JP6979981B2 - Switching power supply - Google Patents
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Description
本発明は、いわゆるダブルエンド絶縁型(ハーフブリッジ方式、フルブリッジ方式、プッシュプル方式等)のスイッチング電源装置に関し、特に、ブリッジ型の同期整流回路を備えたスイッチング電源装置に関する。 The present invention relates to a so-called double-ended isolated type (half-bridge type, full-bridge type, push-pull type, etc.) switching power supply device, and more particularly to a switching power supply device provided with a bridge type synchronous rectifier circuit.
従来、例えば図6に示すフルブリッジ方式のスイッチング電源装置10があった。スイッチング電源装置10は、第一及び第二のスイッチング素子12(1),12(2)の直列回路と、第三及び第四のスイッチング素子12(3),12(4)の直列回路とを有し、これらが互いに並列接続され、その両端に、入力電源14から入力電圧Viが供給される。各直列回路は、第一及び第三のスイッチング素子12(1),12(3)が各々ハイサイド側に配置され、第二及び第四のスイッチング素子12(2),12(4)が各々ローサイド側に配置されている。
Conventionally, for example, there has been a full-bridge type switching
スイッチング素子12(1)〜12(4)は、NチャネルのMOS型FETで成り、図6では、実際の動作をイメージしやすくするため、各スイッチング素子12(1)〜12(4)をFET16(1)〜16(4)と寄生ダイオード18(1)〜18(4)とに分けて表記してある。FET16(1)〜16(4)は、ゲートに入力される駆動パルスがハイレベルの期間にオンし、ローレベルの期間にオフする。寄生ダイオード18(1)〜18(4)は、カソードがドレインに、アノードがソースに各々接続される形になる。
The switching elements 12 (1) to 12 (4) are composed of N-channel MOS type FETs, and in FIG. 6, each switching element 12 (1) to 12 (4) is a
トランス20は入力巻線20a及び出力巻線20bを有し、入力巻線20aは、一端が第一及び第二のスイッチング素子12(1),12(2)の中点に接続され、他端が第三及び第四のスイッチング素子12(3),12(4)の中点に接続されている。なお、入力巻線20a及び出力巻線20bに付したドットは、各巻線の極性を示している。
The
出力巻線20bには、ブリッジ型の同期整流回路が接続されている。同期整流回路は、第一及び第二の同期整流素子22(1),22(2)の直列回路と、第三及び第四の同期整流素子22(3),22(4)の直列回路とを有し、これらが互いに並列接続されている。各直列回路は、第一及び第三の同期整流素子22(1),22(3)が各々ハイサイド側に配置され、第二及び第四の同期整流素子22(2),22(4)が各々ローサイド側に配置されている。出力巻線20bは、一端が第一及び第二の同期整流素子22(1),22(2)の中点に接続され、他端が第三及び第四の同期整流素子22(3),22(4)の中点に接続されている。 A bridge-type synchronous rectifier circuit is connected to the output winding 20b. The synchronous rectifier circuit includes a series circuit of the first and second synchronous rectifier elements 22 (1) and 22 (2) and a series circuit of the third and fourth synchronous rectifier elements 22 (3) and 22 (4). These are connected in parallel to each other. In each series circuit, the first and third synchronous rectifying elements 22 (1) and 22 (3) are arranged on the high side side, respectively, and the second and fourth synchronous rectifying elements 22 (2) and 22 (4) are arranged. Are arranged on the low side side respectively. One end of the output winding 20b is connected to the midpoint of the first and second synchronous rectifying elements 22 (1) and 22 (2), and the other end is connected to the third and fourth synchronous rectifying elements 22 (3), It is connected to the midpoint of 22 (4).
同期整流素子22(1)〜22(4)は、NチャネルのMOS型FETで成り、上記と同様に、各同期整流素子22(1)〜22(4)をFET24(1)〜24(4)と寄生ダイオード26(1)〜26(4)とに分けて表記してある。FET24(1)〜24(4)は、ゲートに入力される駆動パルスがハイレベルの期間にオンし、ローレベルの期間にオフする。寄生ダイオード26(1)〜26(4)は、カソードがドレインに、アノードがソースに各々接続される形になる。 The synchronous rectifying elements 22 (1) to 22 (4) are composed of N-channel MOS type FETs, and the synchronous rectifying elements 22 (1) to 22 (4) are connected to the FETs 24 (1) to 24 (4) in the same manner as described above. ) And the parasitic diodes 26 (1) to 26 (4). The FETs 24 (1) to 24 (4) are turned on during the high level period and turned off during the low level period when the drive pulse input to the gate is turned on. The parasitic diodes 26 (1) to 26 (4) have a cathode connected to the drain and an anode connected to the source.
同期整流回路の出力には、同期整流素子22(1)〜22(4)によって整流された電圧を出力インダクタ28a及び出力コンデンサ28bで平滑する出力平滑回路28が接続されている。出力平滑回路28は、出力コンデンサ28bの両端に出力電圧Voを発生させ、負荷30に出力電圧Vo及び出力電流Ioを供給する。
An
スイッチング制御回路32は、スイッチング素子12(1)〜12(4)に向けて所定の駆動パルスを出力することにより、各スイッチング素子をスイッチングさせる。具体的には、スイッチング周期を一定とし、FET16(1),16(4)をペアにして同位相でオンオフさせ、FET16(2),16(3)をペアにして同位相でオンオフさせ、且つ、各ペアのオンオフの位相を180度ずらす制御を行う。そして、出力電圧Voを一定に保持するため、各FET16(1)〜16(4)のオンデューティを可変調節する制御を行う。
The
さらに、スイッチング制御回路32は、FET16(1)〜16(4)のオンオフのタイミング信号Si(A),Si(B)を生成し、図示しないアイソレータを通じて同期整流制御回路34に送信する。タイミング信号Si(A)は、例えば、FET16(2),16(3)のオン期間にローレベル、オフ期間にハイレベルとなる矩形波状の電圧信号である。また、タイミング信号Si(B)は、例えば、FET16(1),16(4)のオン期間にローレベル、オフ期間にハイレベルとなる矩形波状の電圧信号である。各スイッチング素子のスイッチングが全て停止してオフに固定された時は、タイミング信号Si(A),Si(B)はローレベルに保持される。
Further, the
同期整流制御回路34は、スイッチング制御回路32から受信したタイミング信号Si(A),Si(B)に基づいて所定の駆動パルスを生成し、これを同期整流素子22(1)〜22(4)に向けて出力することにより、各同期整流素子をスイッチングさせる。具体的には、タイミング信号Si(A)がハイレベルの期間にFET24(1),FET24(4)をオンさせ、ローレベルの期間にFET24(1),FET24(4)をオフさせる。また、タイミング信号Si(B)がハイレベルの期間にFET24(2),FET24(3)をオンさせ、ローレベルの期間にFET24(2),FET24(3)をオフさせる。各スイッチング素子のスイッチングが停止してオフに固定されると、タイミング信号Si(A),Si(B)がローレベルに保持されるので、FET24(1)〜FET24(4)は、スイッチングを停止してオフに固定される。
The synchronous
次に、従来のスイッチング電源装置10の無負荷時(出力電流Io=0A)の動作を、図7のタイムチャートに基づいて説明する。十分高い入力電圧Viが供給されている時は、スイッチング制御回路32に制御されてスイッチング素子のFET16(1)〜16(4)がスイッチングし、これに伴って同期整流素子のFET24(1)〜24(4)がスイッチングし、出力インダクタ電流Ichが正負方向に流れる電流連続モードの動作を行う。同期整流素子の寄生ダイオード26(1)〜26(4)は、ほとんど導通しない。
Next, the operation of the conventional switching
ここで、入力電源14が遮断され(又は瞬時停電が発生し)、入力電圧Viが低下し始めた場合を考える。入力電圧Viが低下し始めると、FET16(1)〜16(4)及びFET24(1)〜24(4)は、オンデューティが変化しながら上記と同様のスイッチング動作を行う。その結果、出力側から入力側に電力を回生する動作、すなわち電力回生動作が行われる。電力回生動作は、入力電圧Viが早く低下して出力電圧Voが緩やかに低下する時に継続しやすく、例えば、無負荷時(出力電流Io=0A)、負荷30の両端に大容量のコンデンサが外付けされた時、負荷30がバッテリの時等に長く継続する。
Here, consider a case where the
電力回生動作が長く継続すると、出力インダクタ電流Ichが負方向に大きく直流重畳する。そして、入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vst(スイッチング制御回路32がスイッチング素子12(1)〜12(4)の駆動パルスを出力しなくなる電圧)まで低下した時、FET16(1)〜16(4)及びFET24(1)〜24(4)がほぼ同時にスイッチングを停止してオフに固定される。
If the power regeneration operation continues for a long time, the output inductor current Ich is largely DC superimposed in the negative direction. Then, when the input voltage Vi drops to the switching element stop voltage Vst (voltage at which the
図7は、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)が全てオンしているタイミングで入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vstに達し、FET24(1)〜24(4)が同時にターンオフした場合を示している。この場合、ターンオフする直前まで負方向に流れていたインダクタ電流Ichの流路が突然なくなってしまうことになる。負方向のインダクタ電流Ichは寄生ダイオード26(1)〜26(4)にとって逆方向電流になるので、寄生ダイオード26(1)〜26(4)に流れ込むことができないからである。その結果、出力インダクタ28aがインダクタ電流Ichを流し続けようとする逆起電力により、出力インダクタ28aの前段の電圧Vaに大きいサージが発生する。このサージは、FET24(1)〜24(4)がターンオフする直前のインダクタ電流Ich(負方向の電流の絶対値)が大きいほど大きくなる。
In FIG. 7, the input voltage Vi reaches the switching element stop voltage Vst at the timing when all the FETs 24 (1) to 24 (4) of the synchronous rectifying element are turned on, and the FETs 24 (1) to 24 (4) are turned off at the same time. Shows the case. In this case, the flow path of the inductor current Ich that was flowing in the negative direction until just before the turn-off suddenly disappears. This is because the inductor current Ich in the negative direction becomes a reverse current for the parasitic diodes 26 (1) to 26 (4) and cannot flow into the parasitic diodes 26 (1) to 26 (4). As a result, a large surge is generated in the voltage Va in the previous stage of the
出力インダクタ28aの前段の電圧Vaは、最大で2・BVdssまで上昇することできる。BVdssは、MOS型FETである同期整流素子22(1)〜22(4)のブレークダウン電圧である。
The voltage Va in the previous stage of the
同期整流素子22(1)〜22(4)が同時にオフすると、各ドレインソース間の電圧Vds1〜Vds4は、ほぼ等しくVa/2となる。MOS型FETは、ドレインソース間の電圧が所定の値に達すると、アバランシェ降伏によりブレークダウンする性質があるので、ドレインソース間の電圧はブレークダウン電圧BVdssにクランプされ、それ以上は上昇しない。つまり、電圧Va/2は、ゼロ〜BVdssの範囲で変化することができ、電圧Vaは最大で2・BVdssという非常に高い値まで上昇してしまう可能性があると言える。 When the synchronous rectifying elements 22 (1) to 22 (4) are turned off at the same time, the voltages Vds1 to Vds4 between the drain sources are almost equal to Va / 2. Since the MOS FET has a property of breaking down due to avalanche breakdown when the voltage between the drain sources reaches a predetermined value, the voltage between the drain sources is clamped to the breakdown voltage BVdss and does not rise any more. In other words, it can be said that the voltage Va / 2 can change in the range of zero to BVdss, and the voltage Va may rise to a very high value of 2 · BVdss at the maximum.
電圧Vaは、スイッチング電源装置10の様々な制御や機能に利用できるので、電圧Vaの位置に、図示しない回路網が接続されるケースがある。したがって、これの回路網に過度な電圧ストレスが加わらないようにするため、電圧Vaが高い値まで上昇するのを防止することが課題になる。
Since the voltage Va can be used for various controls and functions of the switching
従来、この種の課題を解決する技術として、例えば特許文献1に開示されているように、入力電圧Viをモニタするモニタ回路を設け、入力電圧Viがあらかじめ決められた基準値Vth(>Vst)よりも低下したことを検出すると、同期整流素子のスイッチングを停止させるスイッチング電源装置があった。
Conventionally, as a technique for solving this kind of problem, for example, as disclosed in
特許文献1に開示された技術を従来のスイッチング電源装置10に適用すると、図8に示すスイッチング電源装置36を構成することができる。スイッチング電源装置36は、スイッチング電源装置10に入力電圧モニタ回路38を追加したものである。入力電圧モニタ回路38は、入力電圧Viと基準値Vthとを比較し、比較結果である入力電圧検出信号Si(Vi)を、絶縁素子であるフォトカプラ38a等を通じて同期整流制御回路34に送信する。
When the technique disclosed in
入力電圧検出信号Si(Vi)は、例えばVi>Vthの時にハイレベル、Vi≦Vthになるとローレベルになる。そして同期整流制御回路34は、ローレベルの入力電圧検出信号Si(Vi)を受信すると、タイミング信号Si(A),Si(B)に内容に関係なく、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)のスイッチングを強制的に停止させ、オフに固定する。
The input voltage detection signal Si (Vi) becomes a high level when Vi> Vth and a low level when Vi ≦ Vth, for example. When the synchronous
スイッチング電源装置36の無負荷時(出力電流Io=0A)の動作は、図9のタイムチャートのように表すことができる。十分高い入力電圧Viが供給されている時、つまりVi>Vthの時の動作は、スイッチング電源装置10と同様であり、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)がスイッチングし、出力インダクタ電流Ichが正負方向に流れる電流連続モードの動作を行う。同期整流素子の寄生ダイオード26(1)〜26(4)はほとんど導通しない。
The operation of the switching
入力電源14が遮断され(又は瞬時停電が発生し)、入力電圧Viが低下し始めると、FET16(1)〜16(4)及びFET24(1)〜24(4)は、オンデューティが変化しながら上記と同様のスイッチング動作を行い、出力側から入力側に電力を回生する動作が行われる。
When the
その後、出力インダクタ電流Ichが負方向に大きく直流重畳する前に、入力電圧Viが基準値Vthに達して入力電圧検出信号Si(Vi)がローレベルに反転し、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)がスイッチングを停止してオフに固定される。そして、Vi=Vth〜Vstの間、出力巻線20bの電圧が寄生ダイオード26(1)〜26(4)によって整流され、出力電圧Voの低下に伴ってスイッチング素子のFET16(1)〜16(4)のオンデューティが大きくなり、出力インダクタ電流Ichが正方向だけに僅かに流れる動作モードに切り換わる。そして、入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vstまで低下した時、FET16(1)〜16(4)がスイッチングを停止し、寄生ダイオード26(1)〜26(4)も非導通になる。 After that, before the output inductor current Ich is largely DC superimposed in the negative direction, the input voltage Vi reaches the reference value Vth, the input voltage detection signal Si (Vi) is inverted to the low level, and the FET 24 (1) of the synchronous rectifier element. ~ 24 (4) stops switching and is fixed off. Then, during Vi = Vth to Vst, the voltage of the output winding 20b is rectified by the parasitic diodes 26 (1) to 26 (4), and as the output voltage Vo decreases, the FETs 16 (1) to 16 (4) of the switching element are rectified. The on-duty of 4) becomes large, and the operation mode is switched to the operation mode in which the output inductor current Ich flows slightly only in the positive direction. Then, when the input voltage Vi drops to the switching element stop voltage Vst, the FETs 16 (1) to 16 (4) stop switching, and the parasitic diodes 26 (1) to 26 (4) also become non-conducting.
スイッチング電源装置36の場合、入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vstに達した時、つまり寄生ダイオード26(1)〜26(4)が非導通になる時は、直前の出力インダクタ電流Ichが必ずゼロ又は正方向になるので、電圧Vaに大きいサージは発生せず、上述したスイッチング電源装置10の問題は防止される。しかしながら、入力電圧Viが基準値Vthに達し、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)が同時に停止してオフに固定される時に、電圧Vaに大きいサージが発生する可能性がある。
In the case of the switching
スイッチング電源装置36は無負荷で動作しているので、Vi>Vthの時の出力インダクタ電流Ichは、負方向に直流重畳していないとしても負方向に流れる期間が存在する。そして、この期間中の、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)が全てオンしているタイミングで入力電圧Viが基準電圧Vthに達する場合がある。
Since the switching
このタイミングで入力電圧Viが基準電圧Vthに達すると、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)が同時にターンオフし、直前まで負方向に流れていたインダクタ電流Ichの流路が突然なくなってしまう。したがって、図9に示すように、出力インダクタ28aがインダクタ電流Ichを流し続けようとする逆起電力により、電圧Vaに大きなサージが発生する。そして、FET24(1)〜24(4)がアバランシェ降伏によりブレークダウンし、電圧Vaが2・BVdssという非常に高い値まで上昇してクランプされる。
When the input voltage Vi reaches the reference voltage Vth at this timing, the FETs 24 (1) to 24 (4) of the synchronous rectifying element turn off at the same time, and the flow path of the inductor current Ich that was flowing in the negative direction until just before suddenly disappears. It ends up. Therefore, as shown in FIG. 9, a large surge is generated in the voltage Va due to the counter electromotive force that the
このように、従来のスイッチング電源装置10,36は、どちらも電圧Vaが高い値まで上昇する可能性があるので、装置の安全性を確保するための対策が求められていた。
As described above, in both the conventional switching
本発明は、上記背景技術に鑑みて成されたものであり、入力電圧が低下した時、出力インダクタの逆起電力によって発生するサージを従来よりも小さく抑えることができるダブルエンド絶縁型のスイッチング電源を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above background technology, and is a double-ended isolated switching power supply capable of suppressing the surge generated by the back electromotive force of the output inductor to be smaller than before when the input voltage drops. The purpose is to provide.
本発明は、入力巻線及び出力巻線を有するトランスと、前記入力巻線に接続されてスイッチングする複数のスイッチング素子と、両端に一定以上の電圧が印加されるとアバランシェ降伏によりブレークダウンするMOS型FETで成り、前記出力巻線に接続されてスイッチングする複数の同期整流素子と、前記スイッチング素子をスイッチングさせるスイッチング制御回路と、前記スイッチング制御回路から前記スイッチング素子のオンオフのタイミング信号を受信し、このタイミング信号に基づいて前記同期整流素子をスイッチングさせる同期整流制御回路と、前記同期整流素子により整流された電圧を出力インダクタ及び出力コンデンサで平滑する出力平滑回路とを備え、入力電圧を所定の出力電圧に変換して出力するダブルエンド絶縁型のスイッチング電源装置である。 The present invention includes a transformer having an input winding and an output winding, a plurality of switching elements connected to the input winding for switching, and a MOS that breaks down due to avalanche breakdown when a certain voltage or more is applied to both ends. It consists of a plurality of synchronous rectifying elements that are connected to the output winding and switch, a switching control circuit that switches the switching elements, and an on / off timing signal of the switching element is received from the switching control circuit. A synchronous rectification control circuit for switching the synchronous rectifying element based on this timing signal and an output smoothing circuit for smoothing the voltage rectified by the synchronous rectifying element with an output inductor and an output capacitor are provided, and an input voltage is output to a predetermined value. It is a double-ended isolated switching power supply that converts it into a voltage and outputs it.
前記複数の同期整流素子は、互いに直列接続された第一及び第二の同期整流素子と、互いに直列接続された第三及び第四の同期整流素子とで構成され、前記第一及び第二の同期整流素子の直列回路は、前記第一の同期整流素子がハイサイド側に配置され、両端が前記出力平滑回路の入力端に接続され、前記第三及び第四の同期整流素子の直列回路は、前記第三の同期整流素子がハイサイド側に配置され、両端が前記出力平滑回路の入力端に接続され、前記第一及び第二の同期整流素子の中点と前記第三及び第四の同期整流素子の中点との間に前記出力巻線が接続される。そして、前記同期整流制御回路は、前記入力電圧が基準値以下に低下すると、前記タイミング信号の内容に関係なく、前記第一及び第三の同期整流素子のスイッチングを強制的に停止させ、又は前記第二及び第四の同期整流素子のスイッチングを強制的に停止させる。前記同期整流制御回路は、前記トランスに設けた補助巻線の発生電圧により前記入力電圧を検出する構成にすることが好ましい。 The plurality of synchronous rectifying elements are composed of first and second synchronous rectifying elements connected in series with each other and third and fourth synchronous rectifying elements connected in series with each other, and the first and second synchronous rectifying elements. In the series circuit of the synchronous rectifying element, the first synchronous rectifying element is arranged on the high side side, both ends are connected to the input end of the output smoothing circuit, and the series circuit of the third and fourth synchronous rectifying elements is , The third synchronous rectifying element is arranged on the high side side, both ends are connected to the input end of the output smoothing circuit, and the middle point of the first and second synchronous rectifying elements and the third and fourth are. The output winding is connected to the midpoint of the synchronous rectifying element. Then, when the input voltage drops below the reference value, the synchronous rectification control circuit forcibly stops the switching of the first and third synchronous rectification elements regardless of the content of the timing signal, or the synchronous rectification control circuit. The switching of the second and fourth synchronous rectifying elements is forcibly stopped. The synchronous rectification control circuit is preferably configured to detect the input voltage by the generated voltage of the auxiliary winding provided in the transformer.
また、前記同期整流制御回路は、前記タイミング信号に基づいて前記同期整流素子を駆動する同期整流素子駆動部と、前記入力電圧又はこれに対応した電圧を検出し、前記入力電圧が前記基準値以下になった時、前記同期整流素子駆動部に向けて入力低下信号を送信する入力電圧検出部とを有し、前記同期整流素子駆動部は、前記第一及び第三の同期整流素子を駆動するハイサイド側駆動部と、前記第二及び第四の同期整流素子を駆動するローサイド側駆動部とで構成され、前入力電圧検出部から前記入力低下信号を受信すると、前記タイミング信号の内容に関係なく、前記ローサイド側駆動部と前記ハイサイド側駆動部のどちらか一方の動作を強制的に停止させる構成にしてもよい。 Further, the synchronous rectification control circuit detects the synchronous rectifier element drive unit that drives the synchronous rectifier element based on the timing signal, the input voltage or a voltage corresponding thereto, and the input voltage is equal to or lower than the reference value. The synchronous rectifying element driving unit has an input voltage detecting unit that transmits an input voltage drop signal to the synchronous rectifying element driving unit, and the synchronous rectifying element driving unit drives the first and third synchronous rectifying elements. It is composed of a high-side drive unit and a low-side drive unit that drives the second and fourth synchronous rectifying elements, and when the input drop signal is received from the front input voltage detection unit, it is related to the content of the timing signal. Instead, the operation of either the low-side drive unit or the high-side drive unit may be forcibly stopped.
本発明のスイッチング電源装置は、MOS型FETで成る複数の同期整流素子をブリッジ型に接続した同期整流回路を有し、入力電圧が基準値以下に低下すると、ハイサイド側の同期整流素子又はローサイド側の同期整流素子のスイッチングを強制的に停止させるという独特な構成を備えている。したがって、出力インダクタの逆起電力によって発生するサージを従来よりも小さく抑えることができる。 The switching power supply device of the present invention has a synchronous rectifier circuit in which a plurality of synchronous rectifier elements composed of MOS type FETs are connected in a bridge type, and when the input voltage drops below the reference value, the high side synchronous rectifier element or the low side It has a unique configuration in which the switching of the synchronous rectifying element on the side is forcibly stopped. Therefore, the surge generated by the back electromotive force of the output inductor can be suppressed to be smaller than before.
以下、本発明のスイッチング電源装置の一実施形態について、図1〜図5に基づいて説明する。ここで、従来のスイッチング電源10,36と同様の構成は、同一の符号を付して説明を省略する。
Hereinafter, an embodiment of the switching power supply device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. Here, the same configurations as those of the conventional
この実施形態のスイッチング電源装置40は、上記従来のスイッチング電源装置10と同様に、ブリッジ型の同期整流回路を備えたフルブリッジ方式のスイッチング電源装置である。特徴的なのは、図1に示すように、上記の同期整流制御回路34に代えて、独特な動作を行う同期整流制御回路42が設けられている点であり、その他の構成は同様である。
The switching
同期整流制御回路42は、同期整流素子駆動部44と入力電圧検出部46とで構成されている。同期整流素子駆動部44は、図2に示すように、第一及び第三の同期整流素子22(1),22(3)を駆動するハイサイド側駆動部48と、第二及び第四の同期整流素子22(2),22(4)を駆動するローサイド側駆動部50とを備えている。
The synchronous
ハイサイド側駆動部48は、スイッチング制御回路32から受信したタイミング信号Si(A)に基づいて同期整流素子22(1)の駆動パルスを生成し、ハイサイド側に位置する同期整流素子22(1)のゲートに出力する。さらに、タイミング信号Si(B)に基づいて同期整流素子22(3)の駆動パルスを生成し、ハイサイド側に位置する同期整流素子22(3)のゲートに出力する。例えば図3(a)に示すように、レベルシフタ48a(1)を用いてタイミング信号Si(A)のグランドをハイサイド側にシフトさせ、これをバッファ48b(1)で電流増幅することによって同期整流素子22(1)の駆動パルスを生成する。同様に、レベルシフタ48a(3)を用いてタイミング信号Si(B)のグランドをハイサイド側にシフトさせ、これをバッファ48b(3)で電流増幅することによって同期整流素子22(3)の駆動パルスを生成する。
The high-
ローサード側駆動部50は、スイッチング制御回路32から受信したタイミング信号Si(B)に基づいて同期整流素子22(2)の駆動パルスを生成し、ローサイド側に位置する同期整流素子22(2)のゲートに出力する。同様に、タイミング信号Si(A)に基づいて同期整流素子22(4)の駆動パルスを生成し、ローサイド側に位置する同期整流素子22(4)のゲートに出力する。例えば図3(b)に示すように、タイミング信号Si(B)をANDゲート50a(2)の一方の入力端で受け、ANDゲート50a(2)の出力をバッファ50b(2)で電流増幅することによって同期整流素子22(2)の駆動パルスを生成する。したがって、ANDゲート50a(2)の他方の入力端がハイレベルの時、タイミング信号Si(B)と同位相の駆動パルスを出力し、ローレベルの時は、タイミング信号Si(B)の内容に関係なく、ローレベルに固定された駆動パルスを出力する。同様に、タイミング信号Si(A)をANDゲート50a(4)の一方の入力端で受け、ANDゲート50a(4)の出力をバッファ50b(4)で電流増幅することによって同期整流素子22(4)駆動パルスを生成する。したがって、ANDゲート50a(4)の他方の入力端がハイレベルの時、タイミング信号Si(A)と同位相の駆動パルスを出力し、ローレベルの時は、タイミング信号Si(B)の内容に関係なく、ローレベルに固定された駆動パルスを出力する。ANDゲート50a(2),50a(4)の他方の入力端に入力されるのは、入力電圧検出部46が出力する入力電圧検出信号Si(Vi)である。
The low third
入力電圧検出部46は、図2に示すように、トランス20に付設した補助巻線20cと、その両端電圧を整流平滑して入力電圧Viに略比例した直流電圧Vbを生成するダイオード52及びコンデンサ54とを備えている。そして、コンデンサ54に発生する電圧Vbを分圧する抵抗56a,56bを有し、抵抗56a,56bの中点がトランジスタ58のベースに接続されている。トランジスタ58はPNP型のバイポーラトランジスタであり、エミッタが電源電圧Vccに接続されている。
As shown in FIG. 2, the input
トランジスタ58のコレクタには、トランジスタ60のゲートが接続されている。トランジスタ60はNチャネルのMOS型FETであり、ドレインが抵抗62を介して電源電圧Vccにプルアップされ、ソースがグランドに接続されている。ゲートとグランドとの間には、コンデンサ64と抵抗66とが並列に接続されている。コンデンサ64は、トランジスタ58が導通から非導通に切り替わった時、ゲートソース間の電圧を所定時間ハイレベルに保持するためのコンデンサで、抵抗66は、ゲートソース間の電圧をローレベルに低下させるための放電抵抗である。また、ドレインとグランドとの間には、ノイズ除去用のコンデンサ68が接続されている。
The gate of the
なお、トランジスタ58のベースエミッタ間に接続されたダイオード70は、トランジスタ58のベースエミッタ間に過大な逆電圧が印加されるのを阻止する保護用のダイオードであり、本発明の動作には寄与しない。
The
入力電圧検出部46は、抵抗56a,56bの中点の電圧Vcと、電源電圧Vccからトランジスタ58のベースエミッタ間電圧Vbeを差し引いた電圧(Vcc−Vbe)とを比較し、その比較結果である入力電圧検出信号Si(Vi)を、トランジスタ60のドレインの位置から出力する。ここで、電圧Vcは入力電圧Viに対応した値であり、電圧(Vcc−Vbe)は基準値Vthに対応した値に設定されており、実質的には、入力電圧Viと基準値Vthとを比較することになる。
The input
入力電圧Viが基準値Vthより高い時は、電圧Vcが電圧(Vcc−Vbe)より高くなり、トランジスタ58が非導通になってトランジスタ60がオフし、入力電圧検出信号Si(Vi)がハイレベルになる。一方、入力電圧Viが低下して基準値Vth以下になると、電圧Vcが電圧(Vcc−Vbe)に達し、トランジスタ58が導通してトランジスタ60がオンし、入力電圧検出信号Si(Vi)がローレベルになる。したがって、ローレベルの入力電圧検出信号Si(Vi)が、入力電圧Viが基準値Vth以下になったことを示す入力低下信号となる。
When the input voltage Vi is higher than the reference value Vth, the voltage Vc becomes higher than the voltage (Vcc-Vbe), the
上述したように、ローサイド側駆動部50は、ローレベルの入力電圧検出信号Si(Vi)がANDゲート50a(2),50a(4)に入力されると、同期整流素子22(2),22(4)に向けてローレベルに固定された駆動パルスを出力する。つまり、ローサイド側駆動部50は、入力電圧検出部46から入力低下信号を受信すると、タイミング信号Si(A),Si(B)の内容に関係なく、ローレベルに固定された駆動パルスを出力し、同期整流素子22(2),22(4)のスイッチングを強制的に停止させる動作を行う。
As described above, when the low-level input voltage detection signal Si (Vi) is input to the AND
次に、スイッチング電源装置40の無負荷時(出力電流Io=0A)の動作を、図4のタイムチャートに基づいて説明する。十分高い入力電圧Viが供給されている時、つまりVi>Vthの時は、入力電圧検出部46がハイレベルの入力電圧検出信号Si(Vi)を出力するので、スイッチング電源装置10,36と同様に、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)がスイッチングし、出力インダクタ電流Ichが正負方向に流れる電流連続モードの動作を行う。同期整流素子の寄生ダイオード26(1)〜26(4)はほとんど導通しない。
Next, the operation of the switching
入力電源14が遮断され(又は瞬時停電が発生し)、入力電圧Viが低下し始めると、FET16(1)〜16(4)及びFET24(1)〜24(4)は、オンデューティが変化しながら上記と同様のスイッチング動作を行い、出力側から入力側に電力を回生する動作が行われる。
When the
その後、出力インダクタ電流Ichが負方向に大きく直流重畳する前に、入力電圧Viが基準値Vthに達し、入力電圧検出信号Si(Vi)がローレベルに反転する(低入力信号を出力する)。そして、ローサイド側駆動部がFET24(2)〜24(4)のスイッチングを強制的に停止させてオフに固定する。一方、ハイサイド側のFET24(1),24(3)は、スイッチングを継続する。そして、Vi=Vth〜Vstの間、出力巻線20bの電圧が同期整流素子のFET24(1),24(3)と寄生ダイオード26(2),26(4)とで整流され、出力電圧Voの低下に伴ってスイッチング素子のFET16(1)〜16(4)のオンデューティが大きくなり、出力インダクタ電流Ichが正方向だけに僅かに流れる動作モードに切り換わる。 After that, the input voltage Vi reaches the reference value Vth and the input voltage detection signal Si (Vi) is inverted to the low level (outputs a low input signal) before the output inductor current Ich is largely DC superimposed in the negative direction. Then, the low-side drive unit forcibly stops the switching of the FETs 24 (2) to 24 (4) and fixes them to off. On the other hand, the FETs 24 (1) and 24 (3) on the high side continue switching. Then, between Vi = Vth and Vst, the voltage of the output winding 20b is rectified by the FETs 24 (1) and 24 (3) of the synchronous rectifying element and the parasitic diodes 26 (2) and 26 (4), and the output voltage Vo. As the voltage decreases, the on-duty of the FETs 16 (1) to 16 (4) of the switching element increases, and the mode is switched to the operation mode in which the output inductor current Ich slightly flows only in the positive direction.
そして、入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vst(スイッチング制御回路32がスイッチング素子の駆動パルスを出力しなくなる電圧)まで低下した時、FET16(1)〜16(4)及びFET24(1),24(3)がほぼ同時にスイッチングを停止し、寄生ダイオード26(2),26(4)も非導通になる。
Then, when the input voltage Vi drops to the switching element stop voltage Vst (voltage at which the
ここで、入力電圧Viが基準値Vthに達した時、つまり同期整流素子のFET24(2),24(4)が停止してオフになる時を考える。上記のスイッチング電源装置36の場合、出力インダクタ電流Ichが負方向に流れている期間の、同期整流素子のFET24(1)〜24(4)が全てオンしているタイミングで入力電圧Viが基準値Vthに達すると、FET24(1)〜24(4)の全てが同時にターンオフし、出力インダクタ28の逆起電力により、出力インダクタ28aの前段の電圧Vaが2・BVdssという非常に高い値まで上昇してしまう。これに対して、スイッチング電源装置40の場合は、4つのFET24(1)〜24(4)の中のFET24(2),24(4)だけがターンオフし、FET24(1),24(3)はオンを継続するので、出力インダクタ28の逆起電力によって電圧Vaにサージが発生するものの、電圧Vaの値は、FET24(2)又は24(4)のアバランシェ降伏によるブレーク電圧BVdss以下に抑えられる。
Here, consider the time when the input voltage Vi reaches the reference value Vth, that is, the time when the FETs 24 (2) and 24 (4) of the synchronous rectifying element are stopped and turned off. In the case of the above switching
また、スイッチング電源装置40は、入力電圧Viがスイッチング素子停止電圧Vstに達した時、つまり同期整流素子のFET24(1),24(3)のスイッチングが停止し寄生ダイオード26(2),26(4)が非導通になる時は、直前の出力インダクタ電流Ichが必ずゼロ又は正方向になるので、スイッチング電源装置36と同様に、電圧Vaに大きいサージは発生せず、上述したスイッチング電源装置10の問題も防止される。
Further, in the switching
以上説明したように、スイッチング電源装置40は、MOS型FETで成る同期整流素子22(1)〜22(4)をブリッジ型に接続した同期整流回路を有し、入力電圧Viが基準値Vth以下に低下すると、ローサイド側の同期整流素子22(2),22(4)のスイッチングを強制的に停止させるという独特な構成を備えている。したがって、出力インダクタ28aの逆起電力によって発生するサージを従来よりも小さく抑えることができる。つまり、出力インダクタ28aの前段の電圧Vaの上昇を、MOS型FET(1つ分)のブレークダウン電圧BVdss以下に抑えることができる。
As described above, the switching
また、同期整流制御回路42が有する入力電圧検出部46は、トランス20に付設した補助巻線20cを通じて入力電圧Viを検出する構成なので、図8に示すフォトカプラ38aのような外形が大きい絶縁素子を使用する必要がなく、コンパクトな回路構成で入力低下信号を同期整流素子駆動部44に伝達することができる。
Further, since the input
また、同期整流素子駆動部44が、ハイサイド側駆動部48とローサイド側駆動部50とで構成されている点にも特徴がある。広く市販されている2チャンネルのFETドライバには、大きく分けて3つのタイプがある。第1のタイプは、ハイサイド側を駆動するドライバとローサイド側を駆動するドライバとが1つのICパッケージに収容されたタイプ、第2のタイプは、ハイサイド側を駆動する2つのドライバが1つのICパッケージに収容されたタイプ、第3のタイプは、ローサイド側を駆動する2つのドライバが1つのICパッケージに収容されたタイプである。ハイサイド側を駆動するドライバの内部回路は、ハイサイド側回路とローサイド側回路とで構成され、各回路の間に十分な絶縁性を確保するため、ハイサイド側回路に通じる外部接続端子とローサイド側回路に通じる外部接続端子と間の絶縁距離を一定以上に長くする必要があり、第1及び第2のタイプはICパッケージの外形が相対的に大きくなる。一方、第3のタイプは外部接続端子間の絶縁距離を短くできるので、ICパッケージの外形を小さくできる。
Another feature is that the synchronous rectifying
例えば、第1のタイプを2つ用意すれば、同期整流素子駆動部44と同機能の同期整流素子駆動部を構成することができるが、大型のICパッケージが2つになるので、広い実装スペースが必要になる。これに対して、この実施形態の同期整流素子駆動部44は、第2のタイプと第3のタイプを1つずつ用意して構成することができるので、小型の第3のタイプが使用できる分、実装スペースを狭くできるという利点がある。その他、入力電圧検出信号Si(Vi)の送信先が1つのICパッケージに集約されるので、プリント基板の配線パターンの設計が容易になるという利点もある。
For example, if two first types are prepared, a synchronous rectifying element driving unit having the same function as the synchronous rectifying
なお、本発明のスイッチング電源装置は、上記実施形態に限定されるものではない。スイッチング電源装置40の同期整流制御回路42は、入力電圧Viが基準値Vth以下に低下すると、ローサイド側の同期整流素子22(2),22(4)のスイッチングを強制的に停止させ、ハイサイド側の同期整流素子22(1),22(3)の動作を継続させる構成にしているが、ハイサイド側の同期整流素子22(1),22(3)のスイッチングを強制的に停止させ、ローサイド側の同期整流素子22(2),22(4)の動作を継続させる構成に変更してもよく、同様の作用効果が得られる。
The switching power supply device of the present invention is not limited to the above embodiment. When the input voltage Vi drops below the reference value Vth, the synchronous
スイッチング制御回路及び同期整流制御回路は、上記のスイッチング制御回路32及び同期整流制御回路42の構成に限定されず、本発明が目的とする動作が可能であれば、内部構成は適宜変更することができる。例えば、スイッチング素子のオンオフと同期整流素子のオンオフとの間にデッドタイムを設ける場合、スイッチング制御回路の方でデッドタイムを加味したタイミング信号を生成し、同期整流制御回路がタイミング信号の通りに駆動パルスを生成する構成にすることができる。あるいは、スイッチング制御回路がスイッチング素子のオンオフの通りにタイミング信号を生成し、同期整流制御回路の方でデッドタイムを加味した駆動パルスを生成する構成にしてもよい。また、タイミング信号は、上記のSi(A),Si(B)のような矩形波状の電圧信号の形態に限定されず、例えば、スイッチング素子がターンオン、ターンオフするタイミングで短時間だけハイレベルになるインパルス状の電圧信号を送信するようにしてもよい。
The switching control circuit and the synchronous rectification control circuit are not limited to the configurations of the switching
入力電圧検出部は、上記の入力電圧検出部46の構成に限定されず、例えば、入力電圧をトランスの補助巻線から間接的に検出するのではなく、別の箇所で間接的に検出する構成にしてもよいし、特許文献1のように入力電圧を直接的に検出する構成にしてもよい。また、入力電圧検出部46の場合、電圧を比較する部分は、コストを重視して複数のディスクリート部品(トランジスタ、抵抗、ダイオード等)で構成しているが、図5に示す入力電圧検出部46xように、部品点数を少なくすることを重視してコンパレータ素子72等で構成してもよい。また、入力電圧検出信号(入力低下信号)の形態は、ハイレベル又はローレベルの電圧信号に限定されない。
The input voltage detection unit is not limited to the configuration of the input
その他、インバータ回路は、いわゆるダブルエンド絶縁型であればよく、スイッチング電源装置40のフルブリッジ方式以外に、ハーフブリッジ方式やプッシュプル方式のインバータ回路にも適用することができ、同様の効果が得られる。
In addition, the inverter circuit may be a so-called double-ended isolated type, and can be applied to a half-bridge type or push-pull type inverter circuit in addition to the full-bridge type of the switching
10,36,40 スイッチング電源装置
12(1)〜12(4) 第一〜第四のスイッチング素子
16(1)〜16(4) FET(スイッチング素子)
18(1)〜18(4) 寄生ダイオード(スイッチング素子)
20 トランス
20a 入力巻線
20b 出力巻線
20c 補助巻線
22(1)〜12(4) 第一〜第四の同期整流素子
24(1)〜24(4) FET(同期整流素子)
26(1)〜26(4) 寄生ダイオード(同期整流素子)
28 出力平滑回路
28a 出力インダクタ
28b 出力コンデンサ
32 スイッチング制御回路
34,42 同期整流制御回路
44 同期整流素子駆動部
46,46x 入力電圧検出部
48 ハイサイド側駆動部(同期整流素子駆動部)
50 ローサイド側駆動部(同期整流素子駆動部)
Si(A),Si(B) タイミング信号
Si(Vi) 入力電圧検出信号(入力低下信号)
Vi 入力電圧
Vo 出力電圧
Vth 基準値
10, 36,40 Switching power supply device 12 (1) to 12 (4) First to fourth switching elements 16 (1) to 16 (4) FET (switching element)
18 (1) -18 (4) Parasitic diode (switching element)
20
26 (1) to 26 (4) Parasitic diode (synchronous rectifying element)
28
50 Low side drive unit (synchronous rectifier element drive unit)
Si (A), Si (B) timing signal
Si (Vi) Input voltage detection signal (input drop signal)
Vi input voltage
Vo output voltage
Vth reference value
Claims (3)
前記複数の同期整流素子は、互いに直列接続された第一及び第二の同期整流素子と、互いに直列接続された第三及び第四の同期整流素子とで構成され、前記第一及び第二の同期整流素子の直列回路は、前記第一の同期整流素子がハイサイド側に配置され、両端が前記出力平滑回路の入力端に接続され、前記第三及び第四の同期整流素子の直列回路は、前記第三の同期整流素子がハイサイド側に配置され、両端が前記出力平滑回路の入力端に接続され、前記第一及び第二の同期整流素子の中点と前記第三及び第四の同期整流素子の中点との間に前記出力巻線が接続され、
前記同期整流制御回路は、前記入力電圧が基準値以下に低下すると、前記タイミング信号の内容に関係なく、前記第一及び第三の同期整流素子のスイッチングを強制的に停止させ、又は前記第二及び第四の同期整流素子のスイッチングを強制的に停止させることを特徴とするスイッチング電源装置。 It consists of a transformer having an input winding and an output winding, a plurality of switching elements connected to the input winding for switching, and a MOS type FET that breaks down due to avalanche breakdown when a certain voltage or more is applied to both ends. A plurality of synchronous rectifying elements connected to and switched to the output winding, a switching control circuit for switching the switching element, and an on / off timing signal of the switching element are received from the switching control circuit and used as this timing signal. A synchronous rectification control circuit for switching the synchronous rectifying element based on the above, and an output smoothing circuit for smoothing the voltage rectified by the synchronous rectifying element with an output inductor and an output capacitor are provided, and an input voltage is converted into a predetermined output voltage. In a double-ended isolated switching power supply that outputs
The plurality of synchronous rectifying elements are composed of first and second synchronous rectifying elements connected in series with each other and third and fourth synchronous rectifying elements connected in series with each other, and the first and second synchronous rectifying elements. In the series circuit of the synchronous rectifying element, the first synchronous rectifying element is arranged on the high side side, both ends are connected to the input end of the output smoothing circuit, and the series circuit of the third and fourth synchronous rectifying elements is , The third synchronous rectifying element is arranged on the high side side, both ends are connected to the input end of the output smoothing circuit, and the middle point of the first and second synchronous rectifying elements and the third and fourth are. The output winding is connected to the midpoint of the synchronous rectifying element, and the output winding is connected.
When the input voltage drops below the reference value, the synchronous rectification control circuit forcibly stops the switching of the first and third synchronous rectifying elements regardless of the content of the timing signal, or the second. And a switching power supply device characterized by forcibly stopping the switching of the fourth synchronous rectifying element.
前記同期整流素子駆動部は、前記第一及び第三の同期整流素子を駆動するハイサイド側駆動部と、前記第二及び第四の同期整流素子を駆動するローサイド側駆動部とで構成され、前入力電圧検出部から前記入力低下信号を受信すると、前記タイミング信号の内容に関係なく、前記ローサイド側駆動部と前記ハイサイド側駆動部のどちらか一方の動作を強制的に停止させる請求項1又は2記載のスイッチング電源装置。 The synchronous rectification control circuit detects the synchronous rectifier element drive unit that drives the synchronous rectifier element based on the timing signal, the input voltage or a voltage corresponding thereto, and the input voltage becomes equal to or less than the reference value. At that time, it has an input voltage detection unit that transmits an input reduction signal toward the synchronous rectifying element drive unit.
The synchronous rectifying element drive unit is composed of a high-side side driving unit that drives the first and third synchronous rectifying elements and a low-side side driving unit that drives the second and fourth synchronous rectifying elements. When the input drop signal is received from the front input voltage detection unit, the operation of either the low side drive unit or the high side drive unit is forcibly stopped regardless of the content of the timing signal. Or the switching power supply device according to 2.
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