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JP7069651B2 - Load port device - Google Patents

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JP7069651B2
JP7069651B2 JP2017216667A JP2017216667A JP7069651B2 JP 7069651 B2 JP7069651 B2 JP 7069651B2 JP 2017216667 A JP2017216667 A JP 2017216667A JP 2017216667 A JP2017216667 A JP 2017216667A JP 7069651 B2 JP7069651 B2 JP 7069651B2
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、ロードポート装置に関し、より詳細には、容器の内部を清浄化しつつ除電可能なロードポート装置に関する。 The present invention relates to a load port device, and more particularly to a load port device capable of eliminating static electricity while cleaning the inside of a container.

半導体の製造工程では、フープ(FOUP)と呼ばれる容器を用いて、各処理装置間のウエハの搬送が行われる。ウエハに対して処理を実施する際、まず、処理装置に備えられたロードポート装置の載置台に容器が載置される。続いて、ロードポート装置が容器内の空間と処理室内の空間を連通させた後、ウエハ搬送装置がロボットアーム等で容器からウエハを取り出し、処理室へ搬送する。 In the semiconductor manufacturing process, wafers are transferred between processing devices using a container called a hoop (FOUP). When processing a wafer, first, a container is placed on a mounting table of a load port device provided in the processing device. Subsequently, the load port device communicates the space inside the container with the space inside the processing chamber, and then the wafer transfer device takes out the wafer from the container with a robot arm or the like and transports the wafer to the processing chamber.

ウエハの処理工程において、ウエハが収容された容器内部の汚染物質や酸化性ガス等によってウエハの表面が汚染、酸化されることを防止するために、容器内部にパージガスを導入し、容器内部を清浄化することが知られている。 In the wafer processing process, in order to prevent the surface of the wafer from being contaminated and oxidized by contaminants and oxidizing gas inside the container containing the wafer, purge gas is introduced inside the container to clean the inside of the container. It is known to become.

一方で、容器内に収容されたウエハは、各製造工程において発生した静電気により帯電している場合があり、導電体などが接近すると放電しやすい状態になっているものがある。そのため、例えば容器へのウエハの収納や取り出しを行う際に、ウエハ同士あるいはウエハとロボットアーム等の間で放電が発生し、ウエハの損傷やウエハ搬送装置、半導体製造装置等の電気的な破壊が生じることがある。加えて、帯電したウエハに汚染物質等が静電気力によって付着し、これらを除去することが困難になる場合がある。 On the other hand, the wafer housed in the container may be charged by static electricity generated in each manufacturing process, and may be in a state where it is easily discharged when a conductor or the like approaches. Therefore, for example, when the wafer is stored in or taken out of the container, a discharge is generated between the wafers or between the wafer and the robot arm, resulting in damage to the wafer and electrical destruction of the wafer transfer device, semiconductor manufacturing device, and the like. May occur. In addition, contaminants and the like may adhere to the charged wafer due to electrostatic force, making it difficult to remove them.

上記の問題を解決するために、引用文献1には、パージノズルあるいはその近傍にガスをイオン化するイオナイザを付加し、容器内に導入されるパージガスの流れに乗せてイオン化したガスを供給することで、容器内部を除電する方法が開示されている。また、引用文献2には、置換チャンバにより密閉空間を形成した状態でイオナイザを用いて容器内部を除電する方法が開示されている。 In order to solve the above problem, in Cited Document 1, an ionizer for ionizing gas is added to the purge nozzle or its vicinity, and the ionized gas is supplied on the flow of the purge gas introduced into the container. A method for eliminating static electricity inside the container is disclosed. Further, Cited Document 2 discloses a method of eliminating static electricity inside a container using an ionizer in a state where a closed space is formed by a replacement chamber.

特開2005-33118号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-33118 特開2014-116441号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-116441

近年、半導体素子における配線の微細化が進んだ結果、ウエハ表面を酸化や汚染から守るために、容器内部をより効率的かつ高清浄度にパージ処理する技術が求められている。 In recent years, as a result of the progress of miniaturization of wiring in semiconductor elements, there is a demand for a technique for purging the inside of a container more efficiently and with high cleanliness in order to protect the wafer surface from oxidation and contamination.

特許文献1に係る除電方法は、容器内部の除電において効果的ではあるものの、より微細な回路設計が要求される場合には、除電の確実性をさらに高める必要がある。 Although the static elimination method according to Patent Document 1 is effective in static elimination inside the container, it is necessary to further enhance the reliability of static elimination when a finer circuit design is required.

一方、特許文献2に係る除電方法は、密閉空間を形成することにより確実な除電が可能であるが、除電に多くの時間を要する上、密閉空間形成のための駆動系やチャンバ等、装置構成部材の増加を伴うため、装置の大型化、コスト増を招くという問題がある。 On the other hand, the static elimination method according to Patent Document 2 can reliably eliminate static electricity by forming a closed space, but it takes a lot of time to eliminate static electricity, and a device configuration such as a drive system and a chamber for forming the closed space. Since the number of members is increased, there is a problem that the size of the device is increased and the cost is increased.

本発明は、このような実情に鑑みてなされ、簡便な機構によって容器内を迅速かつ確実に除電することができるロードポート装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a load port device capable of quickly and surely eliminating static electricity in a container by a simple mechanism.

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様は、ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を載置する載置台と、前記主開口に連通する装置開口が形成されており、前記載置台に載置された前記容器に対向する外側面と前記外側面とは反対側の内側面とを有する壁部と、前記主開口を開閉するドアと、前記壁部の前記内側面側から前記装置開口及び前記主開口を介して前記容器の内部に導入される清浄化ガスの第1気流を発生させる第1気流発生手段と、前記壁部の前記内側面側における前記装置開口の上方から前記装置開口の開口面に沿って流下する清浄化ガスの第2気流を発生させる第2気流発生手段と、前記第1気流を形成する清浄化ガス及び前記第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオン発生手段とを有することを特徴とするロードポート装置である。 In order to solve the above problems, the first aspect of the present invention is to form a mounting table on which a container having a main opening for loading and unloading a wafer is formed on the side surface, and a device opening communicating with the main opening. A wall portion having an outer surface facing the container and an inner side surface opposite to the outer surface, a door for opening and closing the main opening, and the wall portion placed on the above-mentioned table. A first airflow generating means for generating a first airflow of cleaning gas introduced into the inside of the container from the inner side surface side through the device opening and the main opening, and the said on the inner side surface side of the wall portion. A second airflow generating means for generating a second airflow of cleaning gas flowing down from above the device opening along the opening surface of the device opening, a cleaning gas forming the first airflow, and the second airflow are formed. It is a load port device characterized by having an ion generating means for supplying ions to the cleaning gas to be used.

本態様によれば、容器の内部に導入される第1気流を形成する清浄化ガス及び装置開口の開口面に沿って流下する第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオン発生手段を有するため、容器の内部及びウエハを除電、清浄化するとともに、容器内に入り込む可能性がある装置開口周辺の空気等にもイオンを供給することにより、容器内へのイオンの導入効率を高めることができる。 According to this aspect, an ion generating means for supplying ions to the cleaning gas forming the first airflow introduced into the container and the cleaning gas forming the second airflow flowing down along the opening surface of the device opening. Therefore, the inside of the container and the wafer are statically eliminated and cleaned, and ions are also supplied to the air around the opening of the device that may enter the container, thereby increasing the efficiency of introducing ions into the container. be able to.

本発明の第2の態様は、上記第1の態様において、前記イオン発生手段が、前記第1気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第1イオナイザと、前記第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第2イオナイザとを備えることを特徴とするロードポート装置である。 A second aspect of the present invention is, in the first aspect, the first ionizer in which the ion generating means supplies ions to the cleaning gas forming the first airflow, and the cleaning forming the second airflow. It is a load port device including a second ionizer that supplies ions to the chemical gas.

本態様によれば、第1気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオナイザと第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオナイザを別個に設けることで、容器の内部及び装置開口周辺をより確実に除電することができる。 According to this aspect, the inside of the container and the opening of the device are provided by separately providing an ionizer that supplies ions to the cleaning gas that forms the first airflow and an ionizer that supplies ions to the cleaning gas that forms the second airflow. It is possible to remove static electricity more reliably in the surrounding area.

本発明の第3の態様は、上記第2の態様において、前記第1イオナイザが、前記第1気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A third aspect of the present invention is the load port device according to the second aspect, wherein the first ionizer is arranged inside the first airflow generating means.

本態様によれば、第1気流が形成される前に第1気流発生手段の内部で清浄化ガスをイオン化するため、清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することができる。そのため、容器の内部をより確実かつ均一に除電することができる。 According to this aspect, since the cleaning gas is ionized inside the first airflow generating means before the first airflow is formed, the cleaning gas can be ionized reliably and evenly. Therefore, it is possible to remove static electricity more reliably and uniformly inside the container.

本発明の第4の態様は、上記第2の態様において、前記第1イオナイザが、前記装置開口と前記第1気流発生手段との間の前記第1気流中または前記第1気流の側部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 In a fourth aspect of the present invention, in the second aspect, the first ionizer is placed in the first airflow or on the side of the first airflow between the device opening and the first airflow generating means. It is a load port device characterized by being arranged.

本態様によれば、第1気流発生手段の内部等に設置スペースを確保できない場合でも、清浄化ガスの第1気流にイオンを供給し、容器の内部を除電することができる。 According to this aspect, even when the installation space cannot be secured inside the first airflow generating means or the like, ions can be supplied to the first airflow of the cleaning gas to eliminate static electricity inside the container.

本発明の第5の態様は、上記第2の態様において、前記第1気流発生手段に清浄化ガスを供給する第1ガス供給管を有し、前記第1イオナイザは、前記第1ガス供給管に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A fifth aspect of the present invention has, in the second aspect, the first gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the first airflow generating means, and the first ionizer is the first gas supply pipe. It is a load port device characterized by being arranged in.

本態様によれば、第1気流が形成される前に第1ガス供給管において清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することで、容器の内部をより確実かつ均一に除電することができる。また、イオナイザが第1気流発生手段の上流側に配置されるため、例えば、第1気流発生手段が複数のガスパージノズルからなる場合でも、これらに共通のガス供給管に第1イオナイザを配置することで、各ガスパージノズルにイオナイザを設ける必要がなく、1つのイオナイザによってすべてのガスパージノズルにイオン化した清浄化ガスを供給することができる。 According to this aspect, by surely and evenly ionizing the cleaning gas in the first gas supply pipe before the first air flow is formed, the inside of the container can be more reliably and uniformly discharged. Further, since the ionizer is arranged on the upstream side of the first airflow generating means, for example, even if the first airflow generating means is composed of a plurality of gas purge nozzles, the first ionizer is arranged in the gas supply pipe common to these. Therefore, it is not necessary to provide an ionizer for each gas purge nozzle, and one ionizer can supply ionized cleaning gas to all the gas purge nozzles.

本発明の第6の態様は、上記第2~第5の態様において、前記第2イオナイザが、前記第2気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A sixth aspect of the present invention is the load port device according to the second to fifth aspects, wherein the second ionizer is arranged inside the second airflow generating means.

本態様によれば、第2気流が形成される前に第2気流発生手段の内部で清浄化ガスをイオン化するため、清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することができる。そのため、装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。 According to this aspect, since the cleaning gas is ionized inside the second airflow generating means before the second airflow is formed, the cleaning gas can be ionized reliably and evenly. Therefore, it is possible to more reliably and uniformly eliminate static electricity such as air around the opening of the device.

本発明の第7の態様は、上記第2~第5の態様において、前記第2イオナイザが、前記装置開口と前記第2気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 In a seventh aspect of the present invention, in the second to fifth aspects, the second ionizer is in the second airflow between the device opening and the second airflow generating means, or in the second airflow. It is a load port device characterized by being arranged on the side.

本態様によれば、第2気流発生手段の内部等に設置スペースを確保できない場合でも、清浄化ガスの第2気流にイオンを供給し、装置開口周辺の空気等を除電することができる。 According to this aspect, even when the installation space cannot be secured inside the second airflow generating means or the like, ions can be supplied to the second airflow of the cleaning gas to eliminate static electricity or the like around the opening of the device.

本発明の第8の態様は、上記第2~第5の態様において、前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する第2ガス供給管を有し、前記第2イオナイザは、前記第2ガス供給管に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 An eighth aspect of the present invention has a second gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the second airflow generating means in the second to fifth aspects, and the second ionizer is the second ionizer. It is a load port device characterized by being arranged in a gas supply pipe.

本態様によれば、第2気流が形成される前に第2ガス供給管において清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することで、装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。また、イオナイザが第2気流発生手段の上流側に配置されるため、例えば、第2気流発生手段が複数のガスノズルからなる場合でも、これらに共通のガス供給管に第2イオナイザを配置することで、各ガスノズルにイオナイザを設ける必要がなく、1つのイオナイザによってすべてのガスノズルにイオン化した清浄化ガスを供給することができる。 According to this aspect, by ionizing the cleaning gas reliably and evenly in the second gas supply pipe before the second air flow is formed, it is possible to more reliably and uniformly eliminate the air and the like around the opening of the apparatus. can. Further, since the ionizer is arranged on the upstream side of the second airflow generating means, for example, even if the second airflow generating means is composed of a plurality of gas nozzles, by arranging the second ionizer in the gas supply pipe common to them, the ionizer is arranged. It is not necessary to provide an ionizer for each gas nozzle, and one ionizer can supply ionized cleaning gas to all the gas nozzles.

本発明の第9の態様は、上記第1の態様において、前記第1気流発生手段と前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する共通ガス供給管を有し、前記イオン発生手段は、前記共通ガス供給管に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A ninth aspect of the present invention has, in the first aspect, a common gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the first airflow generating means and the second airflow generating means, and the ion generating means is a method. It is a load port device characterized by being arranged in the common gas supply pipe.

本態様によれば、共通ガス供給管にイオナイザを配置することで、1つのイオナイザによって第1気流発生手段と第2気流発生手段にイオン化された清浄化ガスを供給することができる。そのため、複数のイオナイザの設置に係るコストやスペースを節約することができる。 According to this aspect, by arranging the ionizer in the common gas supply pipe, it is possible to supply the purified gas ionized to the first airflow generating means and the second airflow generating means by one ionizer. Therefore, it is possible to save the cost and space for installing a plurality of ionizers.

本発明の第10の態様は、上記第1の態様において、前記イオン発生手段が、前記第2気流発生手段の内部に配置されており、前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とするロードポート装置である。 In the tenth aspect of the present invention, in the first aspect, the ion generating means is arranged inside the second airflow generating means, and the second airflow supplied with ions by the ion generating means. The load port device is characterized in that ions are supplied to the first airflow by entraining at least a part of the first airflow.

本態様によれば、イオン発生手段によってイオンを供給された清浄化ガスの第2気流の一部が第1気流に乗って容器内に導入されるため、第1気流発生手段にイオン発生手段を設けることなく容器の内部を除電することができる。また、第2気流が形成される前に第2気流発生手段の内部で清浄化ガスをイオン化するため、清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することができる。そのため、装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。 According to this aspect, since a part of the second airflow of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means is introduced into the container on the first airflow, the ion generating means is used as the first airflow generating means. It is possible to eliminate static electricity inside the container without providing it. Further, since the cleaning gas is ionized inside the second airflow generating means before the second airflow is formed, the cleaning gas can be ionized reliably and evenly. Therefore, it is possible to more reliably and uniformly eliminate static electricity such as air around the opening of the device.

本発明の第11の態様は、上記第1の態様において、前記イオン発生手段が、前記装置開口と前記第2気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されており、前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とするロードポート装置である。 In the eleventh aspect of the present invention, in the first aspect, the ion generating means is placed in the second airflow or on the side of the second airflow between the device opening and the second airflow generating means. A load port that is arranged and is characterized in that at least a part of the second airflow supplied with ions by the ion generating means is entrained in the first airflow to supply ions to the first airflow. It is a device.

本態様によれば、イオン発生手段によってイオンを供給された清浄化ガスの第2気流の一部が第1気流に乗って容器内に導入されるため、第1気流発生手段にイオン発生手段を設けることなく容器の内部を除電することができる。また、第2気流発生手段の内部等に設置スペースを確保できない場合でも、清浄化ガスの第2気流にイオンを供給し、装置開口周辺の空気等を除電することができる。 According to this aspect, since a part of the second airflow of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means is introduced into the container on the first airflow, the ion generating means is used as the first airflow generating means. It is possible to eliminate static electricity inside the container without providing it. Further, even when the installation space cannot be secured inside the second airflow generating means or the like, ions can be supplied to the second airflow of the cleaning gas to eliminate static electricity or the like around the opening of the device.

本発明の第12の態様は、上記第1の態様において、前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する第2ガス供給管を有し、前記イオン発生手段は、前記第2ガス供給管に配置されており、前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とするロードポート装置である。 A twelfth aspect of the present invention has a second gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the second airflow generating means in the first aspect, and the ion generating means is the second gas supply pipe. A load characterized in that at least a part of the second airflow supplied with ions by the ion generating means is entrained in the first airflow to supply ions to the first airflow. It is a port device.

本態様によれば、イオン発生手段によってイオンを供給された清浄化ガスの第2気流の一部が第1気流に乗って容器内に導入されるため、第1気流発生手段にイオン発生手段を設けることなく容器の内部を除電することができる。また、第2気流が形成される前に第2ガス供給管において清浄化ガスを確実かつ均等にイオン化することで、装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。また、第2気流発生手段の上流側にイオナイザが配置されるため、例えば、第2気流発生手段が複数のガスノズルからなる場合でも、これらに共通のガス供給管に第2イオナイザを配置することで、各ガスノズルにイオナイザを設ける必要がなく、1つのイオナイザによってすべてのガスノズルにイオン化した清浄化ガスを供給することができる。 According to this aspect, since a part of the second airflow of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means is introduced into the container on the first airflow, the ion generating means is used as the first airflow generating means. It is possible to eliminate static electricity inside the container without providing it. Further, by ionizing the cleaning gas reliably and evenly in the second gas supply pipe before the second air flow is formed, it is possible to more reliably and uniformly eliminate the air and the like around the opening of the device. Further, since the ionizer is arranged on the upstream side of the second airflow generating means, for example, even if the second airflow generating means is composed of a plurality of gas nozzles, by arranging the second ionizer in the gas supply pipe common to them, the ionizer is arranged. It is not necessary to provide an ionizer for each gas nozzle, and one ionizer can supply ionized cleaning gas to all the gas nozzles.

本発明の第13の態様は、上記第1~第12の態様において、前記第1気流発生手段が、前記内側面における前記装置開口の両側部に配置されることを特徴とするロードポート装置である。 A thirteenth aspect of the present invention is the load port device according to the first to twelfth aspects, wherein the first airflow generating means is arranged on both sides of the device opening on the inner side surface. be.

本態様によれば、容器内で鉛直方向に沿って所定の間隔を開けて配置された複数のウエハに対して、イオン化された清浄化ガスを均一に供給することができるため、確実にウエハを除電することができる。 According to this aspect, the ionized cleaning gas can be uniformly supplied to a plurality of wafers arranged at predetermined intervals along the vertical direction in the container, so that the wafers can be reliably supplied. It is possible to eliminate static electricity.

本発明の第14の態様は、上記第1の態様において、前記第1気流発生手段と前記第2気流発生手段とが一体化された多方向気流発生手段を有することを特徴とするロードポート装置である。 A fourteenth aspect of the present invention is the load port device according to the first aspect, wherein the first airflow generating means and the second airflow generating means are integrated with each other. Is.

本態様によれば、イオン発生手段によってイオンを供給された清浄化ガスの一部が第1気流によって容器内に導入され、他の一部が第2気流を形成するため、容器の内部及び装置開口周辺の空気等を除電することができる。また、第1気流発生手段と第2気流発生手段が一体化された多方向気流発生手段を有することで、別途第1気流発生手段やイオン発生手段を設ける必要がないため、これらの設置に係るコストやスペースを節約することができる。 According to this aspect, a part of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means is introduced into the container by the first air flow, and the other part forms the second air flow, so that the inside of the container and the apparatus. It is possible to eliminate static electricity from the air around the opening. Further, since it is necessary to separately provide the first airflow generating means and the ion generating means by having the multi-directional airflow generating means in which the first airflow generating means and the second airflow generating means are integrated, it is related to these installations. You can save cost and space.

本発明の第15の態様は、上記第14の態様において、前記イオン発生手段が、前記多方向気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A fifteenth aspect of the present invention is the load port device according to the fourteenth aspect, wherein the ion generating means is arranged inside the multidirectional airflow generating means.

本態様によれば、上記第14の態様の効果に加え、第1気流及び第2気流が形成される前に多方向気流発生手段の内部で清浄化ガスをイオン化するため、容器の内部及び装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。 According to this aspect, in addition to the effect of the 14th aspect, the inside of the container and the apparatus for ionizing the cleaning gas inside the multidirectional airflow generating means before the first airflow and the second airflow are formed. It is possible to more reliably and uniformly remove static electricity from the air around the opening.

本発明の第16の態様は、上記第14の態様において、前記イオン発生手段が、前記装置開口と前記多方向気流発生手段との間の前記第1気流中または前記第1気流の側部、及び、前記装置開口と前記多方向気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 A sixteenth aspect of the present invention is, in the fourteenth aspect, the ion generating means in the first airflow or a side portion of the first airflow between the device opening and the multidirectional airflow generating means. Further, the load port device is arranged in the second airflow or on the side of the second airflow between the device opening and the multi-directional airflow generating means.

本態様によれば、上記第14の態様の効果に加え、多方向気流発生手段の内部等に設置スペースを確保できない場合でも、清浄化ガスの第1気流及び第2気流にイオンを供給し、容器の内部及び装置開口周辺の空気等を除電することができる。 According to this aspect, in addition to the effect of the 14th aspect, ions are supplied to the first airflow and the second airflow of the cleaning gas even when the installation space cannot be secured inside the multidirectional airflow generating means or the like. It is possible to eliminate static electricity and the like inside the container and around the opening of the device.

本発明の第17の態様は、上記第14の態様において、前記多方向気流発生手段に清浄化ガスを供給する第3ガス供給管を有し、前記イオン発生手段は、前記第3ガス供給管に配置されていることを特徴とするロードポート装置である。 In the fourteenth aspect of the present invention, the seventeenth aspect of the present invention has a third gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the multi-directional airflow generating means, and the ion generating means is the third gas supply pipe. It is a load port device characterized by being arranged in.

本態様によれば、上記第14の態様の効果に加え、第1気流及び第2気流が形成される前に第3ガス供給管において清浄化ガスをイオン化することで、容器の内部及び装置開口周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。 According to this aspect, in addition to the effect of the 14th aspect, the cleaning gas is ionized in the third gas supply pipe before the first air flow and the second air flow are formed, so that the inside of the container and the opening of the device are opened. It is possible to remove static electricity more reliably and uniformly from the surrounding air and the like.

図1は、本発明の一実施形態に係るロードポート装置及びこれを含むEFEMの概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a load port device according to an embodiment of the present invention and an EFEM including the load port device. 図2は、図1に示すロードポート装置の一部 概略斜視図である。FIG. 2 is a partial schematic perspective view of the load port device shown in FIG. 図3Aは、本発明の一実施形態に係るロードポート装置の容器内部の清浄化及び除電動作を示す概略図である。FIG. 3A is a schematic view showing a cleaning and static elimination operation inside the container of the load port device according to the embodiment of the present invention. 図3Bは、本発明の一実施形態に係るロードポート装置の容器内部の清浄化及び除電動作を示す概略図である。FIG. 3B is a schematic view showing a cleaning and static elimination operation inside the container of the load port device according to the embodiment of the present invention. 図3Cは、本発明の一実施形態に係るロードポート装置の容器内部の清浄化及び除電動作を示す概略図である。FIG. 3C is a schematic view showing a cleaning and static elimination operation inside the container of the load port device according to the embodiment of the present invention. 図4は、装置開口と第1気流発生手段の間にイオナイザを有するロードポート装置の概略平面断面図(図3CにおけるIV-IV断面)である。FIG. 4 is a schematic plan sectional view (IV-IV cross section in FIG. 3C) of a load port device having an ionizer between the device opening and the first airflow generating means. 図5は、装置開口と第2気流発生手段の間にイオナイザを有するロードポート装置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a load port device having an ionizer between the device opening and the second airflow generating means. 図6は、第1ガス供給管及び第2ガス供給管にそれぞれイオナイザが配置されたロードポート装置の一部概略斜視図である。FIG. 6 is a partial schematic perspective view of a load port device in which ionizers are arranged in the first gas supply pipe and the second gas supply pipe, respectively. 図7は、イオナイザが配置された共通ガス供給管を有するロードポート装置の一部概略斜視図である。FIG. 7 is a partial schematic perspective view of a load port device having a common gas supply pipe in which an ionizer is arranged. 図8(a)は、本発明の一実施形態に係るロードポート装置の第1気流及び第2気流の流れを示す一部概略斜視図であり、図8(b)は、図8(a)の概略平面断面図であり、図8(c)は、図8(a)に示すロードポート装置を別の角度から見た概略図である。FIG. 8A is a partially schematic perspective view showing the flow of the first airflow and the second airflow of the load port device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8B is FIG. 8A. 8 (c) is a schematic plan sectional view of the above, and FIG. 8 (c) is a schematic view of the load port device shown in FIG. 8 (a) as viewed from another angle. 図9(a)は、多方向気流発生手段と、第1気流及び第2気流中またはこれらの側部に配置されたイオナイザとを有するロードポート装置の概略図であり、図9(b)は、多方向気流発生手段と、多方向気流発生手段の内部に配置されたイオナイザとを有するロードポート装置の概略図であり、図9(c)は、多方向気流発生手段を有し、第1気流及び第2気流中にそれぞれイオナイザが配置されたロードポート装置の概略図である。9 (a) is a schematic view of a load port device having a multi-directional airflow generating means and an ionizer arranged in or on the side of the first and second airflows, FIG. 9 (b). FIG. 9 (c) is a schematic view of a load port device having a multi-directional airflow generating means and an ionizer arranged inside the multi-directional airflow generating means, and FIG. 9 (c) has the multi-directional airflow generating means and is the first. It is a schematic diagram of the load port device in which an ionizer is arranged in the air flow and the second air flow, respectively.

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiments shown in the drawings.

まず、図1及び図2を用いて、本発明の一実施形態に係るロードポート装置10の概略構造について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るロードポート装置10及びこれを含むEFEM50の概略図、図2は、図1に示すロードポート装置10の一部概略斜視図である。 First, the schematic structure of the load port device 10 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic view of a load port device 10 according to an embodiment of the present invention and an EFEM 50 including the same, and FIG. 2 is a partial schematic perspective view of the load port device 10 shown in FIG.

図1に示すように、EFEM(イーフェム、Equipment front end module)50は、ロードポート装置10と、ミニエンバイロメント装置51を有する。 As shown in FIG. 1, the EFEM (Equipment front end module) 50 has a load port device 10 and a mini-environment device 51.

ミニエンバイロメント装置51は、ウエハ搬送室52と、ウエハ搬送機54と、ファンフィルタユニット(FFU)56とを有する。ウエハ搬送機54は、ウエハ搬送室52内に設けられており、ウエハ1を把持するアーム54aと、アーム54aを移動させるアーム駆動部(不図示)とを有し、ウエハ1を搬送可能に構成されている。容器2の内部に収容されたウエハ1は、ウエハ搬送機54によって、クリーン状態に維持されたウエハ搬送室52を介して処理室70の内部に搬送される。処理室70は、ウエハ1に対して所定の処理を行う装置の一部であり、処理室70内では、アーム54aによって搬送されたウエハ1に対して順次所定の処理が行われる。処理室70を含む装置としては、例えば、蒸着装置、スパッタリング装置、エッチング装置などの半導体製造プロセスで用いられる装置が挙げられる。処理室70において所定の処理が終了したウエハ1は、ウエハ搬送機54によって、処理室70から再び容器2の内部に搬送される。 The mini-environment device 51 includes a wafer transfer chamber 52, a wafer transfer machine 54, and a fan filter unit (FFU) 56. The wafer transfer machine 54 is provided in the wafer transfer chamber 52, has an arm 54a for gripping the wafer 1, and an arm drive unit (not shown) for moving the arm 54a, and is configured to be capable of transporting the wafer 1. Has been done. The wafer 1 housed inside the container 2 is conveyed to the inside of the processing chamber 70 by the wafer transfer machine 54 via the wafer transfer chamber 52 maintained in a clean state. The processing chamber 70 is a part of an apparatus that performs predetermined processing on the wafer 1, and in the processing chamber 70, predetermined processing is sequentially performed on the wafer 1 conveyed by the arm 54a. Examples of the device including the processing chamber 70 include a device used in a semiconductor manufacturing process such as a vapor deposition device, a sputtering device, and an etching device. The wafer 1 that has completed the predetermined processing in the processing chamber 70 is conveyed from the processing chamber 70 to the inside of the container 2 again by the wafer transfer machine 54.

ウエハ搬送室52の天井部には、ファンフィルタユニット56が設けられている。ファンフィルタユニット56は、送風ファンと塵埃フィルタ(不図示)等で構成され、ウエハ搬送室52の内部に清浄な空気をダウンフローで供給することで、ウエハ搬送室52の内部に局所的清浄環境を形成する。 A fan filter unit 56 is provided on the ceiling of the wafer transfer chamber 52. The fan filter unit 56 is composed of a blower fan, a dust filter (not shown), and the like, and supplies clean air downflow to the inside of the wafer transfer chamber 52 to provide a local clean environment inside the wafer transfer chamber 52. To form.

ウエハ搬送室52は、ウエハ1を搬送するための容器2と処理室70とを連結する空間である。ウエハ搬送室52の端部には、その外壁に形成された開口を塞ぐようにロードポート装置10が組み込まれている。 The wafer transfer chamber 52 is a space for connecting the container 2 for transporting the wafer 1 and the processing chamber 70. At the end of the wafer transfer chamber 52, a load port device 10 is incorporated so as to close the opening formed in the outer wall thereof.

ロードポート装置10は、容器2の内部に密封状態で収容されたウエハ1を、クリーン状態を維持しながらウエハ搬送室52の内部に移し替えるためのインターフェース装置である。ロードポート装置10は、載置台12と、可動テーブル14を有する。可動テーブル14は、載置台12の上に配置されており、載置台12に対してX軸方向に移動可能に構成されている。可動テーブル14の上部には、容器2が着脱自在に載置される。 The load port device 10 is an interface device for transferring the wafer 1 housed inside the container 2 in a sealed state to the inside of the wafer transfer chamber 52 while maintaining a clean state. The load port device 10 has a mounting table 12 and a movable table 14. The movable table 14 is arranged on the mounting table 12 and is configured to be movable in the X-axis direction with respect to the mounting table 12. A container 2 is detachably placed on the upper portion of the movable table 14.

容器2は、例えば、複数のウエハ1を密封して保管及び搬送するためのフープ(FOUP)である。図1に示すように、容器2の内部には、ウエハ1を収容するための空間が形成されている。容器2は、略箱状の形状を有しており、容器2が有する複数の側面の一つには、容器2の内部に収容したウエハ1を出し入れするための主開口2aが形成されている。また、容器2は、主開口2aを密閉するための蓋4を備えている。 The container 2 is, for example, a hoop (FOUP) for sealing and storing and transporting a plurality of wafers 1. As shown in FIG. 1, a space for accommodating the wafer 1 is formed inside the container 2. The container 2 has a substantially box-like shape, and one of the plurality of side surfaces of the container 2 is formed with a main opening 2a for loading and unloading the wafer 1 housed inside the container 2. .. Further, the container 2 is provided with a lid 4 for sealing the main opening 2a.

容器2の内部には、複数のウエハ1を互いに接触しないように重ねて収容するための複数の段を有する棚(不図示)が設けられている。ウエハ1は、棚の各段に1枚ずつ配置されることにより、水平に保持され、かつ、鉛直方向(Z軸方向)に沿って所定の間隔を開けた状態で容器2内に収容される。 Inside the container 2, a shelf (not shown) having a plurality of stages for accommodating a plurality of wafers 1 in an stacked manner so as not to come into contact with each other is provided. The wafer 1 is held horizontally by arranging one wafer on each stage of the shelf, and is housed in the container 2 with a predetermined interval along the vertical direction (Z-axis direction). ..

ロードポート装置10はさらに、装置開口13が形成された壁部11と、容器2の主開口2aを開閉するドア18とを有する。図2に示すように、壁部11は、載置台12に載置された容器2に対向する外側面11bと、外側面11bとは反対側の内側面11aとを有しており、ウエハ搬送室52を密封する外壁の一部として機能する。図3Aに示すように、可動テーブル14がX軸正方向に移動され、蓋4が取り付けられた容器2の開口縁2bが装置開口13の内部に嵌入されることで、装置開口13は主開口2aに接続される。なお、主開口2a及び装置開口13の形状は特に限定されないが、通常、略矩形である。 The load port device 10 further includes a wall portion 11 in which the device opening 13 is formed, and a door 18 that opens and closes the main opening 2a of the container 2. As shown in FIG. 2, the wall portion 11 has an outer surface 11b facing the container 2 mounted on the mounting table 12 and an inner side surface 11a opposite to the outer surface 11b, and the wafer is conveyed. It functions as a part of the outer wall that seals the chamber 52. As shown in FIG. 3A, the movable table 14 is moved in the positive direction of the X-axis, and the opening edge 2b of the container 2 to which the lid 4 is attached is fitted into the inside of the device opening 13, so that the device opening 13 becomes the main opening. Connected to 2a. The shapes of the main opening 2a and the device opening 13 are not particularly limited, but are usually substantially rectangular.

装置開口13と主開口2aとが接続された後、図3Bに示すように、ロードポート装置10のドア18が、主開口2aを閉鎖している蓋4とともにX軸正方向(ウエハ搬送室52の内部)に移動することにより、蓋4を主開口2aから取り外す。ロードポート装置10では、ドア18が容器2の主開口2aを開放することにより、主開口2a及び装置開口13を介して、容器2の内部とウエハ搬送室52とが連通する。 After the device opening 13 and the main opening 2a are connected, as shown in FIG. 3B, the door 18 of the load port device 10 is in the X-axis positive direction (wafer transfer chamber 52) together with the lid 4 closing the main opening 2a. The lid 4 is removed from the main opening 2a by moving to the inside). In the load port device 10, the door 18 opens the main opening 2a of the container 2 so that the inside of the container 2 and the wafer transfer chamber 52 communicate with each other through the main opening 2a and the device opening 13.

ロードポート装置10はさらに、容器2の底面から容器2の内部に清浄化ガスを導入するボトムガス導入部5を有する。ボトムガス導入部5は、容器2の底面に設けられた底孔に対して、可動テーブル14から突出して接続可能なガス導入ノズルを有しており、底孔から清浄化ガスを容器2内に導入する。なお、ボトムガス導入部5は、容器2の主開口2aが蓋4で閉鎖された状態において、容器2の内部に清浄化ガスを導入することができるが、このような場合だけでなく、容器2の内部とウエハ搬送室52とが連通した状態でも、容器2の内部に清浄化ガスを導入することができる。ボトムガス導入部5には、配管部(不図示)を介して清浄化ガスが供給される。ボトムガス導入部5によって容器2の内部に導入される清浄化ガスの種類は特に限定されないが、例えば窒素ガス等が好適に用いられる。 The load port device 10 further includes a bottom gas introduction unit 5 that introduces a cleaning gas from the bottom surface of the container 2 into the inside of the container 2. The bottom gas introduction unit 5 has a gas introduction nozzle that protrudes from the movable table 14 and can be connected to the bottom hole provided in the bottom surface of the container 2, and the cleaning gas is introduced into the container 2 from the bottom hole. do. The bottom gas introduction unit 5 can introduce the cleaning gas into the inside of the container 2 in a state where the main opening 2a of the container 2 is closed by the lid 4, but not only in such a case, the container 2 can be introduced. The cleaning gas can be introduced into the inside of the container 2 even when the inside of the container 2 and the wafer transfer chamber 52 communicate with each other. Purifying gas is supplied to the bottom gas introduction section 5 via a piping section (not shown). The type of the cleaning gas introduced into the container 2 by the bottom gas introduction unit 5 is not particularly limited, but for example, nitrogen gas or the like is preferably used.

図2に示すように、ロードポート装置10は、容器2の主開口2aから容器2の内部に清浄化ガスを導入するフロントガス導入部20を有する。フロントガス導入部20は、壁部11の内側面11a側に設けられた第1気流発生手段としてのガスパージノズル20aを有している。図3Cに示すように、ガスパージノズル20aは、容器2の内部とウエハ搬送室52とが連通した状態において、壁部11の内側面11a側から装置開口13及び主開口2aを介して容器2の内部に流入する清浄化ガスの第1気流F1を発生させる。 As shown in FIG. 2, the load port device 10 has a front gas introduction unit 20 that introduces a cleaning gas into the inside of the container 2 from the main opening 2a of the container 2. The front gas introduction portion 20 has a gas purge nozzle 20a as a first airflow generating means provided on the inner side surface 11a side of the wall portion 11. As shown in FIG. 3C, the gas purge nozzle 20a is a state in which the inside of the container 2 and the wafer transfer chamber 52 communicate with each other from the inner side surface 11a side of the wall portion 11 through the device opening 13 and the main opening 2a. A first air flow F1 of the cleaning gas flowing into the inside is generated.

図2に示すように、ガスパージノズル20aは、壁部11の内側面11aにおける装置開口13の両側部13aに設けられている。また、ガスパージノズル20aのノズル開口は、容器2の内部に清浄化ガスを導入するために、主開口2aに向けて配置される。なお、ガスパージノズル20aの位置は、装置開口13の両側部13aに限定されるものではなく、容器2の内部に清浄化ガスを導入できる位置であればよい。例えば、ガスパージノズル20aは、装置開口13の上方や下方、あるいはドア18に配置してもよい。 As shown in FIG. 2, gas purge nozzles 20a are provided on both side portions 13a of the device opening 13 on the inner side surface 11a of the wall portion 11. Further, the nozzle opening of the gas purge nozzle 20a is arranged toward the main opening 2a in order to introduce the cleaning gas into the container 2. The position of the gas purge nozzle 20a is not limited to both side portions 13a of the device opening 13, and may be any position as long as the cleaning gas can be introduced into the inside of the container 2. For example, the gas purge nozzle 20a may be arranged above or below the device opening 13, or at the door 18.

ガスパージノズル20aには、図示しない清浄化ガスの供給源から、第1ガス供給管21を介して清浄化ガスが供給される。フロントガス導入部20によって容器2の内部に導入される清浄化ガスの種類は特に限定されないが、例えば窒素ガス等が好適に用いられる。 The cleaning gas is supplied to the gas purge nozzle 20a from a supply source of cleaning gas (not shown) via the first gas supply pipe 21. The type of the cleaning gas introduced into the container 2 by the front gas introduction unit 20 is not particularly limited, but for example, nitrogen gas or the like is preferably used.

図3Bに示すように、ロードポート装置10は、壁部11の内側面11a側における装置開口13の上方から装置開口13の開口面に沿って清浄化ガスのダウンフローを形成するダウンフロー形成部30を有する。フロントパージを行う際、ダウンフロー形成部30によって清浄化ガスのダウンフローを形成することで、ウエハ搬送室52内の空気が容器2の内部に侵入することを効果的に防止できる。 As shown in FIG. 3B, the load port device 10 is a downflow forming portion that forms a downflow of cleaning gas from above the device opening 13 on the inner side surface 11a side of the wall portion 11 along the opening surface of the device opening 13. Has 30. When the front purge is performed, the downflow of the cleaning gas is formed by the downflow forming unit 30, so that the air in the wafer transfer chamber 52 can be effectively prevented from entering the inside of the container 2.

ダウンフロー形成部30は、壁部11の内側面11a側における装置開口13の上方に設けられた第2気流発生手段としてのカーテンノズル30aを有しており、カーテンノズル30aは、装置開口13の開口面に沿って鉛直下方(Z軸負方向)に流下する清浄化ガスの第2気流F2を発生させる。図2に示すように、カーテンノズル30aは、装置開口13上方の内側面11aからウエハ搬送室52内に突出するように設けられる。また、カーテンノズル30aのノズル開口は、ダウンフローを形成するように、鉛直下方(Z軸負方向)に向けて配置される。カーテンノズル30aには、清浄化ガスの供給源から第2ガス供給管31を介して清浄化ガスが供給される。ダウンフローを形成する清浄化ガスの種類は特に限定されないが、例えば窒素ガス等が好適に用いられる。 The downflow forming portion 30 has a curtain nozzle 30a as a second airflow generating means provided above the device opening 13 on the inner side surface 11a side of the wall portion 11, and the curtain nozzle 30a is the device opening 13. A second air flow F2 of the cleaning gas flowing vertically downward (Z-axis negative direction) along the opening surface is generated. As shown in FIG. 2, the curtain nozzle 30a is provided so as to project into the wafer transfer chamber 52 from the inner side surface 11a above the device opening 13. Further, the nozzle opening of the curtain nozzle 30a is arranged vertically downward (Z-axis negative direction) so as to form a downflow. The cleaning gas is supplied to the curtain nozzle 30a from the cleaning gas supply source via the second gas supply pipe 31. The type of the cleaning gas that forms the downflow is not particularly limited, but for example, nitrogen gas or the like is preferably used.

図2に示すように、ロードポート装置10は、第1気流F1(図3C参照)を形成する清浄化ガス及び第2気流F2(図3B参照)を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオン発生手段40を有する。イオン発生手段40は、第1気流F1を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第1イオナイザ40aと、第2気流F2を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第2イオナイザ40bとを備える。 As shown in FIG. 2, the load port device 10 supplies ions to the cleaning gas forming the first airflow F1 (see FIG. 3C) and the cleaning gas forming the second airflow F2 (see FIG. 3B). It has a generating means 40. The ion generating means 40 includes a first ionizer 40a that supplies ions to the cleaning gas that forms the first airflow F1, and a second ionizer 40b that supplies ions to the cleaning gas that forms the second airflow F2.

第1イオナイザ40aは、図2に示すように、ガスパージノズル20aの内部(例えば、内壁等)に配置されている。第1イオナイザ40aは、例えば、放電針を備えており、放電針と対向電極の間に高電圧を印加することで生じるコロナ放電により周囲のガスをイオン化するように構成される。ガスパージノズル20aの内部で第1イオナイザ40aによってイオン化された清浄化ガスは、ガスパージノズル20aのノズル開口から放出され、装置開口13及び主開口2aを通じて容器2内に導入される。これにより、容器2の内部にイオンを供給し、容器2の内部及びこれに収容されたウエハ1を除電しつつ清浄化することができる。 As shown in FIG. 2, the first ionizer 40a is arranged inside the gas purge nozzle 20a (for example, an inner wall or the like). The first ionizer 40a is provided with, for example, a discharge needle, and is configured to ionize the surrounding gas by a corona discharge generated by applying a high voltage between the discharge needle and the counter electrode. The cleaning gas ionized by the first ionizer 40a inside the gas purge nozzle 20a is discharged from the nozzle opening of the gas purge nozzle 20a and introduced into the container 2 through the device opening 13 and the main opening 2a. As a result, ions can be supplied to the inside of the container 2 to clean the inside of the container 2 and the wafer 1 housed therein while eliminating static electricity.

第2イオナイザ40bは、図2に示すように、カーテンノズル30aの内部(例えば、内壁等)に配置されている。第2イオナイザ40bは、例えば、第1イオナイザ40aと同様に、コロナ放電により周囲のガスをイオン化するように構成される。カーテンノズル30aの内部で第2イオナイザ40bによってイオン化された清浄化ガスは、カーテンノズル30aのノズル開口から放出され、図3Bに示すように、装置開口13の開口面に沿って流下する清浄化ガスの第2気流F2を形成する。第2気流F2は、ウエハ搬送室52内の空気が容器2の内部に侵入することを防止しつつ、容器2の外部において、ウエハ1の品質に影響を生じ得る領域の除電を行うことができる。すなわち、第2気流F2は、容器2内に入り込む可能性があるウエハ搬送室52内の装置開口13周辺の空気を除電することができる。また、第2気流F2は、蓋4やドア18、パージノズル20a等を除電し、これらに付着した汚染物質等を除去することができる。 As shown in FIG. 2, the second ionizer 40b is arranged inside the curtain nozzle 30a (for example, an inner wall or the like). The second ionizer 40b is configured to ionize the surrounding gas by corona discharge, for example, like the first ionizer 40a. The cleaning gas ionized by the second ionizer 40b inside the curtain nozzle 30a is discharged from the nozzle opening of the curtain nozzle 30a and flows down along the opening surface of the device opening 13 as shown in FIG. 3B. The second airflow F2 is formed. The second air flow F2 can eliminate static electricity in a region outside the container 2 that may affect the quality of the wafer 1 while preventing the air in the wafer transfer chamber 52 from entering the inside of the container 2. .. That is, the second airflow F2 can eliminate static electricity around the device opening 13 in the wafer transfer chamber 52 that may enter the container 2. In addition, the second airflow F2 can eliminate static electricity from the lid 4, the door 18, the purge nozzle 20a, and the like, and remove contaminants and the like adhering to them.

第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bの駆動は、ロードポート装置10の制御部(不図示)によって制御される。ロードポート装置10の制御部は、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bに制御信号を送り、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bのオン・オフを制御する。例えば、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bは、ロードポート装置10の制御部からイオナイザのオン信号を受け取ると、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bの放電針に高電圧を印加して、イオン化を開始する。また、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bは、ロードポート装置10の制御部からイオナイザのオフ信号を受信すると、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bの放電針への電圧印加を終了して、イオン化を停止する。 The drive of the first ionizer 40a and the second ionizer 40b is controlled by a control unit (not shown) of the load port device 10. The control unit of the load port device 10 sends a control signal to the first ionizer 40a and the second ionizer 40b, and controls the on / off of the first ionizer 40a and the second ionizer 40b. For example, when the first ionizer 40a and the second ionizer 40b receive the on signal of the ionizer from the control unit of the load port device 10, a high voltage is applied to the discharge needles of the first ionizer 40a and the second ionizer 40b to ionize the first ionizer 40a and the second ionizer 40b. To start. Further, when the first ionizer 40a and the second ionizer 40b receive the ionizer off signal from the control unit of the load port device 10, the first ionizer 40a and the second ionizer 40b terminate the voltage application to the discharge needles of the first ionizer 40a and the second ionizer 40b. Stop ionization.

以下、ロードポート装置10の容器2内部の除電動作について、一例を挙げて説明する。除電動作は、例えば図3Bに示すように、ドア18によって容器2の主開口2aから蓋4が取り外され、主開口2aが開放されるタイミングで開始される。除電動作を開始するとき、ロードポート装置10の制御部から、図2に示す第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bにイオナイザのオン信号が送信され、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bの放電針に高電圧が印加される。 Hereinafter, the static elimination operation inside the container 2 of the load port device 10 will be described with an example. The static elimination operation is started at the timing when the lid 4 is removed from the main opening 2a of the container 2 by the door 18 and the main opening 2a is opened, for example, as shown in FIG. 3B. When the static elimination operation is started, the control unit of the load port device 10 transmits an ionizer on signal to the first ionizer 40a and the second ionizer 40b shown in FIG. 2, and the discharge needles of the first ionizer 40a and the second ionizer 40b are transmitted. High voltage is applied to.

続いて、図3Bに示すように、ガスパージノズル20a及びカーテンノズル30aのノズル開口から清浄化ガスが放出され、第1気流F1(フロントパージ)及び第2気流F2(ダウンフロー)が形成される。この際、図2に示すように、ガスパージノズル20aの内部にある第1イオナイザ40aと、カーテンノズル30aの内部にある第2イオナイザ40bからは、各ノズル20a、30a内の清浄化ガスに対して、イオンが供給される。そのため、図3Bに示すように、第1イオナイザ40aによってイオンを供給された清浄化ガスの第1気流F1が、装置開口13及び主開口2aを介して容器2内に導入されるとともに、第2イオナイザ40bによってイオンを供給された清浄化ガスの第2気流F2が、装置開口13の開口面に沿って流下し、ダウンフローを形成する。これにより、容器2内部のウエハ1が除電、清浄化されるとともに、容器2内に入り込む可能性がある装置開口13周辺の空気や、蓋4、ドア18、パージノズル20a等、容器2の外部においてウエハ1の品質に影響を与え得る領域の除電及び汚染物質の除去が行われる。 Subsequently, as shown in FIG. 3B, the cleaning gas is discharged from the nozzle openings of the gas purge nozzle 20a and the curtain nozzle 30a, and the first airflow F1 (front purge) and the second airflow F2 (downflow) are formed. At this time, as shown in FIG. 2, the first ionizer 40a inside the gas purge nozzle 20a and the second ionizer 40b inside the curtain nozzle 30a refer to the cleaning gas in each of the nozzles 20a and 30a. , Ions are supplied. Therefore, as shown in FIG. 3B, the first air flow F1 of the cleaning gas supplied with ions by the first ionizer 40a is introduced into the container 2 through the device opening 13 and the main opening 2a, and is also introduced into the container 2. The second airflow F2 of the cleaning gas supplied with ions by the ionizer 40b flows down along the opening surface of the device opening 13 to form a downflow. As a result, the wafer 1 inside the container 2 is statically eliminated and cleaned, and at the outside of the container 2 such as the air around the device opening 13 which may enter the container 2 and the lid 4, the door 18, and the purge nozzle 20a. Static elimination and contaminant removal are performed in areas that may affect the quality of the wafer 1.

次に、図3Cに示すように、ロードポート装置10の制御部は、蓋4をドア18とともに鉛直下方(Z軸負方向)に移動させる。容器2の主開口2aが完全に開放されると、ウエハ搬送機54のアーム54aは、装置開口13及び主開口2aを通じて容器2の内部からウエハ1を取り出し、ウエハ搬送室52内に搬送する。ロードポート装置10は、ウエハ搬送機54によるウエハ1の搬送作業中も、主開口2aが開放されている間は、イオンを含む清浄化ガスの第1気流F1及び第2気流F2の形成を継続する。これにより、ウエハ搬送室52内の空気が容器2内に流入することを防止し、容器2内を清浄な環境に保つとともに、放電によるウエハ1の損傷を防止することができる。ウエハ1の搬送作業が終了すると、ロードポート装置10の制御部は、ドア18により容器2の主開口2aを蓋4で閉鎖し、ガスパージノズル20a及びカーテンノズル30aによる清浄化ガスの放出を停止する。また、ロードポート装置10の制御部から第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bに対して、イオナイザのオフ信号が送信され、第1イオナイザ40a及び第2イオナイザ40bによるイオンの供給を停止する。 Next, as shown in FIG. 3C, the control unit of the load port device 10 moves the lid 4 together with the door 18 vertically downward (Z-axis negative direction). When the main opening 2a of the container 2 is completely opened, the arm 54a of the wafer transfer machine 54 takes out the wafer 1 from the inside of the container 2 through the device opening 13 and the main opening 2a and conveys the wafer 1 into the wafer transfer chamber 52. The load port device 10 continues to form the first airflow F1 and the second airflow F2 of the cleaning gas containing ions while the main opening 2a is open even during the transfer operation of the wafer 1 by the wafer transfer machine 54. do. As a result, it is possible to prevent the air in the wafer transfer chamber 52 from flowing into the container 2, keep the inside of the container 2 in a clean environment, and prevent damage to the wafer 1 due to electric discharge. When the transfer work of the wafer 1 is completed, the control unit of the load port device 10 closes the main opening 2a of the container 2 with the lid 4 by the door 18 and stops the discharge of the cleaning gas by the gas purge nozzle 20a and the curtain nozzle 30a. .. Further, the control unit of the load port device 10 transmits an ionizer off signal to the first ionizer 40a and the second ionizer 40b, and the supply of ions by the first ionizer 40a and the second ionizer 40b is stopped.

以上、本発明に係るロードポート装置10の第1の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。 Although the first embodiment of the load port device 10 according to the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. be.

図4は、第1変形例に係るロードポート装置110を、装置開口13周辺を拡大して表示した断面図である。ロードポート装置110は、第1イオナイザ140aの位置が異なることを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置110については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing the load port device 110 according to the first modification in an enlarged manner around the device opening 13. Since the load port device 110 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that the position of the first ionizer 140a is different, the load port device 110 is different from the load port device 10. Only explain.

図4に示すように、ロードポート装置110の第1イオナイザ140aは、装置開口13とガスパージノズル120aとの間の第1気流F1中に配置されている。 As shown in FIG. 4, the first ionizer 140a of the load port device 110 is arranged in the first airflow F1 between the device opening 13 and the gas purge nozzle 120a.

本変形例では、フロントガス導入部120におけるガスパージノズル120aのノズル開口から放出された清浄化ガスが、第1イオナイザ140aによってイオン化された後、装置開口13及び主開口2aを通じて容器2内に導入される。そのため、ガスパージノズル120aの内部にイオナイザの設置スペースを確保できない場合でも、ロードポート装置10と同様に清浄化ガスの第1気流F1にイオンを供給し、容器2の内部を除電することができる。 In this modification, the cleaning gas discharged from the nozzle opening of the gas purge nozzle 120a in the front gas introduction unit 120 is ionized by the first ionizer 140a and then introduced into the container 2 through the device opening 13 and the main opening 2a. To. Therefore, even if the installation space for the ionizer cannot be secured inside the gas purge nozzle 120a, ions can be supplied to the first airflow F1 of the cleaning gas to eliminate static electricity inside the container 2 as in the load port device 10.

なお、第1イオナイザ140aは、ガスパージノズル120aと一体的に(例えば、ノズル面等)接続されてもよいし、ガスパージノズル120aとは別体として分離して配置されてもよい。また、第1イオナイザ140aは、第1気流F1の側部に配置され、第1イオナイザ140aによってイオン化したガスを第1気流F1に供給するように構成されてもよい。 The first ionizer 140a may be integrally connected to the gas purge nozzle 120a (for example, a nozzle surface or the like), or may be arranged separately from the gas purge nozzle 120a. Further, the first ionizer 140a may be arranged on the side of the first airflow F1 and may be configured to supply the gas ionized by the first ionizer 140a to the first airflow F1.

図5は、第2変形例に係るロードポート装置210を、装置開口13周辺を拡大して表示した概略図である。ロードポート装置210は、第2イオナイザ240bの位置が異なることを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置210については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 5 is a schematic view showing the load port device 210 according to the second modification in an enlarged manner around the device opening 13. Since the load port device 210 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that the position of the second ionizer 240b is different, the load port device 210 is different from the load port device 10. Only explain.

図5に示すように、ロードポート装置210の第2イオナイザ240bは、装置開口13とカーテンノズル230aとの間の第2気流F2中に配置されている。 As shown in FIG. 5, the second ionizer 240b of the load port device 210 is arranged in the second airflow F2 between the device opening 13 and the curtain nozzle 230a.

本変形例では、カーテンノズル230aのノズル開口から放出された清浄化ガスが、第2イオナイザ240bによってイオン化されるとともに、装置開口13の開口面に沿って第2気流F2を形成する。そのため、カーテンノズル230aの内部にイオナイザの設置スペースを確保できない場合でも、ロードポート装置10と同様に、清浄化ガスの第2気流F2にイオンを供給し、装置開口13周辺の空気等を除電することができる。 In this modification, the cleaning gas discharged from the nozzle opening of the curtain nozzle 230a is ionized by the second ionizer 240b and forms a second air flow F2 along the opening surface of the device opening 13. Therefore, even if the installation space for the ionizer cannot be secured inside the curtain nozzle 230a, ions are supplied to the second airflow F2 of the cleaning gas to eliminate static electricity and the like around the device opening 13 as in the load port device 10. be able to.

なお、第2イオナイザ240bは、カーテンノズル230aと一体的に(例えば、ノズル面等)接続されてもよいし、カーテンノズル230aとは別体として分離して配置されてもよい。また、第2イオナイザ240bは、第2気流F2の側部に配置され、第2イオナイザ240bによってイオン化したガスを第2気流F2に供給するように構成されてもよい。 The second ionizer 240b may be integrally connected to the curtain nozzle 230a (for example, a nozzle surface or the like), or may be arranged separately from the curtain nozzle 230a. Further, the second ionizer 240b may be arranged on the side of the second airflow F2 and may be configured to supply the gas ionized by the second ionizer 240b to the second airflow F2.

図6は、第3変形例に係るロードポート装置310の一部概略斜視図である。ロードポート装置310は、第1イオナイザ340a及び第2イオナイザ340bの位置が異なることを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置310については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 6 is a partial schematic perspective view of the load port device 310 according to the third modification. Since the load port device 310 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that the positions of the first ionizer 340a and the second ionizer 340b are different, the load port device 310 is the load port device. Only the differences from 10 will be described.

図6に示すように、ロードポート装置310の第1イオナイザ340aは、清浄化ガスの供給源からガスパージノズル320aに清浄化ガスを供給する第1ガス供給管21に配置されている。また、ロードポート装置310の第2イオナイザ340bは、清浄化ガスの供給源からカーテンノズル330aに清浄化ガスを供給する第2ガス供給管31に配置されている。 As shown in FIG. 6, the first ionizer 340a of the load port device 310 is arranged in the first gas supply pipe 21 that supplies the cleaning gas from the supply source of the cleaning gas to the gas purge nozzle 320a. Further, the second ionizer 340b of the load port device 310 is arranged in the second gas supply pipe 31 that supplies the cleaning gas from the supply source of the cleaning gas to the curtain nozzle 330a.

本変形例では、第1ガス供給管21において清浄化ガスが確実かつ均等にイオン化された後、第1気流F1が形成される。そのため、容器2の内部をより確実かつ均一に除電することができる。また、第2ガス供給管31において清浄化ガスが確実かつ均等にイオン化された後、第2気流F2が形成される。そのため、装置開口13周辺の空気等をより確実かつ均一に除電することができる。 In this modification, the cleaning gas is reliably and evenly ionized in the first gas supply pipe 21, and then the first air flow F1 is formed. Therefore, the inside of the container 2 can be more reliably and uniformly statically eliminated. Further, after the cleaning gas is surely and evenly ionized in the second gas supply pipe 31, the second air flow F2 is formed. Therefore, the air or the like around the device opening 13 can be more reliably and uniformly statically eliminated.

なお、第1イオナイザ340aが第1ガス供給管21に配置された構成と、第2イオナイザ340bが第2ガス供給管31に配置された構成とは、相互に独立した構成として実施することもできる。例えば、第1イオナイザ340aを第1ガス供給管21に配置し、第2イオナイザ340bをカーテンノズル330aの内部に配置してもよい。また例えば、第1イオナイザ340aをガスパージノズル320aの内部に配置し、第2イオナイザ340bを第2ガス供給管31に配置してもよい。 The configuration in which the first ionizer 340a is arranged in the first gas supply pipe 21 and the configuration in which the second ionizer 340b is arranged in the second gas supply pipe 31 can be implemented as mutually independent configurations. .. For example, the first ionizer 340a may be arranged in the first gas supply pipe 21, and the second ionizer 340b may be arranged inside the curtain nozzle 330a. Further, for example, the first ionizer 340a may be arranged inside the gas purge nozzle 320a, and the second ionizer 340b may be arranged in the second gas supply pipe 31.

図7は、第4変形例に係るロードポート装置410の一部概略斜視図である。ロードポート装置410は、イオン発生手段440及びガス供給管の形態が異なることを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置410については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 7 is a partial schematic perspective view of the load port device 410 according to the fourth modification. Since the load port device 410 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that the forms of the ion generating means 440 and the gas supply pipe are different, the load port device 410 is the load port device 10. Only the differences from the above will be explained.

図7に示すように、ロードポート装置410のイオン発生手段440は、清浄化ガスの供給源からガスパージノズル420aとカーテンノズル430aに清浄化ガスを供給する共通ガス供給管32に配置されている。 As shown in FIG. 7, the ion generating means 440 of the load port device 410 is arranged in a common gas supply pipe 32 that supplies the cleaning gas from the cleaning gas supply source to the gas purge nozzle 420a and the curtain nozzle 430a.

本変形例では、共通ガス供給管32にイオン発生手段440を配置することで、1つのイオン発生手段440によってガスパージノズル420aとカーテンノズル430aにイオン化された清浄化ガスを供給することができる。そのため、複数のイオン発生手段の設置に係るコストやスペースを節約することができる。 In this modification, by arranging the ion generating means 440 in the common gas supply pipe 32, it is possible to supply the purified gas ionized to the gas purge nozzle 420a and the curtain nozzle 430a by one ion generating means 440. Therefore, it is possible to save the cost and space for installing a plurality of ion generating means.

図8は、第5変形例に係るロードポート装置510の概略図である。ロードポート装置510は、イオン発生手段540の形態が異なることを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置510については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 8 is a schematic view of the load port device 510 according to the fifth modification. Since the load port device 510 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that the form of the ion generating means 540 is different, the load port device 510 is different from the load port device 10. Only explain.

図8(a)に示すように、ロードポート装置510のイオン発生手段540は、カーテンノズル530aの内部に配置されている。 As shown in FIG. 8A, the ion generating means 540 of the load port device 510 is arranged inside the curtain nozzle 530a.

本変形例では、図8(a)、図8(b)及び図8(c)に示すように、イオン発生手段540によってイオンを供給された清浄化ガスの第2気流F2の少なくとも一部が第1気流F1に巻き込まれることで、第1気流F1にイオンが供給される。第2気流F2から第1気流F1に供給されたイオンが第1気流F1に乗って容器2の内部に導入されることで、容器2の内部及びこれに収容されたウエハ1が除電される。すなわち、本変形例では、ガスパージノズル520aにイオナイザを設けることなく、カーテンノズル530aにのみイオン発生手段を設けることで、イオナイザの設置に係るコストやスペースを節約しつつ、ロードポート装置10と同様に容器2の内部及び装置開口13周辺の空気等を除電することができる。 In this modification, as shown in FIGS. 8 (a), 8 (b) and 8 (c), at least a part of the second air flow F2 of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means 540 is By being involved in the first airflow F1, ions are supplied to the first airflow F1. The ions supplied from the second airflow F2 to the first airflow F1 are introduced into the container 2 on the first airflow F1, so that the inside of the container 2 and the wafer 1 housed therein are statically eliminated. That is, in this modification, the ion generating means is provided only in the curtain nozzle 530a without providing the ionizer in the gas purge nozzle 520a, thereby saving the cost and space for installing the ionizer, and similarly to the load port device 10. It is possible to eliminate static electricity and the like inside the container 2 and around the device opening 13.

なお、本変形例において、イオン発生手段540の位置は、カーテンノズル530aの内部に限定されない。例えば、イオン発生手段540は、装置開口13とカーテンノズル530aとの間の第2気流F2中または第2気流F2の側部に配置されてもよいし、清浄化ガスの供給源からカーテンノズル530aに清浄化ガスを供給する第2ガス供給管31に配置されてもよい。 In this modification, the position of the ion generating means 540 is not limited to the inside of the curtain nozzle 530a. For example, the ion generating means 540 may be arranged in the second airflow F2 between the device opening 13 and the curtain nozzle 530a or on the side of the second airflow F2, or may be arranged from the source of the cleaning gas to the curtain nozzle 530a. It may be arranged in the second gas supply pipe 31 which supplies the cleaning gas to.

図9は、第6変形例に係るロードポート装置610の概略図である。ロードポート装置610は、多方向気流発生手段35を有することを除き、第1の実施形態に係るロードポート装置10と同様であるため、ロードポート装置610については、ロードポート装置10との相違点のみ説明する。 FIG. 9 is a schematic view of the load port device 610 according to the sixth modification. Since the load port device 610 is the same as the load port device 10 according to the first embodiment except that it has the multi-directional airflow generating means 35, the load port device 610 is different from the load port device 10. Only explain.

図9(a)、図9(b)及び図9(c)に示すように、ロードポート装置610は、第1気流発生手段と第2気流発生手段とが一体化された(すなわち、第1気流F1と第2気流F2を発生する)多方向気流発生手段35を有する。多方向気流発生手段35は、ロードポート装置10のカーテンノズル30aと同様に壁部11の内側面11a側における装置開口13の上方に配置され、容器2の内部に向かって清浄化ガスの第1気流F1を形成するとともに、装置開口13の開口面に沿って流下する清浄化ガスの第2気流F2を形成する。 As shown in FIGS. 9 (a), 9 (b) and 9 (c), in the load port device 610, the first air flow generating means and the second air flow generating means are integrated (that is, the first one). It has a multi-directional airflow generating means 35 (which generates an airflow F1 and a second airflow F2). The multi-directional airflow generating means 35 is arranged above the device opening 13 on the inner side surface 11a side of the wall portion 11 like the curtain nozzle 30a of the load port device 10, and is the first cleaning gas toward the inside of the container 2. Along with forming the air flow F1, a second air flow F2 of the cleaning gas flowing down along the opening surface of the device opening 13 is formed.

本変形例では、イオン発生手段640は、図9(a)に示すように、多方向気流発生手段35の内部に配置される。イオン発生手段640によってイオンを供給された清浄化ガスの一部は、第1気流F1によって容器2内に導入され、他の一部は第2気流F2を形成するため、ロードポート装置10と同様に容器2の内部及び装置開口13周辺の空気等を除電することができる。さらに、ガスパージノズルとカーテンノズルが一体化されていることで、別途パージノズルを設ける必要がなく、また、複数のイオン発生手段も不要であるため、これらの設置に係るコストやスペースを節約することができる。 In this modification, the ion generating means 640 is arranged inside the multidirectional airflow generating means 35 as shown in FIG. 9A. A part of the cleaning gas supplied with ions by the ion generating means 640 is introduced into the container 2 by the first air flow F1, and the other part forms the second air flow F2, so that it is the same as the load port device 10. It is possible to eliminate static electricity and the like inside the container 2 and around the device opening 13. Furthermore, since the gas purge nozzle and the curtain nozzle are integrated, it is not necessary to separately provide a purge nozzle, and since a plurality of ion generation means are not required, the cost and space for these installations can be saved. can.

なお、本変形例において、イオン発生手段640の位置は、多方向気流発生手段35の内部に限定されない。例えば、イオン発生手段640は、図9(b)に示すように、装置開口13と多方向気流発生手段35との間の第2気流F2中または第2気流F2の側部に配置されてもよいし、図9(c)に示すように、清浄化ガスの供給源から多方向気流発生手段35に清浄化ガスを供給する第3ガス供給管に配置されてもよい。 In this modification, the position of the ion generating means 640 is not limited to the inside of the multidirectional airflow generating means 35. For example, as shown in FIG. 9B, the ion generating means 640 may be arranged in the second airflow F2 between the device opening 13 and the multidirectional airflow generating means 35 or on the side of the second airflow F2. Alternatively, as shown in FIG. 9C, it may be arranged in the third gas supply pipe that supplies the cleaning gas from the supply source of the cleaning gas to the multidirectional airflow generating means 35.

1:ウエハ
2:容器
2a:主開口
2b:開口縁
4:蓋
5:ボトムガス導入部
10、110、210、310、410、510、610:ロードポート装置
11:壁部
11a:内側面
11b:外側面
12:載置台
13:装置開口
13a:両側部
14:可動テーブル
18:ドア
20、120:フロントガス導入部
20a、120a、320a、420a、520a:ガスパージノズル
21:第1ガス供給管
30、230:ダウンフロー形成部
30a、230a、330a、430a、530a:カーテンノズル
31:第2ガス供給管
32:共通ガス供給管
35:多方向気流発生手段
40、440、540、640:イオン発生手段
40a、140a、340a:第1イオナイザ
40b、240b、340b:第2イオナイザ
50:EFEM
51:ミニエンバイロメント装置
52:ウエハ搬送室
54:ウエハ搬送機
54a:アーム
56:ファンフィルタユニット
70:処理室
F1:第1気流
F2:第2気流
1: Wafer 2: Container 2a: Main opening 2b: Opening edge 4: Lid 5: Bottom gas introduction part 10, 110, 210, 310, 410, 510, 610: Load port device 11: Wall part 11a: Inner side surface 11b: Outer Side surface 12: Mounting table 13: Device opening 13a: Both sides 14: Movable table 18: Door 20, 120: Front gas introduction part 20a, 120a, 320a, 420a, 520a: Gas purge nozzle 21: First gas supply pipe 30, 230 : Downflow forming portions 30a, 230a, 330a, 430a, 530a: Curtain nozzle 31: Second gas supply pipe 32: Common gas supply pipe 35: Multidirectional airflow generating means 40, 440, 540, 640: Ion generating means
40a, 140a, 340a: 1st ionizer 40b, 240b, 340b: 2nd ionizer 50: EFEM
51: Mini-environment device 52: Wafer transfer chamber 54: Wafer transfer machine 54a: Arm 56: Fan filter unit 70: Processing chamber F1: First airflow F2: Second airflow

Claims (17)

ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を載置する載置台と、
前記主開口に連通する装置開口が形成されており、前記載置台に載置された前記容器に対向する外側面と前記外側面とは反対側の内側面とを有する壁部と、
前記主開口を開閉するドアと、
前記壁部の前記内側面側から前記装置開口及び前記主開口を介して前記容器の内部に導入される清浄化ガスの第1気流を発生させる第1気流発生手段と、
前記壁部の前記内側面側における前記装置開口の上方から前記装置開口の開口面に沿って流下する清浄化ガスの第2気流を発生させる第2気流発生手段と、
前記第1気流を形成する清浄化ガス及び前記第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオン発生手段とを有し、
前記イオン発生手段は、前記第1気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第1イオナイザと、前記第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給する第2イオナイザとを備えることを特徴とするロードポート装置。
A mounting table on which a container with a main opening for loading and unloading wafers is formed on the side surface is placed.
A wall portion in which a device opening communicating with the main opening is formed and has an outer surface facing the container and an inner surface opposite to the outer surface mounted on the above-mentioned table.
A door that opens and closes the main opening,
A first airflow generating means for generating a first airflow of cleaning gas introduced into the inside of the container from the inner side surface side of the wall portion through the device opening and the main opening.
A second airflow generating means for generating a second airflow of cleaning gas flowing down along the opening surface of the device opening from above the device opening on the inner side surface side of the wall portion.
It has an ion generating means for supplying ions to the cleaning gas forming the first airflow and the cleaning gas forming the second airflow.
The ion generating means includes a first ionizer that supplies ions to the cleaning gas that forms the first air flow, and a second ionizer that supplies ions to the cleaning gas that forms the second air flow. Load port device.
前記第1イオナイザは、前記第1気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とする請求項に記載のロードポート装置。 The load port device according to claim 1 , wherein the first ionizer is arranged inside the first airflow generating means. 前記第1イオナイザは、前記装置開口と前記第1気流発生手段との間の前記第1気流中または前記第1気流の側部に配置されていることを特徴とする請求項に記載のロードポート装置。 The load according to claim 1 , wherein the first ionizer is arranged in the first airflow or on a side portion of the first airflow between the device opening and the first airflow generating means. Port device. 前記第1気流発生手段に清浄化ガスを供給する第1ガス供給管を有し、
前記第1イオナイザは、前記第1ガス供給管に配置されていることを特徴とする請求項に記載のロードポート装置。
It has a first gas supply pipe for supplying the cleaning gas to the first airflow generating means, and has a first gas supply pipe.
The load port device according to claim 1 , wherein the first ionizer is arranged in the first gas supply pipe.
前記第2イオナイザは、前記第2気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のロードポート装置。 The load port device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the second ionizer is arranged inside the second airflow generating means. 前記第2イオナイザは、前記装置開口と前記第2気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のロードポート装置。 The second ionizer is any of claims 1 to 4 , wherein the second ionizer is arranged in the second airflow between the device opening and the second airflow generating means or on a side portion of the second airflow. The load port device described in Crab. 前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する第2ガス供給管を有し、
前記第2イオナイザは、前記第2ガス供給管に配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のロードポート装置。
The second airflow generating means has a second gas supply pipe for supplying the cleaning gas.
The load port device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the second ionizer is arranged in the second gas supply pipe.
前記第1気流発生手段と前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する共通ガス供給管を有し、
前記イオン発生手段は、前記共通ガス供給管に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のロードポート装置。
It has a common gas supply pipe that supplies cleaning gas to the first airflow generating means and the second airflow generating means.
The load port device according to claim 1, wherein the ion generating means is arranged in the common gas supply pipe.
前記イオン発生手段は、前記第2気流発生手段の内部に配置されており、
前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とする請求項1に記載のロードポート装置。
The ion generating means is arranged inside the second airflow generating means.
The load according to claim 1, wherein at least a part of the second airflow supplied with ions by the ion generating means is entrained in the first airflow to supply ions to the first airflow. Port device.
前記イオン発生手段は、前記装置開口と前記第2気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されており、
前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とする請求項1に記載のロードポート装置。
The ion generating means is arranged in the second airflow or on the side of the second airflow between the device opening and the second airflow generating means.
The load according to claim 1, wherein at least a part of the second airflow supplied with ions by the ion generating means is entrained in the first airflow to supply ions to the first airflow. Port device.
前記第2気流発生手段に清浄化ガスを供給する第2ガス供給管を有し、
前記イオン発生手段は、前記第2ガス供給管に配置されており、
前記イオン発生手段によってイオンを供給された前記第2気流の少なくとも一部が前記第1気流に巻き込まれることで前記第1気流にイオンが供給されることを特徴とする請求項1に記載のロードポート装置。
The second airflow generating means has a second gas supply pipe for supplying the cleaning gas.
The ion generating means is arranged in the second gas supply pipe, and is arranged in the second gas supply pipe.
The load according to claim 1, wherein at least a part of the second airflow supplied with ions by the ion generating means is entrained in the first airflow to supply ions to the first airflow. Port device.
前記第1気流発生手段は、前記内側面における前記装置開口の両側部に配置されることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載のロードポート装置。 The load port device according to any one of claims 1 to 11 , wherein the first airflow generating means is arranged on both sides of the device opening on the inner surface. 前記第1気流発生手段と前記第2気流発生手段とが一体化された多方向気流発生手段を有することを特徴とする請求項1に記載のロードポート装置。 The load port device according to claim 1, further comprising a multi-directional airflow generating means in which the first airflow generating means and the second airflow generating means are integrated. 前記イオン発生手段は、前記多方向気流発生手段の内部に配置されていることを特徴とする請求項13に記載のロードポート装置。 The load port device according to claim 13 , wherein the ion generating means is arranged inside the multidirectional airflow generating means. 前記イオン発生手段は、前記装置開口と前記多方向気流発生手段との間の前記第1気流中または前記第1気流の側部、及び、前記装置開口と前記多方向気流発生手段との間の前記第2気流中または前記第2気流の側部に配置されていることを特徴とする請求項13に記載のロードポート装置。 The ion generating means is in the first airflow between the device opening and the multidirectional airflow generating means or a side portion of the first airflow, and between the device opening and the multidirectional airflow generating means. 13. The load port device according to claim 13 , wherein the load port device is arranged in the second airflow or on the side of the second airflow. 前記多方向気流発生手段に清浄化ガスを供給する第3ガス供給管を有し、
前記イオン発生手段は、前記第3ガス供給管に配置されていることを特徴とする請求項13に記載のロードポート装置。
It has a third gas supply pipe that supplies the cleaning gas to the multi-directional airflow generating means, and has a third gas supply pipe.
The load port device according to claim 13 , wherein the ion generating means is arranged in the third gas supply pipe.
ウエハを出し入れするための主開口が側面に形成された容器を載置する載置台と、A mounting table on which a container with a main opening for loading and unloading wafers is formed on the side surface is placed.
前記主開口に連通する装置開口が形成されており、前記載置台に載置された前記容器に対向する外側面と前記外側面とは反対側の内側面とを有する壁部と、A wall portion in which a device opening communicating with the main opening is formed and has an outer surface facing the container and an inner surface opposite to the outer surface mounted on the above-mentioned table.
前記主開口を開閉するドアと、A door that opens and closes the main opening,
前記壁部の前記内側面側から前記装置開口及び前記主開口を介して前記容器の内部に導入される清浄化ガスの第1気流を発生させる第1気流発生手段と、A first airflow generating means for generating a first airflow of cleaning gas introduced into the inside of the container from the inner side surface side of the wall portion through the device opening and the main opening.
前記壁部の前記内側面側における前記装置開口の上方から前記装置開口の開口面に沿って流下する清浄化ガスの第2気流を発生させる第2気流発生手段と、A second airflow generating means for generating a second airflow of cleaning gas flowing down along the opening surface of the device opening from above the device opening on the inner side surface side of the wall portion.
前記第1気流を形成する清浄化ガス及び前記第2気流を形成する清浄化ガスにイオンを供給するイオン発生手段とを有し、It has an ion generating means for supplying ions to the cleaning gas forming the first airflow and the cleaning gas forming the second airflow.
前記第1気流発生手段と前記第2気流発生手段とが一体化された多方向気流発生手段を有し、It has a multi-directional airflow generating means in which the first airflow generating means and the second airflow generating means are integrated.
前記多方向気流発生手段に清浄化ガスを供給する第3ガス供給管を有し、It has a third gas supply pipe that supplies the cleaning gas to the multi-directional airflow generating means, and has a third gas supply pipe.
前記イオン発生手段は、前記第3ガス供給管に配置されていることを特徴とするロードポート装置。The load port device, wherein the ion generating means is arranged in the third gas supply pipe.

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