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JP7066559B2 - 接合装置および接合方法 - Google Patents

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Description

本開示は、接合装置および接合方法に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板同士を接合する技術が知られている。たとえば、特許文献１には、第１保持部を用いて第１基板を保持し、第１保持部と対向配置された第２保持部を用いて第２基板を保持した後、第１保持部および第２保持部を接近させることにより、第１基板と第２基板とを接合する接合装置が開示されている。
特開２０１６－１３４４４６号公報
本開示は、基板同士を接合する接合装置において、基板間の位置ずれを抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、撮像ユニットと、移動機構とを備える。第１保持部は、第１基板を保持する。第２保持部は、第１保持部と対向配置され、第１基板に接合される第２基板を保持する。撮像ユニットは、第１基板の第２基板との対向面に形成された第１アライメントマークを撮像する第１撮像部、および、第２基板の第１基板との対向面に形成された第２アライメントマークを撮像する第２撮像部を含む。移動機構は、第１保持部と第２保持部との間の平面領域内において、撮像ユニットを第１方向および第１方向と交差する第２方向に沿って移動させる。
本開示によれば、基板同士を接合する接合装置において、基板間の位置ずれを抑制することができる。
図１は、実施形態に係る接合システムの構成例を示す図である。 図２は、実施形態に係る真空接合ブロックの構成例を示す図である。 図３は、実施形態に係る真空接合装置の構成例を示す図である。 図４は、実施形態に係る真空接合装置の構成例を示す図である。 図５は、撮像ユニットの構成例を示す図である。 図６は、真空接合装置において実行される一連の処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図７は、広域撮像処理の動作例を示す図である。 図８は、プリアライメント処理の動作例を示す図である。 図９は、第１チャックマーク撮像処理の動作例を示す図である。 図１０は、第２チャックマーク撮像処理の動作例を示す図である。 図１１は、第２ファインアライメント処理の動作例を示す図である。
以下に、本開示による接合装置および接合方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による接合装置および接合方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
＜接合システムの構成＞
まず、実施形態に係る接合システムの構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る接合システムの構成例を示す図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示す実施形態に係る接合システム１００は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合することによって重合基板Ｔを形成する。
図１に示すように、接合システム１００は、搬入出ブロック１と、受渡ブロック２と、搬送ブロック３と、表面処理ブロック４と、常圧接合ブロック５と、真空接合ブロック６とを備える。
搬入出ブロック１は、載置台７と、搬送領域８とを備える。載置台７は、複数（たとえば、４つ）のカセット載置板１０１を備える。各カセット載置板１０１にはそれぞれカセットＣ１～Ｃ４が配置される。カセットＣ１～Ｃ４は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容可能である。カセットＣ１は複数枚の第１基板Ｗ１を収容し、カセットＣ２は複数枚の第２基板Ｗ２を収容し、カセットＣ３は、複数枚の重合基板Ｔを収容する。また、カセットＣ４は、たとえば、不具合が生じた基板を回収するためのカセットである。
搬送領域８は、載置台７に隣接して配置される。搬送領域８には、Ｙ軸方向に沿って延在する搬送路１０２と、この搬送路１０２に沿って移動可能な搬送装置１０３とが設けられる。搬送装置１０３は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸まわりに旋回可能であり、カセットＣ１～Ｃ４および受渡ブロック２に対して第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔの搬入出を行う。
受渡ブロック２は、搬入出ブロック１に隣接して設けられる。受渡ブロック２は、受渡部１０４を備える。受渡部１０４は、複数枚の第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを多段に収容可能である。
搬送ブロック３は、受渡ブロック２に隣接して設けられる。搬送ブロック３には、たとえば、Ｘ軸方向に沿って延在する搬送路１０５と、この搬送路１０５に沿って移動可能な搬送装置１０６とが設けられる。搬送装置１０６は、Ｙ軸方向にも移動可能かつＺ軸まわりに旋回可能であり、受渡ブロック２、表面処理ブロック４、常圧接合ブロック５および真空接合ブロック６に対して第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔの搬入出を行う。
表面処理ブロック４、常圧接合ブロック５および真空接合ブロック６は、搬送ブロック３に隣接して設けられる。
表面処理ブロック４には、たとえば、表面親水化装置と表面改質装置とが配置される。表面親水化装置は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面に対して純水などの親水化処理液を供給することにより、これらの接合面を親水化する。表面改質装置は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面を処理ガスのプラズマによって改質する。
常圧接合ブロック５には、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを常圧雰囲気下において接合する常圧接合装置が配置される。なお、表面親水化装置、表面改質装置および常圧接合装置の構成は特に限定されないが、たとえば、特許第６０４０１２３号等に記載された表面親水化装置、表面改質装置および接合装置の構成が採用され得る。
真空接合ブロック６では、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを減圧雰囲気下において接合する真空接合装置が配置される。真空接合ブロック６および真空接合装置の構成については、後述する。
また、接合システム１００は、制御装置２００を備える。制御装置２００は、接合システム１００の動作を制御する。かかる制御装置２００は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部は、たとえばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスクといった記憶デバイスで構成されており、接合処理等の各種処理を制御するプログラムを格納する。制御部は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム１００の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置２００の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜真空接合ブロックの構成＞
次に、真空接合ブロック６の構成について図２を参照して説明する。図２は、実施形態に係る真空接合ブロック６の構成例を示す図である。
図２に示すように、真空接合ブロック６には、受渡部１０８と、搬送装置１０９と、真空接合装置１１０とが配置される。
受渡部１０８は、搬送ブロック３と搬送装置１０９との間に配置される。受渡部１０８は、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを保持可能である。たとえば、受渡部１０８は、第１基板Ｗ１を上方から吸着保持する吸着保持部と、第２基板Ｗ２を下方から支持する複数（たとえば、３つ）の支持ピンとを備える。搬送ブロック３に配置される搬送装置１０６は、第１基板Ｗ１の接合面を下方に向けた状態で、受渡部１０８が備える吸着保持部に第１基板Ｗ１を受け渡す。また、搬送装置１０６は、第２基板Ｗ２の接合面を上方に向けた状態で、受渡部１０８が備える複数の支持ピンに第２基板Ｗ２を受け渡す。また、搬送装置１０６は、後述する搬送装置１０９によって受渡部１０８の複数の支持ピンに受け渡された重合基板Ｔを受け取って受渡ブロック２の受渡部１０４へ搬送する。
搬送装置１０９は、水平方向に沿って伸縮可能なアーム部とＺ軸まわりに旋回可能な基部とを備え、受渡部１０８および真空接合装置１１０に対して第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔの搬入出を行う。
たとえば、搬送装置１０９は、受渡部１０８の吸着保持部に保持された第１基板Ｗ１を下方から支持することによって受渡部１０８から受け取り、受け取った第１基板Ｗ１を真空接合装置１１０へ搬入する。また、搬送装置１０９は、受渡部１０８の複数の支持ピンに支持された第２基板Ｗ２を下方から支持することによって受渡部１０８から受け取り、受け取った第２基板Ｗ２を真空接合装置１１０へ搬入する。また、搬送装置１０９は、真空接合装置１１０から重合基板Ｔを搬出して受渡部１０８の複数の支持ピンに受け渡す。
真空接合装置１１０は、密閉された処理空間を内部に形成可能なチャンバ１０を備える。真空接合装置１１０は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とをチャンバ１０に収容した後、チャンバ１０内を減圧する。そして、真空接合装置１１０は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを減圧雰囲気下で接合する。
また、真空接合装置１１０は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面に設けられたアライメントマークを撮像する撮像ユニット５０と、撮像ユニット５０を移動させる移動機構６０とを備える。移動機構６０は、Ｘ軸方向に沿って撮像ユニット５０を移動可能であるとともに、Ｙ軸方向に沿って撮像ユニット５０を移動させることも可能である。以下、真空接合装置１１０の構成について具体的に説明する。
＜真空接合装置の構成＞
図３および図４は、実施形態に係る真空接合装置１１０の構成例を示す図である。なお、図３は、真空接合装置１１０をＸ軸方向に沿って見た図であり、図４は、真空接合装置１１０をＹ軸方向に沿って見た図である。
図３および図４に示すように、真空接合装置１１０は、チャンバ１０と、第１保持部２０と、第２保持部３０と、昇降部４０と、撮像ユニット５０と、移動機構６０と、複数の第３撮像部７０と、複数の光源８０とを備える。
チャンバ１０は、第１容器１１と、第２容器１２と、開閉機構１３とを備える。第１容器１１は、第２保持部３０と対向する側すなわち下方が開放された凹状に形成され、第１保持部２０を内部に収容する。第２容器１２は、第１保持部２０と対向する側すなわち上方が開放された凹状に形成され、第２保持部３０を内部に収容する。開閉機構１３は、第１容器１１を鉛直方向に沿って移動させる。かかるチャンバ１０は、開閉機構１３により第１容器１１を移動させて第２容器１２と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成する。
第１容器１１の天井部には、第１容器１１を上下に貫通する複数の貫通孔１１１が形成される。複数の貫通孔１１１は、第１保持部２０の径方向外方に形成される。各貫通孔１１１は、透明部材１１２によって塞がれた状態となっている。透明部材１１２は、たとえば石英ガラス等で形成され、貫通孔１１１の下部、すなわち、処理空間側に寄せて配置される。
第２容器１２の底部には、第２容器１２を上下に貫通する複数の貫通孔１２１が形成される。複数の貫通孔１２１は、第２保持部３０の径方向外方であって複数の貫通孔１１１と対向する位置に形成される。各貫通孔１２１は、透明部材１２２によって塞がれた状態となっている。透明部材１２２は、たとえば石英ガラス等で形成される。
また、第２容器１２の底部中央には、第２容器１２を上下に貫通する貫通孔１２３が形成される。貫通孔１２３には、後述するシャフト３１が挿通される。また、第２容器１２の下面中央には、円筒状のベローズ１２４の一端が接続される。ベローズ１２４は、貫通孔１２３の周囲を取り囲むように設けられる。ベローズ１２４の他端は、後述する昇降部４０の支持板４１の上面に接続される。
第２容器１２の底部には、チャンバ１０内を吸気するための排気管１６が接続される。排気管１６は、真空ポンプ等の排気装置１７に接続される。
開閉機構１３は、複数（たとえば、２つ）のシャフト１３１と、複数の駆動部１３２とを備える。シャフト１３１は、鉛直方向に沿って延在し、第１容器１１の外周部から外方に向かって突出するフランジ部１１３に先端部が接続される。駆動部１３２は、シャフト１３１を鉛直方向に沿って移動させる。駆動部１３２は、第２容器１２よりも下方に設置されたベースプレート１４の上面に固定される。
第１保持部２０は、第１基板Ｗ１を吸着保持する保持部であり、保持面を下方に向けた状態で、第１容器１１の内部に収容される。第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２との接合面を下方に向けた状態で第１保持部２０に保持される。
第１保持部２０は、たとえば、図示しない内部電極を有し、内部電極に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて第１基板Ｗ１を保持面に吸着させることができる。また、第１保持部２０は、図示しない吸引管を介して真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続されており、吸引装置が発生させる吸引力によって第１基板Ｗ１を保持面に吸着させることができる。
第１保持部２０の上部には、第１保持部２０の水平位置を調整する調整部２１が設けられる。調整部２１は、第１保持部２０をＸ軸方向またはＹ軸方向に移動させることができる。また、調整部２１は、第１保持部２０を鉛直軸周りに回転させることができる。すなわち、調整部２１は、第１保持部２０の水平方向における向きを変更することができる。
第１保持部２０の外周部には、複数の透明部材２２が設けられる。透明部材２２は、たとえば石英ガラス等で形成される。各透明部材２２には、後述する第２ファインアライメント処理に用いられるアライメントマーク（以下、「第１チャックマーク」と記載する）が、たとえば金属蒸着等によって形成される。
第２保持部３０は、第２基板Ｗ２を吸着保持する保持部であり、保持面を上方に向けた状態で、第２容器１２の内部に収容される。第２基板Ｗ２は、第１基板Ｗ１との接合面を上方に向けた状態で第２保持部３０に保持される。第１保持部２０と同様、第２保持部３０も静電気力または吸引力を用いて第２基板Ｗ２を保持面に吸着させることができる。
第２保持部３０の下部には、鉛直方向に延在するシャフト３１の先端が接続される。シャフト３１は、第２容器１２の貫通孔１２３に挿通され、ベローズ１２４によって周囲を覆われた状態となっている。シャフト３１の下端部は、後述する昇降部４０の支持板４１に接続される。
第２保持部３０の外周部には、複数の透明部材３２が設けられる。透明部材３２は、たとえば石英ガラス等で形成される。透明部材２２と同様、各透明部材３２には、後述する第２ファインアライメント処理に用いられる第２チャックマークが、たとえば金属蒸着等によって形成される。
昇降部４０は、支持板４１と、複数の支柱部材４２と、複数の駆動部４３とを備える。支持板４１は、第２容器１２とベースプレート１４との間に配置される平板である。支柱部材４２は、先端側において支持板４１に接続され、他端側において駆動部４３に接続される。駆動部４３は、支柱部材４２を鉛直方向に沿って移動させる。駆動部４３は、ベースプレート１４に固定される。
昇降部４０は、複数の駆動部４３を用いて複数の支柱部材４２および支持板４１を上昇させることにより、支持板４１に接続されたシャフト３１およびシャフト３１に接続された第２保持部３０を上昇させる。また、昇降部４０は、複数の支柱部材４２を個別に移動させることによって、第２保持部３０の水平度を調整することができる。
撮像ユニット５０は、第１基板Ｗ１に設けられたアライメントマークおよび第２基板Ｗ２に設けられたアライメントマークを撮像する。ここで、撮像ユニット５０の構成について図５を参照して説明する。図５は、撮像ユニットの構成例を示す図である。
図５に示すように、撮像ユニット５０には、第１撮像部５１と、第２撮像部５２と、第１変位センサ５３と、第２変位センサ５４とが一体的に設けられている。
第１撮像部５１は、第１基板Ｗ１の下面に設けられた第１アライメントマークを撮像する。具体的には、第１撮像部５１は、第１広域用撮像部５１１と、第１局所用撮像部５１２とを含む。第１広域用撮像部５１１は、第１広域用対物レンズ５１３と、第１広域用対物レンズ５１３の高さ位置を調整する第１広域用フォーカス部５１４とを備える。また、第１局所用撮像部５１２は、第１局所用対物レンズ５１５と、第１局所用対物レンズ５１５の高さ位置を調整する第１局所用フォーカス部５１６とを備える。第１広域用対物レンズ５１３は、たとえばマクロレンズであり、第１局所用対物レンズ５１５は、第１広域用対物レンズ５１３よりも倍率が高いマイクロレンズである。
第１撮像部５１は、第１広域用撮像部５１１を用いることで、第１基板Ｗ１の下面を比較的広い範囲で撮像することができる。また、第１撮像部５１は、第１局所用撮像部５１２を用いることで、第１基板Ｗ１の下面に設けられた第１アライメントマークを第１広域用撮像部５１１よりも高精細に撮像することができる。また、第１撮像部５１は、第１広域用フォーカス部５１４および第１局所用フォーカス部５１６を用いることで、第１広域用対物レンズ５１３および第１局所用対物レンズ５１５の焦点を第１基板Ｗ１の下面に合わせることができる。
第２撮像部５２は、第２基板Ｗ２の上面に設けられた第２アライメントマークを撮像する。具体的には、第２撮像部５２は、第２広域用撮像部５２１と、第２局所用撮像部５２２とを含む。第２広域用撮像部５２１は、第２広域用対物レンズ５２３と、第２広域用対物レンズ５２３の高さ位置を調整する第２広域用フォーカス部５２４とを備える。また、第２局所用撮像部５２２は、第２局所用対物レンズ５２５と、第２局所用対物レンズ５２５の高さ位置を調整する第２局所用フォーカス部５２６とを備える。第２広域用対物レンズ５２３は、たとえばマクロレンズであり、第２局所用対物レンズ５２５は、第２広域用対物レンズ５２３よりも倍率が高いマイクロレンズである。
第２撮像部５２は、第２広域用撮像部５２１を用いることで、第２基板Ｗ２の上面を比較的広い範囲で撮像することができる。また、第２撮像部５２は、第２局所用撮像部５２２を用いることで、第２基板Ｗ２の上面に設けられた第２アライメントマークを第２広域用撮像部５２１よりも高精細に撮像することができる。また、第２撮像部５２は、第２広域用フォーカス部５２４および第２局所用フォーカス部５２６を用いることで、第２広域用対物レンズ５２３および第２局所用対物レンズ５２５の焦点を第２基板Ｗ２の上面に合わせることができる。
第１広域用撮像部５１１および第１局所用撮像部５１２は、第１広域用対物レンズ５１３および第１局所用対物レンズ５１５を上方に向けた状態で、後述する移動機構６０の取付部６５に取り付けられる。また、第２広域用撮像部５２１および第２局所用撮像部５２２は、後述する移動機構６０の取付部６５に対し、第１広域用撮像部５１１および第１局所用撮像部５１２と上下対称に配置される。すなわち、第２広域用撮像部５２１は、第２広域用対物レンズ５２３を下方に向けた状態で、第１広域用撮像部５１１の下方に配置される。また、第２局所用撮像部５２２は、第２局所用対物レンズ５２５を下方に向けた状態で、第１局所用撮像部５１２の下方に配置される。
撮像ユニット５０は、上記のように構成されており、第１基板Ｗ１に設けられた第１アライメントマークと第２基板Ｗ２に設けられた第２アライメントマークとを第１撮像部５１および第２撮像部５２を用いて同時に撮像することができる。
第１広域用撮像部５１１が有する第１広域用対物レンズ５１３の光軸と、第２広域用撮像部５２１が有する第２広域用対物レンズ５２３の光軸とは、いずれも鉛直方向に延在し、かつ、同一直線上に配置される。これにより、たとえば第１基板Ｗ１上のある座標を中心とする領域を第１広域用撮像部５１１により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第２基板Ｗ２上の領域を第２広域用撮像部５２１により撮像することができる。このため、後述するプリアライメント処理において、第１基板Ｗ１に設けられた第１アライメントマークの位置を第２基板Ｗ２に設けられた第２アライメントマークの位置に合わせ込む処理が容易である。
同様に、第１局所用撮像部５１２が有する第１局所用対物レンズ５１５の光軸と、第２局所用撮像部５２２が有する第２局所用対物レンズ５２５の光軸とは、いずれも鉛直方向に延在し、かつ、同一直線上に配置される。これにより、第１基板Ｗ１上のある座標を中心とする領域を第１局所用撮像部５１２により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第２基板Ｗ２上の領域を第２局所用撮像部５２２により撮像することができる。このため、後述する第１ファインアライメント処理において、第１基板Ｗ１に設けられた第１アライメントマークの位置を第２基板Ｗ２に設けられた第２アライメントマークの位置に合わせ込む処理が容易である。
第１変位センサ５３および第２変位センサ５４は、たとえば、レーザ変位計である。第１変位センサ５３は、第１基板Ｗ１の下面にレーザ光を照射し、その反射光を受光することで、第１基板Ｗ１の下面までの距離を計測する。同様に、第２変位センサ５４は、第２基板Ｗ２の上面にレーザ光を照射し、その反射光を受光することで、第２基板Ｗ２の上面までの距離を計測する。第１変位センサ５３は、第１広域用撮像部５１１と第１局所用撮像部５１２との間に配置され、第２変位センサ５４は、第２広域用撮像部５２１と第２局所用撮像部５２２との間に配置される。
図３および図４に戻り、移動機構６０について説明する。移動機構６０は、第１保持部２０と第２保持部３０との間の平面領域において、撮像ユニット５０をＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って移動させる。
アライメントマークは、基板に対して常に同じ位置に設けられるとは限らず、たとえば基板の外周部に設けられることもあれば、基板のより内側に設けられることもある。実施形態に係る真空接合装置１１０によれば、移動機構６０を用いることで、アライメントマークがどの位置に設けられていても、その位置まで撮像ユニット５０を移動させることができる。
また、移動機構６０は、第１撮像部５１と第２撮像部５２とを一体的に移動させるため、移動に起因する第１撮像部５１および第２撮像部５２間の撮像位置のずれを生じ難くすることができる。
図３および図４に示すように、移動機構６０は、門型の形状を有しており、一対の第１延在部６１，６１、一対の脚部６２，６２、一対の第１駆動部６３，６３、第２延在部６４、取付部６５および第２駆動部６６を備える。
一対の第１延在部６１，６１は、たとえばボールネジおよびリニアガイド等を含んで構成される。一対の第１延在部６１，６１は、ベースプレート１４上に固定されて、Ｘ軸方向に沿って延在する。
一対の第１延在部６１，６１は、チャンバ１０よりも外側かつ開閉機構１３よりも内側に配置される。具体的には、一対の第１延在部６１，６１のうち一方の第１延在部６１は、チャンバ１０のＹ軸負方向側かつ開閉機構１３のＹ軸正方向側に配置され、他方の第１延在部６１は、チャンバ１０のＹ軸正方向側かつ開閉機構１３のＹ軸負方向側に配置される。
一対の脚部６２，６２は、鉛直方向に沿って延在する部材であり、一対の第１延在部６１，６１に接続される。一対の第１駆動部６３，６３は、たとえばモータを含んで構成され、一対の第１延在部６１，６１に沿って一対の脚部６２，６２を移動させる。
第２延在部６４は、たとえばボールネジおよびリニアガイド等を含んで構成される。第２延在部６４は、一対の脚部６２，６２に架け渡され、Ｙ軸方向に沿って延在する。
取付部６５は、第２延在部６４に接続される。取付部６５には、撮像ユニット５０が取り付けられる。第２駆動部６６は、たとえばモータを含んで構成され、第２延在部６４に沿って取付部６５および取付部６５に取り付けられた撮像ユニット５０を移動させる。
かかる移動機構６０によれば、一対の脚部６２，６２をＸ軸方向に沿って移動させることで、撮像ユニット５０を、第１保持部２０と第２保持部３０との間における撮像位置と、チャンバ１０外方における退避位置との間で移動させることができる。また、移動機構６０によれば、一対の脚部６２，６２をＸ軸方向に沿って移動させるとともに、取付部６５をＹ軸方向に沿って移動させることで、第１保持部２０と第２保持部３０との間の平面領域において、撮像ユニット５０を様々な撮像位置に配置させることができる。
図３に示すように、第３撮像部７０は、チャンバ１０における第１容器１１の上部に昇降機構７１を介して固定される。昇降機構７１は、第３撮像部７０の高さ位置を調整する。また、第３撮像部７０は、対物レンズ７２を有する。対物レンズ７２の少なくとも一部は、第１容器１１に形成された貫通孔１１１の内部に配置された状態となっている。
このように、実施形態に係る真空接合装置１１０では、第１容器１１に貫通孔１１１を設けて、かかる貫通孔１１１の内部に第３撮像部７０の対物レンズ７２を配置することとした。これにより、観察対象である透明部材２２，３２上の第１チャックマークおよび第２チャックマークに対物レンズ７２をより近付けることができる。このため、対物レンズ７２の焦点距離が短い場合であっても、対物レンズ７２の焦点を第１チャックマークおよび第２チャックマークに適切に合わせることができる。
第３撮像部７０は、透明部材２２に形成された第１チャックマークを透明部材１１２を介して撮像する。また、第３撮像部７０は、透明部材３２に形成された第２チャックマークを透明部材１１２および透明部材２２を介して撮像する。
光源８０は、光軸を鉛直上方に向けた状態で、チャンバ１０における第２容器１２の下方に配置される。光源８０は、透明部材１２２を介して処理空間内に光を照射する。光源８０から照射される光は、たとえば赤外光である。なお、光源８０から照射される光は、レーザ光であってもよい。
光源８０から透明部材１２２を介して処理空間内に照射された光は、透明部材３２、透明部材２２および透明部材１１２を介して第３撮像部７０の対物レンズ７２に入射する。
＜真空接合装置の具体的動作＞
次に、真空接合装置１１０において実行される一連の処理の手順について図６～図１１を参照して説明する。図６は、真空接合装置１１０において実行される一連の処理の手順の一例を示すフローチャートである。また、図７は広域撮像処理の動作例を示す図であり、図８はプリアライメント処理の動作例を示す図である。また、図９は第１チャックマーク撮像処理の動作例を示す図であり、図１０は第２チャックマーク撮像処理の動作例を示す図であり、図１１は第２ファインアライメント処理の動作例を示す図である。
なお、図６に示す各処理手順は、制御装置２００の記憶部に格納されているプログラムを制御装置２００の制御部が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて制御部が真空接合装置１１０を制御することにより実行される。また、図６には、第１保持部２０に第１基板Ｗ１が保持され、第２保持部３０に第２基板Ｗ２が保持された後の各処理手順を示している。ステップＳ１０１の開始前において、チャンバ１０は開いた状態、すなわち、第１容器１１が上昇した状態となっている。
図６に示すように、真空接合装置１１０では、まず、厚み測定処理が行われる（ステップＳ１０１）。厚み測定処理では、まず、撮像ユニット５０をチャンバ１０外方の退避位置から第１保持部２０と第２保持部３０との間の厚み測定位置まで移動させる。つづいて、撮像ユニット５０から第１基板Ｗ１の下面までの距離を第１変位センサ５３を用いて計測するとともに、撮像ユニット５０から第２基板Ｗ２の上面までの距離を第２変位センサ５４を用いて計測する。第１変位センサ５３および第２変位センサ５４による計測結果は、制御装置２００に出力される。
制御装置２００は、第１変位センサ５３による計測結果と、予め取得しておいた撮像ユニット５０から第１保持部２０の保持面までの距離とを用いて第１基板Ｗ１の厚みを算出する。同様に、制御装置２００は、第２変位センサ５４による計測結果と、予め取得しておいた撮像ユニット５０から第２保持部３０の保持面までの距離とを用いて第２基板Ｗ２の厚みを算出する。
つづいて、真空接合装置１１０では、広域撮像処理が行われる（ステップＳ１０２）。広域撮像処理では、まず、移動機構６０を用いて、たとえば、第２基板Ｗ２の第２アライメントマークＭ２が形成される位置として予め決められた撮像位置に撮像ユニット５０の第２広域用撮像部５２１を移動させる。その後、撮像ユニット５０の第１広域用撮像部５１１を用いて第１基板Ｗ１の第１アライメントマークＭ１を撮像し、第２広域用撮像部５２１を用いて第２基板Ｗ２の第２アライメントマークＭ２を撮像する（図７参照）。第１広域用撮像部５１１および第２広域用撮像部５２１の撮像結果は、制御装置２００に出力される。
つづいて、真空接合装置１１０では、プリアライメント処理が行われる（ステップＳ１０３）。プリアライメント処理では、第１広域用撮像部５１１および第２広域用撮像部５２１の撮像結果に基づき、調整部２１を制御することによって第１保持部２０の水平位置を調整する（図８参照）。
たとえば、第１アライメントマークＭ１は、クロス形状を有し、第２アライメントマークＭ２は、四角形の内部をクロス形状にくり抜いた形状を有する。プリアライメント処理では、調整部２１を用いて第１保持部２０の水平位置を調整することにより、第１アライメントマークＭ１のクロス形状と第２アライメントマークＭ２のクロス形状とを一致させる。なお、ステップＳ１０２およびステップＳ１０３の処理は、たとえば、第１アライメントマークＭ１の位置と第２アライメントマークＭ２の位置とのずれ量が閾値以内となるまで、複数回繰り返されても良い。
つづいて、真空接合装置１１０では、局所撮像処理が行われる（ステップＳ１０４）。局所撮像処理では、まず、移動機構６０を用いて、たとえば、広域撮像処理によって検出された第２アライメントマークＭ２の位置に撮像ユニット５０の第２局所用撮像部５２２を移動させる。その後、第１基板Ｗ１の下面に設けられた第１アライメントマークＭ１を、撮像ユニット５０の第１局所用撮像部５１２を用いて撮像する。また、第２基板Ｗ２の上面に設けられた第２アライメントマークＭ２を、撮像ユニット５０の第２局所用撮像部５２２を用いて撮像する。第１局所用撮像部５１２および第２局所用撮像部５２２の撮像結果は、制御装置２００に出力される。
つづいて、真空接合装置１１０では、第１ファインアライメント処理が行われる（ステップＳ１０５）。第１ファインアライメント処理では、第１局所用撮像部５１２および第２局所用撮像部５２２の撮像結果に基づき、調整部２１を制御することによって第１保持部２０の水平位置をさらに調整する。これにより、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態となる。なお、ステップＳ１０４およびステップＳ１０５の処理は、たとえば、第１アライメントマークＭ１の位置と第２アライメントマークＭ２の位置とのずれ量が閾値以内となるまで、複数回繰り返されても良い。
つづいて、真空接合装置１１０では、第１チャックマーク撮像処理が行われる（ステップＳ１０６）。第１チャックマーク撮像処理では、まず、移動機構６０を用いて、たとえば、透明部材３２に設けられた第２チャックマークＭ４が設けられる位置として予め決められた撮像位置に撮像ユニット５０の第２局所用撮像部５２２を移動させる。その後、撮像ユニット５０の第１局所用撮像部５１２を用いて透明部材２２の第１チャックマークＭ３を撮像し、第２局所用撮像部５２２を用いて透明部材３２の第２チャックマークＭ４を撮像する（図９参照）。第１局所用撮像部５１２および第２局所用撮像部５２２の撮像結果は、制御装置２００に出力され、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態における第１チャックマークＭ３および第２チャックマークＭ４の位置関係を示す情報として記憶部に記憶される。
つづいて、真空接合装置１１０では、退避処理が行われる（ステップＳ１０７）。退避処理では、移動機構６０を用いて、撮像ユニット５０をチャンバ１０外方の退避位置へ移動させる。
つづいて、真空接合装置１１０では、チャンバ閉処理が行われる（ステップＳ１０８）。チャンバ閉処理では、開閉機構１３を用いて第１容器１１を下降させることにより、第１容器１１と第２容器１２に当接させる。これにより、第１容器１１の内部に密閉された処理空間が形成される。チャンバ閉処理に伴い、第１保持部２０に保持された第１基板Ｗ１は、第２保持部３０に保持された第２基板Ｗ２に接触しない程度に接近する。
つづいて、真空接合装置１１０では、減圧処理が行われる（ステップＳ１０９）。減圧処理では、排気装置１７を用いてチャンバ１０の内部を排気することにより、処理空間を減圧する。これにより、真空接合装置１１０のチャンバ１０内は、たとえば０．００５Ｐａ以下の高真空状態となる。
つづいて、真空接合装置１１０では、接近処理が行われる（ステップＳ１１０）。接近処理では、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とのギャップが予め決められた値（たとえば、１００μｍ）となるように、昇降部４０を用いて第２保持部３０を上昇させる。このときの第２保持部３０を上昇させる距離は、ステップＳ１０１における厚み測定処理において測定された第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の厚みに基づいて決定される。
ここで、チャンバ閉処理において、仮に第１容器１１の移動方向が鉛直方向からずれていた場合、第１基板Ｗ１の水平位置がずれることで、第１ファインアライメント処理において第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態が崩れてしまうおそれがある。接近処理において、第２容器１２の移動方向が鉛直方向からずれていた場合も同様である。そこで、真空接合装置１１０では、以下の第２チャックマーク撮像処理および第２ファインアライメント処理が行われる。
まず、真空接合装置１１０では、第２チャックマーク撮像処理が行われる（ステップＳ１１１）。第２チャックマーク撮像処理では、昇降機構７１を用いて第３撮像部７０を移動させることにより、透明部材３２の第２チャックマークＭ４に対物レンズ７２の焦点を合わせる。その後、光源８０から光を照射しつつ、第３撮像部７０により透明部材３２の第２チャックマークＭ４を撮像する（図１０参照）。つづいて、昇降機構７１を用いて第３撮像部７０を移動させることにより、透明部材２２の第１チャックマークＭ３に対物レンズ７２の焦点を合わせる。その後、光源８０から光を照射しつつ、第３撮像部７０により透明部材２２の第１チャックマークＭ３を撮像する。第３撮像部７０による撮像結果は、制御装置２００に出力される。
つづいて、真空接合装置１１０では、第２ファインアライメント処理が行われる（ステップＳ１１２）。第２ファインアライメント処理において、制御装置２００は、第３撮像部７０による撮像結果から、接近処理後における第１チャックマークＭ３および第２チャックマークＭ４の位置関係に関する情報を取得する。そして、制御装置２００は、接近処理後の両チャックマークＭ３，Ｍ４の位置関係が、第１ファインアライメント処理後の両チャックマークＭ３，Ｍ４の位置関係と一致するように、調整部２１を用いて第１保持部２０の水平位置を調整する（図１１参照）。
このように、真空接合装置１１０では、第１保持部２０および第２保持部３０を移動させて第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２を接近させた後、第１チャックマークＭ３および第２チャックマークＭ４に基づいて再度アライメント処理を行うこととした。これにより、仮に、第１保持部２０および第２保持部３０の移動に伴って、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態が崩れたとしても、接合処理を行う前に、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態に戻すことができる。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを精度よく接合することができる。
つづいて、真空接合装置１１０では、接合処理が行われる（ステップＳ１１３）。接合処理では、たとえば、昇降部４０を用いて第２保持部３０をさらに上昇させることにより、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接触させ且つ押圧して、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合する。なお、真空接合装置１１０は、シャフト３１の下方からシャフト３１に突き当たってシャフト３１を上方へ押し上げる加圧機構をさらに備えていてもよい。かかる場合、真空接合装置１１０は、加圧機構を用いて、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とをより大きい力で押圧することができる。
その後、第１保持部２０による第１基板Ｗ１の吸着保持を解除し、チャンバ１０の内部を大気開放した後、開閉機構１３を用いて第１容器１１を上昇させる。その後、第２保持部３０による第２基板Ｗ２の吸着保持を解除し、第２保持部３０に設けられた図示しない複数（たとえば、３つ）の支持ピンを上昇させることで、重合基板Ｔを第２保持部３０から浮かせた状態とする。その後、重合基板Ｔは、搬送装置１０９によって真空接合装置１１０から搬出されて受渡部１０８に受け渡される。
その後、搬送ブロック３の搬送装置１０６が、真空接合ブロック６の受渡部１０８から重合基板Ｔを取り出して受渡ブロック２の受渡部１０４に受け渡す。その後、搬入出ブロック１の搬送装置１０３が、受渡ブロック２の受渡部１０４から重合基板Ｔを取り出してカセット載置板１０１に載置されたカセットＣ３に収容する。これにより、一連の処理が終了する。
＜変形例＞
上述した実施形態では、撮像ユニット５０が門型の移動機構６０に支持される場合の例について説明したが、移動機構６０は、必ずしも門型であることを要しない。たとえば、移動機構６０は、撮像ユニット５０を片持ちする構成であってもよい。すなわち、移動機構６０は、単一の第１延在部６１と、この第１延在部６１に沿って移動可能な単一の脚部６２と、この脚部６２に接続される第２延在部６４とを備える構成であってもよい。また、移動機構６０は、たとえば、Ｙ軸方向に延在するレールと、このレールに沿って移動可能な水平多関節ロボットとを含んで構成されても良い。この場合、撮像ユニット５０は、たとえば、水平多関節ロボットにおけるアームの先端に取り付けられ、水平多関節ロボットによってＸ軸方向に沿って移動可能である。
また、上述した実施形態では、第１保持部２０と第２保持部３０とが鉛直方向において対向配置され、且つ、第１保持部２０の下方に第２保持部３０が配置される場合の例について説明したが、第１保持部２０および第２保持部３０の配置関係は、本例に限定されない。
また、上述した実施形態では、第３撮像部７０が透過型の撮像部である場合の例について説明したが、第３撮像部７０は、反射型の撮像部であってもよい。第３撮像部７０として反射型の撮像部を用いた場合、第２容器１２の貫通孔１２１、透明部材１２２および光源８０が不要となるため、真空接合装置１１０の構成を簡略化することができる。
上述してきたように、実施形態に係る接合装置（一例として、真空接合装置１１０）は、第１保持部２０と、第２保持部３０と、撮像ユニット５０と、移動機構６０とを備える。第１保持部２０は、第１基板Ｗ１を保持する。第２保持部３０は、第１保持部２０と対向配置され、第１基板Ｗ１に接合される第２基板Ｗ２を保持する。撮像ユニット５０は、第１基板Ｗ１の第２基板Ｗ２との対向面に形成された第１アライメントマークＭ１を撮像する第１撮像部５１、および、第２基板Ｗ２の第１基板Ｗ１との対向面に形成された第２アライメントマークＭ２を撮像する第２撮像部５２を含む。移動機構６０は、第１保持部２０と第２保持部３０との間の平面領域内において、撮像ユニット５０を第１方向（一例として、Ｘ軸方向）および第１方向と交差する第２方向（一例として、Ｙ軸方向）に沿って移動させる。
アライメントマークは、基板に対して常に同じ位置に設けられるとは限らず、たとえば基板の外周部に設けられることもあれば、基板のより内側に設けられることもある。実施形態に係る接合装置によれば、移動機構６０を用いることで、アライメントマークがどの位置に設けられていても、その位置まで撮像ユニット５０を移動させることができる。また、移動機構６０は、第１撮像部５１と第２撮像部５２とを一体的に移動させるため、移動に起因する第１撮像部５１および第２撮像部５２間の撮像位置のずれを生じ難くすることができる。これらにより、アライメント処理の精度を高めることができることから、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２間の位置ずれを抑制することができる。
また、撮像ユニット５０は、第１撮像部５１が有する対物レンズ（一例として、第１広域用対物レンズ５１３、第１局所用対物レンズ５１５）の光軸と、第２撮像部５２が有する対物レンズ（一例として、第２広域用対物レンズ５２３、第２局所用対物レンズ５２５）の光軸とが同一直線上に配置されてもよい。
これにより、たとえば、第１基板Ｗ１上のある座標を中心とする領域を第１撮像部５１により撮像したときに、その座標と同じ座標を中心とする第２基板Ｗ２上の領域を第２撮像部５２により撮像することができる。したがって、たとえば、アライメント処理において、第１基板Ｗ１に設けられた第１アライメントマークＭ１の位置を第２基板Ｗ２に設けられた第２アライメントマークＭ２の位置に合わせ込む処理を容易化することができる。
また、第１撮像部５１は、第１対物レンズ（一例として、第１広域用対物レンズ５１３）と、第１対物レンズよりも倍率が高い第２対物レンズ（一例として、第１局所用対物レンズ５１５）とを備えていてもよい。また、第２撮像部５２は、第３対物レンズ（一例として、第２広域用対物レンズ５２３）と、第３対物レンズよりも倍率が高い第４対物レンズ（一例として、第２局所用対物レンズ５２５）とを備えていてもよい。この場合、撮像ユニット５０は、第１対物レンズの光軸と第３対物レンズの光軸とが同一直線上に配置され、且つ、第２対物レンズの光軸と第４対物レンズの光軸とが同一直線上に配置されてもよい。
これにより、たとえば、プリアライメント処理およびファインアライメント処理において、第１基板Ｗ１に設けられた第１アライメントマークＭ１の位置を第２基板Ｗ２に設けられた第２アライメントマークＭ２の位置に合わせ込む処理を容易化することができる。
また、移動機構６０は、第１延在部６１と、脚部６２と、第１駆動部６３と、第２延在部６４と、第２駆動部６６とを備えていてもよい。第１延在部６１は、第１方向および第２方向のうちの一方（一例として、Ｘ軸方向）に沿って延在する。脚部６２は、第１延在部６１に接続される。第１駆動部６３は、第１延在部６１に沿って脚部６２を移動させる。第２延在部６４は、脚部６２に接続され、第１方向および前記第２方向のうちの他方（一例として、Ｙ軸方向）に沿って延在する。第２駆動部６６は、第２延在部６４に沿って撮像ユニット５０を移動させる。
これにより、第１保持部２０と第２保持部３０との間の平面領域内において、撮像ユニット５０を第１方向および第１方向と交差する第２方向に沿って移動させることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、チャンバ１０をさらに備えていてもよい。チャンバ１０は、第２保持部３０と対向する側が開放され、第１保持部２０を収容する第１容器１１と、第１保持部２０と対向する側が開放され、第２保持部３０を収容する第２容器１２と、第１容器１１を移動させる開閉機構１３とを備え、開閉機構１３により第１容器１１を移動させて第２容器１２と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成する。この場合、移動機構６０は、第１容器１１と第２容器１２とが離れた状態において、撮像ユニット５０を、第１保持部２０と第２保持部３０との間における撮像位置と、チャンバ１０の外方における退避位置との間で移動させる。
これにより、第１保持部２０と第２保持部３０との間に撮像ユニット５０を配置させて、第１アライメントマークＭ１および第２アライメントマークＭ２を撮像することができる。また、チャンバ１０内に処理空間を形成する際には、撮像ユニット５０をチャンバ１０外に退避させることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、第１透明部材（一例として、透明部材２２）と、第２透明部材（一例として、透明部材３２）と、第３透明部材（一例として、透明部材１１２）と、第３撮像部７０とをさらに備えていてもよい。第１透明部材は、第１保持部２０の外周部に設けられ、第３アライメントマーク（一例として、第１チャックマークＭ３）が形成される。第２透明部材は、第２保持部３０の外周部において、第１透明部材と対向する位置に設けられ、第４アライメントマーク（一例として、第２チャックマークＭ４）が形成される。第３透明部材は、第１容器１１における第１透明部材と対向する位置に設けられる。第３撮像部７０は、第１透明部材に形成された第３アライメントマークをチャンバ１０の外部から第３透明部材を介して撮像し、第２透明部材に形成された第４アライメントマークをチャンバ１０の外部から第３透明部材および第２透明部材を介して撮像する。
これにより、チャンバ１０を閉じた後においても、チャンバ１０の内部に配置される第３アライメントマークおよび第４アライメントマークをチャンバ１０の外部から第３撮像部７０を用いて撮像することができる。
また、第１容器１１は、処理空間の内部と外部とを連通する貫通孔１１１を有し、第３透明部材は、貫通孔１１１の内部において処理空間側に寄せて配置されてもよい。また、この場合、第３撮像部７０が有する対物レンズ７２は、少なくとも一部が貫通孔１１１の内部に配置されてもよい。
これにより、観察対象である第３アライメントマークおよび第４アライメントマークに対して第３撮像部７０の対物レンズ７２をより近付けることができる。このため、対物レンズ７２の焦点距離が短い場合であっても、対物レンズ７２の焦点を第３アライメントマークおよび第４アライメントマークに適切に合わせることができる。
また、実施形態に係る接合装置は、調整部２１と、制御部（一例として、制御装置２００）とを備えていてもよい。調整部２１は、第１保持部２０の水平位置を調整する。制御部は、撮像ユニット５０、移動機構６０、開閉機構１３、第３撮像部７０および調整部２１を制御する。また、制御部は、第１撮像処理（一例として、局所撮像処理）と、第１アライメント処理（一例として、第１ファインアライメント処理）と、第２撮像処理（一例として、第１チャックマーク撮像処理）と、チャンバ閉処理と、第３撮像処理（一例として、第２チャックマーク撮像処理）と、第２アライメント処理（一例として、第２ファインアライメント処理）とを実行する。第１撮像処理は、撮像ユニット５０を第１保持部２０と第２保持部３０との間の撮像位置に配置させて、第１アライメントマークＭ１および第２アライメントマークＭ２を撮像する。第１アライメント処理は、第１撮像処理の結果に基づき、調整部２１を用いて第１保持部２０の水平位置を調整する。第２撮像処理は、第１アライメント処理後、撮像ユニット５０を第１透明部材と第２透明部材との間の撮像位置に配置させて、第３アライメントマークおよび第４アライメントマークを撮像する。チャンバ閉処理は、第２撮像処理後、第１容器１１を移動させて第２容器１２と当接させることによってチャンバ１０の内部に処理空間を形成する。第３撮像処理は、チャンバ閉処理後、第３撮像部７０を用いて第３アライメントマークおよび第４アライメントマークを撮像する。第２アライメント処理は、第３撮像処理後、第２撮像処理の結果と第３撮像処理の結果とに基づき、調整部２１を用いて第１保持部２０の水平位置を調整する。
これにより、仮に、第１アライメント処理によって第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが位置決めされた状態が、その後のチャンバ閉処理によって崩されたとしても、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２が位置決めされた状態に戻すことができる。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを精度よく接合することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｍ１ 第１アライメントマーク
Ｍ２ 第２アライメントマーク
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板
Ｔ 重合基板
６ 真空接合ブロック
２０ 第１保持部
３０ 第２保持部
５０ 撮像ユニット
５１ 第１撮像部
５２ 第２撮像部
６０ 移動機構
１１０ 真空接合装置

Claims (9)

  1. 第１基板を保持する第１保持部と、
    前記第１保持部と対向配置され、前記第１基板に接合される第２基板を保持する第２保持部と、
    前記第１基板の前記第２基板との対向面に形成された第１アライメントマークを撮像する第１撮像部、および、前記第２基板の前記第１基板との対向面に形成された第２アライメントマークを撮像する第２撮像部を含む撮像ユニットと、
    前記第１保持部と前記第２保持部との間の平面領域内において、前記撮像ユニットを第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に沿って移動させる移動機構と
    を備え、
    前記第１撮像部は、
    第１対物レンズと、
    前記第１対物レンズよりも倍率が高い第２対物レンズと
    を備え、
    前記第２撮像部は、
    第３対物レンズと、
    前記第３対物レンズよりも倍率が高い第４対物レンズと
    を備え、
    前記撮像ユニットは、
    前記第１対物レンズの光軸と前記第３対物レンズの光軸とが同一直線上に配置され、且つ、前記第２対物レンズの光軸と前記第４対物レンズの光軸とが同一直線上に配置される、接合装置。
  2. 前記移動機構は、
    前記第１方向および前記第２方向のうちの一方に沿って延在する第１延在部と、
    前記第１延在部に接続される脚部と、
    前記第１延在部に沿って前記脚部を移動させる第１駆動部と、
    前記脚部に接続され、前記第１方向および前記第２方向のうちの他方に沿って延在する第２延在部と、
    前記第２延在部に沿って前記撮像ユニットを移動させる第２駆動部と
    を備える、請求項１に記載の接合装置。
  3. 前記第２保持部と対向する側が開放され、前記第１保持部を収容する第１容器と、前記第１保持部と対向する側が開放され、前記第２保持部を収容する第２容器と、前記第１容器を移動させる開閉機構とを備え、前記開閉機構により前記第１容器を移動させて前記第２容器と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成するチャンバ
    を備え、
    前記移動機構は、
    前記第１容器と前記第２容器とが離れた状態において、前記撮像ユニットを、前記第１保持部と前記第２保持部との間における撮像位置と、前記チャンバの外方における退避位置との間で移動させる、請求項１または２に記載の接合装置。
  4. 前記第１保持部の外周部に設けられ、第３アライメントマークが形成された第１透明部材と、
    前記第２保持部の外周部において、前記第１透明部材と対向する位置に設けられ、第４アライメントマークが形成された第２透明部材と、
    前記第１容器における前記第１透明部材と対向する位置に設けられた第３透明部材と、
    前記第１透明部材に形成された前記第３アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第３透明部材を介して撮像し、前記第２透明部材に形成された前記第４アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第３透明部材および前記第２透明部材を介して撮像する第３撮像部と
    を備える、請求項３に記載の接合装置。
  5. 前記第１容器は、
    前記処理空間の内部と外部とを連通する貫通孔を有し、
    前記第３透明部材は、
    前記貫通孔の内部において前記処理空間側に寄せて配置され、
    前記第３撮像部が有する対物レンズは、
    少なくとも一部が前記貫通孔の内部に配置される、請求項４に記載の接合装置。
  6. 前記第１保持部の水平位置を調整する調整部と、
    前記撮像ユニット、前記移動機構、前記開閉機構、前記第３撮像部および前記調整部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記撮像ユニットを前記第１保持部と前記第２保持部との間の撮像位置に配置させて、前記第１アライメントマークおよび前記第２アライメントマークを撮像する第１撮像処理と、前記第１撮像処理の結果に基づき、前記調整部を用いて前記第１保持部の水平位置を調整する第１アライメント処理と、前記第１アライメント処理後、前記撮像ユニットを前記第１透明部材と前記第２透明部材との間の撮像位置に配置させて、前記第３アライメントマークおよび前記第４アライメントマークを撮像する第２撮像処理と、前記第２撮像処理後、前記第１容器を移動させて前記第２容器と当接させることによって前記チャンバの内部に前記処理空間を形成するチャンバ閉処理と、前記チャンバ閉処理後、前記第３撮像部を用いて前記第３アライメントマークおよび前記第４アライメントマークを撮像する第３撮像処理と、前記第３撮像処理後、前記第２撮像処理の結果と前記第３撮像処理の結果とに基づき、前記調整部を用いて前記第１保持部の水平位置を調整する第２アライメント処理とを実行する、請求項４または５に記載の接合装置。
  7. 第１基板を保持する第１保持部と、
    前記第１保持部と対向配置され、前記第１基板に接合される第２基板を保持する第２保持部と、
    前記第１基板の前記第２基板との対向面に形成された第１アライメントマークを撮像する第１撮像部、および、前記第２基板の前記第１基板との対向面に形成された第２アライメントマークを撮像する第２撮像部を含む撮像ユニットと、
    前記第１保持部と前記第２保持部との間の平面領域内において、前記撮像ユニットを第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に沿って移動させる移動機構と、
    前記第２保持部と対向する側が開放され、前記第１保持部を収容する第１容器と、前記第１保持部と対向する側が開放され、前記第２保持部を収容する第２容器と、前記第１容器を移動させる開閉機構とを備え、前記開閉機構により前記第１容器を移動させて前記第２容器と当接させることによって、密閉された処理空間を内部に形成するチャンバと、
    前記第１保持部の外周部に設けられ、第３アライメントマークが形成された第１透明部材と、
    前記第２保持部の外周部において、前記第１透明部材と対向する位置に設けられ、第４アライメントマークが形成された第２透明部材と、
    前記第１容器における前記第１透明部材と対向する位置に設けられた第３透明部材と、
    前記第１透明部材に形成された前記第３アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第３透明部材を介して撮像し、前記第２透明部材に形成された前記第４アライメントマークを前記チャンバの外部から前記第３透明部材および前記第２透明部材を介して撮像する第３撮像部と
    を備え、
    前記移動機構は、
    前記第１容器と前記第２容器とが離れた状態において、前記撮像ユニットを、前記第１保持部と前記第２保持部との間における撮像位置と、前記チャンバの外方における退避位置との間で移動させ、
    前記第１容器は、
    前記処理空間の内部と外部とを連通する貫通孔を有し、
    前記第３透明部材は、
    前記貫通孔の内部において前記処理空間側に寄せて配置され、
    前記第３撮像部が有する対物レンズは、
    少なくとも一部が前記貫通孔の内部に配置される、接合装置。
  8. 前記第１保持部の水平位置を調整する調整部と、
    前記撮像ユニット、前記移動機構、前記開閉機構、前記第３撮像部および前記調整部を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記撮像ユニットを前記第１保持部と前記第２保持部との間の撮像位置に配置させて、前記第１アライメントマークおよび前記第２アライメントマークを撮像する第１撮像処理と、前記第１撮像処理の結果に基づき、前記調整部を用いて前記第１保持部の水平位置を調整する第１アライメント処理と、前記第１アライメント処理後、前記撮像ユニットを前記第１透明部材と前記第２透明部材との間の撮像位置に配置させて、前記第３アライメントマークおよび前記第４アライメントマークを撮像する第２撮像処理と、前記第２撮像処理後、前記第１容器を移動させて前記第２容器と当接させることによって前記チャンバの内部に前記処理空間を形成するチャンバ閉処理と、前記チャンバ閉処理後、前記第３撮像部を用いて前記第３アライメントマークおよび前記第４アライメントマークを撮像する第３撮像処理と、前記第３撮像処理後、前記第２撮像処理の結果と前記第３撮像処理の結果とに基づき、前記調整部を用いて前記第１保持部の水平位置を調整する第２アライメント処理とを実行する、請求項７に記載の接合装置。
  9. 第１基板と第２基板とを接合する接合方法であって、
    前記第１基板を第１保持部に保持させる第１保持工程と、
    前記第１保持部と対向配置される第２保持部に前記第２基板を保持させる第２保持工程と、
    前記第１基板の前記第２基板との対向面に形成された第１アライメントマークを撮像する第１撮像部であって、第１対物レンズと、前記第１対物レンズよりも倍率が高い第２対物レンズとを備えた前記第１撮像部、および、前記第２基板の前記第１基板との対向面に形成された第２アライメントマークを撮像する第２撮像部であって、光軸が前記第１対物レンズの光軸と同一直線上に配置された第３対物レンズと、前記第３対物レンズよりも倍率が高く、光軸が前記第２対物レンズの光軸と同一直線上に配置された第４対物レンズとを備えた前記第２撮像部を含む撮像ユニットを、前記第１保持部と前記第２保持部との間の平面領域内において第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に沿って移動させる移動機構を用いて、前記撮像ユニットを移動させる移動工程と、
    前記撮像ユニットを用いて、前記第１アライメントマークおよび前記第２アライメントマークを撮像する撮像工程と
    を含む、接合方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220277979A1 (en) * 2019-05-08 2022-09-01 Tokyo Electron Limited Bonding apparatus, bonding system, and bonding method
TW202111721A (zh) * 2019-05-22 2021-03-16 加拿大商弗瑞爾公司 用於傳送設置之對準方法
JP7333710B2 (ja) * 2019-05-28 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合方法
KR20210023298A (ko) * 2019-08-22 2021-03-04 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
CN115039199A (zh) * 2020-01-28 2022-09-09 东京毅力科创株式会社 接合装置和接合方法
JP7394638B2 (ja) * 2020-01-28 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 研削装置、及び研削方法
KR102420993B1 (ko) * 2020-06-30 2022-07-15 참엔지니어링(주) 리페어 장치
KR20220008514A (ko) 2020-07-14 2022-01-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 웨이퍼 본딩 방법
US20220157633A1 (en) * 2020-11-17 2022-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer bonding apparatus
KR102472252B1 (ko) * 2020-12-28 2022-11-30 주식회사 테스 기판접합장치의 예비정렬장치 및 예비정렬방법
KR102428484B1 (ko) * 2020-12-30 2022-08-02 주식회사 테스 기판접합장치 및 기판접합방법
WO2022210857A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 ボンドテック株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
CN114373686B (zh) * 2022-03-21 2022-06-14 北京芯士联半导体科技有限公司 基板的接合方法
CN116759360B (zh) * 2023-08-18 2023-10-20 苏州芯慧联半导体科技有限公司 一种晶圆对准装置及镜头误差校准方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294800A (ja) 2003-12-02 2005-10-20 Bondotekku:Kk 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
JP2013102117A (ja) 2011-10-21 2013-05-23 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び該貼り合わせ装置を用いた貼り合わせ位置調整方法
JP2017118000A (ja) 2015-12-25 2017-06-29 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3719965B2 (ja) * 2001-08-29 2005-11-24 住友重機械工業株式会社 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JP3938539B2 (ja) * 2002-10-28 2007-06-27 芝浦メカトロニクス株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法
CN101779270B (zh) * 2007-08-10 2013-06-12 株式会社尼康 基板贴合装置及基板贴合方法
KR100898146B1 (ko) * 2007-09-28 2009-05-19 주식회사 디엠에스 기판에 식각 영역을 만들기 위한 장치
JP2010067705A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Adwelds:Kk アライメント方法およびアライメント装置
JP5376379B2 (ja) * 2010-08-30 2013-12-25 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材
KR20140041720A (ko) * 2011-07-15 2014-04-04 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 투광성 경질 기판 적층체의 제조 방법 및 투광성 경질 기판 접합 장치
JP5593299B2 (ja) * 2011-11-25 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6200224B2 (ja) * 2012-09-13 2017-09-20 日本メクトロン株式会社 フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法
JP2014089360A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Adtec Engineeng Co Ltd フィルムマスク修正装置
JP6104700B2 (ja) * 2013-05-16 2017-03-29 東京エレクトロン株式会社 接合方法、接合装置および接合システム
JP2015078852A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 株式会社ディスコ アライメント方法
US20160001543A1 (en) * 2014-07-07 2016-01-07 Tokyo Electron Limited Bonding device, bonding system, and bonding method
JP6353374B2 (ja) * 2015-01-16 2018-07-04 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6345605B2 (ja) 2015-01-16 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6562828B2 (ja) * 2015-12-11 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 検査装置、接合装置、接合システムおよび検査方法
JP6390925B2 (ja) * 2016-05-11 2018-09-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 部品実装装置
KR101882395B1 (ko) * 2016-11-16 2018-07-26 주식회사 엠에스텍 기판 위치정렬 방법 및 그 방법을 사용하는 합착기
US10872873B2 (en) * 2017-11-14 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for bonding wafers and bonding tool

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294800A (ja) 2003-12-02 2005-10-20 Bondotekku:Kk 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
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