Thermal head and thermal printer - Google Patents

Thermal head and thermal printer Download PDF

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JP7036692B2
JP7036692B2 JP2018160532A JP2018160532A JP7036692B2 JP 7036692 B2 JP7036692 B2 JP 7036692B2 JP 2018160532 A JP2018160532 A JP 2018160532A JP 2018160532 A JP2018160532 A JP 2018160532A JP 7036692 B2 JP7036692 B2 JP 7036692B2
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Description

本開示は、サーマルヘッドおよびサーマルプリンタに関する。 The present disclosure relates to thermal heads and thermal printers.

従来、ファクシミリあるいはビデオプリンタ等の印画デバイスとして、種々のサーマルヘッドが提案されている。例えば、基板と、前記基板上に位置する発熱部と、前記基板上に位置し、前記発熱部に繋がっている電極と、前記発熱部および前記電極の一部を被覆する第1保護層と、前記第1保護層上に位置する第2保護層と、を備えるものが知られている(特許文献1参照)。 Conventionally, various thermal heads have been proposed as printing devices such as facsimiles and video printers. For example, a substrate, a heat generating portion located on the substrate, an electrode located on the substrate and connected to the heat generating portion, and a first protective layer covering the heat generating portion and a part of the electrode. It is known that a second protective layer located on the first protective layer is provided (see Patent Document 1).

実開平8-1155号公報Jikkenhei 8-1155 Gazette

本開示のサーマルヘッドは、基板と、発熱部と、電極と、第1保護層と、第2保護層とを備える。発熱部は、基板上に位置する。電極は基板上に位置し、発熱部に繋がっている。第1保護層は、発熱部および電極の一部を被覆する。第2保護層は、第1保護層上に位置する。第1保護層は、第1結晶粒子を含む。第2結晶粒子を含む第2結晶粒子の平均結晶粒径は、第1結晶粒子の平均結晶粒径よりも大きい。 The thermal head of the present disclosure includes a substrate, a heat generating portion, electrodes, a first protective layer, and a second protective layer. The heat generating portion is located on the substrate. The electrodes are located on the substrate and are connected to the heat generating part. The first protective layer covers the heat generating portion and a part of the electrode. The second protective layer is located on the first protective layer. The first protective layer contains the first crystal particles. The average crystal grain size of the second crystal particles including the second crystal particles is larger than the average crystal grain size of the first crystal particles.

本開示のサーマルプリンタは、上記に記載のサーマルヘッドと、前記発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、前記記録媒体を押圧するプラテンローラと、を備える。 The thermal printer of the present disclosure includes the thermal head described above, a transport mechanism for transporting a recording medium onto the heat generating portion, and a platen roller for pressing the recording medium.

図1は、第1の実施形態に係るサーマルヘッドの概略を示す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an outline of the thermal head according to the first embodiment. 図2は、図1に示すサーマルヘッドの概略を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an outline of the thermal head shown in FIG. 図3は、図2のIII-III線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 図4は、図1に示すサーマルヘッドの保護層の近傍を拡大して示す断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the protective layer of the thermal head shown in FIG. 図5は、第1の実施形態に係るサーマルプリンタを示す概略図である。FIG. 5 is a schematic view showing a thermal printer according to the first embodiment.

従来のサーマルヘッドでは、保護層の信頼性を向上させるために、発熱部および電極の一部を被覆する第1保護層と、第1保護層上に位置する第2保護層とを備えるサーマルヘッドが知られている。今般においては、保護層のさらなる信頼性の向上が求められている。 In the conventional thermal head, in order to improve the reliability of the protective layer, the thermal head includes a first protective layer that covers a part of the heat generating portion and the electrode, and a second protective layer located on the first protective layer. It has been known. Nowadays, it is required to further improve the reliability of the protective layer.

本開示のサーマルヘッドは、保護層の信頼性を向上させることができる。以下、本開示のサーマルヘッドおよびそれを用いたサーマルプリンタについて、詳細に説明する。 The thermal head of the present disclosure can improve the reliability of the protective layer. Hereinafter, the thermal head of the present disclosure and the thermal printer using the same will be described in detail.

<第1の実施形態>
サーマルヘッドX1について図1~4を参照して説明する。図1は、サーマルヘッドX1の構成を概略的に示している。図2は、保護層25、被覆層27、および封止部材12を一点鎖線にて示しており、被覆部材29を破線にて示している。図3は、図2のIII-III線断面図である。なお、図3において、保護層25の層構造を省略して示してい
る。図4は、サーマルヘッドX1の保護層25の近傍を拡大して示している。
<First Embodiment>
The thermal head X1 will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 1 schematically shows the configuration of the thermal head X1. In FIG. 2, the protective layer 25, the covering layer 27, and the sealing member 12 are shown by a alternate long and short dash line, and the covering member 29 is shown by a broken line. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. In FIG. 3, the layer structure of the protective layer 25 is omitted. FIG. 4 shows an enlarged view of the vicinity of the protective layer 25 of the thermal head X1.

サーマルヘッドX1は、ヘッド基体3と、コネクタ31と、封止部材12と、放熱板1と、接着部材14とを備えている。なお、コネクタ31、封止部材12、放熱板1、および接着部材14は、必ずしも備えていなくてもよい。 The thermal head X1 includes a head substrate 3, a connector 31, a sealing member 12, a heat sink 1, and an adhesive member 14. The connector 31, the sealing member 12, the heat sink 1, and the adhesive member 14 do not necessarily have to be provided.

放熱板1は、ヘッド基体3の余剰の熱を放熱する。ヘッド基体3は、接着部材14を介して放熱板1上に載置されている。ヘッド基体3は、外部から電圧が印加されることにより、記録媒体P(図5参照)に印画を行う。接着部材14は、ヘッド基体3と放熱板1とを接着している。コネクタ31は、ヘッド基体3を外部に電気的に接続する。コネクタ31は、コネクタピン8とハウジング10とを有している。封止部材12は、コネクタ31とヘッド基体3とを接合している。 The heat radiating plate 1 dissipates excess heat from the head substrate 3. The head substrate 3 is placed on the heat radiating plate 1 via the adhesive member 14. The head substrate 3 prints on the recording medium P (see FIG. 5) by applying a voltage from the outside. The adhesive member 14 adheres the head substrate 3 and the heat sink 1. The connector 31 electrically connects the head substrate 3 to the outside. The connector 31 has a connector pin 8 and a housing 10. The sealing member 12 joins the connector 31 and the head substrate 3.

放熱板1は、直方体形状である。放熱板1は、例えば、銅、鉄またはアルミニウム等の金属材料で形成されており、ヘッド基体3の発熱部9で発生した熱のうち、印画に寄与しない熱を放熱する。 The heat sink 1 has a rectangular parallelepiped shape. The heat radiating plate 1 is made of a metal material such as copper, iron, or aluminum, and dissipates heat that does not contribute to printing among the heat generated in the heat generating portion 9 of the head substrate 3.

ヘッド基体3は、平面視して、長方形状であり、基板7上にサーマルヘッドX1を構成する各部材が配置されている。ヘッド基体3は、外部より供給された電気信号に従い、記録媒体Pに印字を行う機能を有する。 The head substrate 3 has a rectangular shape in a plan view, and each member constituting the thermal head X1 is arranged on the substrate 7. The head substrate 3 has a function of printing on the recording medium P according to an electric signal supplied from the outside.

図1~3を用いて、ヘッド基体3を構成する各部材、封止部材12、接着部材14およびコネクタ31について説明する。 Each member constituting the head substrate 3, the sealing member 12, the adhesive member 14, and the connector 31 will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

ヘッド基体3は、基板7と、蓄熱層13と、電気抵抗層15と、共通電極17と、個別電極19と、第1接続電極21と、接続端子2と、導電部材23と、駆動IC(Integrated Circuit)11と、被覆部材29と、保護層25と、被覆層27とを有している。なお、これらの部材は、必ずしもすべて備えていなくてもよい。また、ヘッド基体3は、これら以外の部材を備えていてもよい。なお、保護層25は、後述する第1保護層25aおよび第2保護層25bを総称している。 The head substrate 3 includes a substrate 7, a heat storage layer 13, an electric resistance layer 15, a common electrode 17, an individual electrode 19, a first connection electrode 21, a connection terminal 2, a conductive member 23, and a drive IC ( It has an Integrated Circuit) 11, a covering member 29, a protective layer 25, and a covering layer 27. It should be noted that these members do not necessarily have to be all provided. Further, the head substrate 3 may include members other than these. The protective layer 25 is a general term for the first protective layer 25a and the second protective layer 25b, which will be described later.

基板7は、放熱板1上に配置されており、平面視して、矩形状である。基板7は、第1面7fと、第2面7gと、側面7eとを有している。第1面7fは、第1長辺7aと、第2長辺7bと、第1短辺7cと、第2短辺7dとを有している。第1面7f上にヘッド基体3を構成する各部材が配置されている。第2面7gは、第1面7fと反対側に位置している。第2面7gは、放熱板1側に位置しており、接着部材14を介して放熱板1に接合されている。側面7eは、第1面7fと第2面7gとを接続しており、第2長辺7b側に位置している。 The substrate 7 is arranged on the heat radiating plate 1 and has a rectangular shape in a plan view. The substrate 7 has a first surface 7f, a second surface 7g, and a side surface 7e. The first surface 7f has a first long side 7a, a second long side 7b, a first short side 7c, and a second short side 7d. Each member constituting the head substrate 3 is arranged on the first surface 7f. The second surface 7g is located on the opposite side of the first surface 7f. The second surface 7g is located on the heat sink 1 side and is joined to the heat sink 1 via the adhesive member 14. The side surface 7e connects the first surface 7f and the second surface 7g, and is located on the second long side 7b side.

基板7は、例えば、アルミナセラミックス等の電気絶縁性材料あるいは単結晶シリコン等の半導体材料等によって形成されている。 The substrate 7 is formed of, for example, an electrically insulating material such as alumina ceramics or a semiconductor material such as single crystal silicon.

蓄熱層13は、基板7の第1面7f上に位置している。蓄熱層13は、第1面7fから上方に隆起している。言い換えると、蓄熱層13は、基板7の第1面7fから遠ざかる方向に突出している。 The heat storage layer 13 is located on the first surface 7f of the substrate 7. The heat storage layer 13 rises upward from the first surface 7f. In other words, the heat storage layer 13 projects in a direction away from the first surface 7f of the substrate 7.

蓄熱層13は、基板7の第1長辺7aに隣り合うように配置され、主走査方向に沿って延びている。蓄熱層13の断面が略半楕円形状であることにより、発熱部9上に形成された保護層25が、印画する記録媒体Pに良好に接触する。蓄熱層13の基板7の第1面7fからの高さとして、30~60μmを例示できる。 The heat storage layer 13 is arranged so as to be adjacent to the first long side 7a of the substrate 7, and extends along the main scanning direction. Since the cross section of the heat storage layer 13 has a substantially semi-elliptical shape, the protective layer 25 formed on the heat generating portion 9 comes into good contact with the recording medium P to be printed. As the height of the heat storage layer 13 from the first surface 7f of the substrate 7, 30 to 60 μm can be exemplified.

蓄熱層13は、熱伝導性の低いガラスで形成されており、発熱部9で発生する熱の一部を一時的に蓄積する。そのため、発熱部9の温度を上昇させるのに要する時間を短くすることができ、サーマルヘッドX1の熱応答特性を高めることができる。 The heat storage layer 13 is made of glass having low thermal conductivity, and temporarily stores a part of the heat generated in the heat generating portion 9. Therefore, the time required to raise the temperature of the heat generating portion 9 can be shortened, and the thermal response characteristics of the thermal head X1 can be improved.

蓄熱層13は、例えば、ガラス粉末に適当な有機溶剤を混合して得た所定のガラスペーストをスクリーン印刷等によって基板7の第1面7fに塗布し、これを焼成することで形成される。 The heat storage layer 13 is formed by, for example, applying a predetermined glass paste obtained by mixing a glass powder with an appropriate organic solvent onto the first surface 7f of the substrate 7 by screen printing or the like and firing the paste.

電気抵抗層15は、蓄熱層13の上面に位置しており、電気抵抗層15上には、共通電極17、個別電極19、第1接続電極21および第2接続電極26が形成されている。共通電極17と個別電極19との間には、電気抵抗層15が露出した露出領域が形成されている。電気抵抗層15の露出領域は、図2に示すように、蓄熱層13上に列状に配置されており、各露出領域が発熱部9を構成している。 The electric resistance layer 15 is located on the upper surface of the heat storage layer 13, and a common electrode 17, an individual electrode 19, a first connection electrode 21, and a second connection electrode 26 are formed on the electric resistance layer 15. An exposed region where the electric resistance layer 15 is exposed is formed between the common electrode 17 and the individual electrode 19. As shown in FIG. 2, the exposed regions of the electric resistance layer 15 are arranged in a row on the heat storage layer 13, and each exposed region constitutes a heat generating portion 9.

なお、電気抵抗層15は、各種電極と蓄熱層13との間に必ずしも位置する必要はなく、共通電極17と個別電極19とを電気的に接続するように、例えば、共通電極17と個別電極19との間のみに位置していてもよい。 The electric resistance layer 15 does not necessarily have to be located between the various electrodes and the heat storage layer 13, and the common electrode 17 and the individual electrode 19 are, for example, so as to electrically connect the common electrode 17 and the individual electrode 19. It may be located only between 19 and 19.

複数の発熱部9は、説明の便宜上、図2では簡略化して記載しているが、例えば、100dpi~2400dpi(dot per inch)等の密度で配置される。電気抵抗層15は、例えば、TaN系、TaSiO系、TaSiNO系、TiSiO系、TiSiCO系またはNbSiO系等の電気抵抗の比較的高い材料によって形成されている。そのため、発熱部9に電圧が印加されたときに、ジュール発熱によって発熱部9が発熱する。 Although the plurality of heat generating portions 9 are simplified and described in FIG. 2 for convenience of explanation, they are arranged at a density of, for example, 100 dpi to 2400 dpi (dot per inch). The electric resistance layer 15 is formed of, for example, a material having a relatively high electric resistance such as TaN-based, TaSiO-based, TaSiNO-based, TiSiO-based, TiSiCO-based, or NbSiO-based. Therefore, when a voltage is applied to the heat generating portion 9, the heat generating portion 9 generates heat due to Joule heat generation.

共通電極17は、主配線部17a,17dと、副配線部17bと、リード部17cとを備えている。共通電極17は、複数の発熱部9と、コネクタ31とを電気的に接続している。主配線部17aは、基板7の第1長辺7aに沿って延びている。副配線部17bは、基板7の第1短辺7cおよび第2短辺7dのそれぞれに沿って延びている。リード部17cは、主配線部17aから各発熱部9に向かって個別に延びている。主配線部17dは、基板7の第2長辺7bに沿って延びている。 The common electrode 17 includes a main wiring portion 17a and 17d, a sub wiring portion 17b, and a lead portion 17c. The common electrode 17 electrically connects the plurality of heat generating portions 9 and the connector 31. The main wiring portion 17a extends along the first long side 7a of the substrate 7. The sub-wiring portion 17b extends along each of the first short side 7c and the second short side 7d of the substrate 7. The lead portion 17c individually extends from the main wiring portion 17a toward each heat generating portion 9. The main wiring portion 17d extends along the second long side 7b of the substrate 7.

複数の個別電極19は、発熱部9と駆動IC11との間を電気的に接続している。また、複数の発熱部9は、複数の群に分かれており、各群の発熱部9と各群に対応して配置された駆動IC11とが、個別電極19によって電気的に接続されている。 The plurality of individual electrodes 19 are electrically connected between the heat generating portion 9 and the drive IC 11. Further, the plurality of heat generating units 9 are divided into a plurality of groups, and the heat generating units 9 of each group and the drive IC 11 arranged corresponding to each group are electrically connected by individual electrodes 19.

複数の第1接続電極21は、駆動IC11とコネクタ31との間を電気的に接続している。各駆動IC11に接続された複数の第1接続電極21は、異なる機能を有する複数の配線で構成されている。 The plurality of first connection electrodes 21 are electrically connected between the drive IC 11 and the connector 31. The plurality of first connection electrodes 21 connected to each drive IC 11 are composed of a plurality of wirings having different functions.

複数の第2接続電極26は、隣り合う駆動IC11を電気的に接続している。複数の第2接続電極26は、異なる機能を有する複数の配線で構成されている。 The plurality of second connection electrodes 26 electrically connect the adjacent drive ICs 11. The plurality of second connection electrodes 26 are composed of a plurality of wirings having different functions.

これらの共通電極17、個別電極19、第1接続電極21、および第2接続電極26は、導電性を有する材料で形成されており、例えば、アルミニウム、金、銀および銅のうちのいずれか一種の金属またはこれらの合金によって形成されている。 The common electrode 17, the individual electrode 19, the first connection electrode 21, and the second connection electrode 26 are made of a conductive material, and are, for example, any one of aluminum, gold, silver, and copper. Formed from metals or alloys of these.

複数の接続端子2は、共通電極17および第1接続電極21をFPC5に接続するために、第1面7fの第2長辺7b側に配置されている。接続端子2は、後述するコネクタ31のコネクタピン8に対応して配置されている。 The plurality of connection terminals 2 are arranged on the second long side 7b side of the first surface 7f in order to connect the common electrode 17 and the first connection electrode 21 to the FPC 5. The connection terminal 2 is arranged corresponding to the connector pin 8 of the connector 31, which will be described later.

各接続端子2上には、導電部材23が設けられている。導電部材23としては、例えば、はんだ、あるいはACP(Anisotropic Conductive Paste)等を例示することができる。なお、導電部材23と接続端子2との間にNi、Au、あるいはPdによるめっき層を配置してもよい。 A conductive member 23 is provided on each connection terminal 2. As the conductive member 23, for example, solder, ACP (Anisotropic Conducive Paste), or the like can be exemplified. A plating layer made of Ni, Au, or Pd may be arranged between the conductive member 23 and the connection terminal 2.

上記のヘッド基体3を構成する各種電極は、各々を構成するAl、Au、あるいはNi等の金属の材料層を蓄熱層13上に、スパッタリング法等の薄膜成形技術によって順次積層して積層体を形成する。次に、積層体をフォトエッチング等の技術を用いて所定のパターンに加工することにより形成することができる。なお、ヘッド基体3を構成する各種電極は、同じ工程によって同時に形成することができる。 For the various electrodes constituting the head substrate 3, the metal material layers such as Al, Au, and Ni constituting each of them are sequentially laminated on the heat storage layer 13 by a thin film forming technique such as a sputtering method to form a laminated body. Form. Next, the laminate can be formed by processing it into a predetermined pattern using a technique such as photoetching. The various electrodes constituting the head substrate 3 can be simultaneously formed by the same process.

駆動IC11は、図2に示すように、複数の発熱部9の各群に対応して配置されている。また、駆動IC11は、個別電極19と第1接続電極21とに接続されている。駆動IC11は、各発熱部9の通電状態を制御する機能を有している。駆動IC11としては、スイッチングICを用いることができる。 As shown in FIG. 2, the drive IC 11 is arranged corresponding to each group of the plurality of heat generating portions 9. Further, the drive IC 11 is connected to the individual electrode 19 and the first connection electrode 21. The drive IC 11 has a function of controlling the energized state of each heat generating portion 9. A switching IC can be used as the drive IC 11.

保護層25は、発熱部9、共通電極17および個別電極19の一部を被覆している。保護層25は、被覆した領域を、大気中に含まれている水分等の付着による腐食、あるいは印画する記録媒体Pとの接触による摩耗から保護するためのものである。 The protective layer 25 covers a part of the heat generating portion 9, the common electrode 17, and the individual electrode 19. The protective layer 25 is for protecting the covered area from corrosion due to adhesion of moisture and the like contained in the atmosphere, or wear due to contact with the recording medium P to be printed.

被覆層27は、共通電極17、個別電極19、第1接続電極21および第2接続電極26を部分的に被覆するように基板7上に配置されている。被覆層27は、被覆した領域を、大気との接触による酸化、あるいは大気中に含まれている水分等の付着による腐食から保護するためのものである。被覆層27は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、あるいはシリコーン系樹脂等の樹脂材料により形成することができる。 The coating layer 27 is arranged on the substrate 7 so as to partially cover the common electrode 17, the individual electrode 19, the first connection electrode 21, and the second connection electrode 26. The covering layer 27 is for protecting the covered region from oxidation due to contact with the atmosphere or corrosion due to adhesion of moisture or the like contained in the atmosphere. The coating layer 27 can be formed of a resin material such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a silicone resin.

駆動IC11は、個別電極19、第1接続電極21および第2接続電極26に接続された状態で、エポキシ樹脂、あるいはシリコーン樹脂等の樹脂からなる被覆部材29によって封止されている。被覆部材29は、主走査方向に延びるように配置されており、複数の駆動IC11を一体的に封止している。 The drive IC 11 is sealed with a coating member 29 made of a resin such as an epoxy resin or a silicone resin in a state of being connected to the individual electrode 19, the first connection electrode 21, and the second connection electrode 26. The covering member 29 is arranged so as to extend in the main scanning direction, and integrally seals a plurality of drive ICs 11.

コネクタ31は、複数のコネクタピン8と、複数のコネクタピン8を収納するハウジング10とを有している。複数のコネクタピン8は、第1端と第2端とを有している。第1端がハウジング10の外部に露出しており、第2端がハウジング10の内部に収容され、外部に引き出されている。コネクタピン8の第1端は、ヘッド基体3の接続端子2に電気的に接続されている。それにより、コネクタ31は、ヘッド基体3の各種電極と電気的に接続されている。 The connector 31 has a plurality of connector pins 8 and a housing 10 for accommodating the plurality of connector pins 8. The plurality of connector pins 8 have a first end and a second end. The first end is exposed to the outside of the housing 10, and the second end is housed inside the housing 10 and pulled out to the outside. The first end of the connector pin 8 is electrically connected to the connection terminal 2 of the head substrate 3. As a result, the connector 31 is electrically connected to various electrodes of the head substrate 3.

封止部材12は、第1封止部材12aと第2封止部材12bとを有している。第1封止部材12aは、基板7の第1面7f上に位置している。第1封止部材12aは、コネクタピン8と各種電極とを封止している。第2封止部材12bは、基板7の第2面7g上に位置している。第2封止部材12bは、コネクタピン8と基板7との接触部を封止するように配置されている。 The sealing member 12 has a first sealing member 12a and a second sealing member 12b. The first sealing member 12a is located on the first surface 7f of the substrate 7. The first sealing member 12a seals the connector pin 8 and various electrodes. The second sealing member 12b is located on the second surface 7g of the substrate 7. The second sealing member 12b is arranged so as to seal the contact portion between the connector pin 8 and the substrate 7.

封止部材12は、接続端子2、およびコネクタピン8の第1端が外部に露出しないように配置されており、例えば、エポキシ系の熱硬化性の樹脂、紫外線硬化性の樹脂、あるいは可視光硬化性の樹脂により形成することができる。なお、第1封止部材12aと第2封止部材12bとが同じ材料により形成されていてもよい。また、第1封止部材12aと第2封止部材12bとが別の材料により形成されていてもよい。 The sealing member 12 is arranged so that the connection terminal 2 and the first end of the connector pin 8 are not exposed to the outside. For example, an epoxy-based thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or visible light is provided. It can be formed of a curable resin. The first sealing member 12a and the second sealing member 12b may be made of the same material. Further, the first sealing member 12a and the second sealing member 12b may be formed of different materials.

接着部材14は、放熱板1上に配置されており、ヘッド基体3の第2面7gと放熱板1とを接合している。接着部材14としては、両面テープ、あるいは樹脂性の接着剤を例示することができる。 The adhesive member 14 is arranged on the heat radiating plate 1 and joins the second surface 7g of the head substrate 3 and the heat radiating plate 1. As the adhesive member 14, a double-sided tape or a resinous adhesive can be exemplified.

図4を用いて、保護層25について詳細に説明する。 The protective layer 25 will be described in detail with reference to FIG.

保護層25は、第1保護層25aと第2層保護層25bとを備えている。第1保護層25aは、基板7上に位置している。より詳細には、第1保護層25aは、発熱部9の全域を被覆している。また、第1保護層25aは、図2に示されるように、電極の一部を被覆している。より詳細には、第1保護層25aは、主配線部17aの全域、副配線部17bの第1長辺7a側の一部、リード部17cの全域を被覆している、また、第1保護層25aは、個別電極19の発熱部9側の一部を被覆している。 The protective layer 25 includes a first protective layer 25a and a second protective layer 25b. The first protective layer 25a is located on the substrate 7. More specifically, the first protective layer 25a covers the entire area of the heat generating portion 9. Further, the first protective layer 25a covers a part of the electrode as shown in FIG. More specifically, the first protective layer 25a covers the entire area of the main wiring portion 17a, a part of the sub wiring portion 17b on the first long side 7a side, and the entire area of the lead portion 17c. The layer 25a covers a part of the individual electrode 19 on the heat generating portion 9 side.

第1保護層25aとしては、TiN、TiON、TiCrN、TiAlON等を例示することができる。第1保護層25aとして、TiNを用いた場合、例えば、Tiを40~60原子%、Nを40~60原子%含有するように設定できる。なお、第1保護層25aは、例えば、SiN,SiON,SiO,SiAlON,SiC等でもよい。以下、第1保護層25aをTiNで形成した場合の例に基づいて説明する。 Examples of the first protective layer 25a include TiN, TiON, TiCrN, TiAlON and the like. When TiN is used as the first protective layer 25a, for example, it can be set to contain 40 to 60 atomic% of Ti and 40 to 60 atomic% of N. The first protective layer 25a may be, for example, SiN, SiON, SiO 2 , SiAlON, SiC, or the like. Hereinafter, the description will be given based on an example in which the first protective layer 25a is formed of TiN.

第1保護層25aは、第1結晶粒子を含んでいる。この例において、第1結晶粒子はTiNである。第1結晶粒子の平均結晶粒径は、例えば、80~240nmである。また、第1結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差は、例えば、73~120nmである。 The first protective layer 25a contains the first crystal particles. In this example, the first crystal particle is TiN. The average crystal grain size of the first crystal particles is, for example, 80 to 240 nm. The standard deviation of the average crystal grain size of the first crystal particles is, for example, 73 to 120 nm.

第1保護層25aの厚みは、2~6μmに設定することができる。第1保護層25aの厚みを2μm以上とすることにより、発熱部9および電極との密着性が向上する。また、第1保護層25aの厚みを6μm以下とすることにより、発熱部9の熱を記録媒体Pに伝達しやすくなり、サーマルヘッドX1の熱効率が向上する。 The thickness of the first protective layer 25a can be set to 2 to 6 μm. By setting the thickness of the first protective layer 25a to 2 μm or more, the adhesion between the heat generating portion 9 and the electrodes is improved. Further, by setting the thickness of the first protective layer 25a to 6 μm or less, the heat of the heat generating portion 9 can be easily transferred to the recording medium P, and the thermal efficiency of the thermal head X1 is improved.

第1保護層25aの算術表面粗さRaは、例えば、30.0nm以下である。それにより、第1保護層25a上に設けられる第2保護層25bとの密着性が向上する。 The arithmetic surface roughness Ra of the first protective layer 25a is, for example, 30.0 nm or less. As a result, the adhesion to the second protective layer 25b provided on the first protective layer 25a is improved.

第2保護層25bは、第1保護層25aと同様の材料により形成されていてもよい。すなわち、第1保護層25aがTiNで形成されている場合第2保護層25bもTiNで形成されていてよい。また、第2保護層25bが、第1保護層25aと異なる材料で形成されていてもよい。以下、第2保護層25bもTiNで形成した場合の例に基づいて説明する。 The second protective layer 25b may be formed of the same material as the first protective layer 25a. That is, when the first protective layer 25a is formed of TiN, the second protective layer 25b may also be formed of TiN. Further, the second protective layer 25b may be made of a material different from that of the first protective layer 25a. Hereinafter, the second protective layer 25b will be described with reference to an example when the second protective layer 25b is also formed of TiN.

第2保護層25bは、第2結晶粒子を含んでいる。この例において、第2結晶粒子はTiNである。第2結晶粒子の平均結晶粒径は、例えば、240~720nmである。また、第2結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差は、例えば、220~360nmである。 The second protective layer 25b contains the second crystal particles. In this example, the second crystal particle is TiN. The average crystal grain size of the second crystal particles is, for example, 240 to 720 nm. The standard deviation of the average crystal grain size of the second crystal particles is, for example, 220 to 360 nm.

第2保護層25bの厚みは、2~6μmに設定することができる。第2保護層25bの厚みを2μm以上とすることにより、耐摩耗性が向上する。また、第2保護層25bの厚みを6μm以下とすることにより、発熱部9の熱を記録媒体Pに伝達しやすくなり、サーマルヘッドX1の熱効率が向上する。なお、第2保護層25bは、最外層にあたり、記録媒体Pと接触するものである。 The thickness of the second protective layer 25b can be set to 2 to 6 μm. By setting the thickness of the second protective layer 25b to 2 μm or more, the wear resistance is improved. Further, by setting the thickness of the second protective layer 25b to 6 μm or less, the heat of the heat generating portion 9 can be easily transferred to the recording medium P, and the thermal efficiency of the thermal head X1 is improved. The second protective layer 25b is the outermost layer and is in contact with the recording medium P.

第2保護層25bの算術表面粗さRaは、例えば、67.7nm以下である。それにより第2保護層25bと記録媒体Pとの接触面積を低減することができ、それゆえ、第2保
護層25bと記録媒体Pとに生じる摩擦力を低減することができる。その結果、第2保護層25bの耐摩耗性を向上できる。
The arithmetic surface roughness Ra of the second protective layer 25b is, for example, 67.7 nm or less. Thereby, the contact area between the second protective layer 25b and the recording medium P can be reduced, and therefore the frictional force generated between the second protective layer 25b and the recording medium P can be reduced. As a result, the wear resistance of the second protective layer 25b can be improved.

サーマルヘッドX1は、第2結晶粒子の平均結晶粒径が、第1結晶粒子の平均結晶粒径よりも大きい。そのため、保護層25の信頼性が向上する。以下、詳細を説明する。 In the thermal head X1, the average crystal grain size of the second crystal particles is larger than the average crystal grain size of the first crystal particles. Therefore, the reliability of the protective layer 25 is improved. The details will be described below.

上記構成により、記録媒体と接触する第2保護層25bにおいて、比較的粒径の大きな第2結晶粒子が位置することとなる。その結果、粒界と記録媒体Pとの単位面積当たりの接触面積が小さくなり、第2保護層25bに生じる摩擦力を小さくなる。それゆえ、第2保護層25bが摩耗しにくくなり、保護層25の耐摩耗性を向上させることができる。 With the above configuration, the second crystal particles having a relatively large particle size are located in the second protective layer 25b that comes into contact with the recording medium. As a result, the contact area between the grain boundaries and the recording medium P per unit area becomes small, and the frictional force generated in the second protective layer 25b becomes small. Therefore, the second protective layer 25b is less likely to be worn, and the wear resistance of the protective layer 25 can be improved.

また、発熱部9および電極の一部を被覆する第1保護層25aにおいて、比較的粒径の小さな第1結晶粒子が位置することとなる。その結果、発熱部9および電極の表面に形成される微細な凹部に第1結晶粒子が入り込みやすくなり、第1保護層25aと、発熱部9および電極との密着性が向上する。それにより、保護層25の密着性が向上する。以上のことから、保護層25の信頼性を向上させることができる。 Further, in the first protective layer 25a that covers the heat generating portion 9 and a part of the electrode, the first crystal particles having a relatively small particle size are located. As a result, the first crystal particles easily enter into the fine recesses formed on the surfaces of the heat generating portion 9 and the electrode, and the adhesion between the first protective layer 25a and the heat generating portion 9 and the electrode is improved. As a result, the adhesion of the protective layer 25 is improved. From the above, the reliability of the protective layer 25 can be improved.

また、第2結晶粒子の平均結晶粒径が、240~720nmであってもよい。それにより、さらに粒界と記録媒体との単位面積当たりの接触面積が小さくなり、第2保護層25bの耐摩耗性が向上する。それゆえ、保護層25の信頼性が向上する。 Further, the average crystal grain size of the second crystal particles may be 240 to 720 nm. As a result, the contact area between the grain boundaries and the recording medium per unit area becomes smaller, and the wear resistance of the second protective layer 25b is improved. Therefore, the reliability of the protective layer 25 is improved.

また、第1結晶粒子の平均結晶粒径が、80~240nmであってもよい。それにより、さらに発熱部9および電極の表面に形成される微細な凹部に第1結晶粒子が入り込みやすくなり、第1保護層25aの密着性が向上する。それゆえ、保護層25の信頼性が向上する。 Further, the average crystal grain size of the first crystal particles may be 80 to 240 nm. As a result, the first crystal particles are more likely to enter into the fine recesses formed on the surfaces of the heat generating portion 9 and the electrode, and the adhesion of the first protective layer 25a is improved. Therefore, the reliability of the protective layer 25 is improved.

また、第2結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差が、第1結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差よりも大きくてもよい。それにより、保護層25の信頼性が向上する。以下詳細に説明する。 Further, the standard deviation of the average crystal grain size of the second crystal particles may be larger than the standard deviation of the average crystal grain size of the first crystal particles. As a result, the reliability of the protective layer 25 is improved. This will be described in detail below.

上記構成により、記録媒体Pと接触する第2保護層25bにおいて、様々な大きさの第2結晶粒子が位置することとなる。その結果、粒径の大きな第2結晶粒子が記録媒体Pを支えるとともに、粒径の小さな第2結晶粒子が第2保護層25bを緻密にすることができる。すなわち、粒径の大きな第2結晶粒子により第2保護層25bが主に構成され、粒径の大きな第2結晶粒子の粒子間に、粒径の小さな第2結晶粒子が位置することにより、第2保護層25bを緻密にすることができる。それゆえ、第2保護層25bの耐摩耗性が向上する。 With the above configuration, second crystal particles of various sizes are located in the second protective layer 25b that comes into contact with the recording medium P. As a result, the second crystal particles having a large particle size support the recording medium P, and the second crystal particles having a small particle size can make the second protective layer 25b dense. That is, the second protective layer 25b is mainly composed of the second crystal particles having a large particle size, and the second crystal particles having a small particle size are located between the particles of the second crystal particles having a large particle size. 2 The protective layer 25b can be made dense. Therefore, the wear resistance of the second protective layer 25b is improved.

また、第1結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差が、第2結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差よりも小さいときには、発熱部9および電極の一部を被覆する第1保護層25aにおいて、比較的粒径がそろった第1結晶粒子が位置することとなる。その結果、発熱部9および電極の表面に形成される微細な凹部に第1結晶粒子が入り込みやすくなり、第1保護層25aの密着性が向上する。以上のことから、保護層25の信頼性を向上させることができる。 When the standard deviation of the average crystal grain size of the first crystal particles is smaller than the standard deviation of the average crystal grain size of the second crystal particles, the first protective layer 25a covering the heat generating portion 9 and a part of the electrode , The first crystal particles having a relatively uniform particle size will be located. As a result, the first crystal particles easily enter into the fine recesses formed on the surfaces of the heat generating portion 9 and the electrode, and the adhesion of the first protective layer 25a is improved. From the above, the reliability of the protective layer 25 can be improved.

なお、第2結晶粒子の平均結晶粒径は、例えば、以下の方法で確認できる。まず、第2保護層25bの表面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron
Microscope)を用いて撮影する。続いて、撮影した表面写真から第2結晶粒子をマーキングして、画像解析を行い、第2結晶粒子の粒径データを測定する。なお、本明細書においては、平均結晶粒径とは、メジアン径(d50)を意味する。また、平均結
晶粒径の標準偏差は、結晶粒子の粒径データを基に算出することができる。
The average crystal grain size of the second crystal particles can be confirmed by, for example, the following method. First, the surface of the second protective layer 25b is exposed to a scanning electron microscope (SEM).
Take a picture using a microscope). Subsequently, the second crystal particles are marked from the photographed surface photograph, image analysis is performed, and the particle size data of the second crystal particles is measured. In the present specification, the average crystal grain size means the median diameter (d50). Further, the standard deviation of the average crystal grain size can be calculated based on the grain size data of the crystal particles.

また、第1結晶粒子の平均結晶粒径は、第2保護層25bを研磨、あるいは切断により除去し、第1保護層25aを露出させて、第1保護層25aの露出面をSEMを用いて撮影する。以下、第2結晶粒子と同じため説明は省略する。 Further, the average crystal grain size of the first crystal particles is obtained by removing the second protective layer 25b by polishing or cutting to expose the first protective layer 25a, and using an SEM to expose the exposed surface of the first protective layer 25a. Take a picture. Hereinafter, the description is omitted because it is the same as the second crystal particle.

また、第2保護層25bの厚みの値が、第1保護層25aの厚みの値よりも大きくてもよい。それにより、記録媒体Pと接触する第2保護層25bにおいて、厚みの値が大きいことにより、保護層25の耐摩耗性が向上する。また、第1保護層25aの厚みの値が小さいことにより、発熱部9の熱を効率よく第2保護層25bに伝熱することができ、サーマルヘッドX1の熱効率を向上できる。 Further, the value of the thickness of the second protective layer 25b may be larger than the value of the thickness of the first protective layer 25a. As a result, in the second protective layer 25b that comes into contact with the recording medium P, the large value of the thickness improves the wear resistance of the protective layer 25. Further, since the value of the thickness of the first protective layer 25a is small, the heat of the heat generating portion 9 can be efficiently transferred to the second protective layer 25b, and the thermal efficiency of the thermal head X1 can be improved.

さらに、第2保護層25bは、平均結晶粒径が、第1保護層25aよりも大きいことにより、第1保護層25aに比べて熱伝導しやすい構成となっている。すなわち、第2保護層25bは、平均結晶粒径が大きく、保護層25の厚み方向に結晶が成長しており、熱伝導しやすい。そのため、第2保護層25bの厚みが厚くなっても、記録媒体Pに効率よく伝熱できる。 Further, since the average crystal grain size of the second protective layer 25b is larger than that of the first protective layer 25a, the second protective layer 25b has a structure in which heat conduction is easier than that of the first protective layer 25a. That is, the second protective layer 25b has a large average crystal grain size, crystals grow in the thickness direction of the protective layer 25, and heat conduction is easy. Therefore, even if the thickness of the second protective layer 25b is increased, heat can be efficiently transferred to the recording medium P.

なお、第1保護層25aおよび第2保護層25bの厚みは、サーマルヘッドX1を厚み方向に切断し、切断面から測定する。 The thickness of the first protective layer 25a and the second protective layer 25b is measured from the cut surface by cutting the thermal head X1 in the thickness direction.

また、第2保護層25bの算出表面粗の値さが、第1保護層25aの算術表面粗さの値よりも大きくてもよい。それにより、記録媒体Pと接触する第2保護層25bにおいて、算術表面粗さの値が大きいことにより、第2保護層25bと記録媒体Pとの接触面積が減少する。その結果、第2保護層25bに記録媒体Pが貼りつく、いわゆるスティッキングが生じにくくなる。 Further, the calculated surface roughness value of the second protective layer 25b may be larger than the arithmetic surface roughness value of the first protective layer 25a. As a result, in the second protective layer 25b that comes into contact with the recording medium P, the contact area between the second protective layer 25b and the recording medium P decreases due to the large value of the arithmetic surface roughness. As a result, the recording medium P sticks to the second protective layer 25b, so-called sticking is less likely to occur.

また、発熱部9および電極の一部を被覆する第1保護層25aにおいて、算術表面粗さの値が小さいことにより、発熱部9および電極と、第1保護層25aとの接触面積が増加し、保護層25の密着性が向上する。 Further, in the first protective layer 25a covering the heat generating portion 9 and a part of the electrode, the contact area between the heat generating portion 9 and the electrode and the first protective layer 25a increases due to the small value of the arithmetic surface roughness. , The adhesion of the protective layer 25 is improved.

なお、算術表面粗さRaは、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)を用いて測定する。また、接触型、あるいは非接触型の表面粗さ計を用いてもよい。 The arithmetic surface roughness Ra is measured using an atomic force microscope (AFM: Atomic Force Microscope). Further, a contact type or non-contact type surface roughness meter may be used.

保護層25は、アークプラズマ方式イオンプレーティング、あるいはホロカソード方式イオンプレーティングにより形成することができる。 The protective layer 25 can be formed by an arc plasma type ion plating or a hollow cathode type ion plating.

第1結晶粒子および第2結晶粒子の平均結晶粒径の制御は、例えば、以下の方法により制御することができる。例えば、アークプラズマ方式イオンプレーティング法によって保護層25を形成する場合、第2保護層25bの成膜時に印加する基板バイアス電圧の絶対値を、第1保護層25aを形成するときよりも小さくすればよい。また、第2保護層25bの成膜時の成膜圧を、第1保護層25aを形成するときよりも大きくすればよい。また、第2保護層25bの成膜時の温度を、第1保護層25aを形成するときよりも高くすればよい。 The control of the average crystal grain size of the first crystal particles and the second crystal particles can be controlled by, for example, the following method. For example, when the protective layer 25 is formed by the arc plasma ion plating method, the absolute value of the substrate bias voltage applied at the time of forming the second protective layer 25b should be smaller than that at the time of forming the first protective layer 25a. Just do it. Further, the film forming pressure at the time of forming the second protective layer 25b may be higher than that at the time of forming the first protective layer 25a. Further, the temperature at the time of film formation of the second protective layer 25b may be higher than that at the time of forming the first protective layer 25a.

次に、サーマルヘッドX1を有するサーマルプリンタZ1について、図5を参照しつつ説明する。 Next, the thermal printer Z1 having the thermal head X1 will be described with reference to FIG.

本実施形態のサーマルプリンタZ1は、上述のサーマルヘッドX1と、搬送機構40と
、プラテンローラ50と、電源装置60と、制御装置70とを備えている。サーマルヘッドX1は、サーマルプリンタZ1の筐体(不図示)に配置された取付部材80の取付面80aに取り付けられている。なお、サーマルヘッドX1は、搬送方向Sに直交する方向である主走査方向に沿うようにして、取付部材80に取り付けられている。
The thermal printer Z1 of the present embodiment includes the above-mentioned thermal head X1, a transport mechanism 40, a platen roller 50, a power supply device 60, and a control device 70. The thermal head X1 is attached to the attachment surface 80a of the attachment member 80 arranged in the housing (not shown) of the thermal printer Z1. The thermal head X1 is attached to the attachment member 80 so as to be along the main scanning direction which is a direction orthogonal to the transport direction S.

搬送機構40は、駆動部(不図示)と、搬送ローラ43,45,47,49とを有している。搬送機構40は、感熱紙、インクが転写される受像紙等の記録媒体Pを図5の矢印S方向に搬送して、サーマルヘッドX1の複数の発熱部9上に位置する保護層25上に搬送するためのものである。駆動部は、搬送ローラ43,45,47,49を駆動させる機能を有しており、例えば、モータを用いることができる。搬送ローラ43,45,47,49は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体43a,45a,47a,49aを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材43b,45b,47b,49bにより被覆して構成することができる。なお、記録媒体Pが、インクが転写される受像紙等の場合は、記録媒体PとサーマルヘッドX1の発熱部9との間に、記録媒体Pとともにインクフィルム(不図示)を搬送する。 The transport mechanism 40 has a drive unit (not shown) and transport rollers 43, 45, 47, 49. The transport mechanism 40 transports the recording medium P such as the thermal paper and the image receiving paper on which the ink is transferred in the direction of the arrow S in FIG. 5 on the protective layer 25 located on the plurality of heat generating portions 9 of the thermal head X1. It is for transporting. The drive unit has a function of driving the transfer rollers 43, 45, 47, 49, and for example, a motor can be used. In the transport rollers 43, 45, 47, 49, for example, a columnar shaft body 43a, 45a, 47a, 49a made of a metal such as stainless steel is covered with elastic members 43b, 45b, 47b, 49b made of butadiene rubber or the like. Can be configured. When the recording medium P is an image receiving paper or the like on which ink is transferred, an ink film (not shown) is conveyed between the recording medium P and the heat generating portion 9 of the thermal head X1 together with the recording medium P.

プラテンローラ50は、記録媒体PをサーマルヘッドX1の発熱部9上に位置する保護層25上に押圧する機能を有する。プラテンローラ50は、搬送方向Sに直交する方向に沿って延びるように配置され、記録媒体Pを発熱部9上に押圧した状態で回転可能となるように両端部が支持固定されている。プラテンローラ50は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体50aを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材50bにより被覆して構成することができる。 The platen roller 50 has a function of pressing the recording medium P onto the protective layer 25 located on the heat generating portion 9 of the thermal head X1. The platen roller 50 is arranged so as to extend along a direction orthogonal to the transport direction S, and both ends thereof are supported and fixed so as to be rotatable while the recording medium P is pressed onto the heat generating portion 9. The platen roller 50 can be configured by, for example, covering a columnar shaft body 50a made of a metal such as stainless steel with an elastic member 50b made of butadiene rubber or the like.

電源装置60は、上記のようにサーマルヘッドX1の発熱部9を発熱させるための電流および駆動IC11を動作させるための電流を供給する機能を有している。制御装置70は、上記のようにサーマルヘッドX1の発熱部9を選択的に発熱させるために、駆動IC11の動作を制御する制御信号を駆動IC11に供給する機能を有している。 As described above, the power supply device 60 has a function of supplying a current for heating the heat generating portion 9 of the thermal head X1 and a current for operating the drive IC 11. The control device 70 has a function of supplying a control signal for controlling the operation of the drive IC 11 to the drive IC 11 in order to selectively generate heat of the heat generation unit 9 of the thermal head X1 as described above.

サーマルプリンタZ1は、プラテンローラ50によって記録媒体PをサーマルヘッドX1の発熱部9上に押圧しつつ、搬送機構40によって記録媒体Pを発熱部9上に搬送しながら、電源装置60および制御装置70によって発熱部9を選択的に発熱させることにより、記録媒体Pに所定の印画を行う。なお、記録媒体Pが受像紙等の場合は、記録媒体Pとともに搬送されるインクフィルム(不図示)のインクを記録媒体Pに熱転写することによって、記録媒体Pへの印画を行う。 The thermal printer Z1 presses the recording medium P onto the heat generating portion 9 of the thermal head X1 by the platen roller 50, and conveys the recording medium P onto the heat generating portion 9 by the conveying mechanism 40, while the power supply device 60 and the control device 70. By selectively generating heat in the heat generating unit 9, a predetermined printing is performed on the recording medium P. When the recording medium P is an image receiving paper or the like, the ink of the ink film (not shown) conveyed together with the recording medium P is thermally transferred to the recording medium P to print on the recording medium P.

なお、記録媒体Pとして、カット紙を用いてもよい。カット紙は、搬送が終わるたびに、カット紙の後端が、第2保護層25bにたたきつけられることとなるが、サーマルヘッドX1においては、第2結晶粒子の平均結晶粒径が、第1結晶粒子の平均結晶粒径よりも大きいことから、第2保護層25bの耐摩耗性が向上している。そのため、保護層25の信頼性が向上しており、信頼性の向上したサーマルプリンタZ1とすることができる。 Cut paper may be used as the recording medium P. In the cut paper, the rear end of the cut paper is struck against the second protective layer 25b each time the transport is completed, but in the thermal head X1, the average crystal grain size of the second crystal particles is the first crystal. Since it is larger than the average crystal grain size of the particles, the wear resistance of the second protective layer 25b is improved. Therefore, the reliability of the protective layer 25 is improved, and the thermal printer Z1 with improved reliability can be obtained.

以上、本開示のサーマルヘッドは、上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、電気抵抗層15を薄膜によって形成した、発熱部9の薄い薄膜ヘッドを例示して示したが、これに限定されるものではない。各種電極をパターニングした後に、電気抵抗層15を厚膜によって形成した、発熱部9の厚い厚膜ヘッドであってもよい。 As described above, the thermal head of the present disclosure is not limited to the above embodiment, and various changes can be made as long as the purpose is not deviated. For example, a thin thin film head having a heat generating portion 9 in which the electric resistance layer 15 is formed of a thin film is shown as an example, but the present invention is not limited thereto. After patterning the various electrodes, the thick film head of the heat generating portion 9 may be formed by forming the electric resistance layer 15 with a thick film.

また、発熱部9が基板7の第1面7f上に形成された平面ヘッドを例示して説明したが、発熱部9が基板7の端面に位置する端面ヘッドでもよい。 Further, although the flat head in which the heat generating portion 9 is formed on the first surface 7f of the substrate 7 has been described as an example, an end face head in which the heat generating portion 9 is located on the end surface of the substrate 7 may be used.

また蓄熱層13上に共通電極17および個別電極19を形成し、共通電極17と個別電極19との間の領域のみに電気抵抗層15を形成することにより、発熱部9を形成してもよい。 Further, the heat generating portion 9 may be formed by forming the common electrode 17 and the individual electrode 19 on the heat storage layer 13 and forming the electric resistance layer 15 only in the region between the common electrode 17 and the individual electrode 19. ..

また、封止部材12を、駆動IC11を被覆する被覆部材29と同じ材料により形成してもよい。その場合、被覆部材29を印刷する際に、封止部材12が形成される領域にも印刷して、被覆部材29と封止部材12とを同時に形成してもよい。 Further, the sealing member 12 may be formed of the same material as the covering member 29 that covers the drive IC 11. In that case, when printing the covering member 29, the covering member 29 and the sealing member 12 may be formed at the same time by printing on the region where the sealing member 12 is formed.

また、基板7に直接コネクタ31を接続した例を示したが、基板7にフレキシブル配線基板(FPC:Flexible printed circuits)を接続してもよい。 Further, although an example in which the connector 31 is directly connected to the board 7 is shown, a flexible printed circuits (FPC) may be connected to the board 7.

X1 サーマルヘッド
Z1 サーマルプリンタ
1 放熱板
3 ヘッド基体
7 基板
9 発熱部
11 駆動IC
12 封止部材
13 蓄熱層
14 接着部材
15 電気抵抗層
17 共通電極
19 個別電極
21 第1接続電極
25 保護層
25a 第1保護層
25b 第2保護層
26 第2接続電極
27 被覆層
31 コネクタ
X1 Thermal head Z1 Thermal printer 1 Heat sink 3 Head base 7 Board 9 Heat generation part 11 Drive IC
12 Sealing member 13 Heat storage layer 14 Adhesive member 15 Electrical resistance layer 17 Common electrode 19 Individual electrode 21 First connection electrode 25 Protective layer
25a 1st protective layer 25b 2nd protective layer 26 2nd connection electrode 27 Coating layer 31 Connector

Claims (7)

基板と、
前記基板上に位置する発熱部と、
前記基板上に位置し、前記発熱部に繋がっている電極と、
前記発熱部および前記電極の一部を被覆する第1保護層と、
前記第1保護層上に位置する第2保護層と、を備え、
前記第1保護層は、第1結晶粒子を含み、
前記第2保護層は、第2結晶粒子を含み、
前記第2結晶粒子の平均結晶粒径が、前記第1結晶粒子の平均結晶粒径よりも大きく、
前記第2結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差が、前記第1結晶粒子の平均結晶粒径の標準偏差よりも大きい、サーマルヘッド。
With the board
The heat generating part located on the substrate and
An electrode located on the substrate and connected to the heat generating portion, and
A first protective layer that covers the heat generating portion and a part of the electrode,
A second protective layer located on the first protective layer is provided.
The first protective layer contains first crystal particles and contains.
The second protective layer contains second crystal particles and contains.
The average crystal grain size of the second crystal particles is larger than the average crystal grain size of the first crystal particles.
A thermal head in which the standard deviation of the average crystal grain size of the second crystal particles is larger than the standard deviation of the average crystal grain size of the first crystal particles .
基板と、With the board
前記基板上に位置する発熱部と、The heat generating part located on the substrate and
前記基板上に位置し、前記発熱部に繋がっている電極と、An electrode located on the substrate and connected to the heat generating portion, and
前記発熱部および前記電極の一部を被覆する第1保護層と、A first protective layer that covers the heat generating portion and a part of the electrode,
前記第1保護層上に位置する第2保護層と、を備え、A second protective layer located on the first protective layer is provided.
前記第1保護層は、第1結晶粒子を含み、The first protective layer contains first crystal particles and contains.
前記第2保護層は、第2結晶粒子を含み、The second protective layer contains second crystal particles and contains.
前記第2結晶粒子の平均結晶粒径が、前記第1結晶粒子の平均結晶粒径よりも大きく、い、The average crystal grain size of the second crystal particles is larger than the average crystal grain size of the first crystal particles.
前記第2保護層の厚みの値が、前記第1保護層の厚みの値よりも大きい、サーマルヘッド。A thermal head in which the value of the thickness of the second protective layer is larger than the value of the thickness of the first protective layer.
前記第2結晶粒子の平均結晶粒径が、240nm~720nmである、請求項1または2に記載のサーマルヘッド。 The thermal head according to claim 1 or 2 , wherein the average crystal grain size of the second crystal particles is 240 nm to 720 nm. 前記第1結晶粒子の平均結晶粒径が、80nm~240nmである、請求項に記載のサーマルヘッド。 The thermal head according to claim 3 , wherein the average crystal grain size of the first crystal particles is 80 nm to 240 nm. 前記第2保護層の算術表面粗値が、前記第1保護層の算術表面粗さの値よりも大きい、請求項1~4のうちいずれか一項に記載のサーマルヘッド。 The thermal head according to any one of claims 1 to 4 , wherein the value of the arithmetic surface roughness of the second protective layer is larger than the value of the arithmetic surface roughness of the first protective layer. 請求項1~のうちいずれか一項に記載のサーマルヘッドと、
前記発熱部上に記録媒体を搬送する搬送機構と、
前記記録媒体を押圧するプラテンローラと、を備える、サーマルプリンタ。
The thermal head according to any one of claims 1 to 5 .
A transport mechanism that transports the recording medium onto the heat generating portion,
A thermal printer comprising a platen roller for pressing the recording medium.
前記記録媒体が、カット紙である、請求項に記載のサーマルプリンタ。 The thermal printer according to claim 6 , wherein the recording medium is cut paper.
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