JP6933188B2 - 封止用樹脂組成物層、支持体付き樹脂シート、封止用樹脂硬化層、半導体パッケージ及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[1]無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂組成物層であって、
第1の主面と第2の主面とを有し、
第1の主面に垂直な断面において、第1の主面からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、第1の主面からの距離が3μmから6μmまでの第2領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A2とが、A1/A2>1.2の関係を満たす、樹脂組成物層。
[2]無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂組成物層であって、
第1の主面と第2の主面とを有し、
第1の主面に垂直な断面において、第1の主面からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、第1の主面からの距離が3μmからDμmまでの第3領域(ここで、Dは樹脂組成物層の厚さ(μm)である。)における単位面積当たりの樹脂成分の面積A3とが、A1/A3>1.2の関係を満たす、樹脂組成物層。
[3]第1の主面が、被着体に接合される、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物層。
[4]無機充填材の平均粒径が2.5μm以上である、[1]〜[3]の何れかに記載の樹脂組成物層。
[5]無機充填材が、シリカ及びアルミナから選択される、[1]〜[4]の何れかに記載の樹脂組成物層。
[6]被着体が、電子部品又は配線板である、[1]〜[5]の何れかに記載の樹脂組成物層。
[7]第2の主面が、支持体と接合している、[1]〜[6]の何れかに記載の樹脂組成物層。
[8]電子部品を封止するための、[1]〜[7]の何れかに記載の樹脂組成物層。
[9][1]〜[8]の何れかに記載の樹脂組成物層と、該樹脂組成物層の第2の主面と接合している支持体とを含む、支持体付き樹脂シート。
[10]無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂硬化層であって、
被着体表面に垂直な樹脂硬化層の断面において、被着体と樹脂硬化層の境界からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、前記境界からの距離が3μmから6μmまでの第2領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A2とが、A1/A2>1.2の関係を満たす、樹脂硬化層。
[11][1]〜[8]の何れかに記載の樹脂組成物層の硬化物又は[10]に記載の樹脂硬化層を含む、半導体パッケージ。
[12][1]〜[8]の何れかに記載の樹脂組成物層の硬化物又は[10]に記載の樹脂硬化層を含む、半導体装置。
本発明の封止用樹脂組成物層(以下、単に「樹脂組成物層」ともいう。)は、被着体に接合することとなる表面近傍の領域において無機充填材と樹脂成分との量比(無機充填材/樹脂成分)に勾配(すなわち、樹脂組成物層の表面から深さ方向に向かって一定値以上の正の勾配)を有することを特徴とする。
A1/A2比の上限は特に限定されないが、通常、20以下であり、好ましくは15以下、より好ましくは10以下、さらに好ましくは5以下である。
A1/A3比の上限は特に限定されないが、通常、20以下であり、好ましくは15以下、より好ましくは10以下、さらに好ましくは5以下である。
好適な実施形態において、本発明の封止用樹脂組成物層は、第1の主面からの距離が6μmからdμmまでの領域における樹脂面積A6-dと、深さdμmからDμmまでの領域における樹脂面積Ad-Dとが、0.9≦kA6-d/Ad-D≦1.2(ここで、kはk=|d−D|/|6−d|を満たす係数であり、dは6<d<Dを満たす数であり、Dは樹脂組成物層の厚さ(μm)である。)を満たす。これは、本発明の封止用樹脂組成物層が、第1の主面からの距離が6μm以上の領域において均一な組成を有することを表す。
より好適な実施形態において、本発明の封止用樹脂組成物層は、第1の主面に垂直な断面において、第1の主面からの距離が3μmからdμmまでの領域における樹脂面積A3-dと、深さdμmからDμmまでの領域における樹脂面積Ad-Dとが、0.9≦kA3-d/Ad-D≦1.2(ここで、kはk=|d−D|/|3−d|を満たす係数であり、dは3<d<Dを満たす数であり、Dは樹脂組成物層の厚さ(μm)である。)を満たす。これは、本発明の封止用樹脂組成物層が、第1の主面からの距離が3μm以上の領域、すなわち第3領域において均一な組成を有することを表す。
算術平均粗さ(Ra)は、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「WYKO NT3300」が挙げられる。
なお、樹脂面積の比を測定するにあたって、封止用樹脂組成物層の第1の主面に凹凸が存在する場合、該樹脂組成物層(断面試料)の厚さ方向における凹凸の中心線(中心線から下の谷の部分の面積の和をS1、中心線から上の山の部分の面積の和をS2としたとき、S1=S2になるような近似直線)を「第1の主面」の基準位置として扱う。
本発明の封止用樹脂組成物層は、無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物から構成される。
無機充填材の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、シリカ又はアルミナが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。ビスフェノール型エポキシ樹脂は、ビスフェノール構造を有するエポキシ樹脂を指し、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂が挙げられる。ビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂を指し、ここでビフェニル構造はアルキル基、アルコキシ基、アリール基等の置換基を有していてもよい。したがって、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂もビフェニル型エポキシ樹脂に含まれる。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、過酸化物系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、過酸化物系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、0.01〜3質量%の範囲が好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。難燃剤を使用する場合、樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、0.5〜20質量%の範囲が好ましく、0.5質量%〜15質量%の範囲がより好ましく、0.5〜10質量%の範囲がさらに好ましい。
有機充填材としては、電子部品を封止するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられ、ゴム粒子が好ましい。
合成樹脂は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリ(メタ)アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される1種または2種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、及びポリカーボネート構造から選択される1以上の構造を有することがより好ましい。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。合成樹脂は、上述の熱可塑性樹脂とは区別される樹脂である。
斯かるポリブタジエン構造を含有する樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(酸無水物基含有ポリブタジエン)、日本曹達社製の「GQ−1000」(水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン)、「G−1000」、「G−2000」、「G−3000」(両末端水酸基ポリブタジエン)、「GI−1000」、「GI−2000」、「GI−3000」(両末端水酸基水素化ポリブタジエン)、ナガセケムテックス社製の「FCA−061L」(水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂)等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド(特開2006−37083号公報、国際公開第2008/153208号に記載のポリイミド)等が挙げられる。該ポリイミドのブタジエン構造の含有率は、好ましくは60質量%〜95質量%、より好ましくは75質量%〜85質量%である。該ポリイミドの詳細は、特開2006−37083号公報、国際公開第2008/153208号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
ポリ(メタ)アクリレート構造を含有する樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ME−2000」、「W−116.3」、「W−197C」、「KG−25」、「KG−3000」等が挙げられる。
ポリカーボネート構造を含有する樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「T6002」、「T6001」(ポリカーボネートジオール)、クラレ社製の「C−1090」、「C−2090」、「C−3090」(ポリカーボネートジオール)等が挙げられる。また、合成樹脂として、ヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び多塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミドのカーボネート構造の含有率は、好ましくは60質量%〜95質量%、より好ましくは75質量%〜85質量%である。該ポリイミドの詳細は、国際公開第2016/129541号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
一実施形態において、本発明の封止用樹脂組成物層の製造方法は、
(A)無機充填材及び熱硬化性樹脂を含む樹脂ワニスを準備する工程、
(B)支持体上に樹脂ワニスを塗布する工程、及び
(C)樹脂ワニスを乾燥して封止用樹脂組成物層を形成する工程、
を含む。
工程(A)において、無機充填材及び熱硬化性樹脂を含む樹脂ワニスを準備する。樹脂ワニスは、有機溶剤に上述の樹脂組成物を溶解させて調製することができる。
樹脂ワニスの粘度は、例えば、回転式(E型)粘度計を用いて測定することができる。該回転式(E型)粘度計としては、例えば、東機産業(株)「RE−80U」が挙げられる。
工程(B)において、支持体上に樹脂ワニスを塗布する。樹脂ワニスの塗布は、ダイコーター等の従来公知の塗布装置を使用して実施すればよい。
工程(C)において、樹脂ワニスを乾燥して封止用樹脂組成物層を形成する。
本発明の支持体付き樹脂シートは、本発明の封止用樹脂組成物層と、該樹脂組成物層の第2の主面と接合している支持体とを含む。封止用樹脂組成物層及び支持体の詳細は、先述のとおりである。
本発明の封止用樹脂硬化層は、無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含み、被着体表面に垂直な樹脂硬化層の断面において、被着体と樹脂硬化層の境界からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、前記境界からの距離が3μmから6μmまでの第2領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A2とが、A1/A2>1.2の関係を満たすことを特徴とする。
(1)封止用樹脂組成物層の第1の主面が被着体に接合するように、封止用樹脂組成物層を被着体に積層する工程
(2)封止用樹脂組成物層を熱硬化させて封止用樹脂硬化層を形成する工程
本発明の半導体パッケージは、配線板と、該配線板に実装された半導体チップと、該半導体チップを封止する封止材とを含む。本発明の半導体パッケージでは、封止材が、本発明の封止用樹脂組成物層の硬化物(あるいは本発明の封止用樹脂硬化層)から形成されており、配線板や半導体チップとの接合界面近傍の領域において組成勾配を有することを特徴とする。組成勾配の詳細は、先述のとおりである。ここで、本発明の半導体パッケージを構成する配線板、半導体チップの構造・種類は特に限定されず、半導体パッケージを形成するに際して通常使用される任意の配線板(再配線層を含む)、半導体チップを使用してよい。
本発明の部品内蔵配線板は、キャビティを有する配線板と、該配線板のキャビティに収容された電子部品と、該電子部品を埋め込む(封止する)ように形成された絶縁層とを含む。本発明の部品内蔵配線板では、電子部品を埋め込むように形成された絶縁層が、本発明の封止用樹脂組成物層の硬化物(あるいは本発明の封止用樹脂硬化層)から形成されており、配線板や電子部品との接合界面近傍の領域において組成勾配を有することを特徴とする。組成勾配の詳細は、先述のとおりである。ここで、本発明の部品内蔵配線板を構成する配線板、電子部品の構造・種類は特に限定されず、部品内蔵配線板を形成するに際して通常使用される任意の配線板、電子部品を使用してよい。
本発明の半導体装置は、本発明の封止用樹脂組成物層の硬化物(あるいは本発明の封止用樹脂硬化層)を含む。本発明の半導体装置は、例えば、本発明の半導体パッケージ、又は、本発明の部品内蔵配線板をはじめとするプリント配線板を用いて製造することができる。
(1)断面試料の作製
樹脂組成物層の第1の主面をシリコンウエハと接合させた後、第1の主面に垂直な断面が露出するように断面出しを行い、断面試料を作製した。詳細を以下に示す。
はじめに実施例及び比較例で作製した支持体付き樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層の第1の主面が12インチシリコンウエハと接合するように、12インチシリコンウエハに積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。積層後、支持体を剥離した。
次いで、イオンミリング装置((株)日立ハイテクノロジーズ製「IM4000」)を用いて、樹脂組成物層を処理し、第1の主面に垂直な断面が露出するように断面出しを行い、断面試料を作製した。
(2)樹脂面積比の算出
走査型電子顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクロジーズ(株)製「SMI3050SE」)を用いて断面試料を観察し、第1の主面に垂直な断面に係る樹脂組成物層のSEM像を得た。得られたSEM像について、第1の主面からの距離、すなわち、シリコンウエハ−樹脂組成物層の境界から樹脂組成物層の深さ方向への距離がd1(μm)からd2(μm)までの領域の樹脂面積Ad1−d2と、前記境界からの距離がd2(μm)からd3(μm)までの領域の樹脂面積Ad2−d3を測定した。そして、得られたAd1−d2値及びAd2−d3値から樹脂面積比(kAd1−d2/Ad2−d3)を算出した。
具体的には、樹脂面積はSEM像を画像として保存し、画像解析ソフト(アメリカ国立衛生研究所製「ImageJ」)を使用して、樹脂成分部分と、無機充填材部分を2値化し、樹脂成分部分のピクセル数を樹脂面積とした。樹脂面積比A1/A2の測定においては、d1=0μm、d2=3μm、d3=6μm、k=1であり、測定領域の幅は7.5μmとした。測定は10箇所について実施し、得られた平均値を樹脂面積比とした。
なお、樹脂面積比の測定に際しては、(無機充填材部分のピクセル数)/(断面試料の断面の全ピクセル数)×100の値が、断面試料の無機充填材の体積%値±3の範囲となるように2値化閾値を設定し、条件を校正した。
<反りの評価>
実施例及び比較例で作製した支持体付き樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層の第1の主面が12インチシリコンウエハと接合するように、12インチシリコンウエハ上に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。積層を2回実施し、厚さ300μmの樹脂組成物層を形成した。その後、180℃で90分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させた。これにより、シリコンウエハと樹脂組成物層の硬化物とを含む試料基板を得た。
該試料基板を35℃、260℃、35℃の順で加熱・冷却した際の反り量を、シャドウモアレ測定装置(Akorometrix社製「ThermoireAXP」)を用いて測定した。測定は、電子情報技術産業協会規格のJEITA EDX−7311−24に準拠して行った。具体的には、測定領域の試料基板面の全データについて最小二乗法を用いて求めた仮想平面を基準面として、該基準面から垂直方向の最小値と最大値との差を反り量として求めた。反り量が2mm未満を「○」とし、反り量が2mm以上を「×」と評価した。
実施例及び比較例で作製した支持体付き樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層の第1の主面が12インチシリコンウエハと接合するように、12インチシリコンウエハ上に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着することにより実施した。支持体を剥離した後、オーブン中で180℃、90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた。得られた試料基板の樹脂表面にクロスカット(幅1mmの格子状の切込み)を入れ、樹脂に欠けがあるか確認した。樹脂と下地シリコンウエハの界面に剥がれが無く、クロスカット後に欠けが生じていない場合を「○」、樹脂と下地シリコンウエハの界面に剥がれが無く、クロスカット後に欠けが生じている場合を「△」、樹脂と下地シリコンウエハの界面に剥がれがあり、クロスカット後に欠けが生じている場合を「×」と評価した。
シリカA:平均粒径3.5μm、比表面積4.0m2/g、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理されたもの
シリカB:平均粒径9.5μm、比表面積3.6m2/g、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理されたもの
シリカC:平均粒径2μm、比表面積2.1m2/g、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理されたもの
アルミナA:平均粒径2.5μm、比表面積1.5m2/g、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM573」)で表面処理されたもの
撹拌装置、温度計及びコンデンサーを備えたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを368.41g、ソルベッソ150(芳香族系溶剤、エクソンモービル社製)を368.41g仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを100.1g(0.4モル)とポリカーボネートジオール(数平均分子量:約2000、水酸基当量:1000、不揮発分:100%、クラレ(株)製「C−2015N」)400g(0.2モル)を仕込んで70℃で4時間反応を行った。次いでノニルフェノールノボラック樹脂(水酸基当量229.4g/eq、平均4.27官能、平均計算分子量979.5g/モル)195.9g(0.2モル)とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート41.0g(0.1モル)とを仕込み、2時間かけて150℃に昇温し、12時間反応させた。FT−IRにより2250cm−1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから100メッシュの濾布で濾過して、ポリカーボネート構造を有する樹脂(不揮発成分50質量%)を得た。得られた樹脂(合成樹脂A)の数平均分子量は6100であった。
合成樹脂A 2部、ゴム粒子(ダウケミカルカンパニー製「PARALOID EXL−2655」)2部、ナフタレン型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学(株)製「ESN−475V」)、エポキシ当量約332)3部、液状エポキシ樹脂(新日鉄住金化学(株)製「ZX1059」、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂との1:1混合品(質量比)、エポキシ当量169)6部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量125、不揮発成分60%のMEK溶液)8.3部、シリカA 125部、硬化促進剤(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業(株)製「2P4MZ」)0.1部、メチルエチルケトン(MEK)10部、シクロヘキサノン8部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を調製した。樹脂ワニス1の粘度(25℃)は500mPa・sであった。
(1)シリカA 125部に代えてアルミナA 135部を使用したこと、(2)シクロヘキサノンの配合量を8部から12部に変更したこと以外は、調製例1と同様にして樹脂ワニス2を調製した。樹脂ワニス2の粘度(25℃)は450mPa・sであった。
シリカA 125部に代えてシリカB 125部を使用したこと以外は、調製例1と同様にして樹脂ワニス3を調製した。樹脂ワニスの粘度(25℃)は550mPa・sであった。
トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(DIC(株)製「LA−7054」、水酸基当量125、固形分60%のMEK溶液)8.3部に代えて、シアネートエステル系硬化剤(ロンザジャパン(株)製「BA230S75」、ビスフェノールAジシアネートのプレポリマー、シアネート当量約232、不揮発成分75%のMEK溶液)6.7部を使用した以外は、調製例1と同様にして樹脂ワニス4を調製した。樹脂ワニス4の粘度(25℃)は440mPa・sであった。
(1)シリカA 125部に代えてシリカC 125部を使用したこと、(2)メチルエチルケトンの配合量を10部から15部に変更したこと、(3)シクロヘキサノンの配合量を8部から15部に変更したこと以外は、調製例1と同様にして樹脂ワニス5を調製した。樹脂ワニス5の粘度(25℃)は530mPa・sであった。
シリカAの配合量を125部から70部に変更したこと以外は、調製例1と同様にして樹脂ワニス6を調製した。樹脂ワニス6の粘度(25℃)は500mPa・sであった。
支持体として離型層付きポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック(株)製「PET501010」、厚さ50μm)を用意した。該支持体の離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが150μmとなるように樹脂ワニス1を均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥(乾燥条件A)して、支持体上に樹脂組成物層が形成された支持体付き樹脂シートを作製した。樹脂組成物層の2つの主面のうち、露出している主面(支持体とは反対側の主面)が第1の主面である。
樹脂ワニス1に代えて樹脂ワニス2を使用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
樹脂ワニス1に代えて樹脂ワニス3を使用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
樹脂ワニス1に代えて樹脂ワニス4を使用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
樹脂ワニス1に代えて樹脂ワニス5を使用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
乾燥条件Aに代えて、80〜120℃(平均115℃)で6分間乾燥する乾燥条件Bを採用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
樹脂ワニス1に代えて樹脂ワニス6を使用した以外は、実施例1と同様にして支持体付き樹脂シートを作製した。
Claims (12)
- 無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂組成物層であって、
第1の主面と第2の主面とを有し、
第1の主面に垂直な断面において、第1の主面からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、第1の主面からの距離が3μmから6μmまでの第2領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A2とが、A1/A2>1.2の関係を満たす、樹脂組成物層。 - 無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂組成物層であって、
第1の主面と第2の主面とを有し、
第1の主面に垂直な断面において、第1の主面からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、第1の主面からの距離が3μmからDμmまでの第3領域(ここで、Dは樹脂組成物層の厚さ(μm)である。)における単位面積当たりの樹脂成分の面積A3とが、A1/A3>1.2の関係を満たす、樹脂組成物層。 - 第1の主面が、被着体に接合される、請求項1又は2に記載の樹脂組成物層。
- 無機充填材の平均粒径が2.5μm以上である、請求項1〜3の何れか1項に記載の樹脂組成物層。
- 無機充填材が、シリカ及びアルミナから選択される、請求項1〜4の何れか1項に記載の樹脂組成物層。
- 被着体が、電子部品又は配線板である、請求項1〜5の何れか1項に記載の樹脂組成物層。
- 第2の主面が、支持体と接合している、請求項1〜6の何れか1項に記載の樹脂組成物層。
- 電子部品を封止するための、請求項1〜7の何れか1項に記載の樹脂組成物層。
- 請求項1〜8の何れか1項に記載の樹脂組成物層と、該樹脂組成物層の第2の主面と接合している支持体とを含む、支持体付き樹脂シート。
- 無機充填材含有量が83質量%以上であり且つ熱硬化性樹脂を含む封止用樹脂硬化層であって、
被着体表面に垂直な樹脂硬化層の断面において、被着体と樹脂硬化層の境界からの距離が3μmまでの第1領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A1と、前記境界からの距離が3μmから6μmまでの第2領域における単位面積当たりの樹脂成分の面積A2とが、A1/A2>1.2の関係を満たす、樹脂硬化層。 - 請求項1〜8の何れか1項に記載の樹脂組成物層の硬化物又は請求項10に記載の樹脂硬化層を含む、半導体パッケージ。
- 請求項1〜8の何れか1項に記載の樹脂組成物層の硬化物又は請求項10に記載の樹脂硬化層を含む、半導体装置。
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