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JP6983578B2 - レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明はレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
板状のワークを浮上搬送しつつ、当該ワークに対してレーザビームを照射するレーザ照射装置が知られている。ところで、特許文献１、２には、水平に載置された多孔質板からガスを上向きに噴出させることにより、板状のワークを浮上させる技術が開示されている。
特開２００８−１１０８５２号公報 特許第５５１２０５２号公報
浮上ユニットに多孔質体を用いた場合、多孔質体からパーティクルが発生してしまう。例えば、多孔質体にクラックや欠けが発生した場合、その発生箇所からパーティクルが発生してしまう。そして、クラックや欠けの発生箇所からエア漏れが発生して、多孔質体前面から均一にエアが噴出されなくなってしまう。このため、ワークを正常に浮上させることができなくなってしまう場合がある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態にかかるレーザ照射装置は、レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、を備え、浮上ユニットの第２の領域の表面部は、金属部材で形成されているレーザ照射装置。
前記一実施の形態によれば、パーティクルの発生を抑制することができるレーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
実施の形態１にかかるレーザ照射装置の構成を模式的に示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ断面図である 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。 浮上ユニットの構成を模式的に示す平面図である。 浮上ユニットの各領域を説明するための平面図である。 図１のＶＩ−ＶＩ断面図である ラフ浮上ユニットの構成を示す平面図である 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図である 被処理体とラフ浮上ユニットとが接触している状態を模式的に示す図である。 被処理体とラフ浮上ユニットとの間にできるガス溜まりを説明するための断面図である。 ラフ浮上ユニット間の溝からガスが排出される様子を示す模式図である。 精密浮上ユニットの構成を示す断面図である。 精密浮上ユニットの構成を示す平面図である。 レーザ照射方法を含むＴＦＴ製造方法を示す工程断面図である。 レーザ照射方法を含むＴＦＴ製造方法を示す工程断面図である。 レーザ照射方法を含むＴＦＴ製造方法を示す工程断面図である。 レーザ照射方法を含むＴＦＴ製造方法を示す工程断面図である。 レーザ照射方法を含むＴＦＴ製造方法を示す工程断面図である。 有機ＥＬ表示パネルの断面図である。
以下、図面を参照して本実施の形態にかかるレーザ照射装置、レーザ照射方法、半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において、レーザが照射される被処理体をアモルファスシリコン膜付きガラス基板であるとして説明するが、被処理体は、特に限定されるものではない。
レーザ照射装置の一例は、基板上に形成されたアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、ポリシリコン膜を形成するエキシマレーザアニール装置である。したがって、レーザ照射装置は、液晶表示パネルや有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示パネルの製造工程において、ＴＦＴ（Thin Film transistor）アレイ基板を製造するために使用される。すなわち、レーザ照射装置は、ＴＦＴアレイ基板などの半導体装置の製造工程に用いられる。
［レーザ照射装置の基本構成］
本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、例えば、低温ポリシリコン(LTPS:Low Temperature Poly-Silicon)膜を形成するエキシマレーザアニール（ELA:Excimer laser Anneal）装置である。まず、レーザ照射装置の基本構成について、図１〜図３を用いて説明する。図１は、レーザ照射装置の基本構成を説明するための平面図である。図２は、図１に示すレーザ照射装置の切断線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。図３は、図１に示すレーザ照射装置の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
なお、以下に示す図では、説明の簡略化のため、適宜、ｘｙｚ３次元直交座標系を示している。ｚ方向は鉛直上下方向であり、ｙ方向はライン状のレーザスポットに沿った方向であり、ｘ方向は、搬送方向である。ｘ方向に搬送（スキャン）しながら、ｙ方向に沿ったライン状のレーザ光を基板に照射している。また、ｘ方向とｙ方向は矩形状の被処理体１６の端辺に沿った方向である。
図１〜図３に示すように、レーザ照射装置１は、浮上ユニット１０、搬送ユニット１１、及びレーザ発生装置１４を備える。図２に示すように、浮上ユニット１０は、浮上ユニット１０の表面からガスを噴出するように構成されており、浮上ユニット１０の表面から噴出されたガスが被処理体１６の下面に吹き付けられることで、被処理体１６が浮上する。例えば、被処理体１６はガラス基板である。被処理体１６が搬送される際、浮上ユニット１０は被処理体１６の上側に配置されている他の機構（不図示）に被処理体１６が接触しないように浮上量を調整している。
搬送ユニット１１は、浮上している被処理体１６を搬送方向（ｘ方向）に搬送する。図１、図３に示すように、搬送ユニット１１は、保持機構１２と移動機構１３とを備える。保持機構１２は、被処理体１６を保持する。例えば、保持機構１２は、多孔質体を備える真空吸着機構を用いて構成することができる。あるいは、保持機構１２は、後述するラフ浮上ユニット１１３と同様に、吸気孔を有する金属部材を用いて構成することも可能である。さらには、保持機構１２は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材などの樹脂系材料で形成されていてもよい。保持機構１２（真空吸着機構）は、排気ポート（不図示）に接続されており、排気ポートはエジェクタや真空ポンプなどに接続されている。よって、保持機構１２にはガスを吸引するための負圧が作用するため、保持機構１２を用いて被処理体１６を保持することができる。
また、保持機構１２は吸着動作を行うための昇降機構（不図示）を備えている。昇降機構は、例えば、エアシリンダやモータなどのアクチュエータ等を備えている。例えば、保持機構１２は吸着位置まで上昇した状態で、被処理体１６を吸着する。また、保持機構１２は、吸着を解除した状態で、待機位置まで下降する。
本実施の形態では、図３に示すように、保持機構１２は、被処理体１６のレーザ光が照射される面（上面）と逆側の面（下面）、つまり、被処理体１６の浮上ユニット１０と対向する側の面を吸引することで、被処理体１６を保持している。また、保持機構１２は、被処理体１６の＋ｙ方向における端部（つまり、被処理体１６の搬送方向と垂直な方向における端部）を保持している。
搬送ユニット１１が備える移動機構１３は保持機構１２と連結されている。移動機構１３は、保持機構１２を搬送方向（ｘ方向）に移動可能に構成されている。搬送ユニット１１（保持機構１２及び移動機構１３）は、浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部側に設けられており、保持機構１２で被処理体１６を保持しつつ、移動機構１３が搬送方向に移動することで被処理体１６が搬送される。
図１に示すように、例えば、移動機構１３は浮上ユニット１０の＋ｙ方向の端部を＋ｘ方向に沿ってスライドするように構成されており、移動機構１３が浮上ユニット１０の端部を＋ｘ方向に沿ってスライドすることで、被処理体１６がｘ方向に沿って搬送される。このとき、移動機構１３の移動速度を制御することで、被処理体１６の搬送速度を制御することができる。移動機構１３は、例えば、図示しないモータなどのアクチュエータとリニアガイド機構やエアベアリング等を備えている。
図１、図２に示すように、被処理体１６にはレーザ光１５（以下、レーザ光の照射位置も符号１５で示す）が照射される。例えば、レーザ照射装置はレーザアニール装置であり、この場合はレーザ発生装置１４にエキシマレーザ等を用いることができる。レーザ発生装置１４から供給されたレーザ光は、シリンドリカルレンズを有する光学系（不図示）においてライン状となる。被処理体１６にはライン状、具体的には焦点がｙ方向に伸びるレーザ光１５（ラインビーム）が照射される（図１参照）。換言すると、レーザ光１５の被処理体１６上における照射位置は被処理体１６の搬送方向（ｘ方向）と垂直な方向（ｙ方向）に伸びている。
被処理体１６は、例えば、非晶質膜（アモルファスシリコン膜）が形成されたガラス基板である。非晶質膜にレーザ光１５を照射してアニール処理することで、非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、アモルファスシリコン膜を、多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）に変換することができる。
図１〜図３に示すレーザ照射装置１では、浮上ユニット１０を用いて被処理体１６を浮上させながら、搬送ユニット１１を用いて被処理体１６の下面を保持して、被処理体１６を搬送方向に搬送している。このとき、レーザ照射装置１が備える搬送ユニット１１は、被処理体１６を搬送した際に、平面視において（つまりｚ方向からみて）、搬送ユニット１１がレーザ照射位置１５と重畳しない位置を保持して被処理体１６を搬送している。つまり、図１に示すように、被処理体１６を搬送方向に搬送した際に、搬送ユニット１１が被処理体１６を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）が、レーザ照射位置１５と重畳しないようにしている。
例えば、被処理体１６の平面形状は４辺を有する四角形（矩形状）であり、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、被処理体１６の４辺中の１辺のみを保持している。そして、搬送ユニット１１（保持機構１２）は、被処理体１６が搬送されている期間においてレーザ光が照射されない位置を保持している。
このような構成とすることで、搬送ユニット１１が被処理体１６を保持する位置（保持機構１２の位置に対応）とレーザ照射位置１５とを離間させることができる。レーザ照射位置１５は、被処理体１６の−Ｙ側のほぼ半分となっており、かつ、搬送ユニット１１が＋Ｙ側の端部を保持する。保持機構１２の近傍のたわみが大きくなる箇所とレーザ照射位置１５との距離を大きくすることができる。よって、レーザ照射時における被処理体１６の保持機構１２に起因するたわみの影響を低減させることができる。
ｙ方向において、レーザ照射位置１５の長さは、被処理体１６のほぼ半分程度の長さとなっている。したがって、被処理体１６がレーザ照射位置１５を１回通過することで、被処理体１６のほぼ半分の領域において、アモルファスシリコン膜が結晶化する。そして、図示しない回転機構により、被処理体１６をＺ軸回りに１８０度回転した後、搬送ユニット１１が、被処理体１６を−Ｘ方向に搬送する。あるいは、回転された被処理体１６を−Ｘ方向に搬送後、搬送ユニット１１が、再度＋Ｘ方向に搬送してもよい。そして、−Ｘ方向の搬送時、あるいは、１８０度回転後の再度の＋Ｘ方向への搬送時に、レーザ光が被処理体１６に照射される。これにより、被処理体１６がレーザ照射位置１５を通過して、被処理体１６の残りの半分の領域において、アモルファスシリコン膜が結晶化する。このように、被処理体１６を往復移動させることで、被処理体１６のほぼ全体において、アモルファスシリコン膜が多結晶シリコン膜に変換される。
［浮上ユニット１０］
次に、浮上ユニット１０の構成について、図４を用いて説明する。図４は、浮上ユニット１０の構成を示すｘｙ平面図である。浮上ユニット１０は、精密浮上領域３１と、準精密浮上領域３２と、ラフ浮上領域３３とを備えている。
精密浮上領域３１は、レーザ光の照射位置１５を含む領域である。すなわち、ｘｙ平面視において、精密浮上領域３１は、レーザ光の焦点（レーザ照射位置１５）と重畳する領域である。精密浮上領域３１は、レーザ照射位置１５よりも大きい矩形状の領域となっている。
準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１と隣接する領域である。ｘ方向において、準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１の両側に配置されている。さらに、精密浮上領域３１の＋ｙ側にも、準精密浮上領域３２が配置されている。矩形状の精密浮上領域３１の３辺と隣接するように準精密浮上領域３２は、コの字状に形成されている。準精密浮上領域３２は、精密浮上領域３１よりも大きい領域となっている。
ラフ浮上領域３３は、準精密浮上領域３２と隣接する領域である。つまり、準精密浮上領域３２は、ラフ浮上領域３３と精密浮上領域３１との間に配置されている。Ｘ方向において、ラフ浮上領域３３は、精密浮上領域３１の両側に配置されている。すなわち、ラフ浮上領域３３は、準精密浮上領域３２の＋ｘ側と−ｘ側に分離して配置されている。ｘｙ平面視において、準精密浮上領域３２、及びラフ浮上領域３３は、レーザ光の焦点（レーザ照射位置１５）と重畳しない領域である。
次に、図５、及び図６を用いて、各領域におけるブロックの構成を説明する。図５は、浮上ユニット１０の一部の構成を模式的に示す平面図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。なお、図５、及び図６は、レーザ照射位置１５の周辺における浮上ユニット１０の部分的な構成を示している。具体的には、ｘ方向における端部のラフ浮上領域３３を省略して図示している。
精密浮上領域３１には、精密浮上ユニット１１１が設けられている。ｘｙ平面視において、精密浮上ユニット１１１は、レーザ照射位置１５と重複している。ｘｙ平面視において、精密浮上ユニット１１１はｙ方向を長手方向とする矩形状になっている。なお、図では、精密浮上領域３１が１つの精密浮上ユニット１１１により構成されているが、精密浮上領域３１は、２以上の精密浮上ユニット１１１により構成されていてもよい。
準精密浮上領域３２には、複数の準精密浮上ユニット１１２が設けられている。ｘ方向において、精密浮上ユニット１１１の両側に準精密浮上ユニット１１２が配置されている。ここでは、５個の準精密浮上ユニット１１２によって、コの字型の準精密浮上領域３２が構成されている。ｘｙ平面視において、それぞれの準精密浮上ユニット１１２は、ｙ方向を長手方向とする矩形状になっている。図５では、それぞれの準精密浮上ユニット１１２は、異なる大きさとなっている。それぞれの準精密浮上ユニット１１２は、同じ大きさとなっていてもよく、一部又は全て異なる大きさとなっていてもよい。
ラフ浮上領域３３には、複数のラフ浮上ユニット１１３が設けられている。ｘ方向において、準精密浮上領域３２の両側には、それぞれラフ浮上ユニット１１３が設けられている。ｘｙ平面視において、それぞれのラフ浮上ユニット１１３は、ｘ方向を長手方向とする矩形状になっている。図５では、それぞれのラフ浮上ユニット１１３は、同じ大きさとなっている。それぞれのラフ浮上ユニット１１３は、一部又は全て異なる大きさとなっていてもよい。
ここで、レーザ照射位置１５となるＹ方向位置では、図６に示すように、−ｘ側から＋ｘ側に向かうにつれて、ラフ浮上ユニット１１３、準精密浮上ユニット１１２、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の順番で配置されている。−ｘ側から、ラフ浮上ユニット１１３、準精密浮上ユニット１１２、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の順番に被処理体１６が通過していく。
図６に示すように、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３は、それぞれ上方にガス（例えば、空気）を噴出している。ガスが被処理体１６の下面に吹き付けられることで、被処理体１６が浮上する。よって、浮上ユニット１０と被処理体１６とが非接触の状態となる。さらに、精密浮上ユニット１１１、及び準精密浮上ユニット１１２は、被処理体１６と浮上ユニット１０との間に存在するガスを吸引している。ラフ浮上ユニット１１３は、準精密浮上ユニット１１２と同様にガスを吸引可能な構成となっている。
精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３には、例えば、ガスを供給するためのガス供給源（不図示）が接続される。また、精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３には、ガスを吸引するための真空発生源（不図示）が接続される。ガス供給源は、コンプレッサやガスボンベなどであり、圧縮ガスを供給する。真空発生源は、真空ポンプやエジェクタなどである。
精密浮上ユニット１１１は、準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高い。準精密浮上ユニット１１２はラフ浮上ユニット１１３よりも浮上量の精度が高い。そして、最も浮上量の精度の高い精密浮上領域３１において、レーザ光が被処理体１６に照射される。例えば、準精密浮上ユニット１１２は、精密浮上ユニット１１１が被処理体１６を浮上させる際の精度とラフ浮上ユニット１１３が被処理体１６を浮上させる際の精度との間の精度で被処理体１６を浮上させるように構成されている。
精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３は、それぞれベースユニット１１４に取り付けられている。ベースユニット１１４は、例えば、アルミニウム製の金属プレートである。精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３は、例えば、ボルト等により、ベースユニット１１４に固定されている。精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の上面は、実質的に同じ高さになっている。すなわち、浮上ユニット１０の上面（浮上面）は実質的に平面となっている。なお、各ユニットとベースユニット１１４との間には、高さ調整のためのプレートなどが設けられていてもよい。また、ベースユニット１１４の内部には、ガスを噴出又は吸引するための流路となる内部空間（不図示）が設けられていてもよい。
各ユニット（精密浮上ユニット１１１、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３）の間には、溝１１５が形成されている。溝１１５は、ｘ方向、又はｙ方向に沿って延びており、浮上ユニット１０の外周面まで到達している。例えば、隣接する精密浮上ユニット１１１と準精密浮上ユニット１１２との間には、ｙ方向に延びる溝１１５が配置されている。同様に、隣接する準精密浮上ユニット１１２とラフ浮上ユニット１１３との間には、ｙ方向に延びる溝１１５が配置されている。また、隣接する２つの準精密浮上ユニット１１２の間には、ｘ方向又はｙ方向に延びる溝１１５が配置されている。同様に、隣接する２つのラフ浮上ユニット１１３の間には、ｘ方向に延びる溝１１５が配置されている。
各ユニットは、溝１１５の幅だけ離間して、配置されている。換言すると、各ユニットの間には、溝１１５の幅に対応する空間が設けられている。溝１１５は、例えば、幅１０ｍｍ程度となっている。もちろん、溝１１５の幅は、１０ｍｍに限られるものではない。溝１１５の幅は、各ユニットの幅よりも小さくなっている。
ここで、図６に示すように、浮上ユニット１０の表面（上面）、及びその近傍を表面部１４０とする。精密浮上領域３１において、浮上ユニット１０の表面部１４０には、精密浮上ユニット１１１が設けられている。準精密浮上領域３２において、浮上ユニット１０の表面部１４０には、準精密浮上ユニット１１２が設けられている。ラフ浮上領域３３において、浮上ユニット１０の表面部１４０には、ラフ浮上ユニット１１３が設けられている。なお、表面部１４０は、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３に施された表面処理の厚さよりも若干厚い部分である。準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の表面処理については後述する。
精密浮上ユニット１１１は、多孔質体を有している。具体的には、精密浮上ユニット１１１の表面部１４０には、多孔質体が設けられている。準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３は、金属部材を有している。具体的には、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の表面部１４０には、金属部材が設けられている。
準精密浮上ユニット１１２、及びラフ浮上ユニット１１３は、同様の構成を有している。精密浮上ユニット１１１、ラフ浮上ユニット１１３の構成について、以下に説明する。
［ラフ浮上ユニット１１３］
まず、ラフ浮上ユニット１１３の構成について、図７、及び図８を用いて説明する。図７は、ラフ浮上ユニット１１３の構成を模式的に示す平面図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図である。なお、準精密浮上ユニット１１２の構成は、ラフ浮上ユニット１１３と同様であるため、詳細な説明を省略する。
ラフ浮上ユニット１１３は、金属部材１３１を有している。金属部材１３１は、例えば、アルミニウム製又はステンレス鋼（ＳＵＳ）製の金属ブロックにより形成されている。金属部材１３１には、複数の吸気孔１３７と、複数の噴出孔１３８とが設けられている。金属部材１３１を機械加工することで、金属部材１３１の表面部１４０には、複数の吸気孔１３７と、複数の噴出孔１３８とが形成される。吸気孔１３７と噴出孔１３８は、それぞれ、所定の径でｚ方向に延びる貫通孔（空間）となっている。ｘｙ平面視において、例えば、吸気孔１３７と噴出孔１３８とは、直径が数ｍｍ程度の円形になっている。
ｘｙ平面視において、吸気孔１３７と噴出孔１３８とが所定の間隔を隔てて、配置されている。ここでは、ｘ方向、及びｙ方向に沿って、吸気孔１３７と噴出孔１３８とがアレイ状に配列されている。吸気孔１３７はガスを吸引可能な開口であり、ガス吸引部として機能する。噴出孔１３８は、ガスを噴出可能な開口であり、ガス噴出部として機能する。
図８に示すように、金属部材１３１には、供給流路１３３と、供給ポート１３４と、吸気ポート１３５と、吸気流路１３６と、が形成されている。供給ポート１３４と、吸気ポート１３５とは、金属部材１３１の底面側（−ｚ側）に設けられており、例えば、ベースユニット１１４の内部空間に接続される。供給流路１３３と、吸気流路１３６は、金属部材１３１の底面から上面に向かうように、金属部材１３１の内部に形成されている。このように、金属部材１３１の内部には、ガスの流路となる空間が設けられている。
吸気ポート１３５は、真空ポンプ等の真空発生源に接続されている。吸気ポート１３５は、吸気流路１３６を介して、吸気孔１３７と繋がっている。ここでは、吸気流路１３６が、金属部材１３１の内部で、複数に分岐している。従って、１つの吸気ポート１３５が複数の吸気孔１３７と連通している。真空発生源により、吸気流路１３６が負圧空間となる。吸気孔１３７から、金属部材１３１と被処理体１６との間のガスを吸引することができる。
供給ポート１３４は、ガスボンベ等のガス供給源と接続されている。供給ポート１３４は、供給流路１３３を介して、噴出孔１３８と繋がっている。ここでは、供給流路１３３が、金属部材１３１の内部で、複数に分岐している。従って、１つの供給ポート１３４が複数の噴出孔１３８と連通している。ガス供給源により、吸気流路１３６は、正圧空間となる。噴出孔１３８から、被処理体１６に対してガスを噴出することができる。
負圧空間となる吸気流路１３６と、正圧空間となる供給流路１３３とは、分離されている。すなわち、負圧空間と正圧空間との気密が保たれている。
さらに、図８に示すように、金属部材１３１には、表面処理部１３２が設けられている。金属部材１３１の上面（浮上面）に、表面処理部１３２が形成されている。さらに、金属部材１３１の側面の上面側にも、表面処理部１３２が形成されている。金属部材１３１の側面の一部と上面とに、帯電防止処理を施すことで、表面処理部１３２が形成される。金属部材１３１の表面処理部１３２には、例えば、レイデント処理（登録商標）やアルマイト処理が施される。表面処理部１３２の上面には帯電防止のための被膜が設けられている。
ラフ浮上領域３３において、表面処理部１３２を有する金属部材１３１が、浮上ユニット１０の表面部１４０を構成する。すなわち、ラフ浮上ユニット１１３の表面部１４０は、表面処理部１３２、及び金属部材１３１により、構成されている。表面部１４０は、金属部材１３１の上面に設けられた表面処理部１３２の厚さよりも厚い部分である。
ラフ浮上ユニット１１３の表面部１４０は、多孔質材料ではない稠密な材料により構成されている。すなわち、ラフ浮上ユニット１１３の表面部１４０には、ポーラス状ではない金属部材１３１が設けられている。このように、非多孔質材料である金属部材１３１を表面部１４０に用いることで、パーティクルの発生を抑制することができる。例えば、被処理体１６がラフ浮上ユニット１１３と接触したとしても、パーティクルの発生を抑制することができる。精密浮上領域３１を除く浮上ユニット１０のほぼ全体が非多孔質材料である金属材料により形成されているため、多孔質体からのパーティクルの発生量を抑制することができる。
被処理体１６の浮上量が不十分な場合や、被処理体１６のたわみ量が大きい場合、図９に示すように、被処理体１６の端部がラフ浮上ユニット１１３と接触してしまい、ラフ浮上ユニット１１３が破損するおそれがある（図９の破損箇所１４６参照）。ラフ浮上ユニット１１３の表面部１４０が、後述する精密浮上ユニット１１１のように、多孔質体で形成されている場合、ラフ浮上ユニット１１３の破損箇所１４６において、パーティクルが発生してしまう。
本実施の形態のように、ラフ浮上ユニット１１３、及び準精密浮上ユニット１１２の表面部１４０を金属部材１３１により形成する。こうすることで、準精密浮上領域３２とラフ浮上領域３３とでは、浮上ユニット１０の上面（浮上面）に多孔質体が露出していない構成となる。よって、多孔質体の破損を起因とするパーティクルの発生を抑制することができる。
また、金属部材１３１には複数の噴出孔１３８が形成されている。噴出孔１３８からガスが被処理体１６に向けて噴出されている。よって、被処理体１６が浮上ユニット１０の上を浮上する。ガスの供給量を制御することで、浮上量を調整することができる。
さらに、金属部材１３１には、ガスを吸引可能な吸気孔１３７が形成されている。吸気孔１３７からガスを吸引することで、被処理体１６を平坦にすることができる。例えば、吸気孔１３７からガスを吸引しない場合、噴出孔１３８から噴出したガスが被処理体１６の下面に吹き付けられて被処理体１６が浮上した際に、図１０に示すように、被処理体１６とラフ浮上ユニット１１３との間にガス溜まり１４５が形成される。このガス溜まり１４５は被処理体１６がたわむ原因となる。
このガス溜まり１４５の影響によって、被処理体１６の中央部のみが浮上し被処理体１６の角部が大きくたわむという現象が起こり、被処理体１６の角部がラフ浮上ユニット１１３に衝突する場合がある。このような現象は、被処理体１６の面積が大きくなるほど、また被処理体１６の厚さが薄くなるほど顕著にあらわれる。
被処理体１６とラフ浮上ユニット１１３との間に存在するガス（ガス溜まり１４５））を吸気孔１３７から吸引することで、被処理体１６のたわみを低減することができる。換言すると、被処理体１６を平坦にすることができる。被処理体１６のたわみ量は、供給ポート１３４に供給されるガスの量と吸気ポート１３５から排気するガスの量とのバランスを調整することで制御することができる。
浮上量が十分であり、被処理体１６と浮上ユニット１０とが接触しないのであれば、一部のユニットでは、吸気孔１３７からガスを吸引しないようにしてもよい。例えば、ラフ浮上ユニット１１３において、吸気孔１３７からガスを吸引しないようにしてもよい。真空発生源と吸気ポート１３５との間のバルブを閉じて、真空発生源を吸気孔１３７に接続しないようにする。これにより、ラフ浮上ユニット１１３において、吸引を行わずに、ガスを噴出のみを行うことができる。
ガスの吸引を行わない場合、ラフ浮上ユニット１１３が吸気孔１３７を有していなくてもよい。すなわち。吸気孔１３７が設けられていないラフ浮上ユニット１１３をラフ浮上領域３３に設けてもよい。
本実施の形態の例では、準精密浮上ユニット１１２では、ガスを吸引するようにし、ラフ浮上ユニット１１３からはガスを吸引しないようにしている。換言すると、図７、図８に示す構成を有するユニットのうち、ガスを吸引するユニットが準精密浮上ユニット１１２となり、吸引しないユニットがラフ浮上ユニット１１３となる。
準精密浮上ユニット１１２は、ラフ浮上ユニット１１３から精密浮上ユニット１１１に被処理体１６が搬送される際、又は、精密浮上ユニット１１１からラフ浮上ユニット１１３に被処理体１６が搬送される際に、被処理体１６のたわみ量が滑らかに変化するように構成されている。換言すると、精密浮上ユニット１１１における被処理体１６のたわみ量とラフ浮上ユニット１１３における被処理体１６のたわみ量との差分を吸収するように、準精密浮上ユニット１１２は、被処理体１６を搬送する。
よって、領域間を移動する際に生じる被処理体１６のたわみのレーザ照射に対する影響を抑制することができる。換言すると、準精密浮上ユニット１１２を設けることで、被処理体１６のたわみが大きい位置とレーザ照射位置１５との距離を離すことができるので、準精密浮上ユニット１１２がない構成と比べて、レーザ照射位置１５における被処理体１６のたわみを低減させることができる。
このように、準精密浮上ユニット１１２は、精密浮上ユニット１１１が被処理体１６を浮上させる際の精度とラフ浮上ユニット１１３が被処理体１６を浮上させる際の精度との間の精度で被処理体１６を浮上させるように構成されている。レーザ照射位置１５においてレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ）から外れてしまうことを抑制することができる。よって、レーザ光の照射ムラを抑制することができ、均一なポリシリコン膜を形成することができる。
なお、上記の説明では、準精密浮上ユニット１１２において、ガスの噴出と吸引とを用い、ラフ浮上ユニット１１３において、ガスの噴出のみを用いていたが、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の両方において、ガスの噴出と吸引とを用いてもよい。あるいは、準精密浮上ユニット１１２、ラフ浮上ユニット１１３の両方において、ガスの吸引を用いずに、ガスの噴出のみを用いてもよい。ユニット毎又は領域毎に、ガスの吸引量、及び噴出量を調整してもよい。
さらに、本実施の形態では、図５、図６に示したように、隣接するユニット間に溝１１５が形成されている。溝１１５は、ｘ方向、又はｙ方向に沿って延びており、浮上ユニット１０の外周面まで到達している。溝１１５の幅は、各ユニットの幅（例えばラフ浮上ユニット１１３の幅）よりも小さくなっている。溝１１５は、例えば、幅１０ｍｍ程度で有り、高さ（深さ）２０ｍｍ程度である。溝１１５は、被処理体１６とラフ浮上ユニット１１３の上面との間に存在するガスを排出する。
ユニット間に溝１１５を形成しない場合は、噴出孔１３８から噴出したガスが被処理体１６の下面に吹き付けられて被処理体１６が浮上した際に、被処理体１６とラフ浮上ユニット１１３との間にガス溜まり１４５が形成される（図１０参照）。このガス溜まり１４５は被処理体１６がたわむ原因となる。
これに対して、本実施の形態では、図１１に示すように、隣接する２つのラフ浮上ユニット１１３の間に、溝１１５が設けられている。被処理体１６とラフ浮上ユニット１１３との間に存在するガスが溝１１５を通して浮上ユニット１０の外側に排出される。よって、ラフ浮上ユニット１１３の上を被処理体１６が通過する際に被処理体１６がたわむことを抑制することができる。
さらに、隣接する準精密浮上ユニット１１２とラフ浮上ユニット１１３との間、隣接する２つの準精密浮上ユニット１１２の間、及び、隣接する精密浮上ユニット１１１と準精密浮上ユニット１１２との間にも、溝１１５が形成されている。これにより、ガスの排出量を増加することができるため、ガス溜まり１４５の発生を抑制することができる。被処理体１６のたわみを抑制することができる。
このように、準精密浮上領域３２、及びラフ浮上領域３３の表面部１４０には、金属部材１３１が設けられている。複数の金属部材１３１が配置されることで、ラフ浮上領域３３の表面部１４０が形成される。複数の金属部材１３１が配置されることで、準精密浮上領域３２の表面部１４０が形成される。なお、ガスの噴出量と吸引量は、各ユニットにおける吸気孔１３７の配置、噴出孔１３８の配置などに応じて、適宜設定すればよい。なお、準精密浮上ユニット１１２やラフ浮上ユニット１１３の表面にも、ガスを排出するための溝を形成してもよい。
［精密浮上ユニット１１１］
精密浮上ユニット１１１は、被処理体１６を精密に浮上させて搬送するユニットであり、搬送時の被処理体１６のたわみ量を小さくしながら搬送することができるように構成されている。精密浮上ユニット１１１は、被処理体１６を浮上させるためのガスの噴出量を精密に制御している。精密浮上ユニット１１１は、ガスの噴出および吸引を用いて被処理体１６を浮上させるように構成されている。なお、精密浮上ユニット１１１の詳細な構成について、図１２、図１３を用いて説明する。
図１２、図１３はそれぞれ、精密浮上ユニット１１１の構成例を説明するための断面図、及び平面図である。図１２に示すように、精密浮上ユニット１１１は、台座１２１および多孔質体１２２を備える。多孔質体１２２は台座１２１の上側に設けられており、ガス噴出部として機能する。
図１３の平面図に示すように、多孔質体１２２は給気ポート１２４_１、１２４_２に接続されており、圧縮されたガスが給気ポート１２４_１、１２４_２を介して多孔質体１２２に供給される。例えば、給気ポート１２４_１、１２４_２は精密浮上ユニット１１１の下部に設けられている。なお、図１３に示す断面図では、給気ポート１２４_１、１２４_２の配置と排気ポート１２５_１、１２５_２の配置とが重なるため、給気ポート１２４_１、１２４_２の図示を省略している。多孔質体１２２に供給された圧縮ガスは、多孔質体１２２の内部を通過した後、多孔質体１２２の上面から上方に噴出する。これにより、被処理体１６が浮上する。
また、多孔質体１２２には複数の吸気孔１２７が形成されている。吸気孔１２７は、多孔質体１２２に貫通穴を空けることで形成することができる。図１３に示すように、吸気孔１２７は、多孔質体１２２の上面（つまり、被処理体１６と対向する面）において均一に配置されている。ｘ方向、及びｙ方向において、吸気孔１２７は一定の間隔で配列されている。吸気孔１２７は、被処理体１６と精密浮上ユニット１１１との間に存在するガス（ガス溜まり（図１０の符号１４５参照））を吸引する。図１２に示すように、吸気孔１２７は流路１２６を介して排気ポート１２５_１、１２５_２に接続されている。例えば、排気ポート１２５_１、１２５_２は精密浮上ユニット１１１の下部に設けられている。排気ポート１２５_１、１２５_２にはエジェクタや真空ポンプなどが接続されており、エジェクタや真空ポンプなどを用いて排気ポート１２５_１、１２５_２を吸引する（つまり負圧にする）ことで、精密浮上ユニット１１１の上面に存在するガスを吸気孔１２７から吸引することができる。
図１２に示すように、精密浮上ユニット１１１では、多孔質体１２２から上方にガスが噴出しているので、精密浮上ユニット１１１の上に被処理体１６が搬送されてくると、このガスが被処理体１６の下面に吹き付けられることで被処理体１６が浮上する。よって、精密浮上ユニット１１１と被処理体１６とが非接触の状態となる。このとき、被処理体１６と精密浮上ユニット１１１との隙間、つまり被処理体１６の浮上量は、給気ポート１２４_１、１２４_２に供給されるガスの量、換言すると、多孔質体１２２から噴出するガスの量を調整することで制御することができる。
なお、精密浮上ユニット１１１において、排気ポート１２５＿１、１２５＿２による吸気で負圧となる空間（吸気孔１２７、流路１２５を含む空間）は、供給ポート１２４＿１、１２４＿２による給気で正圧となる空間から分離されている。すなわち、負圧となる空間と正圧となる空間との気密が保たれている。
また、被処理体１６と精密浮上ユニット１１１との間に存在するガス（ガス溜まり（図１０の符号１４５参照））を吸気孔１２７から吸引することで、被処理体１６のたわみを低減することができる。換言すると、被処理体１６を平坦にすることができる。被処理体１６のたわみ量は、給気ポート１２４_１、１２４_２に供給されるガスの量と排気ポート１２５_１、１２５_２から排気するガスの量とのバランスを調整することで制御することができる。
なお、ガスの噴出量と吸引量は、各ユニットの面積や多孔質体１２２の気孔率、吸気孔１２７の配置などに応じて、適宜設定すればよい。
このように、精密浮上ユニット１１１の表面部１４０が多孔質体により形成されている。準精密浮上ユニット１１２と精密浮上ユニット１１１とが異なる材料により形成されている。準精密浮上ユニット１１２と精密浮上ユニット１１１とが異なる熱膨張係数で膨張した場合でも、ユニット間に溝１１５が介在しているため、精密浮上ユニット１１１と準精密浮上ユニット１１２とが接触することを防ぐことができる。よって、パーティクルの発生をより抑制することができる。
（半導体装置の製造方法）
次に、その他の実施の形態として、上記で説明したレーザ照射装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、レーザ照射装置としてレーザアニール装置を用いることで、基板上に形成した非晶質膜にレーザ光を照射して非晶質膜を結晶化させることができる。例えば、半導体装置はＴＦＴ（Thin Film transistor）を備える半導体装置であり、この場合はアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてポリシリコン膜を形成することができる。
図１４〜図１８は、半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、ＴＦＴアレイ基板の製造に好適である。以下、ＴＦＴを有する半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図１４に示すように、ガラス基板２０１上に、ゲート電極２０２を形成する。ゲート電極２０２は、例えば、アルミニウムなどを含む金属薄膜を用いることができる。次に、図１５に示すように、ゲート電極２０２の上に、ゲート絶縁膜２０３を形成する。ゲート絶縁膜２０３は、ゲート電極２０２を覆うように形成される。その後、図１６に示すように、ゲート絶縁膜２０３の上に、アモルファスシリコン膜２０４を形成する。アモルファスシリコン膜２０４は、ゲート絶縁膜２０３を介して、ゲート電極２０２と重複するように配置されている。
ゲート絶縁膜２０３は、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）、又はこれらの積層膜等などである。具体的には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ゲート絶縁膜２０３とアモルファスシリコン膜２０４とを連続成膜する。アモルファスシリコン膜２０４付のガラス基板２０１がレーザ照射装置１における被処理体１６となる。
そして、図１７に示すように、上記で説明したレーザ照射装置を用いてアモルファスシリコン膜２０４にレーザ光を照射してアモルファスシリコン膜２０４を結晶化させて、ポリシリコン膜２０５を形成する。これにより、シリコンが結晶化したポリシリコン膜２０５がゲート絶縁膜２０３上に形成される。
このとき、上記で説明した本実施の形態にかかるレーザ照射装置を用いることで、レーザ照射時におけるガラス基板２０１のたわみの影響を低減させることができ、アモルファスシリコン膜２０４に照射されるレーザ光の焦点深度（ＤＯＦ）から外れてしまうことを抑制することができる。よって、均一に結晶化されたポリシリコン膜２０５を形成することができる。
その後、図１８に示すように、ポリシリコン膜２０５の上に層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂを形成する。層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂは、一般的なフォトリソグラフィー法や成膜法を用いて形成することができる。
上記で説明した半導体装置の製造方法を用いることで、ＴＦＴを備える半導体装置を製造することができる。なお、これ以降の製造工程については、最終的に製造するデバイスによって異なるので説明を省略する。
（有機ＥＬディスプレイ）
次に、ＴＦＴを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ＥＬディスプレイについて説明する。図１９は、有機ＥＬディスプレイの概要を説明するための断面図であり、有機ＥＬディスプレイの画素回路を簡略化して示している。図１９に示す有機ＥＬディスプレイ３００は、各画素ＰｘにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
有機ＥＬディスプレイ３００は、基板３１０、ＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び封止基板３１４を備えている。図１９では、封止基板３１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態にかかる半導体装置は、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられていてもよい。
基板３１０は、ガラス基板又は金属基板である。基板３１０の上には、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素Ｐｘに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。なお、ＴＦＴ層３１１は、図１９で説明したＴＦＴに対応しており、ゲート電極２０２、ゲート絶縁膜２０３、ポリシリコン膜２０５、層間絶縁膜２０６、ソース電極２０７ａ、及びドレイン電極２０７ｂを有する。
ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素Ｐｘごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。有機ＥＬ発光素子３１２ａは、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が積層された積層構造を有している。トップエミッション方式の場合、陽極は金属電極であり、陰極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜である。さらに、有機層３１２には、画素Ｐｘ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。
有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素Ｐｘには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。有機層３１２から放出された白色光は、カラーフィルタ３１３ａを通過すると、ＲＧＢの色の光に変換される。なお、有機層３１２に、ＲＧＢの各色を発光する有機ＥＬ発光素子が設けられている３色方式の場合、カラーフィルタ層３１３を省略してもよい。
カラーフィルタ層３１３の上には、封止基板３１４が設けられている。封止基板３１４は、ガラス基板などの透明基板であり、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素Ｐｘに供給することで、各画素Ｐｘでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
なお、上記では、ＴＦＴを備える半導体装置を用いたデバイスの一例として、有機ＥＬディスプレイについて説明したが、ＴＦＴを備える半導体装置は、例えば液晶ディスプレイであってもよい。また、上記では、本実施の形態にかかるレーザ照射装置をレーザアニール装置に適用した場合について説明した。しかし、本実施の形態にかかるレーザ照射装置は、レーザアニール装置以外の装置にも適用することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
１ レーザ照射装置
１０ 浮上ユニット
１１ 搬送ユニット
１２ 保持機構
１３ 移動機構
１４ レーザ発生装置
１５ レーザ照射位置
１６ 被処理体
３１ 精密浮上領域
３２ 準精密浮上領域
３３ ラフ浮上領域
１１１ 精密浮上ユニット
１１２ 準精密浮上ユニット
１１３ ラフ浮上ユニット
１１４ ベースユニット
１１５ 溝
１２１ 台座
１２２ 多孔質体
１３１ 金属部材
１３２ 表面処理部
１３３ 供給流路
１３４ 供給ポート
１３５ 吸気ポート
１３６ 吸気流路
１３７ 吸気孔
１３８ 噴出孔
１４０ 表面部
１４５ ガス溜まり
１４６ 破損箇所

Claims (14)

  1. レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
    前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
    前記浮上ユニットで浮上している被処理体を搬送方向に搬送する搬送機構と、を備え、
    前記浮上ユニットは、第１の領域と第２の領域とを備え、
    前記第１の領域および前記第２の領域は、平面視した際に前記レーザ光の焦点と前記第１の領域とが重畳し、前記レーザ光の焦点と前記第２の領域とが重畳しないように配置されており、
    前記搬送方向において、前記第２の領域が前記第１の領域の両側に配置され、
    前記第２の領域の表面部には、非多孔質材料である金属部材が設けられており、
    前記第１の領域の表面部には、前記金属部材とは異なる部材である多孔質体が設けられているレーザ照射装置。
  2. 前記金属部材の上面には、帯電防止処理が施されている請求項１に記載のレーザ照射装置。
  3. 前記金属部材は、アルミニウム、又はステンレス鋼により形成されている請求項１、又は２に記載のレーザ照射装置。
  4. 複数の前記金属部材が配置されることで、前記第２の領域の表面部が形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  5. 隣接する２つの前記金属部材の間には、溝が形成されており、
    前記溝の幅は、前記金属部材の幅よりも小さくなっている請求項４に記載のレーザ照射装置。
  6. 前記金属部材には、ガスを上方に噴出する複数の噴出孔が設けられている請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  7. 前記金属部材には、前記被処理体と前記浮上ユニットの間に存在するガスを吸引可能な複数の吸気孔が設けられている請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  8. 前記多孔質体は、前記被処理体に対してガスを噴出する請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  9. 前記多孔質体には、前記被処理体と前記浮上ユニットの間に存在するガスを吸引可能な複数の吸気孔が設けられている請求項７、又は８に記載のレーザ照射装置。
  10. 前記浮上ユニットは、ベースユニットを備え、
    前記第１の領域において、前記ベースユニットの上に、前記多孔質体が設けられ、
    前記第２の領域において、前記ベースユニットの上に、複数の前記金属部材が設けられている請求項１〜９のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  11. 前記浮上ユニットは、
    平面視において、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された第３の領域をさらに備え、
    前記第３の領域の表面部には、複数の金属部材が設けられており、
    前記第３の領域に設けられた複数の前記金属部材には、
    ガスを上方に噴出する複数の噴出孔と、記被処理体と前記浮上ユニットの間に存在するガスを吸引可能な複数の吸気孔とが設けられている請求項１〜１０のいずれか１項に記載のレーザ照射装置。
  12. レーザ光を発生させるレーザ発生装置と、
    前記レーザ光が照射される被処理体を浮上させる浮上ユニットと、
    前記浮上ユニットで浮上している被処理体を搬送方向に搬送する搬送機構と、を備え、
    前記浮上ユニットは、第１の領域と第２の領域とを備え、
    前記搬送方向において、前記第２の領域が前記第１の領域の両側に配置され、
    前記第１の領域および前記第２の領域は、平面視した際に前記レーザ光の焦点と前記第１の領域とが重畳し、前記レーザ光の焦点と前記第２の領域とが重畳しないように配置されており、
    前記第２の領域の表面部には、非多孔質材料である金属部材で設けられており、
    前記第１の領域の表面部には、前記金属部材と異なる材料あり、前記被処理体に対してガスを噴出する多孔質体が設けられており、
    前記多孔質体には、前記被処理体と前記浮上ユニットの間に存在するガスを吸引可能な複数の吸気孔が設けられている、レーザ照射装置。
  13. 被処理体を浮上ユニットを用いて浮上させながら搬送ユニットを用いて前記被処理体を搬送方向に搬送して前記被処理体にレーザ光を照射するレーザ照射方法であって、
    前記浮上ユニットは、第１の領域と第２の領域とを備え、
    前記搬送方向において、前記第２の領域が前記第１の領域の両側に配置され、
    前記第１の領域および前記第２の領域は、平面視した際に前記レーザ光の焦点と前記第１の領域とが重畳し、前記レーザ光の焦点と前記第２の領域とが重畳しないように配置されており、
    前記第２の領域の表面部は、非多孔質材料である金属部材で形成され、
    前記第１の領域の表面部には、前記金属部材とは異なる材料である多孔質体が設けられているレーザ照射方法。
  14. （ａ）基板上に非晶質膜を形成するステップと、
    （ｂ）前記非晶質膜にレーザ光を照射して前記非晶質膜を結晶化させるステップと、を含む半導体装置の製造方法であって、
    前記（ｂ）のステップは、前記基板を浮上ユニットを用いて浮上させて搬送方向に搬送しながら前記非晶質膜にレーザ光を照射するステップであり、
    前記浮上ユニットは、平面視した際に前記レーザ光の焦点と重畳する第１の領域と、前記レーザ光の焦点と重畳しない第２の領域と、を備え、
    前記搬送方向において、前記第２の領域が前記第１の領域の両側に配置され、
    前記第２の領域の表面部は、非多孔質材料である金属部材で形成され、
    前記第１の領域の表面部には、前記金属部材とは異なる材料である多孔質体が設けられている半導体装置の製造方法。
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