JP7011001B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の一実施形態は、可撓性を有する表示装置の基板構造に関する。

有機エレクトロルミネセンス素子や液晶素子を各画素における表示素子として用い、この表示素子を駆動する回路を薄膜トランジスタによって形成した表示装置が開発されている。表示装置の一形態として、可撓性の基板を用いて曲折させたり湾曲させたりすることが可能な表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１５－１６９７１１号公報

表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ、容量素子等の回路素子と、この回路素子を接続する配線部を有し、これらの層間を埋める有機絶縁膜及び無機絶縁膜や、例えば各種電極の上に設けられる無機絶縁膜が基板の略全面に設けられている。ここで、可撓性を有する基板を湾曲させると、基板上に設けられている薄膜に応力が作用してクラック等の欠陥が生じることが問題となっている。すなわち、基板が可撓性を有していても、その上部に設けられる無機絶縁膜等の薄膜は同等の可撓性を有しているとは限らないので、可撓性基板を曲げることによって薄膜にクラック等の欠陥が生じてしまう。例えば、可撓性基板上の無機絶縁膜等にクラック等の欠陥が発生すると、そこから水分が浸入し、画素領域における表示素子を劣化させる原因となる。

そこで、本発明の一実施形態は、可撓性を有する基板を用いた表示装置において、基板を湾曲させた場合においても、クラック等の欠陥によって信頼性が低下してしまうことを抑制することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態によれば、可撓性を有する第１基板と、第１基板の第１面に設けられた画素部及び駆動回路部と、を有し、第１基板は折り曲げ可能な湾曲部を含み、湾曲部において、少なくとも基板の第１面を被覆する有機膜が設けられている表示装置が提供される。

本実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図であり、図１で示すＡ－Ｂ線に沿った構成を示す図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図であり、図１で示すＣ－Ｄ線に沿った構成を示す図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図であり、図１で示すＡ－Ｂ線に沿った構成において基板を曲げた状態を示す図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図であり、図１で示すＡ－Ｂ線に沿った構成において基板を曲げた状態を示す図である。 本実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図であり、図１で示すＣ－Ｄ線に沿った構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示す。また、図１で示す表示装置１００において、Ａ－Ｂ線に沿った断面構造を図２に示し、Ｃ－Ｄ線に沿った断面構造を図３に示す。以下の説明ではこれらの図面を参照する。

表示装置１００は、第１基板１０２の第１面１０に画素１０６が配列する画素部１０４を有する。表示装置１００は第１基板１０２において、画素部１０４の外側の領域（周辺領域）に画素１０６を駆動する駆動回路部を有する。駆動回路部は、走査信号を出力する第１駆動回路１０８、走査信号に同期して映像信号を出力する第２駆動回路１１０を含む。第２駆動回路１１０は、例えば第１基板１０２上に搭載されたドライバＩＣである。また、第１基板１０２の外側の領域には、信号が入力される端子部１１２が設けられている。端子部１１２は、映像信号が入力される端子を含む。端子部１１２は配線基板１１８と電気的に接続される。上述のドライバＩＣ、即ち第２駆動回路１１０は、配線基板１１８上に搭載されてもよい。

第１駆動回路１０８及び第２駆動回路１１０と画素部１０４との間は配線によって接続される。この接続領域は、導電膜により形成される配線と、この配線を埋め込む絶縁層を含む。本明細書では、画素部と駆動回路部との間の領域におけるこの接続領域を配線部と呼ぶこととする。表示装置１００は、画素部１０４と第１駆動回路１０８との間に第１配線部１１４を有し、画素部１０４と第２駆動回路１１０との間に第２配線部１１６を有する。

本実施形態において、第１基板１０２は可撓性を有する。可撓性を有する第１基板１０２は、素材として樹脂材料が用いられる。樹脂材料としては、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子材料を用いるのが好ましく、例えば、ポリイミドが用いられる。具体的には、第１基板１０２として、ポリイミドをシート状に成形したフィルム基板が用いられる。また、第１基板１０２の他の形態として、金属の薄板基板、金属の薄板に樹脂フィルムを貼り合わせた複合基板、ガラスの薄板基板に樹脂フィルムを貼り合わせた複合基板が用いられてもよい。

表示装置１００は、第１基板１０２に対向して封止材１２６が設けられている。封止材１２６は第１基板１０２に対向する第２基板とも言える。画素部１０４は、封止材１２６により被覆されている。封止材１２６は、樹脂材料による被膜又はシート状の部材により構成される。

表示装置１００は、少なくとも一部に湾曲部１２０を含む。すなわち、第１基板１０２が可撓性を有することにより、表示装置１００は少なくとも一部が曲げられた状態を含み得る。湾曲部１２０は、第１基板１０２が曲折又は湾曲される領域である。第１基板１０２が湾曲することにより、画素部、駆動回路部及び配線部の内、少なくとも湾曲部１２０と重畳する部位は第１基板１０２と共に湾曲する。

表示装置１００は、第１基板１０２の第１面１０に対向する第２面２０に、支持部材１２２が設けられる。支持部材１２２は第１基板１０２の略全面を覆うように配設されるが、少なくとも一部に切欠き部１２４を含む。第１基板１０２に密接して配置される支持部材１２２は、実質的に基板の厚さを大きくすることと同等の作用をする。すなわち、支持部材１２２は、第１基板１０２の撓みを抑制する。一方、支持部材１２２の切欠き部１２４では第１基板１０２の厚さが維持されるので、支持部材１２２が設けられる領域と比較して撓みやすい状態にある。第１基板１０２は、支持部材１２２の切欠き部１２４に対応する領域が湾曲部１２０となる。

支持部材１２２は、第１基板１０２と同じ樹脂材料、または第１基板１０２よりも硬質な部材で形成される。支持部材１２２としては、シリコーン樹脂等による樹脂膜、アクリル板等の薄板材が用いられる。なお、支持部材１２２は、本実施形態において、必須な構成ではなく、適宜使用され得る構造材である。しなしながら、上述のように、支持部材１２２を用いることで、第１基板１０２の撓みを抑制し、切欠き部１２４を設けることにより、表示装置１００の湾曲部１２０の位置を設定することができる。

支持部材１２２の切欠き部１２４は任意の位置に、任意の幅で設けることができる。図２は、表示装置１００の切欠き部１２４が画素部１０４と第２駆動回路１１０との間に設けられる態様を示す。別言すれば、図２で示す表示装置１００は、第２配線部１１６と重なる領域が湾曲部１２０となっている。

図２及び図３で示すように、表示装置１００は、湾曲部１２０を含む領域に有機膜１２８を有する。有機膜１２８は、第１基板１０２の第１面１０においては第２配線部１１６の上面を覆うように設けられる。別言すれば、有機膜１２８は、画素部１０４と第２駆動回路部１１０との間の領域に設けられている。第２配線部１１６は、有機膜１２８により被覆され保護される。有機膜１２８は第１基板１０２の第２面２０の側にも設けられている。また、有機膜１２８は、第１基板１０２の第１面と第２面との間の領域、すなわち第１基板１０２の側面部を覆うように設けられる。このように、有機膜１２８を第１基板１０２に設けることで、湾曲部１２０の保護膜として用いることができる。有機膜１２８は、第１基板１０２の第１面１０、第２面２０及び側面に連続的に設けられることで、湾曲部１２０の一部に応力が集中し、例えば、第２配線部１１６にクラック等の欠陥が生じた場合でも当該欠陥が大気に露出しないようにすることができる。

図４は、このような表示装置１００を、湾曲部１２０において第１基板１０２を湾曲させた状態を示す。第１基板１０２は、第２駆動回路１１０が画素部１０４の背面側に配置されるように曲折されている。第１基板１０２の湾曲部１２０には曲げ応力が作用する。例えば、第２配線部１１６は、第１基板１０２を曲げることにより、曲げ応力が作用する。すなわち、第２配線部１１６に含まれる配線と、この配線を埋め込む絶縁層に曲げ応力が作用する。この場合、配線を形成する金属膜は塑性を有するが、配線を埋め込む絶縁層の内少なくとも無機絶縁層は脆性によりクラック等の欠陥が発生する。第２配線部１１６に発生したクラック等の欠陥は、画素部１０４に向かって進行する（成長する）。仮に、第２配線部１１６のクラック等の欠陥が大気に露出していればそこから水分等が画素部１０４に浸入することとなり、表示装置１００の信頼性に影響を及ぼすことが問題となる。

本実施形態に係る表示装置１００は、第２配線部１１６を被覆する有機膜１２８が設けられている。図３、図４に示すように、有機膜１２８は、表示装置１００の全域に設けられるのではなく、少なくとも湾曲部１２０を含む表示装置１００の一部に設けられる。当該一部において、有機膜１２８は、第１面１０と、第２面２０と、第１面１０と第２面２０との両方に交差する側面とに、連続的に設けられている。別言すれば、有機膜１２８は、当該一部の全周に亘って設けられている。有機膜１２８は可撓性を有する第１基板１０２と同様に柔軟性を有するので、曲げに対する耐性が高く、クラック等の欠陥が生じにくいという特性を有する。有機膜１２８は、湾曲部１２０においても、第１基板１０２の曲面に沿って設けられる。そのため、第２配線部１１６の絶縁層にクラック等の欠陥が生じても、当該欠陥が外面に露出しない。また、表示装置１００は、湾曲部１２０とは異なる部分（非湾曲部）を有し、非湾曲部には、有機膜１２８が形成されていない領域がある。即ち、表示装置１００の全域に、第１面１０と、第２面２０と、第１面１０と第２面２０との両方に交差する側面とに、連続的に設けられている有機膜１２８を備えているわけではない。

さらに、有機膜１２８として、透湿性が低い（非透湿性（ガスバリア性）を有する、または耐湿性が高い）被膜を用いることで、仮に第２配線部１１６にクラック等の欠陥が生じても信頼性を維持することができる。すなわち、有機膜１２８としては、非透湿性（ガスバリア性）、機械的特性（曲げに対する耐性）に優れている素材を用いることが望まれる。

このような有機膜１２８として、ポリクロロパラキシリレンを用いること、ポリクロロパラキシリレンを含めることが好ましい。ポリクロロパラキシリレンは、パリレンＣ、パリレンＮ、パリレンＤといった分子構造が異なる複数種が知られている。有機膜１２８として、パリレンＣ、パリレンＮ及びパリレンＤのいずれかを用いることができるが、これらの中でも耐湿性が高いパリレンＣを用いることが好ましい。

有機膜１２８としてのポリクロロパラキシリレン薄膜は、真空蒸着法により作製することができる。真空蒸着法で作製されるポリクロロパラキシリレン薄膜は、分子単位で成長する。このため、被堆積表面の形状にかかわらず、微細な隙間にも均一にポリクロロパラキシリレン薄膜を形成することができる。ポリクロロパラキシリレン薄膜は、真空蒸着法によって数マイクロメートルから数十マイクロメートルの厚さの被膜を形成することができ、このような厚さであっても封止性能を発揮することができる。なお、有機膜１２８を湾曲部１２０に設けるには、ポリクロロパラキシリレン薄膜の成膜時に、第１基板１０２の湾曲部１２０に対応する開口部を有するシャドーマスクを用いればよい。シャドーマスクを用いた成膜により、画素部１０４等の他の領域に有機膜１２８が形成されず、湾曲部１２０に選択的にポリクロロパラキシリレンの薄膜を成長させることができる。

このように、本発明の一実施形態によれば、可撓性を有する基板を用いた表示装置において、基板を湾曲させた場合においても、クラック等の欠陥によって信頼性が低下してしまうことを防止することができる。

次に、本実施形態に係る表示装置１００の詳細を、図５及び図６を参照して説明する。図１で示すＡ－Ｂ線に対応する断面構造を図５に示し、Ｃ－Ｄ線に対応する断面構造を図６に示す。すなわち、図５は、表示装置１００が湾曲部１２０で曲げられた状態を示し、図６は湾曲部１２０の断面図を示す。

表示装置１００は、第１基板１０２が湾曲部１２０で曲折され、第２駆動回路１１０及び端子部１１２が画素部１０４の背面側に配置されている。画素部１０４と第２駆動回路１１０との間には、第２配線部１１６が設けられている。第２配線部１１６は、湾曲部１２０の曲面に沿って設けられている。

第１基板１０２の第１面１０には画素部１０４が設けられている。図５で示す一例は、画素１０６にトランジスタ１３０、発光素子１３２、第１容量素子１３４、第２容量素子１３６を含む態様を示す。発光素子１３２はトランジスタ１３０と電気的に接続されている。第１容量素子１３４はトランジスタ１３０のゲート電位を保持し、第２容量素子１３６は発光素子１３２に流れる電流量を調整するために付加的に設けられている。なお、図５で示す画素１０６は一例であり、画素はトランジスタと発光素子、又はトランジスタ、発光素子及び第１容量素子、或いは他の素子が付加されて構成されていてもよい。

トランジスタ１３０は、半導体膜１３８、ゲート絶縁膜１４０、ゲート電極１４２が積層された構造を有する。ソース・ドレイン電極１５２は、第１絶縁膜１４４の上面に設けられる。ソース・ドレイン電極１５２は、半導体膜１３８のソース領域又はドレイン領域に相当する領域と接触し、電気的な導通が図られる。ソース・ドレイン電極１５２の上層には平坦化層としての第２絶縁膜１４６が設けられる。そして、第２絶縁膜１４６の上面に発光素子１３２が設けられる。画素部１０４の構造として、第１絶縁膜１４４は無機絶縁材料で形成され、第２絶縁膜１４６は有機絶縁材料で形成される。第１容量素子１３４は、ゲート絶縁膜１４０を誘電体膜として、半導体膜１３８と第１容量電極１５４が重畳する領域、および第１絶縁膜１４４を誘電体膜としてソース・ドレイン電極１５２と第１容量電極１５４とが挟まれた領域に形成される。第２容量素子１３６は、第２絶縁膜１４６の上層に設けられる第３絶縁膜１４８を誘電体膜として、第１電極１５８と第２容量電極１５６とが重畳する領域に形成される。第３絶縁膜１４８は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン等の無機絶縁膜で形成される。

発光素子１３２は、トランジスタ１３０と電気的に接続される第１電極１５８（画素電極）、発光層１６０、第２電極１６２（共通電極）が積層された構造を有する。発光素子１３２は、第１電極１５８と第２電極１６２との間の電位を制御することで発光が制御される。画素部１０４は、第１電極１５８の周縁部を覆い内側領域を露出するバンク層１６４を含む。発光層１６０は、第１電極１５８の上面からバンク層１６４に亘って設けられる。第２電極１６２は、発光層１６０の上面を覆い、画素部１０４の略全面に亘って設けられる。

発光層１６０は、有機エレクトロルミネセンス材料を発光材料として含む層である。発光層１６０は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１６０は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等含んで構成されていてもよい。発光層１６０は、水分により劣化するとされているため、第２電極１６２の上層には第４絶縁膜１５０が設けられる。第４絶縁膜１５０は、画素部１０４の略全面に設けられる。

第４絶縁膜１５０としては、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁膜の単層又は積層体が適用される。尚、第４絶縁膜１５０の上に、例えば有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層体からなる、更なる絶縁膜が配置されてもよい。第４絶縁膜１５０の上面側には、封止材１２６が設けられる。図５は、封止材１２６がシート状の板材である場合を示す。この場合、封止材１２６は、画素部１０４の外周を囲むシール材１７２によって第１基板１０２に固定される。第４絶縁膜１５０と封止材１２６との間には空隙があり、この空隙に充填材が設けられていてもよい。充填材は樹脂材料が用いられる。

画素部１０４の端部（シール材１７２と接する領域）と画素１０６との間には第２絶縁膜１４６及びバンク層１６４を分断する開口部１６８を有している。この開口部１６８の側面及び底面を被覆するように無機材料で形成される第３絶縁膜１４８及び第２電極１６２が設けられている。別言すれば、第３絶縁膜１４８と第２電極１６２とが開口部１６８において接する領域を有している。このような構造により、発光層１６０は、実質的に第３絶縁膜１４８と第２電極１６２とに囲まれて密封される。すなわち、このような封止構造により、有機樹脂材料で形成される第２絶縁膜１４６やバンク層１６４を通って、水分等が発光層１６０に浸入するのを防止している。また、画素部１０４は、第２電極１６２が下層の配線と電気的に接続される接続部１７０が設けられている。

第１基板１０２は、画素部１０４から第２駆動回路１１０にかけて第１配線１６６が延設されている。第１配線１６６が延設される領域は、湾曲部１２０に相当する領域でもある。第１配線１６６は、例えば、ソース・ドレイン電極１５２と同じ層で形成される。例えば、第１配線１６６は、アルミニウム（Ａｌ）膜で形成され、その上層側及び下層側にチタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属膜が積層された構造を有している。第１配線１６６の上層には、画素部１０４から延設される第３絶縁膜１４８、第４絶縁膜１５０が積層される。湾曲部１２０は、封止材１２６の外側領域に存在するが、第３絶縁膜１４８、第４絶縁膜１５０が設けられることで、第１配線１６６は大気に直接晒されることはなく、これらの絶縁膜によって保護される。

湾曲部１２０には有機膜１２８が設けられる。すなわち、有機膜１２８は封止材１２６の外側の領域に設けられている。有機膜１２８は、湾曲部１２０において最外層として設けられていることが好ましい。図５は、湾曲部１２０において、第１基板１０２上にゲート絶縁膜１４０、第１絶縁膜１４４、第１配線１６６、第３絶縁膜１４８及び第４絶縁膜１５０が積層された構造を有する。さらに、第４絶縁膜１５０の上層には有機膜１２８が設けられている。

第１基板１０２を湾曲させると、第２配線部１１６に曲げ応力が作用する。このとき、第１配線１６６は金属膜であるため塑性があり基板の曲げに応じて変形することが可能であるが、第３絶縁膜１４８や第４絶縁膜１５０は、無機材料で形成されるため脆性により第１基板１０２を湾曲させることによりクラック等の欠陥が発生してしまう。これらの無機絶縁膜に発生したクラック等の欠陥が、画素部１０４に向かって広がると、そこから大気中の水分等が画素部１０４に浸入する。例えば、第１基板１０２を湾曲部１２０で繰り返し曲げられると、第２配線部１１６への応力も繰り返し作用するので、無機絶縁膜に発生するクラック等の欠陥が成長する。

表示装置１００は、開口部１６８において、第３絶縁膜１４８と第２電極１６２とが密接する水分遮断構造が採用されているため、発光層１６０への水分の浸入はある程度防ぐことができる。しかし、画素１０６には、第１電極１５８とソース・ドレイン電極１５２とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホールは、第１絶縁膜１４４、第２絶縁膜１４６に形成される。外部から画素部１０４へ浸入する水分等は、第１絶縁膜１４４、第２絶縁膜１４６を貫通するコンタクトホールを介して、発光層１６０が設けられる領域に浸入する経路ができる。それによって、表示装置１００の製造後に後発的に、画素部１０４で発光素子１３２の劣化が生じ、表示品質を低下させることとなる。

しかしながら、本実施形態においては、湾曲部１２０において、第４絶縁膜１５０の上層を有機膜１２８が被覆している。このため、無機絶縁膜であるゲート絶縁膜１４０、第１絶縁膜１４４、第３絶縁膜１４８及び第４絶縁膜１５０のいずれかにクラック等の欠陥が生じても、当該欠陥部分が大気に露出するのを防ぐことができる。

第２配線部１１６において発生するクラック等の欠陥は、また、応力の集中しやすい第１基板１０２の端部において発生しやすい。しかし、図６で示すように、第１基板１０２の全周を覆うように有機膜１２８を設けることで、第１基板１０２の端部においてクラック等の欠陥が発生しても、当該欠陥が大気に露出しないようにすることができる。

また、図６で示すように、第２配線部１１６は、第１基板１０２上に、第１基板１０２側から、ゲート絶縁膜１４０、第１絶縁膜１４４、第１配線１６６、第３絶縁膜１４８、第４絶縁膜１５０が積層された領域と、ゲート絶縁膜１４０、第１絶縁膜１４４、第３絶縁膜１４８、第４絶縁膜１５０が積層された領域とが混在している。この２つの領域の境界では、積層構造の違いにより、第１基板１０２が曲げられることにより応力が集中する。例えば、第１配線１６６を被覆する第３絶縁膜１４８に応力が集中することが考えられる。この場合においても、外層に有機膜１２８が設けられていることで、第３絶縁膜１４８に仮に欠陥が生成されても、当該欠陥部分が大気に露出することを防ぐことができる。

本実施形態において、表示装置１００の湾曲部１２０が第２配線部１１６と重なる領域に設けられる態様を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、湾曲部１２０は第１配線部１１４に重畳するように設けられていてもよい。また、湾曲部１２０は、画素部１０４を交差するように設けられていてもよい。いずれにしても、第１基板１０２が曲げられる湾曲部１２０において、外皮層として有機膜１２８が設けられていることで、第１基板１０２を曲げることによる耐性を高めることができる。

本実施形態では、画素部１０４に表示素子として発光素子１３２が設けられる態様を示すが、他の表示素子により画素が形成される表示装置にも適用することができる。例えば、表示素子として、液晶の電気光学効果を利用した液晶素子を用いた液晶表示装置においても、本実施形態で示す構成を適用することができる。

１０・・・第１面、２０・・・第２面、１００・・・表示装置、１０２・・・第１基板、１０４・・・画素部、１０６・・・画素、１０８・・・第１駆動回路、１１０・・・第２駆動回路、１１２・・・端子部、１１４・・・第１配線部、１１６・・・第２配線部、１１８・・・配線基板、１２０・・・湾曲部、１２２・・・支持部材、１２４・・・切欠き部、１２６・・・封止材、１２８・・・有機膜、１３０・・・トランジスタ、１３２・・・発光素子、１３４・・・第１容量素子、１３６・・・第２容量素子、１３８・・・半導体膜、１４０・・・ゲート絶縁膜、１４２・・・ゲート電極、１４４・・・第１絶縁膜、１４６・・・第２絶縁膜、１４８・・・第３絶縁膜、１５０・・・第４絶縁膜、１５２・・・ソース・ドレイン電極、１５４・・・第１容量電極、１５６・・・第２容量電極、１５８・・・第１電極、１６０・・・発光層、１６２・・・第２電極、１６４・・・バンク層、１６６・・・第１配線、１６８・・・開口部、１７０・・・接続部、１７２・・・シール材

Claims (5)

1. 可撓性を有する第１基板と、
   前記第１基板の第１面に設けられた、複数の薄膜トランジスタと、
   前記第１基板の第１面に設けられた、前記複数の薄膜トランジスタを制御するための信号が入力される端子部と、を有し、
   前記第１基板は、前記複数の薄膜トランジスタと前記端子部との間に湾曲部を含み、
   前記湾曲部において、前記第１基板の第１面と、前記第１基板の側面と、を被覆する有機膜が設けられており、
   前記第１基板の第１面であって、前記湾曲部とは異なる箇所に、前記有機膜が設けられていない領域を有することを特徴とする表示装置。
2. 前記第１基板は、前記第１面に対向する第２面をさらに有し、
   前記湾曲部において、前記第１基板の第２面を被覆する有機膜がさらに設けられていることを特徴とする、請求項１に記載に表示装置。
3. 前記湾曲部において、前記端子部から前記複数の薄膜トランジスタに向かう方向に延在する配線が設けられ、
   前記有機膜は、前記配線を被覆することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記複数の薄膜トランジスタを封止する封止材をさらに有し、
   前記配線は、前記封止材に被覆されない領域を有し、前記有機膜は、前記封止材に被覆されない領域を被覆することを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１基板は、前記第１面に対向する第２面側に設けられた支持部材をさらに有し、
   前記支持部材は、前記複数の薄膜トランジスタと平面視で重畳する領域に設けられ、
   前記湾曲部は、前記支持部材が設けられない領域を有することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。

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