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JP7095827B2 - Ｒｆｉｄ補助アンテナ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ＲＦＩＤタグとの通信の補助に用いられるＲＦＩＤ補助アンテナ装置に関する。
特許文献１には、磁界アンテナを備える小型のＲＦＩＤタグが示されている。
ＲＦＩＤシステムに用いられるアンテナには電界アンテナと磁界アンテナとがある。電界アンテナでは、通信距離を長くすることができるが、例えば、ダイポール型アンテナなどの電界アンテナの場合、通信周波数の１／２波長の長さのアンテナパターンを平面的に形成することになる。これに対し、磁界アンテナでは、基本的にコイル状のアンテナを形成するだけで構成できるので、電界アンテナよりも容易に小型化できる。
国際公開第２０１１／１１８３７９号
一方、磁界アンテナを備えるＲＦＩＤタグでは、電界アンテナを備えるＲＦＩＤタグに比べ通信可能な距離が短く、通信エリアが狭い、という解決すべき課題があった。
そこで、本発明の目的は、ＲＦＩＤタグとそのリーダ・ライタとの間での、実質的な通信エリアを拡張するＲＦＩＤ補助アンテナ装置を提供することにある。
本開示の一例としてのＲＦＩＤ補助アンテナ装置は、通信対象のＲＦＩＤタグに近接する、またはＲＦＩＤタグを収容する、物品に設けられる補助アンテナ装置であり、前記物品を周回する導電性パターンで構成され、前記導電性パターン間に形成される容量成分と前記導電性パターンのインダクタンス成分とで共振回路が構成され、当該共振回路の共振周波数が、前記ＲＦＩＤタグの通信周波数と一致又はほぼ等しいことを特徴とする。
上記構成により、導電性パターン間に形成される容量成分と導電性パターンのインダクタンス成分とによる共振回路が、ＲＦＩＤのアンテナ及びリーダ・ライタのアンテナにそれぞれ結合する補助アンテナ装置として作用し、ＲＦＩＤタグとリーダ・ライタとの通信性能が高まる。
本発明によれば、ＲＦＩＤタグとそのリーダ・ライタとの間での、実質的な通信エリアが拡張されたＲＦＩＤシステムが構成できる。また、同等の通信エリアで比較すれば、ＲＦＩＤタグをより小型化できる。
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１、そのＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１を備える物品１０、ＲＦＩＤタグ付き物品２０及びアンテナ基板３０等の構成を示す斜視図である。図１（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付き物品２０の裏面側を示す斜視図である。 図２（Ａ）はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の部分平面図、図２（Ｂ）はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の部分断面図である。 図３（Ａ）は、物品１０及び物品１０に取り付けられたＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の横断面図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）における円Ｂで囲んだ部分の拡大断面図である。 図４はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の等価回路図である。 図５はＲＦＩＤタグ２１Ａ，２１Ｂ、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１及びリーダ・ライタ３０１の結合関係を示す図である。 図６は第１の実施形態に係る別の補助アンテナ装置の斜視図である。 図７（Ａ）は第２の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の部分平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）における一点鎖線部分でのＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の部分断面図である。 図８（Ａ）は、物品１０及び物品１０に取り付けられたＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の横断面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）における円Ｂで囲んだ部分の拡大断面図である。 図９はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の等価回路図である。 図１０は第２の実施形態に係る別の補助アンテナ装置の部分平面図である。 図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０３の部分平面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）における一点鎖線部分の断面図である。 図１２は第４の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４を備える物品１０の斜視図である。 図１３はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４の部分展開図である。 図１４はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４の等価回路図である。 図１５は第５の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０５の部分展開図である。
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１、そのＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１を備える物品１０、ＲＦＩＤタグ付き物品２０及びアンテナ基板３０等の構成を示す斜視図である。図１（Ｂ）はＲＦＩＤタグ付き物品２０の裏面側を示す斜視図である。
図１（Ｂ）に示すように、ＲＦＩＤタグ付き物品２０にＲＦＩＤタグ２１が貼付されている。図１（Ａ）に示すように、物品１０は有底円筒状の容器であり、絶縁性樹脂の成型体である。この物品１０に複数のＲＦＩＤタグ付き物品２０が収容される。ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１は物品１０の外側面を周回するように物品１０に設けられている。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１は外部の何らかの回路に接続されるのではなく、それだけで独立している。
図１（Ａ）に表れているように、アンテナ基板３０にループアンテナによるリーダ・ライタアンテナ３１が設けられている。リーダ・ライタアンテナ３１には図外のリーダ・ライタが接続される。ＲＦＩＤタグ付き物品２０を収容した物品１０をアンテナ基板３０に載置した状態で、リーダ・ライタは各ＲＦＩＤタグ２１の読み書きを行う。
ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１はＲＦＩＤタグ２１のアンテナ及びリーダ・ライタアンテナ３１に結合する。このことにより、ＲＦＩＤタグ２１とリーダ・ライタとの通信を補助する。
図２（Ａ）はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の部分平面図、図２（Ｂ）はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の部分断面図である。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１は、絶縁性の基材１３に貼付された金属箔による導電性パターン１１を備える。本実施形態では、この導電性パターン１１は、基材１３の幅より小さな幅の単純なストリップライン状のパターンである。基材１３の、導電性パターン１１の形成面には接着層（粘着剤の層）１４が設けられている。基材１３は例えばPET（ポリエチレンテレフタレート）やPI（ポリイミド）等の樹脂シートであり、導電性パターン１１はAl箔、Cu箔等の金属箔をパターンニングしたものである。
図３（Ａ）は、物品１０及び物品１０に取り付けられたＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の横断面図である。物品１０の内部は空の状態である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）における円Ｂで囲んだ部分の拡大断面図である。ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１は物品１０の外側面に周回するように、接着層１４を介して貼付されている。上記ストリップライン状の導電性パターン１１の一方端と他方端とは重なる。この、基材１３を介して積層方向に対向する導電性パターン１１間に第１容量成分が生じる。この重なる部分の周回方向の長さは、上記第１容量成分が共振回路のキャパシタンスとして作用する長さである。例えば、導電性パターン１１の全周の１／２以下である。
図４はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の等価回路図である。図４において、キャパシタＣ１は、導電性パターン１１の一方端と他方端との間に生じる上記第１容量成分に相当する。インダクタＬは導電性パターン１１のインダクタンス成分に相当する。キャパシタＣ１とインダクタＬとでＬＣ共振回路が構成されている。キャパシタＣ１のキャパシタンスは例えば２ｐＦ、インダクタＬの合計インダクタンスは例えば１５ｎＨである。
上記共振回路の共振周波数は、ＲＦＩＤタグ２１の通信周波数と一致する、または通信周波数にほぼ等しい。例えば９００ＭＨｚ帯のＲＦＩＤタグである場合、上記共振回路は９００ＭＨｚ帯で共振する。ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の共振周波数は、ＲＦＩＤタグ２１のアンテナ及びリーダ・ライタアンテナ３１と磁界結合する周波数である、ということもできる。導電性パターン１１は、単にそのインダクタンスを利用しているだけでなく、物品１０の外周に沿って周回することで円形のループ状を成している。
図５はＲＦＩＤタグ２１Ａ，２１Ｂ、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１及びリーダ・ライタ３０１の結合関係を示す図である。ＲＦＩＤタグ２１Ａ，２１Ｂは複数のＲＦＩＤタグ２１のうちの２つである。この例では、ＲＦＩＤタグ２１Ａの磁界アンテナと導電性パターン１１によるループとが磁界結合する。また、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１とリーダ・ライタ３０１のリーダ・ライタアンテナ３１とが磁界結合する。さらに、ＲＦＩＤタグ２１Ｂの磁界アンテナとリーダ・ライタアンテナ３１とが磁界結合する。
上記構成により、導電性パターン１１間に形成される第１容量成分と導電性パターン１１のインダクタンス成分とによる共振回路が、ＲＦＩＤタグ２１のアンテナに結合する共振回路として、及びリーダ・ライタ３０１のリーダ・ライタアンテナ３１に結合する共振回路として作用する。これにより、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１はＲＦＩＤタグ２１とリーダ・ライタ３０１との中継を行う補助アンテナ装置として作用する。また、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１はＲＦＩＤタグ２１又はリーダ・ライタ３０１のブースタ用アンテナとして作用する、ということもできる。
なお、図５において、ＲＦＩＤタグ２１Ｂとリーダ・ライタアンテナ３１との結合に示したように、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１はＲＦＩＤタグ２１とリーダ・ライタアンテナ３１との直接的結合を阻害しない。
本実施形態によれば、ＲＦＩＤタグ２１とそのリーダ・ライタ３０１との間での、実質的な通信エリアが拡張されたＲＦＩＤシステムが構成できる。また、ＲＦＩＤタグのアンテナを小型化してもＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１の作用により所定の通信エリアが確保できるので、同等の通信エリアで比較すれば、ＲＦＩＤタグをより小型化できる。
なお、図１（Ａ）、図３（Ａ）等では、ＲＦＩＤタグを収容する容器としての物品１０が有底円筒状の物品である例を示したが、物品１０の形状はこれに限らない。例えば図６は本実施形態に係る別のＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１を備える物品１０の斜視図である。この例では、直方体状の物品１０の側面にＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１を貼付している。
このように、物品１０の形状は円筒や角筒に限らず、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置がループアンテナを構成する形状であればよい。
また、ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１は、通信対象のＲＦＩＤタグを収容する容器に限らず、ＲＦＩＤタグに近接する物品に設けてもよい。例えば、底の無い円筒状や角筒状の物品の側面にＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１を設け、このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１付きの物品をＲＦＩＤタグの近傍に配置してもよい。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、導電性パターンが複数の層に形成されたＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２について例示する。
図７（Ａ）は第２の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の部分平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）における一点鎖線部分でのＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の部分断面図である。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２は、絶縁性の基材１３の下面に貼付された金属箔による導電性パターン１１、及び基材１３の上面に貼付された金属箔による導電性パターン１２を備える。導電性パターン１１は、基材１３の幅より小さな幅のストリップライン状のパターンであり、途中に不連続部１１Ｄを有する。導電性パターン１２は、導電性パターン１１の平面視で、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄを絶縁状態でブリッジするように、基材１３に形成されている。そのため、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との間に第２容量成分に相当するキャパシタＣ２１，Ｃ２２が生じる。基材１３の、導電性パターン１１の形成面には接着層１４が設けられている。
図８（Ａ）は、物品１０及び物品１０に取り付けられたＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の横断面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）における円Ｂで囲んだ部分の拡大断面図である。ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２は物品１０の外側面を周回するように、接着層１４を介して物品１０の外側面に貼付されている。上記ストリップライン状の導電性パターン１１の一方端と他方端とは重なる。この、基材１３を介して積層方向に対向する導電性パターン１１間に第１容量成分に相当するキャパシタＣ１が生じる。
また、導電性パターン１１は複数の不連続部１１Ｄを有し、これら不連続部１１Ｄをそれぞれ絶縁状態でブリッジする導電性パターン１２が設けられている。基材１３を介して積層方向に対向する導電性パターン１１と導電性パターン１２との間に第２容量成分に相当するキャパシタＣ２１，Ｃ２２がそれぞれ生じる。
図８（Ａ）では、複数の導電性パターン１２を備えるＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２について例示したが、単一の導電性パターン１２を備えるＲＦＩＤ補助アンテナ装置を構成することもできる。
図９はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の等価回路図である。第１の実施形態で示した例と同様に、図９においてキャパシタＣ１は、導電性パターン１１の一方端と他方端との間に生じる第１容量成分に相当する。インダクタＬ２は、不連続部１１Ｄで分離された各導電性パターン１１のインダクタンス成分に相当する。キャパシタＣ２は第２容量成分に相当し、上記導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との間に生じる第２容量成分に相当するキャパシタＣ２１，Ｃ２２の合成容量である。キャパシタＣ１のキャパシタンスは例えば２ｐＦ、キャパシタＣ２のキャパシタンスは例えば２０ｐＦ、インダクタＬ２のインダクタンスは例えば１６ｎＨである。
キャパシタＣ２のキャパシタンスはキャパシタＣ１のキャパシタンスより充分に小さい。ＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０２の巻き終わりの部分に形成されるキャパシタＣ１は物品１０に対する巻きずれや接着層１４の厚みなどの影響を受けるため、そのキャパシタンスがばらつきやすく、共振周波数のばらつきに影響を与える。一方、シート状態で形成されているキャパシタＣ２のばらつき要因はシート形成時の電極幅や基材厚みなどであり、一般的にキャパシタＣ１のばらつきよりも小さく抑えることができる。共振回路の容量成分はキャパシタＣ１とキャパシタＣ２との直列回路の合成容量成分である。上記のとおり、Ｃ１＞＞Ｃ２とすれば、共振回路の容量成分に対するＣ１のばらつきによる影響を小さくすることができる。
図９に示した、インダクタＬ２、第２容量成分のキャパシタＣ２及び第１容量部のキャパシタＣ１によってＬＣ共振回路が構成されている。この共振回路の共振周波数は、ＲＦＩＤタグ２１の通信周波数と一致する、または通信周波数にほぼ等しい。例えば９００ＭＨｚ帯のＲＦＩＤタグである場合、上記共振回路は９００ＭＨｚ帯で共振する。第１の実施形態で示したＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０１と同様に、導電性パターン１１は、単にそのインダクタンスを利用しているだけでなく、物品１０の外周に沿って周回することで円形のループ状を成している。
また、図９に示した、１つのインダクタＬ２と、それに接続された１つのキャパシタＣ２との組で単位共振回路が構成される。つまり、複数の単位共振回路の直列接続によって１つのループが構成されている。このことにより、インダクタンスの蓄積（複数のインダクタ（図４に示したインダクタＬ）のインダクタンスの単純な加算）が回避され、共振時の単位共振回路の両端電圧は実数であるため、ループの周りに位相が蓄積されず、ループの周りの電流はほぼ同相である。つまり、電流はループに沿って一定のままであり、ループの軸に沿って揃った磁界が生成される。
上記構成と作用により、ループのサイズが小さくても、図４に示した例のようなループとキャパシタとによる単純なＬＣ共振回路と同等の磁界を生じさせることができる。
図１０は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤ補助アンテナ装置の部分平面図である。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置は、絶縁性の基材１３の下面に貼付された金属箔による導電性パターン１１、及び基材１３の上面に貼付された金属箔による導電性パターン１２を備える。導電性パターン１１の、導電性パターン１２に対向する部分は、導電性パターン１２の幅より細い。そのため、導電性パターン１１及び導電性パターン１２の、幅方向の形成位置にずれがあっても、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との総対向面積は一定に保たれる。また、導電性パターン１１及び導電性パターン１２の、長手方向の形成位置にずれがあっても、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との総対向面積は一定に保たれる。そのため、第２容量成分は、導電性パターン１１と導電性パターン１２との形成位置のずれの影響を受けにくい。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第２導電性パターンの構成が第２の実施形態で示した例とは異なるＲＦＩＤ補助アンテナ装置について示す。
図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０３の部分平面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）における一点鎖線部分の断面図である。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０３は、絶縁性の基材１３の下面に貼付された金属箔による導電性パターン１１及び導電性パターン１２を備える。導電性パターン１１は途中に不連続部１１Ｄを有する。導電性パターン１２は、不連続部１１Ｄで分離された導電性パターン１１の端部に、基材１３の面方向に対向する。そのため、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との間に第２容量成分に相当するキャパシタＣ２１，Ｃ２２が生じる。基材１３の、導電性パターン１１の形成面には接着層１４が設けられている。
このように、導電性パターン１１と導電性パターン１２とを同一層に形成してもよい。本実施形態によれば、導電性パターン１１と導電性パターン１２とを同時にパターン形成するので、印刷ずれによる特性変動が抑えられる。
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、導電性パターンを形成する基材を備えないＲＦＩＤ補助アンテナ装置について例示する。
図１２は第４の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４を備える物品１０の斜視図である。図１３はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４の部分展開図である。
物品１０はＲＦＩＤタグを収容する容器であり、例えば絶縁性樹脂の成型体である。物品１０の外側面に複数の導電性パターン１１，１２が形成されている。導電性パターン１１はストリップライン状のパターンであり、途中に不連続部１１Ｄを有する。導電性パターン１２は、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄに沿って形成されている。そのため、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との間に容量成分が生じる。
図１４はＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０４の等価回路図である。図１４においてキャパシタＣは、導電性パターン１１と導電性パターン１２との間に生じる容量成分に相当する。インダクタＬは、不連続部１１Ｄで分離された各導電性パターン１１のインダクタンス成分に相当する。
図１４に示した、複数のインダクタＬ及び複数のキャパシタＣによってＬＣ共振回路が構成されている。この共振回路の共振周波数は、ＲＦＩＤタグ２１の通信周波数と一致する、または通信周波数にほぼ等しい。導電性パターン１１は、単にそのインダクタンスを利用しているだけでなく、物品１０の外周に沿って周回することで円形のループ状を成している。
本実施形態で示すように、導電性パターンは物品の表面に直接形成されていてもよい。
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、導電性パターンが物品の表面に直接形成され、かつ第１容量成分及び第２容量成分を備えるＲＦＩＤ補助アンテナ装置について例示する。
図１５は第５の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０５の部分展開図である。このＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０５は、図１２に示した例のように、物品１０の表面に直接形成されている。物品１０の外側面に複数の導電性パターン１１，１２が形成されている。導電性パターン１１はストリップライン状のパターンであり、途中に不連続部１１Ｄを有する。導電性パターン１２は、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄに沿って形成されている。つまり、導電性パターン１２は、物品の表面に沿って導電性パターン１１の不連続部１１Ｄに対向する。そのため、導電性パターン１１の不連続部１１Ｄの端部付近と導電性パターン１２との間に第２容量成分に相当するキャパシタＣ２１，Ｃ２２が生じる。また、複数の導電性パターン１１の周回方向の一方端付近と他方端付近とは周回方向に並走する。この部分に第１容量成分に相当するキャパシタＣ１が生じる。
第５の実施形態に係るＲＦＩＤ補助アンテナ装置１０５の等価回路図は、第２の実施形態において図９に示したとおりである。
本実施形態で示すように、導電性パターンを物品の表面に直接形成して、第１容量成分及び第２容量成分を形成してもよい。
最後に、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。当業者によって適宜変形及び変更が可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変形及び変更が含まれる。
例えば、図７（Ａ）、図７（Ｂ）では、導電性パターン１１，１２が基材１３の２層に形成された例を示したが、導電性パターン１１又は１２が基材１３の３層以上の複数層に形成されて、第２容量成分が、基材１３の厚み方向の、導電性パターンの間隙に形成されるようにしてもよい。
また、導電性パターン１１の端部と導電性パターン１１の端部とを所定の間隙を隔てて突き合わせることによって、その間隙に第１容量成分を形成してもよい。同様に、不連続部で分断された導電性パターン１１の端部と導電性パターン１１の端部とを所定の間隙を隔てて突き合わせることによって、その間隙に第２容量成分を形成してもよい。
Ｃ…キャパシタ（容量成分）
Ｃ１…キャパシタ（第１容量成分）
Ｃ２，Ｃ２１，Ｃ２２…キャパシタ（第２容量成分）
Ｌ，Ｌ２…インダクタ（インダクタンス成分）
１０…物品
１１，１２…導電性パターン
１１Ｄ…不連続部
１３…基材
１４…接着層
２０…ＲＦＩＤタグ付き物品
２１，２１Ａ，２１Ｂ…ＲＦＩＤタグ
３０…アンテナ基板
３１…リーダ・ライタアンテナ
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…ＲＦＩＤ補助アンテナ装置
３０１…リーダ・ライタ

Claims (8)

  1. 通信対象のＲＦＩＤタグに近接する、またはＲＦＩＤタグを収容する、物品に設けられる補助アンテナ装置であり、
    前記物品を周回する導電性パターンで構成され、
    前記物品を周回する前記導電性パターン間に生じる容量成分と前記導電性パターンのインダクタンス成分とで共振回路が構成され、当該共振回路の共振周波数が、前記ＲＦＩＤタグの通信周波数と一致又はほぼ等しいことを特徴とするＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  2. 前記容量成分は、第１容量成分及び第２容量成分で構成され、
    前記第１容量成分は、前記導電性パターンの前記周回の方向における端部付近同士の間に生じる容量成分であり、
    前記導電性パターンは前記周回の方向に長く、当該周回の方向で不連続部を有し、前記第２容量成分は、前記不連続部の前記導電性パターン間に生じる容量成分である、
    請求項１に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  3. 前記導電性パターンはシート状の基材に形成され、
    前記第１容量成分は、前記基材を挟んで前記導電性パターン間に形成される、
    請求項２に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  4. 前記導電性パターンは前記基材に対して複数層に形成され、
    前記第２容量成分は、前記基材の厚み方向に形成される、前記導電性パターンの間隙に生じる、
    請求項３に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  5. 前記第２容量成分は、前記基材の面方向に形成される、前記導電性パターンの間隙に生じる、
    請求項３に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  6. 前記導電性パターンは前記物品の表面に形成され、
    前記容量成分は、前記物品の表面に沿って対向する前記導電性パターンの間隙に生じる、
    請求項１に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  7. 前記導電性パターンは前記物品の表面に形成され、
    前記第１容量成分及び前記第２容量成分は、前記物品の表面に沿って対向する前記導電性パターンの間隙に生じる、
    請求項２に記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
  8. 前記導電性パターンは前記ＲＦＩＤタグと磁界結合する、
    請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のＲＦＩＤ補助アンテナ装置。
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