JP6902609B2 - 合成ダイヤモンド板 - Google Patents
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Description
本発明は、米国空軍によって認められた契約番号FA8651−14−C−0175において、米国政府の支援によってなされたものである。米国政府は、本発明に特定の権利を有している。
本発明は、合成ダイヤモンド板、そのような板のアレイ、およびそのような板のための取付け構成に関する。
特定の応用例に合成ダイヤモンド板を利用するには、依然としていくつかの問題がある。大面積の板を必要とする応用例に対する主な制限の1つは、合成ダイヤモンド材料の板が特定のサイズまでしか入手可能でないことである。このサイズ制限の結果、大面積にわたってダイヤモンド材料を成長させるために必要とされる極めて高い条件を生成および維持するのは困難になる。現在入手可能な最高品質の合成ダイヤモンド板は、多結晶化学気相成長(CVD)させたダイヤモンド板であり、最大で直径約120mmの円形のウェーハとして製作することができる。そのような大面積のウェーハの円対称性は、合成プロセスで使用されるマイクロ波プラズマ励起による化学気相成長装置の円対称性に由来する。
さらに、ダイヤモンドの化学的不活性は、多くの応用例にとって利点となりうるが、これは、標準的な接着および取付け構造を使用してダイヤモンド構成要素を取付け構成に接合するのが困難な可能性があることを意味する。さらに、たとえば熱レンズ効果を回避するため、ダイヤモンド材料の低い熱膨張係数は有利となりうるが、ダイヤモンド材料の剛性と取付け材料に対する熱膨張不整合が組み合わさると、ダイヤモンド構成要素に熱的に誘起される応力が生じ、潜在的に剥離または破損を招く可能性がある。
上記に照らして、本発明者らは、合成ダイヤモンド板のアレイを提供するための要件について考慮した。これに関して、第1の問題は、前述したように、現在利用可能な大きい高品質の合成ダイヤモンド板は、多結晶CVDダイヤモンド板であり、典型的には円形の形状をしていることである。この円対称性は、合成プロセスで使用されるマイクロ波プラズマ励起による化学気相成長装置の円対称性に由来する。そのような円形の合成ダイヤモンド板のアレイは、円形板同士の間に大きな間隙を含む。
ほとんどの材料にとって、所望の多角形板の幾何形状を選択することは特に問題ではないはずである。しかし、合成ダイヤモンド材料場合、その極めて高い硬度、低い靱性、低い熱膨張係数、また強く確実な接合を提供するのが難しいことから、これは問題となる可能性がある。取り付けられた多角形の合成ダイヤモンド板は、隅部領域で強い応力を受けやすいため、円形以外の幾何形状を有する安定して取り付けられた合成ダイヤモンド板を提供することは特に問題である。この問題は、合成ダイヤモンド板が使用中に板の剥離または破損につながる大きな機械的および熱的応力にさらされた場合、さらに悪化する。
上記に照らして、本発明者らは、(i)特定の応用例は、合成ダイヤモンド板のアレイを使用することで最も役立つはずであり、(ii)典型的な円形の合成ダイヤモンド板は、隣接する板同士の間に大きい間隙をあけなければぎっしり納まらず、したがってより小さい間隙だけを残して密に詰めることができる多角形の合成ダイヤモンド板のアレイが、特定の応用例には好ましく、(iii)多角形の合成ダイヤモンド板の幾何形状は、特に隅部領域で使用中の応力を低減させるように慎重に設計する必要があり、(iv)取付け構成もまた、特に隅部領域で使用中の応力を低減させるように慎重に設計する必要があると判断した。
合成ダイヤモンド材料から形成された多角形の板を含み、
合成ダイヤモンド材料の多角形の板の厚さが、0.4mm〜1.5mmの範囲内であり、
丸い隅部の曲率半径が、1mm〜6mmの範囲内である、合成ダイヤモンド板が提供される。
本発明のこの態様に関して、十分な強度を有しながら、使用中に取り付けられたときの隅部における応力集中が低減される多角形の合成ダイヤモンド板を提供するために、厚さと隅部曲率半径との組合せが重要であることが分かっている。
本発明の第2の態様によれば、本発明の第1の態様による複数の多角形の合成ダイヤモンド板を含むアレイが提供される。多角形状の合成ダイヤモンド板は、円形の板と比べて低減された間隙面積で、密に詰めてアレイを形成することができる。
本発明の第1の態様による多角形の合成ダイヤモンド板と、
多角形の合成ダイヤモンド板が接合されるベースとを含み、
ベースが冷却チャネルを備えている、取り付けられた合成ダイヤモンド板が提供される。
本発明のこの態様に関して、取り付けられた多角形の合成ダイヤモンド板のベース内に冷却チャネルを提供することで、多角形の合成ダイヤモンド板の隅部における応力集中をさらに低減させることができることが分かっている。
本発明の第4の態様によれば、
本発明の第3の態様による複数の取り付けられた合成ダイヤモンド板を含む取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイであって、
取り付けられた合成ダイヤモンド板の冷却チャネルが、取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイにわたって共通の冷却チャネルを形成するように連結される、取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイが提供される。
本発明のこの態様に関して、比較的簡単な冷却システム構造を維持しながら、多角形の合成ダイヤモンド板の隅部における応力集中を低減させるために、共通の冷却チャネルを有するように、取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイを連結することができることが分かっている。
本発明をより良く理解し、本発明をどのように実施することができるかを示すために、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して例示のみを目的として次に説明する。
十分な強度を有しながら、使用中に取り付けられたときの隅部における応力集中が低減され、また十分な熱拡散能力を提供する多角形の合成ダイヤモンド板を提供するために、多角形の合成ダイヤモンド板の厚さtと隅部曲率半径rとの組合せが重要であることが分かっている。合成ダイヤモンド材料の多角形の板の厚さは、0.4mm〜1.5mmの範囲内であり、任意選択で4mm〜1.2mm、0.4mm〜1.0mm、0.4mm〜0.8mm、または0.5mm〜0.7mmの範囲内である。合成ダイヤモンド材料の多角形の板はまた、丸い隅部を有し、丸い隅部の曲率半径は、1mm〜6mmの範囲内であり、任意選択で1mm〜5mm、2mm〜4mm、または2mm〜3mmの範囲内である。合成ダイヤモンド材料の多角形の板の最大線形寸法は、20mm〜120mm、20mm〜100mm、20mm〜80mm、20mm〜60mm、または20mm〜40mmの範囲内とすることができる。そのような板は、多結晶CVDダイヤモンド材料から形成することができる。合成ダイヤモンド材料のタイプおよび等級は、最終応用例の要件に依存する。たとえば、多角形の合成ダイヤモンド板は、光学等級の合成ダイヤモンド材料から形成することができ、そのような板のアレイは、光学窓を形成することができ、各多角形の合成ダイヤモンド板は、光の伝送のために透明な開口を画定する。別法として、多角形の合成ダイヤモンド板は、熱的等級の合成ダイヤモンド材料から形成することができ、そのような板のアレイは、複数の半導体構成要素の熱管理のためにヒートシンク上に取り付けられる熱拡散基板を形成することができる。さらに別法として、多角形の合成ダイヤモンド板は、導電性のホウ素でドープされたダイヤモンド材料から形成することができ、そのような板のアレイは、電気化学的応用例に対する電極のアレイを形成することができる。
特定の応用例では、多角形の合成ダイヤモンド板と取付け部との間の接合38、および背板と取付け部との間の接合40の両方が、漏れないように1×10-9mbarl/s未満になるように構成されるべきである。これが重要な応用例要件であるとき、取付け部34および背板36に利用される材料はまた、この要件を満たすのに十分に低い多孔率を有していなければならない。
図4は支持板60を示し、それぞれの取り付けられた合成ダイヤモンド板を支持板60に取り付けて、アレイを形成することができる。支持板60は、それぞれの取り付けられた合成ダイヤモンド板内のものに対応する開口62および締結孔64を含む。図3に示すように、隣接する取り付けられた合成ダイヤモンド板の冷却チャネルを連結する手段として冷却ブロックを提供する代わりに、支持板内に1つまたは複数のチャネルを設けて、取り付けられた合成ダイヤモンド板の冷却チャネルを連結することもできる。
本発明について、実施形態を参照して特に図示および説明したが、添付の特許請求の範囲によって定義する本発明の範囲を逸脱することなく、形状および詳細に様々な変更を加えることができることが、当業者には理解されよう。
本発明は、以下の事項を含んでいると捉えることが可能である。
(付記1)
合成ダイヤモンド材料から形成された多角形の板を含み、
合成ダイヤモンド材料の前記多角形の板の厚さが、0.4mm〜1.5mmの範囲内であり、
丸い隅部の曲率半径が、1mm〜6mmの範囲内である、
合成ダイヤモンド板。
(付記2)
合成ダイヤモンド材料の前記多角形の板が、三角形、正方形、長方形、台形、五角形、または六角形である、
付記1に記載の合成ダイヤモンド板。
(付記3)
前記厚さが、0.4mm〜1.2mm、0.4mm〜1.0mm、0.4mm〜0.8mm、または0.5mm〜0.7mmの範囲内である、
付記1または2に記載の合成ダイヤモンド板。
(付記4)
前記丸い隅部の前記曲率半径が、1mm〜5mm、2mm〜4mm、または2mm〜3mmの範囲内である、
付記1から3までのいずれか1項に記載の合成ダイヤモンド板。
(付記5)
合成ダイヤモンド材料の前記多角形の板の最大線形寸法が、20mm〜120mm、20mm〜100mm、20mm〜80mm、20mm〜60mm、または20mm〜40mmの範囲内である、
付記1から4までのいずれか1項に記載の合成ダイヤモンド板。
(付記6)
前記多角形の板が、多結晶CVDダイヤモンド材料から形成される、
付記1から5までのいずれか1項に記載の合成ダイヤモンド板。
(付記7)
付記1から6までのいずれか1項に記載の複数の多角形の合成ダイヤモンド板を含むアレイ。
(付記8)
前記多角形の合成ダイヤモンド板が、光学等級の合成ダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、光学窓を形成し、各多角形の合成ダイヤモンド板が、光の伝送のために透明な開口を画定する、付記7に記載のアレイ。
(付記9)
前記多角形の合成ダイヤモンド板が、熱的等級の合成ダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、複数の半導体構成要素の熱管理のためにヒートシンク上に取り付けられる熱拡散基板を形成する、付記7に記載のアレイ。
(付記10)
前記多角形の合成ダイヤモンド板が、導電性のホウ素でドープされたダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、電気化学的応用例に対する電極のアレイを形成する、付記7に記載のアレイ。
(付記11)
付記1から6までのいずれか1項に記載の多角形の合成ダイヤモンド板と、
前記多角形の合成ダイヤモンド板が接合されるベースとを含み、
前記ベースが冷却チャネルを備えている、
取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記12)
前記冷却チャネルが、前記多角形の合成ダイヤモンド板の多角形の外形をたどる、
付記11に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記13)
前記ベースが、前記冷却チャネルが形成される取付け部と、前記冷却チャネルを封止する背板とを含む、
付記12に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記14)
前記ベースが、モリブデン、モリブデン合金、または炭化ケイ素から形成される、
付記11から13までのいずれか1項に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記15)
前記多角形の合成ダイヤモンド板が、800℃、700℃、600℃、500℃、または400℃未満の接合温度を有する接合を介して、前記ベースに接合される、
付記11から14までのいずれか1項に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記16)
前記多角形の合成ダイヤモンド板が、蝋接または拡散接合を介して前記ベースに接合される、
付記11から15までのいずれか1項に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記17)
前記ベースが開口を画定し、前記多角形の合成ダイヤモンド板が前記開口にわたって接合されて、光学窓を形成する、
付記11から16までのいずれか1項に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板。
(付記18)
付記11から17までのいずれか1項に記載の複数の取り付けられた合成ダイヤモンド板を含む、
取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイであって、
前記取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルが、前記取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイにわたって共通の冷却チャネルを形成するように連結される、取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイ。
(付記19)
前記複数の取り付けられた合成ダイヤモンド板が、支持板上にさらに取り付けられ、前記支持板が、前記取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルを連結するための1つまたは複数のチャネルを含む、
付記18に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイ。
(付記20)
隣接する取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルが、冷却ブロックを介して連結され、前記冷却ブロック内に連結されたチャネルが配置される、
付記18に記載の取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイ。
Claims (14)
- 複数の多角形の合成ダイヤモンド板を含むアレイであって、
前記複数のダイヤモンド板の各々の合成ダイヤモンド板が:
合成ダイヤモンド材料から形成された多角形の板を含み、
合成ダイヤモンド材料の前記多角形の板の厚さが、0.4mm〜1.5mmの範囲内であり、
曲率半径が1mm〜6mmの範囲内である丸い隅部を有し、
前記複数の多角形の合成ダイヤモンド板の各多角形の合成ダイヤモンド板は、ベースに接合され、前記ベースは、冷却チャネルを備え、
取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルが、取り付けられた合成ダイヤモンド板のアレイにわたって共通の冷却チャネルを形成するように連結される、アレイ。 - 合成ダイヤモンド材料の各多角形の板が、三角形、正方形、長方形、台形、五角形、または六角形である、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記厚さが、0.4mm〜1.2mm、0.4mm〜1.0mm、0.4mm〜0.8mm、または0.5mm〜0.7mmの範囲内である、
請求項1または2に記載のアレイ。 - 前記丸い隅部の前記曲率半径が、1mm〜5mm、2mm〜4mm、または2mm〜3mmの範囲内である、
請求項1から3までのいずれか1項に記載のアレイ。 - 合成ダイヤモンド材料の各多角形の板の最大線形寸法が、20mm〜120mm、20mm〜100mm、20mm〜80mm、20mm〜60mm、または20mm〜40mmの範囲内である、
請求項1から4までのいずれか1項に記載のアレイ。 - 前記多角形の板が、多結晶CVDダイヤモンド材料から形成される、
請求項1から5までのいずれか1項に記載のアレイ。 - 前記多角形の合成ダイヤモンド板が、光学等級の合成ダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、光学窓を形成し、各多角形の合成ダイヤモンド板が、光の伝送のために透明な開口を画定する、請求項1から6までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 前記多角形の合成ダイヤモンド板が、熱的等級の合成ダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、複数の半導体構成要素の熱管理のためにヒートシンク上に取り付けられる熱拡散基板を形成する、請求項1から6までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 前記多角形の合成ダイヤモンド板が、導電性のホウ素でドープされたダイヤモンド材料から形成され、前記アレイが、電気化学的用途用の電極のアレイを形成する、請求項1から6までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 各冷却チャネルが、多角形の合成ダイヤモンド板の多角形の外形をたどる、請求項1から9までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 前記ベースが、前記冷却チャネルが形成される取付け部と、前記冷却チャネルを封止する背板とを含む、請求項1から10までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 前記ベースが、モリブデン、モリブデン合金、及び炭化ケイ素のいずれかにより形成される、請求項1から11までのいずれか1項に記載のアレイ。
- 前記複数の取り付けられた合成ダイヤモンド板が、支持板上にさらに取り付けられ、前記支持板が、前記取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルを連結するための1つまたは複数のチャネルを含む、
請求項1から12までのいずれか1項に記載のアレイ。 - 隣接する取り付けられた合成ダイヤモンド板の前記冷却チャネルが、連結チャネルが設けられた冷却ブロックを介して連結される、
請求項13に記載のアレイ。
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